JPH0851002A - Electronic device and production thereof - Google Patents

Electronic device and production thereof

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JPH0851002A
JPH0851002A JP18493594A JP18493594A JPH0851002A JP H0851002 A JPH0851002 A JP H0851002A JP 18493594 A JP18493594 A JP 18493594A JP 18493594 A JP18493594 A JP 18493594A JP H0851002 A JPH0851002 A JP H0851002A
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JP
Japan
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substrate
electronic component
ceramic
plating
coating
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JP18493594A
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Japanese (ja)
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Hidehiro Inoue
英浩 井上
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain an electronic device, and production method thereof, in which a glassy film is formed at a part on the surface of a ceramic body where the electrode is not required and an electrode is formed, by electroless plating, on the surface of the ceramic body not covered with the glassy coating. CONSTITUTION:A glassy coating 7 is formed on the surface of a substrate 1 where the electrode is not required and then a coating 8 is formed, by electroless plating, on the surface of the substrate 1 not covered with the glassy coating 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品素子の電極を
無電解めっきによって形成する電子部品素子及びその製
造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component element in which electrodes of an electronic component element are formed by electroless plating and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電子部品素子及びその製造方法に
ついて図4及び図5にもとづいて説明する。例えば、円
板状の電子部品素子である、セラミックコンデンサ、及
びサーミスタなどを例にとって説明する。
2. Description of the Related Art A conventional electronic component device and its manufacturing method will be described with reference to FIGS. For example, a disk-shaped electronic component element such as a ceramic capacitor and a thermistor will be described as an example.

【0003】図4において、例えば、セラミック製の誘
電体やサーミスタに代表される、それ自体が電気的特性
を有する円板状のセラミック素体1に無電解めっきが施
され、その全表面にめっき被膜2が形成される。次に、
センタレス加工又はサンドブラストなどの機械的方法を
用いた除去方法で、円周端縁等の不要部分のめっき被膜
が除去されて、両主面に各々円形のめっき被膜からなる
電極3が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ
等の電子部品素子を得ることができる。
In FIG. 4, for example, a disk-shaped ceramic body 1 having electric characteristics, which is represented by a ceramic dielectric or a thermistor, is electroless plated, and the entire surface thereof is plated. The film 2 is formed. next,
A ceramic in which an unnecessary portion of the plating film such as a circumferential edge is removed by a removal method using a mechanical method such as centerless processing or sandblasting, and electrodes 3 each having a circular plating film are formed on both main surfaces. Electronic component elements such as capacitors and thermistors can be obtained.

【0004】一方、図5において、円周端縁等の電極不
要部分にあらかじめめっきレジスト4が塗布されたセラ
ミック素体1に無電解めっきが施され、めっきレジスト
4を含む全表面にめっき被膜5が形成される。次に、め
っきレジスト4を化学的方法を用いて除去することによ
って、めっきレジスト4とともにめっきレジスト4表面
に形成されためっき被膜が除去されて、めっき被膜から
なる円形の電極6が両主面に形成されたセラミックコン
デンサやサーミスタ等の電子部品素子を得ることができ
る。
On the other hand, in FIG. 5, electroless plating is applied to the ceramic body 1 in which the plating resist 4 is applied in advance to the electrode unnecessary portion such as the circumferential edge, and the plating film 5 is formed on the entire surface including the plating resist 4. Is formed. Next, the plating resist 4 is removed by a chemical method to remove the plating film formed on the surface of the plating resist 4 together with the plating resist 4, and the circular electrodes 6 made of the plating film are formed on both main surfaces. Electronic component elements such as formed ceramic capacitors and thermistors can be obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の電子部品素子及びその製造方法において、研削等
の機械的方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法
では、その除去方法による制約条件によって、複雑な形
状の電極や微細な形状の電極を形成することが難しかっ
た。
However, in the method of removing an unnecessary portion of the plating film using a mechanical method such as grinding in the electronic component element having such a structure and the method of manufacturing the same, the constraint condition of the removing method causes It was difficult to form an electrode having a complicated shape or an electrode having a fine shape.

【0006】また、めっきレジストの剥離等による化学
的な方法を用いた不要部分のめっき被膜の除去方法で
は、セラミック素体1とめっきレジスト4との間にめっ
き液が侵入して、不要部分にめっき被膜が形成されるこ
とがあるという問題点を有していた。
Further, in the method of removing the plating film of the unnecessary portion by using a chemical method such as peeling of the plating resist, the plating solution penetrates between the ceramic body 1 and the plating resist 4, and the unnecessary portion is exposed. It has a problem that a plating film may be formed.

【0007】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、セラミック素体の表面の一部である
電極不要部分にガラス質被膜が形成され、無電解めっき
によってガラス質被膜で被覆されていないセラミック素
体表面に、めっき被膜からなる電極が形成された電子部
品素子及びその製造方法を提供することにある。
The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems. A glassy film is formed on a portion of the surface of the ceramic body which does not require an electrode, and the glassy film is formed by electroless plating. An object of the present invention is to provide an electronic component element in which an electrode made of a plating film is formed on the surface of a ceramic body not covered by (4) and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品素子においては、基板の表面の電
極不要部分にガラス質皮膜が形成され、該ガラス質被膜
を除く前記基板の表面に無電解めっきによって、めっき
皮膜が形成されたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the electronic component element of the present invention, a vitreous coating is formed on the surface of the substrate where no electrodes are required, and the substrate excluding the vitreous coating is formed. It is characterized in that a plating film is formed on the surface by electroless plating.

【0009】そして、前記基板は、電子回路または電子
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
The substrate is a ceramic substrate having an electronic circuit or electronic component function.

【0010】また、前記基板は、それ自体が電気的特性
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
Further, the substrate is a ceramic body having electric characteristics.

【0011】また、前記セラミック素体は、それ自体が
電気的特性を有することを特徴とする。
Further, the ceramic body is characterized in that it has electric characteristics.

【0012】また、前記セラミック素体は、正特性サー
ミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、
圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴とす
る。
The ceramic body is a positive characteristic thermistor body, a negative characteristic thermistor body, a capacitor body,
It is characterized by being any one of piezoelectric ceramic bodies.

【0013】そして、前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から一種類以上の成分で構成されていることを特徴
とする。
The vitreous coating is characterized by comprising at least one component selected from the group consisting of lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass and bismuth borosilicate glass.

【0014】本発明による電子部品素子の製造方法にお
いては、基板を準備し、該基板の表面の電極不要部分に
ガラス質皮膜を形成し、前記基板に無電解めっきを施す
ことによって、前記ガラス質皮膜を除く前記基板の表面
にめっき皮膜を形成することを特徴とする。
In the method of manufacturing an electronic component element according to the present invention, a substrate is prepared, a vitreous film is formed on a portion of the surface of the substrate where no electrode is required, and electroless plating is performed on the substrate to obtain the vitreous substance. A plating film is formed on the surface of the substrate excluding the film.

【0015】そして、前記基板は、電子回路または電子
部品機能が構成されたセラミック基板であることを特徴
とする。
The substrate is a ceramic substrate having an electronic circuit or electronic component function.

【0016】また、前記基板は、それ自体が電気的特性
を有するセラミック素体であることを特徴とする。
Further, the substrate is a ceramic body which itself has electrical characteristics.

【0017】そして、前記セラミック素体は、正特性サ
ーミスタ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素
体、圧電性セラミック素体のいずれかであることを特徴
とする。
The ceramic body is any one of a positive characteristic thermistor body, a negative characteristic thermistor body, a capacitor body, and a piezoelectric ceramic body.

【0018】そして、前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系
ガラス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラス
の群から選ばれた一種類以上の成分で構成されている。
The vitreous coating is composed of at least one component selected from the group consisting of lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass and bismuth borosilicate glass.

【0019】[0019]

【作用】本発明では、上述のように電極不要部分にガラ
ス質被膜をあらかじめ形成することによって、基板全体
を無電解めっきしても、ガラス質被膜が形成された部分
にはめっき被膜が形成されず、ガラス質被膜が形成され
ていない基板の表面にめっき被膜が形成される。
According to the present invention, the vitreous coating is formed in advance on the electrode unnecessary portion as described above, so that even if the whole substrate is electroless plated, the plating coating is formed on the portion where the vitreous coating is formed. As a result, a plating film is formed on the surface of the substrate on which the glassy film is not formed.

【0020】[0020]

【実施例】本発明による一実施例について、図1乃至図
3にもとづいて詳細に説明する。但し、前述の従来例と
同一部分については、同一の符号を付し、詳細な説明を
省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. However, the same parts as those of the above-described conventional example are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0021】図1において、それ自体が電気的特性を有
する円板状のセラミック素体1の両主面に、セラミック
素体1の外形に沿った円環状及び円周端面の電極不要部
分にペースト状のガラス質被膜が印刷などによって形成
される。次に、このセラミック素体1を200〜800
℃の間で熱処理することによって、ガラス質被膜の焼成
をおこなう。これによって、セラミック素体1に固着し
たガラス質被膜7が形成される。ここで形成されるガラ
ス質被膜7の材質は、硼硅酸鉛系ガラス、硼硅酸亜鉛系
ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの少なくとも一種類か
ら選ばれる。
In FIG. 1, paste is applied to both main surfaces of a disk-shaped ceramic element body 1 having electric characteristics by itself, on an annular portion along the outer shape of the ceramic element body 1 and on portions where no electrodes are required on the circumferential end surface. The vitreous coating film is formed by printing or the like. Next, 200 to 800
The glassy coating is fired by heat treatment at a temperature between ° C. As a result, the vitreous coating 7 fixed to the ceramic body 1 is formed. The material of the vitreous coating 7 formed here is selected from at least one of lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and bismuth borosilicate glass.

【0022】次に、このセラミック素体1の全体を活性
化処理をおこなってから無電解めっきを施すと、ガラス
質被膜7の表面にはめっき被膜が形成されずに、ガラス
質被膜7が形成されていない電極必要部にめっき被膜か
らなる電極8が形成され、セラミックコンデンサやサー
ミスタ等の電子部品素子を得ることができる。ここで電
極8は、例えば、ニッケル,銅,銀等の3層からなるも
のであり、半田付け等の温度に絶えることができる。
Next, when the entire ceramic body 1 is subjected to activation treatment and then electroless plating is performed, the glass coating 7 is formed on the surface of the glass coating 7 without forming a plating coating. Electrodes 8 made of a plating film are formed on the required electrode portions that are not formed, and electronic component elements such as ceramic capacitors and thermistors can be obtained. Here, the electrode 8 is made of, for example, three layers of nickel, copper, silver, etc., and can withstand the temperature of soldering or the like.

【0023】次に、セラミック素体の両主面に円環状の
電極が形成される他の実施例を示して説明する。
Next, another embodiment in which annular electrodes are formed on both main surfaces of the ceramic body will be described.

【0024】図2において、セラミック素体1の両主面
に電極不要部分である小さい円形状にペースト状のガラ
ス質被膜を形成する。次に、セラミック素体1を上述と
同様に焼成することによって、セラミック素体1に固着
した円形状のガラス質被膜9が形成される。次に、この
セラミック素体1を全体に活性化処理をおこなってから
無電解めっきを施すと、ガラス質被膜9の表面にはめっ
き被膜が形成されずに、ガラス質被膜9が形成されてい
ない電極必要部及びセラミック素体1の円周端面にめっ
き被膜10が形成される。次に、センタレス加工等によ
って、円周端面の不要なめっき被膜10を除去すること
によって両主面に円環状のめっき被膜からなる電極11
が形成されたセラミックコンデンサやサーミスタ等の電
子部品素子を得ることができる。
In FIG. 2, a paste-like vitreous coating is formed on both main surfaces of the ceramic body 1 in a small circular shape which is an electrode unnecessary portion. Next, by firing the ceramic body 1 in the same manner as described above, the circular vitreous coating 9 fixed to the ceramic body 1 is formed. Next, when the whole ceramic body 1 is subjected to activation treatment and electroless plating is performed, no plating film is formed on the surface of the vitreous coating 9, and the vitreous coating 9 is not formed. The plating film 10 is formed on the electrode required portion and the circumferential end surface of the ceramic body 1. Next, the unnecessary plating film 10 on the circumferential end surface is removed by centerless processing or the like to form an electrode 11 made of an annular plating film on both main surfaces.
It is possible to obtain an electronic component element such as a ceramic capacitor or a thermistor in which is formed.

【0025】次に、その他の実施例として面状発熱体を
例に示して説明する。図3において、例えば、角板状の
正特性サーミスタ素体12の一方の主表面に矩形上のガ
ラス質被膜13を形成し、他方の主表面と端面すべてに
ガラス質被膜13を形成する。次に、無電解めっきを施
すことによって正特性サーミスタ素体12の一方の主表
面にガラス質被膜13を除いて櫛歯形のめっき被膜から
なる電極14,14が形成される。これによって面状発
熱体である電子部品素子を得ることができる。
Next, as another embodiment, a sheet heating element will be described as an example. In FIG. 3, for example, a rectangular vitreous coating 13 is formed on one main surface of a square plate-shaped positive temperature coefficient thermistor element body 12, and a glassy coating 13 is formed on the other main surface and all of the end faces. Next, electroless plating is performed to form electrodes 14 and 14 formed of comb-teeth-shaped plating films on one main surface of the positive temperature coefficient thermistor element body 12 except for the glassy film 13. This makes it possible to obtain an electronic component element which is a planar heating element.

【0026】同様にして、正特性サーミスタ素体12の
代りに、圧電製セラミック素体(図示せづ)を用いて、
表面波フィルタなどに利用することも可能である。
Similarly, a piezoelectric ceramic body (not shown) is used in place of the PTC thermistor body 12,
It can also be used as a surface wave filter.

【0027】上述の実施例に記載したように、本発明に
よるガラス質被膜は、その表面に活性化処理を施しても
無電解めっきによるめっき被膜が形成されないものであ
る。
As described in the above embodiments, the glassy coating according to the present invention does not form a plating coating by electroless plating even if the surface is subjected to activation treatment.

【0028】尚、基板は、例えば、アルミナなどの絶縁
耐力を有しているセラミック基板であってもよい。ま
た、基板は、電子回路または電子部品機能が構成された
セラミック基板であってもよい。
The substrate may be, for example, a ceramic substrate having dielectric strength such as alumina. Further, the substrate may be a ceramic substrate having an electronic circuit or electronic component function.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上述べたように、本発明による電子部
品素子及びその製造方法では、電極が不要なセラミック
素体表面にガラス質被膜が形成されて後、このセラミッ
ク素体全体に無電解めっきが施されるものであるが、ガ
ラス質被膜上にはめっき被膜が形成されることなく、ガ
ラス質被膜が形成されていないセラミック素体表面に電
極が形成される。このため、無電解めっき前にめっきレ
ジストを塗布したり、まためっき後にめっきレジストを
剥離する必要がなく、選択的にめっき被膜形成が可能に
なる。また、ガラス質被膜によって、電極の形状が決定
されるため、電極の形状を容易に且つ任意に形成するこ
とができる。
As described above, in the electronic component element and the method of manufacturing the same according to the present invention, after the vitreous coating is formed on the surface of the ceramic body which does not require an electrode, the entire ceramic body is electroless plated. However, the plating film is not formed on the vitreous coating, and the electrode is formed on the surface of the ceramic body on which the vitreous coating is not formed. Therefore, it is not necessary to apply the plating resist before the electroless plating or peel the plating resist after the plating, and the plating film can be selectively formed. Moreover, since the shape of the electrode is determined by the vitreous coating, the shape of the electrode can be easily and arbitrarily formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る電子部品素子の一実施例を示す側
面断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of an electronic component element according to the present invention.

【図2】本発明に係る電子部品素子における他の実施例
の製造過程を示す側面断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view showing a manufacturing process of another embodiment of the electronic component element according to the present invention.

【図3】本発明に係る電子部品素子のそ他の実施例を示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the electronic component element according to the present invention.

【図4】従来の電子部品素子における製造過程を示す側
面断面図である。
FIG. 4 is a side sectional view showing a manufacturing process of a conventional electronic component element.

【図5】従来の電子部品素子における他の製造過程を示
す側面断面図である。
FIG. 5 is a side sectional view showing another manufacturing process of the conventional electronic component element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,12 セラミック素体(基板) 7,9,13 ガラス質被膜 8,11,14 電極(めっき被膜) 1,12 Ceramic body (substrate) 7,9,13 Vitreous coating 8,11,14 Electrode (plating coating)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 4/12 301 H01L 41/22 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01G 4/12 301 H01L 41/22

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面の電極不要部分にガラス質皮
膜が形成され、該ガラス質被膜を除く前記基板の表面に
無電解めっきによって、めっき皮膜が形成されたことを
特徴とする電子部品素子。
1. An electronic component device, wherein a vitreous coating is formed on a surface of a substrate where an electrode is not required, and a plating coating is formed on the surface of the substrate excluding the vitreous coating by electroless plating. .
【請求項2】 前記基板は、電子回路または電子部品機
能が構成されたセラミック基板であることを特徴とする
請求項1に記載の電子部品素子。
2. The electronic component element according to claim 1, wherein the substrate is a ceramic substrate having an electronic circuit or electronic component function.
【請求項3】 前記基板は、それ自体が電気的特性を有
するセラミック素体であることを特徴とする請求項1に
記載の電子部品素子。
3. The electronic component element according to claim 1, wherein the substrate is a ceramic body having electric characteristics.
【請求項4】 前記セラミック素体は、正特性サーミス
タ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、圧電
性セラミック素体のいずれかであることを特徴とする請
求項3に記載の電子部品素子。
4. The electronic component according to claim 3, wherein the ceramic body is a positive characteristic thermistor body, a negative characteristic thermistor body, a capacitor body, or a piezoelectric ceramic body. element.
【請求項5】 前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系ガラ
ス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの群
から一種類以上の成分で構成されていることを特徴とす
る請求項1,2,3又は4に記載の電子部品素子。
5. The glassy coating is composed of at least one component selected from the group consisting of lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and bismuth borosilicate glass. Item 1. The electronic component element according to item 1, 2, 3 or 4.
【請求項6】 基板を準備し、該基板の表面の電極不要
部分にガラス質皮膜を形成し、前記基板に無電解めっき
を施すことによって、前記ガラス質皮膜を除く前記基板
の表面にめっき皮膜を形成することを特徴とする電子部
品素子の製造方法。
6. A plating film is formed on the surface of the substrate excluding the glassy film by preparing a substrate, forming a glassy film on a portion of the surface of the substrate that does not require electrodes, and subjecting the substrate to electroless plating. A method for manufacturing an electronic component element, which comprises:
【請求項7】 前記基板は、電子回路または電子部品機
能が構成されたセラミック基板であることを特徴とする
請求項6に記載の電子部品素子の製造方法。
7. The method of manufacturing an electronic component element according to claim 6, wherein the substrate is a ceramic substrate having an electronic circuit or electronic component function.
【請求項8】 前記基板は、それ自体が電気的特性を有
するセラミック素体であることを特徴とする請求項6に
記載の電子部品素子の製造方法。
8. The method of manufacturing an electronic component element according to claim 6, wherein the substrate is a ceramic element body having electric characteristics.
【請求項9】 前記セラミック素体は、正特性サーミス
タ素体、負特性サーミスタ素体、コンデンサ素体、圧電
性セラミック素体のいずれかであることを特徴とする請
求項8に記載の電子部品素子の製造方法。
9. The electronic component according to claim 8, wherein the ceramic body is a positive characteristic thermistor body, a negative characteristic thermistor body, a capacitor body, or a piezoelectric ceramic body. Device manufacturing method.
【請求項10】 前記ガラス質皮膜は、硼硅酸鉛系ガラ
ス、硼硅酸亜鉛系ガラス、硼硅酸ビスマス系ガラスの群
から一種類以上の成分で構成されていることを特徴とす
る請求項6,7,8又は9に記載の電子部品素子の製造
方法。
10. The vitreous coating is composed of at least one component selected from the group consisting of lead borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and bismuth borosilicate glass. Item 6. A method for manufacturing an electronic component element according to item 6, 7, 8 or 9.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059786A (en) * 2010-09-06 2012-03-22 Tdk Corp Ceramic multilayer ptc thermistor
WO2016015594A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 肇庆爱晟电子科技有限公司 High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012059786A (en) * 2010-09-06 2012-03-22 Tdk Corp Ceramic multilayer ptc thermistor
CN102403077A (en) * 2010-09-06 2012-04-04 Tdk株式会社 Multilayer PTC thermistor
US8339237B2 (en) 2010-09-06 2012-12-25 Tdk Corporation Multilayer PTC thermistor
WO2016015594A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 肇庆爱晟电子科技有限公司 High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof
US20170211991A1 (en) * 2014-07-30 2017-07-27 Exsense Electronics Technology Co., Ltd High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof
US10330539B2 (en) 2014-07-30 2019-06-25 Exsense Electronics Technology Co., Ltd High precision high reliability and quick response thermosensitive chip and manufacturing method thereof

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