JPH0878751A - 圧電セラミックトランス - Google Patents
圧電セラミックトランスInfo
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- JPH0878751A JPH0878751A JP6207734A JP20773494A JPH0878751A JP H0878751 A JPH0878751 A JP H0878751A JP 6207734 A JP6207734 A JP 6207734A JP 20773494 A JP20773494 A JP 20773494A JP H0878751 A JPH0878751 A JP H0878751A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 圧電素子セラミック素体の長さＬ及び厚さＴ
のＬ／Ｔを大きくすることなく、昇圧比の大きい圧電セ
ラミックトランスを得る。 【構成】 偏平な直方体状の圧電セラミック素体１の第
１の電極２及び３側は厚さＴ方向に対向した主面に形成
し、第２の電極８及び９を圧電セラミック素体１の左右
側面に形成して、長さＬ方向に分極Ｐ1 させる。
のＬ／Ｔを大きくすることなく、昇圧比の大きい圧電セ
ラミックトランスを得る。 【構成】 偏平な直方体状の圧電セラミック素体１の第
１の電極２及び３側は厚さＴ方向に対向した主面に形成
し、第２の電極８及び９を圧電セラミック素体１の左右
側面に形成して、長さＬ方向に分極Ｐ1 させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック（磁器）を用
いたコイル不用の圧電セラミックトランスに係わり、特
に圧電セラミック素体の長手方向にのみ分極を行った圧
電セラミックトランスに関する。
いたコイル不用の圧電セラミックトランスに係わり、特
に圧電セラミック素体の長手方向にのみ分極を行った圧
電セラミックトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からローゼン（Ｒｏｓｅｎ）型圧電
セラミックトランスは高電圧電源を得る方法としてトラ
ンジスタテレビ受像機等に広く利用されている。この圧
電セラミックトランスは図６に示す様に、長さ２Ｌｍ
ｍ、幅Ｗｍｍ、厚さＴｍｍの偏平な直方体状の圧電セラ
ミック素体１の上下面（２Ｌ×Ｗ面）の長さ２Ｌ方向の
略２Ｌ／２＝Ｌ位置まで１次側の入力電極２及び３を形
成し、同じく右側面（Ｗ×Ｔ面）に出力電極６を形成
し、入力側は厚さＴ方向にＰ1 の様に分極し、出力側は
長さ２Ｌの半分のＬにＰ2 の様に分極させる。これら、
各電極２及び３並びに６は夫々入出力端子４及び５並び
に７に接続され、入力端子４及び５間に入力電圧を供給
することで出力端子７及び５間に出力電圧が得られる様
に成されている。
セラミックトランスは高電圧電源を得る方法としてトラ
ンジスタテレビ受像機等に広く利用されている。この圧
電セラミックトランスは図６に示す様に、長さ２Ｌｍ
ｍ、幅Ｗｍｍ、厚さＴｍｍの偏平な直方体状の圧電セラ
ミック素体１の上下面（２Ｌ×Ｗ面）の長さ２Ｌ方向の
略２Ｌ／２＝Ｌ位置まで１次側の入力電極２及び３を形
成し、同じく右側面（Ｗ×Ｔ面）に出力電極６を形成
し、入力側は厚さＴ方向にＰ1 の様に分極し、出力側は
長さ２Ｌの半分のＬにＰ2 の様に分極させる。これら、
各電極２及び３並びに６は夫々入出力端子４及び５並び
に７に接続され、入力端子４及び５間に入力電圧を供給
することで出力端子７及び５間に出力電圧が得られる様
に成されている。
【０００３】上述の構成で入力電圧が供給される入力側
を低インピーダンスと成し、出力電圧が得られる出力側
を高インピーダンスにすれば、共振時にはインピーダン
ス比の平方根に等しい変圧比が得られる。
を低インピーダンスと成し、出力電圧が得られる出力側
を高インピーダンスにすれば、共振時にはインピーダン
ス比の平方根に等しい変圧比が得られる。
【０００４】即ち、変圧比（Ｖout ／Ｖin）は次の
（１）式の様に表される。 Ｖout ／Ｖin∝ｋ31・ｋ33・Ｑm ・Ｌ／Ｔ ‥‥ （１） ここで、Ｋ31：横効果の結合係数、ｋ33：縦効果の結合
係数、Ｑm ：機械品質係数、Ｌ及びＴは圧電セラミック
素体１の長さ及び厚さである。
（１）式の様に表される。 Ｖout ／Ｖin∝ｋ31・ｋ33・Ｑm ・Ｌ／Ｔ ‥‥ （１） ここで、Ｋ31：横効果の結合係数、ｋ33：縦効果の結合
係数、Ｑm ：機械品質係数、Ｌ及びＴは圧電セラミック
素体１の長さ及び厚さである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来構成で説明
した圧電セラミックトランスは上述の（１）式から解る
様に変圧比を大きく（或は入力電圧を低減）するにはｋ
31，ｋ33，Ｑm 等の各係数が一定であるためＬ／Ｔを大
きくすればよい。然し、Ｌ／Ｔを大きくするためにはＬ
を大きくするかＴを小さくすることになり、Ｌを大きく
すれば当然圧電セラミックトランスが大型化する、又、
Ｔを小さくすれば当然薄くなり、機械的強度出力で問題
があった。
した圧電セラミックトランスは上述の（１）式から解る
様に変圧比を大きく（或は入力電圧を低減）するにはｋ
31，ｋ33，Ｑm 等の各係数が一定であるためＬ／Ｔを大
きくすればよい。然し、Ｌ／Ｔを大きくするためにはＬ
を大きくするかＴを小さくすることになり、Ｌを大きく
すれば当然圧電セラミックトランスが大型化する、又、
Ｔを小さくすれば当然薄くなり、機械的強度出力で問題
があった。
【０００６】本発明は叙上の問題点を解消するために成
されたもので、その目的とするところは従来構成と同一
形状でもより高い変圧比（昇圧比及び降圧比）が得られ
る新規な圧電セラミックトランスを得ようとするもので
ある。
されたもので、その目的とするところは従来構成と同一
形状でもより高い変圧比（昇圧比及び降圧比）が得られ
る新規な圧電セラミックトランスを得ようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電セラミック
トランスはその例が図１に示されている様に偏平な長方
形状の圧電セラミック素体１の上下主面１ａ及び１ｂの
厚み方向に対向して形成した第１の１対の電極２及び３
と、圧電セラミック素体１の長手方向の側面１ｃ及び１
ｄに形成した第２の１対の電極８及び９とを有し、長手
方向の側面１ｃ及び１ｄに形成した第２の１対の電極８
及び９間に直流電圧を印加して長手方向に分極を行なっ
て成るものである。
トランスはその例が図１に示されている様に偏平な長方
形状の圧電セラミック素体１の上下主面１ａ及び１ｂの
厚み方向に対向して形成した第１の１対の電極２及び３
と、圧電セラミック素体１の長手方向の側面１ｃ及び１
ｄに形成した第２の１対の電極８及び９とを有し、長手
方向の側面１ｃ及び１ｄに形成した第２の１対の電極８
及び９間に直流電圧を印加して長手方向に分極を行なっ
て成るものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば圧電セラミック素体の長さＬ及
び厚さＴ、即ちＬ／Ｔを大きくすることなく、極めて、
大きな変圧比の圧電セラミックトランスを得ることが可
能となる。
び厚さＴ、即ちＬ／Ｔを大きくすることなく、極めて、
大きな変圧比の圧電セラミックトランスを得ることが可
能となる。
【０００９】
【実施例】以下、図１乃至図３について本発明の一実施
例の昇圧型の圧電セラミックトランスを説明する。図１
は本発明の圧電セラミックトランス１０の全体の斜視
図、図２は図１の圧電セラミックトランスの分極説明
図、図３は本発明と従来構成の圧電セラミックトランス
の入出力特性図を示すものである。尚、従来構成で説明
した圧電セラミックトランスとの対応部分には同一符号
を付して示してある。
例の昇圧型の圧電セラミックトランスを説明する。図１
は本発明の圧電セラミックトランス１０の全体の斜視
図、図２は図１の圧電セラミックトランスの分極説明
図、図３は本発明と従来構成の圧電セラミックトランス
の入出力特性図を示すものである。尚、従来構成で説明
した圧電セラミックトランスとの対応部分には同一符号
を付して示してある。
【００１０】図１で圧電セラミック素体１は長さ２Ｌｍ
ｍ、幅Ｗｍｍ、厚さＴｍｍの薄板状の偏平な略々直方体
状と成される。その材料としては機械品質係数の大きい
ＰＺＴセラミックスが選択される。
ｍ、幅Ｗｍｍ、厚さＴｍｍの薄板状の偏平な略々直方体
状と成される。その材料としては機械品質係数の大きい
ＰＺＴセラミックスが選択される。
【００１１】この圧電セラミック素体１の上下主面（２
Ｌ×Ｗ面）１ａ及び１ｂに長さ２Ｌの略々中心位置に所
定長Ｌ1 ×幅Ｗの第１の１対の電極２及び３を形成す
る。本例の昇圧用の圧電セラミックトランス１０では、
この第１の１対の電極が１次側の入力電極と成される。
又、圧電セラミック素体１の左右側面１ｃ及び１ｄには
第２の１対の電極８及び９を形成する。これら第２の１
対の電極８及び９は本例では２次側の出力電極と成さ
れ、これら電極は圧電セラミック素体１上にＡｇベース
ト等で焼付けられる。
Ｌ×Ｗ面）１ａ及び１ｂに長さ２Ｌの略々中心位置に所
定長Ｌ1 ×幅Ｗの第１の１対の電極２及び３を形成す
る。本例の昇圧用の圧電セラミックトランス１０では、
この第１の１対の電極が１次側の入力電極と成される。
又、圧電セラミック素体１の左右側面１ｃ及び１ｄには
第２の１対の電極８及び９を形成する。これら第２の１
対の電極８及び９は本例では２次側の出力電極と成さ
れ、これら電極は圧電セラミック素体１上にＡｇベース
ト等で焼付けられる。
【００１２】更に、第２の１対の電極８及び９間に直流
電圧を印加して圧電セラミック素体１の長さＬ方向に分
極Ｐ1 を施す。これらの第１及び第２の各電極２及び３
並びに８及び９は入出力端子４及び５並に６及び７に接
続され、出力端子６及び７は負荷抵抗Ｒ等を介して直列
接続され、入力端子４及び５間にＡＣ５Ｖ〜１２Ｖ程度
の入力電圧を供給することで出力端子６及び７間に昇圧
された高電圧が出力される様に成されている。
電圧を印加して圧電セラミック素体１の長さＬ方向に分
極Ｐ1 を施す。これらの第１及び第２の各電極２及び３
並びに８及び９は入出力端子４及び５並に６及び７に接
続され、出力端子６及び７は負荷抵抗Ｒ等を介して直列
接続され、入力端子４及び５間にＡＣ５Ｖ〜１２Ｖ程度
の入力電圧を供給することで出力端子６及び７間に昇圧
された高電圧が出力される様に成されている。
【００１３】この様な圧電セラミックトランス１０の電
極形成手順及び分極手順を図２を用いて説明する。
極形成手順及び分極手順を図２を用いて説明する。
【００１４】先ずセラミック素体１の原料としては機械
品質係数Ｑm の高いＰＺＴセラミックスが選択される。
このＰＺＴセラミックは例えばＰｂＺｒＯ3 （ジルコン
酸鉛）にＰｂＴｉＯ3 （チタン酸鉛）を加えて固溶体結
晶を作る際に菱面体晶系を経て正方晶系に移る相境界近
傍となる組成比で機械品質係数Ｑm の最大値が現われ、
温度に対しても安定なものが得られている。
品質係数Ｑm の高いＰＺＴセラミックスが選択される。
このＰＺＴセラミックは例えばＰｂＺｒＯ3 （ジルコン
酸鉛）にＰｂＴｉＯ3 （チタン酸鉛）を加えて固溶体結
晶を作る際に菱面体晶系を経て正方晶系に移る相境界近
傍となる組成比で機械品質係数Ｑm の最大値が現われ、
温度に対しても安定なものが得られている。
【００１５】この様なＰＺＴに所定のバインダ（成形助
剤）を混合して流込み法、押出し法、プレス法等の成形
型に入れ、偏平な例えば長さ２Ｌ＝２４ｍｍ、幅Ｗ＝６
ｍｍ、厚さＴ＝１．５ｍｍの偏平な直方体（板体）に形
成、焼結して図２Ａの様な圧電セラミック素体１を得
る。
剤）を混合して流込み法、押出し法、プレス法等の成形
型に入れ、偏平な例えば長さ２Ｌ＝２４ｍｍ、幅Ｗ＝６
ｍｍ、厚さＴ＝１．５ｍｍの偏平な直方体（板体）に形
成、焼結して図２Ａの様な圧電セラミック素体１を得
る。
【００１６】次に図２Ｂに示す様にこの圧電セラミック
素体１の上下主面１ａ及び１ｂの長手方向２Ｌの略々中
心位置に１対の第１の電極２及び３を形成する。この第
１の電極２及び３の大きさは昇圧比、入力容量によって
適宜定められる。図２Ｂでは幅Ｗｍｍ×長さＬ1 ｍｍに
選択されている。更に圧電セラミック素体１の左右側面
１ｃ及び１ｄに第２の１対の電極８及び９を形成する。
これら第１及び第２の電極２及び３並びに８及び９はＡ
ｇベーストを圧電セラミック素体の各面に塗布して焼付
けて形成される。
素体１の上下主面１ａ及び１ｂの長手方向２Ｌの略々中
心位置に１対の第１の電極２及び３を形成する。この第
１の電極２及び３の大きさは昇圧比、入力容量によって
適宜定められる。図２Ｂでは幅Ｗｍｍ×長さＬ1 ｍｍに
選択されている。更に圧電セラミック素体１の左右側面
１ｃ及び１ｄに第２の１対の電極８及び９を形成する。
これら第１及び第２の電極２及び３並びに８及び９はＡ
ｇベーストを圧電セラミック素体の各面に塗布して焼付
けて形成される。
【００１７】又、従来の図６で説明したローゼン型の圧
電セラミックトランス１０では入力側（１次側）の一方
の入力端子５（接地端子）と出力側（２次側）の一方の
出力端子５（接地端子）とは共通に成されているため１
次側と２次側を完全に絶縁した絶縁型トランスにするこ
とが出来なかったか、本例では図１で説明した様に１次
側の入力端子４及び５と２次側の出力端子６及び７は完
全に絶縁されている。そして圧電セラミック素体が絶縁
物であるから第１の１対の電極２及び３と第２の１対の
電極８及び９間の距離Ｌ2 及びＬ3 （図２Ｂ参照）を所
定の寸法、例えば３．２ｍｍ程度にとれば絶縁型トラン
スとして充分に機能させることが出来る。
電セラミックトランス１０では入力側（１次側）の一方
の入力端子５（接地端子）と出力側（２次側）の一方の
出力端子５（接地端子）とは共通に成されているため１
次側と２次側を完全に絶縁した絶縁型トランスにするこ
とが出来なかったか、本例では図１で説明した様に１次
側の入力端子４及び５と２次側の出力端子６及び７は完
全に絶縁されている。そして圧電セラミック素体が絶縁
物であるから第１の１対の電極２及び３と第２の１対の
電極８及び９間の距離Ｌ2 及びＬ3 （図２Ｂ参照）を所
定の寸法、例えば３．２ｍｍ程度にとれば絶縁型トラン
スとして充分に機能させることが出来る。
【００１８】次に図２Ｃに示す様に圧電セラミック素体
１の長さＬ方向に２次側の分極を行なう、即ち圧電セラ
ミック素体１の左側面１ｃに形成した出力側の第２の電
極８の一端を接地し、他方の第２の電極９に例えば、Ｄ
Ｃ２５ＫＶ／ｃｍの電圧を１時間、シリコン油槽中で供
給して矢印Ｐ1 に示す様に圧電セラミック素体１の長さ
Ｌ方向に分極を施す。
１の長さＬ方向に２次側の分極を行なう、即ち圧電セラ
ミック素体１の左側面１ｃに形成した出力側の第２の電
極８の一端を接地し、他方の第２の電極９に例えば、Ｄ
Ｃ２５ＫＶ／ｃｍの電圧を１時間、シリコン油槽中で供
給して矢印Ｐ1 に示す様に圧電セラミック素体１の長さ
Ｌ方向に分極を施す。
【００１９】上述の場合、電極８から電極９側に向って
分極が施されているが、上述の電極へのＤＣ供給方法を
逆にすれば電極９から電極８に向かう方向に分極が成さ
れる。
分極が施されているが、上述の電極へのＤＣ供給方法を
逆にすれば電極９から電極８に向かう方向に分極が成さ
れる。
【００２０】この様に第２の電極８及び９のみに分極を
施した圧電セラミック素体１の第１及び第２の１対の電
極２及び３並びに８及び９から図１の様に入出力端子４
及び５並びに６及び７に接続するリード線を接続するこ
とで、１次側の入力端子４及び５にＡＣの１次電圧（低
圧）を供給することで２次側の出力端子６及び７間に接
続された負荷抵抗Ｒに昇圧された高電圧の２次電圧が誘
起される。
施した圧電セラミック素体１の第１及び第２の１対の電
極２及び３並びに８及び９から図１の様に入出力端子４
及び５並びに６及び７に接続するリード線を接続するこ
とで、１次側の入力端子４及び５にＡＣの１次電圧（低
圧）を供給することで２次側の出力端子６及び７間に接
続された負荷抵抗Ｒに昇圧された高電圧の２次電圧が誘
起される。
【００２１】即ち、従来のローゼン型の圧電セラミック
トランスの様に圧電セラミック素体１の長さ２Ｌの略々
半分Ｌまでは厚さＴ方向に分極Ｐ1 を１次側のトランス
として利用し、残りの半分のＬを長さ方向に分極Ｐ2 し
ているため、圧電セラミック素体１の全長２Ｌの半分の
Ｌしか昇圧させる場合に寄与しなかったか、本例では２
次側の第２の電極８及び９間を全長２Ｌに亘って分極さ
せることが出来るので、従来と同一寸法のＬ／Ｔで略々
３倍〜４倍の昇圧比が得られている。
トランスの様に圧電セラミック素体１の長さ２Ｌの略々
半分Ｌまでは厚さＴ方向に分極Ｐ1 を１次側のトランス
として利用し、残りの半分のＬを長さ方向に分極Ｐ2 し
ているため、圧電セラミック素体１の全長２Ｌの半分の
Ｌしか昇圧させる場合に寄与しなかったか、本例では２
次側の第２の電極８及び９間を全長２Ｌに亘って分極さ
せることが出来るので、従来と同一寸法のＬ／Ｔで略々
３倍〜４倍の昇圧比が得られている。
【００２２】上記した本例の板状の長方形の圧電セラミ
ック素体１の長さＬ＝２４ｍｍ、幅Ｗ＝６ｍｍ、厚さ
１．５ｍｍとした圧電セラミックトランス１０と、図６
に示した従来の同一寸法の圧電セラミックトランス１０
に１次電圧としてＡＣ１０Ｖ〜４０Ｖを印加したときの
昇圧された２次側出力電圧は図３の入出力特性図に示す
様に略々３〜４倍の値を示している。即ち、図３で横軸
は１次側のＡＣ入力電圧（Ｖｒｍｓ）を縦軸は２次側の
昇圧されたＡＣ出力電圧（Ｖｒｍｓ）を示し、直線１１
が本例の入出力特性であり、直線１２が従来の入出力特
性を示している。
ック素体１の長さＬ＝２４ｍｍ、幅Ｗ＝６ｍｍ、厚さ
１．５ｍｍとした圧電セラミックトランス１０と、図６
に示した従来の同一寸法の圧電セラミックトランス１０
に１次電圧としてＡＣ１０Ｖ〜４０Ｖを印加したときの
昇圧された２次側出力電圧は図３の入出力特性図に示す
様に略々３〜４倍の値を示している。即ち、図３で横軸
は１次側のＡＣ入力電圧（Ｖｒｍｓ）を縦軸は２次側の
昇圧されたＡＣ出力電圧（Ｖｒｍｓ）を示し、直線１１
が本例の入出力特性であり、直線１２が従来の入出力特
性を示している。
【００２３】尚、上述の実施例では昇圧型の圧電セラミ
ックトランス１０を説明したが、降圧用の圧電セラミッ
クトランス１０として利用する場合にも本例では大きな
降圧比の得られる圧電セラミックトランスの提供が可能
である。
ックトランス１０を説明したが、降圧用の圧電セラミッ
クトランス１０として利用する場合にも本例では大きな
降圧比の得られる圧電セラミックトランスの提供が可能
である。
【００２４】図４は降圧型の圧電セラミックトランス１
０の例を示すもので、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ等に
利用可能である。圧電セラミック素体１及び第１及び第
２の電極２おらび３並びに８及び９と、分極Ｐ1 は図１
と同一構成であり、本発明の実施例では第１の電極２及
び３が２次側の出力端子６及び７に接続され、第２の電
極８及び９が１次側の入力端子４及び５に接続され図１
と入出力部が逆になる様に接続させたものである。
０の例を示すもので、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ等に
利用可能である。圧電セラミック素体１及び第１及び第
２の電極２おらび３並びに８及び９と、分極Ｐ1 は図１
と同一構成であり、本発明の実施例では第１の電極２及
び３が２次側の出力端子６及び７に接続され、第２の電
極８及び９が１次側の入力端子４及び５に接続され図１
と入出力部が逆になる様に接続させたものである。
【００２５】上述の説明では圧電セラミック素体１を所
定の厚さＴを有する様に構成し、単体として用いたが複
数枚の薄い圧電セラミック素体１をラミネートさせる様
にしてもよい。即ち、図５Ａ〜５Ｅに示す様に薄く形成
した圧電セラミック素体１Ａ〜１Ｄを例えば、テープキ
ャスティング法として知られているドクタブレード法等
で得る。この方法はＰＺＴセラミックから得たテープ成
形用スリップをホッパーに流し込み、ドクタブレードで
所定厚みに成されたシートをベルト上を移動させる途中
に配設した乾燥炉で溶剤を蒸発させて、所定厚み例え
ば、２００μｍのセラミックグリーンシートを得て、こ
れを所定形状に打抜いて、圧電セラミック素体１Ａ，１
Ｂ，１Ｃ，１Ｄを得るものである。
定の厚さＴを有する様に構成し、単体として用いたが複
数枚の薄い圧電セラミック素体１をラミネートさせる様
にしてもよい。即ち、図５Ａ〜５Ｅに示す様に薄く形成
した圧電セラミック素体１Ａ〜１Ｄを例えば、テープキ
ャスティング法として知られているドクタブレード法等
で得る。この方法はＰＺＴセラミックから得たテープ成
形用スリップをホッパーに流し込み、ドクタブレードで
所定厚みに成されたシートをベルト上を移動させる途中
に配設した乾燥炉で溶剤を蒸発させて、所定厚み例え
ば、２００μｍのセラミックグリーンシートを得て、こ
れを所定形状に打抜いて、圧電セラミック素体１Ａ，１
Ｂ，１Ｃ，１Ｄを得るものである。
【００２６】次にこの様な所定形状に形成した圧電セラ
ミック素体１Ａ〜１Ｄ（以下セラミックグリーンシート
素体と記す）の主面（２Ｌ×Ｗ面）の片面に第１の電極
２Ａ〜２Ｄを所定の形状に印刷する。この電極２Ａ〜２
ＤとしてはＡｇペースト等が用いられる。セラミックグ
リーンシート素体１Ａ〜１Ｄの長手方向の長さ２Ｌの略
々真中は図１と同様に長さＬ1 ×幅Ｗの第１の電極２が
形成される。本例の場合は図１の様に反対の主面の電極
３の様な１対の電極を形成しない。セラミックグリーン
シート素体１Ａ〜１Ｄの左右の側面には８Ａ〜８Ｄ及び
９Ａ〜９Ｄの様に第２の電極が形成される。
ミック素体１Ａ〜１Ｄ（以下セラミックグリーンシート
素体と記す）の主面（２Ｌ×Ｗ面）の片面に第１の電極
２Ａ〜２Ｄを所定の形状に印刷する。この電極２Ａ〜２
ＤとしてはＡｇペースト等が用いられる。セラミックグ
リーンシート素体１Ａ〜１Ｄの長手方向の長さ２Ｌの略
々真中は図１と同様に長さＬ1 ×幅Ｗの第１の電極２が
形成される。本例の場合は図１の様に反対の主面の電極
３の様な１対の電極を形成しない。セラミックグリーン
シート素体１Ａ〜１Ｄの左右の側面には８Ａ〜８Ｄ及び
９Ａ〜９Ｄの様に第２の電極が形成される。
【００２７】第１の片面にのみ形成した電極２Ａ〜２Ｄ
には交互にＡｇ−ベーストが付着されていない半円部１
３Ａ〜１３Ｄが形成されている。この様な電極２Ａ〜２
Ｄの形成されたセラミックグリーンシート素体１Ａ〜１
Ｄを所定枚数（図５では４枚であるが実際には１０枚程
度）積層する。
には交互にＡｇ−ベーストが付着されていない半円部１
３Ａ〜１３Ｄが形成されている。この様な電極２Ａ〜２
Ｄの形成されたセラミックグリーンシート素体１Ａ〜１
Ｄを所定枚数（図５では４枚であるが実際には１０枚程
度）積層する。
【００２８】次に、ラミネートされたセラミックグリー
ンシート素体１Ａ〜１Ｄを熱圧着又は接着剤で貼着して
一体化して図５Ｅの様な圧電セラミックトランスを得
る。
ンシート素体１Ａ〜１Ｄを熱圧着又は接着剤で貼着して
一体化して図５Ｅの様な圧電セラミックトランスを得
る。
【００２９】最終的には第１の電極２Ａ〜２ＤをＡｇ等
の導体パターン１４Ａ及び１４Ｂで互に並列接続される
様に成す。
の導体パターン１４Ａ及び１４Ｂで互に並列接続される
様に成す。
【００３０】この様に積層化し、入力側（出力側）電極
２Ａ〜２Ｄを並列接続させた圧電セラミックトランスと
成せば更に昇圧比を上げ、入力電圧を低減出来るものが
得られる。
２Ａ〜２Ｄを並列接続させた圧電セラミックトランスと
成せば更に昇圧比を上げ、入力電圧を低減出来るものが
得られる。
【００３１】上述の各構成では圧電セラミック素体を偏
平な長方形状と成したが、これらは偏平な長さを有する
所定形状の円を含む多角形状と成し得ることは明らかで
ある。
平な長方形状と成したが、これらは偏平な長さを有する
所定形状の円を含む多角形状と成し得ることは明らかで
ある。
【００３２】
【発明の効果】本発明の圧電セラミックトランスによれ
ば従来の圧電セラミックトランスと同一形状寸法即ちＬ
／Ｔを有していながら二次電圧は略３〜４倍の昇圧比
（降圧比）のものが得られ、圧電セラミック素体の長さ
Ｌを大きくしたり厚さＴを薄くする必要がないので機械
的強度を下げずに高（低）出力電圧の圧電セラミックト
ランスを得ることができる。又、複数枚の薄い圧電セラ
ミック素体を積層し、並列接続させることで低い（高
い）入力電圧で高い（低い）出力電圧が容易に得られ、
絶縁型圧電セラミックトランスが構成出来る等の効果を
有する。
ば従来の圧電セラミックトランスと同一形状寸法即ちＬ
／Ｔを有していながら二次電圧は略３〜４倍の昇圧比
（降圧比）のものが得られ、圧電セラミック素体の長さ
Ｌを大きくしたり厚さＴを薄くする必要がないので機械
的強度を下げずに高（低）出力電圧の圧電セラミックト
ランスを得ることができる。又、複数枚の薄い圧電セラ
ミック素体を積層し、並列接続させることで低い（高
い）入力電圧で高い（低い）出力電圧が容易に得られ、
絶縁型圧電セラミックトランスが構成出来る等の効果を
有する。
【図１】本発明の一実施例を示す圧電セラミックトラン
スの斜視図である。
スの斜視図である。
【図２】本発明の圧電セラミックトランスの電極及び分
極手順を示す説明図である。
極手順を示す説明図である。
【図３】本発明と従来の圧電セラミックトランスの入出
力特性図である。
力特性図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す圧電セラミックトラ
ンスの斜視図である。
ンスの斜視図である。
【図５】本発明の他の圧電セラミックトランスの組立説
明図である。
明図である。
【図６】従来の圧電セラミックトランスの原理的説明図
である。
である。
１ 圧電セラミック素子 ２，３ 第１の電極 ８，９ 第２の電極 Ｐ1 分極方向
Claims (4)
- 【請求項１】 偏平な長方形状の圧電セラミック素体の
上下主面の厚み方向に対向して形成した第１の１対の電
極と、 上記圧電セラミック素体の長手方向の側面に形成した第
２の１対の電極とを有し、 上記長手方向の側面に形成した第２の１対の電極間に直
流電圧を印加して長手方向に分極を行なって成ることを
特徴とする圧電セラミックトランス。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の１対の電極が形成さ
れた圧電セラミック素体を積層し、該第１の１対の電極
を互に並列接続して成ることを特徴とする請求項１記載
の圧電セラミックトランス。 - 【請求項３】 前記第１の１対の電極を入力（１次）電
極とし、前記第２の１対の電極を出力（２次）電極とし
て昇圧用トランスとして用いることを特徴とする請求項
１又は請求項２記載の圧電セラミックトランス。 - 【請求項４】 前記第１の１対の電極を出力（２次）電
極とし、前記第２の１対の電極を入力（１次）電極とし
て降圧用トランスとして用いることを特徴とする圧電セ
ラミックトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207734A JPH0878751A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 圧電セラミックトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6207734A JPH0878751A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 圧電セラミックトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878751A true JPH0878751A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16544660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6207734A Pending JPH0878751A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 圧電セラミックトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317186B1 (ko) * | 1999-11-08 | 2001-12-24 | 손동준 | 압전 세라믹 변압기 및 이를 이용하여 냉 음극 형광등을구동하기 위한 회로 |
| KR100456714B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2004-11-10 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 압전 트랜스포머 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6207734A patent/JPH0878751A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456714B1 (ko) * | 1998-11-18 | 2004-11-10 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 압전 트랜스포머 |
| KR100317186B1 (ko) * | 1999-11-08 | 2001-12-24 | 손동준 | 압전 세라믹 변압기 및 이를 이용하여 냉 음극 형광등을구동하기 위한 회로 |
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