JPH0888239A - Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereof - Google Patents
Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereofInfo
- Publication number
- JPH0888239A JPH0888239A JP22231194A JP22231194A JPH0888239A JP H0888239 A JPH0888239 A JP H0888239A JP 22231194 A JP22231194 A JP 22231194A JP 22231194 A JP22231194 A JP 22231194A JP H0888239 A JPH0888239 A JP H0888239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- protrusion
- die bonding
- chip
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、突起形状部を有する半
導体装置のダイボンディングコレット、それを用いた半
導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボ
ンディング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die bonding collet for a semiconductor device having a projection-shaped portion, a semiconductor device suction method using the same, a die bonding method and a die bonding device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平３−２５７８３５号に開示されるような
ものがあった。すなわち、従来、ＩＣのダイボンディン
グに用いるコレットは、ＩＣチップの相対する二つの辺
の稜線と、この二つの辺に直交する一方の辺の稜線に当
接する内壁面を有し、かつ、このＩＣチップの他方の辺
側が外方に突出する開口部を有するものであった。2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, there is one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-257835. That is, conventionally, a collet used for die bonding of an IC has a ridgeline of two opposite sides of an IC chip and an inner wall surface abutting the ridgeline of one side orthogonal to the two sides, and The other side of the chip had an opening projecting outward.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記形
状のダイボンディングコレットでは、矩形のＩＣチップ
の吸着は可能であっても、異なる矩形ＩＣチップを組み
合わせた形状のＩＣチップモジュール（以下、ＩＣモジ
ュールという）や、矩形ＩＣチップに突起形状を有する
半導体装置を吸着することは不可能であった。However, in the die-bonding collet having the above-mentioned shape, even if rectangular IC chips can be adsorbed, an IC chip module having a combination of different rectangular IC chips (hereinafter referred to as IC module). ), It is impossible to adsorb a semiconductor device having a projection shape on a rectangular IC chip.
【０００４】本発明は、上記問題点を解決するために、
異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形状のＩＣモジュ
ールや、矩形ＩＣチップに突起形状を有する半導体装置
を的確に吸着することができるダイボンディングコレッ
ト、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディ
ング方法及びダイボンディング装置を提供することを目
的とする。In order to solve the above problems, the present invention provides
An IC module having a shape in which different rectangular IC chips are combined, a die bonding collet capable of accurately adsorbing a semiconductor device having a projection shape on the rectangular IC chip, a semiconductor device adsorption method, a die bonding method, and a die using the same An object is to provide a bonding apparatus.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、 （１）前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）に
対応し、谷（２５）が形成される第１の内壁傾斜面（２
１，２２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される内底面（２３）と、この内底面
（２３）の外側に連設される第２の内壁傾斜面（２４）
と、前記谷（２５）に形成される第１の吸着穴（２６）
と、前記内底面（２３）に形成される第２の吸着穴（２
７）とを設け、前記第１の内壁傾斜面（２１，２２）
は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各
辺と接し、前記第２の内壁傾斜面（２４）は、前記半導
体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにしたも
のである。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor device having a projection-shaped portion such as an IC module having a combination of different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a projection shape. In a die bonding collet having a bottom surface for adsorbing, (1) a first inner wall inclined surface (2) corresponding to the projection-shaped portion (12) of the semiconductor device (10) and having a valley (25) formed therein.
1, 22), an inner bottom surface (23) corresponding to the flat portion of the semiconductor device (10) and having a flat surface, and a second inner wall inclined surface continuously provided outside the inner bottom surface (23). (24)
And a first suction hole (26) formed in the valley (25)
And a second suction hole (2) formed on the inner bottom surface (23).
7) and the first inner wall inclined surface (21, 22)
Touches each side of the protrusion-shaped part (12) of the semiconductor device (10), and the second inner wall inclined surface (24) touches the outermost side of the flat part of the semiconductor device (10). It was done.
【０００６】（２）前記半導体装置（１０）の突起形状
部（１２）に対応し、平面が形成される第１の内底面
（５１）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される第２の内底面（５３）と、この第
２の内底面（５３）の外側に連設される内壁傾斜面（５
４）と、前記第１の内底面（５１）に形成される第１の
吸着穴（５６）と、前記第２の内底面（５３）に形成さ
れる第２の吸着穴（５７）とを設け、前記第１の内底面
（５１）は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１
２）の上面と接し、前記内壁傾斜面（５４）は、前記半
導体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにした
ものである。(2) Corresponding to the projection-shaped portion (12) of the semiconductor device (10), which corresponds to the first inner bottom surface (51) where a flat surface is formed, and the flat portion of the semiconductor device (10). , A second inner bottom surface (53) on which a flat surface is formed, and an inner wall inclined surface (5) connected to the outside of the second inner bottom surface (53).
4), a first suction hole (56) formed on the first inner bottom surface (51), and a second suction hole (57) formed on the second inner bottom surface (53). The first inner bottom surface (51) is provided with a protrusion-shaped portion (1) of the semiconductor device (10).
The inner wall inclined surface (54) is in contact with the upper surface of 2), and is in contact with the outermost side of the flat portion of the semiconductor device (10).
【０００７】（３）前記半導体装置（１０）の突起形状
部（１２）に対応し、谷（７４）が形成される内壁傾斜
面（７１，７２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部
に対応し、隆起した部分に平面が形成される内底面（７
３）と、前記谷（７４）に形成される第１の吸着穴（７
６）と、前記内底面（７３）に形成される第２の吸着穴
（７７）とを設け、前記内壁傾斜面（７１，７２）は、
前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各辺と
接し、前記内底面（７３）は、前記半導体装置（１０）
の平坦部に接するようにしたものである。(3) Inner wall inclined surfaces (71, 72) corresponding to the projection-shaped portion (12) of the semiconductor device (10) and having a valley (74) formed therein, and a flat portion of the semiconductor device (10). Corresponding to the inner bottom surface (7
3) and the first suction holes (7) formed in the valleys (74).
6) and a second suction hole (77) formed on the inner bottom surface (73), and the inner wall inclined surface (71, 72) is
The inner bottom surface (73) is in contact with each side of the protrusion-shaped portion (12) of the semiconductor device (10), and the inner bottom surface (73) is the semiconductor device (10).
It is designed so that it touches the flat part of the.
【０００８】（４）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置を吸着する方
法において、請求項１、２又は３記載のダイボンディン
グコレット（３０，４０，６０）を用意し、前記第１の
吸着穴（２６，５６，７６）から前記半導体装置（１
０）の突起形状部（１２）を吸着し、その後、前記第２
の吸着穴（２７，５７，７７）から前記半導体装置（１
０）の平坦部を吸着し、その半導体装置（１０）の全体
を保持するようにしたものである。(4) In a method of adsorbing a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a shape obtained by combining different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, the die according to claim 1, 2 or 3. Bonding collets (30, 40, 60) are prepared, and the semiconductor device (1) is inserted through the first suction holes (26, 56, 76).
0) the protrusion-shaped portion (12) is adsorbed, and then the second
From the suction holes (27, 57, 77) of the semiconductor device (1
The flat part of (0) is adsorbed and the whole semiconductor device (10) is held.
【０００９】（５）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする方法であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）を用意
し、前記半導体装置（１０）をマウント部（９１）にダ
イボンディングするようにしたものである。(5) A method of die-bonding a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a shape obtained by combining different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, which comprises: The die-bonding collets (30, 40, 60) described above are prepared, and the semiconductor device (10) is die-bonded to the mount portion (91).
【００１０】（６）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする装置であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）と、この
ダイボンディングコレット（３０，４０，６０）により
前記半導体装置（１０）をトレイ（８０）から搬送する
手段と、この搬送された前記半導体装置（１０）をマウ
ント部（９１）にダイボンディングする手段とを設ける
ようにしたものである。(6) An apparatus for die-bonding a semiconductor device having a projection-shaped portion such as an IC module having a combination of different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a projection shape. The die bonding collet (30, 40, 60) described, means for transporting the semiconductor device (10) from the tray (80) by the die bonding collet (30, 40, 60), and the transported semiconductor device. A means for die-bonding (10) to the mount portion (91) is provided.
【００１１】[0011]
【作用】本発明によれば、上記（１）〜（３）のよう
に、ダイボンディングコレットの吸着部の形状を、吸着
物であるＩＣモジュールの凸側辺にそれぞれ接する面を
設け、この部分にて吸着するようにしたので、突起形状
部を有する半導体装置を的確に吸着することができる。According to the present invention, as in the above (1) to (3), the shape of the suction portion of the die bonding collet is provided with the surfaces contacting the convex sides of the IC module, which is the suction object. In this case, the semiconductor device having the protrusion-shaped portion can be accurately adsorbed.
【００１２】また、上記（４）のように、まず、半導体
装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装置の平坦部
を吸着し、その半導体装置の全体を保持するようにした
ので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実に吸着する
ことができる。更に、上記（５）のように、上記（１）
及び（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダ
イボンディングすることができる。Further, as in the above (4), the protrusion-shaped portion of the semiconductor device is first sucked, then the flat portion of the semiconductor device is sucked, and the entire semiconductor device is held. The device can be adsorbed securely without any difficulty. Further, as in (5) above, (1) above
And (2), the semiconductor device can be securely die-bonded to the mount portion.
【００１３】また、上記（６）のように、上記（１）及
び（２）により、前記半導体装置をトレイから搬送し、
その搬送された前記半導体装置をマウント部にダイボン
ディングすることができるダイボンディング装置を得る
ことができる。Further, as in the above (6), the semiconductor device is transported from the tray by the above (1) and (2),
It is possible to obtain a die bonding apparatus capable of die-bonding the transported semiconductor device to the mount portion.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら説明する。図１は本発明の第１実施例を示すダイボ
ンディングコレットの断面図、図２はそのダイボンディ
ングコレットの底面の斜視図である。図１において、１
１は第１のＩＣチップ、１２はその第１のＩＣチップ１
１に組み合わせられた第２のＩＣチップであり、その第
１のＩＣチップ１１と第２のＩＣチップ１２とを組み合
わせて、一体化したＩＣモジュール（突起形状を有する
半導体装置）１０となっている。なお、第１のＩＣチッ
プ１１と第２のＩＣチップ１２との一体化の方法は、周
知の種々の方法を用いればよい。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a sectional view of a die bonding collet showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of the bottom surface of the die bonding collet. In FIG. 1, 1
1 is the first IC chip, 12 is the first IC chip 1
The first IC chip 11 and the second IC chip 12 are combined to form an integrated IC module (semiconductor device having a protrusion shape) 10. . As a method of integrating the first IC chip 11 and the second IC chip 12, various known methods may be used.
【００１５】一方、３０は本発明の実施例を示すダイボ
ンディングコレットであり、このダイボンディングコレ
ット３０の底面には、図１及び図２に示すように、吸着
部２０を有している。つまり、吸着部２０には、第２の
ＩＣチップ１２の二辺に接する谷２５が形成される第１
の内壁傾斜面２１，２２が形成され、更に、第１のＩＣ
チップ１１の第２のＩＣチップ１２と反対側の辺に接す
る第２の内壁傾斜面２４と、第１のＩＣチップ１１上面
と平行に形成された内底面２３により構成されている。On the other hand, 30 is a die bonding collet showing an embodiment of the present invention, and the bottom surface of this die bonding collet 30 has a suction portion 20 as shown in FIGS. That is, in the suction portion 20, the valley 25 that contacts two sides of the second IC chip 12 is formed.
Inner wall inclined surfaces 21 and 22 are formed, and further, the first IC
The chip 11 is composed of a second inner wall inclined surface 24 in contact with the side opposite to the second IC chip 12 and an inner bottom surface 23 formed in parallel with the upper surface of the first IC chip 11.
【００１６】また、吸着部２０には、主にＩＣモジュー
ル１０の第２のＩＣチップ１２を吸着するための第１の
内壁傾斜面２１と２２の谷２５に設けられる第１の吸着
穴２６と、ＩＣモジュール１０全体を吸着する内底面２
３に形成される第２の吸着穴２７を有している。以下、
本発明のダイボンディングコレットの動作について説明
する。Further, the suction portion 20 has a first suction hole 26 provided in a valley 25 of the first inner wall inclined surfaces 21 and 22 for mainly sucking the second IC chip 12 of the IC module 10. , Inner bottom surface 2 for adsorbing the entire IC module 10
3 has a second suction hole 27 formed therein. Less than,
The operation of the die bonding collet of the present invention will be described.
【００１７】図３は本発明の第１実施例を示すダイボン
ディングコレットによる吸着工程断面図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、ＩＣモジュール
１０を吸着するための吸着ステージ３１上に、ＩＣモジ
ュール１０を配置する。この時の配置の方法は特に規定
するものではないが、吸着を確実に実施するためにも、
位置決め機構を有するものが望ましい。FIG. 3 is a sectional view of a suction step by a die bonding collet showing the first embodiment of the present invention. (1) First, as shown in FIG. 3A, the IC module 10 is placed on the suction stage 31 for sucking the IC module 10. The arrangement method at this time is not particularly specified, but in order to surely perform the adsorption,
Those having a positioning mechanism are desirable.
【００１８】次に、ＩＣモジュール１０上に、ダイボン
ディングコレット３０が下降し、ＩＣモジュール１０の
わずか上方にて停止する。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、ダイボンディン
グコレット３０に形成された第１の吸着穴２６により、
ＩＣモジュール１０の第２のＩＣチップ１２側を吸着す
る。Next, the die bonding collet 30 descends on the IC module 10 and stops slightly above the IC module 10. (2) Next, as shown in FIG. 3B, by the first suction holes 26 formed in the die bonding collet 30,
The second IC chip 12 side of the IC module 10 is adsorbed.
【００１９】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、ダ
イボンディングコレット３０の第２の吸着穴２７による
吸着を開始する。この時の吸着力は、第１の吸着穴２６
による吸着力よりも強い方が望ましい。第２の吸着穴２
７による吸着が開始すると、ＩＣモジュール１０には、
第１のＩＣチップ１１上の第２のＩＣチップ１２側のａ
部を支点としたモーメントｆが発生する。(3) Next, as shown in FIG. 3C, suction by the second suction holes 27 of the die bonding collet 30 is started. The suction force at this time is the same as the first suction hole 26.
It is desirable that it is stronger than the adsorption force by. Second suction hole 2
When the adsorption by 7 starts, the IC module 10
A on the second IC chip 12 side on the first IC chip 11
A moment f with the part as a fulcrum is generated.
【００２０】（４）次に、図３（ｄ）に示すように、第
１の吸着穴２６による吸着を終了させると、ＩＣモジュ
ール１０の第２のＩＣチップ１２の相対する二辺と、第
１のＩＣチップ１１側の一辺が、ダイボンディングコレ
ット３０に形成された第１の内壁傾斜面２１，２２と、
第２の内壁傾斜面２４に接し、ＩＣモジュール１０が適
正に保持されることになる。(4) Next, as shown in FIG. 3 (d), when the suction by the first suction holes 26 is completed, the two opposite sides of the second IC chip 12 of the IC module 10 and the One side of the first IC chip 11 side is the first inner wall inclined surfaces 21 and 22 formed on the die bonding collet 30.
The IC module 10 is held properly by coming into contact with the second inner wall inclined surface 24.
【００２１】図４は本発明の第２実施例を示すダイボン
ディングコレットの断面図、図５はそのダイボンディン
グコレットの底面の斜視図である。これらの図に示すよ
うに、この実施例では、ダイボンディングコレット４０
の底面の吸着部５０には、ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２に対応し、平面が形成される第１の内底
面５１と、ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１
の平坦部に対応し、平面が形成される第２の内底面５３
と、これらを繋ぐ傾斜面５２と、前記第２の内底面５３
の外側に連設される内壁傾斜面５４と、前記第１の内底
面５１に形成される第１の吸着穴５６と、前記第２の内
底面５３に形成される第２の吸着穴５７とを設け、前記
第１の内底面５１は、前記ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２の上面と接し、前記内壁傾斜面５４は前
記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１の最外辺
と接する。なお、５５は前記第１の内底面５１と傾斜面
５２により形成される稜線である。FIG. 4 is a sectional view of a die bonding collet showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of the bottom surface of the die bonding collet. As shown in these figures, in this embodiment, the die bonding collet 40 is used.
A first inner bottom surface 51 corresponding to the second IC chip 12 of the IC module 10 and having a flat surface, and a first IC chip 11 of the IC module 10 are attached to the suction portion 50 on the bottom surface of the IC module 10.
The second inner bottom surface 53 corresponding to the flat portion of the
And an inclined surface 52 connecting them, and the second inner bottom surface 53
An inner wall inclined surface 54 continuously provided on the outer side of the first inner surface 51, a first suction hole 56 formed in the first inner bottom surface 51, and a second suction hole 57 formed in the second inner bottom surface 53. The first inner bottom surface 51 is in contact with the upper surface of the second IC chip 12 of the IC module 10, and the inner wall inclined surface 54 is the outermost side of the first IC chip 11 of the IC module 10. Contact. Reference numeral 55 is a ridgeline formed by the first inner bottom surface 51 and the inclined surface 52.
【００２２】このようなダイボンディングコレットによ
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図６は本発明の第３実施例を示すダイボンディン
グコレットの断面図、図７はそのダイボンディングコレ
ットの底面の斜視図である。これらの図に示すように、
この実施例では、ダイボンディングコレット６０の底面
の吸着部７０には、前記ＩＣモジュール１０の第２のＩ
Ｃチップ１２に対応し、谷７４が形成される内壁傾斜面
７１，７２と、前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチ
ップ１１の平坦部に対応し、隆起した部分に平面が形成
される内底面７３と、前記谷７４に形成される第１の吸
着穴７６と、前記内底面７３に形成される第２の吸着穴
７７とを設け、前記内壁傾斜面７１，７２は、前記ＩＣ
モジュール１０の第２のＩＣチップ１２の各辺と、前記
内底面７３は前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチッ
プ１１の平坦部に接する。The IC module 10 can be properly held even by such a die bonding collet. FIG. 6 is a sectional view of a die bonding collet showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a perspective view of the bottom surface of the die bonding collet. As shown in these figures,
In this embodiment, the suction portion 70 on the bottom surface of the die bonding collet 60 has the second I of the IC module 10.
Corresponding to the C chip 12, inner wall inclined surfaces 71 and 72 having valleys 74 formed therein, and inner bottom surface corresponding to the flat portion of the first IC chip 11 of the IC module 10 and having a flat surface formed in a raised portion 73, a first suction hole 76 formed in the valley 74, and a second suction hole 77 formed in the inner bottom surface 73, and the inner wall inclined surfaces 71, 72 are the IC
Each side of the second IC chip 12 of the module 10 and the inner bottom surface 73 are in contact with the flat portion of the first IC chip 11 of the IC module 10.
【００２３】このようなダイボンディングコレットによ
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図８は本発明のダイボンディングコレットを用い
たダイボンディング方法の説明図である。図８（ａ）に
示すように、トレイ８０上に置かれていた図３に示すよ
うな突起形状を有する半導体装置としてのＩＣモジュー
ル１０は、ダイボンディングコレット３０によって吸着
される。The IC module 10 can be properly held even by such a die bonding collet. FIG. 8 is an explanatory diagram of a die bonding method using the die bonding collet of the present invention. As shown in FIG. 8A, the IC module 10 as a semiconductor device having the protrusion shape as shown in FIG. 3 placed on the tray 80 is adsorbed by the die bonding collet 30.
【００２４】次に、図８（ｂ）に示すように、搬送され
て、基板９０のマウント部９１にダイボンディングされ
る。なお、ここで、９２は配線導体である。このよう
に、突起形状を有する半導体装置を確実にマウント部に
ダイボンディングすることができる。なお、本発明は、
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲
から排除するものではない。Next, as shown in FIG. 8B, it is carried and die-bonded to the mount portion 91 of the substrate 90. Here, 92 is a wiring conductor. In this way, the semiconductor device having the protrusion shape can be securely die-bonded to the mount portion. The present invention is
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１〜３記載の発明によれば、ダイボンディ
ングコレットの吸着部の形状を、吸着物であるＩＣモジ
ュールの凸側辺にそれぞれ接する面を設け、この部分に
て吸着するようにしたので、突起形状部を有する半導体
装置を的確に吸着することができる。As described in detail above, according to the present invention, the following effects can be achieved. (1) According to the invention described in claims 1 to 3, the shape of the suction portion of the die bonding collet is provided with a surface in contact with the convex side of the IC module, which is the suction object, and suction is performed at this portion. Therefore, the semiconductor device having the protrusion-shaped portion can be accurately adsorbed.
【００２６】（２）請求項４記載の発明によれば、ま
ず、半導体装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装
置の平坦部を吸着し、その半導体装置の全体を保持する
ようにしたので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実
に吸着することができる。 （３）請求項５記載の発明によれば、上記（１）及び
（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダイボ
ンディングすることができる。(2) According to the invention described in claim 4, first, the protrusion-shaped portion of the semiconductor device is sucked, then the flat portion of the semiconductor device is sucked, and the entire semiconductor device is held. Therefore, the semiconductor device can be securely sucked without difficulty. (3) According to the invention described in claim 5, the semiconductor device can be securely die-bonded to the mount portion by the above (1) and (2).
【００２７】（４）請求項６記載の発明によれば、上記
（１）及び（２）により、前記半導体装置をトレイから
搬送し、その搬送された前記半導体装置をマウント部に
ダイボンディングすることができるダイボンディング装
置を得ることができる。(4) According to the invention of claim 6, the semiconductor device is transported from the tray by the above (1) and (2), and the transported semiconductor device is die-bonded to the mount portion. It is possible to obtain a die bonding apparatus capable of
【図１】本発明の第１実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a die bonding collet showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。FIG. 2 is a bottom perspective view of the die bonding collet showing the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例のダイボンディングコレッ
トによる吸着工程断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a die bonding collet in a suction process according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a die bonding collet showing a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。FIG. 5 is a bottom perspective view of a die bonding collet showing a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a die bonding collet showing a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第３実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。FIG. 7 is a bottom perspective view of a die bonding collet showing a third embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施例を示すダイボンディング方法の
説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a die bonding method showing an embodiment of the present invention.
【符号の説明】 １０ ＩＣモジュール（突起形状を有する半導体装
置） １１ 第１のＩＣチップ １２ 第２のＩＣチップ ２０，５０，７０ 吸着部 ２１，２２ 第１の内壁傾斜面 ２３，７３ 内底面 ２４ 第２の内壁傾斜面 ２５，７４ 谷 ２６，５６，７６ 第１の吸着穴 ２７，５７，７７ 第２の吸着穴 ３０，４０，６０ ダイボンディングコレット ３１ 吸着ステージ ５１ 第１の内底面 ５２ 傾斜面 ５３ 第２の内底面 ５４，７１，７２ 内壁傾斜面 ５５ 稜線 ８０ トレイ ９０ 基板 ９１ マウント部 ９２ 配線導体[Explanation of reference numerals] 10 IC module (semiconductor device having protrusion shape) 11 First IC chip 12 Second IC chip 20, 50, 70 Adsorption part 21, 22 First inner wall inclined surface 23, 73 Inner bottom surface 24 Second inner wall inclined surface 25,74 Valley 26,56,76 First suction hole 27,57,77 Second suction hole 30,40,60 Die bonding collet 31 Suction stage 51 First inner bottom surface 52 Sloped surface 53 Second inner bottom surface 54, 71, 72 Inner wall inclined surface 55 Ridge line 80 Tray 90 Substrate 91 Mount portion 92 Wiring conductor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yuko Kitayama 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (6)
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、谷が形成される第１
の内壁傾斜面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応
し、平面が形成される内底面と、（ｃ）該内底面の外側
に連設される第２の内壁傾斜面と、（ｄ）前記谷に形成
される第１の吸着穴と、（ｅ）前記内底面に形成される
第２の吸着穴とを設け、（ｆ）前記第１の内壁傾斜面
は、前記半導体装置の突起形状部の各辺と接し、前記第
２の内壁傾斜面は、前記半導体装置の平坦部の最外辺と
接するようにしたことを特徴とするダイボンディングコ
レット。1. A die bonding collet having a bottom surface for adsorbing a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a combination of different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, wherein: (a) the semiconductor device. Corresponding to the protrusion-shaped portion of the
(B) an inner bottom surface corresponding to the flat portion of the semiconductor device and having a flat surface, and (c) a second inner wall slant surface connected to the outside of the inner bottom surface. d) A first suction hole formed in the valley and (e) a second suction hole formed in the inner bottom surface are provided, and (f) the first inner wall inclined surface is formed in the semiconductor device. A die bonding collet, which is in contact with each side of the protrusion-shaped portion, and the second inner wall inclined surface is in contact with the outermost side of the flat portion of the semiconductor device.
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、平面が形成される第
１の内底面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応
し、平面が形成される第２の内底面と、（ｃ）該第２の
内底面の外側に連設される内壁傾斜面と、（ｄ）前記第
１の内底面に形成される第１の吸着穴と、（ｅ）前記第
２の内底面に形成される第２の吸着穴とを設け、（ｆ）
前記第１の内底面は、前記半導体装置の突起形状部の上
面と接し、前記内壁傾斜面は、前記半導体装置の平坦部
の最外辺と接するようにしたことを特徴とするダイボン
ディングコレット。2. A die bonding collet having a bottom surface for adsorbing a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a combination of different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, wherein: (a) the semiconductor device. A first inner bottom surface having a flat surface corresponding to the projection-shaped portion, and (b) a second inner bottom surface having a flat surface corresponding to the flat portion of the semiconductor device; 2, an inner wall inclined surface that is continuously provided outside the inner bottom surface, (d) a first suction hole formed in the first inner bottom surface, and (e) a first suction hole formed in the second inner bottom surface. With two suction holes, (f)
The die bonding collet, wherein the first inner bottom surface is in contact with the upper surface of the protrusion-shaped portion of the semiconductor device, and the inner wall inclined surface is in contact with the outermost side of the flat portion of the semiconductor device.
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、谷が形成される内壁
傾斜面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応し、隆
起した部分に平面が形成される内底面と、（ｃ）前記谷
に形成される第１の吸着穴と、（ｄ）前記内底面に形成
される第２の吸着穴とを設け、（ｅ）前記内壁傾斜面
は、前記半導体装置の突起形状部の各辺と接し、前記内
底面は、前記半導体装置の平坦部に接するようにしたこ
とを特徴とするダイボンディングコレット。3. A die bonding collet having a bottom surface for adsorbing a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a combination of different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, wherein: (a) the semiconductor device. Corresponding to the protrusion-shaped portion of (1), an inner wall inclined surface where a valley is formed, (b) an inner bottom surface corresponding to a flat portion of the semiconductor device and having a flat surface at a raised portion, and (c) a valley. A first suction hole formed and (d) a second suction hole formed on the inner bottom surface are provided, and (e) the inner wall inclined surface is in contact with each side of the protrusion-shaped portion of the semiconductor device. The inner bottom surface is in contact with the flat portion of the semiconductor device.
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する方法に
おいて、（ａ）請求項１、２又は３記載のダイボンディ
ングコレットを用意し、（ｂ）前記第１の吸着穴から前
記半導体装置の突起形状部を吸着し、（ｃ）その後、前
記第２の吸着穴から前記半導体装置の平坦部を吸着し、
該半導体装置の全体を保持するようにしたことを特徴と
する半導体装置の吸着方法。4. A method for adsorbing a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a shape obtained by combining different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, wherein (a) the method of claim 1, 2 or 3. The die-bonding collet is prepared, (b) the protrusion-shaped portion of the semiconductor device is sucked from the first suction hole, and (c) the flat portion of the semiconductor device is then sucked from the second suction hole. ,
A method for attracting a semiconductor device, characterized in that the entire semiconductor device is held.
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置をダイボンディン
グする方法であって、（ａ）請求項１、２又は３記載の
ダイボンディングコレットを用意し、（ｂ）前記半導体
装置をマウント部にダイボンディングすることを特徴と
するダイボンディング方法。5. A method of die bonding a semiconductor device having a protrusion-shaped portion such as an IC module having a shape obtained by combining different rectangular IC chips or a rectangular IC chip having a protrusion shape, comprising: (a) Alternatively, the die bonding collet described in 3 is prepared, and (b) the semiconductor device is die bonded to the mount portion.
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置をダイボンディン
グする装置であって、（ａ）請求項１、２又は３記載の
ダイボンディングコレットと、（ｂ）該ダイボンディン
グコレットにより前記半導体装置をトレイから搬送する
手段と、（ｃ）該搬送された前記半導体装置をマウント
部にダイボンディングする手段とを備えるダイボンディ
ング装置。6. An apparatus for die-bonding a semiconductor device having a projection-shaped portion such as an IC module having a shape in which different rectangular IC chips are combined or a rectangular IC chip having a projection shape, comprising: (a) Or a die bonding collet according to claim 3, (b) means for carrying the semiconductor device from the tray by the die bonding collet, and (c) means for die bonding the carried semiconductor device to a mount portion. Bonding equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22231194A JPH0888239A (en) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22231194A JPH0888239A (en) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888239A true JPH0888239A (en) | 1996-04-02 |
Family
ID=16780378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22231194A Withdrawn JPH0888239A (en) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888239A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100800A (en) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Shibaura Mechatronics Corp | Pickup device and packaging apparatus for chip parts |
| CN103491717A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 信泰光学(深圳)有限公司 | Jig for assembling chip |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22231194A patent/JPH0888239A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100800A (en) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Shibaura Mechatronics Corp | Pickup device and packaging apparatus for chip parts |
| JP4629532B2 (en) * | 2004-09-06 | 2011-02-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Chip component pickup device and mounting device |
| CN103491717A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 信泰光学(深圳)有限公司 | Jig for assembling chip |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0888239A (en) | Die bonding collet, and adsorbing method of semiconductor device using thereof | |
| JPH03278554A (en) | Chip tray structure | |
| JP5005605B2 (en) | Package substrate cutting method | |
| JP3251893B2 (en) | Ball transfer device | |
| TWI292482B (en) | Flexible packaging substrate, method of cutting precision test, method of fabricating flexible packaging unit, liquid crystal display module, and method of fabricating of liquid crystal display module | |
| JPH088293B2 (en) | Chip mounting device | |
| JP4026090B2 (en) | Bonding jig | |
| JPS62263667A (en) | Electronic device | |
| JPS62232935A (en) | Apparatus for removing chip | |
| JPH0214238Y2 (en) | ||
| JP3157249B2 (en) | Semiconductor device package and mounting method | |
| JP2003297862A (en) | Die bonding collect and mounting device using the die bonding collect | |
| JPS6117742U (en) | semiconductor manufacturing equipment | |
| JP2002076028A (en) | Fixture for transferring substrate | |
| JP2001168243A (en) | Electronic component module, manufacturing method thereof and the like | |
| JPS587730U (en) | Micro parts alignment device | |
| JP2000243761A (en) | Positioning tool | |
| US20020063370A1 (en) | Chuck for microscopic contacts | |
| JPH07176551A (en) | Collet for semiconductor parts | |
| JP3681454B2 (en) | Embossed carrier tape and IC conveying method using the same | |
| JP2007165594A (en) | Mounting method of electronic parts | |
| JPS5948039U (en) | Semiconductor chip tray | |
| JPH0213772U (en) | ||
| JPH03263348A (en) | Ic sucking conveyor | |
| JPH0469941A (en) | Bonding method for integrated circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |