JPH0867739A - Epoxy resin composition - Google Patents
Epoxy resin compositionInfo
- Publication number
- JPH0867739A JPH0867739A JP6205797A JP20579794A JPH0867739A JP H0867739 A JPH0867739 A JP H0867739A JP 6205797 A JP6205797 A JP 6205797A JP 20579794 A JP20579794 A JP 20579794A JP H0867739 A JPH0867739 A JP H0867739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- formula
- integer
- inorganic filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの表面
実装化における耐半田ストレス性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is excellent in resistance to solder stress in surface mounting semiconductor devices.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特
に集積回路では耐熱性、耐湿性に優れたオルソクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂をフェノールノボラック樹
脂で硬化させ、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等
の無機充填材を配合したエポキシ樹脂組成物が用いられ
ている。ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチッ
プが段々大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイ
プから表面実装化された小型、薄型のQFP、SOP、
SOJ、TSOP、TQFP、PLCCに変わってきて
いる。即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封入す
ることになり、熱応力によりクラックが発生し、これら
のクラックによる耐湿性の低下等の問題が大きくクロー
ズアップされている。特に半田付けの工程において急激
に200℃以上の高温にさらされることによりパッケー
ジの割れや樹脂とチップの剥離により耐湿性が劣化して
しまうといった問題点がでてきている。従って、これら
の大型チップを封止するのに適した信頼性の高い半導体
封止用樹脂組成物の開発が望まれている。2. Description of the Related Art Conventionally, electronic parts such as diodes, transistors, and integrated circuits have been sealed with thermosetting resin. Particularly in integrated circuits, orthocresol novolac type epoxy resin excellent in heat resistance and moisture resistance is used as a phenol resin. An epoxy resin composition is used which is hardened with a novolac resin and mixed with an inorganic filler such as fused silica or crystalline silica as a filler. However, in recent years, as the integration of integrated circuits has increased, the size of chips has gradually increased, and the package is a small and thin QFP, SOP, which is surface-mounted from the conventional DIP type.
It is changing to SOJ, TSOP, TQFP, PLCC. That is, a large chip is enclosed in a small and thin package, and cracks are generated due to thermal stress, and problems such as deterioration of moisture resistance due to these cracks are greatly highlighted. In particular, in the soldering process, when exposed to a high temperature of 200 ° C. or more, the moisture resistance is deteriorated due to cracking of the package and peeling of the resin and the chip. Therefore, development of a highly reliable resin composition for semiconductor encapsulation suitable for encapsulating these large chips is desired.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題点に対して、式(1)で示されるエポキシ樹脂を用い
ることにより、半導体パッケージの基板への実装時にお
けるパッケージの耐半田ストレス性を著しく向上させた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するところにあ
る。The present invention addresses the above problems by using the epoxy resin represented by the formula (1) to prevent solder stress of the package during mounting on the substrate of the semiconductor package. Another object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, which has remarkably improved properties.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)下記式
(1)で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量に対
して30〜100重量%含むエポキシ樹脂、The present invention provides (A) an epoxy resin containing 30 to 100% by weight of an epoxy resin represented by the following formula (1) with respect to the total amount of epoxy resin:
【0005】[0005]
【化2】 (mの値は1以上の整数、nの値は0または1以上の整
数でm+n=1〜20、式中のRは水素、ハロゲン類、
アルキル基の中から選択される同一もしくは異なる原子
又は基)Embedded image (The value of m is an integer of 1 or more, the value of n is 0 or an integer of 1 or more, m + n = 1 to 20, R in the formula is hydrogen, halogens,
Same or different atom or group selected from alkyl groups)
【0006】(B)水酸基を2個以上有するフェノール
性樹脂硬化剤、(C)無機充填材、及び(D)硬化促進
剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
あり、従来のエポキシ樹脂組成物に比べ優れた信頼性と
して耐半田クラック性と半田処理後の耐湿性を有するも
のである。An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation comprising (B) a phenolic resin curing agent having two or more hydroxyl groups, (C) an inorganic filler, and (D) a curing accelerator as essential components. It has excellent solder crack resistance and moisture resistance after soldering as superior reliability compared to the epoxy resin composition.
【0007】式(1)の分子構造で示されるエポキシ樹
脂は、オルソキシレン及びパラキシレン、又はオルソキ
シレンとフェノール類とをフリーデル・クラフツ・アル
キル化反応により重合し、エピクロルヒドリンでグリシ
ジルエーテル化することにより得られる。従来のクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂に比べ硬化物のゴム領域
での弾性率が低く、低吸湿性、リードフレーム(42ア
ロイ、銅アロイ)等の金属類やシリコンチップとの接着
性に優れる。又下記式(2)で示されるパラキシリレン
変性エポキシ樹脂(特公昭62−28165号公報)に
対しては、オルソクレゾールを導入することにより、The epoxy resin represented by the molecular structure of the formula (1) is prepared by polymerizing orthoxylene and paraxylene, or orthoxylene and phenols by Friedel-Crafts alkylation reaction and glycidyl etherification with epichlorohydrin. Is obtained by Compared with the conventional cresol novolac type epoxy resin, the elastic modulus of the cured product is low in the rubber region, low hygroscopicity, and excellent adhesion to metals such as lead frames (42 alloy, copper alloy) and silicon chips. Further, by introducing orthocresol into the paraxylylene-modified epoxy resin represented by the following formula (2) (Japanese Patent Publication No. 62-28165),
【0008】[0008]
【化3】 (n=0〜20)[Chemical 3] (N = 0 to 20)
【0009】エポキシ樹脂組成物としては、ゴム領域に
おける高温時の強度が高く、明らかに耐半田クラック性
に優れるエポキシ樹脂組成物が得られる。式(1)の構
造式で示されるエポキシ樹脂は、当然オルソキシレン単
独で変性されたものでもよく、パラキシレンとの共重合
体ではランダム共重合、ブロック共重合のどちらでもよ
い。式(1)の構造式中のオルソキシレンの全キシレン
変性分に対する割合はオルソキシレンの効果をだすため
に30%以上の変性割合が好ましい。このエポキシ樹脂
の使用量はこれを調節することにより、耐半田クラック
性を最大限に引きだすことができる。耐半田クラック性
の効果を引きだすためには式(1)で示されるエポキシ
樹脂を総エポキシ樹脂量に対して30重量%以上、好ま
しくは50重量%以上の使用が望ましい。30重量%未
満だと目標とした耐半田クラック性が不充分である。更
に式中のRは水素原子が好ましい。As the epoxy resin composition, it is possible to obtain an epoxy resin composition which has high strength at high temperature in the rubber region and is obviously excellent in solder crack resistance. The epoxy resin represented by the structural formula (1) may of course be modified with ortho-xylene alone, and the copolymer with para-xylene may be either random copolymer or block copolymer. In the structural formula (1), the ratio of ortho-xylene to the total xylene-modified component is preferably 30% or more in order to exert the effect of ortho-xylene. By adjusting the amount of the epoxy resin used, solder crack resistance can be maximized. In order to bring out the effect of solder crack resistance, it is desirable to use the epoxy resin represented by the formula (1) in an amount of 30% by weight or more, preferably 50% by weight or more, based on the total amount of epoxy resin. If it is less than 30% by weight, the target solder crack resistance is insufficient. Further, R in the formula is preferably a hydrogen atom.
【0010】式(1)で示されるエポキシ樹脂以外の他
のエポキシ樹脂を併用する場合、エポキシ基を2個以上
有する化合物あるいはポリマー全般を言う。例えば、ビ
フェニル型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ
化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ化合物、アルキル変性トリフェノールメタン
型エポキシ化合物等のことをと言う。本発明で用いる水
酸基を2個以上有するフェノール性樹脂硬化剤とは、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラキシリ
レン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹
脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げられ、特にフ
ェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フ
ェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂及びこれらの混合物が好まし
い。また、これらの硬化剤の配合量としては、エポキシ
樹脂のエポキシ基数と硬化剤の水酸基数を合わせるよう
に配合することが好ましい。When an epoxy resin other than the epoxy resin represented by the formula (1) is used in combination, it means a compound or polymer having two or more epoxy groups in general. For example, a biphenyl type epoxy compound, a bisphenol type epoxy compound, a phenol novolac type epoxy resin, a cresol novolac type epoxy resin, a triphenol methane type epoxy compound, an alkyl modified triphenol methane type epoxy compound and the like are referred to. The phenolic resin curing agent having two or more hydroxyl groups used in the present invention includes phenol novolac resin, cresol novolac resin,
Dicyclopentadiene modified phenolic resin, paraxylylene modified phenolic resin, terpene modified phenolic resin, triphenol methane compound and the like, particularly phenol novolak resin, dicyclopentadiene modified phenolic resin, paraxylylene modified phenolic resin, terpene modified phenolic resin and these Mixtures are preferred. The amount of these curing agents to be added is preferably such that the number of epoxy groups in the epoxy resin matches the number of hydroxyl groups in the curing agent.
【0011】本発明で用いる無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、2次凝
集シリカ粉末、多孔質シリカ粉末、アルミナ等が挙げら
れ、特に球状シリカ粉末、又は溶融シリカ粉末と球状シ
リカ粉末との混合物が好ましい。更に無機充填材の配合
量は、耐半田クラック性の点から総エポキシ樹脂組成物
量に対して70〜90重量%が好ましい。無機充填材量
が70重量%未満だと低熱膨張化、低吸水化が得られず
耐半田クラック性が不充分である。又、無機充填材量が
90重量%を越えると高粘度化による半導体パッケージ
中のダイパッド、金線ワイヤーのずれ等の不都合が生じ
る。本発明に使用される硬化促進剤は、エポキシ基と水
酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般
に封止材料に使用されているものを広く使用することが
できる。例えば1,8−ジアザビシクロウンデセン、ト
リフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミンや2−
メチルイミダゾール等が挙げられ、単独もしくは2種類
以上混合して用いられる。Examples of the inorganic filler used in the present invention include fused silica powder, spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary agglomerated silica powder, porous silica powder, alumina, and the like. In particular, spherical silica powder or fused silica. A mixture of powder and spherical silica powder is preferred. Further, the blending amount of the inorganic filler is preferably 70 to 90% by weight with respect to the total amount of the epoxy resin composition from the viewpoint of solder crack resistance. When the amount of the inorganic filler is less than 70% by weight, low thermal expansion and low water absorption cannot be obtained, and the solder crack resistance is insufficient. On the other hand, if the amount of the inorganic filler exceeds 90% by weight, problems such as displacement of the die pad and the gold wire in the semiconductor package due to high viscosity may occur. The curing accelerator used in the present invention may be any one as long as it accelerates the curing reaction between the epoxy group and the hydroxyl group, and those generally used for sealing materials can be widely used. For example, 1,8-diazabicycloundecene, triphenylphosphine, benzyldimethylamine and 2-
Methylimidazole and the like can be mentioned, and they can be used alone or in combination of two or more.
【0012】本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤
を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカ
ップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモ
ン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃剤、カーボンブラッ
ク、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス
等の離型剤及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加
剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えがない。
また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料と
して製造するには、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化
剤、硬化促進剤、無機充填材、その他の添加剤をミキサ
ー等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロールま
たはニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料
とすることができる。これらの成形材料は電気部品ある
いは電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、
絶縁、封止等に適用することができる。The epoxy resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a phenol resin curing agent, an inorganic filler, and a curing accelerator as essential components. In addition to these, a silane coupling agent, a brominated epoxy resin, and Flame retardants such as antimony trioxide and hexabromobenzene, coloring agents such as carbon black and red iron oxide, mold release agents such as natural wax and synthetic wax, and various additives such as low stress additives such as silicone oil and rubber. There is no problem even if mixed.
Further, in order to produce the encapsulating epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the epoxy resin, the phenol resin curing agent, the curing accelerator, the inorganic filler, and the other additives are sufficiently uniformly mixed with a mixer or the like. After that, the mixture can be further melt-kneaded with a hot roll or a kneader, cooled and pulverized to obtain a sealing material. These molding materials are coatings for transistors, integrated circuits, etc., which are electric or electronic parts,
It can be applied to insulation, sealing, and the like.
【0013】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例1 下記組成物 下記式(3)で示されるエポキシ樹脂(軟化点55℃、エポキシ当量250g /eq 4.64重量部The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 The following composition Epoxy resin represented by the following formula (3) (softening point 55 ° C., epoxy equivalent 250 g / eq 4.64 parts by weight)
【0014】[0014]
【化4】 (nの値は0から3を示す混合物であり、その重量割合
はn=0が1に対して、n=1が0.70、n=2が
0.38、n=3が0.22である。)[Chemical 4] (The value of n is a mixture showing 0 to 3, and the weight ratio thereof is 1 for n = 0, 0.70 for n = 1, 0.38 for n = 2, and 0.22 for n = 3. It is.)
【0015】 式(2)で示されるエポキシ樹脂(軟化点55℃、エポキシ当量250g/e q) 8.61重量部Epoxy resin represented by the formula (2) (softening point 55 ° C., epoxy equivalent 250 g / eq) 8.61 parts by weight
【0016】[0016]
【化5】 (nの値は0から3を示す混合物であり、その重量割合
はn=0が1に対してn=1が0.70、n=2が0.
45、n=3が0.30である。)[Chemical 5] (The value of n is a mixture showing 0 to 3. The weight ratio of n = 0 is 1 to n = 0.70, and n = 2 is 0.
45 and n = 3 is 0.30. )
【0017】 フェノールノボラック樹脂硬化剤(軟化点65℃、水酸基当量105g/eq ) 5.55重量部 溶融シリカ粉末(平均粒径10μm、比表面積2.0m2/g) 30重量部 球状シリカ粉末(平均粒径30μm、比表面積2.5m2/g) 50重量部 トリフェニルホスフィン 0.2重量部 カーボンブラック 0.5重量部 カルナバワックス 0.5重量部 をミキサーで常温で混合し、70〜100℃で2軸ロー
ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。得ら
れた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファー成
形機にて175℃、70kg/cm2、120秒の条件
で半田クラック試験用として6×6mmのチップを52
pQFPに封止し、また半田耐湿性試験用として3×6
mmのチップを16pSOPに封止した。封止したテス
ト用素子について下記の半田クラック試験及び半田耐湿
性試験を行なった。 半田クラック試験:封止したテスト用素子を85℃、8
5%RHの環境下で24時間、72時間処理し、その後
260℃の半田槽に10秒間浸漬後顕微鏡で外部クラッ
クを観察した。 半田耐湿性試験:封止したテスト用素子を85℃、85
%RHの環境下で24時間処理し、その後260℃の半
田槽に10秒間浸漬後、プレッシャークッカー試験(1
25℃、100%RH)を行い、回路のオープン不良を
測定した。 曲げ強度:JIS K6911に準じ、240℃で測
定。 煮沸吸水率:JIS K6911に準じ、測定。 以上の試験結果を表1に示す。Phenol novolac resin curing agent (softening point 65 ° C., hydroxyl group equivalent 105 g / eq) 5.55 parts by weight fused silica powder (average particle size 10 μm, specific surface area 2.0 m 2 / g) 30 parts by weight spherical silica powder ( Average particle diameter 30 μm, specific surface area 2.5 m 2 / g) 50 parts by weight triphenylphosphine 0.2 parts by weight carbon black 0.5 parts by weight Carnauba wax 0.5 parts by weight are mixed at room temperature with a mixer to give 70 to 100 parts. The mixture was kneaded with a biaxial roll at ℃, cooled and pulverized to obtain a molding material. The obtained molding material was tabletted, and a 6 × 6 mm chip was soldered for a solder crack test under conditions of 175 ° C., 70 kg / cm 2 and 120 seconds with a low pressure transfer molding machine.
3x6 sealed in pQFP and used for solder moisture resistance test
The mm chip was encapsulated in 16 pSOP. The sealed test element was subjected to the following solder crack test and solder moisture resistance test. Solder crack test: sealed test element at 85 ° C, 8
It was treated for 24 hours and 72 hours in an environment of 5% RH and then immersed in a solder bath at 260 ° C. for 10 seconds, and then external cracks were observed with a microscope. Solder moisture resistance test: sealed test element at 85 ° C, 85
% RH for 24 hours, then immersed in a solder bath at 260 ° C for 10 seconds, and then subjected to a pressure cooker test (1
25 degreeC, 100% RH was performed, and the open defect of the circuit was measured. Bending strength: Measured at 240 ° C. according to JIS K6911. Boiling water absorption rate: Measured according to JIS K6911. The above test results are shown in Table 1.
【0018】実施例2〜5 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。実施例5のエポキシ樹脂は、下記式(4)
で示される(軟化点55℃、エポキシ当量250g/e
q)。Examples 2 to 5 Compounding was carried out according to the formulation shown in Table 1, and a molding material was obtained in the same manner as in Example 1. The epoxy resin of Example 5 has the following formula (4)
(Softening point 55 ° C., epoxy equivalent 250 g / e
q).
【0019】[0019]
【化6】 (mの値は1と2の整数、nの値は0,1,2の整数、
m+nの値は1〜4で、その重量割合はmが1でnが0
の構造のものが1に対して、mが1でnが1の構造のも
のが0.70、mが2でnが1の構造のものが0.4
0、mが2でnが2の構造のものが0.4である。)[Chemical 6] (The value of m is an integer of 1 and 2, the value of n is an integer of 0, 1, 2.
The value of m + n is 1 to 4, and the weight ratio is 1 for m and 0 for n.
The structure of 1 is 0.7, the structure of m is 1 and the structure of n is 0.70, and the structure of m is 2 and the structure of n is 0.4.
0, m is 2, and n is 2 is 0.4. )
【0020】この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を表1に
示す。 比較例1〜3 表1の処方に従って配合し、実施例1と同様にして成形
材料を得た。この成形材料で試験用の封止した成形品を
得、この成形品を用いて実施例1と同様に半田クラック
試験及び半田耐湿性試験を行なった。試験結果を表1に
示す。A molded product sealed with a test material was obtained from this molding material, and a solder crack test and a solder moisture resistance test were carried out in the same manner as in Example 1 using this molded product. Table 1 shows the test results. Comparative Examples 1 to 3 Compounding was performed according to the formulation shown in Table 1, and a molding material was obtained in the same manner as in Example 1. Using this molding material, a sealed molded product for testing was obtained, and a solder crack test and a solder moisture resistance test were conducted in the same manner as in Example 1 using this molded product. Table 1 shows the test results.
【0021】[0021]
【表1】 [Table 1]
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明によると、半導体パッケージの基
板への実装時におけるパッケージの耐半田クラック性が
著しく向上し、かつ耐湿性も向上する。According to the present invention, the solder crack resistance of the package at the time of mounting the semiconductor package on the substrate is significantly improved, and the moisture resistance is also improved.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 23/31
Claims (2)
樹脂を総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%含
むエポキシ樹脂、 【化1】 (mの値は1以上の整数、nの値は0または1以上の整
数でm+n=1〜20、式中のRは水素、ハロゲン類、
アルキル基の中から選択される同一もしくは異なる原子
又は基) (B)水酸基を2個以上有するフェノール性樹脂硬化
剤、(C)無機充填材、及び(D)硬化促進剤を必須成
分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。1. An epoxy resin containing (A) an epoxy resin represented by the following formula (1) in an amount of 30 to 100% by weight based on the total amount of epoxy resin: (The value of m is an integer of 1 or more, the value of n is 0 or an integer of 1 or more, m + n = 1 to 20, R in the formula is hydrogen, halogens,
Same or different atom or group selected from alkyl groups) (B) Phenolic resin curing agent having two or more hydroxyl groups, (C) inorganic filler, and (D) curing accelerator as essential components An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, comprising:
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein R in the formula (1) is hydrogen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6205797A JPH0867739A (en) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Epoxy resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6205797A JPH0867739A (en) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Epoxy resin composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0867739A true JPH0867739A (en) | 1996-03-12 |
Family
ID=16512850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6205797A Pending JPH0867739A (en) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | Epoxy resin composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0867739A (en) |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6205797A patent/JPH0867739A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07268186A (en) | Epoxy resin composition | |
JP3003887B2 (en) | Resin composition for semiconductor encapsulation | |
JPH07118366A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH09143345A (en) | Epoxy resin composition | |
JP3366456B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JP3310447B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JP3310446B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JPH06184272A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH0940748A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor sealing | |
JPH07173255A (en) | Epoxy resin composition | |
JP3305098B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JP2843247B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JPH0873560A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH0867739A (en) | Epoxy resin composition | |
JP3093051B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JPH07206989A (en) | Epoxy resin composition | |
JP3568654B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JP2985706B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor device using the same | |
JP3305097B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JP3093050B2 (en) | Epoxy resin composition | |
JPH06298903A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH0952939A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH0995522A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH07126490A (en) | Epoxy resin composition | |
JPH05160300A (en) | Epoxy resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050906 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20051107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051125 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051220 |