JP3413732B2 - Ｃｃｄ型固体撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ型固体撮像素子Info
- Publication number
- JP3413732B2 JP3413732B2 JP15951594A JP15951594A JP3413732B2 JP 3413732 B2 JP3413732 B2 JP 3413732B2 JP 15951594 A JP15951594 A JP 15951594A JP 15951594 A JP15951594 A JP 15951594A JP 3413732 B2 JP3413732 B2 JP 3413732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- horizontal
- transfer
- transfer destination
- register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ型固体撮像素
子、特に撮像領域と、第１の水平レジスタと、該第１の
水平レジスタの反撮像領域側に設けられたＨ・Ｈ間トラ
ンスファーゲートと、該Ｈ・Ｈ間トランスファーゲート
の反第１の水平レジスタ側に設けられた第２の水平レジ
スタを有するＣＣＤ固体撮像素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＣＣＤ型固体撮像素子として水平レジス
タを２固有し、各水平レジスタから信号電荷を同時に出
力するタイプのものが知られている（特開平５−７３４
３号公報、特開昭６３−２７４２７２号公報、特開昭５
７−１８１２７４号公報等）。水平レジスタを２個設け
るのは、例えばハイビジョン化対応等のために画素数が
増えたため水平レジスタが一個では水平方向のビット配
置ピッチが微小過ぎて、半導体領域、転送電極等の形成
が困難なことからそのピッチの微細さを緩和するためで
ある。 【０００３】図３（Ａ）、（Ｂ）はそのようなＣＣＤ型
固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ型固体撮像
素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの構造例を示
す平面図である。図面において、１は第１の水平レジス
タ、２は第２の水平レジスタ、３は撮像領域で、マトリ
ックス状に配設された受光素子群と、受光素子の各垂直
列に対応して設けられた垂直レジスタからなる。尚、本
発明の本質は受光素子、垂直レジスタに存在する訳では
ないのでその図示、説明は省略する。４はＶ・Ｈトラン
スファーゲートで、各垂直レジスタからの信号電荷を水
平転送部へ転送する役割を果たす。５は上記二つの水平
レジスタ１・２間に設けられたＨ・Ｈトランスファーゲ
ートで、第１の水平レジスタ１に転送されてきた信号電
荷を第２の水平レジスタ２に転送する役割を果たす。
６、６、・・・はチャンネルストッパ、７、７、・・・
は水平レジスタの転送電極である。 【０００４】このようなタイプの固体撮像素子におい
て、水平転送部は本来の水平転送（Ｈ転送）とトランス
ファーゲート５による第１の水平レジスタ・第２の水平
レジスタ間の転送、即ち水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転
送）を行わなければならない。図中において、●はＨ・
Ｈ転送されるエレクトロンによる信号電荷を、○はＨ転
送される同じくエレクトロンによる信号電荷を示す。図
４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来例を示すも
ので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１
の水平レジスタの１ビット分を示す。１ｔはトランスフ
ァー部を、１ｓはストレージ部を示し、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度のＰ型半導体領域Ｃからなる。
ストレージ部１ｓは領域Ｃよりも不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ａからなる。具体的には、同じゲート電圧に
対するポテンシャルが領域Ａが０Ｖだと領域Ｂが例えば
−１Ｖ、領域Ｃが例えば−３Ｖになるように各領域Ａ、
Ｂ、Ｃの不純物濃度が設定されている。 【０００５】領域Ａは領域ＢのＨ・Ｈ転送先側にあり、
その領域Ａ・Ｂ間の境界は、水平方向よりも例えば約４
５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向きに形成さ
れている。Ｈ転送方向及びＨ・Ｈ転送方向の双方にバラ
ンスよく転送し易くするためである。このような第１の
水平レジスタ１は、結局Ｈ転送方向においても、ストレ
ージ部１ｓにおけるＨ・Ｈ間転送方向においても２段階
で不純物濃度が低くなっている。従って、第１の水平レ
ジスタ１におけるポテンシャルは、図５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、２段階で変化する段差を持ったプロフィ
ールになる。図５（Ａ）はＨ転送方向におけるポテンシ
ャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ転送方向のポテン
シャルプロフィールを示す。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、図５に示すように、第
１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシャルは、水平
転送方向においても、垂直転送方向においても２段階に
変化しているに過ぎず、ポテンシャルプロフイールに滑
らかさがない。従って、充分な転送電界を得ることが難
しい。そのため、転送残しが生じ易いという問題があっ
た。尤も、Ｈ・Ｈ間転送方向に限って言えば、第１の水
平レジスタ１のＨ・Ｈ間転送方向における寸法（設計
値）を小さくすることによって転送電界を高めることが
できるといえる。しかし、その場合、必然的に、第１の
水平レジスタ１の面積が狭まり、延いては水平レジスタ
の取扱い電荷量の減少、固体撮像素子自身のダイナミッ
クレンジの減少を招くので、それは許されない。 【０００７】本発明はそのような問題点を解決すべく為
されたもので、二個の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、第１の水平レジスタの水平転送方向
及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転送残
しが生じるおそれをなくすことを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明ＣＣＤ型固体撮像
素子は、第１の水平レジスタの各ビットの各ストレージ
部が、これの水平転送先側及び水平レジスタ間転送先側
の部分を占有する第１の領域と、該第１の領域よりも高
い不純物濃度を有し、該第１の領域の反水平転送先側及
び反水平レジスタ間転送先側に位置する第２の領域と、
該第２の領域よりも高い不純物濃度を有し、該第２の領
域の反水平レジスタ間転送先側に位置する第３の領域と
の三つの領域からなり、各トランスファー部が、上記第
３の領域より高い不純物濃度の一つの領域から、又は、
該トランスファー部の水平転送先側及び水平レジスタ間
転送先側部分を占有する、上記第３の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有する第４の領域と、該第４の領域の
反水平転送先側及び反水平レジスタ間転送先側に位置
し、該第４の領域よりも高い不純物濃度を有する第５の
領域との二つの領域からなることを特徴とする。 【０００９】 【作用】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、第１の
水平レジスタの各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送先側へ
行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ間転送先側へ行く
に従って３段階に低くなっているので、ポテンシャルも
Ｈ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３
段階に変化しており、段差数が従来よりも増え、ポテン
ションプロフィールが滑らかになる。従って、その分同
じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来よりも
高くすることができる。従って、従来よりも転送効率を
高め、転送残しを防止することができる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明ＣＣＤ型固体撮像素子を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１の
水平レジスタの１ビット分を示す。本ＣＣＤ型固体撮像
素子は、図４に示した従来のＣＣＤ型固体撮像素子と
は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットの不純物濃度
が、Ｈ転送先側へ行くに従って４段階に、Ｈ・Ｈ転送先
側へ行くに従って３段階に高くなっているという点で大
きく相違するが、それ以外の点では共通し、その共通点
については既に説明済みであるので、その説明は省略し
相違する点についてのみ説明することとする。また、全
図を通して共通する部分には共通の符号を付した。 【００１１】図１（Ｂ）に示すように、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度の半導体領域Ｅと、この領域Ｅ
よりも不純物濃度のやや低いＰ型半導体領域Ｄからな
る。そして、ストレージ部１ｓは領域Ｄよりも不純物濃
度のやや低いＰ型半導体領域Ｃと、それより不純物濃度
のやや低いＰ型半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物
濃度のやや低いＰ型半導体領域Ａからなる。このよう
に、第１の水平レジスタ１の各ビットは、領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの順で不純物濃度が高くなっており、各ビッ
トのＨ・Ｈ転送先側寄りの部分においてＨ転送方向に沿
っては４段階に不純物濃度が変化している。また、各ビ
ットのストレージ部１ｓは、Ｈ・Ｈ間転送方向において
３段階に不純物濃度が変化している。尚、領域Ｅ・Ｄ間
の境界、Ｃ・Ｂ間の境界、Ｂ・Ａ間の境界は、Ｈ転送方
向とＨ・Ｈ転送方向の双方においてバランスよく転送し
易くするために、少なくとも部分的に、水平方向よりも
例えば約４５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向
きに形成されている。 【００１２】本実施例の第１の水平レジスタ１における
ポテンシャルは、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すような段差
を持ったプロフィールになる。図２（Ａ）はＨ転送方向
におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ
転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。図５に示
すように、第１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシ
ャルは、水平転送方向においては４段階にも、水平レジ
スタ間転送方向においても３段階に変化しており、図４
に示す従来のＣＣＤ型固体撮像素子に比較してポテンシ
ャル段差に滑らかさがあり、同じ駆動電圧（ゲート電
圧）を用いた場合における転送電界を従来よりも高くす
ることができる。従って、従来よりも転送効率を高める
ことができる。尚、図１に示す実施例において、領域Ｄ
を設けず、従って、Ｈ転送方向において不純物濃度が３
段階で変化するようなプロフィールにした態様でも本発
明を実施することができる。この場合、Ｈ方向のポテン
シャルは３段階で変化するプロフィールになることはい
うまでもない。 【００１３】 【発明の効果】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子は、第１の
水平レジスタの各ビットの各ストレージ部が、これの水
平転送先側及び水平レジスタ間転送先側の部分を占有す
る第１の領域と、該第１の領域よりも高い不純物濃度を
有し、該第１の領域の反水平転送先側及び反水平レジス
タ間転送先側に位置する第２の領域と、該第２の領域よ
りも高い不純物濃度を有し、該第２の領域の反水平レジ
スタ間転送先側に位置する第３の領域との三つの領域か
らなり、各トランスファー部が、上記第３の領域より高
い不純物濃度の一つの領域から、又は、該トランスファ
ー部の水平転送先側及び水平レジスタ間転送先側部分を
占有する、上記第３の不純物濃度よりも高い不純物濃度
を有する第４の領域と、該第４の領域の反水平転送先側
及び反水平レジスタ間転送先側に位置し、該第４の領域
よりも高い不純物濃度を有する第５の領域との二つの領
域からなることを特徴とする。従って、本発明ＣＣＤ型
固体撮像素子によれば、第１の水平レジスタの各ビット
の不純物濃度が、Ｈ転送先側へ行くに従って３又は４段
階に、Ｈ・Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなっ
ているので、ポテンシャルもＨ転送先側へは３又は４段
階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３段階に変化し、段差数が従
来よりも増え、ポテンシャルプロフィールが滑らかにな
る。従って、同じ駆動電圧を用いた場合における転送電
界を従来よりも高くすることができ、従来よりも転送効
率を高め、転送残しをなくすことができる。
子、特に撮像領域と、第１の水平レジスタと、該第１の
水平レジスタの反撮像領域側に設けられたＨ・Ｈ間トラ
ンスファーゲートと、該Ｈ・Ｈ間トランスファーゲート
の反第１の水平レジスタ側に設けられた第２の水平レジ
スタを有するＣＣＤ固体撮像素子に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＣＣＤ型固体撮像素子として水平レジス
タを２固有し、各水平レジスタから信号電荷を同時に出
力するタイプのものが知られている（特開平５−７３４
３号公報、特開昭６３−２７４２７２号公報、特開昭５
７−１８１２７４号公報等）。水平レジスタを２個設け
るのは、例えばハイビジョン化対応等のために画素数が
増えたため水平レジスタが一個では水平方向のビット配
置ピッチが微小過ぎて、半導体領域、転送電極等の形成
が困難なことからそのピッチの微細さを緩和するためで
ある。 【０００３】図３（Ａ）、（Ｂ）はそのようなＣＣＤ型
固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ型固体撮像
素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの構造例を示
す平面図である。図面において、１は第１の水平レジス
タ、２は第２の水平レジスタ、３は撮像領域で、マトリ
ックス状に配設された受光素子群と、受光素子の各垂直
列に対応して設けられた垂直レジスタからなる。尚、本
発明の本質は受光素子、垂直レジスタに存在する訳では
ないのでその図示、説明は省略する。４はＶ・Ｈトラン
スファーゲートで、各垂直レジスタからの信号電荷を水
平転送部へ転送する役割を果たす。５は上記二つの水平
レジスタ１・２間に設けられたＨ・Ｈトランスファーゲ
ートで、第１の水平レジスタ１に転送されてきた信号電
荷を第２の水平レジスタ２に転送する役割を果たす。
６、６、・・・はチャンネルストッパ、７、７、・・・
は水平レジスタの転送電極である。 【０００４】このようなタイプの固体撮像素子におい
て、水平転送部は本来の水平転送（Ｈ転送）とトランス
ファーゲート５による第１の水平レジスタ・第２の水平
レジスタ間の転送、即ち水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転
送）を行わなければならない。図中において、●はＨ・
Ｈ転送されるエレクトロンによる信号電荷を、○はＨ転
送される同じくエレクトロンによる信号電荷を示す。図
４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来例を示すも
ので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１
の水平レジスタの１ビット分を示す。１ｔはトランスフ
ァー部を、１ｓはストレージ部を示し、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度のＰ型半導体領域Ｃからなる。
ストレージ部１ｓは領域Ｃよりも不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物濃度の低いＰ型
半導体領域Ａからなる。具体的には、同じゲート電圧に
対するポテンシャルが領域Ａが０Ｖだと領域Ｂが例えば
−１Ｖ、領域Ｃが例えば−３Ｖになるように各領域Ａ、
Ｂ、Ｃの不純物濃度が設定されている。 【０００５】領域Ａは領域ＢのＨ・Ｈ転送先側にあり、
その領域Ａ・Ｂ間の境界は、水平方向よりも例えば約４
５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向きに形成さ
れている。Ｈ転送方向及びＨ・Ｈ転送方向の双方にバラ
ンスよく転送し易くするためである。このような第１の
水平レジスタ１は、結局Ｈ転送方向においても、ストレ
ージ部１ｓにおけるＨ・Ｈ間転送方向においても２段階
で不純物濃度が低くなっている。従って、第１の水平レ
ジスタ１におけるポテンシャルは、図５（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、２段階で変化する段差を持ったプロフィ
ールになる。図５（Ａ）はＨ転送方向におけるポテンシ
ャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ転送方向のポテン
シャルプロフィールを示す。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、図５に示すように、第
１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシャルは、水平
転送方向においても、垂直転送方向においても２段階に
変化しているに過ぎず、ポテンシャルプロフイールに滑
らかさがない。従って、充分な転送電界を得ることが難
しい。そのため、転送残しが生じ易いという問題があっ
た。尤も、Ｈ・Ｈ間転送方向に限って言えば、第１の水
平レジスタ１のＨ・Ｈ間転送方向における寸法（設計
値）を小さくすることによって転送電界を高めることが
できるといえる。しかし、その場合、必然的に、第１の
水平レジスタ１の面積が狭まり、延いては水平レジスタ
の取扱い電荷量の減少、固体撮像素子自身のダイナミッ
クレンジの減少を招くので、それは許されない。 【０００７】本発明はそのような問題点を解決すべく為
されたもので、二個の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、第１の水平レジスタの水平転送方向
及び水平レジスタ間転送方向の転送効率を高め、転送残
しが生じるおそれをなくすことを目的とする。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明ＣＣＤ型固体撮像
素子は、第１の水平レジスタの各ビットの各ストレージ
部が、これの水平転送先側及び水平レジスタ間転送先側
の部分を占有する第１の領域と、該第１の領域よりも高
い不純物濃度を有し、該第１の領域の反水平転送先側及
び反水平レジスタ間転送先側に位置する第２の領域と、
該第２の領域よりも高い不純物濃度を有し、該第２の領
域の反水平レジスタ間転送先側に位置する第３の領域と
の三つの領域からなり、各トランスファー部が、上記第
３の領域より高い不純物濃度の一つの領域から、又は、
該トランスファー部の水平転送先側及び水平レジスタ間
転送先側部分を占有する、上記第３の不純物濃度よりも
高い不純物濃度を有する第４の領域と、該第４の領域の
反水平転送先側及び反水平レジスタ間転送先側に位置
し、該第４の領域よりも高い不純物濃度を有する第５の
領域との二つの領域からなることを特徴とする。 【０００９】 【作用】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子によれば、第１の
水平レジスタの各ビットの不純物濃度が、Ｈ転送先側へ
行くに従って３又は４段階に、Ｈ・Ｈ間転送先側へ行く
に従って３段階に低くなっているので、ポテンシャルも
Ｈ転送先側へは３又は４段階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３
段階に変化しており、段差数が従来よりも増え、ポテン
ションプロフィールが滑らかになる。従って、その分同
じ駆動電圧を用いた場合における転送電界を従来よりも
高くすることができる。従って、従来よりも転送効率を
高め、転送残しを防止することができる。 【００１０】 【実施例】以下、本発明ＣＣＤ型固体撮像素子を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明ＣＣＤ型固体撮像素子の一つの実施例を示すもの
で、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、（Ｂ）は第１の
水平レジスタの１ビット分を示す。本ＣＣＤ型固体撮像
素子は、図４に示した従来のＣＣＤ型固体撮像素子と
は、第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットの不純物濃度
が、Ｈ転送先側へ行くに従って４段階に、Ｈ・Ｈ転送先
側へ行くに従って３段階に高くなっているという点で大
きく相違するが、それ以外の点では共通し、その共通点
については既に説明済みであるので、その説明は省略し
相違する点についてのみ説明することとする。また、全
図を通して共通する部分には共通の符号を付した。 【００１１】図１（Ｂ）に示すように、トランスファー
部１ｔはある不純物濃度の半導体領域Ｅと、この領域Ｅ
よりも不純物濃度のやや低いＰ型半導体領域Ｄからな
る。そして、ストレージ部１ｓは領域Ｄよりも不純物濃
度のやや低いＰ型半導体領域Ｃと、それより不純物濃度
のやや低いＰ型半導体領域Ｂと、それよりさらに不純物
濃度のやや低いＰ型半導体領域Ａからなる。このよう
に、第１の水平レジスタ１の各ビットは、領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの順で不純物濃度が高くなっており、各ビッ
トのＨ・Ｈ転送先側寄りの部分においてＨ転送方向に沿
っては４段階に不純物濃度が変化している。また、各ビ
ットのストレージ部１ｓは、Ｈ・Ｈ間転送方向において
３段階に不純物濃度が変化している。尚、領域Ｅ・Ｄ間
の境界、Ｃ・Ｂ間の境界、Ｂ・Ａ間の境界は、Ｈ転送方
向とＨ・Ｈ転送方向の双方においてバランスよく転送し
易くするために、少なくとも部分的に、水平方向よりも
例えば約４５度程度反時計回り方向に回転した斜めの向
きに形成されている。 【００１２】本実施例の第１の水平レジスタ１における
ポテンシャルは、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すような段差
を持ったプロフィールになる。図２（Ａ）はＨ転送方向
におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ・Ｈ
転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。図５に示
すように、第１の水平レジスタ１の各ビットのポテンシ
ャルは、水平転送方向においては４段階にも、水平レジ
スタ間転送方向においても３段階に変化しており、図４
に示す従来のＣＣＤ型固体撮像素子に比較してポテンシ
ャル段差に滑らかさがあり、同じ駆動電圧（ゲート電
圧）を用いた場合における転送電界を従来よりも高くす
ることができる。従って、従来よりも転送効率を高める
ことができる。尚、図１に示す実施例において、領域Ｄ
を設けず、従って、Ｈ転送方向において不純物濃度が３
段階で変化するようなプロフィールにした態様でも本発
明を実施することができる。この場合、Ｈ方向のポテン
シャルは３段階で変化するプロフィールになることはい
うまでもない。 【００１３】 【発明の効果】本発明ＣＣＤ型固体撮像素子は、第１の
水平レジスタの各ビットの各ストレージ部が、これの水
平転送先側及び水平レジスタ間転送先側の部分を占有す
る第１の領域と、該第１の領域よりも高い不純物濃度を
有し、該第１の領域の反水平転送先側及び反水平レジス
タ間転送先側に位置する第２の領域と、該第２の領域よ
りも高い不純物濃度を有し、該第２の領域の反水平レジ
スタ間転送先側に位置する第３の領域との三つの領域か
らなり、各トランスファー部が、上記第３の領域より高
い不純物濃度の一つの領域から、又は、該トランスファ
ー部の水平転送先側及び水平レジスタ間転送先側部分を
占有する、上記第３の不純物濃度よりも高い不純物濃度
を有する第４の領域と、該第４の領域の反水平転送先側
及び反水平レジスタ間転送先側に位置し、該第４の領域
よりも高い不純物濃度を有する第５の領域との二つの領
域からなることを特徴とする。従って、本発明ＣＣＤ型
固体撮像素子によれば、第１の水平レジスタの各ビット
の不純物濃度が、Ｈ転送先側へ行くに従って３又は４段
階に、Ｈ・Ｈ転送先側へ行くに従って３段階に低くなっ
ているので、ポテンシャルもＨ転送先側へは３又は４段
階に、Ｈ・Ｈ転送方向へは３段階に変化し、段差数が従
来よりも増え、ポテンシャルプロフィールが滑らかにな
る。従って、同じ駆動電圧を用いた場合における転送電
界を従来よりも高くすることができ、従来よりも転送効
率を高め、転送残しをなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明ＣＣＤ型固体撮像素子
の一つの実施例を示す平面図で、（Ａ）は水平転送部を
全体的に示し、（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット
分を示す。 【図２】（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）は水平転
送（Ｈ転送）方向におけるポテンシャルプロフィール
を、（Ｂ）は水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転送）方向の
ポテンシャルプロフィールを示す。 【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は水平レジスタを二つ備え
たＣＣＤ型固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ
型固体撮像素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの
構造例を示す平面図である。 【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来
例を示すもので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、
（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット分を示す。 【図５】（Ａ）、（Ｂ）は上記従来例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）はＨ転送
方向におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ
・Ｈ転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。 【符号の説明】 １ 第１の水平レジスタ ２ 第２の水平レジスタ ５ Ｈ・Ｈトランスファーゲート Ａ〜Ｅ 第１の水平レジスタの不純物濃度の異なる第１
〜第５の領域
の一つの実施例を示す平面図で、（Ａ）は水平転送部を
全体的に示し、（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット
分を示す。 【図２】（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）は水平転
送（Ｈ転送）方向におけるポテンシャルプロフィール
を、（Ｂ）は水平レジスタ間転送（Ｈ・Ｈ転送）方向の
ポテンシャルプロフィールを示す。 【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は水平レジスタを二つ備え
たＣＣＤ型固体撮像素子を示すもので、（Ａ）はＣＣＤ
型固体撮像素子の概念図、（Ｂ）は水平転送部の一つの
構造例を示す平面図である。 【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）は水平転送部の一つの従来
例を示すもので、（Ａ）は水転送部を全体的に示し、
（Ｂ）は第１の水平レジスタの１ビット分を示す。 【図５】（Ａ）、（Ｂ）は上記従来例の第１の水平レジ
スタのポテンシャルプロフィール図で、（Ａ）はＨ転送
方向におけるポテンシャルプロフィールを、（Ｂ）はＨ
・Ｈ転送方向のポテンシャルプロフィールを示す。 【符号の説明】 １ 第１の水平レジスタ ２ 第２の水平レジスタ ５ Ｈ・Ｈトランスファーゲート Ａ〜Ｅ 第１の水平レジスタの不純物濃度の異なる第１
〜第５の領域
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 マトリックス状に配置された受光素子群
及び該受光素子群の各垂直列に対応して設けられ受光素
子からの信号電荷を垂直方向に転送する垂直レジスタ群
からなる撮像領域と、該撮像領域の垂直転送先側に設け
られ該撮像領域からの信号電荷を水平方向に転送する第
１の水平レジスタと、該第１の水平レジスタの反撮像領
域側に設けられたＨ・Ｈ間トランスファーゲートと、該
Ｈ・Ｈ間トランスファーゲートの反第１の水平レジスタ
側に設けられた第２の水平レジスタを有するＣＣＤ固体
撮像素子において、 上記第１の水平レジスタのトランスファー部とその水平
転送先側のストレージ部からなる各ビットは、それぞ
れ、 上記ストレージ部が、これの水平転送先側及び水平レジ
スタ間転送先側の部分を占有する第１の領域と、該第１
の領域よりも高い不純物濃度を有し、該第１の領域の反
水平転送先側及び反水平レジスタ間転送先側に位置する
第２の領域と、該第２の領域よりも高い不純物濃度を有
し、該第２の領域の反水平レジスタ間転送先側に位置す
る第３の領域との三つの領域からなり、 上記トランスファー部が、上記第３の領域より高い不純
物濃度の一つの領域から、又は、該トランスファー部の
水平転送先側及び水平レジスタ間転送先側部分を占有す
る、上記第３の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有す
る第４の領域と、該第４の領域の反水平転送先側及び反
水平レジスタ間転送先側に位置し、該第４の領域よりも
高い不純物濃度を有する第５の領域との二つの領域から
なることを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15951594A JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15951594A JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH089261A JPH089261A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3413732B2 true JP3413732B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=15695461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15951594A Expired - Fee Related JP3413732B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3413732B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP15951594A patent/JP3413732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089261A (ja) | 1996-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101159032B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| US7230224B2 (en) | Solid state image pickup device with two photosensitive fields per one pixel | |
| US4518978A (en) | Solid state image sensor | |
| US4811068A (en) | Charge transfer device | |
| US6724022B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| US7052929B2 (en) | Solid state image pickup device capable of suppressing smear | |
| JP3413732B2 (ja) | Ｃｃｄ型固体撮像素子 | |
| US20050206765A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP3301176B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPH06283704A (ja) | Ｃｃｄ型固体撮像素子 | |
| JPH04192561A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3713863B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US8149051B2 (en) | Solid-state image sensor | |
| JP3002365B2 (ja) | 電荷転送装置及びその駆動方法 | |
| JP2855291B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0955493A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH09121045A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0767153B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP2003258234A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH02159063A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07226497A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH06268923A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
| JP2866329B2 (ja) | 固体撮像素子の構造 | |
| JP2001111028A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH08316459A (ja) | 電荷転送装置および固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |