JPH085542A - Method and apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents
Method and apparatus for fabricating semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH085542A JPH085542A JP6160642A JP16064294A JPH085542A JP H085542 A JPH085542 A JP H085542A JP 6160642 A JP6160642 A JP 6160642A JP 16064294 A JP16064294 A JP 16064294A JP H085542 A JPH085542 A JP H085542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum chamber
- foreign matter
- dust
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 167
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 76
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、ワークに対して真空室中で処理が施される処
理工程を含む半導体装置の製造方法に関し、例えば、半
導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造に利用
して有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor device including a processing step in which a workpiece is processed in a vacuum chamber. Hereinafter, it will be referred to as an IC) and relates to a technique effectively used for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＩＣの製造方法においては、半導体ウエ
ハ（以下、ウエハという。）に集積回路が種々の表面処
理工程を経て作り込まれて行く。そして、この表面処理
工程におけるワークであるウエハの表面に異物が存在す
ると、集積回路に様々の欠陥が作り込まれたり、電気配
線の絶縁不良や短絡不良が発生する。そこで、ＩＣの製
造方法においては、ウエハの表面に異物が規定値以上存
在しているか否かを検査することにより、異物による不
良の発生を未然に回避する対策を講ずることが実施され
ている。2. Description of the Related Art In a method of manufacturing an IC, an integrated circuit is built into a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) through various surface treatment steps. If foreign matter is present on the surface of the wafer, which is a workpiece in this surface treatment process, various defects are created in the integrated circuit, and insulation failure and short circuit failure of electric wiring occur. Therefore, in the method of manufacturing an IC, a measure is taken to prevent occurrence of a defect due to a foreign substance by inspecting whether or not the foreign substance is present on the surface of the wafer at a specified value or more.
【０００３】そして、ウエハの表面に付着した異物を検
出する従来の技術として、例えば、日本国特許庁公開特
許公報昭６２−８９３３６号に記載されている技術があ
る。すなわち、この技術は、ウエハにレーザーを照射し
てウエハの上に異物が付着している場合にその異物にお
いて発生する散乱光を検出し、同一品種についての前回
の検査結果と今回の検査結果とを照合して比較するもの
である。この技術によれば、同一品種についての検査結
果同士の比較によって、ウエハに作り込まれたパターン
による付着異物に対する虚報が排除されるため、高感度
かつ高信頼度の異物検査を実現することができる。As a conventional technique for detecting foreign matter adhering to the surface of a wafer, there is, for example, the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 62-89336. That is, this technique detects the scattered light generated in the foreign matter when the foreign matter adheres to the wafer by irradiating the wafer with the laser, and the previous inspection result and the present inspection result for the same product type are detected. Are compared and compared. According to this technique, by comparing the inspection results of the same product type with each other, it is possible to eliminate the false alarm of the adhered foreign matter due to the pattern formed on the wafer, so that the highly sensitive and highly reliable foreign matter inspection can be realized. .
【０００４】ところで、高集積化、超微細化が進展した
今日、ウエハに集積回路を作り込む処理工程は、減圧Ｃ
ＶＤ装置やドライエッチング装置等のようにワークであ
るウエハに対して真空室中で処理が施される工程が多く
なって来ている。ここで、真空室中で処理が施される工
程に関してウエハの表面に付着する異物は、搬送装置等
の可動部や人体から発生する塵埃のように真空室外部で
発生する異物と、真空室内部で発生する異物とに大別す
ることができる。そして、真空室内部で発生する異物に
は、真空室中における処理ガスの反応によって生成され
る生成物と、真空室内の壁面から脱離する異物とがあ
る。By the way, today, with the progress of high integration and ultra-miniaturization, the process of forming an integrated circuit on a wafer is performed under a reduced pressure C.
There is an increasing number of processes in which a wafer, which is a work, is processed in a vacuum chamber such as a VD device and a dry etching device. Here, regarding the process performed in the vacuum chamber, the foreign substances attached to the surface of the wafer include foreign substances generated outside the vacuum chamber, such as dust generated from a movable part of the transfer device or the human body, and the inside of the vacuum chamber. It can be roughly divided into foreign matter generated in. The foreign matter generated in the vacuum chamber includes a product generated by the reaction of the processing gas in the vacuum chamber and a foreign matter desorbed from the wall surface of the vacuum chamber.
【０００５】そこで、真空室中で処理が施される工程に
関しては、真空室の外部においてウエハの表面について
の異物検査を実施するだけでなく、真空室の内部におい
てウエハの表面についての異物検査を実施することが必
要になる。この真空室の内部においてウエハの表面につ
いての異物検査を実施する技術が記載されている例とし
て、日本国特許庁公告実用新案公報平５−１８１３号、
日本国特許庁公開特許公報平５−１３３３０号、同平４
−１５２５４５号、がある。Therefore, regarding the process performed in the vacuum chamber, not only the foreign substance inspection on the surface of the wafer outside the vacuum chamber but also the foreign substance inspection on the surface of the wafer inside the vacuum chamber is performed. It is necessary to carry out. As an example in which a technique for performing foreign matter inspection on the surface of a wafer inside the vacuum chamber is described, Japanese Patent Office Publication Utility Model Publication No. 5-1813,
Japanese Patent Office published patent publication Nos. 5-13330 and 4
There is No. 152545.
【０００６】日本国特許庁公告実用新案公報平５−１８
１３号には、表面異物検査装置が記載されている。この
表面異物検査装置は、真空室に収容されたウエハに照射
窓を透過してレーザーを照射し、ウエハで反射したレー
ザーを導出用窓を透過させて検出することにより、ウエ
ハ上の異物を検出するように構成されている。Japanese Patent Office Official Utility Model Publication No. 5-18
No. 13 describes a surface foreign matter inspection device. This surface foreign matter inspection device detects a foreign matter on a wafer by irradiating a wafer contained in a vacuum chamber with a laser beam through an irradiation window and detecting a laser beam reflected by the wafer through a derivation window. Is configured to.
【０００７】日本国特許庁公開特許公報平５−１３３３
０号には、分子線エピタキシ装置が記載されている。こ
の分子線エピタキシ装置は、真空室である成長室に検査
室および前処理室をそれぞれ設備して成長前のウエハに
前処理および異物検査をそれぞれ実施し、異物検査にお
いて問題のないウエハだけを成長室に搬入するように構
成されている。Japanese Patent Office Unexamined Patent Publication No. 5-1333
No. 0 describes a molecular beam epitaxy system. This molecular beam epitaxy system is equipped with an inspection chamber and a pretreatment chamber in the growth chamber, which is a vacuum chamber, and performs pretreatment and foreign matter inspection on the wafers before growth, and only grows wafers that have no problems in foreign matter inspection. It is configured to be loaded into the chamber.
【０００８】日本国特許庁公開特許公報平４−１５２５
４５号には、異物検査方法が記載されている。この異物
検査方法は、反応プロセス装置内におけるウエハの搬送
途中においてウエハの表面に付着した異物を異物計測装
置によって実時間にて計測する方法である。Japanese Patent Office Unexamined Patent Publication No. Hei 4-1525
No. 45 describes a foreign matter inspection method. This foreign matter inspection method is a method in which a foreign matter adhered to the surface of a wafer is measured in real time by a foreign matter measuring device while the wafer is being conveyed in the reaction process device.
【０００９】また、日本国特許庁公開特許公報平５−１
８９０１号には、異物の大きさやその位置を検出するば
かりでなく、その異物がエピタキシャル工程で発生した
ものか否かも判定することができるウエハ表面検査装置
が提案されている。このウエハ表面検査装置は第１のレ
ーザーを照射する手段と、第１レーザーとは異なる第２
のレーザーをパルスとして照射する手段と、第２レーザ
ーが照射されたことによって異物から誘起される散乱光
に基づいて異物を同定する異物同定手段とを備えてい
る。そして、エピタキシャル工程後に発生した有機物の
異物は蛍光を有することを利用し、第２レーザーの照射
によって異物に蛍光を発光させることにより、エピタキ
シャル工程で発生した異物を特定するように工夫されて
いる。Further, Japanese Patent Office published patent publication No. 5-1.
No. 8901 proposes a wafer surface inspection apparatus capable of not only detecting the size and position of a foreign substance but also determining whether or not the foreign substance is generated in an epitaxial process. This wafer surface inspection apparatus includes a means for irradiating a first laser and a second laser different from the first laser.
Means for irradiating the laser as a pulse and foreign matter identifying means for identifying the foreign matter based on the scattered light induced from the foreign matter by the irradiation of the second laser. The fact that the foreign matter of the organic matter generated after the epitaxial process has fluorescence is utilized, and the foreign matter generated in the epitaxial process is devised by causing the foreign matter to emit fluorescence by irradiation of the second laser.
【００１０】なお、異物検査技術を述べてある例として
は、次の文献がある。日本国特許庁公開特許公報昭６２
−１２８４４号、同昭６３−１３５８４８号、同昭１４
４４０号、同昭６０−２１８８４５号、同昭６３−１７
９２４２号、同昭６３−１３３４２号、同昭６２−２６
１０４３号、同昭６２−１１１４９号、同平５−７４９
０３号、同平４−１４７６４１号、同昭６２−２６３６
４６号。As an example in which the foreign matter inspection technique is described, there is the following document. Japanese Patent Office published patent gazette Sho 62
-12844, Do 63-635848, Do 14
440, 60-218845, 63-17
9242, 63-14342, 62-26
No. 1043, No. 62-11149, No. 5-749
03, Dohei 4-147641, Dosho 62-2636
No. 46.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】従来の異物検査装置は
規模が大きいため、独立した設備として構築されている
のが通例である。そのため、製造ラインで処理されたウ
エハは製造ラインから異物検査装置まで移送されて異物
検査を実施されることになる。その結果、異物検査装置
によって検出されたウエハ表面の異物が、ウエハの移送
中に付着した異物であるのか、製造ラインで付着した異
物であるのか不明になるという問題が発生する。また、
ウエハが製造ラインから異物検査装置まで移送されるた
め、時間や手間が浪費されるため、生産性が低下すると
いう問題がある。Since the conventional foreign matter inspection apparatus has a large scale, it is usually constructed as an independent facility. Therefore, the wafer processed in the manufacturing line is transferred from the manufacturing line to the foreign substance inspection device and is subjected to the foreign substance inspection. As a result, there arises a problem that it is unclear whether the foreign matter on the wafer surface detected by the foreign matter inspection apparatus is the foreign matter deposited during the transfer of the wafer or the foreign matter deposited on the manufacturing line. Also,
Since the wafer is transferred from the manufacturing line to the foreign matter inspection device, time and labor are wasted, which causes a problem of reduced productivity.
【００１２】本発明の第１の目的は、移送の時間や手間
を省略することができるとともに、移送中の異物の付着
を防止することができる半導体装置の製造技術を提供す
ることにある。A first object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique which can save the time and labor for the transfer and can prevent the adhesion of foreign matter during the transfer.
【００１３】また、真空室の内部においてウエハの表面
についての異物検査を実施する前記した従来の技術にお
いては、検出された異物が真空室中で発生した異物であ
るのか、真空室の外部で発生した異物であるのか判定す
ることができない。ところで、ウエハの量産ラインにお
いては、異物の発生場所を特定し迅速に対策を講ずるこ
とがスループット向上のための重要な課題である。Further, in the above-mentioned conventional technique for inspecting a foreign substance on the surface of a wafer inside the vacuum chamber, whether the detected foreign substance is a foreign substance generated in the vacuum chamber or is generated outside the vacuum chamber. It is not possible to determine whether or not it is a foreign substance. By the way, in a wafer mass production line, it is an important task to improve the throughput by specifying a place where a foreign substance is generated and promptly taking measures.
【００１４】そこで、本発明の第２の目的は、異物がワ
ークに真空室内で付着するであろう蓋然性を予測するこ
とにより、迅速な対策を講ずることができる半導体装置
の製造技術を提供することにある。Therefore, a second object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing technique capable of taking prompt measures by predicting the probability that foreign matter will adhere to a workpiece in a vacuum chamber. It is in.
【００１５】さらに、前記したウエハ表面検査装置にお
いては、エピタキシャル工程後に発生した蛍光を有する
有機物だけが同定されるため、それ以外の異物について
はエピタキシャル工程で発生したかものか否か判定する
ことができないし、また、エピタキシャル工程以外の工
程に適用することができない。Further, in the above-described wafer surface inspection apparatus, since only organic substances having fluorescence generated after the epitaxial process are identified, it is impossible to determine whether or not other foreign matter may be generated during the epitaxial process. However, it cannot be applied to processes other than the epitaxial process.
【００１６】そこで、本発明の第３の目的は、異物の種
類にかかわらず、真空室で処理が実施される工程全般に
使用することができる半導体装置の製造技術を提供する
ことにある。Therefore, a third object of the present invention is to provide a manufacturing technique of a semiconductor device which can be used in all the steps in which processing is performed in a vacuum chamber regardless of the type of foreign matter.
【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。すなわち、ワークに対して真空室中で処理が施
される処理工程に使用される半導体装置の製造装置は、
前記真空室中に浮遊している塵埃の数を計測する塵埃計
測装置と、前記塵埃計測装置によって計測された塵埃数
を前記真空室中に浮遊している塵埃数と前記真空中で処
理された前記ワークに付着した異物数との相関関係に照
合することにより、前記真空室中で処理されるワークの
異物付着数を予測するデーター処理装置とを備えてい
る。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below. That is, the semiconductor device manufacturing apparatus used in the processing step in which the workpiece is processed in the vacuum chamber is
A dust measuring device for measuring the number of dust floating in the vacuum chamber, and the number of dust measured by the dust measuring device is processed in the vacuum together with the number of dust floating in the vacuum chamber. And a data processing device for predicting the number of adhered foreign matters on the workpiece processed in the vacuum chamber by checking the correlation with the number of foreign matters adhered on the workpiece.
【００１９】[0019]
【作用】前記した手段によれば、真空室中に浮遊してい
る塵埃数が計測され、この計測された塵埃数が浮遊塵埃
数−ワーク付着異物数の相関関係に照合されることによ
り、処理後のワーク表面への異物付着数が予測される。
つまり、真空室内において異物がワークに付着するであ
ろう蓋然性が予測されることになる。そして、予め基準
値を設定しておくことにより、予測された値が基準値以
上である場合に真空室における処理を中止することがで
きる。また、処理済のワークの次工程以降への投入を停
止する等の対策を迅速に講ずることができる。According to the above-mentioned means, the number of dust particles floating in the vacuum chamber is measured, and the measured number of dust particles is collated with the correlation between the number of floating dust particles and the number of foreign matter adhering to the work, thereby performing the processing. The number of foreign matters attached to the surface of the work afterwards is predicted.
That is, the probability that foreign matter will adhere to the work in the vacuum chamber is predicted. By setting the reference value in advance, the process in the vacuum chamber can be stopped when the predicted value is equal to or higher than the reference value. Further, it is possible to promptly take measures such as stopping the input of the processed work to the next process and thereafter.
【００２０】[0020]
【実施例】図１は本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装
置を示す模式図である。図２はそれに使用されている異
物検査装置を示す模式的正面図であり、図３はそれに使
用されている塵埃計測装置を示す模式的斜視図である。
図４は浮遊塵埃数−ウエハ付着異物数の相関関係を示す
グラフである。図５は本発明の一実施例であるＩＣの製
造方法に含まれた減圧ＣＶＤ工程を示すフロー図であ
る。図６は浮遊塵埃のウエハ付着予測の作用を示すフロ
ー図である。図７は増加異物判定の作用を説明するため
の各説明図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view showing a low pressure CVD apparatus which is an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic front view showing a foreign substance inspection device used therein, and FIG. 3 is a schematic perspective view showing a dust measuring device used therein.
FIG. 4 is a graph showing the correlation between the number of floating dust particles and the number of foreign matters adhering to the wafer. FIG. 5 is a flow chart showing a low pressure CVD process included in the method of manufacturing an IC according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a flow chart showing the operation of predicting wafer adhesion of floating dust. FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the operation of the increased foreign matter determination.
【００２１】本実施例において、本発明に係る半導体装
置の製造装置は、ウエハにＩＣを作り込むＩＣの製造方
法に使用される減圧ＣＶＤ装置として構成されている。
この減圧ＣＶＤ装置１０は、真空室である処理室１１
と、ウエハコード読取装置２０と、ワークであるウエハ
の表面に付着した異物の数を計測する異物計測装置とし
ての異物検査装置３０と、処理室１１に浮遊している塵
埃の数を計測する塵埃計測装置５０と、データー処理装
置７０とを備えている。In the present embodiment, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is configured as a low pressure CVD apparatus used in an IC manufacturing method for manufacturing an IC on a wafer.
The low pressure CVD apparatus 10 includes a processing chamber 11 that is a vacuum chamber.
A wafer code reading device 20, a foreign substance inspection device 30 as a foreign substance measuring device for measuring the number of foreign substances adhering to the surface of a wafer as a work, and a dust for measuring the number of dust particles floating in the processing chamber 11. The measuring device 50 and the data processing device 70 are provided.
【００２２】本発明の真空室としての処理室１１は、ワ
ークであるウエハ１を収容し得る大きさの気密室に形成
されている。処理室１１の排気口に接続された排気路１
２にはターボ分子ポンプ等のオイルフリーの高真空ポン
プ１３が、バルブ１２ａおよび圧力計１２ｂ等を介して
接続されている。そして、処理室１１はこの高真空ポン
プ１３によって所定の真空度（例えば、１０-3〜１０-6
Ｔｏｏｒ）に真空排気されるようになっている。処理室
１１の内部にはウエハ１を保持するためのサセプタ１４
が配設されており、このサセプタ１４はヒーター１５に
よって加熱されるように構成されている。また、処理室
１１には処理ガス１６を供給するためのガス供給路１７
が接続されており、このガス供給路１７のガス吹き出し
口はサセプタ１４に保持されたウエハ１に対向して配置
されて、処理ガスをウエハ１上に供給するようになって
いる。The processing chamber 11 as the vacuum chamber of the present invention is formed as an airtight chamber having a size capable of accommodating the wafer 1 as a work. Exhaust path 1 connected to the exhaust port of the processing chamber 11
An oil-free high vacuum pump 13 such as a turbo molecular pump is connected to 2 via a valve 12a and a pressure gauge 12b. The high vacuum pump 13 causes the processing chamber 11 to have a predetermined degree of vacuum (for example, 10 −3 to 10 −6).
It is designed to be evacuated to (Toor). A susceptor 14 for holding the wafer 1 is provided inside the processing chamber 11.
Is provided, and the susceptor 14 is configured to be heated by the heater 15. Further, a gas supply passage 17 for supplying a processing gas 16 to the processing chamber 11
The gas outlet of the gas supply path 17 is arranged so as to face the wafer 1 held by the susceptor 14, and the processing gas is supplied onto the wafer 1.
【００２３】他方、処理室１１のワーク出し入れ口１８
Ａの外側には、気密室に構成されたロードロック室１９
が連設されており、このロードロック室１９も高真空ポ
ンプ（図示せず）によって真空排気されるようになっい
る。ロードロック室１９の処理室側ワーク出し入れ口１
８Ａと反対側には大気側ワーク出し入れ口１８Ｂが開設
されている。そして、ロードロック室１９にはハンドリ
ング装置（図示せず）が設備されており、このハンドリ
ング装置はワークであるウエハ１を各出し入れ口１８Ａ
および１８Ｂに対して出し入れ操作するように構成され
ている。On the other hand, the work loading / unloading port 18 of the processing chamber 11
On the outside of A, there is a load lock chamber 19 which is configured as an airtight chamber.
The load lock chamber 19 is also evacuated by a high vacuum pump (not shown). Workpiece loading / unloading port 1 on the processing chamber side of the load lock chamber 19
An atmosphere-side workpiece loading / unloading port 18B is opened on the side opposite to 8A. A handling device (not shown) is installed in the load lock chamber 19, and the handling device handles the wafer 1 as a workpiece at each of the loading / unloading ports 18A.
And 18B are configured to be moved in and out.
【００２４】ところで、生産管理や品質管理および不良
原因の究明等を合理的に実行する目的で、ＩＣの製造方
法におけるワークであるウエハ１には、個々のウエハを
識別するために各ウエハ固有の識別コード（以下、ウエ
ハコードという。）がそれぞれ表示されている。ちなみ
に、ウエハコードは英文字や数字等で構成されており、
写真食刻法によってウエハの表面に表示される。そこ
で、本実施例においては、このウエハコード（図示せ
ず）をウエハ読取装置２０によって読み取ることによ
り、後述する各データーの照合に利用するものとしてい
る。By the way, for the purpose of rationally executing production control, quality control, investigation of the cause of defects, etc., the wafer 1 which is a work in the IC manufacturing method is unique to each wafer in order to identify each wafer. An identification code (hereinafter referred to as a wafer code) is displayed. By the way, the wafer code consists of English letters and numbers,
It is displayed on the surface of the wafer by photolithography. Therefore, in the present embodiment, the wafer code (not shown) is read by the wafer reading device 20 to be used for collating each data described later.
【００２５】ウエハコード読取装置２０は大気側ワーク
出し入れ口１８Ｂの外側に設備されており、読取対象物
であるウエハ１を保持するステージ装置２１を備えてい
る。ステージ装置２１の上方には照明装置２２およびテ
レビカメラ２３が設備されている。照明装置２２はステ
ージ装置２１に保持されたウエハ１のウエハコードを照
明し得るように構成されている。テレビカメラ２３は照
明されたウエハコードを撮映してその画像を電気信号と
して取り込むように構成されている。テレビカメラ２３
にはコード認識装置２４が接続されており、コード認識
装置２４はテレビカメラ２３からの画像信号を処理する
ことにより、ウエハ１に表示されたウエハコードを認識
するように構成されている。ウエハコード読取装置２０
はその読み取り結果としてのウエハコードをコード認識
装置２４から電気信号としてデーター処理装置７０に送
信するようになっいる。The wafer code reading device 20 is installed outside the atmosphere-side workpiece loading / unloading port 18B, and is provided with a stage device 21 for holding the wafer 1 to be read. An illumination device 22 and a television camera 23 are installed above the stage device 21. The illumination device 22 is configured to illuminate the wafer code of the wafer 1 held by the stage device 21. The television camera 23 is configured to capture the illuminated wafer code and capture the image as an electrical signal. TV camera 23
Is connected to a code recognition device 24, and the code recognition device 24 is configured to recognize the wafer code displayed on the wafer 1 by processing the image signal from the television camera 23. Wafer code reader 20
The wafer recognition result is transmitted from the code recognition device 24 to the data processing device 70 as an electric signal.
【００２６】ここで、前記構成に係るウエハコード読取
装置２０の作用を説明する。読取対象物であるウエハ１
がステージ装置２１に保持されると、ウエハ１のウエハ
コード表示領域が照明装置２２によって照明される。続
いて、照明された領域がテレビカメラ２３によって撮映
され、その画像信号がコード認識装置２４に送信され
る。コード認識装置２４は画像信号を処理することによ
り、読取対象物であるウエハ１に表示されたウエハコー
ドを読み取り、読み取ったウエハコードをデーター処理
装置７０に送信する。Here, the operation of the wafer code reading device 20 according to the above configuration will be described. Wafer 1 to be read
Is held by the stage device 21, the wafer code display area of the wafer 1 is illuminated by the illumination device 22. Then, the illuminated area is captured by the television camera 23, and the image signal is transmitted to the code recognition device 24. The code recognition device 24 processes the image signal to read the wafer code displayed on the wafer 1, which is the object to be read, and transmits the read wafer code to the data processing device 70.
【００２７】異物計測装置としての異物検査装置３０は
大気側ワーク出し入れ口１８Ｂの外側に、ウエハコード
読取装置２０と隣接して設備されており、図２に示され
ているように構成されている。すなわち、この異物検査
装置３０はステージ装置３１を備えており、このステー
ジ装置３１は被検査物としてのウエハ１を走査させるた
めのＸステージおよびＹステージと、θ方向に回転させ
るθステージと、自動焦点合わせ機構（図示せず）と、
これらを制御するコントローラ３２とを備えている。そ
して、ウエハ１の表面全体を検査するために、ステージ
装置３１によってウエハ１のＸ・Ｙ走査が実行される。
この走査中、コントローラ３２からは被検査物としての
ウエハ１についての座標位置情報が後記する異物判定装
置へ逐次入力されるようになっている。A foreign substance inspection device 30 as a foreign substance measuring device is installed outside the atmosphere-side workpiece loading / unloading port 18B and adjacent to the wafer code reading device 20, and is constructed as shown in FIG. . That is, the foreign matter inspection device 30 includes a stage device 31, and the stage device 31 includes an X stage and a Y stage for scanning the wafer 1 as the inspection object, a θ stage for rotating in the θ direction, and an automatic stage. A focusing mechanism (not shown),
The controller 32 which controls these is provided. Then, in order to inspect the entire surface of the wafer 1, the stage device 31 executes X and Y scanning of the wafer 1.
During this scanning, the coordinate position information of the wafer 1 as the inspection object is sequentially input from the controller 32 to the foreign matter determination device described later.
【００２８】ステージ装置３１の上方には検査光照射装
置３３が設備されている。この検査光照射装置３３はウ
エハ１に検査光としてのレーザー３４を照射するレーザ
ー照射器３５と、レーザー３４を集光する集光レンズ３
６とを備えており、集光したレーザー３４をステージ装
置３１上に保持された被検査物としてのウエハ１に照射
するようになっている。An inspection light irradiation device 33 is installed above the stage device 31. The inspection light irradiation device 33 includes a laser irradiation device 35 that irradiates the wafer 1 with a laser 34 as inspection light, and a condenser lens 3 that condenses the laser 34.
6, and irradiates the focused laser 34 onto the wafer 1 as the inspection object held on the stage device 31.
【００２９】ステージ装置１１の真上には散乱光検出装
置３７が設備されている。この散乱光検出装置３７は、
レーザー３４がウエハ１の表面に照射されるのに伴って
ウエハ１の表面において乱反射された散乱光３８を集光
する対物レンズ３９と、対物レンズ３９で集光された散
乱光３８を散乱光検出器４１の受光面に結像させるリレ
ーレンズ４０と、散乱光３８を検出する散乱光検出器４
１とを備えている。本実施例においては、散乱光検出器
４１は固体撮像光電変換素子によって構成されている。A scattered light detection device 37 is installed directly above the stage device 11. This scattered light detection device 37 is
An objective lens 39 that collects the scattered light 38 diffusely reflected on the surface of the wafer 1 as the surface of the wafer 1 is irradiated with the laser 34, and a scattered light 38 that detects the scattered light 38 collected by the objective lens 39. Relay lens 40 for forming an image on the light receiving surface of device 41, and scattered light detector 4 for detecting scattered light 38
1 and. In this embodiment, the scattered light detector 41 is composed of a solid-state image pickup photoelectric conversion element.
【００３０】散乱光検出器４１には異物判定装置４２が
接続されており、この異物判定装置４２は散乱光検出器
４１からの検出データーに基づいてウエハ１の異物の有
無および大きさ等を判定するとともに、この判定したデ
ーターと、ステージ装置３１のコントローラ３２からの
座標位置データーと照合することにより、異物の座標位
置を特定するように構成されている。そして、異物判定
装置４２は異物の座標位置データーをデーター処理装置
７０に送信するようになっている。A foreign matter determination device 42 is connected to the scattered light detector 41. The foreign matter determination device 42 determines the presence / absence and size of foreign matter on the wafer 1 based on the detection data from the scattered light detector 41. In addition, the coordinate position of the foreign matter is specified by collating the determined data with the coordinate position data from the controller 32 of the stage device 31. Then, the foreign matter determining device 42 transmits the coordinate position data of the foreign matter to the data processing device 70.
【００３１】ここで、前記構成に係る異物検査装置３０
の作用を説明する。検査対象物であるウエハ１がステー
ジ装置３１に保持されると、ウエハ１上に検査光照射装
置３３より検査光としてのレーザー３４が照射される。
このレーザー３４の照射により、ウエハ１上の異物２お
よび回路パターン（図示せず）から散乱光３８が発生
し、この散乱光３８が対物レンズ３９によって集光され
るとともに、リレーレンズ４０を通して散乱光検出器４
１上に結像される。Here, the foreign matter inspection apparatus 30 according to the above configuration
The operation of will be described. When the wafer 1 to be inspected is held by the stage device 31, the inspection light irradiation device 33 irradiates the wafer 1 with a laser 34 as inspection light.
By the irradiation of the laser 34, scattered light 38 is generated from the foreign matter 2 on the wafer 1 and a circuit pattern (not shown), and the scattered light 38 is condensed by the objective lens 39 and also scattered through the relay lens 40. Detector 4
1 is imaged.
【００３２】このとき、回路パターンからの散乱光３８
は規則性があるため、ウエハ１におけるパターン面のフ
ーリエ変換面に設けられた空間フィルタあるいは検光子
から成る遮光素子（図示せず）により、回路パターンか
らの散乱光３８は遮光されることになる。他方、異物２
からの散乱光３８は不規則性であるため、空間フィルタ
あるいは検光子を通過して散乱光検出器４１上に結像さ
れることになる。したがって、異物２のみの検出が可能
となる。At this time, scattered light from the circuit pattern 38
Has regularity, the scattered light 38 from the circuit pattern is blocked by a light blocking element (not shown) formed of a spatial filter or an analyzer provided on the Fourier transform surface of the pattern surface of the wafer 1. . On the other hand, foreign matter 2
Since the scattered light 38 from is irregular, it passes through the spatial filter or the analyzer and is imaged on the scattered light detector 41. Therefore, only the foreign matter 2 can be detected.
【００３３】そして、散乱光検出器４１によって検出さ
れた異物２からの散乱光３８による検出信号は、異物判
定装置４２に入力される。異物判定装置４２はこの検出
信号に基づいて異物２の有無およびその大きさ等を判定
するとともに、この判定データと、ステージ装置３１の
コントローラ３２からの座標位置データとを照合するこ
とにより、異物２の座標位置を特定する。The detection signal of the scattered light 38 from the foreign matter 2 detected by the scattered light detector 41 is input to the foreign matter determination device 42. The foreign matter determination device 42 determines the presence / absence of the foreign matter 2 and the size thereof based on the detection signal, and collates the determination data with the coordinate position data from the controller 32 of the stage device 31 to detect the foreign matter 2 Specify the coordinate position of.
【００３４】このようにして異物検査装置３０によって
判定され、かつ、座標位置が特定された異物２に関する
データ（以下、異物データーという。）は、データー処
理装置７０に送信される。データー処理装置７０におい
て、この異物データーは先に送信されたウエハコードと
照合されることにより、対応するウエハ１の異物データ
ーとして当該ウエハコードと一緒に記憶される。The data (hereinafter, referred to as "foreign matter data") relating to the foreign matter 2 which is determined by the foreign matter inspection apparatus 30 and whose coordinate position is specified in this manner (hereinafter referred to as foreign matter data) is transmitted to the data processing apparatus 70. In the data processor 70, the foreign matter data is collated with the previously transmitted wafer code, and is stored together with the wafer code as the foreign matter data of the corresponding wafer 1.
【００３５】塵埃計測装置５０は処理室１１にその内部
雰囲気の一部を流体的に取り出すように設備されてお
り、図３に示されているように構成されている。すなわ
ち、この塵埃計測装置５０はサンプリングチューブ５１
を備えており、このサンプリングチューブ５１の一端は
処理室１１の内部に望まされ、他端は高真空ポンプ（図
示せず）に連通されている。サンプリングチューブ５１
の途中には透明窓５２が配設されており、この窓５２の
近傍には窓５２内に向けて検査光照射装置５３および散
乱光検出装置５７が設備されている。The dust measuring device 50 is installed in the processing chamber 11 so as to fluidly extract a part of the internal atmosphere, and is constructed as shown in FIG. That is, the dust measuring device 50 is provided with the sampling tube 51.
The sampling tube 51 has one end desired inside the processing chamber 11 and the other end communicating with a high vacuum pump (not shown). Sampling tube 51
A transparent window 52 is provided in the middle of the window, and an inspection light irradiation device 53 and a scattered light detection device 57 are installed near the window 52 toward the inside of the window 52.
【００３６】検査光照射装置５３は透明窓５２内へ検査
光としてのレーザー５４を照射するレーザー照射器５５
と、レーザー５４を集光する集光レンズ５６とを備えて
おり、レーザー５４をサンプリングチューブ５１内を流
通する塵埃６４に窓５２を透過して照射するようになっ
ている。The inspection light irradiating device 53 irradiates the transparent window 52 with a laser 54 as an inspection light.
And a condenser lens 56 for condensing the laser 54, and the laser 54 irradiates the dust 64 flowing in the sampling tube 51 through the window 52.
【００３７】散乱光検出装置５７は、レーザー５４が塵
埃に照射されたのに伴って塵埃において乱反射された散
乱光５８を集光する対物レンズ５９と、対物レンズ５９
で集光された散乱光５８を散乱光検出器６１の受光面に
結像させるリレーレンズ６０と、散乱光５８を検出する
散乱光検出器６１とを備えている。本実施例において
は、散乱光検出器６１は固体撮像光電変換素子によって
構成されている。The scattered light detecting device 57 collects the scattered light 58 diffusely reflected by the dust as the dust is irradiated by the laser 54, and the objective lens 59.
A relay lens 60 for forming an image on the light receiving surface of the scattered light detector 61 and the scattered light detector 61 for detecting the scattered light 58 are provided. In this embodiment, the scattered light detector 61 is composed of a solid-state image pickup photoelectric conversion element.
【００３８】散乱光検出器６１には塵埃判定装置６２が
接続されており、この塵埃判定装置６２は散乱光検出器
６１からの検出データーに基づいて塵埃の有無および大
きさ等を判定するとともに、この判定したデーターと流
量計（図示せず）等からの流量データーと照合すること
により、単位流量当たりの塵埃の個数を特定するように
構成されている。そして、塵埃判定装置６２は塵埃の個
数データーを表示装置６３およびデーター処理装置７０
に送信するようになっている。A dust determination device 62 is connected to the scattered light detector 61. The dust determination device 62 determines the presence / absence and size of dust based on the detection data from the scattered light detector 61. The number of dusts per unit flow rate is specified by collating the determined data with the flow rate data from a flow meter (not shown) or the like. Then, the dust determination device 62 displays the number data of dusts on the display device 63 and the data processing device 70.
It is designed to be sent to.
【００３９】なお、塵埃計測装置５０は処理室１１に直
接的に設備するように構成するに限らず、図３（ｂ）に
示されているように、真空室である処理室１１の排気系
の途中に介設してもよい。すなわち、図３（ｂ）におい
て、塵埃計測装置５０は処理室１１の排気路１２に圧力
計１２ｂの下流側にて接続されている。The dust measuring device 50 is not limited to be directly installed in the processing chamber 11, but as shown in FIG. 3B, the exhaust system of the processing chamber 11 which is a vacuum chamber. You may intervene in the middle of. That is, in FIG. 3B, the dust measuring device 50 is connected to the exhaust passage 12 of the processing chamber 11 on the downstream side of the pressure gauge 12b.
【００４０】ここで、前記構成に係る塵埃計測装置６０
の作用を説明する。処理室１１内で浮遊している塵埃６
４が計測されるに際して、サンプリングチューブ５１は
その真空度が処理室１１の真空度よりも高くなるように
真空排気される。この真空排気に伴って、処理室１１内
で浮遊している塵埃６４はその雰囲気と共にサンプリン
グチューブ５１に採取される。採取された塵埃６４はサ
ンプリングチューブ５１を流れ、サンプリングチューブ
５１の透明窓５２を通過する。この際、透明窓５１には
レーザー５４が照射器５３によって照射されているた
め、窓５２を通過する塵埃６４はレーザー５４を照射さ
れることになる。そして、レーザー５４が塵埃６４に照
射されると、散乱光５８が乱反射される。Here, the dust measuring device 60 according to the above configuration.
The operation of will be described. Dust 6 floating in the processing chamber 11
When 4 is measured, the sampling tube 51 is evacuated so that its vacuum degree is higher than that of the processing chamber 11. Due to this vacuum evacuation, the dust 64 floating in the processing chamber 11 is collected in the sampling tube 51 together with its atmosphere. The collected dust 64 flows through the sampling tube 51 and passes through the transparent window 52 of the sampling tube 51. At this time, since the transparent window 51 is irradiated with the laser 54 by the irradiator 53, the dust 64 passing through the window 52 is irradiated with the laser 54. When the laser 54 irradiates the dust 64, the scattered light 58 is diffusely reflected.
【００４１】この塵埃６４で発生した散乱光５８は散乱
光検出装置５７の対物レンズ５９で集光され、リレーレ
ンズ６０によって散乱光検出器６１の受光面に結像され
る。散乱光検出器６１は検出した散乱光５８を電気信号
に変換して塵埃判定装置６２に送信する。塵埃判定装置
６２は散乱光検出器６１からの送信データーに基づいて
塵埃の有無および大きさ等を判定するとともに、この判
定したデーターと流量計（図示せず）等からの流量デー
ターと照合することにより、単位流量当たりの塵埃の個
数（以下、塵埃数という。）を特定する。そして、塵埃
判定装置６２は塵埃数をデーターとして計測表示装置６
３およびデーター処理装置７０に送信する。The scattered light 58 generated by the dust 64 is condensed by the objective lens 59 of the scattered light detecting device 57, and is imaged on the light receiving surface of the scattered light detector 61 by the relay lens 60. The scattered light detector 61 converts the detected scattered light 58 into an electric signal and sends it to the dust determination device 62. The dust determination device 62 determines presence / absence and size of dust based on the transmission data from the scattered light detector 61, and collates the determined data with flow rate data from a flow meter (not shown) or the like. The number of dust per unit flow rate (hereinafter referred to as the number of dust) is specified by. Then, the dust determination device 62 uses the number of dusts as data to measure and display the device 6
3 and the data processing device 70.
【００４２】データー処理装置７０はパーソナルコンピ
ュータ等から構築されている。データー処理装置７０に
はウエハコード読取装置２０、異物検査装置３０および
塵埃計測装置５０が接続されており、これらから送信さ
れて来る各データーを適時に取り込んで後述する作用を
実行するように構成されている。また、データー処理装
置７０にはこの減圧ＣＶＤ装置１０を統括的に制御する
コントローラ７１、警報装置７２および表示装置７３が
接続されており、データー処理結果をこれらに送信する
ようになっている。The data processing device 70 is constructed from a personal computer or the like. The data processing device 70 is connected to the wafer code reading device 20, the foreign substance inspection device 30, and the dust measuring device 50, and is configured to take in each data transmitted from these in a timely manner and execute the operation described later. ing. Further, the data processing device 70 is connected with a controller 71, an alarm device 72, and a display device 73 for integrally controlling the low pressure CVD device 10, and the data processing result is transmitted to them.
【００４３】さらに、データー処理装置７０には図４に
示されているグラフ８０の相関直線８１に相当する関係
式（後記する。）が記憶されており、データー処理装置
７０はこの関係式によって後述する判定を実行するよう
に構成されている。ここで、図４に示されているグラフ
８０について説明する。Furthermore, the data processing device 70 stores a relational expression (described later) corresponding to the correlation line 81 of the graph 80 shown in FIG. 4, and the data processing device 70 will be described later by this relational expression. Is configured to perform a determination to make. Here, the graph 80 shown in FIG. 4 will be described.
【００４４】図４に示されているグラフ８０は、処理室
１１内の浮遊塵埃の数Ｍと、その浮遊塵埃がウエハ１に
処理室１１内で付着して発生するウエハ付着異物の数Ｎ
との相関を示すものであり、実験や経験またはコンピュ
ータによる模擬実験等の経験的手法によって作成された
ものである。図４において、縦軸には浮遊塵埃数Ｍが単
位流量当りの個数で採られ、横軸にはウエハ付着異物数
Ｎがウエハ１枚当たりの個数で採られている。そして、
グラフ８０のうち散点は経験的手法によって実際に得ら
れた具体的なデーターを示しており、直線８１はその具
体的なデーターに基づいて求められた次式（１）の浮遊
塵埃数−ウエハ付着異物数相関関係直線（以下、相関直
線という。）である。 Ｍ＝Ｋ×Ｎ・・・（１）The graph 80 shown in FIG. 4 shows the number M of floating dust particles in the processing chamber 11 and the number N of foreign matters adhering to the wafer generated by the floating dust particles adhering to the wafer 1 in the processing chamber 11.
It shows the correlation with the, and is created by an empirical method such as an experiment, an experience, or a simulated experiment by a computer. In FIG. 4, the vertical axis shows the number M of suspended dust per unit flow rate, and the horizontal axis shows the number N of foreign substances adhering to the wafer per number of wafers. And
The dotted points in the graph 80 represent specific data actually obtained by the empirical method, and the straight line 81 represents the number of floating dust particles of the following formula (1) -wafer obtained based on the specific data. It is a straight line of the number of adhered foreign substances (hereinafter referred to as a correlation straight line). M = K × N (1)
【００４５】次に、本発明の一実施例であるＩＣの製造
方法に含まれた真空中で処理が施される処理工程を、前
記構成に係る減圧ＣＶＤ装置が用いられる減圧ＣＶＤ処
理工程の場合について図４ないし図７を参照にして説明
する。Next, in the case of the low pressure CVD processing step in which the low pressure CVD apparatus having the above-mentioned configuration is used, the processing step of performing the processing in a vacuum included in the IC manufacturing method according to the embodiment of the present invention will be described. This will be described with reference to FIGS. 4 to 7.
【００４６】まず、減圧ＣＶＤ処理されるワークである
ウエハ１は、ウエハコード読取装置２０によってウエハ
コードを読み取られる。読み取られたウエハコードはデ
ーター処理装置７０に送信され、データー処理装置７０
に記憶される。First, the wafer code reading apparatus 20 reads the wafer code of the wafer 1 which is the workpiece to be subjected to the low pressure CVD process. The read wafer code is transmitted to the data processing device 70, and the data processing device 70
Memorized in.
【００４７】ウエハコードを読み取られたウエハ１は異
物検査装置３０に、ハンドリング装置（図示せず）によ
って自動的に搬送されてそのステージ装置３１に保持さ
れる。ステージ装置３１に保持されたウエハ１は、前述
した異物検査装置３０の作用によって異物検査を実施さ
れる。この異物検査装置３０の異物データーはデーター
処理装置７０に送信される。データー処理装置７０にお
いて、この異物データーは先に送信されたウエハコード
と照合されることにより、対応するウエハ１の異物デー
ターとして当該ウエハコードと一緒に記憶される。The wafer 1 from which the wafer code is read is automatically transferred to the foreign substance inspection device 30 by a handling device (not shown) and held on the stage device 31. The wafer 1 held on the stage device 31 is subjected to foreign matter inspection by the action of the foreign matter inspection device 30 described above. The foreign substance data of the foreign substance inspection device 30 is transmitted to the data processing device 70. In the data processor 70, the foreign matter data is collated with the previously transmitted wafer code, and is stored together with the wafer code as the foreign matter data of the corresponding wafer 1.
【００４８】また、データー処理装置７０は送信されて
来た異物データーと、予め設定された基準値とを比較す
る。この基準値はウエハに付着した異物の総数および大
きさ別の異物の数等から定められた値である。そして、
送信されて来た異物データー、すなわち、異物検査を受
けたウエハ１の異物データーが、基準値以上である場合
には不合格と判定され、基準値未満である場合には合格
と判定される。Further, the data processing device 70 compares the transmitted foreign substance data with a preset reference value. This reference value is a value determined from the total number of foreign substances attached to the wafer and the number of foreign substances of different sizes. And
If the transmitted foreign particle data, that is, the foreign particle data of the wafer 1 subjected to the foreign particle inspection is equal to or larger than the reference value, it is determined to be unacceptable, and if it is less than the reference value, it is determined to be acceptable.
【００４９】異物データーが合格と判定されたウエハ１
はロードロック室１９内へ、大気側ワーク出し入れ口１
８Ｂからハンドリング装置によって搬入される。他方、
異物データーが不合格と判定されたウエハ１は、ロード
ロック室１９への搬入は停止される。ちなみに、不合格
のウエハ１が続出する場合には警報が発せられ、場合に
よっては操業が中止されて異物発生源の究明等の対策が
講じられる。Wafer 1 for which foreign particle data is determined to be acceptable
Is for loading and unloading workpieces 1 on the atmosphere side into the load lock chamber 19.
It is carried in from 8B by a handling device. On the other hand,
The wafer 1 for which the foreign matter data is determined to be unacceptable is stopped from being loaded into the load lock chamber 19. By the way, when the rejected wafers 1 continue to be issued, an alarm is issued, and in some cases, the operation is stopped and measures such as investigating the source of foreign matter generation are taken.
【００５０】なお、前記した異物データーと基準値との
比較および合否判定は、データー処理装置７０において
実施するに限らず、異物検査装置３０において実行され
るように構成してもよい。It should be noted that the above-mentioned comparison between foreign matter data and the reference value and the pass / fail judgment are not limited to being carried out in the data processing apparatus 70, but may be carried out in the foreign matter inspection apparatus 30.
【００５１】また、基準値は状況に応じて変更補正し得
るように構成することが望ましい。例えば、合格が継続
している状況下における基準値が３０個である場合に、
最初の不合格が発生した場合には、基準値は２５個と厳
格な状況に変更補正される。この基準値の変更補正によ
って、計測誤差や検査誤差等によるスループットや生産
性の低下を防止することができる。Further, it is desirable that the reference value is constructed so that it can be changed and corrected according to the situation. For example, if there are 30 reference values under the condition that the pass is continued,
When the first failure occurs, the reference value is changed to 25 and corrected to a strict condition. By this change correction of the reference value, it is possible to prevent a decrease in throughput and productivity due to measurement errors, inspection errors, and the like.
【００５２】ロードロック室１９に搬入された合格のウ
エハ１は処理室１１のサセプタ１４に、ロードロック室
１９から処理室側ワーク出し入れ口１８Ａを通じてハン
ドリング装置によって移載される。ここで、作業能率を
高めるため、処理室１１内は高真空ポンプ１３によって
常時排気されており、処理室１１内の雰囲気は所定の真
空度（例えば、１０-3〜２×１０-1Ｔｏｒｒ）に維持さ
れている。そこで、ロードロック室１９から処理室１１
への移載作業中に、処理室側ワーク出し入れ口１８Ａは
開放されているが、大気側ワーク出し入れ口１８Ｂは閉
鎖されている。サセプタ１４にウエハ１が保持される
と、処理室側ワーク出し入れ口１８Ａはロックされる。The accepted wafer 1 carried into the load lock chamber 19 is transferred to the susceptor 14 of the processing chamber 11 from the load lock chamber 19 through the processing chamber side work loading / unloading port 18A by a handling device. Here, in order to improve the work efficiency, the inside of the processing chamber 11 is constantly evacuated by the high vacuum pump 13, and the atmosphere in the processing chamber 11 has a predetermined degree of vacuum (for example, 10 −3 to 2 × 10 −1 Torr). Has been maintained. Therefore, from the load lock chamber 19 to the processing chamber 11
During the transfer operation to and from, the processing chamber side workpiece loading / unloading port 18A is open, but the atmosphere side workpiece loading / unloading port 18B is closed. When the wafer 1 is held by the susceptor 14, the processing chamber side workpiece loading / unloading port 18A is locked.
【００５３】サセプタ１４に搭載されたウエハ１はサセ
プタ１４のヒーター１５によって加熱される。続いて、
処理室１１が所定の真空度（例えば、１０-6Ｔｏｒｒ）
まで排気口により排気路１２を通じて真空排気される。
処理室１１が所定の真空度まで真空排気されると、六弗
化タングステンガスやモノシランガスが処理ガス１６と
して、マスフローコントローラ（図示せず）によって調
整された流量だけガス供給路１７を通じて処理室１１内
へ供給される。この処理ガス１６はガス供給路１９の吹
き出し口からウエハ１に向かってシャワー状に吹き出さ
れる。そして、サセプタ１４によって加熱されているウ
エハ１の上には、この吹き出されたガスのＣＶＤ反応に
よって所望のＣＶＤ膜であるタングステンシリサイド膜
が生成される。The wafer 1 mounted on the susceptor 14 is heated by the heater 15 of the susceptor 14. continue,
The processing chamber 11 has a predetermined degree of vacuum (for example, 10 −6 Torr).
Vacuum exhaust is performed through the exhaust passage 12 by the exhaust port.
When the processing chamber 11 is evacuated to a predetermined degree of vacuum, tungsten hexafluoride gas or monosilane gas is used as the processing gas 16 in the processing chamber 11 through the gas supply passage 17 at a flow rate adjusted by a mass flow controller (not shown). Is supplied to. The processing gas 16 is blown in a shower shape from the outlet of the gas supply path 19 toward the wafer 1. Then, a tungsten silicide film, which is a desired CVD film, is formed on the wafer 1 heated by the susceptor 14 by the CVD reaction of the blown gas.
【００５４】所定の減圧ＣＶＤ処理が終了すると、サセ
プタ１４上のウエハ１は処理室側ワーク出し入れ口１８
Ａを通してロードロック室１９へ搬出される。続いて、
ロードロック室１９に待機していた次回のウエハ１がサ
セプタ１４に移載される。以降、前記作動が繰り返えさ
れることにより、各ウエハ１について成膜処理が順次実
施されて行く。When the predetermined low pressure CVD process is completed, the wafer 1 on the susceptor 14 is loaded into and unloaded from the work chamber side workpiece loading / unloading port 18
It is carried out to the load lock chamber 19 through A. continue,
The next wafer 1 waiting in the load lock chamber 19 is transferred to the susceptor 14. After that, by repeating the above operation, the film forming process is sequentially performed on each wafer 1.
【００５５】ここで、本実施例においては、以上説明し
たＣＶＤ処理中に図６に示されているフロー図の浮遊塵
埃数予測の作用が実行される。まず、処理室１１内で現
実に浮遊している塵埃６４の数が前述した塵埃計測装置
５０の作用によって計測され、その塵埃数が計測データ
ーとしてデーター処理装置７０に送信される。データー
処理装置７０は塵埃計測装置５０から送信されて来た計
測データーの浮遊塵埃数Ｍを、図４に示されたグラフ８
０に基づく前式（１）に当てはめ、その減圧ＣＶＤ処理
の状況下におけるウエハ付着異物数Ｎを予測する。例え
ば、図４に示されているように、送信されて来た浮遊塵
埃数Ｍ1 が３００個であると、ウエハ付着異物数Ｎ1 は
４０個と予測される。また、送信されて来た浮遊塵埃数
Ｍ2 が２００個であると、ウエハ付着異物数Ｎ2 は２６
個と予測される。Here, in this embodiment, the function of predicting the number of floating dust particles in the flow chart shown in FIG. 6 is executed during the above-described CVD process. First, the number of dust 64 actually floating in the processing chamber 11 is measured by the action of the dust measuring device 50 described above, and the number of dust is transmitted to the data processing device 70 as measurement data. The data processing device 70 indicates the number M of floating dust particles in the measurement data transmitted from the dust measuring device 50 by the graph 8 shown in FIG.
By applying the above equation (1) based on 0, the number N of foreign substances adhering to the wafer under the condition of the low pressure CVD process is predicted. For example, as shown in FIG. 4, if the number M 1 of floating dust transmitted is 300, the number N 1 of foreign matter adhering to the wafer is predicted to be 40. Further, if the number of floating dust particles M 2 transmitted is 200, the number N 2 of foreign matter adhering to the wafer is 26.
Predicted to be individual.
【００５６】次に、データー処理装置７０はこの予測さ
れたウエハ付着異物数Ｎが予め設定された基準値Ｎ0 未
満（Ｎ＜Ｎ0 ）であるか否かを比較する。この基準値Ｎ
0 は、減圧ＣＶＤ処理を実施された処理済ウエハについ
て以後の工程で問題が頻発するウエハ付着異物数の最小
値に相当し、ウエハの大きさや、ウエハに作り込まれる
ＩＣの集積度、減圧ＣＶＤ装置の操業条件等の諸条件に
対応して経験則によって予め設定されて、データー処理
装置７０に記憶される。例えば、基準値Ｎ0 が３０個と
設定されている場合には、４０個と予測されたウエハ付
着異物数Ｎ1 は基準値以上であるので、不合格と判定さ
れ、２６個と予測されたウエハ付着異物数Ｎ2 は基準値
未満であるので、合格と判定される。Next, the data processing device 70 compares whether or not the predicted number N of foreign substances adhering to the wafer is less than a preset reference value N 0 (N <N 0 ). This reference value N
0 corresponds to the minimum value of the number of foreign substances adhering to the wafer, which often causes problems in the subsequent steps for the processed wafer that has been subjected to the low pressure CVD process. It is preset by an empirical rule corresponding to various conditions such as the operating conditions of the device and stored in the data processing device 70. For example, when the reference value N 0 is set to 30, since the number N 1 of wafer-adhering foreign substances predicted to be 40 is equal to or larger than the reference value, it is determined to be rejected and predicted to be 26. Since the number N 2 of foreign matters attached to the wafer is less than the reference value, it is determined to be acceptable.
【００５７】なお、この基準値も異物検査装置の場合と
同様に、状況に応じて変更補正し得るように構成するこ
とが望ましい。It should be noted that it is desirable that the reference value can be changed and corrected according to the situation, as in the case of the foreign matter inspection apparatus.
【００５８】そして、送信されて来た計測データーの予
測ウエハ付着異物数Ｎ2 は合格であると判定した場合に
は、データー処理装置７０はそのウエハ付着異物数の予
測対象物であるウエハ１についての次工程への投入指令
を、減圧ＣＶＤ装置１０のコントローラ７１に与える。When it is determined that the predicted number N 2 of adhering foreign matters on the wafer in the transmitted measurement data is acceptable, the data processing device 70 determines the wafer 1 which is the target object of estimating the number of adhering foreign particles on the wafer. The controller 71 of the low pressure CVD apparatus 10 is supplied with a command to enter the next step.
【００５９】しかし、送信されて来た計測データーの予
測ウエハ付着異物数Ｎ1 は不合格であると判定した場合
には、データー処理装置７０は警報装置７２に処理室１
１内における浮遊塵埃数Ｍが増加している旨の警報を発
生させる。この警報により、減圧ＣＶＤ装置の監視作業
者は、浮遊塵埃に関する点検作業やクリーニング作業等
を実施することができる。この際、表示装置７３には浮
遊塵埃数の過去の推移等が表示される。ちなみに、警報
は１枚のウエハが不合格になった時に直ちに発生させる
のではなく、不合格が続出した時に発生させてもよい。However, when it is determined that the predicted number N 1 of foreign matters adhering to the wafer in the transmitted measurement data is unacceptable, the data processing device 70 causes the alarm device 72 to display the processing chamber 1
An alarm indicating that the number M of floating dust particles within 1 is increasing is generated. By this alarm, the monitoring worker of the low pressure CVD apparatus can perform inspection work and cleaning work regarding floating dust. At this time, the display device 73 displays past changes in the number of suspended dust particles. Incidentally, the alarm may not be generated immediately when one wafer fails, but may be generated when a plurality of failures occur.
【００６０】また、予測ウエハ付着異物数Ｎ1 は不合格
であると判定した場合には、データー処理装置７０はそ
のウエハ１についての次工程への投入を中止させる指令
を減圧ＣＶＤ装置１０のコントローラ７１に送信する。
また、データー処理装置７０は次回のウエハ１の処理室
１１への搬入作業を中止させる指令を、コントローラ７
１に送信する。When it is determined that the predicted number N 1 of foreign matter adhering to the wafer is unacceptable, the data processing apparatus 70 issues a command to stop the input of the wafer 1 to the next process to the controller of the low pressure CVD apparatus 10. 71.
In addition, the data processing device 70 issues a command for stopping the next loading operation of the wafer 1 into the processing chamber 11 to the controller 7
Send to 1.
【００６１】そして、図５に示されているように、コン
トローラ７１は次工程への投入指令がデーター処理装置
７０から送信されているか否を調査する。投入指令が送
信されている場合には、コントローラ７１はそのウエハ
１を次工程へ投入させる。すなわち、前述したようにし
てロードロック室１９まで搬出された次工程投入可能の
ウエハ１は、ハンドリング装置によってロードロック室
１９から大気側ワーク出し入れ口１８Ｂを通じて搬出さ
れて次工程へと送られて行く。つまり、異物付着増が予
測されない限りは、後述する再度の異物検査は省略され
ることになるので、生産性の低下は免れる。Then, as shown in FIG. 5, the controller 71 investigates whether or not a command to enter the next process is transmitted from the data processing device 70. When the loading command is transmitted, the controller 71 loads the wafer 1 into the next process. That is, the wafer 1 which can be loaded into the load lock chamber 19 as described above and can be loaded into the next process is unloaded from the load lock chamber 19 through the atmosphere-side workpiece loading / unloading port 18B by the handling device and sent to the next process. . In other words, unless the increase in foreign matter adhesion is predicted, the foreign matter inspection described later will be omitted, so that the reduction in productivity is avoided.
【００６２】他方、投入指令が送信されていない場合、
すなわち、投入中止指令が送信されている場合には、コ
ントローラ７１はそのウエハ１を異物検査装置３０へ送
る。すなわち、次工程投入中止を指定されたウエハ１
は、ハンドリング装置によってロードロック室１９から
大気側ワーク出し入れ口１８Ｂを通じて搬出されて異物
検査装置３０のステージ装置３１上に送られる。異物検
査装置３０のステージ装置３１上に送られた処理済のウ
エハ１は、前述した異物検査を再度実行される。そし
て、その異物検査結果は、異物検査装置３０の異物判定
装置４２から異物データーとしてデーター処理装置７０
に送信される。On the other hand, if the closing command is not transmitted,
That is, when the closing suspension command is transmitted, the controller 71 sends the wafer 1 to the foreign substance inspection apparatus 30. That is, the wafer 1 for which the next process input suspension is designated
Are carried out of the load lock chamber 19 by the handling device through the atmosphere-side workpiece loading / unloading port 18B and sent to the stage device 31 of the foreign matter inspection device 30. The processed wafer 1 sent to the stage device 31 of the foreign matter inspection apparatus 30 is again subjected to the above-described foreign matter inspection. Then, the foreign matter inspection result is obtained as the foreign matter data from the foreign matter determination device 42 of the foreign matter inspection device 30 by the data processing device 70.
Sent to.
【００６３】データー処理装置７０はこのウエハ１の処
理後の異物データーと、このウエハ１について先に送信
されて記憶されている処理前の異物データーとを照合し
て図７に模式的に示されている演算処理を実行する。す
なわち、図７（ａ）は処理後のウエハ付着異物データー
を示しており、図７（ｂ）は処理前のウエハ付着異物デ
ーターを示している。図７（ｃ）は（ａ）から（ｂ）を
減算した状態を示している。したがって、図７（ｃ）の
状態は、ウエハ１上に付着した異物２が前述した減圧Ｃ
ＶＤ処理によって増加した分を示していることになる。The data processor 70 collates the processed foreign matter data of the wafer 1 with the unprocessed foreign matter data previously transmitted and stored for this wafer 1, and is schematically shown in FIG. Execute the calculation process. That is, FIG. 7A shows the wafer adhesion foreign matter data after the processing, and FIG. 7B shows the wafer adhesion foreign matter data before the processing. FIG. 7C shows a state in which (b) is subtracted from (a). Therefore, in the state of FIG. 7C, the foreign matter 2 adhering to the wafer 1 has the above-mentioned reduced pressure C.
This means that the amount increased by the VD process is shown.
【００６４】そして、データー処理装置７０は図７に模
式的に示されている演算によって減圧ＣＶＤ処理によっ
て増加した付着異物数を求め、この増加異物数と基準値
とを比較する。この基準値は、異物数の増加が前述した
浮遊塵埃によるものであると明らかに判定される値であ
る。この基準値も前述した各基準値と同様に、状況に応
じて補正し得るように構成することが望ましい。Then, the data processor 70 obtains the number of adhering foreign matters increased by the low pressure CVD processing by the calculation schematically shown in FIG. 7, and compares the increased foreign matter number with the reference value. This reference value is a value with which it is clearly determined that the increase in the number of foreign matters is due to the above-mentioned floating dust. It is desirable that this reference value is also configured to be corrected according to the situation, like the above-mentioned reference values.
【００６５】比較の結果、増加異物数が基準値未満であ
る場合には、データー処理装置７０は次工程への投入指
令を減圧ＣＶＤ装置１０のコントローラ７１へ送信す
る。コントローラ７１はこの送信に基づいて、再度異物
検査を受けたウエハ１を次工程へ送る。つまり、この増
加異物数と基準値との比較による投入中止指令の解除に
よって、計測誤差や検査誤差等によるスループットや生
産性の低下が防止されることになる。As a result of the comparison, if the increased number of foreign particles is less than the reference value, the data processing device 70 sends a command to the next process to the controller 71 of the low pressure CVD device 10. Based on this transmission, the controller 71 sends the wafer 1 that has undergone the foreign matter inspection again to the next step. That is, by canceling the closing command by comparing the increased number of foreign matters with the reference value, it is possible to prevent the throughput and the productivity from being lowered due to the measurement error and the inspection error.
【００６６】また、増加異物数が基準値以上である場合
には、データー処理装置７０は次工程への投入中止指令
をコントローラ７１へ再度送信する。コントローラ７１
はこの送信に基づいて、再度異物検査を受けたウエハ１
の次工程への投入を中止し、所定の待機場所に送る。そ
して、図７（ｄ）に示されているように、増加異物数が
基準値以上となるウエハ１が続出した場合には、データ
ー処理装置７０はコントローラ７１に減圧ＣＶＤ装置１
０の操業を中止させるとともに、警報装置７２に警報を
発生させる。監視作業者はこの警報により浮遊塵埃６４
の発生原因についての究明や、減圧ＣＶＤ装置１０の清
掃作業等をいち早く実行することができる。When the number of increased foreign matters is equal to or larger than the reference value, the data processing device 70 again sends the controller 71 a command to stop the feeding of the next process. Controller 71
Wafer 1 that has undergone the foreign matter inspection again based on this transmission
The next step is stopped and the product is sent to a predetermined waiting place. Then, as shown in FIG. 7D, when the number of wafers 1 in which the increased number of foreign particles is equal to or larger than the reference value continues, the data processing device 70 causes the controller 71 to perform the low pressure CVD device 1.
The operation of 0 is stopped and an alarm is issued to the alarm device 72. Surveillance personnel will receive 64
It is possible to quickly investigate the cause of occurrence of the above, and to perform cleaning work of the low pressure CVD apparatus 10 and the like as soon as possible.
【００６７】なお、本実施例においては、ウエハ付着異
物数予測のための現在の浮遊塵埃数と共に、処理済ウエ
ハの実際の付着異物数が異物検査装置３０によって計測
されるため、浮遊塵埃数−ウエハ付着異物数の相関関係
を随時に修正して行くことができる。つまり、浮遊塵埃
計測装置５０によって計測された浮遊塵埃数Ｍと、処理
済ウエハに対する異物検査装置３０によって計測された
ウエハ付着異物数Ｎとの関係は、図４のグラフにおける
個々の散点８２に相当するため、相関関係直線８１は散
点の増加に伴ってより一層是正させることができる。In this embodiment, the actual number of adhered foreign matters on the processed wafer is measured by the foreign matter inspection device 30 together with the current number of suspended foreign matters for estimating the number of adhered foreign matters on the wafer. The correlation of the number of foreign matter adhering to the wafer can be corrected at any time. That is, the relationship between the number M of floating dust measured by the floating dust measuring device 50 and the number N of wafer adhered foreign substances measured by the foreign substance inspecting device 30 on the processed wafer is shown by the individual scattering points 82 in the graph of FIG. Correspondingly, the correlation straight line 81 can be further corrected as the number of scattered points increases.
【００６８】前記実施例によれば次の効果が得られる。 （１） 処理室中に浮遊している塵埃数を計測し、この
計測された塵埃数を予め作成された浮遊塵埃数−ウエハ
付着異物数相関関係式に当てはめることにより、処理後
のウエハへの異物付着数を予測することができるため、
その予測に基づいて以降のウエハの取り扱いについてい
ち早く対策を講じることができる。また、異物付着数の
増加が予測されない場合には、処理後のウエハの異物検
査を省略することができるため、生産性を高めることが
できる。According to the above embodiment, the following effects can be obtained. (1) By measuring the number of dust particles floating in the processing chamber and applying the measured number of dust particles to a preliminarily prepared correlation equation of the number of floating dust particles and the number of foreign substances adhering to the wafer, Since it is possible to predict the number of foreign substances attached,
Based on the prediction, it is possible to quickly take countermeasures for subsequent wafer handling. Further, when the increase in the number of adhered foreign matters is not predicted, the inspection of the treated wafer for foreign matters can be omitted, so that the productivity can be improved.
【００６９】（２） 前記（１）で予測されたウエハ付
着異物数を予め設定された基準値と比較するとともに、
基準値以上である場合に警報を発生させることにより、
減圧処理システムの点検や修理作業を促すことができる
ため、減圧処理の品質および信頼性を高めることができ
る。(2) Compare the number of foreign substances adhering to the wafer predicted in (1) with a preset reference value, and
By issuing an alarm when it is above the reference value,
Since the inspection and repair work of the decompression processing system can be promoted, the quality and reliability of the decompression processing can be improved.
【００７０】（３） 処理済のウエハについて実際の付
着異物数を計測することにより、浮遊塵埃数−ウエハ付
着異物数の相関関係を随時に修正することができるた
め、前記（１）の予測精度を高めることができる。(3) Since the correlation between the number of floating dust particles and the number of adhered foreign matters on the wafer can be corrected at any time by measuring the actual number of adhered foreign matters on the processed wafer, the prediction accuracy of the above (1) Can be increased.
【００７１】（４） 異物検査装置を処理室外に設備す
ることにより、異物検査装置の構成の高級化を抑制する
ことができるとともに、異物検査装置が処理室で発塵源
になるのを回避することができる。(4) By installing the foreign matter inspection device outside the processing chamber, it is possible to prevent the configuration of the foreign matter inspection device from being upgraded, and to prevent the foreign matter inspection device from becoming a dust source in the processing chamber. be able to.
【００７２】（５） 各基準値および浮遊塵埃数−ウエ
ハ付着異物数相関関係を変更修正することにより、測定
誤差や特殊事情および再現性が乏しい状況等を除外する
ことができるため、装置の稼動効率や生産性の低下を防
止することができる。(5) Measurement errors, special circumstances, poor reproducibility, and the like can be excluded by changing and correcting the respective reference values and the correlation between the number of floating dust particles and the number of foreign particles adhering to the wafer. It is possible to prevent a decrease in efficiency and productivity.
【００７３】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００７４】例えば、異物検査装置は大気側ワーク搬入
口および搬出口にそれぞれ設備し、同一のウエハについ
て処理の前後で異物検査をそれぞれ実施するように構成
してもよい。For example, the foreign matter inspection apparatus may be installed at the atmosphere-side workpiece carry-in port and the carry-out port, and may be configured to carry out the foreign matter inspection on the same wafer before and after processing.
【００７５】また、異物検査装置は処理室内に設備し、
処理室内で異物検査を実施するように構成してもよい。The foreign matter inspection apparatus is installed in the processing chamber,
The foreign matter inspection may be performed in the processing chamber.
【００７６】前記実施例ではウエハの表面に付着した異
物の大きさや付着位置をも測定検査する場合について説
明したが、少なくとも付着異物の数だけを計測するよう
に構成してもよい。なぜならば、浮遊塵埃の計数によっ
て予測されるのはウエハ付着異物の数であるからであ
る。つまり、処理後のウエハ付着異物数さえ判明すれ
ば、予測に必要なデーターを収集し、それに基づいて浮
遊異物数−付着異物相関関係を随時補正することができ
るのであり、異物の大きさや付着位置は不要であるから
である。In the above-mentioned embodiment, the case of measuring and inspecting the size and the position of the foreign matter adhered to the surface of the wafer has been described, but at least only the number of adhered foreign matter may be measured. This is because the number of foreign matters adhering to the wafer is predicted by counting the number of floating dust particles. In other words, if only the number of foreign matter adhering to the wafer after processing is known, the data necessary for prediction can be collected, and the correlation of the number of suspended foreign matter-adhered foreign matter can be corrected at any time based on the data. Is unnecessary.
【００７７】さらに、異物計測装置は、浮遊塵埃数−ウ
エハ付着異物数相関関係の散点が充分に蓄積されて精密
に補正可能な状況においては省略することができる。Further, the foreign matter measuring apparatus can be omitted in a situation where the scattered points of the number of floating dust particles-the number of foreign matters adhering to the wafer are sufficiently accumulated and can be precisely corrected.
【００７８】前記実施例では便宜上、枚葉処理の場合に
ついて説明したが、複数枚のウエハを一度に処理する所
謂バッチ処理の場合も枚葉処理の場合に準ずる。但し、
バッチ処理の場合には計測された浮遊塵埃数に基づいて
予測されるのは、１バッチ処理においてウエハに付着す
る異物の数になる。In the above-mentioned embodiment, the case of the single-wafer processing has been described for the sake of convenience, but the case of the so-called batch processing in which a plurality of wafers are processed at one time is the same as the case of the single-wafer processing. However,
In the case of batch processing, what is predicted based on the measured number of floating dusts is the number of foreign substances adhering to the wafer in one batch processing.
【００７９】また、前記実施例では、減圧ＣＶＤ装置お
よびその工程について説明したが、本発明はこれに限ら
ず、プラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置、エピ
タキシャル装置、蒸着装置等の真空室中で処理が実施さ
れる処理装置および処理工程全般に適用することができ
る。Further, although the low-pressure CVD apparatus and the process thereof have been described in the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to this, and the processing can be performed in a vacuum chamber of a plasma CVD apparatus, a dry etching apparatus, an epitaxial apparatus, an evaporation apparatus or the like. The present invention can be applied to all processing devices and processing steps to be performed.
【００８０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＩＣの
製造方法のうちウエハの製造技術に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、ホトマ
スクの製造技術、さらには、液晶パネルの製造方法、プ
リント配線基板の製造方法等の半導体装置の製造方法お
よび製造装置全般に適用することができる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the wafer manufacturing technique of the IC manufacturing method which is the background field of application has been described, but the invention is not limited thereto. Instead, it can be applied to a photomask manufacturing technique, and further to a semiconductor device manufacturing method such as a liquid crystal panel manufacturing method and a printed wiring board manufacturing method, and manufacturing apparatuses in general.
【００８１】[0081]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【００８２】真空室中に浮遊している塵埃数を計測し、
この計測された塵埃数を予め作成された浮遊塵埃数−ワ
ーク付着異物数相関関係に当てはめることにより、処理
後のワークへの異物付着数を予測することができるた
め、その予測に基づいて以降のワークや処理室の取り扱
いについていち早く対策を講じることができる。また、
異物付着数の増加が予測されない場合には、処理後のワ
ークの異物検査を省略することができるため、生産性を
高めることができる。The number of dust floating in the vacuum chamber is measured,
By applying the measured number of dusts to the previously created number of floating dusts-corresponding to the number of foreign substances adhering to the work, it is possible to predict the number of foreign substances adhering to the processed work. It is possible to take prompt measures for handling the work and the processing room. Also,
If the increase in the number of adhered foreign matters is not expected, the inspection of the foreign matters on the processed workpiece can be omitted, so that the productivity can be improved.
【００８３】真空室中の浮遊塵埃数を計測することによ
り、ウエハ付着異物数を予測するシステムであるため、
ウエハ付着異物数を知得するのにワークを真空室から検
査装置まで移送しなくて済む。その結果、移送の時間や
手間を省略することができるとともに、移送中の異物の
付着を防止することができ、しいては、半導体装置の製
造方法全体としての生産性を高めることができる。Since the system predicts the number of foreign matters adhering to the wafer by measuring the number of floating dust particles in the vacuum chamber,
It is not necessary to transfer the work from the vacuum chamber to the inspection device in order to know the number of foreign substances adhering to the wafer. As a result, it is possible to save the time and effort for the transfer, prevent foreign substances from adhering during the transfer, and thus improve the productivity of the entire semiconductor device manufacturing method.
【００８４】真空室中の浮遊塵埃数を計測することによ
り、ウエハ付着異物数を予測するシステムであるため、
異物の種類や性質に制限されずに、真空処理工程全般に
適用することができる。Since the system predicts the number of foreign matters adhering to the wafer by measuring the number of floating dust particles in the vacuum chamber,
The present invention can be applied to all vacuum processing steps without being limited by the type and nature of foreign matter.
【図１】本発明の一実施例である減圧ＣＶＤ装置を示す
模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a low pressure CVD apparatus which is an embodiment of the present invention.
【図２】それに使用されている異物検査装置を示す模式
的正面図である。FIG. 2 is a schematic front view showing a foreign substance inspection device used therein.
【図３】それに使用されている塵埃計測装置を示す模式
的斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a dust measuring device used therein.
【図４】浮遊塵埃数−ウエハ付着異物数の相関関係を示
すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a correlation between the number of floating dust particles and the number of foreign matters attached to a wafer.
【図５】本発明の一実施例であるＩＣの製造方法に含ま
れた減圧ＣＶＤ工程を示すフロー図であるFIG. 5 is a flowchart showing a low pressure CVD process included in the method for manufacturing an IC, which is an embodiment of the present invention.
【図６】浮遊塵埃のウエハ付着予測の作用を示すフロー
図である。FIG. 6 is a flowchart showing an operation of predicting attachment of floating dust to a wafer.
【図７】増加異物判定の作用を説明するための説明図で
ある。FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the operation of the increased foreign matter determination.
１…ウエハ（ワーク）、１０…減圧ＣＶＤ装置（半導体
装置の製造装置）、１１…処理室（真空室）、１２…排
気路、１３…高真空ポンプ、１４…サセプタ、１５…ヒ
ーター、１６…処理ガス、１７…ガス供給路、１８Ａ…
処理室側ワーク出し入れ口、１８Ｂ…大気側ワーク出し
入れ口、１９…ロードロック室、２０…ウエハコード読
取装置、２１…ステージ装置、２２…照明装置、２３…
テレビカメラ、２４…コード認識装置、３０…異物検査
装置、３１…ステージ装置、３２…コントローラ、３３
…検査光照射装置、３４…レーザー、３５…レーザー照
射器、３６…集光レンズ、３７…散乱光検出装置、３８
…散乱光、３９…対物レンズ、４０…リレーレンズ、４
１…散乱光検出器、４２…異物判定装置、５０…塵埃計
測装置、５１…サンプリングチューブ、５２…窓、５３
…検査光照射装置、５４…レーザー、５５…レーザー照
射器、５６…集光レンズ、５７…散乱光検出装置、５８
…散乱光、５９…対物レンズ、６０…リレーレンズ、６
１…散乱光検出器、６２…塵埃判定装置、６３…表示装
置、６４…塵埃、７０…データー処理装置、７１…減圧
ＣＶＤ装置のコントローラ、７２…警報装置、７３…表
示装置。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (work), 10 ... Low-pressure CVD apparatus (semiconductor device manufacturing apparatus), 11 ... Processing chamber (vacuum chamber), 12 ... Exhaust passage, 13 ... High vacuum pump, 14 ... Susceptor, 15 ... Heater, 16 ... Processing gas, 17 ... Gas supply path, 18A ...
Processing chamber side workpiece loading / unloading port, 18B ... Atmosphere side workpiece loading / unloading port, 19 ... Load lock chamber, 20 ... Wafer code reading device, 21 ... Stage device, 22 ... Illumination device, 23 ...
TV camera, 24 ... Code recognition device, 30 ... Foreign matter inspection device, 31 ... Stage device, 32 ... Controller, 33
... Inspection light irradiation device, 34 ... Laser, 35 ... Laser irradiation device, 36 ... Condensing lens, 37 ... Scattered light detection device, 38
… Scattered light, 39… Objective lens, 40… Relay lens, 4
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scattered light detector 42 ... Foreign matter determination device 50 ... Dust measurement device 51 ... Sampling tube 52 ... Window 53
... inspection light irradiation device, 54 ... laser, 55 ... laser irradiation device, 56 ... condensing lens, 57 ... scattered light detection device, 58
… Scattered light, 59… Objective lens, 60… Relay lens, 6
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scattered light detector, 62 ... Dust determination device, 63 ... Display device, 64 ... Dust, 70 ... Data processing device, 71 ... Decompression CVD controller, 72 ... Warning device, 73 ... Display device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 21/66 Ｊ 7514−4Ｍ (72)発明者 村松 公夫 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H01L 21/302 21/66 J 7514-4M (72) Inventor Kimio Muramatsu Kamimizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo 5-20-1 Hitachi Ltd. Semiconductor Division
Claims (8)
る処理工程を含む半導体装置の製造方法において、 前記真空室中に浮遊している塵埃の数と、前記真空室中
で処理された前記ワークに付着した異物数との相関関係
が予め求められておかれ、 前記真空室中に浮遊している塵埃の数が計測されるとと
もに、計測された塵埃数が前記浮遊塵埃数−ワーク付着
異物数の相関関係に照合されることにより、前記真空室
中で処理されるワークの異物付着数が予測されることを
特徴とする半導体装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a treatment step in which a workpiece is treated in a vacuum chamber, the number of dust particles floating in the vacuum chamber, and the number of dusts treated in the vacuum chamber. Correlation with the number of foreign matters attached to the work is previously obtained, and the number of dust floating in the vacuum chamber is measured, and the measured dust number is the number of floating dust-workpiece. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the number of adhered foreign matters on a workpiece processed in the vacuum chamber is predicted by checking the correlation with the number of adhered foreign matters.
め設定された基準値と比較取り扱いが変更され、基準値
以上である場合には予測されたウエハについてのそれ以
降の処理が中止されることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。2. The number of foreign particles adhering to the predicted work is changed in comparison with a preset reference value, and when it is equal to or larger than the reference value, the subsequent processing for the predicted wafer is stopped. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein:
理後のワークについて実際に計測されたワーク付着異物
数とが比較されることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the predicted number of adhered foreign matters on the work is compared with the actually measured number of adhered foreign matters on the processed work. .
び／または前記真空室内で計測されることを特徴とする
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the number of foreign substances attached to the work is measured outside the vacuum chamber and / or inside the vacuum chamber.
る処理工程に使用される半導体装置の製造装置であっ
て、 前記真空室中に浮遊している塵埃の数を計測する塵埃計
測装置と、 前記塵埃計測装置によって計測された塵埃数を前記真空
室中に浮遊している塵埃数と前記真空中で処理された前
記ワークに付着した異物数との相関関係に照合すること
により、前記真空室中で処理されるワークの異物付着数
を予測するデーター処理装置と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。5. A semiconductor device manufacturing apparatus used in a processing step in which a workpiece is processed in a vacuum chamber, wherein the number of dust particles floating in the vacuum chamber is measured. By comparing the device, the number of dust measured by the dust measuring device to the number of dust floating in the vacuum chamber and the number of foreign substances attached to the workpiece processed in the vacuum, A data processing apparatus for predicting the number of foreign matters attached to a workpiece processed in the vacuum chamber, and a semiconductor device manufacturing apparatus.
ク付着異物数を予め設定された基準値と比較し、予測値
が基準値以上である場合にはそのウエハについてそれ以
降の取り扱いを変更させる指令を発生するように構成さ
れていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置
の製造装置。6. The data processing apparatus compares the predicted number of adhered foreign substances on a work with a preset reference value, and if the predicted value is equal to or larger than the reference value, changes the handling of the wafer thereafter. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the semiconductor device manufacturing apparatus is configured to generate.
前記真空室外および／または前記真空室内で計測する異
物数計測装置を備えていることを特徴とする請求項５に
記載の半導体装置の製造装置。7. The semiconductor device according to claim 5, further comprising a foreign matter number measuring device for measuring the number of foreign matters attached to the surface of the work inside the vacuum chamber and / or inside the vacuum chamber. Manufacturing equipment.
着異物数と、そのワークについて実際に計測された異物
数とを比較するように構成されていることを特徴とする
請求項７に記載の半導体装置の製造装置。8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the data processing device is configured to compare the predicted number of foreign matter adhering to the work with the actually measured number of foreign matter on the work. Equipment manufacturing equipment.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6160642A JPH085542A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
| KR1019950015871A KR960002535A (en) | 1994-06-20 | 1995-06-15 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6160642A JPH085542A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085542A true JPH085542A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15719354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6160642A Pending JPH085542A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Method and apparatus for fabricating semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085542A (en) |
| KR (1) | KR960002535A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190509A (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection analysis method and semiconductor device |
| KR100455559B1 (en) * | 2001-07-18 | 2004-11-06 | 프로모스 테크놀로지즈 인코포레이티드 | Method and system for in-line monitoring process performance using measurable equipment signals |
| JP2005072614A (en) * | 2004-10-27 | 2005-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Sample treatment equipment and system thereof |
| US6939433B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-09-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample processing apparatus and sample processing system |
| KR100882964B1 (en) * | 1999-06-15 | 2009-02-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| JP2009290086A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | Method of estimating interior situation in chamber, and storage medium |
| US7844559B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data |
| WO2013125289A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | Exposure drawing device and exposure drawing method |
| KR101483224B1 (en) * | 2014-11-25 | 2015-01-16 | 주식회사 올루 | Apparatus for detecting particles in porous parts |
| KR20220155005A (en) * | 2021-05-14 | 2022-11-22 | 최승원 | Particle Counter Module and System |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP6160642A patent/JPH085542A/en active Pending
-
1995
- 1995-06-15 KR KR1019950015871A patent/KR960002535A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100882964B1 (en) * | 1999-06-15 | 2009-02-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Particle-measuring system and particle-measuring method |
| JP2002190509A (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection analysis method and semiconductor device |
| KR100455559B1 (en) * | 2001-07-18 | 2004-11-06 | 프로모스 테크놀로지즈 인코포레이티드 | Method and system for in-line monitoring process performance using measurable equipment signals |
| US7844559B2 (en) | 2002-06-28 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data |
| US6939433B2 (en) | 2002-08-27 | 2005-09-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample processing apparatus and sample processing system |
| JP4520820B2 (en) * | 2004-10-27 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Sample processing apparatus and sample processing system |
| JP2005072614A (en) * | 2004-10-27 | 2005-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | Sample treatment equipment and system thereof |
| JP2009290086A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Tokyo Electron Ltd | Method of estimating interior situation in chamber, and storage medium |
| US8364422B2 (en) | 2008-05-30 | 2013-01-29 | Tokyo Electron Limited | Method of presuming interior situation of process chamber and storage medium |
| WO2013125289A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | Exposure drawing device and exposure drawing method |
| JP2013175599A (en) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Fujifilm Corp | Exposure plotting apparatus, program, and exposure plotting method |
| KR101483224B1 (en) * | 2014-11-25 | 2015-01-16 | 주식회사 올루 | Apparatus for detecting particles in porous parts |
| WO2016085167A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | 주식회사 제덱스 | Particle inspection apparatus for porous formation part |
| KR20220155005A (en) * | 2021-05-14 | 2022-11-22 | 최승원 | Particle Counter Module and System |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960002535A (en) | 1996-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4584531B2 (en) | Foreign matter monitoring system | |
| US6707544B1 (en) | Particle detection and embedded vision system to enhance substrate yield and throughput | |
| EP0898300B1 (en) | Method for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection | |
| KR100793453B1 (en) | Method for maintaining processor, method of automatically inspecting processor and method of automatically resetting processor, method for self-diagnosing software for driving processor | |
| KR100882252B1 (en) | Semiconductor substrate defects detection device and method of detection of defects | |
| US20070177788A1 (en) | System and method for detecting wafer failure in wet bench applications | |
| WO2001031693A1 (en) | Method and apparatus for monitoring process exhaust gas, semiconductor-manufacturing device, and method and system for managing semiconductor-manufacturing device | |
| WO2002035217A2 (en) | Methods for continuous embedded process monitoring and optical inspection of substrates using specular signature analysis | |
| JP3660896B2 (en) | Maintenance method of plasma processing apparatus | |
| JPH085542A (en) | Method and apparatus for fabricating semiconductor device | |
| JPS63135848A (en) | Defect inspection instrument | |
| JP4068404B2 (en) | Substrate processing system, substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and recording medium | |
| US20070076942A1 (en) | Semiconductor device manufacturing system | |
| WO2007135917A1 (en) | Method and apparatus for matching defect distribution pattern | |
| JP4781505B2 (en) | Processing device automatic inspection method and automatic return method | |
| US7166480B2 (en) | Particle control device and particle control method for vacuum processing apparatus | |
| JPH04152545A (en) | Inspection method of foreign body | |
| EP1747575B1 (en) | Inter-process sensing of wafer outcome | |
| TWI795811B (en) | Wafer box device, semiconductor processing machine and wafer inspection method | |
| JP2647051B2 (en) | Appearance inspection device | |
| CN1791971A (en) | A method of fault detection in manufacturing equipment | |
| JP2006310371A (en) | Method and device for manufacturing semiconductor device | |
| JPH10223499A (en) | Method and system for manufacture of product as well as operating method for a plurality of working and treatment devices | |
| JP3660923B2 (en) | Foreign matter monitoring method and system | |
| US7638096B2 (en) | Photoresist coating failure sensing methods and detection devices |