JPH0885892A - 酸素・水素発生装置 - Google Patents

酸素・水素発生装置

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JPH0885892A
JPH0885892A JP6224670A JP22467094A JPH0885892A JP H0885892 A JPH0885892 A JP H0885892A JP 6224670 A JP6224670 A JP 6224670A JP 22467094 A JP22467094 A JP 22467094A JP H0885892 A JPH0885892 A JP H0885892A
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cooling chamber
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宏子 小林
Takashi Sasaki
隆 佐々木
Seiji Hirai
清司 平井
Shinichi Yasui
信一 安井
Mamoru Nagao
衛 長尾
Michiyuki Harada
宙幸 原田
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Shinko Pantec Co Ltd
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

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  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な装置構成で、しかも複雑なメンテナン
スも不要で、酸素ガス及び水素ガスに含まれる水分を効
率良く除去可能な除湿装置を備えた、より高純度な酸素
ガス及び水素ガスを製造することの可能な酸素・水素発
生装置を提供する。 【構成】 電解質膜を隔膜として用いて、陽極室と陰極
室とに分離して、陽極室に純水を供給しながら純水を電
気分解して、陽極室から酸素ガスを、陰極室から水素ガ
スをそれぞれ発生するように構成した水電解装置10と、
水電解装置に接続され、水電解装置の陽極室で発生した
酸素ガス、及び陰極室で発生した水素ガスに含まれる水
分を、それぞれ除湿するために、熱電子冷却素子41a,41
b を付設した酸素ガス除湿部42と水素ガス除湿部43と、
両熱電子冷却素子の熱を放熱するために、両熱電子冷却
素子の間に配設した放熱部44とから構成される熱電子冷
却素子方式の除湿装置とから構成した酸素・水素発生装
置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高純度の酸素ガス及び
水素ガスを製造するための装置に関し、より詳細には、
半導体の製造工程の際の酸化被膜生成処理及び各種熱処
理工程、ならびに、原子力発電装置の冷却水配管の腐食
防止用など各種工業分野において必要とされる酸素ガス
及び水素ガスを高純度で供給するための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、前述した各種工業分野に使用
する酸素ガス及び水素ガスは、水素ガスについては、食
塩電解や石油精製の際に発生する副成ガスを、触媒燃焼
精製法などを用いてある程度の純度の水素ガスに精製し
た後、ガスボンベに高圧にして充填して、使用者に供給
され使用されている。
【0003】一方、酸素ガスについては、空気をジュー
ルトムソン法により液化し、深冷分離法により沸点差を
利用して分離し、ある程度の高純度の酸素ガスが作ら
れ、これを液体酸素の状態で工場のコールドエバポレー
タ(酸素ガス発生装置)に供給し、 これを気化してガス
に使用したり、ガスボンベに高圧にして充填して、使用
者に供給され使用されている。
【0004】しかしながら、このように供給される酸素
及び水素等のガスには、窒素、炭酸ガス、一酸化炭素、
炭化水素、水分等の不純物も含まれており、これらは完
全には除去されず、そのためにさらに不純物を除去・精
製するため、吸着材による吸着処理やパラジューム膜透
過法等のような高度の純化処理法により、個別に純化処
理して精製して使用しているのが実状である。ところ
が、このような純化処理法によっても除去が困難な窒素
等の不純物があり、例えば、半導体分野などにおいて
は、昨今の素子の高純度化においては、このような残存
不純物が問題となっていた。
【0005】又、酸素や水素は、ボンベに高圧に充填し
て供給されたり、液体状態で保管されており、輸送や貯
蔵時、地震等の非常時に、ガス漏洩して引火、爆発する
おそれもあり、安全の面でも問題となっていた。
【0006】このような、従来における問題を解決する
ために、本発明者等は、特開平5-287570号において、図
6に示したように、ポーラスな固体電解質、例えば、カ
チオン交換膜(フッ素樹脂系スルフォン酸カチオン交換
膜、例えば、デュポン社製「ナフィオン117」)の両
面に白金属族金属等からなる多孔質の陽極及び陰極を接
合した構造の固体高分子電解質膜を隔膜として用い、陽
極室と陰極室とに分離した構造の水電解セルを用いて、
陽極室に純水を供給しながら電気分解して、陽極室から
酸素ガスを、陰極室から水素ガスをそれぞれ発生するよ
うに構成した水電解セルを用いた酸素・水素発生装置を
提案するとともに、特開平5-287570号において、図7に
示したように、水電解装置で発生した酸素ガス、水素ガ
スをそれぞれ、モレキュラシーブからなる除湿装置に導
入して、ガス中に含まれる水分を除去してより純度を高
めた酸素ガス、水素ガスを得ることが可能な酸素・水素
発生装置を提供した。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モレキ
ュラーシーブを用いた除湿装置では、図7に示したよう
に、通常、連続運転をするために、一方の除湿装置を脱
水精製に用いている間に、他方の除湿装置で飽和した水
分を脱着する必要があるために、2本以上の除湿装置を
並列して使用することが必要となり、そのため、制御装
置など複雑な装置構成が必要である。
【0008】また、モレキュラーシーブを用いた除湿装
置では、モレキュラーシーブに吸着した水分が飽和状態
になった場合に、モレキュラーシーブの吸着能力を再生
することが必要となるが、その方法として、サーマル・
スウィングサイクル、プレッシャー・スウィング・サイ
クル、パージ・ガス・ストリッピングサイクル、ディス
プレイスメント・サイクルなどの方法、例えば、除湿装
置に残留する酸素ガス若しくは水素ガスを窒素ガスで置
換した後、300 ℃で加熱して水分を除去し、さらに、窒
素ガスを酸素ガス若しくは水素ガスで置換するといった
複雑なメンテナンスが必要となるために、システムに組
み込む方式としては適当ではない。
【0009】さらに、モレキュラーシーブを用いた除湿
装置では、結晶性ゼオライト等の無機化合物であるため
に、高純度な酸素ガス若しくは水素ガスに、アルミナな
どの不純物パーティクルが混入するおそれがあり、好ま
しくなかった。
【0010】また、モレキュラーシーブを用いた除湿装
置では、水分除去後のガスの露点を、-80 ℃付近まで下
げることができるが、半導体製造用以外の利用分野で
は、常温付近の露点で十分である場合もあり、そのた
め、要求される露点に対して過剰仕様となってかえって
コスト高になるという問題があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような現
状に鑑みて、簡単な装置構成で、しかも複雑なメンテナ
ンスも不要で、酸素ガス及び水素ガスに含まれる水分を
効率良く除去可能な除湿装置を備えた、より高純度な酸
素ガス及び水素ガスを製造することの可能な酸素・水素
発生装置を提供することを目的とする。
【0012】本発明は、前述したような従来技術におけ
る課題及び目的を達成するために発明なされたものであ
って、その構成要旨とするところは、下記の(1)〜
(7)である。
【0013】(1)電解質膜を隔膜として用いて、陽極
室と陰極室とに分離して、陽極室に純水を供給しながら
純水を電気分解して、陽極室から酸素ガスを、陰極室か
ら水素ガスをそれぞれ発生するように構成した水電解装
置と、前記水電解装置に接続され、水電解装置の陽極室
で発生した酸素ガス、及び陰極室で発生した水素ガスに
含まれる水分を、それぞれ除湿するための熱電子冷却素
子方式の除湿装置とから構成されていることを特徴とす
る酸素・水素発生装置。
【0014】(2)前記熱電子冷却素子方式の除湿装置
が、熱電子冷却素子を付設した酸素ガス除湿部と、熱電
子冷却素子を付設した水素ガス除湿部と、前記両熱電子
冷却素子の熱を放熱するために、両熱電子冷却素子の間
に配設した放熱部とから構成されていることを特徴とす
る前述の(1)に記載の酸素・水素発生装置。
【0015】(3)前記酸素ガス除湿部及び水素ガス除
湿部をそれぞれ、一次冷却室と二次冷却室とから構成
し、前記一次冷却室内に一次冷却用のガス配管を配設し
て、二次冷却室において冷却・除湿され且つ一次冷却室
に環流されたガスによって、一次冷却室に導入され前記
ガス配管を流れるガスを一次冷却するように構成し、前
記一次冷却室のガス配管の出口を、二次冷却室に接続し
て、一次冷却されたガスを、二次冷却室に導入して、二
次冷却室に付設した熱電子冷却素子により、二次冷却室
に導入されたガスを二次冷却するように構成するととも
に、前記二次冷却室を、一次冷却室のガス環流用開口に
接続して、二次冷却室において冷却・除湿されたガス
を、一次冷却室に環流するように構成したことを特徴と
する前述の(1)又は(2)に記載の酸素・水素発生装
置。
【0016】(4)前記二次冷却室内の熱電子冷却素子
側の壁部に、フィンからなる冷却・除湿部材を形設した
ことを特徴とする前述の(1)から(3)のいずれかに
記載の酸素・水素発生装置。
【0017】(5)前記水電解装置の陽極室で発生した
酸素を気液分離するための酸素ガス用気液分離装置を、
水電解装置の陽極室と熱電子冷却素子方式の除湿装置の
酸素ガス除湿部の酸素ガス導入口との間に接続するとと
もに、前記水電解装置の陰極室で発生した水素を気液分
離するための水素ガス用気液分離装置を、水電解装置の
陰極室と熱電子冷却素子方式の除湿装置の水素ガス除湿
部の水素ガス導入口との間に接続し、さらに、前記酸素
ガス除湿部及び水素ガス除湿部の二次冷却室に設けた水
抜き用のドレンをそれぞれ、前記酸素ガス用気液分離装
置及び水素ガス用気液分離装置に接続したたことを特徴
とする請求項1から4のいずれかに記載の酸素・水素発
生装置。
【0018】(6)前記放熱部が、水冷冷却式の放熱装
置であることを特徴とする前述の(1)から(5)のい
ずれかに記載の酸素・水素発生装置。
【0019】(7)前記酸素ガス除湿部及び水素ガス除
湿部の二次冷却室に設けたガス排出口にそれぞれ、減圧
装置を接続したことを特徴とする前述の(1)から
(6)のいずれかに記載の酸素・水素発生装置。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいてより
詳細に説明する。
【0021】図1は、本発明の酸素・水素発生装置の一
実施例の全体構成を示す図であり、1は全体で、本発明
の酸素・水素発生装置を示している。本酸素・水素発生
装置1は、純水供給系(図示せず)から供給された純水
を電気分解して、陽極室から酸素ガスを、陰極室から水
素ガスをそれぞれ発生するように、例えば、図6に示し
たような構造を有する水電解装置10を備える。なお、本
実施例では、電解質膜として、固体高分子電解質膜を使
用した。
【0022】この水電解装置10の陽極側には、水電解装
置10の陽極室で発生した酸素を気液分離するための酸素
ガス用気液分離装置20が接続される一方、水電解装置10
の陰極側には、水電解装置10の陰極室で発生した水素を
気液分離するための水素ガス用気液分離装置30が接続さ
れている。
【0023】そして、この両気液分離装置20,30 におい
て気液分離された酸素ガス及び水素ガスはそれぞれ、熱
電子冷却素子(ペルチェ)方式の除湿装置40の酸素ガス
除湿部42と、水素ガス除湿部43に導入されて、ガスに含
まれる水分がそれぞれ除去されるように構成されてい
る。除湿装置40の酸素ガス除湿部42と、水素ガス除湿部
43において水分が除去され露点が低下した酸素ガス及び
水素ガスは、酸素ガス及び水素ガス利用施設(図示せ
ず)に適宜供給されるようになっている。なお、両気液
分離装置20,30 において気液分離された水分は、排水系
(図示せず)に供給され、適宜排水されるようになって
いる。
【0024】図3に示すように、除湿装置40は、基本的
には、熱電子冷却素子41a を付設した酸素ガス除湿部42
と、熱電子冷却素子41b を付設した水素ガス除湿部43
と、両熱電子冷却素子41a,41b の熱を放熱するために、
両熱電子冷却素子の間に配設した放熱部44とから構成さ
れている。
【0025】酸素ガス除湿部42と、水素ガス除湿部43と
は、左右対称であるが同じ構造を有するものであり、以
下には、説明の便宜のために、水素ガス除湿部43と放熱
部44の構造のみを説明することにし、酸素ガス除湿部42
の構造については、同様な参照番号を図において付記し
ておく。
【0026】図2は、水素ガス除湿部43と放熱部44の詳
細な構造を示す分解斜視図であり、水素ガス除湿部43
は、一次冷却室43a と二次冷却室43b とから構成されて
いる。
【0027】一次冷却室43a の上部には、気液分離装置
30において気液分離された水素ガスを導入するための水
素ガス導入口43c が設けられ、水素ガス導入口43c は、
一次冷却室43a の内部に設けられた空間43d 内に、ジグ
ザク状に配設された一次冷却用のガス配管43e に接続さ
れている。
【0028】この一次冷却用のガス配管43e の末端の出
口43f は、一次冷却室43a の二次冷却室43b 側の側壁43
g の底部近傍を貫通して、二次冷却室43b の空間43d'に
至るように構成されている。
【0029】また、一次冷却室43a の底部には、後述す
るように冷却・除湿された水素ガスを排出するためのガ
ス排出口43h が設けられている。さらに、一次冷却室43
a の二次冷却室43b 側の側壁43g の上部には、ガス環流
用開口43i が開設されている。
【0030】一方、二次冷却室43b の一次冷却室43a と
反対側の側壁43j には、複数個の一定間隔離間した櫛状
のフィンからなる冷却・除湿部材43k,43k が、二次冷却
室43b の空間43d ’内に突設されている。また、二次冷
却室43b の底部には、水素ガスから冷却・除去された水
分を除去するためのドレン43l が設けられているととも
に、二次冷却室43b の底部内壁43m は、水抜きを促進す
るために、このドレン43l に向かって傾斜した構造とな
っている。なお、このドレン43l は、図1に示したよう
に、気液分離装置30の底部近傍に接続されている。
【0031】さらに、二次冷却室43b の側壁43j には、
その外部に熱電子冷却素子41b が付設されている。そし
て、図3に示したように、両熱電子冷却素子の間には、
両熱電子冷却素子の熱を放熱するために、放熱部44が配
設されているが、この放熱部44は、放熱部44の側壁44a
から、放熱部44の空間44b 内に、相互に位置を違えて突
設させた複数の邪魔板44c,44c により、冷媒のジグザク
状の通路44d が形設されるとともに、その上部壁に冷媒
排水口44e 、底部壁に冷媒導入口44f が形成されてい
る。この場合、使用する冷媒としては、熱伝導性を考慮
すれば水を使用するのが好ましい。
【0032】なお、前記した各部材の好ましい材質とし
ては、腐食、パーティクル発生による不純物の混入防止
などを考慮すれば、冷却・除湿部材43k としては、耐食
表面処理をしたアルミニウム、また、その他の部材とし
ては、ステンレス鋼を電解研磨した後、酸化性雰囲気中
で加熱処理して着色酸化皮膜を形成したもの、或いは加
熱処理後、さらに酸洗洗浄等によりこの着色酸化皮膜を
溶解除去したものを使用することが望ましい(特開昭62
-13563号、特開昭62-17184号( 特公平2-1916)、特開平2
-141566号参照)。
【0033】このように構成される除湿装置40は、図4
に示したように、先ず、気液分離装置30において気液分
離された水素ガスが、水素ガス除湿部43の一次冷却室43
a の水素ガス導入口43c を介して導入され、一次冷却用
のガス配管43e 内を流れる間に、二次冷却室43b におい
て冷却・除湿され且つガス環流用開口43i を介して、一
次冷却室43a の空間43d に環流されたガスによって、水
素ガスが一次冷却される。
【0034】その後、ガス配管43e の末端の出口43f を
介して、二次冷却室43b の空間43d'にす導入された水素
ガスが、二次冷却室43b の側壁43j の外部に付設された
熱電子冷却素子41b のペルチェ効果によって冷却された
冷却・除湿部材43k,43k の間を通過する際に、二次冷
却、すなわち、冷却・除湿されて露点が低下する。
【0035】このように、二次冷却された水素ガスは、
一次冷却室43a の側壁43g に開設されたガス環流用開口
43i を介して、再び一次冷却室43a の一次冷却室43a の
空間43d に環流され、一次冷却用のガス配管43e 内を流
れる水素ガスを一次冷却した後、一次冷却室43a の底部
に設けられたガス排出口43h を介して、冷却・除湿され
た水素ガスが排出され、水素ガス利用施設(図示せず)
に適宜供給されるようになっている。
【0036】一方、二次冷却室43b において、水素ガス
から冷却・除去された水分は、二次冷却室43b の底部に
設けられたドレン43l を介して、図1に示したように、
気液分離装置30の底部近傍に導入されるようになってい
る。
【0037】なお、酸素ガス除湿部42においても、同様
なサイクルによって、酸素ガスが冷却・除湿されるよう
になっている。
【0038】このような除湿装置40を備えた本酸素・水
素発生装置について、ペルチェ通電量を4Aで運転し、
ガスの露点を測定したところ、下記の表1に示したよう
な結果が得られた。
【0039】
【表1】
【0040】なお、熱電子冷却素子41a,41b に通電する
電流が多すぎると、除湿器40の温度が下がりすぎ、除湿
器内部の水分が凍結し、配管を塞ぐ可能性があり、連続
運転にも支障をきたすおそれがあるので、除湿器40の温
度を冷却部である二次冷却室42b,43b の側壁42j,43j ま
たは冷却・除湿部材42k,43k に、外部から、例えば、熱
電対のような温度測定装置を取り付けて、温度を測定
し、除湿器の温度が所定の値(例えば、2℃)以下にな
ると、熱電子冷却素子41a,41b の通電を停止し、逆に、
除湿器の温度が、所定の値(例えば、5℃)以上になる
と、熱電子冷却素子41a,41b の通電を開始する制御装置
(図示せず)を設けておけば、より一層連続運転が可能
となる。
【0041】図5は、本発明の酸素・水素発生装置の別
の実施例の全体構成を示す図であり、上記実施例と同様
な構成であるが、除湿器40のガス排出口42h,43h の後
に、減圧弁を設けた点が相違する。これは、温度が一定
であれば、飽和水蒸気圧が一定であるので、使用する圧
力に比較してできるだけ高い圧力のガスを発生させて、
水蒸気分圧を低くした後に、断熱膨張(減圧)して使用
することによって、より水分量の少なく、露点が低下し
たガスを得るようにしたものである。
【0042】例えば、減圧弁を設けた場合と設けない場
合について、露点を測定したところ下記の表2に示した
ような結果となった。
【0043】
【表2】
【0044】
【発明の作用効果】本発明の酸素・水素発生装置によれ
ば、下記に示したような顕著で特有な作用効果を奏する
極めて優れた発明である。
【0045】(1)除湿器としてモレキュラーシーブを
用いた除湿装置を用いた酸素・水素発生装置のように、
水分飽和状態になったモレキュラーシーブを再生するな
どのメンテナンスが不要であるので、連続操業が可能
で、しかも複雑な装置構成も不要である。
【0046】(2)モレキュラーシーブを用いた除湿装
置を備えた酸素・水素発生装置のように不純物の混入の
おそれがなく、水分を除去可能であるので、より高純度
な酸素ガス、水素ガスを提供することができる。
【0047】(3)本装置の除湿器を経た酸素ガス、水
素ガスの露点が、常温付近の露点であるので、半導体製
造用以外の利用分野にも適用可能である。
【0048】(4)酸素ガス除湿部と水素ガス除湿部
が、一つの除湿装置に具備されているので、複数の除湿
装置を設ける必要なく、装置全体の大きさもコンパクト
なものとなる。
【0049】(5)酸素ガス除湿部及び水素ガス除湿部
をそれぞれ、一次冷却室と二次冷却室とから構成したの
で、二次冷却室において、ガスが熱電子冷却素子よって
冷却され、その結果、ガス中の水分が除湿される。この
場合、二次冷却室から一次冷却室に環流されるガスは、
例えば、露点が5℃の場合5℃(湿度100 %)である。
【0050】この冷却されたガスで、一次冷却室に流入
するガスを一次冷却することにより、前除湿することと
なる。
【0051】従って、二次冷却後の温度の低いガスを系
外へ出さずに、一次冷却に利用するために、熱を有効利
用することができる。
【0052】また、二次冷却後のガスは、湿度100 %で
あるが、一次冷却に利用するので、ガス中の水分量が一
定のままで、ガス温度が高くなるために、湿度が低くな
る。
【0053】従って、湿度100 %のガスの場合、僅かな
温度差で、直ちに結露することとなるが、本装置を用い
て冷却・除湿されたガスは、結露するまでに時間がかか
り結露しにくいガスを得ることが可能である。
【0054】(6)二次冷却室内の熱電子冷却素子側の
壁部に、フィンからなる冷却・除湿部材を形設したの
で、冷却された冷却・除湿部材とガスの接触面積(伝熱
面積)が大きくなり、より効率的に冷却・除湿すること
が可能である。
【0055】(7)本装置の除湿器によってガス中の水
分を除去した後の水分を、気液分離装置に戻すように構
成してあるので、より連続操業が可能である。
【0056】(8)放熱部が、水冷冷却式の放熱装置に
してあるので、空冷式に比較して、伝熱効果が大きくな
るので、熱電子冷却素子の冷却効果が大きくなり、除湿
効果も増大する。
【0057】(9)除湿器40のガス排出口42h,43h の後
に、減圧弁を設けた装置では、より水分量の少なく、露
点が低下したガスを得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の酸素・水素発生装置の一実
施例の全体構成を示す概略図である。
【図2】 図2は、除湿装置40の詳細な構造を示す分解
斜視図である。
【図3】 図3は、除湿装置40の詳細な構造を示す断面
図である。
【図4】 図4は、除湿装置40の作動状態を説明する概
略図である。
【図5】 図5は、本発明の酸素・水素発生装置の別の
実施例の全体構成を示す概略図である。
【図6】 図6は、従来の水電解装置の構成を示す概略
図である。
【図7】 図7は、従来のモレキュラーシーブを用いた
除湿装置を備えた酸素・水素発生装置の概略図である。
【符号の説明】
1…酸素・水素発生装置 10…水電解装置 20、 30…気液分離装置 40…除湿装置 42…酸素ガス除湿部 43…水素ガス除湿部 41a,41b …熱電子冷却素子 44…放熱部 42a,43a …一次冷却室 42b,43b …二次冷却室 42c,43c …ガス導入口 42d,43d …空間 42e,43e …ガス配管 42f,43f …出口 42g,43g …側壁 42h,43h …ガス排出口 42i,43i …ガス環流用開口 42j,43j …側壁 42k,43k …冷却・除湿部材 42l,43l …ドレン 42m,43m …底部内壁 44a …側壁 44b …空間 44c …邪魔板 44d …通路 44e …冷媒排水口 44f …冷媒導入口
フロントページの続き (72)発明者 安井 信一 兵庫県加古郡播磨町野添4丁目108 タウ ニーS A202 (72)発明者 長尾 衛 兵庫県神戸市須磨区南落合1丁目13−7 アプリーレ北須磨 (72)発明者 原田 宙幸 東京都千代田区丸の内2丁目2番2号 丸 の内三井ビル 三菱商事株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電解質膜を隔膜として用いて、陽極室と
    陰極室とに分離して、陽極室に純水を供給しながら純水
    を電気分解して、陽極室から酸素ガスを、陰極室から水
    素ガスをそれぞれ発生するように構成した水電解装置
    と、 前記水電解装置に接続され、水電解装置の陽極室で発生
    した酸素ガス、及び陰極室で発生した水素ガスに含まれ
    る水分を、それぞれ除湿するための熱電子冷却素子方式
    の除湿装置とから構成したことを特徴とする酸素・水素
    発生装置。
  2. 【請求項2】 前記熱電子冷却素子方式の除湿装置が、
    熱電子冷却素子を付設した酸素ガス除湿部と、熱電子冷
    却素子を付設した水素ガス除湿部と、前記両熱電子冷却
    素子の熱を放熱するために、両熱電子冷却素子の間に配
    設した放熱部とから構成されていることを特徴とする請
    求項1に記載の酸素・水素発生装置。
  3. 【請求項3】 前記酸素ガス除湿部及び水素ガス除湿部
    をそれぞれ、一次冷却室と二次冷却室とから構成し、 前記一次冷却室内に一次冷却用のガス配管を配設して、
    二次冷却室において冷却・除湿され且つ一次冷却室に環
    流されたガスによって、一次冷却室に導入され前記ガス
    配管を流れるガスを一次冷却するように構成し、 前記一次冷却室のガス配管の出口を、二次冷却室に接続
    して、一次冷却されたガスを、二次冷却室に導入して、
    二次冷却室に付設した熱電子冷却素子により、二次冷却
    室に導入されたガスを二次冷却するように構成するとと
    もに、 前記二次冷却室を、一次冷却室のガス環流用開口に接続
    して、二次冷却室において冷却・除湿されたガスを、一
    次冷却室に環流するように構成したことを特徴とする請
    求項1又は2に記載の酸素・水素発生装置。
  4. 【請求項4】 前記二次冷却室内の熱電子冷却素子側の
    壁部に、フィンからなる冷却・除湿部材を形設したこと
    を特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の酸素・
    水素発生装置。
  5. 【請求項5】 前記水電解装置の陽極室で発生した酸素
    を気液分離するための酸素ガス用気液分離装置を、水電
    解装置の陽極室と熱電子冷却素子方式の除湿装置の酸素
    ガス除湿部の酸素ガス導入口との間に接続するととも
    に、 前記水電解装置の陰極室で発生した水素を気液分離する
    ための水素ガス用気液分離装置を、水電解装置の陰極室
    と熱電子冷却素子方式の除湿装置の水素ガス除湿部の水
    素ガス導入口との間に接続し、さらに、 前記酸素ガス除湿部及び水素ガス除湿部の二次冷却室に
    設けた水抜き用のドレンをそれぞれ、前記酸素ガス用気
    液分離装置及び水素ガス用気液分離装置に接続したたこ
    とを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の酸素
    ・水素発生装置。
  6. 【請求項6】 前記放熱部が、水冷冷却式の放熱装置で
    あることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載
    の酸素・水素発生装置。
  7. 【請求項7】 前記酸素ガス除湿部及び水素ガス除湿部
    の二次冷却室に設けたガス排出口にそれぞれ、減圧装置
    を接続したことを特徴とする請求項1から6のいずれか
    に記載の酸素・水素発生装置。
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