JP2003151425A - Chip type current fuse and its manufacturing method - Google Patents

Chip type current fuse and its manufacturing method

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JP2003151425A
JP2003151425A JP2001345145A JP2001345145A JP2003151425A JP 2003151425 A JP2003151425 A JP 2003151425A JP 2001345145 A JP2001345145 A JP 2001345145A JP 2001345145 A JP2001345145 A JP 2001345145A JP 2003151425 A JP2003151425 A JP 2003151425A
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substrate
fuse
chip
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fuse element
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Shuichi Endo
修一 遠藤
Koji Maeno
浩二 前野
Nobuhiro Kanamaru
展大 金丸
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Koa Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip type current fuse which has satisfactory prearcing time-current characteristics and can be readily manufactured. SOLUTION: This chip type current fuse 10 includes a fuse element 14 formed on the surface of a rectangular insulative substrate 11 and covered with a protective film 15, and an electrode 12 disposed on both ends of the substrate 11 wherein the glass-ceramic substrate is used for the insulative substrate 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はチップ型電流ヒュー
ズに係り、特に外形寸法が1〜2mm程度の角板状の絶
縁性基板の表面にヒューズエレメントを配置したチップ
型の電流ヒューズ素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip-type current fuse, and more particularly to a chip-type current fuse element in which a fuse element is arranged on the surface of a rectangular plate-shaped insulating substrate having an outer dimension of about 1 to 2 mm.

【0002】[0002]

【従来の技術】チップ型の電流ヒューズとしては、例え
ば図3(a)に示す構造のものが知られている。これは
アルミナ等のセラミック基板21の両側に電極部22を
設け、両電極間に蓄熱層となる熱絶縁層23を設け、そ
の絶縁層の上にヒューズエレメントとなる金属被膜を配
置したものである。金属被膜24は保護膜25で被覆さ
れており、その平面形状は図3(b)に示すように、そ
の略中央部に細幅部を備えている。
2. Description of the Related Art As a chip type current fuse, for example, one having a structure shown in FIG. In this structure, electrode portions 22 are provided on both sides of a ceramic substrate 21 made of alumina or the like, a heat insulating layer 23 serving as a heat storage layer is provided between both electrodes, and a metal coating serving as a fuse element is disposed on the insulating layer. . The metal film 24 is covered with a protective film 25, and the planar shape thereof has a narrow width portion at its substantially central portion, as shown in FIG. 3B.

【0003】係るヒューズ素子においては、過電流が流
れると、ヒューズエレメント24の細幅部に電流が集中
し、発熱を起こすことによりヒューズエレメントが溶断
し、このチップ型電流ヒューズに接続された各種電子機
器を保護するようになっている。しかしながら、セラミ
ック基板21は一般に熱伝導率が高く、熱が逃げやすい
性質を有している。このため、ガラス又はガラスエポキ
シ樹脂等からなる熱絶縁材23をヒューズエレメント2
4とセラミック基板21との間に挿入して蓄熱部とし、
これによりヒューズエレメントの溶断部に生じる熱が逃
げて冷却されることを防止している。
In such a fuse element, when an overcurrent flows, the current is concentrated in the narrow portion of the fuse element 24 and heat is generated, whereby the fuse element is melted and various electronic elements connected to the chip type current fuse are fused. It is designed to protect equipment. However, the ceramic substrate 21 generally has high thermal conductivity and has a property that heat easily escapes. Therefore, the heat insulating material 23 made of glass or glass epoxy resin is used for the fuse element 2
4 and the ceramic substrate 21 to insert a heat storage section,
This prevents heat generated in the fusing portion of the fuse element from escaping and cooling.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、蓄熱層
の形成は工程を複雑化して好ましいものではない。ま
た、アルミナ基板上に蓄熱層となるガラス層等を形成す
ると、被着する金属材料が流れてしまい、ヒューズエレ
メントパターンに波うち現象が現れ、溶断特性がバラつ
いてしまうという問題がある。
However, the formation of the heat storage layer complicates the process and is not preferable. Further, when a glass layer or the like to be a heat storage layer is formed on an alumina substrate, the metal material to be deposited flows, causing a wavy phenomenon to appear in the fuse element pattern, resulting in a variation in fusing characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型電流ヒ
ューズは、角板状の絶縁性基板の表面にヒューズエレメ
ントを形成し、該ヒューズエレメントを保護膜で被覆
し、前記基板の両端部に電極を配設したチップ型電流ヒ
ューズにおいて、前記絶縁性基板としてガラスセラミッ
ク基板を用いたことを特徴とする。
In the chip-type current fuse of the present invention, a fuse element is formed on the surface of a rectangular plate-like insulating substrate, the fuse element is covered with a protective film, and both ends of the substrate are covered. In a chip type current fuse having electrodes, a glass ceramic substrate is used as the insulating substrate.

【0006】上述した本発明によれば、角板状の絶縁性
基板にガラスセラミック基板を用いたので、従来のアル
ミナ等のセラミック基板と比較して、熱伝導率が一桁程
度小さくなる。これにより、従来の蓄熱層であるガラス
層等の挿入を必要とすることなく、良好なヒューズエレ
メントの溶断特性が得られる。従って、蓄熱層の挿入が
不要となることから、その構造をより簡素化することが
でき、製造工程を短縮してその製造コストを低減するこ
とができる。また、ガラスセラミック基板は、良好な曲
げ強度特性を有するため、回路基板に実装後の良好な曲
げ強度耐性が得られる。
According to the present invention described above, since the glass ceramic substrate is used as the square plate-shaped insulating substrate, the thermal conductivity is reduced by about one digit as compared with the conventional ceramic substrate such as alumina. As a result, good fusing characteristics of the fuse element can be obtained without the need to insert a glass layer or the like, which is a conventional heat storage layer. Therefore, since the heat storage layer is not required to be inserted, the structure can be further simplified, the manufacturing process can be shortened, and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the glass ceramic substrate has a good bending strength characteristic, a good bending strength resistance after being mounted on the circuit board can be obtained.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図1(a)及び図1(b)を参照しながら説明する。
このチップ型電流ヒューズ10は、角板状の絶縁性基板
としてガラスセラミック基板11を採用し、その上に直
接ヒューズエレメント14を配置している。基板11の
寸法としては、例えば2mm×1.25mm、1.6m
m×0.8mm又は1.0mm×0.5mm程度の通常
の標準チップ部品のサイズが採用されている。ヒューズ
エレメント14は、厚膜導体ペースト(例えば、Cu,
Ag,Au,Alなど)または厚膜抵抗ペーストをスク
リーン印刷して焼成したものが用いられている。しかし
ながら、ヒューズエレメントとしては、例えば金属薄膜
をスパッタリングまたは蒸着により形成し、フォトリソ
グラフィによりパターンを形成したものであってもよ
く、また、めっきにより形成したものであってもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b).
The chip-type current fuse 10 employs a glass ceramic substrate 11 as a rectangular plate-shaped insulating substrate, and a fuse element 14 is directly arranged on the glass ceramic substrate 11. The size of the substrate 11 is, for example, 2 mm × 1.25 mm, 1.6 m
An ordinary standard chip part size of about m × 0.8 mm or 1.0 mm × 0.5 mm is adopted. The fuse element 14 is made of a thick film conductor paste (for example, Cu,
(Ag, Au, Al, etc.) or a thick film resistance paste screen-printed and fired. However, as the fuse element, for example, a metal thin film may be formed by sputtering or vapor deposition, and a pattern may be formed by photolithography, or may be formed by plating.

【0008】ヒューズエレメント14はガラス及び/又
はエポキシ樹脂等の保護膜15により(例えば、下地の
第1層をガラスとし、その上の第2層をエポキシ樹脂等
の保護膜15により)被覆され、保護されている。電極
12は、基板11の端面および裏面側に設けられた下地
金属上にNiめっきおよびはんだめっきが施されて形成さ
れている。
The fuse element 14 is covered with a protective film 15 such as glass and / or an epoxy resin (for example, a first underlying layer is glass and a second layer thereover is a protective film 15 such as epoxy resin). Protected. The electrode 12 is formed by performing Ni plating and solder plating on a base metal provided on the end surface and the back surface side of the substrate 11.

【0009】また、チップ型電流ヒューズは試験基板に
実装後、曲げ試験を実施するが、チップが試験基板から
受ける荷重はかなり大きく素体の曲げ強度が必要とな
る。素体の曲げ強度はヒューズエレメントを形成する基
板の曲げ強度と相関があり、表1に示すように、マイカ
系セラミック基板、石英ガラス基板については、曲げ強
度が弱く、曲げ試験のたわみ量2mm弱で素体が割れて
しまう。ガラスセラミック基板においては、基板の曲げ
強度も高く素体の曲げ試験に対する強度を満足する。
Further, the chip-type current fuse is subjected to a bending test after being mounted on a test board, but the load that the chip receives from the test board is considerably large, and the bending strength of the element body is required. The bending strength of the element body has a correlation with the bending strength of the substrate forming the fuse element. As shown in Table 1, the bending strength of the mica-based ceramic substrate and the quartz glass substrate is weak, and the bending amount of the bending test is less than 2 mm. The element body will crack. In the glass ceramic substrate, the bending strength of the substrate is also high, and the strength in the bending test of the element body is satisfied.

【表1】 [Table 1]

【0010】また、チップ型電流ヒューズは、製造段階
で多数個取りのシート状基板を用い、多数個のパターン
を一括形成した後に個々のチップに分離する。このシー
ト状基板から個々のチップに分離する際に、マイカ系セ
ラミック基板、石英ガラス基板では、ダイシング加工等
の切削加工が必要となる。ガラスセラミック基板(例え
ばLTCC又はHTCCなど)は、アルミナ基板と同様
に基板内に金型スリットを入れることができ、表裏両面
の互いに対応する位置の縦横方向にまたは表か裏の片側
主平面に切溝を配設し、クラッキングにより個々のチッ
プに分離することができる。従って、容易に且つ安価に
チップ型電流ヒューズを製造することができる。
In the chip type current fuse, a large number of sheet-shaped substrates are used in the manufacturing stage, and a large number of patterns are collectively formed and then separated into individual chips. A cutting process such as a dicing process is required for the mica-based ceramic substrate and the quartz glass substrate when separating the sheet-shaped substrate into individual chips. A glass-ceramic substrate (for example, LTCC or HTCC) can have a die slit in the substrate similarly to the alumina substrate, and can be cut in the vertical and horizontal directions at the corresponding positions on the front and back sides, or on the front or back main plane. Grooves can be provided and cracked to separate individual chips. Therefore, the chip-type current fuse can be manufactured easily and inexpensively.

【0011】ヒューズ機能で安定した溶断特性を得るた
めには、ヒューズエレメントパターンを精度よく加工す
る必要がある。このため、基体となる基板の面粗さを小
さくする必要がある。表1に示すように、ガラスセラミ
ックス基板(例えばLTCC又はHTCCなど)は高い
平滑性(面粗さRa<0.3μm)があり、厚膜導体ペ
ーストでヒューズエレメントパターンの形成が安定して
且つ精度よくできる。これに対して、マイカ系セラミッ
ク基板(マシナブルセラミックス)は、面粗さを小さく
するために、ラッピング、ポリッシング、研削等の処理
を必要とする。
In order to obtain stable fusing characteristics with the fuse function, it is necessary to process the fuse element pattern with high precision. Therefore, it is necessary to reduce the surface roughness of the base substrate. As shown in Table 1, the glass-ceramic substrate (for example, LTCC or HTCC) has high smoothness (surface roughness Ra <0.3 μm), and the formation of the fuse element pattern is stable and accurate with the thick film conductor paste. I can do it well. On the other hand, the mica-based ceramic substrate (machinable ceramics) requires treatments such as lapping, polishing and grinding in order to reduce the surface roughness.

【0012】ガラスセラミック基板には、上述したよう
にLTCC又はHTCCと呼ばれるものがある。LTC
C(Low Temperature Co−fire
dCeramic:低温同時焼成セラミック)は、アル
ミナ成分とガラス成分とをそれぞれ50%程度の割合
で、800℃〜1000℃の焼成を行ない基板状に形成
したものである。HTCC(High Tempera
ture Co−fired Ceramic:高温同
時焼成セラミック)は、アルミナ成分とガラス成分とを
それぞれ50%程度の割合で1000℃以上の焼成を行
ない基板状に形成したものである。これらのガラスセラ
ミック基板では、ヒューズ特性に必要な低熱伝導率、高
い曲げ強度、及び良好な面粗さを得ることができる。な
お、アルミナ成分とガラス成分の比は上記割合に限定す
るものでなく、ガラス成分を増加すると、より低熱伝導
率化が可能で、ヒューズ特性のより良いものが得られ
る。
As mentioned above, there is a glass-ceramic substrate called LTCC or HTCC. LTC
C (Low Temperature Co-fire)
dCeramic: low temperature co-fired ceramic) is a substrate formed by firing an alumina component and a glass component at a rate of about 50% each at 800 ° C to 1000 ° C. HTCC (High Tempera)
"Ture Co-fired Ceramic: high temperature co-fired ceramics" is a substrate formed by firing an alumina component and a glass component at a rate of about 50% each at 1000 ° C or higher. With these glass ceramic substrates, low thermal conductivity, high bending strength, and good surface roughness required for fuse characteristics can be obtained. The ratio of the alumina component to the glass component is not limited to the above ratio, and if the glass component is increased, the lower thermal conductivity can be achieved and the fuse characteristic can be improved.

【0013】これらの基板は、800℃〜1000℃の
焼成を行なうので、ヒューズエレメントとして厚膜導体
ペーストの使用が可能で、セラミックグリーンシートに
パターン形成後、同時焼成によりヒューズの発熱体を内
層化することも可能である。
Since these substrates are fired at 800 ° C. to 1000 ° C., a thick film conductor paste can be used as a fuse element. After forming a pattern on a ceramic green sheet, the heating element of the fuse is formed into an inner layer by simultaneous firing. It is also possible to do so.

【0014】これに対して、他の絶縁性基板を用いた場
合には、以下のデメリットがある。まず、アルミナ基板
(Al 90%〜96%)の場合には、表1に示
すように熱伝導率が高い。このため、基板上のヒューズ
溶断部直下に無機材料(例えば、ガラス、JCR)、ま
たは有機材料(例えば、ポリイミド、エポキシレジン)
で作成される蓄熱層が必要となることは上述した通りで
ある。このような蓄熱層を設けない場合、表面の平滑性
がないため、安定したヒューズエレメントが作成でき
ず、ヒューズ特性も不安定となるという問題もある。
On the other hand, the use of other insulating substrates has the following disadvantages. First, in the case of an alumina substrate (Al 2 O 3 90% to 96%), the thermal conductivity is high as shown in Table 1. Therefore, an inorganic material (for example, glass, JCR) or an organic material (for example, polyimide, epoxy resin) is provided directly under the fuse blowout portion on the substrate.
As described above, the heat storage layer created in 1 is required. When such a heat storage layer is not provided, there is a problem that a stable fuse element cannot be produced and the fuse characteristic becomes unstable because the surface has no smoothness.

【0015】マイカ系セラミック基板の場合には、曲げ
強度が比較的低いため、チップ状態での素体強度が弱
く、実装後に実装回路基板を分割する際、実装回路基板
に強度な負荷が掛かるとチップが割れる危険性がある。
また、実装回路基板へ搭載する際にマウンターでチップ
に過負荷が掛かると、チップが損傷する危険性があると
いう問題もある。また、面粗さが比較的大きく、表面の
平滑性が悪く、安定したヒューズエレメントの形成が難
しいという問題もある。
In the case of a mica-based ceramic substrate, since the bending strength is relatively low, the strength of the element body in the chip state is weak, and when the mounted circuit board is divided after mounting, a strong load is applied to the mounted circuit board. There is a risk of cracking the tip.
There is also a problem in that the chip may be damaged if the chip is overloaded by the mounter when the chip is mounted on the mounting circuit board. There is also a problem that the surface roughness is relatively large, the surface smoothness is poor, and it is difficult to form a stable fuse element.

【0016】また、石英ガラス基板の場合には、同様に
曲げ強度が低いため、チップ状態での素体強度が弱く、
実装後に実装回路基板を分割する際、実装回路基板に強
度な負荷が掛かるとチップが割れる危険性がある。ま
た、実装回路基板へ搭載する際にマウンターでチップに
過負荷が掛かると、チップが損傷する危険性がある。
Further, in the case of a quartz glass substrate, since the bending strength is similarly low, the element strength in the chip state is weak,
When the mounted circuit board is divided after mounting, the chip may be cracked if a strong load is applied to the mounted circuit board. Further, when the chip is overloaded by the mounter when mounted on the mounting circuit board, there is a risk of damaging the chip.

【0017】ガラスエポキシ系、ポリイミド系の各基板
は、表1に示すように、熱伝導率がかなり低く、チップ
型電流ヒューズとして直接ヒューズエレメントを形成す
るには良い基板である。一方で、ヒューズの溶断特性を
安定して得るためには、ヒューズエレメントの材質、パ
ターンの精度が必要となり、上記表における基板の面粗
さがヒューズエレメントパターンの寸法精度を損なわす
要因となっている。基板の面粗さは、ラッピング、ポリ
ッシング、研削等で改善されるが高価となる。電流ヒュ
ーズを構成する上で、ヒューズエレメントパターンを形
成する工程の熱処理温度及びその後の熱工程における温
度が重要となる。その熱処理方法は基板や基板上におけ
るヒューズ機能を満足させ得る構造とするため、物質の
耐熱温度により制約をうけるため、工程や方法が限定さ
れることが多く、耐熱温度の半分以下に押さえる必要が
ある。このような観点からすると、ガラスエポキシ系、
ポリイミド系の基板は、耐熱温度がかなり低く、ヒュー
ズエレメントの形成方法に制約がある。
As shown in Table 1, each of the glass epoxy type and polyimide type substrates has a considerably low thermal conductivity and is a good substrate for directly forming a fuse element as a chip type current fuse. On the other hand, in order to obtain a stable fusing characteristic of the fuse, the material of the fuse element and the accuracy of the pattern are required, and the surface roughness of the substrate in the above table is a factor that impairs the dimensional accuracy of the fuse element pattern. There is. The surface roughness of the substrate is improved by lapping, polishing, grinding, etc., but it is expensive. In constructing the current fuse, the heat treatment temperature in the step of forming the fuse element pattern and the temperature in the subsequent heat step are important. Since the heat treatment method has a structure that can satisfy the fuse function on the substrate and the substrate, it is often restricted by the heat resistant temperature of the substance.Therefore, the process and method are often limited, and it is necessary to suppress it to less than half of the heat resistant temperature. is there. From this point of view, glass epoxy type,
The heat resistance temperature of the polyimide-based substrate is considerably low, and the method of forming the fuse element is limited.

【0018】次にこのチップ型電流ヒューズの製造方法
について図2(a)〜(d)を参照しながら説明する。
なお、この各図の左側は平面図、右側は縦断面図であ
る。まず、図2(a)に示すように、ガラスセラミック
基板11を準備する。尚、図2に示す各図は、シート状
(多数個取り)の基板のうちの、不図示の縦横に基板の
分割溝に沿って基板を分割した後に1個のチップ型電流
ヒューズとなる一部分のみを示している。次に、図2
(b)に示すように、厚膜導体ペーストまたは厚膜抵抗
ペーストをスクリーン印刷により塗布する。そして、6
00〜900℃で焼成し、メタルグレーズ系のヒューズ
エレメントパターン14を形成する。基体にガラスセラ
ミック基板を用いると、厚膜ペーストの熱収縮もわずか
であるため、加熱することによるパターンの変形がな
く、安定したヒューズエレメントパターンの形成が可能
である。
Next, a method of manufacturing this chip type current fuse will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d).
The left side of each drawing is a plan view, and the right side is a vertical sectional view. First, as shown in FIG. 2A, a glass ceramic substrate 11 is prepared. Each of the drawings shown in FIG. 2 is a part of a sheet-like (multi-cavity) substrate that becomes one chip-type current fuse after the substrate is divided along the dividing grooves of the substrate in the vertical and horizontal directions (not shown). Shows only. Next, FIG.
As shown in (b), a thick film conductor paste or a thick film resistor paste is applied by screen printing. And 6
Baking is performed at 00 to 900 ° C. to form a metal glaze type fuse element pattern 14. When the glass ceramic substrate is used as the base, the thermal contraction of the thick film paste is slight, so that the pattern is not deformed by heating and a stable fuse element pattern can be formed.

【0019】また、ガラスセラミック基板のグリーンシ
ート(生基板)を準備し、厚膜導体ペーストを印刷し、
両者を同時に焼成することもできる。これにより、ガラ
スセラミック基板の焼成と厚膜導体ペーストの焼成を同
時に行うことができるので、製造コストを低減すること
が可能である。また、ヒューズエレメントをガラスセラ
ミック基板へサンドイッチ状に挟み込んで内装化するこ
とで、更に製造コストを低減することが可能となる。L
TCCは低温焼成で低温収縮のため、生基板(グリーン
シート)と導体とを同時に焼成することができ、内装化
した積層体を一括して形成できる。
Further, a green sheet (green substrate) of a glass ceramic substrate is prepared, a thick film conductor paste is printed,
Both can be fired at the same time. Thereby, the firing of the glass ceramic substrate and the firing of the thick film conductor paste can be performed at the same time, so that the manufacturing cost can be reduced. Further, by sandwiching the fuse element in a glass ceramic substrate in a sandwich shape and incorporating it inside, it is possible to further reduce the manufacturing cost. L
Since TCC shrinks at a low temperature when it is fired at a low temperature, a green substrate (green sheet) and a conductor can be fired at the same time, and an internally laminated body can be collectively formed.

【0020】このように厚膜プロセスを用いることで、
ガラスセラミック基板上にヒューズエレメントを容易に
且つ安価に製造することが可能である。
By using the thick film process in this way,
It is possible to easily and inexpensively manufacture the fuse element on the glass ceramic substrate.

【0021】次に、図2(c)に示すように、ヒューズ
エレメント部及び電極12(これは表電極を兼用してい
る)の一部を被覆するようにガラスコート層及び又は樹
脂コート層からなる保護層を設ける。このガラスコート
/樹脂コート層は、ガラスペースト/樹脂ペーストをス
クリーン印刷等により所定の部分に形成した後に、加熱
焼成及び/又は加温硬化して形成する。
Next, as shown in FIG. 2C, a glass coat layer and / or a resin coat layer are formed so as to cover a part of the fuse element portion and the electrode 12 (which also serves as the front electrode). Is provided. This glass coat / resin coat layer is formed by forming a glass paste / resin paste on a predetermined portion by screen printing or the like, and then heating and firing and / or curing with heating.

【0022】次に、図2(d)に示すように、裏面及び
端面の電極12を形成する。この電極は例えばAgペー
ストを用いてスクリーン印刷を行い、その後に加熱焼成
することにより形成してもよく、又、全面に金属をスパ
ッタリングにより被着して、フォトリソグラフィにより
不要部分を除去するようにして形成しても良い。又、メ
タルマスク等による部分着膜で電極をスパッタリングに
より形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 2D, the electrodes 12 on the back and end faces are formed. This electrode may be formed, for example, by screen printing using Ag paste and then heating and baking, or by depositing a metal on the entire surface by sputtering and removing unnecessary portions by photolithography. You may form. Further, the electrodes may be formed by sputtering with a partially deposited film using a metal mask or the like.

【0023】更に、電極部分にNi/ハンダによる電極
メッキを行う。これは、例えば電解バレルメッキにより
まずNiメッキを行い、次に引き続きハンダメッキを行
うことにより上述した電極メッキを施した電極12が形
成される。これにより、表面実装に好適なチップ型電流
ヒューズが完成する。
Further, the electrode portion is plated with Ni / solder. In this case, for example, Ni plating is first performed by electrolytic barrel plating, and then solder plating is performed to form the electrode 12 subjected to the above-described electrode plating. As a result, a chip type current fuse suitable for surface mounting is completed.

【0024】上述したようにガラスセラミック基板は、
基板表面とそれに対応する裏面にブレーク用のスリット
を設けることが可能である。従って、多数個取りの基板
から個々のチップに分離するに際して、アルミナ系のセ
ラミック基板と同様にブレーク(クラッキング)により
分離することが可能である。即ち、個々のチップに分離
するに際してダイシングソーを用いて切断する必要がな
く、これにより低コストでチップ型電流ヒューズを製造
することができる。
As described above, the glass ceramic substrate is
It is possible to provide break slits on the front surface of the substrate and the back surface corresponding thereto. Therefore, when the individual chips are separated from the multi-piece substrate, it is possible to separate the chips by break (cracking) like the alumina ceramic substrate. That is, it is not necessary to cut the chip into individual chips by using a dicing saw, which allows the chip-type current fuse to be manufactured at low cost.

【0025】なお、上述した実施形態においては、ヒュ
ーズエレメントを厚膜導体ペーストを用いて厚膜技術に
より形成する例について説明したが、その他のヒューズ
エレメントの形成方法も採用が可能である。例えば、基
板上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着等により被
着し、フォトリソグラフィを用いてヒューズエレメント
パターンを形成するようにしてもよい。また、金属薄膜
によるヒューズエレメントパターンの形成後、電解また
は無電解めっきにより厚い金属膜のヒューズエレメント
パターンを形成するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the example of forming the fuse element by the thick film technique using the thick film conductor paste has been described, but other methods of forming the fuse element can also be adopted. For example, a metal thin film may be deposited on the substrate by sputtering or vapor deposition, and the fuse element pattern may be formed by using photolithography. Further, after forming the fuse element pattern of the metal thin film, the fuse element pattern of the thick metal film may be formed by electrolytic or electroless plating.

【0026】尚、上記実施の形態はチップ型の電流ヒュ
ーズについて説明したが、チップ型以外にも、角板状の
絶縁性基板にヒューズエレメントを配置した各種の電流
ヒューズに適用可能なことは勿論である。このように、
本発明の趣旨を逸脱することなく、種々の変形実施例が
可能である。
Although the above embodiment has been described with respect to the chip type current fuse, it is needless to say that the present invention can be applied to various current fuses in which fuse elements are arranged on a rectangular plate-shaped insulating substrate, other than the chip type. Is. in this way,
Various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、構
造が簡単で且つ溶断特性が改良されたチップ型電流ヒュ
ーズが提供される。
As described above, according to the present invention, there is provided a chip type current fuse having a simple structure and improved fusing characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態のチップ型電流ヒューズの
(a)縦断面図、(b)平面図である。
FIG. 1A is a vertical sectional view and FIG. 1B is a plan view of a chip-type current fuse according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態のチップ型電流ヒューズの
製造工程の前半部を示す左側が平面図であり、右側が縦
断面図である。
FIG. 2 is a plan view on the left side showing the first half of the manufacturing process of the chip-type current fuse according to the embodiment of the present invention, and a vertical sectional view on the right side.

【図3】従来のチップ型電流ヒューズの(a)縦断面
図、(b)平面図である。
FIG. 3A is a vertical sectional view and FIG. 3B is a plan view of a conventional chip-type current fuse.

【符号の説明】 10 チップ型電流ヒューズ 11 ガラスセラミック基板 12 電極 14 ヒューズエレメント 15 保護膜[Explanation of symbols] 10 Chip type current fuse 11 Glass-ceramic substrate 12 electrodes 14 Fuse element 15 Protective film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金丸 展大 長野県上伊那郡箕輪町大字中箕輪14016 コーア株式会社内 Fターム(参考) 5G502 AA01 BA08 BD02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kanamaru Exhibition             14016 Nakaminowa, Minowa-cho, Kamiina-gun, Nagano Prefecture             Inside Coer Co., Ltd. F-term (reference) 5G502 AA01 BA08 BD02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 角板状の絶縁性基板の表面にヒューズエ
レメントを形成し、該ヒューズエレメントを保護膜で被
覆し、前記基板の両端部に電極を配設したチップ型電流
ヒューズにおいて、 前記絶縁性基板としてガラスセラミック基板を用いたこ
とを特徴とするチップ型電流ヒューズ。
1. A chip-type current fuse in which a fuse element is formed on the surface of a rectangular plate-shaped insulating substrate, the fuse element is covered with a protective film, and electrodes are provided at both ends of the substrate. A chip-type current fuse characterized in that a glass ceramic substrate is used as the flexible substrate.
【請求項2】 前記ヒューズエレメントは、厚膜導体ペ
ーストを印刷し、焼成して形成したものであることを特
徴とする請求項1記載のチップ型電流ヒューズ。
2. The chip-type current fuse according to claim 1, wherein the fuse element is formed by printing thick film conductor paste and firing it.
【請求項3】 角板状の絶縁性基板の表面にヒューズエ
レメントを形成し、該ヒューズエレメントを保護膜で被
覆し、前記基板の両端部に電極を配設するチップ型電流
ヒューズの製造方法において、 ガラスセラミック基板上に、厚膜導体ペーストを印刷
し、焼成して、ヒューズエレメントを形成することを特
徴とするチップ型電流ヒューズの製造方法。
3. A method for manufacturing a chip-type current fuse in which a fuse element is formed on a surface of a rectangular plate-shaped insulating substrate, the fuse element is covered with a protective film, and electrodes are arranged at both ends of the substrate. A method for manufacturing a chip-type current fuse, characterized in that a thick film conductor paste is printed on a glass ceramic substrate and fired to form a fuse element.
【請求項4】 前記ガラスセラミックのグリーンシート
上に、前記厚膜導体ペーストを印刷し、同時に焼成する
ことを特徴とする請求項3記載のチップ型電流ヒューズ
の製造方法。
4. The method for manufacturing a chip-type current fuse according to claim 3, wherein the thick-film conductor paste is printed on the green sheet of glass ceramic and is simultaneously fired.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007019054A (en) * 2005-07-05 2007-01-25 Nichicon Corp Solid electrolytic capacitor with built-in fuse
KR100856318B1 (en) * 2007-06-25 2008-09-03 주식회사 동부하이텍 Fuse for semiconductor device
JP2011233316A (en) * 2010-04-27 2011-11-17 Kyocera Corp Current fuse device and circuit board
KR101342501B1 (en) 2012-04-02 2013-12-19 주식회사 에스엠하이테크 Conductive pattern for subminiature smd fuse

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