JPH0887457A - Acquisition device for battery abnormality information on ram - Google Patents

Acquisition device for battery abnormality information on ram

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JPH0887457A
JPH0887457A JP6220648A JP22064894A JPH0887457A JP H0887457 A JPH0887457 A JP H0887457A JP 6220648 A JP6220648 A JP 6220648A JP 22064894 A JP22064894 A JP 22064894A JP H0887457 A JPH0887457 A JP H0887457A
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JP
Japan
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ram
terminal
power supply
read
voltage
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Application number
JP6220648A
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Japanese (ja)
Inventor
Etsushi Iwamura
悦至 岩村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE: To record the fact of destruction when the storage contents of the RAM backed up by a battery are destroyed due to a stop of electricity supply to the RAM. CONSTITUTION: The acquisition device for battery abnormality information on the RAM 5 is equipped with the RAM 5, a main power source 1 which supplies a driving voltage to the electric feed terminals of the RAM 5, a backup power source 3 which can supply voltages similar to signal voltages that the chip selector terminal and read/write terminal of the RAM 5 require and supplies a power to the electric feed terminals at the time of interruption of the main power source 1, and delay circuits 8 and 14 which are interposed between the backup power source 3 and the chip selector terminal and read/write terminal of the RAM 5 and delay a voltage rise for the chip selector terminal and read/write terminal than a voltage rise for the electric feed terminal when electricity begins to be fed only from the backup power source.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、バッテリバックアップ
RAMのバッテリ異常の情報を取得するRAMのバッテ
リ異常情報の取得装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a battery abnormality information acquiring device for a RAM that acquires battery abnormality information for a battery backup RAM.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年使用されているRAM(ランダムア
クセスメモリ)には、バッテリが付設されて、何等かの
理由により計算機等のシステム本体の主電源等が切れて
もその内容が保持されるようになっているものが多い
(このようなRAMを以降「バッテリバックアップRA
M」と呼ぶ)。
2. Description of the Related Art A RAM (random access memory) used in recent years is equipped with a battery so that the contents of the RAM can be retained even if the main power source of the system main body such as a computer is cut off for some reason. There are many things that have become (Battery backup RA
M ”).

【0003】しかしながら、バッテリバックアップRA
Mであっても、バッテリが消耗している状態で主電源を
切ったとか、主電源遮断中に作業者が間違ってバッテリ
を外した等の何等かの理由により、バックアップ電力の
供給が途絶えてRAMの内容が破壊されてしまうことが
ある。
However, the battery backup RA
Even for M, the backup power supply is interrupted due to some reason such as turning off the main power supply while the battery is exhausted, or the operator accidentally removing the battery while the main power supply was cut off. The contents of RAM may be destroyed.

【0004】使用者は、RAMがバックアップされてい
ると思い込んでいるので、このようなときにはむしろ異
常発見が遅れることもある。したがって、従来のバッテ
リバックアップRAMでは、RAMの特定アドレスにキ
ーワードを書き込み、その後、何等かのイベント毎にキ
ーワードを参照してRAMの内容が正しいか否かの確認
を行っている。
Since the user thinks that the RAM is backed up, the abnormality detection may be delayed in such a case. Therefore, in the conventional battery backup RAM, a keyword is written in a specific address of the RAM, and then the keyword is referred to for every event to confirm whether or not the content of the RAM is correct.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなキーワードは、RAMの内容が破壊されたことを積
極的に示すわけではなく、キーワードが正しいという事
実から少なくともキーワード部分のRAM内容が破壊さ
れていないことを確認できるものにすぎない。
However, such a keyword does not positively indicate that the RAM contents have been destroyed, and at least the RAM contents of the keyword portion are destroyed due to the fact that the keyword is correct. It can only be confirmed that there is no.

【0006】したがって、RAMに対する全給電がスト
ップし、RAMの内容が破壊された場合であっても、偶
然にキーワードの部分の内容が変更されずに残っている
ような場合、システム本体はRAMの情報が破壊されて
いないと判断して動作する。
Therefore, even if all the power supply to the RAM is stopped and the content of the RAM is destroyed, if the content of the keyword part remains unaltered by accident, the system main body is It operates assuming that the information has not been destroyed.

【0007】このため、システム本体からすればRAM
が正常であるように見えるにもかかわらず、異常な動作
が起こり、システム全体(装置全体)の信頼性が低下す
るという問題点を生じている。
Therefore, the RAM is
However, the abnormal operation occurs and the reliability of the entire system (entire apparatus) is reduced.

【0008】本発明は、このような実情を考慮してなさ
れたもので、バッテリバックアップが行われているRA
Mに対して給電が停止し、RAMの記憶内容が破壊され
たとき、その破壊の事実を記録するRAMのバッテリ異
常情報の取得装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of such a situation, and is an RA in which battery backup is performed.
An object of the present invention is to provide a battery abnormality information acquisition device for a RAM, which records the fact of destruction when the contents stored in the RAM are destroyed when power supply to M is stopped.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に対応する発明は、RAMと、このRAM
の給電端子に駆動電圧を給電する主電源と、RAMのチ
ップセレクタ端子およびリードライト端子が必要とする
信号電圧と同等な電圧を供給可能で、かつ、主電源の遮
断時に給電端子に給電するバックアップ電源と、このバ
ックアップ電源とRAMのチップセレクタ端子およびリ
ードライト端子との間に介挿され、かつ、バックアップ
電源のみから給電が開始されたとき、給電端子に対する
電圧上昇よりはチップセレクタ端子およびリードライト
端子に対する電圧上昇を遅らせる遅延回路とを備えたR
AMのバッテリ異常情報の取得装置である。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 provides a RAM and a RAM.
A backup power supply that can supply a voltage equivalent to the signal voltage required by the RAM chip selector terminal and read / write terminal to the main power supply that supplies the drive voltage to the power supply terminal, and that supplies power to the power supply terminal when the main power is cut off. When the power supply is inserted between the backup power supply and the chip selector terminal and read / write terminal of the RAM, and the power supply is started only from the backup power supply, the chip selector terminal and the read / write operation are performed rather than the voltage increase to the power supply terminal. R with a delay circuit for delaying the voltage rise to the terminal
It is a device for acquiring battery abnormality information of AM.

【0010】また、請求項2に対応する発明は、RAM
と、このRAMの給電端子に駆動電圧を給電する主電源
と、RAMのチップセレクタ端子およびリードライト端
子が必要とする信号電圧と同等な電圧を供給可能で、か
つ、主電源の遮断時に給電端子に給電するバックアップ
電源と、このバックアップ電源とRAMのチップセレク
タ端子およびリードライト端子との間に介挿され、か
つ、バックアップ電源のみから給電が開始されたとき、
給電端子に対する電圧上昇よりはチップセレクタ端子お
よびリードライト端子に対する電圧上昇を遅らせる遅延
回路と、バックアップ電源のみからの給電開始に対応し
たチップセレクタ端子およびリードライト端子への電圧
付与がRAMへのデータ書き込み可能電圧に達したと
き、RAMの特定番地に特定情報を書き込むフラグ書込
手段とを備えたRAMのバッテリ異常情報の取得装置で
ある。
The invention according to claim 2 is a RAM
And a main power supply for supplying a drive voltage to the power supply terminal of the RAM, and a voltage equivalent to the signal voltage required by the chip selector terminal and the read / write terminal of the RAM, and the power supply terminal when the main power supply is cut off. When a backup power supply for supplying power to the power supply is inserted between the backup power supply and the chip selector terminal and read / write terminal of the RAM, and power supply is started from only the backup power supply,
A delay circuit that delays the voltage rise to the chip selector terminal and read / write terminal rather than the voltage rise to the power supply terminal, and the voltage application to the chip selector terminal and read / write terminal corresponding to the start of power supply from only the backup power supply writes data to RAM It is a device for acquiring the battery abnormality information of the RAM, which is provided with a flag writing means for writing the specific information to the specific address of the RAM when the available voltage is reached.

【0011】[0011]

【作用】したがって、まず、請求項1に対応する発明の
RAMのバッテリ異常情報の取得装置においては、通常
状態では主電源によってRAMの動作が保証されてい
る。
Therefore, first, in the RAM battery abnormality information acquiring apparatus according to the first aspect of the invention, the operation of the RAM is guaranteed by the main power source in the normal state.

【0012】そして、例えばシステムの本体等に設けら
れている当該主電源からの給電が停止しているとき、バ
ックアップ電源によってRAMの内容が保持される。次
に、何等かの理由で当該RAMへの電力供給が停止し、
前記バックアップ電源のみから給電が開始されたとき、
つまり、例えば主電源の停止と共にバックアップ電源を
も交換したようなとき、RAMの給電端子に給電が開始
されると共に、チップセレクタ端子およびリードライト
端子とバックアップ電源との間の配線により、チップセ
レクタ端子およびリードライト端子にも電圧付与が成さ
れる。
The contents of the RAM are held by the backup power source when the power supply from the main power source provided in the main body of the system is stopped. Next, for some reason, the power supply to the RAM is stopped,
When power supply is started only from the backup power supply,
That is, for example, when the main power supply is stopped and the backup power supply is also replaced, power supply to the power supply terminal of the RAM is started, and the wiring between the chip selector terminal and the read / write terminal and the backup power supply causes the chip selector terminal. Voltage is also applied to the read / write terminal.

【0013】しかし、遅延回路によって、この電圧付与
は、給電端子に対する給電よりもタイミングが遅れる。
そして、チップセレクタ端子およびリードライト端子が
規定電圧に達したとき、すなわち各端子がオン状態にな
ったとき、すでに給電端子からRAMへの給電が終了し
ており、RAMは稼働可能状態となっている。
However, due to the delay circuit, the timing of applying this voltage is delayed from the power feeding to the power feeding terminal.
Then, when the chip selector terminal and the read / write terminal reach the specified voltage, that is, when each terminal is turned on, the power supply from the power supply terminal to the RAM has already been completed, and the RAM is in the operable state. There is.

【0014】RAMが稼働可能状態でかつチップセレク
タ端子およびリードライト端子がオン状態になっていれ
ば、RAMに対してデータの書き込みが行われる。ここ
で、「前記バックアップ電源のみから給電が開始された
とき」とは、例えば何等かの理由で当該主電源を有する
システム本体とRAMとの接続が切られている場合と
か、当該システム本体の主電源が遮断されているような
場合であるから、上記条件下においてはRAMの先頭番
地にnullが書き込まれることになる。
If the RAM is in the operable state and the chip selector terminal and the read / write terminal are in the ON state, data is written to the RAM. Here, "when power supply is started from only the backup power supply" means, for example, that the system main body having the main power supply is disconnected from the RAM for some reason, or the main body of the system main body is disconnected. Since the power is cut off, null is written at the head address of the RAM under the above conditions.

【0015】したがって、このシステム本体との接続も
しくはシステム本体そのものが復帰したとき、RAMの
上記番地を調べることにより、当該RAMの内容が破壊
されているものであるか否かを判別することができる。
Therefore, when the connection with the system main body or the system main body itself is restored, it is possible to determine whether or not the contents of the RAM are destroyed by checking the above-mentioned address of the RAM. .

【0016】また、請求項2に対応する発明のRAMの
バッテリ異常情報の取得装置においては、請求項1に対
応する発明と同様に作用する他、フラグ書込手段によっ
て、「前記バックアップ電源のみから給電が開始され
た」後に、RAMが稼働可能状態でかつチップセレクタ
端子およびリードライト端子がオン状態になると、特定
番地に特定情報を書き込むので、RAMの内容が破壊さ
れているものであるか否かを判別することができる。
Further, in the battery abnormality information acquisition device of the RAM of the invention according to claim 2, the same operation as in the invention according to claim 1 is performed, and the flag writing means is used to "use only the backup power source. If the RAM is in an operable state and the chip selector terminal and the read / write terminal are turned on after "power supply is started", specific information is written to a specific address, so whether the content of the RAM is destroyed or not. Can be determined.

【0017】この場合は、RAMの先頭番地でない場所
に自由な情報を書き込むことができるので、たとえRA
Mの先頭番地を他の目的で使用しなければならない場合
であっても、上記判別が可能となる。
In this case, since free information can be written in a location other than the head address of RAM, RA
Even when the head address of M must be used for another purpose, the above determination can be performed.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。図1は本発明を適用するシステムの一例を
示す全体構成図であり、図2は本発明に係るRAMのバ
ッテリ異常情報の取得装置の一実施例を示す構成図であ
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an example of a system to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a battery abnormality information acquisition device of a RAM according to the present invention.

【0019】図1において、本実施例の対象とするバッ
テリバックアップRAMは、通常はシステム本体1に接
続されるオプションボード2に設けられている。図1は
システム本体1の稼働中にオプションボード2が外され
たことを示している。通常状態で当該バッテリバックア
ップRAMに電力を供給する主電源は、例えばシステム
本体1に設けられている。
In FIG. 1, the battery backup RAM which is the object of this embodiment is usually provided on the option board 2 connected to the system body 1. FIG. 1 shows that the option board 2 is removed while the system body 1 is operating. The main power supply that supplies power to the battery backup RAM in a normal state is provided in, for example, the system body 1.

【0020】図2のRAMのバッテリ異常情報の取得装
置において、バッテリ3の一端は逆流防止のダイオード
4を介してRAM5の給電端子Vccに接続され、バッ
テリ3の他端は接地されている。さらに、ダイオード
4,給電端子Vcc間にはシステム本体1からの給電線
6が逆流防止のダイオード7を介して接続されている。
システム本体1とオプションボード1とが接続されてい
るときにはこの給電線6からRAM5に電力が供給され
ている。
In the RAM battery abnormality information acquisition apparatus of FIG. 2, one end of the battery 3 is connected to the power supply terminal Vcc of the RAM 5 through the backflow preventing diode 4, and the other end of the battery 3 is grounded. Further, a power supply line 6 from the system body 1 is connected between the diode 4 and the power supply terminal Vcc through a backflow preventing diode 7.
When the system body 1 and the option board 1 are connected, power is supplied to the RAM 5 from the power supply line 6.

【0021】また、ダイオード4,給電端子Vcc間か
ら抵抗8とシュミット・トリガ9とが直列に接続され、
シュミット・トリガ9の出力端はそれぞれWRセレクタ
10とCSセレクタ11とに接続されている。さらに、
WRセレクタ10とCSセレクタ11の他端は、それぞ
れRAM5のリードライト端子WR,チップセレクト端
子CSに接続されている。RAM5は、チップセレクト
端子CSとリードライト端子WRに入力がある状態すな
わちオン状態で、データの読み出し,書き込みが可能と
なる。
A resistor 8 and a Schmitt trigger 9 are connected in series between the diode 4 and the power supply terminal Vcc,
The output terminals of the Schmitt trigger 9 are connected to the WR selector 10 and the CS selector 11, respectively. further,
The other ends of the WR selector 10 and the CS selector 11 are connected to the read / write terminal WR and the chip select terminal CS of the RAM 5, respectively. The RAM 5 can read and write data in a state where there are inputs to the chip select terminal CS and the read / write terminal WR, that is, in an ON state.

【0022】ここで、WRおよびCSセレクタ10,1
1は、給電端子Vccへの電力供給が途絶えるとそれぞ
れのバッテリ側からの入力線12a,13aに接続され
るようになっている。また、システム本体1側からの入
力線12b,13bから入力があると、バッテリ側から
の入力線12a,13aの接続が切れるようになってい
る。
Here, the WR and CS selectors 10, 1
1 is connected to the input lines 12a and 13a from the respective batteries when the power supply to the power supply terminal Vcc is cut off. Further, when there is an input from the input lines 12b, 13b from the system body 1 side, the connection of the input lines 12a, 13a from the battery side is cut off.

【0023】また、バッテリ3は、システム本体1から
の入力線12b,13bを介してリードライト端子W
R,チップセレクト端子CSに入力される電圧と同等な
電圧を入力線12b,13bを介して供給できるように
なっている。すなわち、バッテリ3は、リードライト端
子WR,チップセレクト端子CSの信号供給源として当
該RAM5の動作を保証できるものとなっている。さら
に、このバッテリ3が給電端子Vccに供給する電圧
は、当該RAM5の動作を保証するものである。
The battery 3 is also provided with a read / write terminal W via the input lines 12b and 13b from the system body 1.
A voltage equivalent to the voltage input to the R and chip select terminals CS can be supplied via the input lines 12b and 13b. That is, the battery 3 can guarantee the operation of the RAM 5 as a signal supply source for the read / write terminal WR and the chip select terminal CS. Further, the voltage supplied from the battery 3 to the power supply terminal Vcc guarantees the operation of the RAM 5.

【0024】一方、抵抗8,シュミット・トリガ9から
コンデンサ14が接続され、その他端は接地されてい
る。ここで、抵抗8とコンデンサ14は、電圧の立ち上
がりを遅延させる遅延回路を構成しており、さらに、シ
ュミット・トリガ9によって一定電圧以上に上昇したと
きのみ、電圧が各セレクタ10,11側にかかるように
なっている。
On the other hand, the capacitor 8 is connected to the resistor 8 and the Schmitt trigger 9, and the other end is grounded. Here, the resistor 8 and the capacitor 14 constitute a delay circuit that delays the rise of the voltage, and further, the voltage is applied to the selectors 10 and 11 side only when the Schmitt trigger 9 raises the voltage above a certain voltage. It is like this.

【0025】したがって、例えばシステム本体1からの
給電がなく、かつバッテリ3からの給電もない状態にお
いて、バッテリ3を交換するなどバッテリ3のみからの
給電を開始すると、まず、給電端子Vccへの給電が立
ち上がり、それから多少の間をおいてチップセレクト端
子CSとリードライト端子WRへの信号入力が立ち上が
る。
Therefore, for example, when power supply from only the battery 3 is started, such as when the battery 3 is replaced, when no power is supplied from the system body 1 and no power is supplied from the battery 3, first, power is supplied to the power supply terminal Vcc. Rises, and a little later, the signal input to the chip select terminal CS and the read / write terminal WR rises.

【0026】一方、RAM5のアドレス端子ADはアド
レス入力線15を介してシステム本体1のアドレスバス
に接続され、データ端子DATAはデータ入力線16を
介してシステム本体1のデータバスに接続されている。
また、アドレス入力線15およびデータ入力線16それ
ぞれには回路を保護するための抵抗17および抵抗18
が挿入されている。
On the other hand, the address terminal AD of the RAM 5 is connected to the address bus of the system body 1 via the address input line 15, and the data terminal DATA is connected to the data bus of the system body 1 via the data input line 16. .
The address input line 15 and the data input line 16 are respectively provided with a resistor 17 and a resistor 18 for protecting the circuit.
Has been inserted.

【0027】次に、以上のように構成された本実施例の
RAMのバッテリ異常情報の取得装置の動作について説
明する。本実施例の装置が有効に働く場合として、例え
ば、 1)システム本体1を稼働させたままで、オプションボ
ードを外し、例えばバッテリが消耗していた等の理由
で、さらにバッテリ3を交換した場合、 2)システム本体1を停止し、バッテリ3を交換した場
合、 3)オプションボード2を外し、あるいはシステム本体
1を停止したとき、作業員が間違ってバッテリ3を外し
てしまった場合、 等が考えられる。なお、2),3)でシステム本体を停
止するような場面では、バッテリバックアップRAMは
オプションボード上にある必要はない。
Next, the operation of the battery abnormality information acquisition device of the RAM of the present embodiment configured as described above will be described. As a case where the device of this embodiment works effectively, for example, 1) when the option board is removed while the system body 1 is operating and the battery 3 is further replaced because the battery is exhausted, 2) When the system body 1 is stopped and the battery 3 is replaced, 3) When the option board 2 is removed, or when the system body 1 is stopped and a worker accidentally removes the battery 3, the following may be considered. To be It should be noted that the battery backup RAM does not have to be on the option board when the system body is stopped in 2) and 3).

【0028】本実施例では、説明の都合上、1)の場合
を考える。図3は、本実施例のRAMのバッテリ異常情
報の取得装置各部の動作タイミング図であり、図4は、
同装置の動作フロー図であって、これらに沿って動作説
明をする。
In the present embodiment, the case of 1) will be considered for convenience of explanation. FIG. 3 is an operation timing chart of each unit of the battery abnormality information acquisition device of the RAM of this embodiment, and FIG.
It is an operation | movement flowchart of the same apparatus, and operation | movement is demonstrated along these.

【0029】まず、給電端子Vccから給電されてシス
テムは通常に動作しており、システム本体からの制御に
従って、チップセレクト端子CS,リードライト端子W
R,アドレス端子AD,データ端子DATA等に必要な
オンオフ入力,データ入力等がなされている(図3のA
まで)。
First, the system is operating normally by being supplied with power from the power supply terminal Vcc, and under the control of the system body, the chip select terminal CS and the read / write terminal W.
R, address terminals AD, data terminals DATA, etc. are provided with on / off inputs, data inputs, etc. (A in FIG. 3).
Until).

【0030】この状態でオプションボード2をシステム
本体1から外し(図4のST1)、さらに、バッテリ3
を交換する(図4のST2、図3のA〜C)。このと
き、図3においては、バッテリ3を外すことにより(図
3のA)、各端子Vcc,CS,WR,AD,DATA
の電圧は0V付近の動作不能電圧まで徐々に下がる(図
3のB)。
In this state, the option board 2 is removed from the system body 1 (ST1 in FIG. 4), and the battery 3
Are exchanged (ST2 in FIG. 4, A to C in FIG. 3). At this time, in FIG. 3, by removing the battery 3 (A in FIG. 3), each terminal Vcc, CS, WR, AD, DATA
Voltage gradually decreases to an inoperable voltage near 0 V (B in FIG. 3).

【0031】バッテリ3を取り付け(図3のC)後、ま
ず、給電端子Vccの電圧がRAM動作電圧まで徐々に
上昇する(図4のST3、図3のC〜D)。RAM5
は、給電端子Vccに規定の電圧がかかり、安定に動作
できるようになるまで多少の時間を必要とする。しか
し、本実施例の装置では抵抗8、コンデンサ14、シュ
ミット・トリガ9からなる回路によってチップセレクト
端子CS,リードライト端子WRにかかる電圧が給電に
対して遅れて立ち上がる(図4のST4、図3のD〜
E)ので、チップセレクト端子CS,リードライト端子
WRに対する電圧が規定電圧に達するときには、RAM
5は完全に動作可能状態になっている。
After mounting the battery 3 (C in FIG. 3), first, the voltage of the power supply terminal Vcc gradually rises to the RAM operating voltage (ST3 in FIG. 4, C to D in FIG. 3). RAM5
Requires a certain amount of time until a prescribed voltage is applied to the power supply terminal Vcc and stable operation becomes possible. However, in the device of this embodiment, the voltage applied to the chip select terminal CS and the read / write terminal WR rises with a delay with respect to the power supply by the circuit including the resistor 8, the capacitor 14, and the Schmitt trigger 9 (ST4 in FIG. 4, FIG. 3). D ~
E) Therefore, when the voltage to the chip select terminal CS and the read / write terminal WR reaches the specified voltage, the RAM
5 is fully operational.

【0032】なお、このとき、チップセレクト端子C
S,リードライト端子WRの電圧が上昇する理由は、上
述したCSおよびWRセレクタ10,11の条件によっ
て、入力線12a,13aが接続された状態になってい
るからである。
At this time, the chip select terminal C
The reason why the voltage of the S and read / write terminals WR rises is that the input lines 12a and 13a are in a connected state depending on the conditions of the CS and WR selectors 10 and 11 described above.

【0033】次に、RAM5が給電され、チップセレク
ト端子CS,リードライト端子WRに規定電圧がかかる
と、すなわちオン状態になると、完全に給電が途絶え、
内容が破壊されたことを示すフラグがRAM5に書き込
まれる(図4のST5、図3のE)。
Next, when the RAM 5 is supplied with power and the specified voltage is applied to the chip select terminal CS and the read / write terminal WR, that is, when the RAM 5 is turned on, the power supply is completely cut off,
A flag indicating that the contents are destroyed is written in the RAM 5 (ST5 in FIG. 4, E in FIG. 3).

【0034】フラグは、アドレス端子AD,データ端子
DATAに入力されるデータに対応するものであるが、
ここでは、オプションボード1が本体から外されてお
り、各端子AD,DATAは、オープンになっているの
で、具体的には、RAM5の先頭番地にnullすなわ
ち0番地に0が書き込まれることなる。これは、上記
2),3)の場合でも同様である。
The flag corresponds to the data input to the address terminal AD and the data terminal DATA,
Here, since the option board 1 is removed from the main body and the terminals AD and DATA are open, specifically, null is written at the head address of the RAM 5, that is, 0 is written at address 0. This also applies to the cases 2) and 3).

【0035】以上は、バッテリバックアップRAMの給
電が完全に途絶え、内容データが破壊されたときのフラ
グ書き込み動作であるが、さらに、このフラグに基づく
RAM5の復帰手順を以下に示す。
The above is the flag write operation when the power supply to the battery backup RAM is completely cut off and the content data is destroyed. Further, the recovery procedure of the RAM 5 based on this flag will be described below.

【0036】まず、オプションボード2をシステム本体
1に取り付け、RAM5をシステム本体からアクセス可
能な状態に戻す(図3のE)。システム本体は、例えば
一定時間ごとに当該RAM5のフラグ番地すなわち先頭
番地にアクセスし、フラグが立っているかを調べる(図
4のST6)。
First, the option board 2 is attached to the system body 1 and the RAM 5 is returned to a state accessible from the system body (E in FIG. 3). The system main body accesses the flag address, that is, the head address of the RAM 5 at regular intervals, for example, and checks whether the flag is set (ST6 in FIG. 4).

【0037】フラグが立っていれば、すなわちnull
データが入っていれば(図4のST7)、RAM5の内
容が破壊された可能性があるとして、RAM5の内容に
必要な修正をほどこす(図4のST8)。
If the flag is set, that is, null
If there is data (ST7 in FIG. 4), it is considered that the contents of RAM5 may have been destroyed, and the necessary corrections are made to the contents of RAM5 (ST8 in FIG. 4).

【0038】一方、フラグが立っていなければ(図4の
ST7)、RAM5の内容は破壊されていないので、シ
ステム本体はRAM5の内容が破壊されていないものと
扱って通常の動作に復帰する(図4のST9)。
On the other hand, if the flag is not set (ST7 in FIG. 4), the contents of the RAM 5 have not been destroyed, so the system main body considers that the contents of the RAM 5 have not been destroyed and returns to normal operation ( ST9 of FIG. 4).

【0039】上述したように、本実施例によるRAMの
バッテリ異常情報の取得装置は、バッテリ3と給電端子
Vcc,チップセレクト端子CS,リードライト端子W
R間とを配線し、バッテリ3とチップセレクト端子C
S,リードライト端子WR間に抵抗8とコンデンサ14
とからなる遅延回路を設けて、RAMが稼働可能状態に
なったのちチップセレクタ端子およびリードライト端子
がオン状態になるようにしたので、RAMに対する給電
が停止し、その後バッテリ3により給電が再開されたと
き、つまり、RAMの内容が破壊されたとき、RAM内
容破壊を示すフラグとして、RAM5の先頭番地にnu
llが書き込まれる。
As described above, the apparatus for acquiring the battery abnormality information of the RAM according to the present embodiment has the battery 3, the power supply terminal Vcc, the chip select terminal CS, and the read / write terminal W.
Wiring between R, battery 3 and chip select terminal C
Resistor 8 and capacitor 14 between S and read / write terminal WR
Since the chip selector terminal and the read / write terminal are turned on after the RAM is ready to operate by providing a delay circuit consisting of, the power supply to the RAM is stopped, and then the battery 3 restarts the power supply. When the contents of the RAM are destroyed, that is, nu is set in the head address of the RAM 5 as a flag indicating the destruction of the RAM contents.
ll is written.

【0040】したがって、システム本体はこのフラグを
調べることにより、RAMの状態が正常なものであるか
否かを判別することができる。また、このフラグは、キ
ーワード方式のものと異なり、RAM内容破壊の事実に
基づいて立てられるので、少なくとも上述の理由でRA
M内容が破壊されたときには必ずチェックの対象とする
ことができる。
Therefore, the system main body can determine whether or not the state of the RAM is normal by examining this flag. Also, unlike the keyword method, this flag is set based on the fact that the RAM contents are destroyed, so at least for the above reason, RA
When the contents of M are destroyed, they can be the target of the check.

【0041】また、このようなフラグ手段を提供するこ
とにより、例えばシステム本体が一定時間ごとにフラグ
をチェックするようにすれば、ボート交換,その他状態
変更時における自動復帰機能を実現することができる。
Further, by providing such a flag means, for example, if the system main body checks the flag at regular intervals, it is possible to realize an automatic return function at the time of boat exchange and other state changes. .

【0042】また、上述したように、本実施例によるR
AMのバッテリ異常情報の取得装置は、システム本体1
からの入力線12b,13bとバッテリ3からの入力線
12a,13aとの間に各セレクタ10,11を設け
て、バッテリ3からの給電立上がりのときのみ、入力線
12a,13aが有効となるようにしたので、システム
本体が動作し、かつ、これと接続されているときには、
通常動作を確保することができる。
As described above, R according to this embodiment
The battery abnormality information acquisition device of AM is the system main unit 1
The selectors 10 and 11 are provided between the input lines 12b and 13b from the battery 3 and the input lines 12a and 13a from the battery 3 so that the input lines 12a and 13a are valid only when the power supply from the battery 3 rises. Since the system main unit is operating and connected to this,
Normal operation can be ensured.

【0043】図5は本発明に係るRAMのバッテリ異常
情報の取得装置の他の実施例を示す構成図であり、図2
と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、ここで
は異なる部分についてのみ述べる。
FIG. 5 is a block diagram showing another embodiment of the battery abnormality information acquisition device of the RAM according to the present invention.
The same parts as those of the above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Here, only different parts will be described.

【0044】図5において、バッテリ3とダイオード4
間からフラグ書込部19に接続がされており、バッテリ
3からフラグ書込部19に給電がされるようになってい
る。また、フラグ書込部19から信号線20、アンプ2
1を介してRAM5のアドレス端子ADに接続がされ、
一方、信号線22、アンプ23を介してデータ端子DA
TAに接続がされている。
In FIG. 5, the battery 3 and the diode 4 are shown.
The flag writing unit 19 is connected between the two, and power is supplied from the battery 3 to the flag writing unit 19. Further, from the flag writing unit 19 to the signal line 20 and the amplifier 2
Is connected to the address terminal AD of the RAM 5 via 1,
On the other hand, through the signal line 22 and the amplifier 23, the data terminal DA
Connected to TA.

【0045】このフラグ書込部19は、アドレス番地を
収容した記憶部とデータを収容した記憶部を備えてお
り、例えばフラグ書込部本体への給電が一旦途絶えて再
び復帰したときに一度だけ、上記各収容データを信号線
20、22を介して出力するようになっている。そし
て、各データ(アドレスおよびデータ)が出力された後
は、フラグ書込部19の信号線20、22に対する接続
が切られるようになっている。
The flag writing section 19 is provided with a storage section containing an address address and a storage section containing data, and, for example, only once when the power supply to the main body of the flag writing section is interrupted and then restored again. The accommodation data are output via the signal lines 20 and 22. After each data (address and data) is output, the flag writing unit 19 is disconnected from the signal lines 20 and 22.

【0046】ところで、上記アドレスおよびデータは、
対応する信号線20,22上に設けられたアンプ21お
よびアンプ22に電力が供給され、動作状態になるとア
ドレス端子ADおよびデータ端子DATAからRAM5
に入力される。
By the way, the above address and data are
When electric power is supplied to the amplifiers 21 and 22 provided on the corresponding signal lines 20 and 22, and the operating state is reached, the RAM 5 is supplied from the address terminal AD and the data terminal DATA.
Is input to

【0047】この電力供給を行うためにバッテリ3から
電力供給線24および25が設けられている。電力供給
線24は、シュミット・トリガ9の出力端から抵抗26
を介してアンプ21に接続されてなる。また、抵抗26
とアンプ21間からコンデンサ27が接続され、さらに
接地されている。一方、電力供給線25も同様に、シュ
ミット・トリガ9の出力端から抵抗28を介してアンプ
23に接続されてなる。また、抵抗28とアンプ23間
からコンデンサ29が接続され、さらに接地されてい
る。
Power supply lines 24 and 25 from the battery 3 are provided to supply this power. The power supply line 24 is connected to a resistor 26 from the output of the Schmitt trigger 9.
It is connected to the amplifier 21 via. Also, the resistance 26
The capacitor 27 is connected between the amplifier 21 and the amplifier 21 and is further grounded. On the other hand, the power supply line 25 is also connected to the amplifier 23 via the resistor 28 from the output end of the Schmitt trigger 9. A capacitor 29 is connected between the resistor 28 and the amplifier 23, and is further grounded.

【0048】これらの抵抗26およびコンデンサ27と
抵抗28およびコンデンサ29はそれぞれ遅延回路を成
しており、これらの遅延回路のため、アンプ21,23
に対する電力供給は、チップセレクト端子CS,リード
ライト端子WRへのオン入力よりは遅れたものとなる。
したがって、上述したフラグ書込部19からRAM5へ
のデータ出力は、RAM5が書込可能状態になった後に
行われる。
The resistor 26 and the capacitor 27 and the resistor 28 and the capacitor 29 respectively form a delay circuit. Due to these delay circuits, the amplifiers 21 and 23 are provided.
To the chip select terminal CS and the read / write terminal WR is delayed.
Therefore, the above-mentioned data output from the flag writing unit 19 to the RAM 5 is performed after the RAM 5 becomes the writable state.

【0049】次に、以上のように構成された本実施例の
RAMのバッテリ異常情報の取得装置の動作について説
明する。まず、本実施例の装置が有効に働く場合は、先
の実施例の場合と同様である。また、動作フローについ
てもフラグの書き込み動作以外は同様であるので、図6
の装置各部の動作タイミング図を用いて異なる部分のみ
を説明する。
Next, the operation of the battery abnormality information acquiring apparatus for the RAM of the present embodiment configured as described above will be described. First, when the apparatus of this embodiment works effectively, it is the same as that of the previous embodiment. Also, the operation flow is the same except for the flag write operation, and therefore FIG.
Only different parts will be described with reference to the operation timing charts of the respective parts of the apparatus.

【0050】まず、図6において、A〜Eまでの動作
は、アンプ21,23の給電動作を除き、図3の場合と
同様である。先の実施例の場合と異なり、給電端子Vc
c,チップセレクト端子CS,リードライト端子WRに
必要な電圧が立ち上がっても(図6のE)フラグの書き
込みは行われない。実際には、RAM5の先頭番地にn
ullの書き込みが行われているが、本実施例では、先
頭番地がフラグの指定番地であるとは限らないからであ
る。
First, in FIG. 6, the operation from A to E is the same as the case of FIG. 3 except the power feeding operation of the amplifiers 21 and 23. Unlike the case of the previous embodiment, the power supply terminal Vc
The flags are not written even if the necessary voltage rises to the c, chip select terminal CS, and read / write terminal WR (E in FIG. 6). Actually, n is set in the head address of RAM5.
This is because the writing of "ull" is performed, but in this embodiment, the head address is not always the designated address of the flag.

【0051】次に、上述した遅延回路のため、チップセ
レクト端子CS,リードライト端子WRに遅れてアンプ
21,23への給電が立ち上がる(図6のE〜E2)。
この給電が立ち上がり、アンプ21,23が動作状態に
なると、フラグ書込部19のアドレスおよびデータの各
データが、上述した条件により1度だけアドレス端子A
Dおよびデータ端子DATAに出力される。この出力に
よりRAM5上の特定のフラグ用番地にフラグのデータ
が書き込まれることになる(図6のE2)。
Next, because of the delay circuit described above, the power supply to the amplifiers 21 and 23 rises after the chip select terminal CS and the read / write terminal WR (E to E2 in FIG. 6).
When this power supply rises and the amplifiers 21 and 23 are in the operating state, each data of the address and the data of the flag writing unit 19 is addressed only once by the address terminal A under the above-mentioned conditions.
It is output to D and the data terminal DATA. By this output, the flag data is written in the specific flag address on the RAM 5 (E2 in FIG. 6).

【0052】以下の動作は、先の実施例と同様であるの
で省略する。ただし、フラグが書き込まれる番地と内容
は、先の実施例と同じであるとは限らず、システム本体
1はRAMの状態を調べるのにフラグ書込部19で指定
された番地および内容を調べることになる。
The following operation is the same as that of the previous embodiment and will not be described. However, the address and the content in which the flag is written are not always the same as those in the previous embodiment, and the system main body 1 checks the address and the content specified by the flag writing unit 19 to check the state of the RAM. become.

【0053】上述したように、本実施例によるRAMの
バッテリ異常情報の取得装置は、上記実施例と同様の効
果が得られる他、フラグ書込部19によって、任意の番
地に任意の情報をフラグとして書き込めるようにしたの
で、例えばRAMの先頭番地を他の目的で使用しなけれ
ばならないような場合であっても、RAM内容状態が破
壊されているか否かの判別が可能となる。
As described above, the battery abnormality information acquiring device of the RAM according to the present embodiment can obtain the same effect as that of the above-mentioned embodiment, and the flag writing unit 19 flags any information at any address. Therefore, even if the head address of the RAM must be used for another purpose, it is possible to determine whether the RAM content state is destroyed.

【0054】さらに、フラグの自由度が高いので、より
一層確実な状態判別手段を提供することができる。な
お、フラグ書込部19で出力するアドレスおよびデータ
の値として、例えばディップスイッチ等のハードスイッ
チによる設定を利用すると、当該RAM5が立ち上がる
ときに自動参照が可能となり、人手やソフトを介さない
で、書き込みが可能となる。また、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
Further, since the flag has a high degree of freedom, it is possible to provide a more reliable state discriminating means. If, for example, the setting of a hard switch such as a DIP switch is used as the value of the address and the data output by the flag writing unit 19, automatic reference can be made when the RAM 5 starts up, without human or software intervention. Writing is possible. Further, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、バ
ッテリバックアップが行われているRAMに対して給電
が停止し、RAMの記憶内容が破壊されたとき、その破
壊の事実を記録するRAMのバッテリ異常情報の取得装
置を提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, when the power supply to the RAM backed up by the battery is stopped and the stored contents of the RAM are destroyed, the fact of the destruction is recorded. It is possible to provide a device for acquiring RAM battery abnormality information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を適用するシステムの一例を示す全体構
成図。
FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an example of a system to which the present invention is applied.

【図2】本発明に係るRAMのバッテリ異常情報の取得
装置の一実施例を示す構成図。
FIG. 2 is a configuration diagram showing an embodiment of a battery abnormality information acquisition device of a RAM according to the present invention.

【図3】同実施例のRAMのバッテリ異常情報の取得装
置各部の動作タイミング図。
FIG. 3 is an operation timing chart of each unit of the battery abnormality information acquisition device of the RAM of the embodiment.

【図4】同実施例のRAMのバッテリ異常情報の取得装
置各部の動作フロー図
FIG. 4 is an operation flow chart of each unit of the apparatus for acquiring battery abnormality information in the RAM of the same embodiment

【図5】本発明に係るRAMのバッテリ異常情報の取得
装置の他の実施例を示す構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing another embodiment of the battery abnormality information acquisition device of the RAM according to the present invention.

【図6】同実施例のRAMのバッテリ異常情報の取得装
置各部の動作タイミング図。
FIG. 6 is an operation timing chart of each unit of the battery abnormality information acquisition unit of the RAM of the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…システム本体、3…バッテリ、5…RAM、6…給
電線、8…抵抗、19…フラグ書込部、26…抵抗、2
7…コンデンサ、28…抵抗、29…コンデンサ、AD
…アドレス端子、CS…チップセレクト端子、DATA
…データ端子、Vcc…給電端子、WR…リードライト
端子。
1 ... System main body, 3 ... Battery, 5 ... RAM, 6 ... Feed line, 8 ... Resistor, 19 ... Flag writing section, 26 ... Resistor, 2
7 ... Capacitor, 28 ... Resistor, 29 ... Capacitor, AD
... Address terminal, CS ... Chip select terminal, DATA
... data terminal, Vcc ... power supply terminal, WR ... read / write terminal.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 RAMと、 このRAMの給電端子に駆動電圧を給電する主電源と、 前記RAMのチップセレクタ端子およびリードライト端
子が必要とする信号電圧と同等な電圧を供給可能で、か
つ、前記主電源の遮断時に前記給電端子に給電するバッ
クアップ電源と、 このバックアップ電源と前記RAMのチップセレクタ端
子およびリードライト端子との間に介挿され、かつ、前
記バックアップ電源のみから給電が開始されたとき、前
記給電端子に対する電圧上昇よりは前記チップセレクタ
端子およびリードライト端子に対する電圧上昇を遅らせ
る遅延回路とを備えたことを特徴とするRAMのバッテ
リ異常情報の取得装置。
1. A RAM, a main power supply for supplying a drive voltage to a power supply terminal of the RAM, a voltage equivalent to a signal voltage required by a chip selector terminal and a read / write terminal of the RAM, and A backup power supply that supplies power to the power supply terminal when the main power supply is cut off, and is inserted between the backup power supply and the chip selector terminal and read / write terminal of the RAM, and power supply is started only from the backup power supply. At this time, the battery abnormality information acquisition device of RAM, comprising: a delay circuit that delays a voltage increase to the chip selector terminal and the read / write terminal rather than a voltage increase to the power supply terminal.
【請求項2】 RAMと、 このRAMの給電端子に駆動電圧を給電する主電源と、 前記RAMのチップセレクタ端子およびリードライト端
子が必要とする信号電圧と同等な電圧を供給可能で、か
つ、前記主電源の遮断時に前記給電端子に給電するバッ
クアップ電源と、 このバックアップ電源と前記RAMのチップセレクタ端
子およびリードライト端子との間に介挿され、かつ、前
記バックアップ電源のみから給電が開始されたとき、前
記給電端子に対する電圧上昇よりは前記チップセレクタ
端子およびリードライト端子に対する電圧上昇を遅らせ
る遅延回路と、 前記バックアップ電源のみからの給電開始に対応した前
記チップセレクタ端子およびリードライト端子への電圧
付与が前記RAMへのデータ書き込み可能電圧に達した
とき、前記RAMの特定番地に特定情報を書き込むフラ
グ書込手段とを備えたことを特徴とするRAMのバッテ
リ異常情報の取得装置。
2. A RAM, a main power supply for supplying a drive voltage to a power supply terminal of the RAM, a voltage equivalent to a signal voltage required by a chip selector terminal and a read / write terminal of the RAM, and A backup power supply that supplies power to the power supply terminal when the main power supply is cut off, and is inserted between the backup power supply and the chip selector terminal and read / write terminal of the RAM, and power supply is started only from the backup power supply. At this time, a delay circuit that delays the voltage increase to the chip selector terminal and the read / write terminal rather than the voltage increase to the power supply terminal, and the voltage application to the chip selector terminal and the read / write terminal corresponding to the start of the power supply from only the backup power supply. When the voltage reaches a voltage at which data can be written to the RAM, Acquisition device battery abnormality information in the RAM, characterized in that a flag writing means for writing the specific information to a specific address of the AM.
JP6220648A 1994-09-14 1994-09-14 Acquisition device for battery abnormality information on ram Pending JPH0887457A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307724B1 (en) 1999-06-17 2001-10-23 Fujitsu, Limited Accessory apparatus
KR100492996B1 (en) * 1998-01-07 2005-09-26 삼성전자주식회사 Control signal generating circuit for internal signal generator and semiconductor using the same

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