JPH08102402A - Resistor and manufacture method thereof - Google Patents

Resistor and manufacture method thereof

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Publication number
JPH08102402A
JPH08102402A JP6236885A JP23688594A JPH08102402A JP H08102402 A JPH08102402 A JP H08102402A JP 6236885 A JP6236885 A JP 6236885A JP 23688594 A JP23688594 A JP 23688594A JP H08102402 A JPH08102402 A JP H08102402A
Authority
JP
Japan
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electrode
resistor
resistance value
adjust
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP6236885A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Nakao
恵一 中尾
Ryo Kimura
涼 木村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP6236885A priority Critical patent/JPH08102402A/en
Publication of JPH08102402A publication Critical patent/JPH08102402A/en
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Abstract

PURPOSE: To enable the laser trimming amount to be reduced or eliminated by forming one end part of a resistor below the first electrode and the other end part below the second electrode and an adjust electrode as the third electrode to shorten the interval between the first and third electrodes than that between the first and second electrodes. CONSTITUTION: The first electrode 3c and the second electrode 3d are formed on both ends of the resistor on a substrate 1 comprising ceramics etc. An adjust electrode 4 corresponding to the third electrode covering the resistor 2 is formed on one end of the resistor 2. At this time, one end of this adjust electrode 4 is formed on the upper part of the resistor 2 while the other end of the adjust electrode 4 is formed on the upper part of the second electrode 3d. Besides, the substantial resistor length L corresponds to the length of the resistor 2 held between the first electrode 3c and the adjust electrode 4. Through these procedures, the resistance value can be adjusted simply by adjusting the forming position of the third electrode (the adjust electrode 4), thereby enabling the reduction of the laser trimming amount as well as the elimination of the laser trimming step itself to be made feasible.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器、抵抗
ネットワークやコンデンサやコイル等と複合された抵抗
器や、ハイブリッドICの抵抗に利用される抵抗器およ
びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rectangular chip resistor, a resistor compounded with a resistor network, a capacitor, a coil, etc., a resistor used as a resistor for a hybrid IC, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハイブリッドIC、チップ抵抗等
の抵抗器に対して高性能・低コスト要求が成されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, high performance and low cost have been demanded for resistors such as hybrid ICs and chip resistors.

【0003】以下に従来の角形チップ抵抗器を例にとり
説明する。図8,図9は従来のチップ抵抗器を示すもの
であり、分かりやすくするため抵抗体の保護層や実装用
の端面電極は省略している。図8,図9において1はセ
ラミックからなる基板、2は抵抗体、3a,3bは電極
である。図8において、抵抗体2の両端は電極3aの上
部に形成されている。図9において、抵抗体2の両端は
電極3bの下部に形成されている。また抵抗体2はレー
ザー等を用いたトリミング工程を経て所定の抵抗値に調
整される。
A conventional rectangular chip resistor will be described below as an example. 8 and 9 show a conventional chip resistor, and for the sake of clarity, the protective layer of the resistor and the end face electrodes for mounting are omitted. In FIGS. 8 and 9, 1 is a substrate made of ceramic, 2 is a resistor, and 3a and 3b are electrodes. In FIG. 8, both ends of the resistor 2 are formed on the electrodes 3a. In FIG. 9, both ends of the resistor 2 are formed below the electrode 3b. The resistor 2 is adjusted to a predetermined resistance value through a trimming process using a laser or the like.

【0004】従来、抵抗値を目的とする値に調整する方
法として、いくつかの取り組みがなされていた。特開昭
63−141358号公報では、完成された抵抗体上に
樹脂中に超微粒子を分散させて作成した絶縁性膜を形成
し、レーザー焼成等で前記樹脂を分解し導体パターンを
形成するものである。しかしこの技術は、抵抗体別に抵
抗値を測定しながらレーザー照射するため、従来のレー
ザートリミングと同じかそれ以上の工数がかかり製造コ
ストを引き上げるものであった。
Conventionally, some efforts have been made as a method of adjusting the resistance value to a target value. In Japanese Patent Laid-Open No. 63-141358, an insulating film formed by dispersing ultrafine particles in a resin is formed on a completed resistor, and the resin is decomposed by laser firing or the like to form a conductor pattern. Is. However, in this technique, since laser irradiation is performed while measuring the resistance value for each resistor, the number of steps is the same as or more than the conventional laser trimming, and the manufacturing cost is increased.

【0005】特開平1−93193号公報では、基板の
導体間を接続するように設けられた抵抗体に対し、個別
に抵抗値を測定し、抵抗値が目的値より高い場合は、前
記抵抗体上に導体ペーストを塗布、焼成、抵抗値を測定
し、抵抗値がまだ高すぎる場合は、再度同じ工程を繰り
返すことにより抵抗値を調整することが開示されてい
る。しかしこの場合の実施例は抵抗体上に個別に導体ペ
ーストを直接ノズルで塗布するため、1枚の基板に数千
個の抵抗器を作成する場合非常に時間がかかり実用的で
ない。
In Japanese Patent Laid-Open No. 1-93193, resistance values are individually measured for resistors provided so as to connect between conductors of a substrate, and when the resistance value is higher than a target value, the resistor is used. It is disclosed that the conductor paste is applied on the top, fired, the resistance value is measured, and if the resistance value is still too high, the resistance value is adjusted by repeating the same step again. However, in the case of this case, since the conductor paste is directly applied onto the resistors by the nozzle directly, it takes a lot of time to form thousands of resistors on one substrate, which is not practical.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、抵抗値を低目に設定しておきレーザートリミングす
ることにより目的とする抵抗値に調整していた。このた
めレーザートリミングコストが発生すると同時に、抵抗
体にマイクロクラックが発生しノイズ特性が劣化してい
た。また抵抗値も高い方向にしか調整できないため必然
的にトリミング量が大きくなっていた。
In the above-mentioned conventional configuration, the resistance value is set to a low value and laser trimming is performed to adjust the resistance value to a desired value. For this reason, laser trimming cost is generated, and at the same time, microcracks are generated in the resistor and noise characteristics are deteriorated. In addition, since the resistance value can be adjusted only in the high direction, the trimming amount is inevitably large.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、抵抗値の調整を抵抗体の製造工程内でフィードバッ
クしながら行ってしまうものであり、レーザートリミン
グ量を低減したり、レーザートリミングを省略すること
により、より安価なノイズ特性の優れた抵抗器を提供す
ることを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, in which the resistance value is adjusted while feeding back in the manufacturing process of the resistor, and the amount of laser trimming is reduced or laser trimming is performed. By omitting it, it is an object to provide a cheaper resistor having excellent noise characteristics.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗器は、基板上に設けた第1の電極と第2
の電極と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と
第3の電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保
護層からなり、前記抵抗体の一端部は第1の電極の下
に、他端部は第2の電極の下でかつ第3の電極としての
アジャスト電極の下に形成され、第1の電極と第2の電
極の間隔よりも第1の電極と第3の電極の間隔を短くな
るように構成したものである。
To achieve this object, a resistor according to the present invention comprises a first electrode and a second electrode provided on a substrate.
Electrode, a third electrode, a resistor connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode, and a protective layer covering the resistor, and one end of the resistor is the first electrode. The first electrode is formed below the first electrode and the other end is formed below the second electrode and below the adjustment electrode as the third electrode. And the third electrode is configured to have a short interval.

【0009】[0009]

【作用】この構成によって、第3の電極の形成位置の調
整だけで抵抗値を目的とする値に調整でき、レーザート
リミング量を低減したり、レーザートリミング工程自体
を省略することができる。
With this configuration, the resistance value can be adjusted to a target value only by adjusting the formation position of the third electrode, the laser trimming amount can be reduced, and the laser trimming step itself can be omitted.

【0010】[0010]

【実施例】【Example】

(実施例1)以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1,図2は本発明の第1の実施例におけ
る抵抗器を示すものであり、図1は製造途中の部分断面
図、図2は完成後の断面図である。図1について説明す
る。セラミックなどからなる基板1の上の抵抗体2の両
端上には、第1の電極3cと第2の電極3dが形成され
ている。4はアジャスト電極であり第3の電極に相当
し、抵抗体2の一端に抵抗体2を覆って形成される。こ
のアジャスト電極4の一端は抵抗体2の上部に、アジャ
スト電極4の他端は第2の電極3dの上に形成される。
また図1におけるLは実質抵抗長であり、第1の電極3
cとアジャスト電極4に挟まれた抵抗体2の長さに相当
する。
FIGS. 1 and 2 show a resistor according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a partial sectional view in the middle of manufacturing, and FIG. 2 is a sectional view after completion. 1 will be described. A first electrode 3c and a second electrode 3d are formed on both ends of a resistor 2 on a substrate 1 made of ceramic or the like. Reference numeral 4 denotes an adjust electrode, which corresponds to a third electrode and is formed at one end of the resistor 2 so as to cover the resistor 2. One end of the adjusting electrode 4 is formed on the resistor 2, and the other end of the adjusting electrode 4 is formed on the second electrode 3d.
Further, L in FIG. 1 is a substantial resistance length, and the first electrode 3
It corresponds to the length of the resistor 2 sandwiched between c and the adjusting electrode 4.

【0012】次に図2について説明する。図2におい
て、5は端面電極であり、第1の電極3cと第2の電極
3dに接続され、半田等で回路基板上に実装される。6
は保護層であり抵抗体2やアジャスト電極4の上に形成
され、信頼性を向上させ実装時他の部品との電気的短絡
を防止する。なお、図2に図示した端面電極5や保護層
6は、図1において省略している。
Next, FIG. 2 will be described. In FIG. 2, reference numeral 5 denotes an end surface electrode, which is connected to the first electrode 3c and the second electrode 3d and is mounted on the circuit board by soldering or the like. 6
Is a protective layer which is formed on the resistor 2 and the adjustment electrode 4 to improve reliability and prevent electrical short circuit with other components during mounting. The end surface electrode 5 and the protective layer 6 shown in FIG. 2 are omitted in FIG.

【0013】本実施例においては、アジャスト電極4の
形成位置を変化させて、実質抵抗長Lを増減し抵抗値を
目的とする値に調整することになる。図1に示すよう
に、抵抗体2は、第1の電極3cと第2の電極3dの間
に形成されているが、第1の電極3cとアジャスト電極
4の間隔(実質抵抗長L)の方が短いため、この抵抗器
の抵抗値は実質抵抗長Lで決まってしまうことになる。
図1に示すように抵抗値をアジャスト電極4の形成位置
で調整した後、図2に示すように端面電極5や保護層6
を形成して製品として完成する。
In the present embodiment, the formation position of the adjusting electrode 4 is changed to increase or decrease the substantial resistance length L to adjust the resistance value to a target value. As shown in FIG. 1, the resistor 2 is formed between the first electrode 3c and the second electrode 3d, but the distance between the first electrode 3c and the adjustment electrode 4 (substantial resistance length L) is Since it is shorter, the resistance value of this resistor is determined by the actual resistance length L.
After adjusting the resistance value at the position where the adjusting electrode 4 is formed as shown in FIG. 1, the end face electrode 5 and the protective layer 6 are formed as shown in FIG.
To form a finished product.

【0014】(実施例2)次に本発明の第2の実施例に
おける抵抗器の製造方法の一例について、図3および図
4を用いて説明する。図3は本発明の抵抗器の製造方法
の一例を説明するもの、図4は抵抗値の合わせ方につい
て説明するものである。
(Embodiment 2) Next, an example of a method of manufacturing a resistor according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 illustrates an example of a method of manufacturing a resistor according to the present invention, and FIG. 4 illustrates how to match resistance values.

【0015】図3,図4において7はブレークラインで
あり、セラミックなどの基板1を所定形状に個分割する
際に用いる。8は上面電極であり、ブレークライン7で
分割され、第1の電極3cおよび第2の電極3dとな
る。図3(a)は、基板1の上に抵抗体2を形成した様
子を示す。次に図3(b)に示すように抵抗体2の両端
に上面電極8を形成する。そして目的とする抵抗値が得
られる位置に図3(c)に示すようにアジャスト電極4
を抵抗体2の一端と上面電極8の一部を覆うように形成
する。この後、図3(d)に示すように前記抵抗体2お
よびアジャスト電極4を覆うように保護層6を形成す
る。この後、ブレークライン7に沿って基板1を所定形
状に分割し、端面電極を形成し抵抗器として完成する。
In FIGS. 3 and 4, reference numeral 7 is a break line, which is used when the substrate 1 made of ceramic or the like is divided into a predetermined shape. Reference numeral 8 is an upper surface electrode, which is divided by the break line 7 to serve as a first electrode 3c and a second electrode 3d. FIG. 3A shows a state in which the resistor 2 is formed on the substrate 1. Next, as shown in FIG. 3B, the upper surface electrodes 8 are formed on both ends of the resistor 2. Then, as shown in FIG. 3C, the adjusting electrode 4 is provided at a position where a desired resistance value is obtained.
Is formed so as to cover one end of the resistor 2 and a part of the upper surface electrode 8. Thereafter, as shown in FIG. 3D, a protective layer 6 is formed so as to cover the resistor 2 and the adjustment electrode 4. After that, the substrate 1 is divided into a predetermined shape along the break lines 7, and end face electrodes are formed to complete a resistor.

【0016】次に図4を用いて、抵抗値の調整方法につ
いて説明する。図4(a)〜図4(c)において、実質
抵抗長L1,L2,L3は互いに異なっており、L1<
L2<L3の関係にあり、アジャスト電極4の一端は抵
抗体2上に、他端は上面電極8に接続されている。ここ
で抵抗体2のシート抵抗やその形状を同じとした場合、
でき上がった抵抗器の抵抗値は、L1<L2<L3の順
になる。こうして、同じサンプルを用いても、アジャス
ト電極4の形成位置を変化させることで、抵抗値を目的
とする値に調整しながら抵抗器を製造することができ
る。
Next, a method of adjusting the resistance value will be described with reference to FIG. 4A to 4C, the substantial resistance lengths L1, L2 and L3 are different from each other, and L1 <
There is a relationship of L2 <L3, and one end of the adjust electrode 4 is connected to the resistor 2 and the other end is connected to the upper surface electrode 8. If the sheet resistance of the resistor 2 and its shape are the same,
The resistance value of the completed resistor is in the order of L1 <L2 <L3. Thus, even if the same sample is used, a resistor can be manufactured while adjusting the resistance value to a target value by changing the formation position of the adjustment electrode 4.

【0017】更に詳しく説明する。まず基板1として
は、1.55mm×0.75mmの抵抗器が得られるよ
うにブレークラインを形成した100mm角のアルミナ
基板を用い、ここに図3(a)に示すように抵抗体2を
形成した。抵抗体2には市販の厚膜抵抗体材料を用い、
850℃で焼成した。次に上面電極8を抵抗体2の両端
に形成し、かつブレークライン7を挟むように形成し
た。ここで電極形成材料には、銀パラジウム電極インキ
を用い、これを印刷した後、850℃で焼成し上面電極
8とした。
A more detailed description will be given. First, as the substrate 1, a 100 mm square alumina substrate having break lines formed so as to obtain a resistor of 1.55 mm × 0.75 mm is used, and the resistor 2 is formed therein as shown in FIG. 3A. did. A commercially available thick film resistor material is used for the resistor 2.
It was baked at 850 ° C. Next, the upper surface electrodes 8 were formed on both ends of the resistor 2, and the break lines 7 were sandwiched therebetween. Here, silver-palladium electrode ink was used as the electrode forming material, and after printing this, it was baked at 850 ° C. to obtain the upper surface electrode 8.

【0018】ここで抵抗体2の両端に形成された上面電
極8に、4端子法でプローブを当てその抵抗値を測定し
た。複数個の抵抗値を測定した平均抵抗値は、7.19
kΩであった。ここで目的とする抵抗値は6.00kΩ
と設定した。計算により実質抵抗長Lを求め、この位置
に図3(c)で示すようにアジャスト電極4を形成し
た。最後に図3(d)で示すように、保護層6を樹脂を
主体とした材料で形成した。そして基板1をブレークラ
イン7で個片に分割した後、端面電極5を形成した。
Here, a probe was applied to the upper surface electrodes 8 formed on both ends of the resistor 2 by the 4-terminal method, and the resistance value was measured. The average resistance value obtained by measuring a plurality of resistance values is 7.19.
It was kΩ. The target resistance value here is 6.00 kΩ
Was set. The actual resistance length L was obtained by calculation, and the adjust electrode 4 was formed at this position as shown in FIG. Finally, as shown in FIG. 3D, the protective layer 6 was formed of a material mainly composed of resin. Then, the substrate 1 was divided into individual pieces at the break lines 7, and then the end face electrodes 5 were formed.

【0019】こうして完成した抵抗器に対して複数個の
抵抗値を測定したところ、平均抵抗値は6.01kΩで
あり、目的とする抵抗値の抵抗器を製造できた。
When a plurality of resistance values were measured with respect to the thus completed resistor, the average resistance value was 6.01 kΩ, and a resistor having a desired resistance value could be manufactured.

【0020】また図4に示すように実質抵抗長Lを変化
させたところ、でき上がった抵抗器の抵抗値も同様に変
化することが確かめられた。一般的に厚膜で形成される
抵抗体材料は、その材料のロットや焼成時の炉内の温度
や雰囲気の影響を微妙に受け、その抵抗値を数%程度変
化させてしまうことが知られている。本実施例において
は、上面電極8に挟まれた抵抗体2の抵抗値を実測した
後、所定抵抗値に形成できるため、このような抵抗値変
動の影響を吸収し、安定した製造条件で目的とする抵抗
値の抵抗器を製造することができる。
Further, when the substantial resistance length L was changed as shown in FIG. 4, it was confirmed that the resistance value of the finished resistor also changed. Generally, it is known that a resistor material formed of a thick film is slightly affected by the lot of the material and the temperature and atmosphere in the furnace at the time of firing, and its resistance value is changed by about several percent. ing. In the present embodiment, the resistance value of the resistor 2 sandwiched between the upper surface electrodes 8 can be formed to a predetermined resistance value after the resistance value is actually measured. Therefore, it is possible to absorb the influence of such resistance value variation and to obtain stable manufacturing conditions. It is possible to manufacture a resistor having a resistance value of

【0021】本実施例の製造方法では抵抗体2を形成し
た後に、第1の電極3cと第2の電極3dと第3の電極
としてのアジャスト電極4を形成することになる。この
ように本実施例においては基板1に電極に起因する凹凸
の無い状態で抵抗体2を形成することができるため、抵
抗体2の形成方法を工夫できる。抵抗体2の基板1上へ
の直接的な形成方法としては、スクリーン印刷方法以外
に、凹版印刷(ダイレクトおよびオフセット)、グラビ
ア印刷(ダイレクトおよびオフセット)を用いること
で、抵抗体形成部材の塗着量を安定化できる。
In the manufacturing method of this embodiment, after the resistor 2 is formed, the first electrode 3c, the second electrode 3d, and the adjust electrode 4 as the third electrode are formed. As described above, in this embodiment, since the resistor 2 can be formed on the substrate 1 without any unevenness caused by the electrodes, the method of forming the resistor 2 can be devised. As a method for directly forming the resistor 2 on the substrate 1, intaglio printing (direct and offset) or gravure printing (direct and offset) may be used in addition to the screen printing method to apply the resistor forming member. The amount can be stabilized.

【0022】また凸版印刷(ダイレクトおよびオフセッ
ト)、平版印刷(ダイレクトおよびオフセット)等の印
刷方法や描画方法を用いることができる。抵抗体2の基
板1上への間接的な形成方法としては、転写方法があ
り、この場合転写フィルム上に形成した抵抗形成部材を
基板上に転写するホットスタンプ(ベタパターンから金
型を用いて所定パターンを基板上に転写する場合と、転
写フィルム上に形成された抵抗体パターンを基板上に転
写する場合がある)がある。
Further, printing methods and drawing methods such as letterpress printing (direct and offset) and lithographic printing (direct and offset) can be used. There is a transfer method as an indirect method of forming the resistor 2 on the substrate 1. In this case, a hot stamp (a solid pattern is used to mold a resistance stamping member formed on a transfer film onto the substrate) is used. There are cases where a predetermined pattern is transferred onto the substrate and cases where the resistor pattern formed on the transfer film is transferred onto the substrate).

【0023】(実施例3)次に本発明の第3の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の一例について、図5および
図6を用いて説明する。図5は抵抗値をより高精度に調
整できる抵抗器を示すものである。図5において、抵抗
体2は第1の電極3cに接する側より、アジャスト電極
4に接する側を幅広に形成している。このように抵抗体
2のパターンを変化させることで、アジャスト電極4の
形成位置による抵抗値の調整を高精度にできる。
(Embodiment 3) Next, as a third embodiment of the present invention, an example of high precision adjustment of resistance value will be described with reference to FIGS. FIG. 5 shows a resistor whose resistance value can be adjusted with higher accuracy. In FIG. 5, the resistor 2 is formed so that the side in contact with the adjustment electrode 4 is wider than the side in contact with the first electrode 3c. By changing the pattern of the resistor 2 in this manner, the resistance value can be adjusted with high accuracy depending on the formation position of the adjustment electrode 4.

【0024】図6は、実質抵抗長L(mm)と、その時
の抵抗値R(kΩ)の関係を示すものである。図6にお
いて、直線(1)は抵抗体の幅を一定にした場合、直線
(2)は抵抗体の幅を図5に示したように変化させた場
合のものである。このように抵抗体を部分的に幅広に形
成することにより、実質抵抗長Lに対して2倍の高精度
で抵抗値を目的とする値に調整することができる。
FIG. 6 shows the relationship between the substantial resistance length L (mm) and the resistance value R (kΩ) at that time. In FIG. 6, the straight line (1) is the case where the width of the resistor is constant, and the straight line (2) is the case where the width of the resistor is changed as shown in FIG. By forming the resistor partly wide in this way, the resistance value can be adjusted to a target value with a high precision of twice the actual resistance length L.

【0025】また必要に応じて、レーザートリミングし
てもよい。この場合、幅広の部分を選択してトリミング
すればより高精度なトリミングが可能になる。
If desired, laser trimming may be performed. In this case, if a wide portion is selected and trimmed, more accurate trimming can be performed.

【0026】(実施例4)次に本発明の第4の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の他の一例について図7を用
いて説明する。図7において、抵抗体2は第1の電極3
cに接する側よりアジャスト電極4に接する側で厚み
(断面積)を大きく形成している。このように抵抗体2
の厚みを変化させることで、アジャスト電極4の形成位
置による抵抗値の調整をより微細に行うことができる。
(Embodiment 4) Next, as a fourth embodiment of the present invention, another example of highly accurate adjustment of the resistance value will be described with reference to FIG. In FIG. 7, the resistor 2 is the first electrode 3
The thickness (cross-sectional area) is made larger on the side in contact with the adjusting electrode 4 than in the side in contact with c. In this way resistor 2
The resistance value can be adjusted more finely by changing the thickness of the adjusting electrode 4 by changing the thickness of the adjusting electrode 4.

【0027】この結果、図7に示したのと同様に抵抗値
をより高精度に調整できる。また必要に応じてレーザー
トリミングすることもできる。この場合、抵抗体2の厚
みの薄い部分を選択すればより高速なレーザートリミン
グが可能になり、トリミングコストを下げられる。
As a result, the resistance value can be adjusted with higher accuracy as in the case shown in FIG. Also, laser trimming can be performed if necessary. In this case, if the thin portion of the resistor 2 is selected, the laser trimming can be performed at a higher speed and the trimming cost can be reduced.

【0028】なおここで基板1としては、アルミナ基板
以外に窒化アルミや誘電体セラミック、フェライトセラ
ミック等を用いてもよい。また金属板をセラミックや樹
脂等で覆ったメタルコア基板を用いた場合は、割れにく
い抵抗器を製造することができる。
Here, as the substrate 1, aluminum nitride, dielectric ceramics, ferrite ceramics or the like may be used instead of the alumina substrate. Further, when a metal core substrate in which a metal plate is covered with ceramic, resin or the like is used, a resistor which is hard to break can be manufactured.

【0029】また、この抵抗器は、単独の抵抗器や抵抗
アレイ以外に、ハイブリッドIC以外に複合部品にも応
用することもできる。例えば積層セラミックコンデンサ
や、チップコイル、チップインダクタ、チップセラミッ
クモジュール等と組み合わせることで複合化することも
容易である。特に通常のコンデンサやインダクタ等と組
み合わせた場合、構造的にトリミングが難しくトリミン
グすることでノイズ特性が悪くなる。こうした目的に本
発明で説明した抵抗器を用いることで、ノイズ等特性を
劣化させず高精度な複合部品を製造することができる。
Further, this resistor can be applied not only to a single resistor or a resistor array but also to a composite component other than the hybrid IC. For example, it is easy to form a composite by combining with a multilayer ceramic capacitor, a chip coil, a chip inductor, a chip ceramic module, or the like. In particular, when combined with an ordinary capacitor or inductor, it is difficult to trim structurally, and the trimming deteriorates the noise characteristic. By using the resistor described in the present invention for such a purpose, it is possible to manufacture a highly accurate composite component without deteriorating characteristics such as noise.

【0030】また、抵抗体の形成部材としては、酸化ル
テニウム等の厚膜抵抗体材料以外に、ニクロム等の薄膜
抵抗体材料を用いて薄膜法で抵抗体を形成してもよい。
また無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いて抵抗
体を形成した場合、抵抗体を直接基板に張り付けた場合
や溶射した場合でも、本発明では抵抗値を高精度に調整
できる。
As the resistor forming member, a thin film resistor material such as nichrome may be used in addition to the thick film resistor material such as ruthenium oxide to form the resistor by the thin film method.
Further, in the present invention, the resistance value can be adjusted with high accuracy even when the resistor is formed by electroless plating, matrix plating, or the like, even when the resistor is directly attached to the substrate or sprayed.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板上に
設けた第1の電極および第2の電極の間に形成した抵抗
体自体の正確な抵抗値を知り、この抵抗値を基にしてア
ジャスト電極となる第3の電極を抵抗体上の所定位置に
形成することにより、抵抗値を目的とする値に正確に形
成できる。従って抵抗体材料のばらつきや基板の影響を
受けることなく、レーザートリミングを行わなくとも目
的とする抵抗値を高歩留で得られる抵抗器を製造できる
ものである。
As described above, according to the present invention, the accurate resistance value of the resistor itself formed between the first electrode and the second electrode provided on the substrate is known, and the resistance value is used as a basis. By forming the third electrode as the adjusting electrode at a predetermined position on the resistor, the resistance value can be accurately formed to a target value. Therefore, it is possible to manufacture a resistor that can obtain a target resistance value with a high yield without being affected by variations in the resistor material or the substrate and without performing laser trimming.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における抵抗器を示す一
部切欠斜視図
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a resistor according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同断面図FIG. 2 is a sectional view of the same.

【図3】本発明の第2の実施例を示す抵抗器の製造方法
の一例を説明する断面図
FIG. 3 is a sectional view illustrating an example of a method of manufacturing a resistor showing a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例を示す抵抗値の合わせ方
について説明する断面図
FIG. 4 is a sectional view illustrating a method of adjusting resistance values according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例を示す抵抗値をより高精
度に調整できる抵抗器を示す一部切欠斜視図
FIG. 5 is a partially cutaway perspective view showing a resistor capable of adjusting a resistance value with higher accuracy according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例における実質抵抗長L
(mm)とその時の抵抗値R(kΩ)の関係を示す特性
FIG. 6 is a substantial resistance length L in the third embodiment of the present invention.
(Mm) and a characteristic diagram showing the relationship between the resistance value R (kΩ) at that time

【図7】本発明の第4の実施例における抵抗値の高精度
調整の他の一例について説明する一部切欠斜視図
FIG. 7 is a partially cutaway perspective view illustrating another example of highly accurate resistance value adjustment according to the fourth embodiment of the present invention.

【図8】従来のチップ抵抗器を示す斜視図FIG. 8 is a perspective view showing a conventional chip resistor.

【図9】他の従来の抵抗器を示す斜視図FIG. 9 is a perspective view showing another conventional resistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 抵抗体 3c 第1の電極 3d 第2の電極 4 アジャスト電極 5 端面電極 6 保護層 7 ブレークライン 8 上面電極 1 Substrate 2 Resistor 3c First Electrode 3d Second Electrode 4 Adjust Electrode 5 End Face Electrode 6 Protective Layer 7 Breakline 8 Top Electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に設けた第1の電極と第2の電極
と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と第3の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第1の電極の下に、他端
部は第2の電極の下でかつ第3の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第1の電極と第2の電極の間隔
よりも第1の電極と第3の電極の間隔を短くなるように
構成した抵抗器。
1. A first electrode, a second electrode, and a third electrode provided on a substrate, a resistor connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode, and A protective layer covering the resistor, one end of the resistor is formed under the first electrode, the other end is formed under the second electrode and under the adjust electrode as the third electrode, A resistor configured such that the distance between the first electrode and the third electrode is shorter than the distance between the first electrode and the second electrode.
【請求項2】 基板上に設けた第1の電極と第2の電極
と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と第3の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第1の電極の下に、他端
部は第2の電極の下でかつ第3の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第1の電極と第2の電極の間隔
よりも第1の電極と第3の電極の間隔が短く、かつ前記
抵抗体の第1の電極に接する部分より前記第3の電極に
接する部分を幅広く構成した抵抗器。
2. A first electrode, a second electrode, and a third electrode provided on a substrate, a resistor connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode, and A protective layer covering the resistor, one end of the resistor is formed under the first electrode, the other end is formed under the second electrode and under the adjust electrode as the third electrode, The distance between the first electrode and the third electrode is shorter than the distance between the first electrode and the second electrode, and the portion of the resistor that is in contact with the first electrode is wider than the portion of the resistor that is in contact with the third electrode. Configured resistor.
【請求項3】 基板上に設けた第1の電極と第2の電極
と第3の電極と、この第1の電極と第2の電極と第3の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第1の電極の下に、他端
部は第2の電極の下でかつ第3の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第1の電極と第2の電極の間隔
よりも第1の電極と第3の電極の間隔が短く、かつ前記
抵抗体の第1の電極に接する部分より前記第3の電極に
接する部分の膜厚を厚く構成した抵抗器。
3. A first electrode, a second electrode, and a third electrode provided on a substrate, a resistor connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode, and A protective layer covering the resistor, one end of the resistor is formed under the first electrode, the other end is formed under the second electrode and under the adjust electrode as the third electrode, A film in which the distance between the first electrode and the third electrode is shorter than the distance between the first electrode and the second electrode, and the portion of the resistor which is in contact with the first electrode is in contact with the third electrode. A resistor with a thick structure.
【請求項4】 基板上に抵抗体を形成した後、前記抵抗
体の両端上にそれぞれ第1の電極と第2の電極を形成
し、前記第1の電極と前記第2の電極の間の抵抗値を測
定し、目的となる抵抗値になる位置の前記抵抗体の上に
第3の電極としてのアジャスト電極を形成する請求項
1,請求項2または請求項3記載の抵抗器の製造方法。
4. A resistor is formed on a substrate, and then a first electrode and a second electrode are formed on both ends of the resistor, respectively, and a first electrode and a second electrode are formed between the first electrode and the second electrode. 4. The method of manufacturing a resistor according to claim 1, wherein a resistance value is measured, and an adjust electrode as a third electrode is formed on the resistor at a position where a target resistance value is obtained. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7097287B2 (en) 2001-05-09 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink
CN108680491A (en) * 2016-05-16 2018-10-19 天津大学 Method for testing using dynamic electrochemical device

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