JPH08512180A

JPH08512180A - Ｃｒｔ装置から放出されるｅｌｆ電界を低減する回路

Info

Publication number: JPH08512180A
Application number: JP7502803A
Authority: JP
Inventors: ディー，シニアカペルス，リチャード
Original assignee: アップルコンピューターインコーポレイテッド
Priority date: 1993-06-28
Filing date: 1994-05-16
Publication date: 1996-12-17
Also published as: EP0706738B1; WO1995001046A1; AU7094294A; EP0706738A1; US5396151A; SG48951A1

Abstract

(57)【要約】電源手段と、陰極線管（ＣＲＴ）と、電圧検出手段と、増幅手段と、上記ＣＲＴへのフィードバック路内の容量性結合とからなるＣＲＴ装置上の超低周波（ＥＬＦ）電界を低減する回路。上記電圧検出手段によって検出されたＣＲＴのアノード電圧変化は、上記増幅手段によって増幅、反転され、上記フィードバック路内の上記容量性結合に供給される信号を生成する。上記信号は上記ＣＲＴのアノードのインピーダンスを変更し、上記電圧変化を低減し、これにより、ＥＬＦ電界強度を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】ＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する回路発明の背景１．発明の分野本発明は一般的に陰極線管（ＣＲＴ）装置に係り、特に、ＣＲＴのアノードの利得が修正されたインピーダンスの生成によってＣＲＴ装置から放出する超低周波（ＥＬＦ）電界に関する。２．従来技術の説明ＣＲＴ装置に表示された情報の変化、又は、輝度及びコントラストのようなＣＲＴ表示制御のユーザの調整は、ＣＲＴの電子ビーム電流の予期できない変更を行い、ＣＲＴのアノード電圧に対応する変化を生じさせる。その結果として、アノードは放出素子として機能し、超低周波（ＥＬＦ）電界を生成する。ＥＬＦ電界の存在によってＣＲＴユーザは潜在的な健康上の危険に晒されるが、現在までのところこの点に関し決定的な結論は出されていない。ユーザはＣＲＴのスクリーンを毎日数時間見る必要がある場合があるので、潜在的な健康上の危険は最小限に抑えることが必要である。上記の点を考慮して、ＣＲＴベース形表示装置の製造者は、ＥＬＦ電界の低減に向けて種々の解決法をとっている。第１の解決法によれば、電界を減衰させるため遮蔽がＣＲＴ上に選択的に使用される。遮蔽の一般的なタイプの中の一つは、ＣＲＴを封入するケーシングに塗布された金属層からなる。遮蔽は、ＣＲＴディスプレイの前面上で電界を減衰させ得る特殊化された透明性被膜の使用を必要とする。上記被膜は典型的に画質を劣化させ、又は、ＣＲＴ製造のコストを著しく低下させる。別の解決法は、図１に示されたタイプの回路を利用し、上記回路において、不所望のＥＬＦ電界は、反転された電圧波形の複製をアノードに生成するため容量的に検出され、反転され、増幅される。次いで、上記信号は放出用小片又は板を介してＣＲＴの方へ後向きに放出される。打ち消し合いを効果的にするため、ＥＬＦ電界検出手段の位置と、増幅手段によって与えられる利得は、ＣＲＴを取り囲むＥＬＦ電界強度の可能性のある非対称性を補償するよう適切に選択される必要がある。同様の考慮は、打ち消し信号放出手段にも適用できる。その上、増幅手段に存在する非線形性と位相歪みを最小限に抑えることが必要である。上記考慮は、ＣＲＴの設計及び製造を複雑化する。ＣＲＴのアノードは、アノード電圧の変化の結果としてＥＬＦ電界を放出するので、ＥＬＦ電界強度を低減させる別の解決法は、上記電圧変化の低減に基づいている。このタイプの解決法によって、幾何学的な画像歪みの低減と画像の安定性の増大という付加的な利益が得られる。上記方法の一つには電圧調整電源の使用が含まれ、電源に接続された電子回路は、ＣＲＴのアノードに比較的一定の電圧出力を保証する。上記の方式で機能する回路は米国特許第5,043,598号明細書に開示され；上記回路はフライバック変圧器の両端の電圧から可変電圧を減算することによりＣＲＴのアノード電圧を調整する。上記回路の主な欠点は、レギュレータのダイナミックレンジに、アノード電流の変化によって生成される電圧変化に加えて、フライバック変圧器回路から得られるユニット間の出力電圧の変化が受容される必要がある点である。上記回路は、更に、殆どのレギュレータと同様に、著しい電力消費が欠点である。ＣＲＴのアノード電圧の調整に必要とされる回路は、ＣＲＴのアノードの電源のコストを著しく増加させる。上記欠点のため、大部分のＣＲＴベース形表示装置は調整されていないアノード電源を利用する。ＣＲＴのアノード電圧の変化の低減を強化する付加的な解決法は、ＥＬＦ電界を低減する方法としてＣＲＴのアノードに結合されたインピーダンスを最小化することを含んでいる。図２の回路において、上記最小化は、非常に大きい容量を有する受動バイパスキャパシタの使用によって行なわれる。残念なことに、かかるキャパシタは、小さい容量を有するキャパシタより一層高価であり、かつ、物理的に遥に大きいので、ＣＲＴの設計及び製造の経済性に再び悪影響を与える。更に、このタイプのキャパシタの使用は、アークとして周知のような突然の電気的放電に起因してＣＲＴに損傷を加える可能性を増大する。ＣＲＴ表示装置の幾何学的画像歪みを低減すると同時に、ＣＲＴのアノードから放出されるＥＬＦ電界を低減する効率的かつコスト効果に優れた回路が要求される。発明の概要本発明は、調整されていないアノード電源と小さいキャパシタの使用を許容すると共に、ＣＲＴのアノード電圧の変動の低減によってＣＲＴのアノードから放出されるＥＬＦ電界を低減する回路である。上記回路はＣＲＴのアノードへのフィードバック接続内に組み込まれた利得調整されたインピーダンスを生成する。本発明の回路は、高圧電源手段と、ＣＲＴと、電圧検出手段と、増幅手段と、フィードバック結合内に組み込まれた容量とからなる。ＣＲＴのアノード上に生成された電圧変動は、電圧検出手段によって検出され、増幅手段に入力される。増幅手段は上記アノード電圧の反転されたバージョンを生成し、アノード電圧の反転されたバージョンは、アノードのインピーダンスを低減するためフィードバック結合に供給される。このインピーダンスの低減は、次いで、ＣＲＴのアノード電圧変動の大きさを低減させ、これにより、付随したＥＬＦ電界の強度を低減する。図面の簡単な説明図１はＥＬＦ電界の放出の打ち消しのため従来技術で使用される回路の回路図である。図２は大きいバイパス容量の使用によりＥＬＦ電界を低減するため従来技術で使用される回路を示す図である。図３（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）及び３（ｄ）は、本発明に従って構成されたＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する回路の好ましい一実施例を示す図である。図４は、ＣＲＴが可変電流源を有するようモデル化された図３の回路を表わす図である。図５は、１入力の多段トランジスタ増幅器が反転利得Ａ_vを得るため使用される本発明の他の実施例を示す図である。好ましい実施例の詳細な説明図３（ａ）を参照するに、本発明に従って構成されたＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する回路１０の回路図が示されている。回路１０への入力は、本実施例の場合フライバック変圧器１２として実装された高圧電源からなる。フライバック変圧器１２は通例的に、１次及び２次コイルＬ１及びＬ２を有し、この例ではダイオード１８として実装された整流手段に結合されている。フライバック変圧器１２は、アノード１４とカソード１５とを有するＣＲＴ１６を給電するため使用される。分圧器２０とバイアス回路２７は、演算増幅器３４をバイアスさせるため使用される。交流絶縁結合３１は、増幅器３４への反転入力３６をフィルタリングするため使用され、補償結合４３は増幅器で利用されるフィードバックのフィルタリングを行なう。演算増幅器３４の出力４０は、フィードバックキャパシタＣ４に更に電気的に結合され、フィードバックキャパシタＣ４はＣＲＴのアノード１４に接続されているので、分圧器２０と、交流絶縁結合３１と、増幅器３４と、ＣＲＴのアノード１４の間にアノードフィードバック結合５４が形成される。Ｒ１とＲ２とにより構成される分圧器２０は、ＣＲＴのアノード１４上で電圧を検出し、対応する低減された振幅の電圧を交流絶縁結合３１に送出する。抵抗Ｒ１とＲ２の好ましい構成要素の値は、夫々、略１００ＭΩ及び４３ｋΩである。同様に割り当てられた広範囲の別の抵抗の値は同様に効果的であることが分かる。電圧器２０によって送出された低減された振幅の電圧は直流電圧レベルからなり、ＣＲＴのアノード１４の電圧変化に対応する交流電圧が上記直流電圧に重ね合わされる。ＣＲＴのアノード１４に現れる電圧は最大３０キロボルトまで許容されるので、アノード１４の電圧変化は数キロボルトになり、アノード電圧が増幅器３４に直接印加されることはない。絶縁結合３１は、分圧器２０によって供給された電圧の交流成分を増幅器３４の反転入力３６に供給し、一方、直流成分を阻止する。次いで、演算増幅器３４は、安定な増幅を保証すべく周波数補償結合４３を介して接続された出力４０に電圧を生成するため上記交流電圧を反転、増幅する。演算増幅器３４によって発生された電圧は、フィードバックキャパシタＣ４がアノード１４上に有する効果を増加させるためアノードフィードバック結合５４にも供給され、これによって、アノードに結合されたインピーダンスを低減する。Ｃ４の近似的な好ましい値は１０００ｐＦである。次いで、上記インピーダンスの低減によって、分圧器２０がＣＲＴのアノード１４から検出する電圧変化の大きさが低減する。アノード１４の電圧変化はＥＬＦ電界を生成し、幾何学的画像歪みを生じさせるので、ＣＲＴのアノード１４で検出された電圧変化の減少は、ＥＬＦ電界強度を低減させ、表示された画像を安定化させる。図３（ｂ）を参照するに、補償結合４３の好ましい実施例が詳細に示されている。補償結合４３の目的は、増幅回路の周波数安定化と、不所望の発振の防止である。当該周波数で、キャパシタＣ３は、二つの抵抗Ｒ７及びＲ８を通る接地への電圧信号を遮断する。好ましい構成要素の値は、二つの抵抗Ｒ７及びＲ８に対し略１ＭΩであり、キャパシタＣ３に対し１０μＦである。周波数補償結合４３の中の構成要素の値は、演算増幅器３４の利得及び周波数応答に基づいて選択される。上記利得は、増幅器３４の発振を生じさせない限りできるだけ大きくなるよう選択される。図３（ｃ）を参照するに、絶縁結合３１の好ましい実施例が詳細に示されている。絶縁結合３１は抵抗Ｒ５とキャパシタＣ１の直列接続からなる。上記結合３１の目的は、増幅器３４を直流電圧成分から絶縁し、増幅器入力３６に与えられる交流電流信号を制限することである。絶縁結合３１の好ましい構成要素の値は、凡そ、Ｒ５に対し１０ｋΩであり、Ｃ１に対し０．１μＦである。図３（ｄ）を参照するに、増幅器３８の非反転入力にバイアスを与えるバイアス回路２７の好ましい実施例の詳細が示されている。バイアス回路２７の抵抗Ｒ３及びＲ４は、好ましい実施例において、略４．７ＭΩである。上記バイアスが電圧基準又は他の手段によって供給されてもよいことは当業者にとって明らかである。ＣＲＴ１６の表示装置内において、少なくとも一つの電子銃はＣＲＴ画像の発生の容易にする。典型的に、カソードは電位１２及び１５０Ｖでバイアスされ、一方、ＣＲＴのアノード１４は、より正の電圧でバイアスされる。ＣＲＴのアノード１４の両端にある電圧は、従って、ＣＲＴ１６のディスプレイに向けて電子銃から放出された電子を加速する機能を果たす。電子ビーム電流は、表示された情報、或いは、輝度又はコントラストのようなＣＲＴ１６の表示制御のユーザの調整の変化の結果に従ってかなり変化する。かかる変化は対応するアノード１４の電流の変化を発生し、アノード１４の電流の変化はアノード１４の電圧の付随的な変化を生じさせる。導電体に印加された変化性の電位は、導電体から外側に放出する交流電界を発生する。従って、ＣＲＴのアノード１４の電圧変化は、アノード１４から放出する電界を生成する。上記電界は略５乃至２０００ヘルツの範囲の周波数成分を有し；この範囲内に発振を有する場は、超低周波又はＥＬＦ場として類別される。ＥＬＦ電界はＣＲＴのアノード１４上の電圧変化によって生成されるので、上記電圧変化の低減によってＥＬＦ電界強度は減少する。ＣＲＴのアノード１４に加えて、ＣＲＴ１６内の幾つかの電極、及び、可能であれば少なくとも一つの磁界ヨークは、所定の特性を有する画像を生成するため電子ビーム電流に影響を与える。ＣＲＴのアノード１４の電圧に起因して加速される電子ビームは、上記手段によって偏向させられるので、ディスプレイ上の位置が変わる。電極又は磁界ヨークによって生成された場の存在する中を移動する電子に対し、上記偏向の程度は偏向場が電子に作用する時間の長さに依存する。電子はＣＲＴのアノード１４に向けて加速されるので、アノード１４の電圧の変化は電子加速に影響を与え、即ち、偏向場が電子に作用し得る時間の量に影響を与える。従って、アノード１４の電圧変化は画像の外観に不所望の変化を生成する。このような幾何学的な画像歪みは、一般的にアノードの電圧変化と逆平方根の関係があり；例えば、アノード１４の電圧の４％の増加によって、電圧変化の間に生成された画像の部分の大きさに２％の減少が生じる。アノード１４の電圧は、ＣＲＴ１６内の電子ビーム電流の変化の結果として変化する。アノード１４の電圧変化の大きさは、オームの法則、即ち、Ｖ_a＝Ｉ_a＊Ｚ_aによって電流の関数として与えられ、式中、Ｖ_aは変化するＣＲＴ１６の電流Ｉ_aによって生成された電圧変化を表わし、Ｚ_aアノード１４に結合されたインピーダンスを表わしている。従って、ＣＲＴのアノード１４の電圧変化を低減させ、これにより、そこから放出するＥＬＦ電界の強度を低減させるため、アノード１４に結合されたインピーダンスを減少させることが必要である。これは、本発明の回路１０によって実行される。図４を参照するに、図３の回路１０の一部がアノード１４の電圧変化に与える影響に関し示されている。ＣＲＴ１６は、変化するＣＲＴ１６の電流を発生する可変電流源を有するようにモデル化され、フライバック変圧器１２はインピーダンスＺ_fbtを有するように表わされている。第２のバイアス回路２７（図３（ｄ））は、演算増幅器３４の非反転入力３８にバイアスを供給するだけなので、電圧への結合として表わされている。周波数補償結合４３（図３（ｂ））は回路を安定化する機能を果たすだけであり、以下の解析では無視されている。その上、交流絶縁結合３１（図３（ｃ））の抵抗Ｒ５は、第１の分圧器２０から上記結合内のキャパシタＣ１を絶縁する機能だけを行なう。更に、上記キャパシタＣ１は、好ましくは、非常に低いインピーダンスを有する。従って、交流絶縁結合３１は以下の解析では無視されている。図４の回路１０には、分圧器２０とキャパシタＣ４を通る電流路が含まれている。分圧器２０を流れる電流Ｉ₁は、簡単にＩ₁＝Ｖ_a／（Ｒ₁＋Ｒ₂）（１）として表わされ、ここで、ＣＲＴのアノード１４の交流電圧Ｖ_aは変化するＣＲＴ１６の電流Ｉ₁から得られる。演算増幅器３４の出力４０の電圧は、１より大きい大きさを有する負の量である反転利得Ａ_vによって反転入力３６の電圧と関係付けられている。演算増幅器３４の反転入力３６にある電圧は、βＶ_aと等しく、ここで、βは分圧器２０によって得られた減衰を表わし、以下の式 β＝Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）（２）によって与えられる。従って、演算増幅器３４の出力において、電圧は、以下の式Ｖ_o＝−（Ａ_vβ）Ｖ_a （３）で表わされる。この結果から、フィードバックキャパシタＣ４を流れる電流Ｉ₂ は、Ｉ₂＝Ｖ_a（１＋Ａ_vβ）ｊωＣ（４）であることが分かり、式中、ＣはフィードバックキャパシタＣ４の値を表わし、 ωはＣＲＴ１６の電流の角周波数を表わす。式（１）と（４）を組み合わせることにより、ＣＲＴのアノード１４に結合されたインピーダンスは、フライバック変圧器１２のインピーダンスを無視した場合、以下の式Ｚ_a＝１／（ｊωＣ（１＋Ａ_vβ）＋１／（Ｒ₁＋Ｒ₂））（５）で表わされる。フライバック変圧器１２のインピーダンスを考慮に入れることにより以下の式Ｚ_a＝１／（Ｚ_fbt（ｊωＣ（１＋Ａ_vβ）＋１／（Ｒ₁＋Ｒ₂））＋１／Ｚ_fbt）（６）が得られ、式中、Ｚ_fbtはフライバック変圧器１２のインピーダンスを表わしている。式（５）及び（６）によって示されているように、利得が大きいほど小さいインピーダンスが生じるよう演算増幅器３４の利得Ａ_vによってインピーダンスが変更される。演算増幅器３４はフィードバックキャパシタＣ４の効果を係数（１＋Ａ_vβ）で乗算する。実際上、Ａ_vはできる限り大きくなるよう選択されるので、大きいインピーダンスの低減が得られ、従って、幾何学的な画像歪みが低減されると共にＣＲＴのアノード１４から放出されるＥＬＦ電界が低減され、一方、従来技術において必要とされるフィードバックキャパシタよりも遥に小さいフィードバックキャパシタＣ４を使用することが可能になる。その上、本発明の回路は、フライバック変圧器の電圧のユニットとユニットの間の変化による影響を受けず、本発明の回路の電力消費は、従来技術において知られた電圧調整を含む回路よりも遥に少ない。上記式から、広範囲のキャパシタの値をＣ４に使用できることが分かる。Ｃ４の値を１ μＦ未満に選択することが好ましい。１０００ｐＦの値のＣ４が上記好ましい実施例において使用されている。図５を参照するに、本発明の他の実施例の回路６０の回路図が示され、この回路では、１入力多段トランジスタ増幅器６２が、上記好ましい実施例の回路１０において演算増幅器３４によって実現された反転利得Ａ_vを得るため使用されている。上記回路６０は、この例ではフライバック変圧器１２として実装された電源と；この例では分圧器６１として実装された電圧検出器と；複数の抵抗と、キャパシタと、入力段と増幅段と出力段を形成するトランジスタＱ１乃至Ｑ４とにより構成され、単一の入力６３と出力６４を有する増幅器６２と；アノードフィードバック結合５４内のフィードバックキャパシタＣ４とからなる。フライバック変圧器１２は、ＣＲＴのアノード１４と、分圧器６１とに電気的に結合されている。更に、分圧器は、多段トランジスタ増幅器６２の入力段の中で機能するトランジスタＱ１に電気的に結合されている。トランジスタＱ１のベース接点は増幅器の入力に結合されている。トランジスタＱ２及びＱ３は、増幅段内で機能し、トランジスタＱ２は、入力段とトランジスタＱ３と電気的に結合され、トランジスタＱ３は出力段に電気的に結合されている。トランジスタＱ４は出力段内で動作し；トランジスタＱ４のコレクタは増幅器の出力６４に電気的に結合されている。増幅器の出力６４はフィードバックキャパシタＣ４に電気的に結合され、次いで、フィードバックキャパシタＣ４はアノードフィードバック結合５４に結合されている。アノードフィードバック結合５４によって、ＣＲＴのアノード１４と、分圧器６１と、１入力多段トランジスタ増幅器６０と、フィードバックキャパシタＣ４とを接続するフィードバック路が得られる。フライバック変圧器１２は、ＣＲＴのアノード１４に高圧を供給する。ＣＲＴ１６内の電子ビーム電流の変化によって生成されたアノード１４の電圧変化は分圧器６１によって検出され、分圧器６１は、上記電圧変化を減衰させ、これにより、増幅器６２の入力段に印加し得る大きさの電圧信号を生成する。この電圧信号は、アノード１４の電圧変化に対応し、直流成分に重ね合わされる交流成分よりなる。増幅器６２の入力段は、交流電圧だけを増幅段に送出し、増幅段は、この信号を増幅、反転し、出力段に送出する。出力段は増幅段から受けた信号を更に増幅する。出力段はフィードバックキャパシタＣ４に電気的に結合されているので、増幅器の出力６４にあるアノードの電圧変化の反転、増幅されたバージョンは、フィードバックキャパシタＣ４がＣＲＴのアノード上に与える効果を増大する機能を果たし、これにより、アノード１４に結合されたインピーダンスを減少させる。このインピーダンスの減少は、分圧器６１によって検出されたアノード１４の電圧に付随的な低減を生じさせるので、ＥＬＦ電界強度は低減され、表示された画像の安定性が増す。多段トランジスタ６２内の好ましい構成要素の値は図５に示され；分圧器６１の抵抗の好ましい値は、図３の回路１０の第１の分圧器に使用された値と同一である。更に、フィードバックキャパシタＣ４は図３の回路１０中と同一の値を有する。多段トランジスタ増幅器６２の利得は、上記回路６０から得られる利点を最大限に活かすためできる限り大きくする必要がある。本発明の回路をＣＲＴベース形の表示装置に関し説明したが、本発明の回路はビームマトリックス形の表示装置にも適用可能である。ビームマトリックス形表示装置は電子銃の配列によって構成され、各電子銃は画像の一部を発生するため使用される。最も簡単な構成によれば、全ての電子銃は同一のアノードを共有し、本発明の回路がそこに適用される。本発明はある好ましい実施例を参照して説明されているが、当業者は種々の変形を行なえることが分かる。例えば、上記変形の中には、その例に限定されることはないが、容量性の電圧検出手段の使用、或いは、増幅器の出力をキャパシタに結合する変圧器の使用が含まれている。本発明によれば、上記好ましい実施例に基づく上記及び他の例と、変形が得られ、本発明は以下の請求の範囲の記載だけにより限定される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ

Claims

【特許請求の範囲】１．カソードとアノードを有するＣＲＴと；上記アノードとカソードの間に電気的に結合され、上記ＣＲＴにバイアスを与える電源手段と；上記電源手段と上記アノードに電気的に結合された第１の入力を有し、上記電源と上記アノードの間で増幅を与える増幅手段と；上記増幅手段と上記アノードの間に結合され、アノードのインピーダンスを下げるキャパシタとからなり、得られたアノードのインピーダンスは、上記キャパシタの容量と上記増幅手段の電圧利得の積に反比例している、ＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する回路。２．上記アノードと上記増幅手段の第１の入力の間に結合され、上記ＣＲＴのアノード電圧をサンプリングする電圧検出手段を更に有する請求項１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。３．上記電圧検出手段は分圧器よりなる請求項２記載のＥＬＦ電界を低減する回路。４．上記分圧手段は、上記アノードと上記第１の入力の間に電気的に結合された第１の抵抗と、上記第１の抵抗と上記ＣＲＴのカソートの間に電気的に結合された第２の抵抗とを更に有する請求項３記載のＥＬＦ電界を低減する回路。５．バイアス回路に電気的に結合された上記増幅手段の第２の入力を更に有する請求項２記載のＥＬＦ電界を低減する回路。６．上記電源は、１次コイルと、２次コイルと、整流手段とを有するフライバック変圧器からなる請求項１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。７．上記整流手段はダイオードからなる請求項６記載のＥＬＦ電界を低減する回路。８．上記整流手段は、上記第２のコイルと上記アノードの間に電気的に結合されている請求項６記載のＥＬＦ電界を低減する回路。９．上記第２のコイルは上記カソードに電気的に結合されている請求項６記載のＥＬＦ電界を低減する回路。１０．上記キャパシタは、１マイクロファラッド未満の容量の値を有する請求項１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。１１．上記増幅手段は絶縁手段を介して上記電源手段に結合されている請求項１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。１２．上記絶縁手段は、上記増幅手段を直流電圧から絶縁する直接接続された抵抗とキャパシタを更に有する請求項１１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。１３．上記増幅手段は上記キャパシタに接続された出力を更に有し、周波数補償手段が上記増幅手段を安定化させるため上記出力と上記第１の入力の間に結合されている請求項１記載のＥＬＦ電界を低減する回路。１４．ＣＲＴのアノードとカソードの間の電源から電圧信号を供給する段階と；上記電源と上記アノードの間の増幅器から信号電圧利得を供給する段階と；上記アノードのインピーダンスを下げるため上記増幅器を上記アノードに容量的に結合する段階とからなる、電源からバイアスされ、アノードとカリードを有するＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する方法。１５．上記得られたアノードのインピーダンスは、結合された容量と、上記増幅器の上記電圧利得の積に反比例している請求項１４記載のＣＲＴ装置から放出されるＥＬＦ電界を低減する方法。