JPH0864532A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0864532A JPH0864532A JP20092694A JP20092694A JPH0864532A JP H0864532 A JPH0864532 A JP H0864532A JP 20092694 A JP20092694 A JP 20092694A JP 20092694 A JP20092694 A JP 20092694A JP H0864532 A JPH0864532 A JP H0864532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- heater
- reaction chamber
- low
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生を抑制し、膜厚均一性を
向上する。 【構成】 反応室３の炉口部に、これを所定温度以上に
保持する第２のヒータ１４を設けることを特徴とする。
向上する。 【構成】 反応室３の炉口部に、これを所定温度以上に
保持する第２のヒータ１４を設けることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、横型，縦型減圧ＣＶＤ
装置に係り、詳しくは反応管内にウェーハを挿入し、該
ウェーハをヒータで加熱しながら反応ガスを流通させて
ウェーハにＣＶＤ膜を生成する減圧ＣＶＤ装置に関す
る。
装置に係り、詳しくは反応管内にウェーハを挿入し、該
ウェーハをヒータで加熱しながら反応ガスを流通させて
ウェーハにＣＶＤ膜を生成する減圧ＣＶＤ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来装置の１例を図１を参照して説明す
ると、従来装置は、ウェーハ加熱用のヒータ１内に、
外，内部反応管２Ａ，２Ｂを同心状に収設し、この外，
内部反応管２Ａ，２Ｂと共に反応室３を形成するインレ
ットアダプタ４の上端に、外部反応管２Ａをシールリン
グ１２Ａを介して載置し、インレットアダプタ４の内側
突起部５に内部反応管２Ｂを載置する。
ると、従来装置は、ウェーハ加熱用のヒータ１内に、
外，内部反応管２Ａ，２Ｂを同心状に収設し、この外，
内部反応管２Ａ，２Ｂと共に反応室３を形成するインレ
ットアダプタ４の上端に、外部反応管２Ａをシールリン
グ１２Ａを介して載置し、インレットアダプタ４の内側
突起部５に内部反応管２Ｂを載置する。
【０００３】そして、インレットアダプタ４の２箇所
に、内部反応管２Ｂ内に反応ガスを導入するガス導入管
６及び外，内部反応管２Ａ，２Ｂ間を通って反応ガスを
排気する排気管７を設け、多数枚のウェーハ８を保持す
るボート９を載せた石英キャップ１０をシールキャップ
１１上に設置し、インレットアダプタ４の下端に、この
シールキャップ１１をシールリング１２Ｂを介して開閉
可能に密閉し、シールリング１２Ａ，１２Ｂに近接する
インレットアダプタ４及びシールキャップ１１の部分
に、それぞれ冷却水通路１３Ａ，１３Ｂを設けてなる。
に、内部反応管２Ｂ内に反応ガスを導入するガス導入管
６及び外，内部反応管２Ａ，２Ｂ間を通って反応ガスを
排気する排気管７を設け、多数枚のウェーハ８を保持す
るボート９を載せた石英キャップ１０をシールキャップ
１１上に設置し、インレットアダプタ４の下端に、この
シールキャップ１１をシールリング１２Ｂを介して開閉
可能に密閉し、シールリング１２Ａ，１２Ｂに近接する
インレットアダプタ４及びシールキャップ１１の部分
に、それぞれ冷却水通路１３Ａ，１３Ｂを設けてなる。
【０００４】上記従来装置で、ガス導入管６から反応ガ
スを導入すると、反応ガスは内部反応管２Ｂとボート９
間を下方から上方へ流れ、次いで外，内部反応管２Ａ，
２Ｂ間を上方から下方へ流れて、排気管７より排気さ
れ、ウェーハ８がヒータ１により５００〜８００℃に加
熱されて、ウェーハ８にＣＶＤ膜が生成される。なお、
インレットアダプタ４と外部反応管２Ａ間及びインレッ
トアダプタ４とシールキャップ１１間に気密を保持する
ために介挿されているシールリング１２Ａ，１２Ｂは、
バイトンゴムを用いており、１５０℃程度までしか耐え
られないので、シールリング近傍の冷却水通路１３Ａ，
１３Ｂに冷却水を流して、常に１５０℃以下に保つよう
になっている。
スを導入すると、反応ガスは内部反応管２Ｂとボート９
間を下方から上方へ流れ、次いで外，内部反応管２Ａ，
２Ｂ間を上方から下方へ流れて、排気管７より排気さ
れ、ウェーハ８がヒータ１により５００〜８００℃に加
熱されて、ウェーハ８にＣＶＤ膜が生成される。なお、
インレットアダプタ４と外部反応管２Ａ間及びインレッ
トアダプタ４とシールキャップ１１間に気密を保持する
ために介挿されているシールリング１２Ａ，１２Ｂは、
バイトンゴムを用いており、１５０℃程度までしか耐え
られないので、シールリング近傍の冷却水通路１３Ａ，
１３Ｂに冷却水を流して、常に１５０℃以下に保つよう
になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、シールリング１２Ａ，１２Ｂを冷却するため、イン
レットアダプタ４及びシールキャップ１１の冷却水通路
１３Ａ，１３Ｂに冷却水を流しているので、反応室３の
炉口部、即ちインレットアダプタ４及びシールキャップ
１１、特にインレットアダプタ４のガス導入管６付近
に、１５０℃以下の低温で生成される副生成物が付着
し、パーティクルの発生原因となり、又、温度が低い部
分で、反応ガスが導入されるため、反応ガスの拡散が遅
れ、成膜均一性を悪化させるという課題がある。
は、シールリング１２Ａ，１２Ｂを冷却するため、イン
レットアダプタ４及びシールキャップ１１の冷却水通路
１３Ａ，１３Ｂに冷却水を流しているので、反応室３の
炉口部、即ちインレットアダプタ４及びシールキャップ
１１、特にインレットアダプタ４のガス導入管６付近
に、１５０℃以下の低温で生成される副生成物が付着
し、パーティクルの発生原因となり、又、温度が低い部
分で、反応ガスが導入されるため、反応ガスの拡散が遅
れ、成膜均一性を悪化させるという課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、反応室３内にウェーハ８を挿入し、
該ウェーハ８をヒータ１で加熱しながら反応ガスを流通
させてウェーハ８にＣＶＤ膜を生成する減圧ＣＶＤ装置
において、前記反応室３の炉口部に、これを所定温度以
上に保持する第２のヒータ１４を設けることを特徴とす
る。
題を解決するため、反応室３内にウェーハ８を挿入し、
該ウェーハ８をヒータ１で加熱しながら反応ガスを流通
させてウェーハ８にＣＶＤ膜を生成する減圧ＣＶＤ装置
において、前記反応室３の炉口部に、これを所定温度以
上に保持する第２のヒータ１４を設けることを特徴とす
る。
【０００７】
【作 用】上記のような構成であるから、反応室３の炉
口部が第２のヒータ１４により所定温度以上に加熱され
て高温に維持されるので、反応室３の炉口部に低温で生
成される副生成物が生成し付着することが防止され、パ
ーティクルの発生が抑制されることになる。又、ガス導
入管が設けられている炉口部が加熱され、高温部分で反
応ガスが導入されるため、反応ガスの拡散が速やかに行
われ、成膜均一性を向上させることができることにな
る。
口部が第２のヒータ１４により所定温度以上に加熱され
て高温に維持されるので、反応室３の炉口部に低温で生
成される副生成物が生成し付着することが防止され、パ
ーティクルの発生が抑制されることになる。又、ガス導
入管が設けられている炉口部が加熱され、高温部分で反
応ガスが導入されるため、反応ガスの拡散が速やかに行
われ、成膜均一性を向上させることができることにな
る。
【０００８】
【実施例】図１は本発明装置の１実施例の構成を示す縦
断面図である。図１において１はウェーハ加熱用のヒー
タ、２Ａ，２Ｂはそれぞれヒータ１内に同心状に収設さ
れた外，内部反応管、４はインレットアダプタで、外，
内部反応管２Ａ，２Ｂと共に反応室３を形成する。イン
レットアダプタ４の上端に、外部反応管２Ａがシールリ
ング１２Ａを介して載置され、インレットアダプタ４の
内側突起部５に、内部反応管２Ｂが載置されている。イ
ンレットアダプタ４の２箇所に、内部反応管２Ｂ内に反
応ガスを導入するガス導入管６及び外，内部反応管２
Ａ，２Ｂ間を通って反応ガスを排気する排気管７が設け
られている。
断面図である。図１において１はウェーハ加熱用のヒー
タ、２Ａ，２Ｂはそれぞれヒータ１内に同心状に収設さ
れた外，内部反応管、４はインレットアダプタで、外，
内部反応管２Ａ，２Ｂと共に反応室３を形成する。イン
レットアダプタ４の上端に、外部反応管２Ａがシールリ
ング１２Ａを介して載置され、インレットアダプタ４の
内側突起部５に、内部反応管２Ｂが載置されている。イ
ンレットアダプタ４の２箇所に、内部反応管２Ｂ内に反
応ガスを導入するガス導入管６及び外，内部反応管２
Ａ，２Ｂ間を通って反応ガスを排気する排気管７が設け
られている。
【０００９】シールキャップ１１上に、多数枚のウェー
ハ８を保持するボート９を載せた石英キャップ１０が設
置され、シールリング１２Ａ，１２Ｂに近接するインレ
ットアダプタ４及びシールキャップ１１の部分に、それ
ぞれ冷却水通路１３Ａ，１３Ｂが設けられている。反応
室３の炉口部、即ちインレットアダプタ４及びシールキ
ャップ１１に、それぞれ所定温度、例えば２００〜２５
０℃以上に保持する第２のヒータ１４及び第３のヒータ
１５が設けられ、又、インレットアダプタ４の下端に、
シールキャップ１１がシールリング１２Ｂを介して開閉
可能に密閉される。
ハ８を保持するボート９を載せた石英キャップ１０が設
置され、シールリング１２Ａ，１２Ｂに近接するインレ
ットアダプタ４及びシールキャップ１１の部分に、それ
ぞれ冷却水通路１３Ａ，１３Ｂが設けられている。反応
室３の炉口部、即ちインレットアダプタ４及びシールキ
ャップ１１に、それぞれ所定温度、例えば２００〜２５
０℃以上に保持する第２のヒータ１４及び第３のヒータ
１５が設けられ、又、インレットアダプタ４の下端に、
シールキャップ１１がシールリング１２Ｂを介して開閉
可能に密閉される。
【００１０】上記構成の本実施例において、ガス導入管
６から反応ガスを導入すると、反応ガスは内部反応管２
Ｂとボート９間を下方から上方へ流れ、次いで外，内部
反応管２Ａ，２Ｂ間を上方から下方へ流れて、排気管７
より排気され、ウェーハ８がヒータ１により加熱され
て、ウェーハ８にＣＶＤ膜が生成される。この際、シー
ルリング１２Ａ，１２Ｂは、冷却水通路１３Ａ，１３Ｂ
に冷却水を流通することにより冷却して耐熱性を向上し
ている。
６から反応ガスを導入すると、反応ガスは内部反応管２
Ｂとボート９間を下方から上方へ流れ、次いで外，内部
反応管２Ａ，２Ｂ間を上方から下方へ流れて、排気管７
より排気され、ウェーハ８がヒータ１により加熱され
て、ウェーハ８にＣＶＤ膜が生成される。この際、シー
ルリング１２Ａ，１２Ｂは、冷却水通路１３Ａ，１３Ｂ
に冷却水を流通することにより冷却して耐熱性を向上し
ている。
【００１１】しかし、反応室３のインレットアダプタ４
及びシールキャップ１１、特にインレットアダプタ４の
ガス導入管６付近に、冷却水による冷却で低温となり、
副生成物が生成して付着し、パーティクルの発生原因と
なる。そこで、シールリング１２Ａ，１２Ｂは、カルレ
ッツ製とすることにより２５０℃まで耐熱性が高まり、
冷却水を少量にするか、止めることも可能である。例え
ば、冷却水通路１３Ａ，１３Ｂへの冷却水流量を少量に
すると共に反応室３のインレットアダプタ４及びシール
キャップ１１がそれぞれ第２，第３のヒータ１４，１５
により２００〜２５０℃以上に加熱されて高温に維持さ
れるので、反応室３のインレットアダプタ４及びシール
キャップ１１に低温で生成される副生成物が生成し付着
することが防止され、パーティクルの発生が抑制される
ことになる。又、加熱されて高温に保持されるインレッ
トアダプタ４のガス導入管６より反応ガスが導入される
ため、反応ガスの拡散が速やかに行われ、成膜均一性を
向上させることができることになる。
及びシールキャップ１１、特にインレットアダプタ４の
ガス導入管６付近に、冷却水による冷却で低温となり、
副生成物が生成して付着し、パーティクルの発生原因と
なる。そこで、シールリング１２Ａ，１２Ｂは、カルレ
ッツ製とすることにより２５０℃まで耐熱性が高まり、
冷却水を少量にするか、止めることも可能である。例え
ば、冷却水通路１３Ａ，１３Ｂへの冷却水流量を少量に
すると共に反応室３のインレットアダプタ４及びシール
キャップ１１がそれぞれ第２，第３のヒータ１４，１５
により２００〜２５０℃以上に加熱されて高温に維持さ
れるので、反応室３のインレットアダプタ４及びシール
キャップ１１に低温で生成される副生成物が生成し付着
することが防止され、パーティクルの発生が抑制される
ことになる。又、加熱されて高温に保持されるインレッ
トアダプタ４のガス導入管６より反応ガスが導入される
ため、反応ガスの拡散が速やかに行われ、成膜均一性を
向上させることができることになる。
【００１２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、反応室の
炉口部を第２のヒータにより加熱して高温に保持するこ
とにより該炉口部に副生成物を生成し付着するのを防止
でき、パーティクルの発生を抑制することができると共
に、高温に保持される炉口部のガス導入部より反応ガス
が導入されることにより反応ガスの拡散を速やかに行
い、ウェーハの面内膜厚均一性を向上することができ
る。
炉口部を第２のヒータにより加熱して高温に保持するこ
とにより該炉口部に副生成物を生成し付着するのを防止
でき、パーティクルの発生を抑制することができると共
に、高温に保持される炉口部のガス導入部より反応ガス
が導入されることにより反応ガスの拡散を速やかに行
い、ウェーハの面内膜厚均一性を向上することができ
る。
【図１】本発明装置の１実施例の構成を示す縦断面図で
ある。
ある。
１ ヒータ ２Ａ 外部反応管 ２Ｂ 内部反応管 ３ 反応室 ４ インレットアダプタ ５ 内側突起部 ６ ガス導入管 ７ 排気管 ８ ウェーハ ９ ボート １０ 石英キャップ １１ シールキャップ １２Ａ，１２Ｂ シールリング １３Ａ，１３Ｂ 冷却水通路 １４ 第２のヒータ １５ 第３のヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内にウェーハを挿入し、該ウェー
ハをヒータで加熱しながら反応ガスを流通させてウェー
ハにＣＶＤ膜を生成する減圧ＣＶＤ装置において、前記
反応室の炉口部に、これを所定温度以上に保持する第２
のヒータを設けることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 炉口部を開閉するシールキャップに、第
３のヒータを設けることを特徴とする請求項１の減圧Ｃ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092694A JPH0864532A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092694A JPH0864532A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864532A true JPH0864532A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16432584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20092694A Pending JPH0864532A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795143B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20092694A patent/JPH0864532A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795143B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-09-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| US8367530B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| JPWO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-07-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US9587313B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-03-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium |
| WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| JP2015097270A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-05-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム。 |
| US20150140835A1 (en) * | 2012-07-30 | 2015-05-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| JP5792390B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US9816182B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium |
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