JPH088219B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH088219B2 JPH088219B2 JP63276637A JP27663788A JPH088219B2 JP H088219 B2 JPH088219 B2 JP H088219B2 JP 63276637 A JP63276637 A JP 63276637A JP 27663788 A JP27663788 A JP 27663788A JP H088219 B2 JPH088219 B2 JP H088219B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は液体ソースを使用して拡散，化学的気相成
長（CVD），プラズマCVD,ドライエッチング等の処理を
行う半導体製造装置に関するものである。
長（CVD），プラズマCVD,ドライエッチング等の処理を
行う半導体製造装置に関するものである。
一例として、エッチング装置をあげて説明する。
第２図は従来の液体ソースを有するエッチング装置を
示す概略図であり、図において、１はエッチング装置、
２はこのエッチング装置１内にある処理室、３は処理室
２へガスを流すための流量調整器、４は流量調整器３へ
のガス源である液体ソース、５はこの液体ソースのガス
を開閉するためのバルブ、６はこの液体ソース４内に発
生する液化ガス、７は前記液化ガス６を流量調整器３へ
送るための装置外配管、８はこの装置外配管７の続き
で、流量調整器３へガスを送るための装置内配管、９は
流量調整器３と処理室２との間の配管、10は上記装置内
配管８内に発生した液化による液体である。また、第３
図において、11は流量調整器３にとりつけた温調付きヒ
ータである。
示す概略図であり、図において、１はエッチング装置、
２はこのエッチング装置１内にある処理室、３は処理室
２へガスを流すための流量調整器、４は流量調整器３へ
のガス源である液体ソース、５はこの液体ソースのガス
を開閉するためのバルブ、６はこの液体ソース４内に発
生する液化ガス、７は前記液化ガス６を流量調整器３へ
送るための装置外配管、８はこの装置外配管７の続き
で、流量調整器３へガスを送るための装置内配管、９は
流量調整器３と処理室２との間の配管、10は上記装置内
配管８内に発生した液化による液体である。また、第３
図において、11は流量調整器３にとりつけた温調付きヒ
ータである。
次に動作について説明する。装置１の処理室２へは流
量調整器３（ガス用）を通して、液体ソース４内にある
液化ガス６を供給する。液化ガス６の開閉はバルブ５に
より行われる。液化ガス６は装置外配管7,装置内配管8,
流量調整器3,流量調整器・処理室間配管９の順に経由し
て処理室２に入り、流量調整器３で所望の流量を流すこ
とにより、処理室２内で所定の処理（本例ではエッチン
グ）が行われる。装置内配管８において、第２図のよう
に、水平部があると、その部分で部分的に温度が下がっ
てしまった場合、あるいは装置外配管７側の気温が高く
なった場合には液化による液体10が装置内配管８内に発
生し、該液化による液体10が流量調整器３に入ることに
より該流量調整器３によって得るべき所望の流量値が変
化する。そのため、一般的には第３図のように流量調整
器３に温調付きヒータ11を取りつける。我々が実験した
ところ、フレオン113（C2C13F3）という非常に液化しや
すい（20℃での蒸気圧が0.38kg/cm2）液化ガスを使い、
第２図に示すような系において、液体ソース４側を25
℃、装置内配管８（透明チューブ使用）を20℃として液
化しやすい状況を作り、流量調整器３により前記ガスを
約30SCCM流したところ、液化10が3cm巾（管径は1/4″
（インチ）φ）で〜１回/10″（秒）程度の周期で発生
し、その液体が負圧に引かれ、流量調整器３内に入り、
流量異常が発生した。この場合、流体が流量調整器３に
直接侵入することにより実流量が設定値以上に増大し
た。この場合、第３図のように流量調整器３にヒータ11
を付加したが、液体が流量調整器３に流入し、流量異常
が発生した。
量調整器３（ガス用）を通して、液体ソース４内にある
液化ガス６を供給する。液化ガス６の開閉はバルブ５に
より行われる。液化ガス６は装置外配管7,装置内配管8,
流量調整器3,流量調整器・処理室間配管９の順に経由し
て処理室２に入り、流量調整器３で所望の流量を流すこ
とにより、処理室２内で所定の処理（本例ではエッチン
グ）が行われる。装置内配管８において、第２図のよう
に、水平部があると、その部分で部分的に温度が下がっ
てしまった場合、あるいは装置外配管７側の気温が高く
なった場合には液化による液体10が装置内配管８内に発
生し、該液化による液体10が流量調整器３に入ることに
より該流量調整器３によって得るべき所望の流量値が変
化する。そのため、一般的には第３図のように流量調整
器３に温調付きヒータ11を取りつける。我々が実験した
ところ、フレオン113（C2C13F3）という非常に液化しや
すい（20℃での蒸気圧が0.38kg/cm2）液化ガスを使い、
第２図に示すような系において、液体ソース４側を25
℃、装置内配管８（透明チューブ使用）を20℃として液
化しやすい状況を作り、流量調整器３により前記ガスを
約30SCCM流したところ、液化10が3cm巾（管径は1/4″
（インチ）φ）で〜１回/10″（秒）程度の周期で発生
し、その液体が負圧に引かれ、流量調整器３内に入り、
流量異常が発生した。この場合、流体が流量調整器３に
直接侵入することにより実流量が設定値以上に増大し
た。この場合、第３図のように流量調整器３にヒータ11
を付加したが、液体が流量調整器３に流入し、流量異常
が発生した。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されている
ので、装置本体内に設けられたガス配管の水平部でガス
の液化が発生することがあり、この水平部にてガスの液
化が発生すると、この液化によって生じた液体が流量調
整器内に浸入して、流量調整器の流路がつまったり，流
量調整器による流量調整が行えなくなってしまうという
問題点があった。
ので、装置本体内に設けられたガス配管の水平部でガス
の液化が発生することがあり、この水平部にてガスの液
化が発生すると、この液化によって生じた液体が流量調
整器内に浸入して、流量調整器の流路がつまったり，流
量調整器による流量調整が行えなくなってしまうという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、装置内配管や装置外配管等の温度の変化が
生じた場合でも液化の影響を受けない、安定した特性の
得られる半導体製造装置を得ることを目的とする。
れたもので、装置内配管や装置外配管等の温度の変化が
生じた場合でも液化の影響を受けない、安定した特性の
得られる半導体製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、液体ソースと、そ
の内部に上記液体ソースから発生するガスにより所要の
処理が行われる処理室を有する装置本体と、上記ガスを
上記装置本体の入口部まで送る第１の配管と、上記装置
本体の内部に設けられ、上記第１の配管により上記装置
本体の入口部まで送られてきたガスを当該装置本体の内
部へ導入する第２の配管と、上記第２の配管により上記
装置本体の内部に導入されたガスを上記処理室内へ導入
する第３の配管と、上記第２の配管と上記第３の配管と
の間に介在し、上記第２の配管により上記装置本体の内
部に導入されてきたガスの上記第３の配管への流れ込み
量を調整する流量調整器とを備えた半導体製造装置にお
いて、上記第２の配管を、該第２の配管が上記流量調整
器に対し下方に位置し、かつ該第２の配管の内部を流れ
るガスの流れる方向が地面に対して垂直となるように配
置したことを特徴とするものである。
の内部に上記液体ソースから発生するガスにより所要の
処理が行われる処理室を有する装置本体と、上記ガスを
上記装置本体の入口部まで送る第１の配管と、上記装置
本体の内部に設けられ、上記第１の配管により上記装置
本体の入口部まで送られてきたガスを当該装置本体の内
部へ導入する第２の配管と、上記第２の配管により上記
装置本体の内部に導入されたガスを上記処理室内へ導入
する第３の配管と、上記第２の配管と上記第３の配管と
の間に介在し、上記第２の配管により上記装置本体の内
部に導入されてきたガスの上記第３の配管への流れ込み
量を調整する流量調整器とを備えた半導体製造装置にお
いて、上記第２の配管を、該第２の配管が上記流量調整
器に対し下方に位置し、かつ該第２の配管の内部を流れ
るガスの流れる方向が地面に対して垂直となるように配
置したことを特徴とするものである。
この発明においては、上記構成としたから、上記装置
本体内の上記第２の配管にて上記ガスの液化が生じて
も、この液化により生じた液体は重力により上記流量調
整器内に浸入することなく，上記第２の配管内を下降す
ることとなり、上記流量調整器のガス流路がつまるとい
うような不具合を生ずることなく，当該流量調整器にて
所望の流量に調整されたガスが上記処理室内へ供給され
ることとなる。
本体内の上記第２の配管にて上記ガスの液化が生じて
も、この液化により生じた液体は重力により上記流量調
整器内に浸入することなく，上記第２の配管内を下降す
ることとなり、上記流量調整器のガス流路がつまるとい
うような不具合を生ずることなく，当該流量調整器にて
所望の流量に調整されたガスが上記処理室内へ供給され
ることとなる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示
し、図において、８′は少なくとも0.3m以上、流量調整
器より垂直下方に配置した装置内配管、12はこの垂直な
装置内配管８′に付加した温調付きヒータである。
し、図において、８′は少なくとも0.3m以上、流量調整
器より垂直下方に配置した装置内配管、12はこの垂直な
装置内配管８′に付加した温調付きヒータである。
次に本装置の動作について説明する。基本的な動作は
従来装置の動作と同様なので説明を省略する。
従来装置の動作と同様なので説明を省略する。
本装置の場合、従来装置と異なっているのは、流量調
整器３及び装置内配管８′のガスの経路を地面に対して
垂直とし、かつ装置内配管８′をある距離、例えば0.3m
以上垂直としたことである。この場合にも、液化10は発
生するが、一般的に冷気は下方にたまるので、配管の最
低温度は下方に存在し、第１図に示す位置に液化10は発
生する。しかし、装置内配管８′は垂直なので、液体は
重力により上昇できず、流量調整器３に直接流入するこ
とはない。万一、液化10′のように、装置内配管８′内
に発生しても、重力により下方に落ちるので、流量調整
器３に入ることはない。我々の実験では、第１図のよう
な系を作成し、従来装置の動作と同様、液体ソース４側
を20℃、装置内配管８′側を20℃としたところ、液化10
は第１図のような位置（下部）に発生し、流量調整器３
には直接入らず、流量異常も発生しなかった。より液化
しにくいようにするためには、流量調整器３へのヒータ
11以外に装置内配管８′へヒータ12（点線で示す）を付
加するようにすればよい。
整器３及び装置内配管８′のガスの経路を地面に対して
垂直とし、かつ装置内配管８′をある距離、例えば0.3m
以上垂直としたことである。この場合にも、液化10は発
生するが、一般的に冷気は下方にたまるので、配管の最
低温度は下方に存在し、第１図に示す位置に液化10は発
生する。しかし、装置内配管８′は垂直なので、液体は
重力により上昇できず、流量調整器３に直接流入するこ
とはない。万一、液化10′のように、装置内配管８′内
に発生しても、重力により下方に落ちるので、流量調整
器３に入ることはない。我々の実験では、第１図のよう
な系を作成し、従来装置の動作と同様、液体ソース４側
を20℃、装置内配管８′側を20℃としたところ、液化10
は第１図のような位置（下部）に発生し、流量調整器３
には直接入らず、流量異常も発生しなかった。より液化
しにくいようにするためには、流量調整器３へのヒータ
11以外に装置内配管８′へヒータ12（点線で示す）を付
加するようにすればよい。
なお、上記実施例では、温調付きヒータ11及び12の温
度については特に言及しなかったが、これは装置側の温
度より５℃以上高いことが望ましい。又、温調付きヒー
タ11の方が温調付きヒータ12より高いか、又は同じであ
ることが望ましい。又、その温度については経時変化の
ないようなコントロールが必要である。
度については特に言及しなかったが、これは装置側の温
度より５℃以上高いことが望ましい。又、温調付きヒー
タ11の方が温調付きヒータ12より高いか、又は同じであ
ることが望ましい。又、その温度については経時変化の
ないようなコントロールが必要である。
又、上記実施例では流量調整器３を処理室２より低い
位置に設けたが、これはもっとも高い位置に設けること
ができれば、より良い効果が得られる。
位置に設けたが、これはもっとも高い位置に設けること
ができれば、より良い効果が得られる。
又、上記実施例ではエッチング装置を例に挙げて説明
したが、液体ソースを使用する装置であれば、CVD装
置，拡散炉、プラズマCVD装置，スパッタ装置等，任意
の装置に適用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
したが、液体ソースを使用する装置であれば、CVD装
置，拡散炉、プラズマCVD装置，スパッタ装置等，任意
の装置に適用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明にかかる半導体製造装置によ
れば、液体ソースと、その内部に上記液体ソースから発
生するガスにより所要の処理が行われる処理室を有する
装置本体と、上記ガスを上記装置本体の入口部まで送る
第１の配管と、上記装置本体の内部に設けられ、上記第
１の配管により上記装置本体の入口部まで送られてきた
ガスを当該装置本体の内部へ導入する第２の配管と、上
記第２の配管により上記装置本体の内部に導入されたガ
スを上記処理室内へ導入する第３の配管と、上記第２の
配管と上記第３の配管との間に介在し、上記第２の配管
により上記装置本体の内部に導入されてきたガスの上記
第３の配管への流れ込み量を調整する流量調整器とを備
えた半導体製造装置において、上記第２の配管を、該第
２の配管が上記流量調整器に対し下方に位置し、かつ該
第２の配管の内部を流れるガスの流れる方向が地面に対
して垂直となるように配置したので、上記第２の配管に
て上記ガスの液化を生じても、この液化により生じた液
体は重力により上記流量調整器内に浸入することなく，
上記第２の配管内を下降して、上記流量調整器のガス流
路がつまるというような不具合を生ずることなく，当該
流量調整器にて所望の流量に調整されたガスが上記処理
室内へ供給されることとなり、その結果、装置の性能，
及び稼働率を格段に向上できるという効果がある。
れば、液体ソースと、その内部に上記液体ソースから発
生するガスにより所要の処理が行われる処理室を有する
装置本体と、上記ガスを上記装置本体の入口部まで送る
第１の配管と、上記装置本体の内部に設けられ、上記第
１の配管により上記装置本体の入口部まで送られてきた
ガスを当該装置本体の内部へ導入する第２の配管と、上
記第２の配管により上記装置本体の内部に導入されたガ
スを上記処理室内へ導入する第３の配管と、上記第２の
配管と上記第３の配管との間に介在し、上記第２の配管
により上記装置本体の内部に導入されてきたガスの上記
第３の配管への流れ込み量を調整する流量調整器とを備
えた半導体製造装置において、上記第２の配管を、該第
２の配管が上記流量調整器に対し下方に位置し、かつ該
第２の配管の内部を流れるガスの流れる方向が地面に対
して垂直となるように配置したので、上記第２の配管に
て上記ガスの液化を生じても、この液化により生じた液
体は重力により上記流量調整器内に浸入することなく，
上記第２の配管内を下降して、上記流量調整器のガス流
路がつまるというような不具合を生ずることなく，当該
流量調整器にて所望の流量に調整されたガスが上記処理
室内へ供給されることとなり、その結果、装置の性能，
及び稼働率を格段に向上できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるエッチング装置を示
す断面側面図、第２図及び第３図は従来のエッチング装
置を示す断面側面図である。 １はエッチング装置、２は処理室、３は流量調整器、４
は液体ソース、５はバルブ、６は液化ガス、７は装置外
配管、８は装置内配管、９は流量調整器・処理室間配
管、10,10′は液化による液体、11,12は温調付きヒー
タ。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
す断面側面図、第２図及び第３図は従来のエッチング装
置を示す断面側面図である。 １はエッチング装置、２は処理室、３は流量調整器、４
は液体ソース、５はバルブ、６は液化ガス、７は装置外
配管、８は装置内配管、９は流量調整器・処理室間配
管、10,10′は液化による液体、11,12は温調付きヒー
タ。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】液体ソースと、 その内部に上記液体ソースから発生するガスにより所要
の処理が行われる処理室を有する装置本体と、 上記ガスを上記装置本体の入口部まで送る第１の配管
と、 上記装置本体の内部に設けられ、上記第１の配管により
上記装置本体の入口部まで送られてきたガスを当該装置
本体の内部へ導入する第２の配管と、 上記第２の配管により上記装置本体の内部に導入された
ガスを上記処理室内へ導入する第３の配管と、 上記第２の配管と上記第３の配管との間に介在し、上記
第２の配管により上記装置本体の内部に導入されてきた
ガスの上記第３の配管への流れ込み量を調整する流量調
整器とを備えた半導体製造装置において、 上記第２の配管を、該第２の配管が上記流量調整器に対
し下方に位置し、かつ該第２の配管の内部を流れるガス
の流れる方向が地面に対して垂直となるように配置した
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】上記流量調整器にこれを加熱する加熱機構
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体製造装置。 - 【請求項３】上記流量調整器及び上記第２の配管にこれ
らをそれぞれ加熱する第1,第２の加熱機構を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276637A JPH088219B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276637A JPH088219B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122619A JPH02122619A (ja) | 1990-05-10 |
| JPH088219B2 true JPH088219B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=17572222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276637A Expired - Fee Related JPH088219B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088219B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE113757T1 (de) * | 1985-08-28 | 1994-11-15 | Fsi Int Inc | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von schichten von substraten. |
| JPS6378533A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | エツチング装置 |
| JPH0626187B2 (ja) * | 1987-04-14 | 1994-04-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体結晶の製造装置 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63276637A patent/JPH088219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02122619A (ja) | 1990-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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