JP4384787B2 - Chip resistor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁性基板上に抵抗体膜が設けられるチップ抵抗器に関する。さらに詳しくは、製造工程が簡単で安価に製造することができながら、高性能な特性が得られるチップ抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のチップ抵抗器は、印刷と焼成により電極や抵抗体を形成する厚膜抵抗器と、スパッタリングなどにより電極や抵抗体を製造する薄膜抵抗器とがある。構造は厚膜と薄膜との違いはあるが、両者とも殆ど同じ構造で、たとえば図4に示されるような構造になっている。すなわち、図4で、アルミナなどからなる絶縁性基板1の対向する両端部に一対の電極2、3が上面電極21、31および裏面電極22、32とこれらを連結する側面電極23、33により形成され、両電極に接続されるように抵抗体4が絶縁性基板1上に形成されている。そして、抵抗体の表面側に保護膜5が1〜3層で形成されている。なお、厚膜はたとえば5〜10μm程度の厚さに形成され、薄膜はたとえば0.1〜0.5μm程度に形成される。
【0003】
厚膜抵抗器は、ガラスまたは樹脂を用いてペースト状にした材料を印刷などにより塗布して、600〜1000℃程度で焼成(ガラスの場合)または200〜240℃程度で硬化(樹脂の場合)させることにより得られる。電極材料としては、AgにPdを添加したAg系(銀系)や、Au、Ni、Cuなど)の金属ペーストが用いられ、抵抗体材料としては、酸化ルテニウム(RuO2)に必要な抵抗値にするためのAgやPdなどを混入してガラスまたは樹脂によりペースト状にしたものが用いられる。また、薄膜抵抗器は、金属材料をスパッタリングなどにより成膜してパターニングすることにより得られ、電極材料としては、Al、Cu、Niなどが用いられ、抵抗材料としては、Ni-Cr合金などが用いられる。
【0004】
このように、製造工程が、一方は印刷と熱処理により設けるのに対して、他方はスパッタリングなどにより設けるもので異なり、また、印刷装置とスパッタリング装置などの設備面においても異なり、製造ラインが全く異なっている。そのため、両方の膜を併用することは製造工程が複雑になり、実用的に難しい。また、薄膜上に厚膜を形成すると密着力が低下し、接触抵抗が増大し、抵抗値も一定にならないため、少なくとも抵抗体を薄膜で形成し、その上に接続される側面電極を厚膜で形成した例はない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、チップ抵抗器には厚膜抵抗器と薄膜抵抗器とがあり、厚膜抵抗器はその製造設備が非常に安価で、抵抗器自身も安価に製造することができる。しかし、厚膜抵抗体は、酸化ルテニムをガラス粉末などとペースト状にしたものであり、その組成の均一性、塗布する場合の厚さの均一性、抵抗値調整のためAgやPdなどの添加量の相違、などによって得られる抵抗値の精度が劣ると共に、ガラス材料の混合などに伴いノイズ特性が悪いなどの性能面で劣るという問題がある。また、薄膜抵抗器は、抵抗値の精度やノイズ特性などは優れているが、スパッタ装置などを使用しなければならず、またそれぞれの膜を成膜するのに時間がかかり、かなり高価になるという問題がある。
【0006】
一方、厚膜と薄膜とを混合すると、前述のような製造ラインの複雑さもさることながら、厚膜の上に薄膜を成膜する場合は密着性の問題はないが、薄膜の上に厚膜を成膜すると、密着性が低下して接触抵抗が増大し、品質が一定しないという問題がある。
【0007】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、抵抗値の精度を向上させると共に、ノイズ特性などの抵抗特性を良好にしながら、生産性を向上させることができるチップ抵抗器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、抵抗特性に大きく左右する抵抗体を薄膜で形成し、他の電極および保護膜などは全て厚膜により形成することにより、抵抗特性を高性能に維持しながら、製造工数を大幅に低下させて、安価で高性能なチップ抵抗器を得るため、鋭意検討を重ねた結果、薄膜抵抗体の上に厚膜電極を形成する場合でも、金属系ガラスペーストの厚膜電極または銀系樹脂ペーストによる厚膜電極を形成するなどの材料を選択することにより、密着性良く設けられ、その厚膜電極と接触するように側面電極を形成することにより、薄膜抵抗体に厚膜の側面電極を形成し得ることを見出した。ここに金属系ガラスペーストとは、Au、Ni、Cuなどの金属のガラス成分がバインダーのペーストを意味し、銀系樹脂ペーストとは、銀を主成分とする樹脂がバインダーのペーストを意味する。
【0009】
本発明によるチップ抵抗器は、絶縁性基板と、該絶縁性基板の相対向する両端部方向に延びるように該絶縁性基板の表面に全体が設けられる薄膜の抵抗体と、該抵抗体の両端部表面に設けられる一対の厚膜の上面電極と、前記絶縁性基板の裏面における前記上面電極に対応する部分に設けられる一対の厚膜の裏面電極と、前記絶縁性基板の前記両端部の側面に設けられ、前記上面電極と裏面電極とをそれぞれ電気的に接続する一対の厚膜の側面電極と、前記一対の上面電極の間に挟まれる前記抵抗体表面に設けられる保護膜とからなり、前記上面電極が金属系ガラスペーストの焼成により形成されている。
【0010】
ここに厚膜とは、電極や抵抗体の材料をペースト状にして塗布し、焼成または硬化させることにより厚く形成される膜を意味し、薄膜とは、スパッタリング法などにより金属膜を直接成膜することにより薄く形成される膜を意味する。
【0011】
この構成にすることにより、抵抗体は薄膜により形成されているため、非常に均一な成分で一定の厚さに形成され、抵抗値は一定で精度良く形成されると共に、温度係数もその金属特有の一定の温度係数が得られ、ガラス成分なども含まれていないためノイズ特性もよく、非常に電気特性の優れた抵抗器となる。一方、薄膜抵抗体上に上面電極が厚膜により形成されることにより、その材料を選定すれば、薄膜抵抗体と密着性よく形成され、その上面電極と接触して形成される側面電極も厚膜同士で上面電極と密着性よく形成される。その結果、電極材料を全て厚膜により形成しても接触抵抗を生じさせることなく形成することができ、製造工程の殆どを簡単な厚膜工程により形成することができる。
【0012】
前記上面電極と前記側面電極の接続部との間に銀系樹脂ペーストにより形成される上面補助電極が設けられることにより、ハンダに対する耐性が向上し、ハンダに溶融されることがなくなり信頼性が向上する。
【0013】
前記上面電極が銀系樹脂ペーストの硬化により形成されれば、薄膜抵抗体との密着性が良好に得られると共に、高温で焼成する必要がないため、抵抗体の酸化なども発生せず、簡単な製造工程で高性能なチップ抵抗が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明のチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明をする。本発明によるチップ抵抗器は、その一実施形態の断面説明図が図1に示されるように、たとえばアルミナなどからなる平面形状が矩形状の絶縁性基板1上に、その相対向する両端部方向に延びるように、薄膜の抵抗体4が形成されている。その抵抗体4の両端部表面に一対の厚膜の上面電極21、31が設けられ、絶縁性基板1の裏面における上面電極21、31に対応する部分に一対の厚膜の裏面電極22、32が設けられ、絶縁性基板1の前記両端部の側面に、上面電極21、31と裏面電極22、32とをそれぞれ電気的に接続する一対の厚膜の側面電極23、33が設けられることにより、一対の電極2、3が形成されている。そして、一対の上面電極21、31の間に挟まれる抵抗体4の表面に保護膜5が設けられている。
【0015】
換言すれば、本発明によるチップ抵抗器は、抵抗値の精度やノイズなどの抵抗特性に大きく影響する抵抗体4のみを薄膜により形成し、他の上面電極21、31や下面電極22、32、側面電極23、33などを厚膜により形成することにより、製造工程を簡単にしていることに特徴がある。すなわち、前述のように、一般的には薄膜上に厚膜を形成するとその密着性が低下して接触抵抗が発生しやすいという問題があるが、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、薄膜抵抗4の上に設ける厚膜電極の材料を選定することにより、その問題を生じることなく厚膜の上面電極21、31を積層することができることを見出した。そして、その厚膜と接続されるように側面電極23、33を厚膜により形成することにより、厚膜同士で密着性よく接続することができ、薄膜抵抗体に厚膜の側面電極を形成することができることを見出した。
【0016】
基板1は、たとえばアルミナ、サファイア、またはSiウェハなどが用いられる。厚膜の電極材料としては、一般には金属粉末とガラスまたは樹脂とを混合してペースト状にしたものが使用され、混入する金属粉末により、Ag系、Ag-Pd系、Au系などを用いられているが、図1に示される例では、上面電極21、31として、Au系、Ni系またはCu系のガラスペーストからなる厚膜電極が用いられている。ここに「系」とは、これらを主成分としながら、他の元素が添加され得ることを意味する。なお、ガラスペーストは600〜1000℃程度で焼成することにより硬化され、樹脂ペーストは200〜240℃程度に昇温することにより硬化される。
【0017】
図1に示される例では、上面電極21、31上にAg系樹脂ペーストからなる上面補助電極24、34が形成されている。そして、その上面補助電極24、34および裏面電極22、32とを接続するように絶縁性基板1の側面に側面電極23、33がAg系樹脂ペーストからなる厚膜電極により形成されている。この補助電極24、34は、上面電極21、31のAuがハンダに溶融しやすいため、ハンダ付けの際に侵食されるのを防止するために設けられている。また、裏面電極22、32は、Ag系グレーズペースト(ガラスペースト)、またはAu系金属有機物(ガラスペースト)からなる厚膜により形成されている。そして、電極の表面にNiメッキ層25a、35aおよびハンダメッキ層25b、35bが設けられることにより、一対の電極2、3が形成されている。
【0018】
抵抗体4は、たとえばNi-Cr系、Ta系、Ta-N系、Ta-Si系などの金属膜を所望の抵抗値に応じて選択して使用することができる。なお、「系」というのは、Al、Cr、Oなどの他の元素を添加して抵抗値を調整し得ることを意味する。この抵抗体4は、スパッタリングなどにより成膜して、フォトリソグラフィ工程により所望の形状にパターニングすることにより、薄膜で形成されている。
【0019】
保護膜5は、図1に示される例では、第1保護膜51と第2保護膜52の2層構造の例が示されているが、必ずしも2層の必要はなく、1層または3層でもよい。第1保護膜51は、たとえば薄膜にてAl2O3、SiO2、SiNなどの成膜、またはホウケイ酸鉛ガラスなどのガラス粉末をペースト状にしたものを印刷などにより塗布して600〜1000℃程度で焼成することにより形成されている。この第1保護膜51は、抵抗体4の抵抗値を調整するために、抵抗体4を形成した後にその抵抗値を測定しながらレーザトリミングにより抵抗体4の一部を削って調整する工程が設けられており、その際に削った抵抗体材料が飛び散って再度抵抗体4の上に付着し性能が変化するのを防ぐ目的で設けられているが、その心配がなければとくに設けられる必要はない。
【0020】
第2保護膜52は、レーザトリミングされて表面に凹凸のある第1保護膜51上に塗布することにより露出した抵抗体4の表面を保護するもので、前述のレーザトリミングによる凹溝内を埋める保護膜を別途設けて第2保護膜を2層構造にすることもできる。この第2保護膜52は、高温で焼成すると抵抗体4の抵抗値が変化する可能性があるため、エポキシ樹脂などからなる樹脂製ペーストを塗布して200〜240℃程度で硬化させるのが好ましい。
【0021】
つぎに、このチップ抵抗器の製法について、図3に示されるフローチャートを参照しながら説明する。なお、図1には1個分のチップ抵抗器の断面説明図が示されているが、実際に製造する場合は、5〜10cm×5〜10cm程度の大きな基板に100〜1万個分程度の電極や抵抗体を同時に形成し、バー状に切断して露出する側面に側面電極を形成し、さらにその後バー状に連なったチップ抵抗器を1個1個に切断分離することにより製造される。
【0022】
まず、基板1裏面の所定の場所にAg系グレーズペーストまたはAu系金属有機物からなる電極材料のペーストを印刷する。そして、600〜1000℃程度で焼成することにより厚膜の裏面電極22、32(図1参照)を形成する(S1)。ついで、基板1表面の全面にNi-Cr系またはTa系の抵抗材料をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ工程を用いて、基板の両端部を結ぶ方向に延びるような所定の形状にパターニングすることにより、抵抗体4を形成する(S2)。つぎに、抵抗体4の両端部(裏面電極22、32に対応する部分)表面にAu系、Ni系、またはCu系のガラスペーストからなる電極材料を印刷により塗布して焼成することにより、上面電極21、31を形成する(S3)。
【0023】
その後、抵抗体4の表面にホウケイ酸鉛ガラスなどのガラスペーストを印刷などにより塗布して焼成することにより、第1保護膜51を形成する(S4)。この工程は省略してもよい。そして、一対の上面電極21、31にプローブ電極を接触させて抵抗値を測定しながら、所望の抵抗値になるようにレーザトリミングを行い抵抗値の調整を行う(S5)。さらにその表面に樹脂ペーストを塗布して硬化させることにより、第2保護膜52を形成する(S6)。ついで、たとえばAgとPdを樹脂に混合したAg系有機ペースト(樹脂ペースト)からなる電極材料を、上面電極21、31の上に印刷により塗布して200℃程度で硬化させることにより、上面補助電極24、34を形成する(S7)。
【0024】
ついで、大きな基板を一対の上面電極21、31を結ぶ方向と垂直な方向に並ぶ一列ごとに分離されるようにバー状に切断する(S8)。そして、上面補助電極24、34と裏面電極22、32の間にその上面補助電極24、34および裏面電極22、32上にも重なるようにAg系樹脂ペーストからなる電極材料を塗布して硬化させることにより、側面電極23、33を形成する(S9)。その後、バー状に連結されているチップ抵抗器を1個1個のチップに分割し(S10)、電極の露出面にNiメッキ層25a、35aおよびPb/Snなどからなるハンダメッキ層25b、35bを形成する(S11)ことにより、図1に示されるチップ抵抗器が得られる。
【0025】
本発明によれば、抵抗体のみが薄膜により形成されながら、側面電極を含めた電極はすべて厚膜により形成されているため、製造工程の工数はそれほど増えず、安価に得ることができる。しかも、抵抗特性に影響を及ぼしやすい抵抗体は、金属材料をスパッタリングすることにより薄膜で形成されているため、金属薄膜が均一材料で均一厚さに形成されており、非常に高精度の抵抗器が得られる。また、上面電極が抵抗体の下側に設けられると、レーザトリミング工程で、抵抗値を測定するためのモニター用プローブの接触場所を確認し難いが、抵抗体の表面側に上面電極が設けられるため、電極の確認が容易になるという利点もある。
【0026】
この際、一般的には薄膜抵抗の上にたとえば側面電極などの厚膜電極を形成すると、両者間の密着性が完全には得られず、接触抵抗などが発生しやすいが、本発明では、上面電極に金属ペーストを用いているため、薄膜抵抗体と上面電極とが非常に密着性よく接触する。一方、側面電極は、厚膜の上面電極またはその上に設けられる厚膜の上面補助電極と接続される構造であるため、側面電極を厚膜により形成しても厚膜同士で非常に密着して設けられる。その結果、薄膜抵抗体と厚膜の側面電極とを非常に小さい接触抵抗により接続することができる。
【0027】
図2は、本発明によるチップ抵抗器の他の実施形態を示す断面説明図である。前述の例は、上面電極21、31をAu系、Ni系またはCu系のガラスペーストの印刷と焼成により形成したが、図2に示される例は、この上面電極21、31を銀(Ag)系樹脂ペーストにより形成したことに特徴がある。このような銀系樹脂ペーストを用いても、薄膜抵抗体4の密着性は充分に得られることが本発明者の検討の結果確認された。この例では、上面電極21、31がハンダ耐性のあるAg系材料により形成されているため、その上に補助電極を設ける必要もない。他の構造は図1に示される例と同じで、図1と同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。また、製造工程も図2に示される工程で、上面電極の材料が異なり、その硬化温度が異なる点と、上面補助電極が設けられない点が異なるだけで、他は全く同じである。
【0028】
上面電極として、このようなAg系樹脂ペーストが用いられることにより、その硬化温度が200℃程度の低温で行えるため、抵抗体の酸化などの心配もなく、その対策が不要となる。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、抵抗特性に非常に大きく影響する抵抗体は薄膜で形成することにより、高性能な抵抗器としながら、他の側面電極などの電極はすべて厚膜により形成されているため、製造工程は非常に簡単で少ない工数で非常に安価に製造することができる。しかも、厚膜により形成される側面電極と薄膜抵抗体との密着性の問題も解決され、全て薄膜で形成する場合に比べて、特性の低下は殆どなく、非常に安価に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるチップ抵抗器の一実施形態を示す断面説明図である。
【図2】図1のチップ抵抗器の変形例を示す断面説明図である。
【図3】図1のチップ抵抗器を製造する一例のフローチャートである。
【図4】従来のチップ抵抗器の構造を説明する断面説明図である。
【符号の説明】
1 基板
2、3 電極
4 抵抗体
5 保護膜
21、31 上面電極
22、32 裏面電極
23、33 側面電極
24、34 上面補助電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a chip resistor in which a resistor film is provided on a chip-type insulating substrate. More specifically, the present invention relates to a chip resistor that has a simple manufacturing process and can be manufactured at a low cost, while obtaining high-performance characteristics.
[0002]
[Prior art]
Conventional chip resistors include thick film resistors that form electrodes and resistors by printing and baking, and thin film resistors that produce electrodes and resistors by sputtering and the like. Although there is a difference between a thick film and a thin film, both are almost the same structure, for example, as shown in FIG. That is, in FIG. 4, a pair of
[0003]
Thick film resistors are applied by printing a paste or other material made of glass or resin, and fired at about 600 to 1000 ° C. (for glass) or cured at about 200 to 240 ° C. (for resin). Is obtained. As the electrode material, Ag-based (silver-based) in which Pd is added to Ag, Au, Ni, Cu, or the like) metal paste is used, and as the resistor material, a resistance value required for ruthenium oxide (RuO 2 ). For example, a paste made of glass or resin mixed with Ag or Pd is used. The thin film resistor is obtained by forming a metal material by sputtering and patterning, and Al, Cu, Ni, etc. are used as the electrode material, and Ni—Cr alloy etc. are used as the resistance material. Used.
[0004]
In this way, the manufacturing process differs in that one is provided by printing and heat treatment, while the other is provided by sputtering or the like, and also in terms of equipment such as a printing apparatus and a sputtering apparatus, and the production line is completely different. ing. Therefore, using both films together makes the manufacturing process complicated and practically difficult. In addition, when a thick film is formed on the thin film, the adhesion force decreases, the contact resistance increases, and the resistance value does not become constant. Therefore, at least the resistor is formed as a thin film, and the side electrode connected thereto is formed as a thick film. There is no example formed with.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, there are a thick film resistor and a thin film resistor in the chip resistor. The thick film resistor has a very low manufacturing equipment, and the resistor itself can be manufactured at a low cost. However, the thick film resistor is a paste made of ruthenium oxide with glass powder or the like, and the addition of Ag, Pd, etc. for adjusting the uniformity of the composition, the uniformity of the thickness when applied, and the resistance value adjustment. There is a problem that the accuracy of the resistance value obtained due to the difference in the amount is inferior, and the performance is inferior such that the noise characteristic is poor due to the mixing of the glass material. Thin film resistors are excellent in resistance accuracy and noise characteristics, but sputtering devices must be used, and it takes time to form each film, which is quite expensive. There is a problem.
[0006]
On the other hand, when a thick film and a thin film are mixed, there is no problem of adhesion when a thin film is formed on the thick film, in addition to the complexity of the production line as described above. When the film is formed, there is a problem that the adhesion is lowered, the contact resistance is increased, and the quality is not constant.
[0007]
The present invention has been made in view of such a situation, and provides a chip resistor capable of improving the accuracy of the resistance value and improving the productivity while improving the resistance characteristics such as noise characteristics. For the purpose.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present inventor forms a resistor having a great influence on the resistance characteristics as a thin film, and all other electrodes and protective films are formed in a thick film, thereby greatly increasing the manufacturing man-hour while maintaining the resistance characteristics at a high performance. As a result of intensive investigations to obtain a low-cost and high-performance chip resistor, even when a thick film electrode is formed on a thin film resistor, a thick film electrode of silver glass paste or silver By selecting a material such as a thick film electrode made of resin paste, the side electrode is provided with good adhesion, and the side electrode is formed so as to be in contact with the thick film electrode. It has been found that can be formed. Here, the metal-based glass paste means a paste in which a metal glass component such as Au, Ni, or Cu is a binder, and the silver-based resin paste means a paste in which a resin containing silver as a main component is a binder.
[0009]
Chip resistor according to the present invention, an insulating substrate, a resistor thin film across the surface of the insulating substrate is provided so as to extend at both ends direction opposite of said insulating substrate, both ends of the resistive element antibodies A pair of thick film top electrodes provided on the surface of the part, a pair of thick film back electrodes provided on the back surface of the insulating substrate corresponding to the top electrode, and side surfaces of the both ends of the insulating substrate provided, the side electrodes of the pair of thick film connected the upper electrode and a back electrode respectively electrically, Ri Do and a protective film provided on the resistor surface sandwiched between the pair of upper surface electrode The upper surface electrode is formed by firing a metallic glass paste .
[0010]
Here, the thick film means a film formed thickly by applying the electrode or resistor material in the form of a paste and firing or curing. The thin film directly forms a metal film by sputtering or the like. This means a thin film formed.
[0011]
With this configuration, the resistor is formed of a thin film, so it is formed with a uniform thickness with a very uniform component, the resistance value is constant and accurate, and the temperature coefficient is also unique to the metal. A constant temperature coefficient can be obtained, and since a glass component or the like is not included, the noise characteristic is good and the resistor has excellent electric characteristics. On the other hand, when the upper surface electrode is formed on the thin film resistor with a thick film, if the material is selected, the thin film resistor is formed with good adhesion and the side electrode formed in contact with the upper surface electrode is also thick. The films are formed with good adhesion to the top electrode. As a result, even if the electrode material is entirely formed of a thick film, it can be formed without causing contact resistance, and most of the manufacturing process can be formed by a simple thick film process.
[0012]
By the upper surface auxiliary electrode formed by a silver-based resin paste between a connection portion of the front SL upper surface electrode and the side electrodes are provided to improve resistance to solder eliminates be melted solder reliability Will improve.
[0013]
If the upper surface electrode is formed by curing a silver-based resin paste, good adhesion to the thin film resistor can be obtained, and it is not necessary to fire at a high temperature. High performance chip resistance can be obtained in a simple manufacturing process.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, the chip resistor of the present invention will be described with reference to the drawings. The chip resistor according to the present invention is shown in FIG. 1 in a cross-sectional explanatory view of one embodiment thereof, on the insulating
[0015]
In other words, in the chip resistor according to the present invention, only the
[0016]
As the
[0017]
In the example shown in FIG. 1, upper surface
[0018]
For the
[0019]
In the example shown in FIG. 1, the
[0020]
The second
[0021]
Next, a method for manufacturing this chip resistor will be described with reference to the flowchart shown in FIG. FIG. 1 shows a cross-sectional explanatory view of one chip resistor. However, when actually manufactured, a large substrate of about 5 to 10 cm × 5 to 10 cm has a size of about 100 to 10,000. The electrodes and resistors are simultaneously formed, side electrodes are formed on the exposed side surfaces by cutting into a bar shape, and then the chip resistors connected in a bar shape are cut and separated into individual pieces. .
[0022]
First, an Ag-based glaze paste or an electrode material paste made of an Au-based metal organic material is printed at a predetermined location on the back surface of the
[0023]
Then, the 1st
[0024]
Next, the large substrate is cut into a bar shape so as to be separated into rows arranged in a direction perpendicular to the direction connecting the pair of
[0025]
According to the present invention, since only the resistor is formed of a thin film and all the electrodes including the side electrodes are formed of a thick film, the number of steps in the manufacturing process does not increase so much and can be obtained at low cost. In addition, the resistor that easily affects the resistance characteristics is formed of a thin film by sputtering a metal material. Therefore, the metal thin film is formed of a uniform material and a uniform thickness, and a very high-precision resistor. Is obtained. In addition, when the upper surface electrode is provided on the lower side of the resistor, it is difficult to confirm the contact location of the monitoring probe for measuring the resistance value in the laser trimming process, but the upper surface electrode is provided on the surface side of the resistor. Therefore, there is also an advantage that the confirmation of the electrode becomes easy.
[0026]
At this time, generally, when a thick film electrode such as a side electrode is formed on a thin film resistor, adhesion between the two is not completely obtained, and contact resistance is likely to occur. Since the metal paste is used for the upper surface electrode, the thin film resistor and the upper surface electrode are in excellent contact with each other. On the other hand, the side electrodes are structured to be connected to the thick film upper surface electrode or the thick film upper surface auxiliary electrode provided thereon. Provided. As a result, the thin film resistor and the thick side electrode can be connected with a very small contact resistance.
[0027]
FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view showing another embodiment of the chip resistor according to the present invention. In the above example, the
[0028]
By using such an Ag-based resin paste as the upper surface electrode, the curing temperature can be reduced at a low temperature of about 200 ° C., so there is no concern about oxidation of the resistor, and no countermeasure is required.
[0029]
【The invention's effect】
According to the present invention, the resistor that has a great influence on the resistance characteristics is formed by a thin film, so that the electrodes such as other side electrodes are all formed by a thick film while being a high-performance resistor. The manufacturing process is very simple and can be manufactured at a very low cost with fewer man-hours. In addition, the problem of adhesion between the side electrode formed by the thick film and the thin film resistor is also solved, and there is almost no deterioration in the characteristics as compared with the case where all are formed by the thin film, and the film can be obtained at a very low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional explanatory view showing an embodiment of a chip resistor according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view showing a modification of the chip resistor of FIG. 1;
FIG. 3 is a flowchart of an example for manufacturing the chip resistor of FIG. 1;
FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view illustrating the structure of a conventional chip resistor.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000168061A JP4384787B2 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Chip resistor |
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