JPH0883759A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH0883759A JPH0883759A JP6240806A JP24080694A JPH0883759A JP H0883759 A JPH0883759 A JP H0883759A JP 6240806 A JP6240806 A JP 6240806A JP 24080694 A JP24080694 A JP 24080694A JP H0883759 A JPH0883759 A JP H0883759A
- Authority
- JP
- Japan
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- wafer
- pump
- resist
- processing
- generating means
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の処理液供給系の配管を簡略化すると共
に、装置の小型化及びコストの低廉化を図る。 【構成】 半導体ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する複
数のレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃと、所定のレ
ジスト液Ｌを収容する複数のレジスト液収容タンク２３
ａ〜２３ｃとを供給管２１ａ〜２１ｃを介して接続す
る。各供給管２１ａ〜２１ｃに、非圧縮流体Ｆの圧力に
よって作動するポンプ２４を介設し、各ポンプ２４を切
換弁２７を介して同一の非圧縮流体Ｆの圧力発生手段３
０に接続する。これにより、切換弁２７を切換えること
で、同一の圧力発生手段３０から発生される加圧・減圧
によってポンプ２４を駆動させて、所望のレジスト液収
容タンク２３ａ〜２３ｃから半導体ウエハＷにレジスト
液Ｌを滴下（供給）することができる。
に、装置の小型化及びコストの低廉化を図る。 【構成】 半導体ウエハＷにレジスト液Ｌを供給する複
数のレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃと、所定のレ
ジスト液Ｌを収容する複数のレジスト液収容タンク２３
ａ〜２３ｃとを供給管２１ａ〜２１ｃを介して接続す
る。各供給管２１ａ〜２１ｃに、非圧縮流体Ｆの圧力に
よって作動するポンプ２４を介設し、各ポンプ２４を切
換弁２７を介して同一の非圧縮流体Ｆの圧力発生手段３
０に接続する。これにより、切換弁２７を切換えること
で、同一の圧力発生手段３０から発生される加圧・減圧
によってポンプ２４を駆動させて、所望のレジスト液収
容タンク２３ａ〜２３ｃから半導体ウエハＷにレジスト
液Ｌを滴下（供給）することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ等の被
処理体の表面にレジスト液等の処理液を供給して処理す
る処理装置に関するものである。
処理体の表面にレジスト液等の処理液を供給して処理す
る処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理体としての半導体ウエハ（以下にウエハ
という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジスト
に転写し、これを現像処理する一連の処理が施されてい
る。
いては、被処理体としての半導体ウエハ（以下にウエハ
という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジスト
に転写し、これを現像処理する一連の処理が施されてい
る。
【０００３】上記ウエハ表面にフォトレジストを塗布す
るには、スピンチャック上で回転するウエハの中心部に
レジスト液を滴下させ、これを周縁部に向って拡散する
ことによって行われる。このようにして行われるフォト
レジストの塗布処理は、回路パターンの線幅等に応じて
粘性の異なる数種のレジスト液を選択して使用している
のが現状である。
るには、スピンチャック上で回転するウエハの中心部に
レジスト液を滴下させ、これを周縁部に向って拡散する
ことによって行われる。このようにして行われるフォト
レジストの塗布処理は、回路パターンの線幅等に応じて
粘性の異なる数種のレジスト液を選択して使用している
のが現状である。
【０００４】そこで、従来では、異なる種類のレジスト
液を収容する複数のレジスト液収容タンクと、各レジス
ト液をウエハ表面に滴下（供給）する複数のレジスト液
供給ノズルとを供給管を介して接続し、各供給管に介設
される各ポンプを、ポンプに付設されたアクチェータに
よって作動させてレジスト液の供給を行っている。
液を収容する複数のレジスト液収容タンクと、各レジス
ト液をウエハ表面に滴下（供給）する複数のレジスト液
供給ノズルとを供給管を介して接続し、各供給管に介設
される各ポンプを、ポンプに付設されたアクチェータに
よって作動させてレジスト液の供給を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種のレジスト塗布処理装置においては、各供給管に
レジスト液供給用のポンプと、ポンプに付設されてポン
プの作動を司るアクチェータとを具備するため、配管部
が複雑になると共に、多くの配管スペースを取り、装置
全体が大型化するという問題があった。また、アクチェ
ータには、それぞれセンサやエンコーダ等の機器が必要
となるため、コストが嵩むという問題もあった。
この種のレジスト塗布処理装置においては、各供給管に
レジスト液供給用のポンプと、ポンプに付設されてポン
プの作動を司るアクチェータとを具備するため、配管部
が複雑になると共に、多くの配管スペースを取り、装置
全体が大型化するという問題があった。また、アクチェ
ータには、それぞれセンサやエンコーダ等の機器が必要
となるため、コストが嵩むという問題もあった。
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、複数の処理液供給系の配管を簡略化すると共に、装
置の小型化及びコストの低廉化を図れるようにした処理
装置を提供することを目的とするものである。
で、複数の処理液供給系の配管を簡略化すると共に、装
置の小型化及びコストの低廉化を図れるようにした処理
装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の処理装置は、被処理体に処理液を供給する
複数の処理液供給ノズルと、各処理液供給ノズルから供
給される所定の処理液を収容する複数の処理液供給源
と、上記各処理液供給ノズルと処理液供給源とをそれぞ
れ接続する供給管及び供給管に介設されて処理液を供給
する処理液供給手段とを具備する処理装置を前提とし、
上記処理液供給手段を非圧縮流体の圧力によって作動す
るポンプにて形成し、上記各ポンプを非圧縮流体の流路
を切換える切換手段を介して同一の非圧縮流体の圧力発
生手段に接続してなることを特徴とするものである。
にこの発明の処理装置は、被処理体に処理液を供給する
複数の処理液供給ノズルと、各処理液供給ノズルから供
給される所定の処理液を収容する複数の処理液供給源
と、上記各処理液供給ノズルと処理液供給源とをそれぞ
れ接続する供給管及び供給管に介設されて処理液を供給
する処理液供給手段とを具備する処理装置を前提とし、
上記処理液供給手段を非圧縮流体の圧力によって作動す
るポンプにて形成し、上記各ポンプを非圧縮流体の流路
を切換える切換手段を介して同一の非圧縮流体の圧力発
生手段に接続してなることを特徴とするものである。
【０００８】この発明において、上記ポンプは非圧縮流
体の圧力によって作動するものであれば、任意のもので
よいが、好ましくは、ポンプは非圧縮流体の加圧又は減
圧によって作動するポンプである方がよく、例えば筒状
フィルタの周囲に可撓性の合成樹脂製のチューブフラム
を配設したチューブフラムタイプのものを使用すること
ができる。
体の圧力によって作動するものであれば、任意のもので
よいが、好ましくは、ポンプは非圧縮流体の加圧又は減
圧によって作動するポンプである方がよく、例えば筒状
フィルタの周囲に可撓性の合成樹脂製のチューブフラム
を配設したチューブフラムタイプのものを使用すること
ができる。
【０００９】また、上記切換手段は、使用する各ポンプ
と圧力発生手段との接続を切換可能にするものであれ
ば、その構造は任意のものでよく、例えば各ポンプに接
続する複数のポートと圧力発生手段に接続するポートと
を有する切換弁にて形成してもよく、あるいは、各ポン
プと圧力発生手段とを接続する管路に介設される開閉式
の切換弁にて形成してもよい。
と圧力発生手段との接続を切換可能にするものであれ
ば、その構造は任意のものでよく、例えば各ポンプに接
続する複数のポートと圧力発生手段に接続するポートと
を有する切換弁にて形成してもよく、あるいは、各ポン
プと圧力発生手段とを接続する管路に介設される開閉式
の切換弁にて形成してもよい。
【００１０】また、上記圧力発生手段は、非圧縮流体の
加圧又は減圧を発生するものであれば、その構造は任意
のものでよく、例えばポンプと連通する非圧縮流体の収
容室内に向って進退移動するベローズの移動を、例えば
ステッピングモータの回転をボールネジ機構を介して直
線運動に変換して行うもの、あるいは、シリンダ等の往
復駆動機構を用いて行うものなどを使用することができ
る。
加圧又は減圧を発生するものであれば、その構造は任意
のものでよく、例えばポンプと連通する非圧縮流体の収
容室内に向って進退移動するベローズの移動を、例えば
ステッピングモータの回転をボールネジ機構を介して直
線運動に変換して行うもの、あるいは、シリンダ等の往
復駆動機構を用いて行うものなどを使用することができ
る。
【００１１】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、各処理液供給ノズルと処理液供給源とをそれぞ
れ接続する供給管に介設される処理液供給手段を、非圧
縮流体の圧力によって作動するポンプにて形成し、各ポ
ンプを切換手段を介して同一の非圧縮流体の圧力発生手
段に接続することにより、切換手段を切換えることで、
同一の圧力発生手段から発生される加圧又は減圧によっ
てポンプを駆動させて、所望の処理液供給ノズルから被
処理体に処理液を供給することができる。
よれば、各処理液供給ノズルと処理液供給源とをそれぞ
れ接続する供給管に介設される処理液供給手段を、非圧
縮流体の圧力によって作動するポンプにて形成し、各ポ
ンプを切換手段を介して同一の非圧縮流体の圧力発生手
段に接続することにより、切換手段を切換えることで、
同一の圧力発生手段から発生される加圧又は減圧によっ
てポンプを駆動させて、所望の処理液供給ノズルから被
処理体に処理液を供給することができる。
【００１２】
【実施例】次に、この発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。この実施例ではこの発明に係る処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明する。
詳細に説明する。この実施例ではこの発明に係る処理装
置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明する。
【００１３】半導体ウエハ（以下にウエハという）の塗
布・現像処理システムは、図１に示すように、被処理体
例えばウエハＷを搬入・搬出するローダ部１、ウエハＷ
をブラシ洗浄するブラシ洗浄装置２、ウエハＷを高圧ジ
ェット水で洗浄するジェット水洗浄装置３、ウエハＷの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４、この
アドヒージョン処理装置４の下に配置されウエハＷを所
定温度に冷却する冷却処理装置５、ウエハＷの表面にレ
ジストを塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁
部の余分なレジストを除去するこの発明の処理装置であ
るレジスト塗布処理装置６、レジスト塗布の後でウエハ
Ｗを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う複数
の多段に積層された加熱処理装置７、露光されたウエハ
Ｗ表面上のレジストの回路パターンを現像処理しかつ現
像後のウエハＷ表面をリンス処理する機能を備えた現像
処理装置８などを集合化して作業効率の向上を図ってい
る。
布・現像処理システムは、図１に示すように、被処理体
例えばウエハＷを搬入・搬出するローダ部１、ウエハＷ
をブラシ洗浄するブラシ洗浄装置２、ウエハＷを高圧ジ
ェット水で洗浄するジェット水洗浄装置３、ウエハＷの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４、この
アドヒージョン処理装置４の下に配置されウエハＷを所
定温度に冷却する冷却処理装置５、ウエハＷの表面にレ
ジストを塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁
部の余分なレジストを除去するこの発明の処理装置であ
るレジスト塗布処理装置６、レジスト塗布の後でウエハ
Ｗを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う複数
の多段に積層された加熱処理装置７、露光されたウエハ
Ｗ表面上のレジストの回路パターンを現像処理しかつ現
像後のウエハＷ表面をリンス処理する機能を備えた現像
処理装置８などを集合化して作業効率の向上を図ってい
る。
【００１４】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムの中央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路９
が設けられ、このウエハ搬送路９に各装置２〜８が正面
を向けて配置され、各装置２〜８との間でウエハＷの受
け渡しを行うウエハ搬送アーム１０を備えた２つのウエ
ハ搬送機構１１がウエハ搬送路９に沿って移動自在に設
けられている。そして、例えば、ローダ部１の図示省略
のウエハカセット内に収納されている処理前のウエハＷ
を１枚取り出して搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン
処理、冷却し、レジスト塗布処理装置６によってレジス
トを塗布した後、プリベーク、図示省略の露光装置によ
る露光後に、現像処理装置８によって現像処理を行い、
次いでポストベークを行い、処理後のウエハＷをローダ
部１の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納す
る。
ステムの中央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路９
が設けられ、このウエハ搬送路９に各装置２〜８が正面
を向けて配置され、各装置２〜８との間でウエハＷの受
け渡しを行うウエハ搬送アーム１０を備えた２つのウエ
ハ搬送機構１１がウエハ搬送路９に沿って移動自在に設
けられている。そして、例えば、ローダ部１の図示省略
のウエハカセット内に収納されている処理前のウエハＷ
を１枚取り出して搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン
処理、冷却し、レジスト塗布処理装置６によってレジス
トを塗布した後、プリベーク、図示省略の露光装置によ
る露光後に、現像処理装置８によって現像処理を行い、
次いでポストベークを行い、処理後のウエハＷをローダ
部１の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納す
る。
【００１５】上記レジスト塗布処理装置６は、図２及び
図３に示すように、ウエハＷを真空吸着によって保持
し、水平方向に回転するスピンチャック１２と、このス
ピンチャック１２とウエハＷを包囲する処理カップ１３
と、ウエハＷの表面に処理液例えばレジスト液を供給す
る複数（図面では３つの場合を示す）のレジスト液供給
ノズル２０ａ〜２０ｃ（処理液供給ノズル）と、レジス
ト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃを待機位置１４とウエハ
Ｗの中心上方の位置に移動する移動アーム２２ａを有す
る移動機構２２とを具備してなる。なお、レジスト液供
給ノズル２０ａ〜２０ｃは、各ノズル２０ａ〜２０ｃの
ヘッド２０Ａに設けられた保持ピン２０ｄを移動アーム
２２ａにて把持して移動されるように構成されている。
図３に示すように、ウエハＷを真空吸着によって保持
し、水平方向に回転するスピンチャック１２と、このス
ピンチャック１２とウエハＷを包囲する処理カップ１３
と、ウエハＷの表面に処理液例えばレジスト液を供給す
る複数（図面では３つの場合を示す）のレジスト液供給
ノズル２０ａ〜２０ｃ（処理液供給ノズル）と、レジス
ト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃを待機位置１４とウエハ
Ｗの中心上方の位置に移動する移動アーム２２ａを有す
る移動機構２２とを具備してなる。なお、レジスト液供
給ノズル２０ａ〜２０ｃは、各ノズル２０ａ〜２０ｃの
ヘッド２０Ａに設けられた保持ピン２０ｄを移動アーム
２２ａにて把持して移動されるように構成されている。
【００１６】この場合、上記レジスト液供給ノズル２０
ａ〜２０ｃは、それぞれ供給管２１ａ〜２１ｃを介して
レジスト液収容タンク２３ａ〜２３ｃ（処理液供給源）
に接続されている。また、供給管２１ａ〜２１ｃにはポ
ンプ２４が介設されると共に、このポンプ２４の一次側
すなわちレジスト液収容タンク２３ａ〜２３ｃ側に逆止
弁２５が介設され、また、ポンプ２４の二次側すなわち
レジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃ側には流路開閉用
の空気操作式弁２６が介設されている。
ａ〜２０ｃは、それぞれ供給管２１ａ〜２１ｃを介して
レジスト液収容タンク２３ａ〜２３ｃ（処理液供給源）
に接続されている。また、供給管２１ａ〜２１ｃにはポ
ンプ２４が介設されると共に、このポンプ２４の一次側
すなわちレジスト液収容タンク２３ａ〜２３ｃ側に逆止
弁２５が介設され、また、ポンプ２４の二次側すなわち
レジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃ側には流路開閉用
の空気操作式弁２６が介設されている。
【００１７】上記各ポンプ２４は、図４に示すように、
非圧縮流体の流路を切換えるための切換手段であるロー
タリ式の３位置切換弁２７を介設する接続管２８を介し
て圧力発生手段３０に接続されている。各ポンプ２４
は、供給管２１ａ〜２１ｃに連通する室２４ａ内に筒状
フィルタ２４ｂを内蔵すると共に、フィルタ２４ｂの周
囲に可撓性を有する例えばＰＦＡ（ポリテトラフルオロ
エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体）等の合成樹脂製のチューブフラム２４ｃを配設し、
このチューブフラム２４ｃの外側室２４ｄに、圧力発生
手段３０によって流入される非圧縮流体の圧力によって
レジスト液Ｌの吸入、吐出が行えるように構成されてい
る。このようにポンプ２４を構成することにより、ポン
プ２４の駆動時に、ゲル（ＧＥＬ）発生や気泡の発生を
抑制し、パーティクルの滞留を皆無にすることができ
る。なお、ポンプ２４のケースは例えばＰＴＦＥ（ポリ
テトラフルオロエチレン）等の合成樹脂製部材にて形成
されている。
非圧縮流体の流路を切換えるための切換手段であるロー
タリ式の３位置切換弁２７を介設する接続管２８を介し
て圧力発生手段３０に接続されている。各ポンプ２４
は、供給管２１ａ〜２１ｃに連通する室２４ａ内に筒状
フィルタ２４ｂを内蔵すると共に、フィルタ２４ｂの周
囲に可撓性を有する例えばＰＦＡ（ポリテトラフルオロ
エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体）等の合成樹脂製のチューブフラム２４ｃを配設し、
このチューブフラム２４ｃの外側室２４ｄに、圧力発生
手段３０によって流入される非圧縮流体の圧力によって
レジスト液Ｌの吸入、吐出が行えるように構成されてい
る。このようにポンプ２４を構成することにより、ポン
プ２４の駆動時に、ゲル（ＧＥＬ）発生や気泡の発生を
抑制し、パーティクルの滞留を皆無にすることができ
る。なお、ポンプ２４のケースは例えばＰＴＦＥ（ポリ
テトラフルオロエチレン）等の合成樹脂製部材にて形成
されている。
【００１８】上記圧力発生手段３０は、図４に示すよう
に、接続管２８に接続する吐出ポート３１を有する室３
２内に例えば、油（シリコンオイル，テフロン系のオイ
ル），水，水銀，アルコール，シンナーやこの混合液な
どの液体の非圧縮流体Ｆを収容すると共に、この室３２
内に向って進退する可撓性を有するＰＴＦＥ（ポリテト
ラフルオロエチレン）等の合成樹脂製のベローズ３３を
往復移動させるように構成したアクチュエータにて形成
されている。この場合、ベローズ３３は、ボールネジ機
構３４及びタイミングベルト３５を介してステッピング
モータ３６に連結されて、ステッピングモータ３６の回
転駆動をボールネジ機構３４によって直線運動に変換す
ることによって往復動し得るように構成されている。な
お、圧力発生手段３０には、ステッピングモータ３６の
回転数（アナログ量）をデジタル量に変換するエンコー
ダや非圧縮流体Ｆの供給量等を検出するセンサ等（図示
せず）が具備されている。
に、接続管２８に接続する吐出ポート３１を有する室３
２内に例えば、油（シリコンオイル，テフロン系のオイ
ル），水，水銀，アルコール，シンナーやこの混合液な
どの液体の非圧縮流体Ｆを収容すると共に、この室３２
内に向って進退する可撓性を有するＰＴＦＥ（ポリテト
ラフルオロエチレン）等の合成樹脂製のベローズ３３を
往復移動させるように構成したアクチュエータにて形成
されている。この場合、ベローズ３３は、ボールネジ機
構３４及びタイミングベルト３５を介してステッピング
モータ３６に連結されて、ステッピングモータ３６の回
転駆動をボールネジ機構３４によって直線運動に変換す
ることによって往復動し得るように構成されている。な
お、圧力発生手段３０には、ステッピングモータ３６の
回転数（アナログ量）をデジタル量に変換するエンコー
ダや非圧縮流体Ｆの供給量等を検出するセンサ等（図示
せず）が具備されている。
【００１９】したがって、ステッピングモータ３６を正
逆回転することにより、ボールネジ機構３４を介してベ
ローズ３３が室３２内を進退移動すると、ベローズ３３
の容積が増減すなわち室３２内の非圧縮流体Ｆの収容容
積が減増し、それに伴って非圧縮流体Ｆがポンプ２４の
チューブフラム２４ｃの外側室２４ｄ内に対して流入あ
るいは流出しチューブフラム２４ｃに加圧力又は減圧力
を与えて、チューブフラム２４ｃの容積が増加・減少す
るため、ポンプ２４の吸入・吐出動作を行い、所定量の
レジスト液をレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃから
ウエハＷ上に滴下（供給）することができる。すなわ
ち、圧力発生手段３０の室３２内の非圧縮流体Ｆの量の
可変量が、ポンプ２４によって供給されるレジスト液の
供給量と同一量になる。
逆回転することにより、ボールネジ機構３４を介してベ
ローズ３３が室３２内を進退移動すると、ベローズ３３
の容積が増減すなわち室３２内の非圧縮流体Ｆの収容容
積が減増し、それに伴って非圧縮流体Ｆがポンプ２４の
チューブフラム２４ｃの外側室２４ｄ内に対して流入あ
るいは流出しチューブフラム２４ｃに加圧力又は減圧力
を与えて、チューブフラム２４ｃの容積が増加・減少す
るため、ポンプ２４の吸入・吐出動作を行い、所定量の
レジスト液をレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃから
ウエハＷ上に滴下（供給）することができる。すなわ
ち、圧力発生手段３０の室３２内の非圧縮流体Ｆの量の
可変量が、ポンプ２４によって供給されるレジスト液の
供給量と同一量になる。
【００２０】なお、上記レジスト液収容タンク２３ａ〜
２３ｃにはフィルタ４１を介してＮ2（窒素）ガス供給
源４０に接続するＮ2ガス供給管４２が接続され、Ｎ2ガ
ス供給源４０から供給されるＮ2ガスによってレジスト
液Ｌがレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃ側へ圧送さ
れ、ポンプ２４の供給動作を補助するように構成されて
いる。
２３ｃにはフィルタ４１を介してＮ2（窒素）ガス供給
源４０に接続するＮ2ガス供給管４２が接続され、Ｎ2ガ
ス供給源４０から供給されるＮ2ガスによってレジスト
液Ｌがレジスト液供給ノズル２０ａ〜２０ｃ側へ圧送さ
れ、ポンプ２４の供給動作を補助するように構成されて
いる。
【００２１】上記実施例では、各ポンプ２４と圧力発生
手段３０とをロータリ式の３位置切換弁２７を介して接
続する場合について説明したが、切換手段は必ずしもロ
ータリ式の３位置切換弁２７である必要はなく、直動式
の３位置切換弁であってもよく、また、図５に示すよう
に、各ポンプ２４と圧力発生手段３０とを接続する接続
管２８にそれぞれ介設される開閉式の切換弁２９ａ〜２
９ｃにて開閉手段を形成するようにしてもよい。なお、
上記ロータリ式の３位置切換弁２７の切換動作や、開閉
式の切換弁２９ａ〜２９ｃの開閉動作は、手動あるいは
自動にて行うように構成する。
手段３０とをロータリ式の３位置切換弁２７を介して接
続する場合について説明したが、切換手段は必ずしもロ
ータリ式の３位置切換弁２７である必要はなく、直動式
の３位置切換弁であってもよく、また、図５に示すよう
に、各ポンプ２４と圧力発生手段３０とを接続する接続
管２８にそれぞれ介設される開閉式の切換弁２９ａ〜２
９ｃにて開閉手段を形成するようにしてもよい。なお、
上記ロータリ式の３位置切換弁２７の切換動作や、開閉
式の切換弁２９ａ〜２９ｃの開閉動作は、手動あるいは
自動にて行うように構成する。
【００２２】また、上記実施例では、圧力発生手段３０
のベローズ３３の進退移動を、ステッピングモータ３６
の回転をボールネジ機構３４よって直線移動に変換して
行う場合について説明したが、必ずしもこのような構造
である必要はなく、図５に示すようにシリンダ３７のピ
ストンロッド３８をベローズ３３に連結して、シリンダ
３７によってベローズ３３を直接進退移動させるように
してもよい。この場合、ピストンロッド３８のストロー
ク量を調整することにより、供給量を調整する。
のベローズ３３の進退移動を、ステッピングモータ３６
の回転をボールネジ機構３４よって直線移動に変換して
行う場合について説明したが、必ずしもこのような構造
である必要はなく、図５に示すようにシリンダ３７のピ
ストンロッド３８をベローズ３３に連結して、シリンダ
３７によってベローズ３３を直接進退移動させるように
してもよい。この場合、ピストンロッド３８のストロー
ク量を調整することにより、供給量を調整する。
【００２３】次に、上記のように構成されるレジスト塗
布処理装置の動作について説明する。まず、ウエハ搬送
機構１１のウエハ搬送アーム１０によってウエハＷをレ
ジスト塗布処理装置６に搬送して、ウエハＷをスピンチ
ャック１２にて吸着保持する。
布処理装置の動作について説明する。まず、ウエハ搬送
機構１１のウエハ搬送アーム１０によってウエハＷをレ
ジスト塗布処理装置６に搬送して、ウエハＷをスピンチ
ャック１２にて吸着保持する。
【００２４】次に、塗布したいレジスト液Ｌを収容する
レジスト液収容タンク例えば２３ｂの供給管２１ｂに介
設されるポンプ２４の駆動側に３位置切換弁２７を切換
えるか、切換弁２９ｂを開位置に切換える。そして、空
気操作式弁２６を開にすると共に、圧力発生手段３０を
駆動して非圧縮流体Ｆをポンプ２４の外側室２４ｄ内に
対して流入動作させると、チューブフラム２４ｃを加圧
するので、加圧力によりチューブフラム２４ｃが収縮し
て容積が減少するため、内部のレジスト液Ｌを押出し、
所定量のレジスト液Ｌがレジスト液供給ノズル２０ｂに
供給されて、ウエハＷ上に滴下され、スピンチャック１
２の回転によって、滴下されたレジスト液はウエハＷの
周縁部に拡散される。空気操作式弁２６を閉にして、圧
力発生手段３０を駆動して非圧縮流体Ｆをポンプ２４の
外室側２４ｄ内に対して流出動作させると、チューブフ
ラム２４ｃの外側を減圧するので、減圧力によりチュー
ブフラム２４ｃが膨脹して容積が増加するため、逆止弁
２５を介してレジスト液Ｌを内部に吸引する。
レジスト液収容タンク例えば２３ｂの供給管２１ｂに介
設されるポンプ２４の駆動側に３位置切換弁２７を切換
えるか、切換弁２９ｂを開位置に切換える。そして、空
気操作式弁２６を開にすると共に、圧力発生手段３０を
駆動して非圧縮流体Ｆをポンプ２４の外側室２４ｄ内に
対して流入動作させると、チューブフラム２４ｃを加圧
するので、加圧力によりチューブフラム２４ｃが収縮し
て容積が減少するため、内部のレジスト液Ｌを押出し、
所定量のレジスト液Ｌがレジスト液供給ノズル２０ｂに
供給されて、ウエハＷ上に滴下され、スピンチャック１
２の回転によって、滴下されたレジスト液はウエハＷの
周縁部に拡散される。空気操作式弁２６を閉にして、圧
力発生手段３０を駆動して非圧縮流体Ｆをポンプ２４の
外室側２４ｄ内に対して流出動作させると、チューブフ
ラム２４ｃの外側を減圧するので、減圧力によりチュー
ブフラム２４ｃが膨脹して容積が増加するため、逆止弁
２５を介してレジスト液Ｌを内部に吸引する。
【００２５】この場合、レジスト液Ｌの所定供給量、例
えば１０ｃｃを一度に滴下するようにしてもよく、ある
いは、例えば２ｃｃずつを５回に分けて滴下するように
してもよい。また、複数段階に分けて所定量（例えば２
ｃｃ）ずつレジスト液を滴下する場合に、各段階の滴下
（２ｃｃ）動作後に、一度圧力発生手段３０のベローズ
３３の移動をベローズ３３の容積が減少する方向に戻し
て（例えば０．１〜０．２ｃｃ分戻して）ゼロ調整し、
次の段階の所定量（例えば２ｃｃ）を滴下するようにす
ることにより、ポンプ２４からレジスト液供給ノズル２
０ｂまでのレジスト液Ｌに作用する圧力の変動を防止す
ることができ、精度の高いレジスト液の滴下を行うこと
ができる。
えば１０ｃｃを一度に滴下するようにしてもよく、ある
いは、例えば２ｃｃずつを５回に分けて滴下するように
してもよい。また、複数段階に分けて所定量（例えば２
ｃｃ）ずつレジスト液を滴下する場合に、各段階の滴下
（２ｃｃ）動作後に、一度圧力発生手段３０のベローズ
３３の移動をベローズ３３の容積が減少する方向に戻し
て（例えば０．１〜０．２ｃｃ分戻して）ゼロ調整し、
次の段階の所定量（例えば２ｃｃ）を滴下するようにす
ることにより、ポンプ２４からレジスト液供給ノズル２
０ｂまでのレジスト液Ｌに作用する圧力の変動を防止す
ることができ、精度の高いレジスト液の滴下を行うこと
ができる。
【００２６】更に、上記のようにベローズ３３の移動を
戻してから滴下するようにすることにより、圧力発生手
段３０とポンプ２４間の非圧縮流体Ｆの圧力の変動によ
る影響を防止することができる。
戻してから滴下するようにすることにより、圧力発生手
段３０とポンプ２４間の非圧縮流体Ｆの圧力の変動によ
る影響を防止することができる。
【００２７】例えば、接続管２８として可撓性のチュー
ブを使用した場合、チューブが圧力や周囲温度の影響に
より膨脹すると滴下量が変動しやすい。
ブを使用した場合、チューブが圧力や周囲温度の影響に
より膨脹すると滴下量が変動しやすい。
【００２８】まず、ポンプ２４内にはレジスト液Ｌが吸
引されているものとして、２ｃｃを滴下する際、圧力発
生手段３０を駆動すると共に、空気操作式弁２６を開に
すると、非圧縮流体Ｆがポンプ２４のチューブフラム２
４ｃを押圧してレジスト液供給ノズル２０ｂからレジス
ト液Ｌが滴下され、圧力発生手段３０の駆動を停止する
と共に、空気操作式弁２６を開にする。
引されているものとして、２ｃｃを滴下する際、圧力発
生手段３０を駆動すると共に、空気操作式弁２６を開に
すると、非圧縮流体Ｆがポンプ２４のチューブフラム２
４ｃを押圧してレジスト液供給ノズル２０ｂからレジス
ト液Ｌが滴下され、圧力発生手段３０の駆動を停止する
と共に、空気操作式弁２６を開にする。
【００２９】この時、ポンプ２４内は密閉状態となり、
接続管２８内には非圧縮流体Ｆによる幾らかの残圧（残
留圧力）が存在するため、この残圧により接続管２８
（チューブ）は膨脹する。接続管２８が膨脹状態のまま
で、次の２ｃｃを滴下しようとする際、空気操作式弁２
６が開になると、ポンプ２４内は開放状態となるので、
接続管２８（チューブ）は収縮しチューブフラム２４ｃ
を押圧しレジスト液Ｌを供給する。
接続管２８内には非圧縮流体Ｆによる幾らかの残圧（残
留圧力）が存在するため、この残圧により接続管２８
（チューブ）は膨脹する。接続管２８が膨脹状態のまま
で、次の２ｃｃを滴下しようとする際、空気操作式弁２
６が開になると、ポンプ２４内は開放状態となるので、
接続管２８（チューブ）は収縮しチューブフラム２４ｃ
を押圧しレジスト液Ｌを供給する。
【００３０】したがって、圧力発生手段３０の駆動によ
る供給量と接続管２８（チューブ）の収縮に伴う供給量
とが合せて滴下されることとなり、２ｃｃよりも多量の
レジスト液Ｌが滴下される。
る供給量と接続管２８（チューブ）の収縮に伴う供給量
とが合せて滴下されることとなり、２ｃｃよりも多量の
レジスト液Ｌが滴下される。
【００３１】そこで、先の滴下終了時に、圧力発生手段
３０のベローズ３３の移動を戻しておけば、接続管２８
内の残圧は無くなるため、上記のような不具合は解消で
き、高精度のレジスト液Ｌの滴下が可能となる。
３０のベローズ３３の移動を戻しておけば、接続管２８
内の残圧は無くなるため、上記のような不具合は解消で
き、高精度のレジスト液Ｌの滴下が可能となる。
【００３２】上記のようにして、ウエハＷの表面に所定
のレジスト液Ｌを塗布した後、スピンチャック１２の回
転を停止すると共に、圧力発生手段３０の駆動を停止し
て、レジスト塗布処理が完了する。
のレジスト液Ｌを塗布した後、スピンチャック１２の回
転を停止すると共に、圧力発生手段３０の駆動を停止し
て、レジスト塗布処理が完了する。
【００３３】レジスト塗布処理が完了した後、ウエハ搬
送機構１１のウエハ搬送アーム１０によってウエハＷは
レジスト塗布処理装置６から取出され、加熱処理装置７
に搬送されてプリベークが行われ、図示省略の露光装置
による露光後に、現像処理装置８によって現像処理が行
われ、次いで加熱処理装置７にてポストベークが行われ
た後、ウエハＷはローダ部１の図示省略のウエハカセッ
ト内に搬送されて収納される。
送機構１１のウエハ搬送アーム１０によってウエハＷは
レジスト塗布処理装置６から取出され、加熱処理装置７
に搬送されてプリベークが行われ、図示省略の露光装置
による露光後に、現像処理装置８によって現像処理が行
われ、次いで加熱処理装置７にてポストベークが行われ
た後、ウエハＷはローダ部１の図示省略のウエハカセッ
ト内に搬送されて収納される。
【００３４】上記実施例では、レジスト液収容タンク２
３ｂ内のレジスト液ＬをウエハＷに塗布する場合につい
て説明したが、別のレジスト液収容タンク２３ａ又は２
３ｃ内のレジスト液Ｌを塗布する場合には、３位置切換
弁２７を供給管２１ａ又は２１ｃに介設されるポンプ２
４側に接続するか、あるいは、切換弁２９ａ又は２９ｃ
を開放し、その他の切換弁２９ｂ，２９ｃ又は２９ａ，
２９ｂを閉じて所望のレジスト液Ｌの塗布を行うことが
できる。この場合、同一の共通の圧力発生手段３０を共
用しているため、ポンプ２４が切換えられても、同一量
のレジスト液を容易に供給することが可能となる。各ポ
ンプ２４毎に圧力発生手段３０を設けた場合には、各圧
力発生手段３０の動作のバラツキが各ポンプ２４の動作
のバラツキとなり、同一量のレジスト液を供給するのは
難しい。
３ｂ内のレジスト液ＬをウエハＷに塗布する場合につい
て説明したが、別のレジスト液収容タンク２３ａ又は２
３ｃ内のレジスト液Ｌを塗布する場合には、３位置切換
弁２７を供給管２１ａ又は２１ｃに介設されるポンプ２
４側に接続するか、あるいは、切換弁２９ａ又は２９ｃ
を開放し、その他の切換弁２９ｂ，２９ｃ又は２９ａ，
２９ｂを閉じて所望のレジスト液Ｌの塗布を行うことが
できる。この場合、同一の共通の圧力発生手段３０を共
用しているため、ポンプ２４が切換えられても、同一量
のレジスト液を容易に供給することが可能となる。各ポ
ンプ２４毎に圧力発生手段３０を設けた場合には、各圧
力発生手段３０の動作のバラツキが各ポンプ２４の動作
のバラツキとなり、同一量のレジスト液を供給するのは
難しい。
【００３５】また、レジスト液Ｌの滴下中に、圧力発生
手段３０のベローズ３３の移動量を可変にすることによ
ってレジスト液Ｌの滴下量を変えることができる。ま
た、必要に応じて３位置切換弁２７あるいは切換弁２９
ａ〜２９ｃを連続的に切換えあるいは開閉操作すること
により、異なる種類のレジスト液を順に滴下させること
も可能である。この場合、滴下時間や滴下量を検知し
て、その信号を３位置切換弁２７や切換弁２９ａ〜２９
ｃに伝達することによって制御することができる。
手段３０のベローズ３３の移動量を可変にすることによ
ってレジスト液Ｌの滴下量を変えることができる。ま
た、必要に応じて３位置切換弁２７あるいは切換弁２９
ａ〜２９ｃを連続的に切換えあるいは開閉操作すること
により、異なる種類のレジスト液を順に滴下させること
も可能である。この場合、滴下時間や滴下量を検知し
て、その信号を３位置切換弁２７や切換弁２９ａ〜２９
ｃに伝達することによって制御することができる。
【００３６】なお、上記実施例では、レジスト液供給系
が３系統の場合について説明したが、３系統以外の例え
ば２系統や４系統以上の複数系統のレジスト液供給系に
ついても、同様に、切換弁の操作によって同一の圧力発
生手段３０にてレジスト液を供給することができる。ま
た、この発明の処理装置が半導体ウエハのレジスト塗布
処理装置である場合について説明したが、被処理体は必
ずしも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬ
ＣＤ基板、セラミック基板などに対してレジスト塗布処
理あるいはレジスト塗布以外の処理、例えば現像処理、
エッチング処理、洗浄処理などを施すものについても適
用できるものである。
が３系統の場合について説明したが、３系統以外の例え
ば２系統や４系統以上の複数系統のレジスト液供給系に
ついても、同様に、切換弁の操作によって同一の圧力発
生手段３０にてレジスト液を供給することができる。ま
た、この発明の処理装置が半導体ウエハのレジスト塗布
処理装置である場合について説明したが、被処理体は必
ずしも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬ
ＣＤ基板、セラミック基板などに対してレジスト塗布処
理あるいはレジスト塗布以外の処理、例えば現像処理、
エッチング処理、洗浄処理などを施すものについても適
用できるものである。
【００３７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、配管
系統の簡略化及び構成部材の削減によるスペースの有効
利用が図れ、また、装置の小型化が図れると共に、コス
トの低廉化が図れる。
装置によれば、上記のように構成されているので、配管
系統の簡略化及び構成部材の削減によるスペースの有効
利用が図れ、また、装置の小型化が図れると共に、コス
トの低廉化が図れる。
【図１】この発明の処理装置を組込んだ半導体ウエハの
塗布・現像処理システムの斜視図である。
塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】この発明の処理装置の概略側面図である。
【図３】この発明の処理装置の概略平面図である。
【図４】この発明の処理装置の概略構成図である。
【図５】この発明の処理装置の別の実施例の概略構成図
である。
である。
２０ａ〜２０ｃ レジスト液供給ノズル（処理液供給ノ
ズル） ２１ａ〜２１ｃ 供給管 ２３ａ〜２３ｃ レジスト液収容タンク（処理液供給
源） ２４ ポンプ ２７ ３位置切換弁（切換手段） ２９ａ〜２９ｃ 切換弁（切換手段） ３０ 圧力発生手段 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ レジスト液（処理液） Ｆ 非圧縮流体
ズル） ２１ａ〜２１ｃ 供給管 ２３ａ〜２３ｃ レジスト液収容タンク（処理液供給
源） ２４ ポンプ ２７ ３位置切換弁（切換手段） ２９ａ〜２９ｃ 切換弁（切換手段） ３０ 圧力発生手段 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｌ レジスト液（処理液） Ｆ 非圧縮流体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ (72)発明者 竹熊 貴志 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 薗部 清実 埼玉県入間郡三芳町藤久保554番地 株式 会社イワキ技術センター内
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体に処理液を供給する複数の処理
液供給ノズルと、各処理液供給ノズルから供給される所
定の処理液を収容する複数の処理液供給源と、上記各処
理液供給ノズルと処理液供給源とをそれぞれ接続する供
給管及び供給管に介設されて処理液を供給する処理液供
給手段とを具備する処理装置において、 上記処理液供給手段を非圧縮流体の圧力によって作動す
るポンプにて形成し、 上記各ポンプを非圧縮流体の流路を切換える切換手段を
介して同一の非圧縮流体の圧力発生手段に接続してなる
ことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 ポンプは、非圧縮流体の加圧又は減圧に
よって作動することを特徴とする請求項１記載の処理装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24080694A JP3230128B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 処理装置 |
| TW084109275A TW294821B (ja) | 1994-09-09 | 1995-09-05 | |
| US08/524,528 US5665200A (en) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR1019950029398A KR0167481B1 (ko) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24080694A JP3230128B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883759A true JPH0883759A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3230128B2 JP3230128B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17064970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24080694A Expired - Fee Related JP3230128B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230128B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016761A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Oxygenic heterocyclic derivatives |
| KR100486214B1 (ko) * | 1997-10-22 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 솔벤트공급시스템및이를이용한레지스트스트립방법 |
| JP2006049756A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Ckd Corp | 薬液供給システム |
| JP2007035713A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| US12018672B2 (en) | 2020-04-02 | 2024-06-25 | Idex Health And Science Llc | Precision volumetric pump with a bellows hermetic seal |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP24080694A patent/JP3230128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999016761A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Oxygenic heterocyclic derivatives |
| KR100486214B1 (ko) * | 1997-10-22 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 솔벤트공급시스템및이를이용한레지스트스트립방법 |
| JP2006049756A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Ckd Corp | 薬液供給システム |
| WO2006016486A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Ckd Corporation | 薬液供給システム |
| JP4541069B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給システム |
| US7988429B2 (en) | 2004-08-09 | 2011-08-02 | Octec Inc. | Chemical liquid supply system |
| JP2007035713A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| KR101259182B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2013-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| US12018672B2 (en) | 2020-04-02 | 2024-06-25 | Idex Health And Science Llc | Precision volumetric pump with a bellows hermetic seal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3230128B2 (ja) | 2001-11-19 |
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