JPH0864407A - Manufacture of resistance part - Google Patents

Manufacture of resistance part

Info

Publication number
JPH0864407A
JPH0864407A JP6202000A JP20200094A JPH0864407A JP H0864407 A JPH0864407 A JP H0864407A JP 6202000 A JP6202000 A JP 6202000A JP 20200094 A JP20200094 A JP 20200094A JP H0864407 A JPH0864407 A JP H0864407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
resistor
substrate
resistance value
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6202000A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Nakao
恵一 中尾
Ryo Kimura
涼 木村
Fumio Tanaka
文雄 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP6202000A priority Critical patent/JPH0864407A/en
Publication of JPH0864407A publication Critical patent/JPH0864407A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE: To reduce irregularity of resistance value and to acquire a specified resistance value readily without processing of a resistor itself such as laser trimming by reducing irregularity of resistance value when manufacturing a plurality of resistance parts inside a substrate. CONSTITUTION: A first electrode 13a and a second electrode 13b are formed on a substrate 12 to make a length of a resistor formed therebetween shorter in a peripheral part of a substrate than in a substrate central part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器、抵抗
ネットワーク、コンデンサやコイルと複合化された抵抗
部品やハイブリッドICの抵抗等に利用される抵抗部品
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a rectangular chip resistor, a resistor network, a resistor component combined with a capacitor or a coil, a resistor component used for a resistor of a hybrid IC, or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハイブリッドIC、チップ抵抗等
の抵抗部品に対して円高等の影響により以前に増してコ
ストダウンの要求が強くなってきている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for cost reductions for resistance components such as hybrid ICs and chip resistors due to the influence of the yen's appreciation.

【0003】以下に従来の角形チップ抵抗器を例にとり
説明する。図10(a)、図10(b)は従来のチップ
抵抗部品を示すものであり、分かりやすくするため抵抗
体の保護層や実装用の外部電極は省略して示している。
A conventional rectangular chip resistor will be described below as an example. 10 (a) and 10 (b) show a conventional chip resistance component, and a protective layer of a resistor and an external electrode for mounting are omitted for clarity.

【0004】図10(a)、図10(b)において1は
抵抗体、2はセラミック等からなる基板、3a,3bは
第1,第2の電極である。図10(a)において、抵抗
体1の両端は第1の電極3a、第2の電極3bの上部に
形成されており、図10(b)において、抵抗体1の両
端は第1の電極3a、第2の電極3bの下に埋め込まれ
て形成されている。こうして抵抗部品は、必要に応じて
図10(a)や図10(b)の構造を選択することがで
きる。
In FIGS. 10 (a) and 10 (b), 1 is a resistor, 2 is a substrate made of ceramic or the like, and 3a and 3b are first and second electrodes. In FIG. 10A, both ends of the resistor 1 are formed above the first electrode 3a and the second electrode 3b, and in FIG. 10B, both ends of the resistor 1 are formed on the first electrode 3a. , And is formed under the second electrode 3b. In this way, as the resistance component, the structure shown in FIGS. 10A and 10B can be selected as needed.

【0005】次に、図11〜図13を用いて、1枚の基
板から複数個の抵抗体部品を製造する様子を説明する。
図11において、2はセラミック等からなる基板であ
り、この基板2の内部には複数のブレークライン4が縦
横に形成されている。この基板2の上に図12に示すよ
うに複数個の第1の電極3a、第2の電極3bが形成さ
れる。更に、図13に示すように複数の第1の電極3a
と第2の電極3bを接続するように抵抗体1が形成され
る。最後に抵抗体1をレーザートリミングすることで抵
抗値を調整し、表面に保護層を形成し、ブレークライン
4で個片に分割し、外部電極を形成することで図10
(a)、図10(b)に示したような角形チップ抵抗部
品を製造することができる。なお、図12において、抵
抗体1の下に第1の電極3a、第2の電極3bが形成さ
れるため、でき上がった抵抗部品は、図10(a)に相
当のものになる。
Next, with reference to FIGS. 11 to 13, the manner of manufacturing a plurality of resistor components from one substrate will be described.
In FIG. 11, reference numeral 2 is a substrate made of ceramic or the like, and a plurality of break lines 4 are vertically and horizontally formed inside the substrate 2. A plurality of first electrodes 3a and second electrodes 3b are formed on the substrate 2 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 13, a plurality of first electrodes 3a
The resistor 1 is formed so as to connect to the second electrode 3b. Finally, the resistance value is adjusted by laser trimming the resistor 1, a protective layer is formed on the surface, and the break line 4 is divided into individual pieces to form external electrodes.
The rectangular chip resistor component as shown in FIGS. 10A and 10B can be manufactured. Since the first electrode 3a and the second electrode 3b are formed under the resistor 1 in FIG. 12, the completed resistance component corresponds to that of FIG. 10 (a).

【0006】図14は、図13のサンプルの抵抗値を基
板内で測定し、その分布を示したものであり、レーザー
トリミングする前である。図12より、基板2の中央に
形成された抵抗体1の方が周辺部に形成されたものに比
較して5%〜10%程度低くなっていることがわかる。
しかし通常はこの後、レーザートリミングを行うためこ
の抵抗値のバラツキは問題にならない。
FIG. 14 shows the distribution of the resistance value of the sample shown in FIG. 13 measured in the substrate before laser trimming. It can be seen from FIG. 12 that the resistor 1 formed in the center of the substrate 2 is lower by about 5% to 10% than the resistor 1 formed in the peripheral portion.
However, since the laser trimming is usually performed after this, the variation in the resistance value is not a problem.

【0007】ここで言うトリミングとは、抵抗体1自体
を加工することで抵抗値を変化させるものであり、主に
レーザートリミング方法や希にはブラストトリミング方
法が実用化されている。しかしこのトリミング方法は、
抵抗値を高い方向にしか調整できない。このため、実際
は抵抗体1のバラツキを考慮して初期抵抗値は大幅に低
いものに設定した後、大きくトリミングすることが行わ
れている。
The trimming referred to here is to change the resistance value by processing the resistor 1 itself, and a laser trimming method and rarely a blast trimming method have been put into practical use. But this trimming method
The resistance value can be adjusted only in the high direction. For this reason, in practice, the initial resistance value is set to a significantly low value in consideration of variations in the resistor 1, and then trimming is performed largely.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成では
抵抗値を低めに設定しておき、レーザートリミングする
ことにより目的とする抵抗値に調整していた。このため
レーザートリミングコストが発生すると同時に、レーザ
ートリミング時に抵抗体1にマイクロクラックが発生し
て、ノイズ特性が劣化したり、信頼性が低くなったりし
ていた。また抵抗値を高い方向にしか調整できないた
め、必然的にトリミング量が大きくなりレーザートリミ
ングコストがかかっていた。
In the above-mentioned conventional structure, the resistance value is set to a low value and the target resistance value is adjusted by laser trimming. For this reason, laser trimming cost is generated, and at the same time, microcracks are generated in the resistor 1 during laser trimming, which deteriorates noise characteristics and reduces reliability. Further, since the resistance value can be adjusted only in the high direction, the trimming amount is inevitably increased and the laser trimming cost is required.

【0009】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、レーザートリミングする前の抵抗体の抵抗値のバラ
ツキを低減することにより、レーザートリミング量を低
減したり、レーザートリミングなしでも所定の抵抗値が
得られる抵抗部品を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. By reducing the variation in the resistance value of the resistor before laser trimming, the amount of laser trimming can be reduced or a predetermined resistance can be obtained without laser trimming. It is an object to provide a resistance component that can obtain a value.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗部品の製造方法は、基板上に設けた第1
の電極及び第2の電極と、この第1と第2の電極を接続
する抵抗体とからなる抵抗部品を前記基板上に複数個製
造する際に、前記第1の電極と前記第2の電極との間隔
を、前記基板の中央部では周辺部に比べて0.2%以上
20%以下の範囲で長くなるように形成し、この第1と
第2の電極間に接続するように抵抗体を形成した後、個
片に分割するものである。
In order to achieve this object, a method of manufacturing a resistance component according to the present invention includes a first method provided on a substrate.
When manufacturing a plurality of resistance components on the substrate, each of which includes a first electrode and a second electrode, and a resistor that connects the first and second electrodes, the first electrode and the second electrode Is formed in the central part of the substrate so as to be longer than the peripheral part in the range of 0.2% or more and 20% or less, and the resistor body is connected between the first and second electrodes. After being formed, it is divided into individual pieces.

【0011】[0011]

【作用】この方法によって、レーザートリミングをする
前に基板内の抵抗値バラツキを低減でき、レーザートリ
ミング量を少なくできひいてはレーザートリミング自体
も省略化することもできる。
According to this method, it is possible to reduce the variation in the resistance value in the substrate before laser trimming, reduce the amount of laser trimming, and even omit laser trimming itself.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の第1の実施例における抵抗
部品の製造方法の一例を示すものであり、図1におい
て、表面に縦横にブレークライン14が形成されたセラ
ミック等からなる大判の基板12の上に斜線で示した第
1の電極13aと第2の電極13bが形成されている。
図1から、基板12上に設けた第1の電極13aと第2
の電極13bとの間隔が、基板の中央部では周辺部に比
べて0.2%以上20%以下の範囲で長く形成されるこ
とになる。
FIG. 1 shows an example of a method of manufacturing a resistance component according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a large-sized substrate made of ceramic or the like having break lines 14 formed on its surface in vertical and horizontal directions. A first electrode 13a and a second electrode 13b, which are indicated by hatching, are formed on the reference numeral 12.
From FIG. 1, the first electrode 13a and the second electrode 13a provided on the substrate 12
The distance between the electrode 13b and the electrode 13b is longer in the range of 0.2% or more and 20% or less in the central portion of the substrate than in the peripheral portion.

【0014】更に詳しく説明する。まず図1の形状で
1.6mm×0.8mmのチップ部品を3000個、1枚の
基板12から形成できるようにブレークライン14を形
成したアルミナ基板を作製した。この上に図1に示すよ
うに基板周辺部に比較して基板中央部では、電極間隔が
長めになるような形状に第1の電極13aと第2の電極
13bを印刷形成した。ここで電極材料には銀を用い、
印刷後に焼成することで図1相当のものを作製した。一
方、比較のため従来例として、図12に示すような形状
で同じアルミナ基板上に同様に第1の電極3aと第2の
電極3bを形成した。
A more detailed description will be given. First, an alumina substrate having the break line 14 formed so that 3000 pieces of 1.6 mm × 0.8 mm chip parts having the shape shown in FIG. 1 can be formed from one substrate 12 was produced. As shown in FIG. 1, the first electrode 13a and the second electrode 13b were formed by printing in a shape such that the electrode interval was longer in the central portion of the substrate than in the peripheral portion of the substrate. Here, silver is used as the electrode material,
By firing after printing, the one equivalent to FIG. 1 was produced. On the other hand, as a conventional example for comparison, the first electrode 3a and the second electrode 3b were similarly formed on the same alumina substrate in the shape shown in FIG.

【0015】次に抵抗体を形成する様子を図2を用いて
説明する。図2は図1を部分拡大したものであり、複数
の第1の電極13aと第2の電極13bを接続するよう
に同一の幅の抵抗体15を形成したものである。図2に
おいて、抵抗体15は第1の電極13aと第2の電極1
3bの間に挟まれて形成され、基板中央側の電極間隔を
L1、基板周辺側の電極間隔をL2とした場合、L1>
L2の関係が成り立つ。こうして本発明例は図2に示す
ように形成した。一方、従来例の試作は、図12の第1
の電極3aと第2の電極3bはその間隔が基板2の中央
部でも周辺部でも同じ長さになるように作製した。
Next, how the resistor is formed will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 1, in which a resistor 15 having the same width is formed so as to connect a plurality of first electrodes 13a and second electrodes 13b. In FIG. 2, the resistor 15 is a first electrode 13a and a second electrode 1
If the electrode spacing on the substrate center side is L1 and the electrode spacing on the substrate peripheral side is L2, then L1>
The relationship of L2 is established. Thus, the example of the present invention was formed as shown in FIG. On the other hand, the prototype of the conventional example is the first in FIG.
The electrode 3a and the second electrode 3b were manufactured so that the distance between them was the same in the central portion and the peripheral portion of the substrate 2.

【0016】図3を用いて更に説明する。図3はこうし
て作製した本発明例の抵抗部品の基板内の抵抗値バラツ
キを測定した結果である。このように本発明例では基板
中央側の第1、第2の電極間隔を基板周辺に比べて長く
形成することにより、従来例(図11参照)では基板中
央側で抵抗値が低めになるという課題があったが、図3
に示すように、本発明の抵抗部品の製造方法を用いるこ
とにより基板内の抵抗値バラツキを小さくできた。
Further explanation will be given with reference to FIG. FIG. 3 shows the results of measuring the variation in the resistance value in the substrate of the resistance component of the present invention produced in this way. As described above, in the example of the present invention, the first and second electrode intervals on the center side of the substrate are formed longer than those on the periphery of the substrate, so that in the conventional example (see FIG. 11), the resistance value is lower on the center side of the substrate. There was a problem, but Fig. 3
As shown in (1), the resistance value variation in the substrate can be reduced by using the method of manufacturing the resistance component of the present invention.

【0017】第1の電極13a、第2の電極13bのパ
ターンの設計方法を説明する。ここで、第1の電極13
a、第2の電極13bの間隔は、図13の相対抵抗値の
基板内での変化率を元にして計算することで簡単に求め
ることができる。ここで図13の相対抵抗値の変化率
は、使用するアルミナ基板の種類や反り具合、焼成炉の
温度分布や焼成温度等によってその変化率は変わるが、
製造仕様が決まればその変化の具合は一定化させられ
る。こうして、本実施例では、使用する条件に併せて第
1の電極13aと第2の電極13bの間隔を計算して求
めた。
A method of designing the patterns of the first electrode 13a and the second electrode 13b will be described. Here, the first electrode 13
The distance between a and the second electrode 13b can be easily obtained by calculating based on the rate of change of the relative resistance value in the substrate of FIG. Here, the rate of change of the relative resistance value in FIG. 13 varies depending on the type and warp of the alumina substrate used, the temperature distribution of the firing furnace, the firing temperature, etc.
Once the manufacturing specifications are decided, the degree of change can be stabilized. Thus, in this example, the distance between the first electrode 13a and the second electrode 13b was calculated and calculated in accordance with the conditions used.

【0018】まず図12〜図13に相当する電極間隔を
一定にした従来の抵抗体を試作し、この基板内の抵抗値
分布を基板2000枚について測定したところ、99.
7%以上の基板において基板周辺部と基板中央部の抵抗
値の差は4%〜6%(図14に相当の結果)が得られ
た。
First, a conventional resistor having a constant electrode interval corresponding to FIGS. 12 to 13 was prototyped, and the resistance value distribution in this substrate was measured for 2000 substrates.
In the substrate of 7% or more, the difference in resistance between the peripheral portion of the substrate and the central portion of the substrate was 4% to 6% (result corresponding to FIG. 14).

【0019】そこでこの4%〜6%の抵抗値の差の発生
に対して、電極間隔を補正する実験を行った。実験には
ルテニウムを主体とした850℃焼成タイプの厚膜抵抗
体材料と、銀パラジウムを主体とした850℃焼成タイ
プの厚膜電極材料を用いた。まず電極間隔の変化に対し
て、どれだけの感度で抵抗値分布が変化するかを実際の
抵抗体を試作して求めた。電極間隔を5mmとして電極間
隔を0.005mm変化させた場合は、アルミナ基板表面
の粗さの影響のためか実際のサンプルでは効果は認めら
れなかった。
Therefore, an experiment was carried out to correct the electrode interval with respect to the occurrence of the difference in resistance value of 4% to 6%. In the experiment, a 850 ° C. firing type thick film resistor material mainly composed of ruthenium and an 850 ° C. firing type thick film electrode material mainly composed of silver palladium were used. First, the sensitivity of the resistance value change with the change of the electrode spacing was determined by making a prototype resistor. When the electrode spacing was changed to 5 mm and the electrode spacing was changed by 0.005 mm, no effect was observed in the actual sample, probably due to the influence of the roughness of the alumina substrate surface.

【0020】一方0.01mm変化させた場合では実際の
サンプルに明らかな変化が認められた。そこで最小調整
範囲を0.2%(つまり0.01mm/5mm)として電極
間隔を調整することとし、この電極間隔を5mm→4.5
mm→4.0mm→3.5mm→3.0mmと大きく変化させた
ところ、それに応じて抵抗値は大きく変化したが、後工
程のレーザートリミング時において問題が発生すること
があった。電極間隔が4.0mmの場合、レーザ切りしろ
は問題なかったが、3.5mm以下では切りしろが不足す
る場合があった。
On the other hand, when 0.01 mm was changed, a clear change was recognized in the actual sample. Therefore, we decided to adjust the electrode interval by setting the minimum adjustment range to 0.2% (that is, 0.01 mm / 5 mm), and this electrode interval was 5 mm → 4.5.
When a large change was made in the order of mm → 4.0 mm → 3.5 mm → 3.0 mm, the resistance value greatly changed, but a problem sometimes occurred during laser trimming in the subsequent process. When the electrode interval was 4.0 mm, the laser cutting margin was not a problem, but when it was 3.5 mm or less, the cutting margin might be insufficient.

【0021】以上を考慮した結果、電極間隔は5mmを中
心とし最小微調幅が0.01mmで±1mmの範囲(0.2
%以上20%以下)で変化させても実用上問題ないこと
がわかった。更にチップサイズを1.0mm×0.5mmか
ら6.3mm×3.2mmの範囲で変化させたが、同様に
0.2%以上20%の範囲なら後工程や特性に悪影響を
与えることはなかった。
As a result of considering the above, the electrode interval is centered at 5 mm and the minimum fine adjustment width is 0.01 mm within a range of ± 1 mm (0.2
% Or more and 20% or less), it was found that there is no problem in practice. Further, the chip size was changed in the range of 1.0 mm × 0.5 mm to 6.3 mm × 3.2 mm, but similarly, if it is in the range of 0.2% or more and 20%, it does not adversely affect the subsequent processes and characteristics. It was

【0022】以上の結果を踏まえて、抵抗値が基板内で
一定になるように電極間隔で製品を試作した。まず図1
に示すように電極間隔を基板周辺部で5%程度長く設計
したパターンを用いて基板2000枚の上に前記銀パラ
ジウム材料を用いて厚膜電極を形成した。次にこの上に
前記ルテニウム抵抗体を形成し、基板内の抵抗値を測定
したところ、基板内の抵抗値分布は、99.7%以上の
基板において基板周辺部と基板中央部の抵抗値の差を1
%程度(図3に相当の結果)におさめることができた。
次にこの基板をレーザートリミングしたところ、抵抗値
バラツキの小さい分だけレーザー加工時間を短くできコ
ストダウンも可能になった。
On the basis of the above results, a product was manufactured as a trial with electrode intervals so that the resistance value was constant in the substrate. Figure 1
A thick film electrode was formed by using the silver-palladium material on 2000 substrates using a pattern in which the electrode interval was designed to be longer by about 5% in the peripheral portion of the substrate as shown in FIG. Next, when the ruthenium resistor was formed on this and the resistance value in the substrate was measured, the resistance value distribution in the substrate was 99.7% or more of the resistance values of the peripheral portion and the central portion of the substrate. The difference is 1
% (Result corresponding to FIG. 3).
Next, when this substrate was laser-trimmed, the laser processing time could be shortened and the cost could be reduced due to the small variation in the resistance value.

【0023】次に、この基板上にガラスまたは樹脂を主
体とした保護層を印刷し、抵抗値を捺印後に基板をチッ
プ状に分割した。印刷及びメッキによって端面電極を形
成した後、分別装置によって抵抗値分別を行い、自動実
装機用にテーピングまたはバルクケースにセットし、チ
ップ抵抗器とした。こうしてできあがったチップ抵抗器
は、個々には電極間隔が0.2%以上20%以下の範囲
で変化しているにも関わらず、特性面や実装面において
は、電極間隔の一定な従来のチップ抵抗器と差はなかっ
た。
Next, a protective layer mainly containing glass or resin was printed on this substrate, and after marking the resistance value, the substrate was divided into chips. After forming the end face electrodes by printing and plating, the resistance value was separated by a separating device, and the chip resistors were set in a taping or bulk case for an automatic mounting machine. The chip resistor thus formed has a conventional electrode having a constant electrode spacing in terms of characteristics and mounting, even though the electrode spacing varies within the range of 0.2% to 20%. There was no difference with the resistor.

【0024】次に第1の電極13aと第2の電極13b
の形状について説明する。図4に示すように第1の電極
13aと第2の電極13bの形状として、抵抗体15に
対して垂直に交わる構成とし、しかも第1の電極13a
と第2の電極13bは基板12の周辺部に比べて基板1
2の中央部ではその間隔が段階的に長くなるように構成
することもできる。
Next, the first electrode 13a and the second electrode 13b
The shape of will be described. As shown in FIG. 4, the shape of the first electrode 13a and the second electrode 13b is such that the first electrode 13a and the second electrode 13b intersect perpendicularly to the resistor 15, and the first electrode 13a
The second electrode 13b and the second electrode 13b are
In the center part of 2, the interval may be gradually increased.

【0025】(実施例2)図5は本発明の第2の実施例
を示す抵抗部品の製造方法を示すものである。図5にお
いて、抵抗体15の幅を基板周辺部に比べて基板中央部
で狭くしている。一方、第1の電極13a、第2の電極
13bの間隔は一定にしていることから結果的に基板1
2内での抵抗値バラツキを低減することができる。ここ
で、抵抗体15の幅の変化率をアルミナ基板の種類やそ
の表面粗さ、電極材料や抵抗体材料の種類、焼成条件等
を数十種類色々組み合わせて適用範囲を求めたところ、
基板周辺に比べて基板中央部で0.2%以上20%以下
の範囲で抵抗体15の幅を調整することで抵抗値を一定
にできることがわかった。またこの組み合わせのなかで
も、大半は2%〜8%の範囲内に入ることがわかった。
(Embodiment 2) FIG. 5 shows a method of manufacturing a resistance component showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the width of the resistor 15 is made narrower in the central portion of the substrate than in the peripheral portion of the substrate. On the other hand, since the distance between the first electrode 13a and the second electrode 13b is constant, as a result, the substrate 1
It is possible to reduce the variation in the resistance value within 2. Here, the range of change of the width of the resistor 15 was obtained by combining dozens of types of alumina substrates and their surface roughness, types of electrode materials and resistor materials, firing conditions, etc.
It was found that the resistance value can be made constant by adjusting the width of the resistor 15 in the range of 0.2% or more and 20% or less in the central portion of the substrate as compared with the periphery of the substrate. Moreover, it was found that most of these combinations fall within the range of 2% to 8%.

【0026】また、抵抗体15の幅以外に抵抗体の厚み
を変化させてもよい。図6のように、抵抗体15の厚み
を基板周辺部に比べて基板中央部で薄くすることによっ
て、基板12内での抵抗値バラツキを低減することがで
きる。ここで、抵抗体15の厚みの変化率をアルミナ基
板の種類やその表面粗さ、電極材料や抵抗体材料の種
類、焼成条件等を数十種類色々組み合わせて適用範囲を
求めたところ、基板周辺に比べて基板中央部で0.2%
以上20%以下の範囲で抵抗体5bの厚みを調整するこ
とで抵抗値を一定にできることがわかった。またこの組
み合わせのなかでも大半は2%〜8%の範囲内に入るこ
とがわかった。
In addition to the width of the resistor 15, the thickness of the resistor may be changed. As shown in FIG. 6, by making the thickness of the resistor 15 thinner in the central portion of the substrate than in the peripheral portion of the substrate, it is possible to reduce variations in resistance value within the substrate 12. Here, the rate of change in the thickness of the resistor 15 was determined by combining dozens of types of alumina substrates and their surface roughness, types of electrode materials and resistor materials, firing conditions, etc. 0.2% in the center of the board compared to
It was found that the resistance value can be made constant by adjusting the thickness of the resistor 5b within the range of 20% or less. It was also found that most of the combinations fall within the range of 2% to 8%.

【0027】(実施例3)図7は本発明の第3の実施例
を示す抵抗部品の構造を示すものであり、図7(a)は
斜視図、図7(b)は完成品の断面図である。図7にお
いて、16はアジャスト電極、17は端面電極、18は
保護層であり、図7(a)においては、保護層18と端
面電極17は省略している。
(Embodiment 3) FIG. 7 shows the structure of a resistance component showing a third embodiment of the present invention. FIG. 7 (a) is a perspective view and FIG. 7 (b) is a sectional view of a finished product. It is a figure. In FIG. 7, 16 is an adjust electrode, 17 is an end face electrode, and 18 is a protective layer. In FIG. 7A, the protective layer 18 and the end face electrode 17 are omitted.

【0028】図7において、第1の電極13aとアジャ
スト電極16の間隔を調整することで、抵抗体15の抵
抗値をレーザートリミングしなくても所定値に設定でき
る。
In FIG. 7, by adjusting the distance between the first electrode 13a and the adjusting electrode 16, the resistance value of the resistor 15 can be set to a predetermined value without laser trimming.

【0029】ここでアジャスト電極16の材料として
は、銀、パラジウム、金、白金等の厚膜導体や、それ以
外に薄膜導体としてこれら金属を蒸着やスパッタで2μ
m未満の薄膜で形成することもできる。また、金、ニッ
ケル、パラジウム等の有機金属インキを印刷した後、焼
成して薄膜導体材料とすることもできる。
Here, as the material of the adjusting electrode 16, a thick film conductor such as silver, palladium, gold, platinum, etc., or other metal as a thin film conductor is formed by vapor deposition or sputtering to a thickness of 2 μm.
It can also be formed of a thin film having a thickness of less than m. Further, it is also possible to print an organic metal ink such as gold, nickel, palladium or the like and then fire it to obtain a thin film conductor material.

【0030】また、金属薄膜を直接基板に張り付けた
り、溶射したりあるいはメッキ等で形成することもでき
る。これらの電極材料のパターニングは、基板上に所定
形状にフォトリソ技術を用いることで高精度に形成でき
る。
Alternatively, the metal thin film may be directly attached to the substrate, sprayed, or formed by plating or the like. The patterning of these electrode materials can be highly accurately formed on the substrate by using a photolithography technique.

【0031】こうして、一枚の基板12の上に例えば1
00mm角以上のセラミック基板の上に1.0mm×0.5
mm以下の小さな抵抗部品を一度に1万個以上作成するこ
とができる。ここで、予め基板内の抵抗体の焼成等によ
る図13に相当のその抵抗値分布を予め測定しておき、
その抵抗値が基板内で、図3に示すように一定になるよ
うに第1の電極13aとアジャスト電極16の間隔を補
正しておくことができる。
Thus, for example, 1
1.0mm × 0.5 on a ceramic substrate of 00mm square or more
It is possible to make 10,000 or more small resistance parts of mm or less at a time. Here, the resistance value distribution corresponding to FIG. 13 due to firing of the resistors in the substrate is measured in advance,
The distance between the first electrode 13a and the adjustment electrode 16 can be corrected so that the resistance value becomes constant within the substrate as shown in FIG.

【0032】次に図8を用いて、実施例3(図7)に相
当の抵抗部品の製造方法について、説明する。図8は、
図7に相当の抵抗部品の製造方法の一例を示すものであ
り、図8において、抵抗体15は第1の電極13aの上
に覆いかぶさってアジャスト電極16の下に潜り込んだ
状態で、接続されている。また図8において、基板中央
側の第1の電極13aとアジャスト電極16の間隔をL
3、基板周辺側の第1の電極13aとアジャスト電極1
6の間隔をL4とした場合、L3>L4の関係が成り立
つ。こうすることで、図3に示したように抵抗部品の基
板内の抵抗値バラツキを小さくできる。
Next, with reference to FIG. 8, a method of manufacturing a resistance component corresponding to the third embodiment (FIG. 7) will be described. Figure 8
FIG. 7 shows an example of a method of manufacturing a corresponding resistance component. In FIG. 8, the resistor 15 is connected in a state of covering the first electrode 13a and submerged under the adjustment electrode 16. ing. In FIG. 8, the distance between the first electrode 13a on the substrate center side and the adjustment electrode 16 is L.
3, the first electrode 13a on the substrate peripheral side and the adjustment electrode 1
When the interval of 6 is L4, the relationship of L3> L4 is established. By doing so, it is possible to reduce the variation in the resistance value of the resistance component in the substrate as shown in FIG.

【0033】また、本実施例の場合、第1の電極13a
とアジャスト電極16は別々の工程で形成するため、L
3>L4の関係を保ったままで、前記第1の電極13a
とアジャスト電極16の間隔を例えば0.4mm→0.4
2mm→0.44mm→0.46mmと自由に設定できる。こ
うして、抵抗値を0.4mmの時を100とすると、0.
42mmの時で105、0.44mmの時で110、0.4
6mmの時で115と変化させられる。この原理を用いる
ことで、レーザートリミングすることなく基板全体の抵
抗部品を一括処理でアジャスト電極16の形成する位置
(抵抗体15との重なり長さ)を変化させることで、抵
抗値を調整することができる。
In the case of this embodiment, the first electrode 13a
Since the adjustment electrode 16 and the adjustment electrode 16 are formed in separate steps,
While maintaining the relation of 3> L4, the first electrode 13a
The distance between the adjusting electrode 16 and the adjusting electrode 16 is, for example, 0.4 mm → 0.4
It can be freely set from 2 mm to 0.44 mm to 0.46 mm. Thus, assuming that the resistance value is 0.4 mm as 100, 0.
105 at 42 mm, 110, 0.4 at 0.44 mm
It can be changed to 115 at 6 mm. By using this principle, it is possible to adjust the resistance value by changing the position (overlap length with the resistor 15) where the adjustment electrode 16 is formed in a batch process of the resistance component of the entire substrate without laser trimming. You can

【0034】次に本実施例の抵抗部品の製造方法につい
て、抵抗値1.5KΩのチップ抵抗部品の試作例を用い
て詳しく説明する。
Next, the method of manufacturing the resistance component of the present embodiment will be described in detail with reference to a prototype of a chip resistance component having a resistance value of 1.5 KΩ.

【0035】まず第1の電極13aとしては市販のセラ
ミックコンデンサ用電極材料をもとに高温焼成用銀パラ
ジウムインキを試作した。これをブレークライン付きの
アルミナ基板上に印刷し、乾燥後、950℃で焼成し
た。焼成後の電極厚みは5μmであった。次にこの上に
抵抗体インキを印刷した。この抵抗体インキは市販の8
50℃焼成タイプの厚膜抵抗体インキを10.0KΩ/
□になるようにブレンドし、これを印刷乾燥後、850
℃で焼成して抵抗体15を形成した。ここで抵抗体15
のシート抵抗を測定したところ、11.3KΩ/□であ
った。なおここで、10KΩ/□の抵抗体インキを選ん
だ理由は、その抵抗値領域の抵抗体インキが材料的な面
から他の低抵抗や高抵抗に比較してより抵抗値バラツキ
が大きくなるためである。
First, as the first electrode 13a, a silver-palladium ink for high-temperature firing was experimentally manufactured based on a commercially available electrode material for ceramic capacitors. This was printed on an alumina substrate with a break line, dried, and then baked at 950 ° C. The electrode thickness after firing was 5 μm. Next, a resistor ink was printed on this. This resistor ink is a commercially available 8
50K ℃ type thick film resistor ink 10.0KΩ /
Blend so that it becomes □, print and dry it, then 850
The resistor 15 was formed by firing at ° C. Resistor 15
The sheet resistance of was measured to be 11.3 KΩ / □. The reason for selecting the resistor ink of 10 KΩ / □ is that the resistor ink in the resistance value region has a larger variation in the resistance value than other low resistance and high resistance materials. Is.

【0036】そこで計算によって抵抗体15の長さを求
めた結果、L=0.43mmに設定した場合に15KΩが
得られることがわかったので、この仕様でアジャスト電
極16を形成した。ここで計算には、予め実験的に第1
の電極13aと抵抗体15の重なり部分やアジャスト電
極16のニジミ等の影響を求め、計算式に補正係数とし
て加味したものを用いた。またアジャスト電極16には
抵抗体15の再焼成による抵抗値変動を防止するために
400℃焼成の有機金属インキを用いた。
Then, as a result of obtaining the length of the resistor 15 by calculation, it was found that 15 KΩ was obtained when L = 0.43 mm was set. Therefore, the adjust electrode 16 was formed with this specification. In the calculation here, the first experimentally
The influence of the overlapped portion of the electrode 13a and the resistor 15 and the blurring of the adjustment electrode 16 was obtained, and the correction coefficient was added to the calculation formula. Further, for the adjustment electrode 16, an organic metal ink fired at 400 ° C. was used in order to prevent the resistance value from fluctuating due to re-fired of the resistor 15.

【0037】その後、抵抗体15の上に樹脂を主体とし
た保護層及び外部電極を300℃以下で形成した。こう
してでき上がったチップ状抵抗部品の抵抗値を測定した
結果、計算通りの15KΩが得られレーザートリミング
を行う必要がなかった。
After that, a protective layer composed mainly of resin and an external electrode were formed on the resistor 15 at 300 ° C. or lower. As a result of measuring the resistance value of the chip-shaped resistance component thus formed, 15 KΩ as calculated was obtained, and it was not necessary to perform laser trimming.

【0038】次に求める抵抗値を100Ωから1MΩま
で変化させて同様にチップ抵抗部品を試作したが、同様
の結果が得られた。更に抵抗体材料組成の面からも、よ
り抵抗値バラツキが小さくなる結果が得られた。
Next, the chip resistance component was similarly prototyped by changing the resistance value to be obtained from 100Ω to 1MΩ, and similar results were obtained. Further, in terms of the composition of the resistor material, the result that the variation in the resistance value is further reduced was obtained.

【0039】更に抵抗体インキのブレンドの違いやロッ
ト、更に焼成炉や印刷機、アルミナ基板、チップサイズ
等の変動要因についても調べたが、本実施例の場合で
は、抵抗体が形成された後で抵抗値を命中させるため、
これらの変動要因は抵抗値に影響を与えなかった。また
使用するアルミナ基板は、99.9%アルミナ以外に9
9%、96%アルミナであっても特に問題はなかった。
Further, the difference in the blending of the resistor ink, the lot, and the variation factors such as the firing furnace, the printing machine, the alumina substrate, and the chip size were also investigated. In the case of this embodiment, after the resistor was formed. In order to hit the resistance value with,
These fluctuation factors did not affect the resistance value. Alumina substrates used are 99.9% alumina and 9
There was no particular problem even with 9% and 96% alumina.

【0040】次に比較のため、図10(a)、図10
(b)に示す従来の構造のものを、基板、電極材料、抵
抗体材料を本実施例と同じものを用いて試作した。また
抵抗体インキに関しては、そのブレンドを変えてみた。
そしてでき上ったものの抵抗値を測定すると、抵抗値は
7KΩ〜19KΩであり、目的とする15KΩから離れ
たものが多数得られた。この結果を図示したところ、図
13に相当の結果が得られた。そこで15KΩより抵抗
値の低いものは、レーザートリミングによって15KΩ
に調整した。
Next, for comparison, FIG. 10 (a) and FIG.
The conventional structure shown in (b) was prototyped using the same substrate, electrode material, and resistor material as in this example. Regarding the resistor ink, I changed the blend.
When the resistance value of the finished product was measured, the resistance value was 7 KΩ to 19 KΩ, and a large number of those separated from the target 15 KΩ were obtained. When this result is illustrated, a considerable result is obtained in FIG. Therefore, if the resistance value is lower than 15 KΩ, it is 15 KΩ by laser trimming.
Adjusted to.

【0041】しかし、目的とする15KΩより高いもの
に関してはレーザートリミング加工ができず、不良とな
りコストを高めた。またレーザートリミングを行ったも
のは、経時変化が生じノイズ特性が悪かった。またこの
抵抗値の変動原因を解析したところ、焼成炉の違いや印
刷機等のその要因であることがわかり、抵抗体の寸法や
厚みを高精度に形成してもこの抵抗値の変動を抑えられ
ないことがわかった。
However, laser trimming cannot be performed for the target having a value higher than 15 KΩ, resulting in a defect and an increase in cost. In addition, the laser-trimmed product deteriorated over time and had poor noise characteristics. In addition, analysis of the cause of this resistance value variation revealed that it was due to differences in firing furnaces and printers, etc., and this resistance value variation was suppressed even if the resistor dimensions and thickness were formed with high precision. I knew I couldn't.

【0042】一方、本実施例によって作製したものは、
基板内の抵抗値バラツキを図示したところ、図3に相当
のものが得られ、更に第1の電極13aとアジャスト電
極16の間隔を長くしたり短くすることで、抵抗値バラ
ツキを抑えたまま抵抗値を調整できた。こうして、15
KΩのものを高歩留まりで製造することができた。
On the other hand, the one manufactured according to this embodiment is
The variation in the resistance value in the substrate is shown in FIG. 3, and a value equivalent to that in FIG. 3 is obtained. Further, by increasing or decreasing the interval between the first electrode 13a and the adjusting electrode 16, the resistance value is suppressed while suppressing the variation in the resistance value. I was able to adjust the value. Thus, 15
It was possible to manufacture KΩ with a high yield.

【0043】なお、本実施例においてレーザートリミン
グを行う場合でも、本実施例の場合は抵抗値バラツキの
小さい状態からレーザートリミングすることになり、レ
ーザートリミング量を少なくでき抵抗体15の切りしろ
も小さくできることでより高性能の抵抗部品を製造する
ことができる。
Even when the laser trimming is performed in the present embodiment, in the present embodiment, the laser trimming is started from the state in which the variation in the resistance value is small, so that the laser trimming amount can be reduced and the cutting margin of the resistor 15 is also small. By doing so, it is possible to manufacture a higher performance resistance component.

【0044】(実施例4)次に本発明の実施例4とし
て、図9を用いて抵抗値の高精度調整の一例について説
明する。図9は抵抗値をより高精度に調整できる抵抗部
品を示すものである。図9において、抵抗体15は第1
の電極13aに接する側よりアジャスト電極16に接す
る側で幅広に形成している。このように抵抗体15のパ
ターンを変化させることで、アジャスト電極16の形成
位置による抵抗値の調整を高精度にできる。
(Fourth Embodiment) Next, as a fourth embodiment of the present invention, an example of highly accurate adjustment of the resistance value will be described with reference to FIG. FIG. 9 shows a resistance component whose resistance value can be adjusted with higher accuracy. In FIG. 9, the resistor 15 is the first
Is formed wider on the side contacting the adjusting electrode 16 than on the side contacting the electrode 13a. By changing the pattern of the resistor 15 in this manner, the resistance value can be adjusted with high accuracy depending on the position where the adjust electrode 16 is formed.

【0045】また図9に示すように、基板中央側の第1
の電極13aとアジャスト電極16の間隔をL3、基板
周辺側の第1の電極13aとアジャスト電極16の間隔
をL4とした場合、L3>L4の関係が成り立つ。こう
することで、図3に示したように抵抗部品の基板内の抵
抗値バラツキを小さくできる。
Further, as shown in FIG. 9, the first side of the substrate center side
When the distance between the electrode 13a and the adjusting electrode 16 is L3 and the distance between the first electrode 13a on the substrate peripheral side and the adjusting electrode 16 is L4, the relationship of L3> L4 is established. By doing so, it is possible to reduce the variation in the resistance value of the resistance component in the substrate as shown in FIG.

【0046】また、本実施例の場合も実施例3と同様
に、第1の電極13aとアジャスト電極16は別々の工
程で形成するため、L3>L4の関係を保ったままで前
記第1の電極13aとアジャスト電極16の間隔を例え
ば0.4mm→0.42mm→0.44mm→0.46mmと自
由に設定できる。こうすると、抵抗体15の幅を部分的
に変化させているため抵抗値を0.4mmの時を100と
すると、0.42mmの時で102、0.44mmの時で1
04、0.46mmの時で106と変化させられる。こう
して、実施例3に比較してより高精度で抵抗値を所定値
に調整することができる。この原理を用いることで、レ
ーザートリミングすることなく基板全体の抵抗部品を一
括処理でアジャスト電極16の形成する位置(抵抗体1
5との重なり長さ)を変化させることで、抵抗値をより
高精度に調整することができる。
Also, in the case of this embodiment, as in the case of the third embodiment, the first electrode 13a and the adjusting electrode 16 are formed in separate steps, so that the first electrode 13a is maintained while maintaining the relationship of L3> L4. The distance between 13a and the adjusting electrode 16 can be freely set, for example, 0.4 mm → 0.42 mm → 0.44 mm → 0.46 mm. By doing so, the width of the resistor 15 is partially changed, so that when the resistance value is 0.4 mm, the resistance value is 100. When the resistance value is 0.42 mm, the resistance value is 102.
It is changed to 106 at 04 and 0.46 mm. In this way, the resistance value can be adjusted to a predetermined value with higher accuracy than in the third embodiment. By using this principle, the position where the adjusting electrode 16 is formed by the batch processing of the resistance components of the entire substrate without laser trimming (resistor 1
The resistance value can be adjusted with higher accuracy by changing the overlapping length with 5.

【0047】また本実施例をレーザートリミングと組み
合わせることで、より高精度の抵抗部品を安価に製造す
ることができる。
Further, by combining this embodiment with laser trimming, it is possible to manufacture a highly accurate resistance component at low cost.

【0048】また、本発明は、抵抗アレイやハイブリッ
ドICの抵抗体製造に対しても応用することができる。
なお、ここでセラミック基板としては、アルミナ以外に
窒化アルミニウムや誘電体セラミック、フェライトセラ
ミック等を用いることもできる。また、金属板をセラミ
ック材料を含む絶縁体で被覆したメタルコア基板を用い
ることで割れにくく放熱性を向上させた抵抗部品を製造
できる。
The present invention can also be applied to the production of resistors for resistor arrays and hybrid ICs.
Here, as the ceramic substrate, aluminum nitride, a dielectric ceramic, a ferrite ceramic, or the like can be used in addition to alumina. Further, by using a metal core substrate in which a metal plate is covered with an insulator containing a ceramic material, it is possible to manufacture a resistance component that is hard to break and has improved heat dissipation.

【0049】また、この抵抗部品の構成を積層セラミッ
クコンデンサや、チップコイル、チップインダクタ、チ
ップセラミックモジュール等と組み合わせて複合化する
ことも容易である。特に通常のコンデンサやインダクタ
の場合、構造的にトリミングが難しいので抵抗部分でこ
うした調整を行うことでより高精度化が容易になる。
It is also easy to combine the structure of the resistance component with a multilayer ceramic capacitor, a chip coil, a chip inductor, a chip ceramic module, or the like to form a composite. Particularly in the case of ordinary capacitors and inductors, since trimming is structurally difficult, it is easier to achieve higher precision by making such adjustments in the resistance part.

【0050】また、抵抗体の材料としては、酸化ルテニ
ウム等の厚膜抵抗体材料以外に、ニクロム等の薄膜抵抗
体を蒸着やスパッタ等の薄膜法で形成することもでき
る。また無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いる
ことで抵抗体材料を形成できる。更に抵抗体材料を直接
基板に張り付けたり、溶射したりすることでも形成でき
る。
As the material for the resistor, besides the thick film resistor material such as ruthenium oxide, a thin film resistor such as nichrome can be formed by a thin film method such as vapor deposition or sputtering. Further, the resistor material can be formed by using electroless plating or matrix plating. Further, the resistor material can be formed by directly adhering it to the substrate or spraying it.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、1枚の基
板上に多数の抵抗体を抵抗値バラツキの少ない状態に一
括して製造することができ、レーザートリミング量の低
減やレーザートリミング工程の省略をも可能にできる。
そして、抵抗体材料のロット間バラツキや基板の影響等
による複雑な抵抗値の変動要素を除去しながら、更に目
的とする抵抗値をレーザートリミングを行わなくとも抵
抗値を高歩留まりで得られる抵抗部品を製造することが
できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to collectively manufacture a large number of resistors on a single substrate in a state in which there is little variation in resistance value, thereby reducing the laser trimming amount and laser trimming. It is also possible to omit steps.
Then, while eliminating complicated variable elements of the resistance value due to the lot-to-lot variation of the resistor material and the influence of the substrate, the resistance component can obtain the resistance value with a high yield without performing the laser resistance trimming of the target resistance value. Can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における抵抗部品の製造
方法の一例を示す斜視図
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a method of manufacturing a resistance component according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同図1を部分拡大した斜視図FIG. 2 is a partially enlarged perspective view of FIG.

【図3】本発明例の抵抗部品の基板内の抵抗値バラツキ
を測定した説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram in which the resistance value variation in the substrate of the resistance component of the example of the present invention is measured.

【図4】同電極形状の一例を示す斜視図FIG. 4 is a perspective view showing an example of the shape of the electrode.

【図5】本発明の第2の実施例を示す抵抗部品の製造方
法を示す斜視図
FIG. 5 is a perspective view showing a method of manufacturing a resistance component showing a second embodiment of the present invention.

【図6】同他の実施例における抵抗体の厚さを変化させ
る構成を示す断面図
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration for changing the thickness of a resistor according to another embodiment.

【図7】(a)は本発明の第3の実施例を示す抵抗部品
の構造を示す斜視図 (b)は同断面図
FIG. 7A is a perspective view showing a structure of a resistance component showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a sectional view of the same.

【図8】同実施例3の抵抗体部品の製造方法について説
明する斜視図
FIG. 8 is a perspective view illustrating a method of manufacturing the resistor component according to the third embodiment.

【図9】同第4の実施例の抵抗値をより高精度に調整で
きる抵抗部品を示す斜視図
FIG. 9 is a perspective view showing a resistance component capable of adjusting the resistance value of the fourth embodiment with higher accuracy.

【図10】(a),(b)はそれぞれ従来のチップ抵抗
部品を示す斜視図
10A and 10B are perspective views showing a conventional chip resistance component, respectively.

【図11】従来の1枚の基板から複数個の抵抗体部品を
製造する様子を説明する斜視図
FIG. 11 is a perspective view for explaining a process of manufacturing a plurality of resistor parts from a conventional single board.

【図12】同従来の製造上の斜視図FIG. 12 is a perspective view of the conventional manufacturing process.

【図13】同従来の製造上の斜視図FIG. 13 is a perspective view of the conventional manufacturing process.

【図14】同抵抗分布図[Fig. 14] Same resistance distribution map

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 基板 13a,13b 電極 14 ブレークライン 15 抵抗体 16 アジャスト電極 17 端面電極 18 保護層 12 Substrate 13a, 13b Electrode 14 Breakline 15 Resistor 16 Adjust Electrode 17 End Face Electrode 18 Protective Layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に設けた第1の電極及び第2の電
極と、この第1と第2の電極を接続する抵抗体とからな
る抵抗部品を前記基板上に複数個製造する際に、前記第
1の電極と前記第2の電極との間隔を前記基板の中央部
では周辺部に比べて0.2%以上20%以下の範囲で長
くなるように形成し、この第1と第2の電極間に接続さ
れるように抵抗体を形成した後、個片に分割する抵抗部
品の製造方法。
1. When manufacturing a plurality of resistive components on a substrate, the resistive component including a first electrode and a second electrode provided on the substrate, and a resistor connecting the first and second electrodes. The first electrode and the second electrode are formed so that the distance between the first electrode and the second electrode is 0.2% or more and 20% or less in the central portion of the substrate as compared with the peripheral portion. A method of manufacturing a resistance component, in which a resistor is formed so as to be connected between two electrodes and then divided into individual pieces.
【請求項2】 基板上に設けた第1の電極及び第2の電
極と、この第1と第2の電極を接続する抵抗体とからな
る抵抗部品を前記基板上に複数個製造する際に、前記抵
抗体の断面積を前記基板の中央部では周辺部に比べて、
0.2%以上20%以下の範囲で薄く形成し、この第1
と第2の電極間に接続されるように抵抗体を形成した
後、個片に分割する抵抗部品の製造方法。
2. When manufacturing a plurality of resistance components on the substrate, the resistance component including a first electrode and a second electrode provided on the substrate and a resistor connecting the first and second electrodes. , The cross-sectional area of the resistor in the central portion of the substrate compared to the peripheral portion,
The thin film is formed in the range of 0.2% to 20%.
And a second electrode, a resistor is formed so as to be connected between the second electrode and the second electrode, and the resistor is divided into individual pieces.
【請求項3】 基板上に設けた第1の電極及び第2の電
極と、この第1と第2の電極を接続する抵抗体とからな
り、前記抵抗体の一端部は第1の電極の上に、他端部は
第2の電極の下に形成する請求項1または2に記載の抵
抗部品の製造方法。
3. A first electrode and a second electrode provided on a substrate, and a resistor connecting the first and second electrodes, wherein one end of the resistor is the first electrode. The method for manufacturing a resistance component according to claim 1, wherein the other end portion is formed above and below the second electrode.
【請求項4】 基板上に設けた第1の電極及び第2の電
極と、この第1と第2の電極を接続する抵抗体とからな
り、前記抵抗体の一端部は第1の電極の上に、他端部は
アジャスト電極の下に形成され、前記抵抗体が目的とす
る抵抗値になる位置の前記抵抗体上にアジャスト電極を
形成する請求項1または2に記載の抵抗部品の製造方
法。
4. A first electrode and a second electrode provided on a substrate, and a resistor connecting the first and second electrodes, wherein one end of the resistor is the first electrode. 3. The resistance component manufacturing method according to claim 1, wherein the other end is formed under the adjustment electrode, and the adjustment electrode is formed on the resistor at a position where the resistor has a target resistance value. Method.
JP6202000A 1994-08-26 1994-08-26 Manufacture of resistance part Pending JPH0864407A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6202000A JPH0864407A (en) 1994-08-26 1994-08-26 Manufacture of resistance part

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6202000A JPH0864407A (en) 1994-08-26 1994-08-26 Manufacture of resistance part

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0864407A true JPH0864407A (en) 1996-03-08

Family

ID=16450277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6202000A Pending JPH0864407A (en) 1994-08-26 1994-08-26 Manufacture of resistance part

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0864407A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7097287B2 (en) 2001-05-09 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink
KR100894025B1 (en) * 2001-02-01 2009-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 Method for resistor trimming with small uniform spot from solid-state UV laser
JP2012186200A (en) * 2011-03-03 2012-09-27 Koa Corp Method of manufacturing resistor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894025B1 (en) * 2001-02-01 2009-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 Method for resistor trimming with small uniform spot from solid-state UV laser
US7097287B2 (en) 2001-05-09 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink
JP2012186200A (en) * 2011-03-03 2012-09-27 Koa Corp Method of manufacturing resistor
DE102012004110B4 (en) 2011-03-03 2023-05-25 Koa Corp. Method of making a resistor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100306554B1 (en) Thick Film Resistor and the Manuring Method Thereof
JPH10189318A (en) Manufacture of network resistor
US7352273B2 (en) Chip resistor
JPH0864407A (en) Manufacture of resistance part
JP2001313154A (en) Method of adjusting electric resistance, heater and its manufacturing method
JP4384787B2 (en) Chip resistor
JPH08102403A (en) Resistor and manufacture method thereof
US20110234365A1 (en) Chip resistor having low resistance and method for manufacturing the same
US9113546B2 (en) Method for manufacturing electric film body
JP2001155902A (en) Chip resistor and its manufacturing method
JPH04127401A (en) Manufacture of chip-shaped thermistor
JPH07211507A (en) Resistance parts and its producrtion
JP2741762B2 (en) Temperature sensitive resistor and method of manufacturing the same
JPH08102402A (en) Resistor and manufacture method thereof
JP7487070B2 (en) Bridge circuit built-in strain-resistance element and its manufacturing method
JP2003297670A (en) Chip type composite part
JPH07326506A (en) Production of chip resistor
JP2000173801A (en) Low-resistance electronic component and manufacture thereof
JP3333267B2 (en) Platinum temperature sensor
JP2718232B2 (en) Manufacturing method of square plate type thin film chip resistor
JP2718196B2 (en) Manufacturing method of square plate type thin film chip resistor
JP2718178B2 (en) Manufacturing method of square plate type thin film chip resistor
JP2005268300A (en) Chip resistor and manufacturing method thereof
JPH01152701A (en) Chip-type electronic component
JPS6330771B2 (en)