JPH0869113A - 反射防止膜形成材料、レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
反射防止膜形成材料、レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0869113A JPH0869113A JP6205173A JP20517394A JPH0869113A JP H0869113 A JPH0869113 A JP H0869113A JP 6205173 A JP6205173 A JP 6205173A JP 20517394 A JP20517394 A JP 20517394A JP H0869113 A JPH0869113 A JP H0869113A
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所望の波長領域について反射防止効果を具備
せしめることが容易で、特別なはく離工程の必要なく容
易に除去できる反射防止膜を提供し、フォトリソグラフ
ィー用反射防止膜としてレジストパターン形成に用いる
場合に現像工程で同時に除去できる反射防止技術を提供
し、上記利点を有する半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 露光してレジストパターンを形成するフォト
レジスト材料上に直接塗布して反射防止膜を形成する反
射防止膜形成材料であって、低極性有機溶媒に可溶で、
かつアルカリ水溶液に可溶なロジン等のバインダ成分
と、低極性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可
溶な光吸収成分とから成る反射防止膜形成材料、及びこ
れを用いたレジストパターン形成方法、及び半導体装置
の製造方法。
せしめることが容易で、特別なはく離工程の必要なく容
易に除去できる反射防止膜を提供し、フォトリソグラフ
ィー用反射防止膜としてレジストパターン形成に用いる
場合に現像工程で同時に除去できる反射防止技術を提供
し、上記利点を有する半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 露光してレジストパターンを形成するフォト
レジスト材料上に直接塗布して反射防止膜を形成する反
射防止膜形成材料であって、低極性有機溶媒に可溶で、
かつアルカリ水溶液に可溶なロジン等のバインダ成分
と、低極性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可
溶な光吸収成分とから成る反射防止膜形成材料、及びこ
れを用いたレジストパターン形成方法、及び半導体装置
の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射防止膜形成材料、
レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
に関する。
レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の分野で微細化が進行しており、例
えば電子材料（半導体装置等）においては、例えば半導
体集積回路の最小加工寸法は、今やサブハーフミクロン
領域に達している。
えば電子材料（半導体装置等）においては、例えば半導
体集積回路の最小加工寸法は、今やサブハーフミクロン
領域に達している。
【０００３】このため、高度に精密な微細加工に適した
技術が要請され、このような技術として、波長の極めて
小さい光による加工技術、例えばＫｒＦエキシマレーザ
ーリソグラフィなどが注目されている。ところが半導体
装置製造の過程で使用される各種の膜は、この技術に用
いる波長領域の光に対しては、高い反射率を持つ場合が
多い。このため、これに伴う定在波効果（膜内多重干
渉）や段差からの反射によるノッキングなどが問題とな
る。例えばパターン寸法変動や、パターンくずれが生じ
る。これを回避する手法として、反射防止技術があり、
これは大きく分けて反射防止膜下置きタイプと反射防止
膜上置きタイプとに分けられる。それぞれに利害得失が
あるが、上塗り有機膜による上置きタイプ反射防止技術
は、ノッキングにはあまり効果がないとされるものの、
プロセスが比較的簡単なため、有用である。
技術が要請され、このような技術として、波長の極めて
小さい光による加工技術、例えばＫｒＦエキシマレーザ
ーリソグラフィなどが注目されている。ところが半導体
装置製造の過程で使用される各種の膜は、この技術に用
いる波長領域の光に対しては、高い反射率を持つ場合が
多い。このため、これに伴う定在波効果（膜内多重干
渉）や段差からの反射によるノッキングなどが問題とな
る。例えばパターン寸法変動や、パターンくずれが生じ
る。これを回避する手法として、反射防止技術があり、
これは大きく分けて反射防止膜下置きタイプと反射防止
膜上置きタイプとに分けられる。それぞれに利害得失が
あるが、上塗り有機膜による上置きタイプ反射防止技術
は、ノッキングにはあまり効果がないとされるものの、
プロセスが比較的簡単なため、有用である。
【０００４】現在ＤｅｅｐＵＶ用反射防止膜材料として
市場に出回っているものは、水溶性材料と非水溶性材料
の２種類がある。前者は、レジスト現像液で直接除去が
できるため、プロセスが簡単になるが、理想的な屈折率
を有する材料が得にくい。後者の排水溶液反射防止膜材
料は、はく離工程が必要だが、フッ素系樹脂等を用いる
ことが可能であるため、理想的な屈折率の材料が得られ
る。製造工程ではプロセスは簡単であることが重視され
るため、前者の水溶性材料が選ばれることが多い。とこ
ろが、これは前記のとおり理想的な屈折率にならず、比
較的高い屈折率のものしか得られない。このため定在波
効果の抑制度が小さいという問題がある。また、水溶性
であるためにレジストと同じ排液系に流すと、排液系の
ポンプがつまったりする問題があった。
市場に出回っているものは、水溶性材料と非水溶性材料
の２種類がある。前者は、レジスト現像液で直接除去が
できるため、プロセスが簡単になるが、理想的な屈折率
を有する材料が得にくい。後者の排水溶液反射防止膜材
料は、はく離工程が必要だが、フッ素系樹脂等を用いる
ことが可能であるため、理想的な屈折率の材料が得られ
る。製造工程ではプロセスは簡単であることが重視され
るため、前者の水溶性材料が選ばれることが多い。とこ
ろが、これは前記のとおり理想的な屈折率にならず、比
較的高い屈折率のものしか得られない。このため定在波
効果の抑制度が小さいという問題がある。また、水溶性
であるためにレジストと同じ排液系に流すと、排液系の
ポンプがつまったりする問題があった。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、所望の波長領域について反射
防止効果を有するように構成することが容易で、しかも
後に特別なはく離工程を必要とせず、容易に除去できる
反射防止膜を提供し、またフォトリソグラフィー用反射
防止膜としてレジストパターン形成に用いる場合に、現
像工程で同時に除去できる反射防止技術を提供し、ま
た、このような利点を有する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
防止効果を有するように構成することが容易で、しかも
後に特別なはく離工程を必要とせず、容易に除去できる
反射防止膜を提供し、またフォトリソグラフィー用反射
防止膜としてレジストパターン形成に用いる場合に、現
像工程で同時に除去できる反射防止技術を提供し、ま
た、このような利点を有する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【目的を達成するための手段及び作用】本出願の請求項
１の発明は、露光してレジストパターンを形成するフォ
トレジスト材料上に直接塗布して反射防止膜を形成する
反射防止膜形成材料であって、低極性有機溶媒に可溶
で、かつアルカリ水溶液に可溶なバインダ成分と、低極
性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可溶な光吸
収成分とから成ることを特徴とする反射防止膜形成材料
であって、これにより上記目的を達成するものである。
１の発明は、露光してレジストパターンを形成するフォ
トレジスト材料上に直接塗布して反射防止膜を形成する
反射防止膜形成材料であって、低極性有機溶媒に可溶
で、かつアルカリ水溶液に可溶なバインダ成分と、低極
性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可溶な光吸
収成分とから成ることを特徴とする反射防止膜形成材料
であって、これにより上記目的を達成するものである。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、前記バインダ
成分が、少なくとも酸成分の主成分としてアビエチン酸
または水素添加アビエチン酸を含む成膜可能な材料を主
成分とすることを特徴とする請求項１に記載の反射防止
膜形成材料であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
成分が、少なくとも酸成分の主成分としてアビエチン酸
または水素添加アビエチン酸を含む成膜可能な材料を主
成分とすることを特徴とする請求項１に記載の反射防止
膜形成材料であって、これにより上記目的を達成するも
のである。
【０００８】本出願の請求項３の発明は、前記バインダ
成分が、ロジンあるいは水素添加ロジンを主成分とする
ことを特徴とする請求項２に記載の反射防止膜形成材料
であって、これにより上記目的を達成するものである。
成分が、ロジンあるいは水素添加ロジンを主成分とする
ことを特徴とする請求項２に記載の反射防止膜形成材料
であって、これにより上記目的を達成するものである。
【０００９】本出願の請求項４の発明は、前記ロジンあ
るいは水素添加ロジンが、中国ロジンあるいは水素添加
中国ロジンであることを特徴とする請求項３に記載の反
射防止膜形成材料であって、これにより上記目的を達成
するものである。
るいは水素添加ロジンが、中国ロジンあるいは水素添加
中国ロジンであることを特徴とする請求項３に記載の反
射防止膜形成材料であって、これにより上記目的を達成
するものである。
【００１０】本出願の請求項５の発明は、前記光吸収成
分が、フェノール誘導体であることを特徴とする請求項
１ないし４のいずれかに記載の反射防止膜形成材料であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
分が、フェノール誘導体であることを特徴とする請求項
１ないし４のいずれかに記載の反射防止膜形成材料であ
って、これにより上記目的を達成するものである。
【００１１】本出願の請求項６の発明は、前記フェノー
ル誘導体が、ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＨのいずれかであることを特徴とする請求項５
に記載の反射防止膜形成材料であって、これにより上記
目的を達成するものである。
ル誘導体が、ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＨのいずれかであることを特徴とする請求項５
に記載の反射防止膜形成材料であって、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１２】本出願の請求項７の発明は、前記低極性有
機溶媒が、キシレン、デカリン、エチルベンゼン、クロ
ロベンゼンのいずれかであることを特徴とする請求項１
ないし６のいずれかに記載の反射防止膜形成材料であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
機溶媒が、キシレン、デカリン、エチルベンゼン、クロ
ロベンゼンのいずれかであることを特徴とする請求項１
ないし６のいずれかに記載の反射防止膜形成材料であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【００１３】本出願の請求項８の発明は、フォトレジス
ト材料を成膜し、ロジンまたは水素添加ロジンを主成分
とするバインダ成分と光吸収成分とから成る反射防止膜
材料を該フォトレジスト膜上に直接塗布して反射防止膜
を形成し、露光後、はく離することなく直接アルカリ水
性現像液で現像する工程を備えることを特徴とするレジ
ストパターン形成方法であって、これにより上記目的を
達成するものである。
ト材料を成膜し、ロジンまたは水素添加ロジンを主成分
とするバインダ成分と光吸収成分とから成る反射防止膜
材料を該フォトレジスト膜上に直接塗布して反射防止膜
を形成し、露光後、はく離することなく直接アルカリ水
性現像液で現像する工程を備えることを特徴とするレジ
ストパターン形成方法であって、これにより上記目的を
達成するものである。
【００１４】本出願の請求項９の発明は、フォトレジス
ト材料を成膜し、ロジンまたは水素添加ロジンを主成分
とするバインダ成分と光吸収成分とから成る反射防止膜
材料を該フォトレジスト膜上に直接塗布して反射防止膜
を形成し、露光後、はく離することなく直接アルカリ水
性現像液で現像してレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンを用いるプロセスを備えることを特徴とす
る半導体装置の製造方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。
ト材料を成膜し、ロジンまたは水素添加ロジンを主成分
とするバインダ成分と光吸収成分とから成る反射防止膜
材料を該フォトレジスト膜上に直接塗布して反射防止膜
を形成し、露光後、はく離することなく直接アルカリ水
性現像液で現像してレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンを用いるプロセスを備えることを特徴とす
る半導体装置の製造方法であって、これにより上記目的
を達成するものである。
【００１５】本発明によれば、有機溶媒にも可溶で、か
つ水あるいはアルカリ溶液にも可溶な材料で上塗り反射
防止膜を構成したので、塗布は、塗布性能のよい溶媒系
である有機溶媒でこれを実現できるし、かつ除去工程を
付加せずに、直接現像液ではく離することが可能であ
る。
つ水あるいはアルカリ溶液にも可溶な材料で上塗り反射
防止膜を構成したので、塗布は、塗布性能のよい溶媒系
である有機溶媒でこれを実現できるし、かつ除去工程を
付加せずに、直接現像液ではく離することが可能であ
る。
【００１６】このような反射防止膜形成用の樹脂材料と
して、低極性有機溶媒（キシレン、デカリン、エチルベ
ンゼン、クロロベンゼンなど）に可溶で、アルカリ水溶
液に可溶な、ロジン例えば中国ロジンという材料があ
り、好ましくはこれを使用する。この材料は、アビエチ
ン酸を主成分とするテルペン類であり、良好な被膜形成
能力を有する。低極性有機溶媒に可溶であるということ
は、これで成膜（例えばスピンコートによる成膜）が可
能であるということを意味する。このような材料を用い
ると、レジスト膜を特にアタックすることなく、インタ
ーミキシングも起こさずに、レジスト膜の上に塗り重ね
ることが可能である。またカルボン酸が主成分であるこ
とから、水には不溶であるが、アルカリ水溶液（現像
液）には可溶である。従って、現像工程で直接はく離で
きる。ロジン特に中国ロジンには産地によって各種変性
体があるほか、アルキドロジンや水素添加されたロジン
などがあり、いずれの材料も成膜可能で、かつアルカリ
水溶液に可溶となっている。
して、低極性有機溶媒（キシレン、デカリン、エチルベ
ンゼン、クロロベンゼンなど）に可溶で、アルカリ水溶
液に可溶な、ロジン例えば中国ロジンという材料があ
り、好ましくはこれを使用する。この材料は、アビエチ
ン酸を主成分とするテルペン類であり、良好な被膜形成
能力を有する。低極性有機溶媒に可溶であるということ
は、これで成膜（例えばスピンコートによる成膜）が可
能であるということを意味する。このような材料を用い
ると、レジスト膜を特にアタックすることなく、インタ
ーミキシングも起こさずに、レジスト膜の上に塗り重ね
ることが可能である。またカルボン酸が主成分であるこ
とから、水には不溶であるが、アルカリ水溶液（現像
液）には可溶である。従って、現像工程で直接はく離で
きる。ロジン特に中国ロジンには産地によって各種変性
体があるほか、アルキドロジンや水素添加されたロジン
などがあり、いずれの材料も成膜可能で、かつアルカリ
水溶液に可溶となっている。
【００１７】中国ロジン等のロジンは、そのままではデ
ィープＵＶ領域で使用するには、屈折率がやや高すぎ、
しかも屈折率の低い材料（例えば、フッ素系樹脂など）
とはうまく混和しないものであるが、本発明においては
光吸収成分を含有させて、この問題を解決した。即ち、
膜自体の吸収を増加させる光の吸収材であって、上記低
極性有機溶媒に可溶で、かつ使用する波長領域例えばデ
ィープＵＶ領域（２５０ｎｍ）に吸収を有し、かつ、ア
ルカリ水溶液に可溶な材料を混合した。このような材料
としては、フェノール系化合物で低分子量のものが挙げ
られる。ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＨなどである。
ィープＵＶ領域で使用するには、屈折率がやや高すぎ、
しかも屈折率の低い材料（例えば、フッ素系樹脂など）
とはうまく混和しないものであるが、本発明においては
光吸収成分を含有させて、この問題を解決した。即ち、
膜自体の吸収を増加させる光の吸収材であって、上記低
極性有機溶媒に可溶で、かつ使用する波長領域例えばデ
ィープＵＶ領域（２５０ｎｍ）に吸収を有し、かつ、ア
ルカリ水溶液に可溶な材料を混合した。このような材料
としては、フェノール系化合物で低分子量のものが挙げ
られる。ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＨなどである。
【００１８】
【実施例】以下本発明の実施例について、詳細に説明す
る。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例
により限定を受けるものではない。 実施例１
る。但し当然のことではあるが、本発明は以下の実施例
により限定を受けるものではない。 実施例１
【００１９】まず次のように、塗布水溶液の調製を行っ
た。１０ｇの荒川化学製、水素添加中国ロジンであるＫ
Ｒ６１０に、ピロガロール１ｇ及びビスフェノールＡ１
ｇを混合し、エチルベンゼン４０ミリリットルに溶解さ
せた。
た。１０ｇの荒川化学製、水素添加中国ロジンであるＫ
Ｒ６１０に、ピロガロール１ｇ及びビスフェノールＡ１
ｇを混合し、エチルベンゼン４０ミリリットルに溶解さ
せた。
【００２０】この溶液を、０．２μｍの細孔を有するメ
ンブレンフィルターでろ過し、塗布溶液とした。なお、
溶媒をデカリンにすることもできるが、この場合は、水
素添加中国ロジンであるＫＲ６１０、ピロガロール、ビ
スフェノールＡの各溶解性が落ちるため、エチルベンゼ
ンあるいはキシレンを容量比１：１で加える方が良かっ
た。またここでは、吸収性材料としてピロガロールとビ
スフェノールＡの混合物を用いたが、その各単独でもよ
い。また低極性有機溶媒に溶解するものである光吸収性
材料なら、他の材料でもかまわない。
ンブレンフィルターでろ過し、塗布溶液とした。なお、
溶媒をデカリンにすることもできるが、この場合は、水
素添加中国ロジンであるＫＲ６１０、ピロガロール、ビ
スフェノールＡの各溶解性が落ちるため、エチルベンゼ
ンあるいはキシレンを容量比１：１で加える方が良かっ
た。またここでは、吸収性材料としてピロガロールとビ
スフェノールＡの混合物を用いたが、その各単独でもよ
い。また低極性有機溶媒に溶解するものである光吸収性
材料なら、他の材料でもかまわない。
【００２１】前記塗布溶液を利用して得る反射防止膜Ａ
ＲＬ（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）
形成プロセスを以下に示す。
ＲＬ（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）
形成プロセスを以下に示す。
【００２２】２００℃で、１分、ジハイドレーショベー
クした５インチシリコンウェハを、室温に冷却後、ＨＭ
ＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気でプライム処理を
行った。この上に、ＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）
樹脂にｔ−ＢＯＣ保護基を導入し、光酸発生剤（Ｐｈｏ
ｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）として例えば５
ｗｔ％のジフェニルヨードニウムトリフラートを加えた
ものを主体とする化学増幅ボジ型レジストを回転塗布
し、０．８５μｍの膜厚になるようにした。これを９０
℃で９０秒ベーク後、前記塗布溶液を用いて、上塗り反
射防止膜を０．３μｍの膜厚で形成した。良好に成膜さ
れた。対比実験として、上塗り反射防止膜のないウェハ
も用意した。
クした５インチシリコンウェハを、室温に冷却後、ＨＭ
ＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気でプライム処理を
行った。この上に、ＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）
樹脂にｔ−ＢＯＣ保護基を導入し、光酸発生剤（Ｐｈｏ
ｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）として例えば５
ｗｔ％のジフェニルヨードニウムトリフラートを加えた
ものを主体とする化学増幅ボジ型レジストを回転塗布
し、０．８５μｍの膜厚になるようにした。これを９０
℃で９０秒ベーク後、前記塗布溶液を用いて、上塗り反
射防止膜を０．３μｍの膜厚で形成した。良好に成膜さ
れた。対比実験として、上塗り反射防止膜のないウェハ
も用意した。
【００２３】上記ウェハに対して、ＮＡ：０．４２のＫ
ｒＦエキシマレーザーステッパＮＳＲ−１５０５ＥＸ
（ニコン（株）製）にて、露光量を変えながら、ＬＩＳ
のパターンを有するレチクルを介して露光を行った。そ
の後１１０℃で９０秒ＰＥＢ（露光後ベーク）を行い、
２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド）水溶液（ＮＭＤ−Ｈ、ＴＯＫ製）で、６
０秒パドル現像を行い、水洗乾燥した。
ｒＦエキシマレーザーステッパＮＳＲ−１５０５ＥＸ
（ニコン（株）製）にて、露光量を変えながら、ＬＩＳ
のパターンを有するレチクルを介して露光を行った。そ
の後１１０℃で９０秒ＰＥＢ（露光後ベーク）を行い、
２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド）水溶液（ＮＭＤ−Ｈ、ＴＯＫ製）で、６
０秒パドル現像を行い、水洗乾燥した。
【００２４】上記によれば、０．３μｍラインアンドス
ペースに対する最適露光量は、ＡＲＬを用いた本実施例
の場合、２５ｍＪ／ｃｍ2 であった。これに対し、比較
のＡＲＬ無しの場合は、２０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
ペースに対する最適露光量は、ＡＲＬを用いた本実施例
の場合、２５ｍＪ／ｃｍ2 であった。これに対し、比較
のＡＲＬ無しの場合は、２０ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２５】実施例２ レジスト膜厚を０．８６μｍとして実施した他は実施例
１と同様にして実験を行った。その結果、０．３μｍラ
インアンドスぺースの最適露光量は、ＡＲＬ有りの本実
施例の場合が、２５．５ｍＪ／ｃｍ2 であった。比較の
ＡＲＬ無しが、２２ｍＪ／ｃｍ2 であった。
１と同様にして実験を行った。その結果、０．３μｍラ
インアンドスぺースの最適露光量は、ＡＲＬ有りの本実
施例の場合が、２５．５ｍＪ／ｃｍ2 であった。比較の
ＡＲＬ無しが、２２ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２６】実施例３ レジスト膜厚を０．８７μｍとして実施した他は、実施
例１と同様にして実験を行ったところ、０．３μｍライ
ンアンドスペースの最適露光量は、本実施例のＡＲＬ有
りの場合が、２６ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＡＲＬ無しの
比較の場合が、２４ｍＪ／ｃｍ2 であった。
例１と同様にして実験を行ったところ、０．３μｍライ
ンアンドスペースの最適露光量は、本実施例のＡＲＬ有
りの場合が、２６ｍＪ／ｃｍ2 であった。ＡＲＬ無しの
比較の場合が、２４ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２７】実施例４ レジスト膜厚を０．８８μｍとして実施した他は実施例
１と同様にして実験を行ったところ、０．３μｍライン
アンドスペースの最適露光量は、本実施例のＡＲＬ有り
が、２６．５ｍＪ／ｃｍ2 であった。比較のＡＲＬ無し
の場合が、２６ｍＪ／ｃｍ2 であった。
１と同様にして実験を行ったところ、０．３μｍライン
アンドスペースの最適露光量は、本実施例のＡＲＬ有り
が、２６．５ｍＪ／ｃｍ2 であった。比較のＡＲＬ無し
の場合が、２６ｍＪ／ｃｍ2 であった。
【００２８】実施例の検討 上記したようにＡＲＬなしではレジスト膜厚の変動によ
り、同一寸法を仕上げるための露光量が大きく変動して
いるが、本実施例に係るＡＲＬを用いると、変動が小さ
いことがわかった。
り、同一寸法を仕上げるための露光量が大きく変動して
いるが、本実施例に係るＡＲＬを用いると、変動が小さ
いことがわかった。
【００２９】以上のようにすることにより、塗布性が水
よりも良好な有機溶媒を用いて、レジスト膜上に直接、
ミキシング層を形成することなく、膜形成が可能で、露
光、ＰＥＢ後、はく離工程を追加することなく、直接現
像液で現像と同時に上塗りＡＲＬ膜をはく離できる技術
が得られた。しかも、膜自体の屈折率が最適なものより
も高いという難点をも容易に克服して、適正な吸収を持
たせることができ、これにより、定在波効果による寸法
変動を更に抑えことができる。
よりも良好な有機溶媒を用いて、レジスト膜上に直接、
ミキシング層を形成することなく、膜形成が可能で、露
光、ＰＥＢ後、はく離工程を追加することなく、直接現
像液で現像と同時に上塗りＡＲＬ膜をはく離できる技術
が得られた。しかも、膜自体の屈折率が最適なものより
も高いという難点をも容易に克服して、適正な吸収を持
たせることができ、これにより、定在波効果による寸法
変動を更に抑えことができる。
【００３０】なお、上記の各実施例において用いた反射
防止膜は、酸性ポリマーをなしているものであるので、
酸性ポリマーによりフォトレジスト組成物を保護するこ
とになり、よって仮に雰囲気中に存在するガスがアミン
等の塩基性ガスであっても、これを中和して、フォトレ
ジスト組成物に与える影響を防止できる。
防止膜は、酸性ポリマーをなしているものであるので、
酸性ポリマーによりフォトレジスト組成物を保護するこ
とになり、よって仮に雰囲気中に存在するガスがアミン
等の塩基性ガスであっても、これを中和して、フォトレ
ジスト組成物に与える影響を防止できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、所望の波長領域につい
て反射防止効果を有するように構成することが容易であ
って、しかも後に特別なはく離工程を必要とせず、容易
に除去できる有利な反射防止膜が得られる。またフォト
リソグラフィー用反射防止膜としてレジストパターン形
成に用いる場合に、反射防止機能が良好で、しかも現像
工程で同時に除去できる反射防止技術が提供される。ま
た、このような利点を有する半導体装置の製造方法が提
供できる。
て反射防止効果を有するように構成することが容易であ
って、しかも後に特別なはく離工程を必要とせず、容易
に除去できる有利な反射防止膜が得られる。またフォト
リソグラフィー用反射防止膜としてレジストパターン形
成に用いる場合に、反射防止機能が良好で、しかも現像
工程で同時に除去できる反射防止技術が提供される。ま
た、このような利点を有する半導体装置の製造方法が提
供できる。
Claims (9)
- 【請求項１】露光してレジストパターンを形成するフォ
トレジスト材料上に直接塗布して反射防止膜を形成する
反射防止膜形成材料であって、 低極性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可溶な
バインダ成分と、 低極性有機溶媒に可溶で、かつアルカリ水溶液に可溶な
光吸収成分とから成ることを特徴とする反射防止膜形成
材料。 - 【請求項２】前記バインダ成分が、少なくとも酸成分の
主成分としてアビエチン酸または水素添加アビエチン酸
を含む成膜可能な材料を主成分とすることを特徴とする
請求項１に記載の反射防止膜形成材料。 - 【請求項３】前記バインダ成分が、ロジンあるいは水素
添加ロジンを主成分とすることを特徴とする請求項２に
記載の反射防止膜形成材料。 - 【請求項４】前記ロジンあるいは水素添加ロジンが、中
国ロジンあるいは水素添加中国ロジンであることを特徴
とする請求項３に記載の反射防止膜形成材料。 - 【請求項５】前記光吸収成分が、フェノール誘導体であ
ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載
の反射防止膜形成材料。 - 【請求項６】前記フェノール誘導体が、ピロガロール、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＨのいずれかである
ことを特徴とする請求項５に記載の反射防止膜形成材
料。 - 【請求項７】前記低極性有機溶媒が、キシレン、デカリ
ン、エチルベンゼン、クロロベンゼンのいずれかである
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
反射防止膜形成材料。 - 【請求項８】フォトレジスト材料を成膜し、 ロジンまたは水素添加ロジンを主成分とするバインダ成
分と光吸収成分とを含有する反射防止膜材料を該フォト
レジスト膜上に直接塗布して反射防止膜を形成し、 露光後、はく離することなく直接アルカリ水性現像液で
現像する工程を備えることを特徴とするレジストパター
ン形成方法。 - 【請求項９】フォトレジスト材料を成膜し、 ロジンまたは水素添加ロジンを主成分とするバインダ成
分と光吸収成分とを含有する反射防止膜材料を該フォト
レジスト膜上に直接塗布して反射防止膜を形成し、 露光後、はく離することなく直接アルカリ水性現像液で
現像してレジストパターンを形成し、 該レジストパターンを用いるプロセスを備えることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205173A JPH0869113A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 反射防止膜形成材料、レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| KR1019950024092A KR960008993A (ko) | 1994-08-30 | 1995-08-04 | 반사방지막 형성재료, 레지스트패턴 형성방법 및 반도체장치의 제조방법 |
| US08/775,194 US5888703A (en) | 1994-08-30 | 1996-12-30 | Method of forming resist pattern utilizing antireflective layer containing rosin or hydrogenated rosin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205173A JPH0869113A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 反射防止膜形成材料、レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869113A true JPH0869113A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16502637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6205173A Pending JPH0869113A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 反射防止膜形成材料、レジストパターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5888703A (ja) |
| JP (1) | JPH0869113A (ja) |
| KR (1) | KR960008993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008046206A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| JP2014016578A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光画像記録材料 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1482372B1 (en) | 2003-05-30 | 2014-10-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060199111A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices using a photo acid generator |
| US20060292501A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography process with an enhanced depth-on-focus |
| US20080102648A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and System For Making Photo-Resist Patterns |
| JP5619481B2 (ja) | 2010-06-15 | 2014-11-05 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物 |
| JP5681502B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-03-11 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物 |
| JP5661669B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-01-28 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227495A (en) * | 1990-01-12 | 1993-07-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Cyanine compound having a hetero ring containing an imidazole nucleus fused to a naphthoquinone nucleus |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6205173A patent/JPH0869113A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-04 KR KR1019950024092A patent/KR960008993A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-12-30 US US08/775,194 patent/US5888703A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008046206A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
| JP2014016578A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光画像記録材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5888703A (en) | 1999-03-30 |
| KR960008993A (ko) | 1996-03-22 |
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