JPH08506466A

JPH08506466A - Ｔｃｘｏ回路において修正温度補償信号を供給する方法および装置

Info

Publication number: JPH08506466A
Application number: JP7515069A
Authority: JP
Inventors: マービン，デニス・フィッシャー; ラッセル，ダニエル・ジョセフ
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1993-11-29
Filing date: 1994-10-24
Publication date: 1996-07-09
Also published as: EP0686322A4; CA2151944A1; WO1995015031A1; AU8126094A; EP0686322A1; DE69405547T2; HK1002841A1; US5428319A; AU671784B2; DE69405547D1; CN1116886A; EP0686322B1

Abstract

(57)【要約】修正温度補償信号（１１０）は、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）回路（１００）において次のように供給される。温度依存電流発生器（１０４）は、振幅が周辺温度の変化に応答して変化する温度補償信号（１０８）を生成する。この温度補償信号（１０８）は、複数の離散的な周波数調整値（２１２）に基づいてスケーリングされ、修正温度補償信号（１１０）となる。

Description

【発明の詳細な説明】ＴＣＸＯ回路において修正温度補償信号を供給する方法および装置発明の分野本発明は、一般に、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ：temperature compensate d crystal oscillator）回路に関し、さらに詳しくは、ＴＣＸＯ回路において修正温度補償信号（modified temperature compensation signal）を供給する方法および装置に関する。発明の背景温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）回路は、発振器回路および温度補償回路からなることが知られる。発振器回路は、圧電水晶（piezoelectric crystal）を含み、コルピッツ型（Colpitts），ピアス型（Pierce）またはハートレー型（Hart ley）発振器など、さまざまな既知の発振器トポロジ（topology）の１つである。選択される発振器回路のトポロジにかかわらず、理想的には、発振器回路は、所定の中央周波数で極めて狭帯域幅の交流（ＡＣ）信号を発生する。従って、発振器回路は、水晶を利用して、発振器回路の動作周波数で、高い品質係数（Ｑ）の同調共振回路（tuned，resonant circuit）を提供する。水晶の高いＱは、発振器の所望の狭帯域周波数応答を満たし、この周波数応答は、低いＱの離散的インダクタを利用して達成できない。また周知なように、水晶は、周波数特性が周辺温度の変化に応答する回路素子である。例えば、水晶の共振周波数は、圧電材料の物理的形状，ブランク配向（ blank orientation）（すなわち、カット・タイプや角度），弾性係数および密度に依存する。圧電材料のこれらの特性は、周辺温度変動中に変化するので、水晶の共振周波数もそれに応じて変化する。温度に対する水晶の共振周波数の変化を制限する試みとして、所望の温度範囲において実質的に平坦な周波数対温度特性を提供するように、水晶カットが一般に選択される。３次元周波数対温度特性を有するＡＴカット水晶は、補償されると、−３０゜Ｃ〜＋８５゜Ｃの温度範囲で平坦な周波数対温度特性を一般に提供する。同様に、より限られた温度範囲（例えば、−１０゜Ｃ〜＋５０゜Ｃ）で、平坦な周波数対温度特性を提供するためＧＴカット水晶も利用できる。水晶の共振周波数は温度の関数として変化するので、発振器の出力信号周波数も温度の関数として変化する。−３０゜Ｃ〜＋８５゜Ｃの温度範囲では、発振器の出力信号周波数は、発振器に対して補償を行わなければ、一般的なＡＴカット水晶で約＋／−２０ｐｐｍ（parts per million）の変化が生じることがある。例えば、共振周波数が１０ＭＨｚのＡＴカット水晶を利用する未補償発振器回路は、出力信号周波数が最大２００Ｈｚ変化すると予測できる。発振器周波数の変化を低減するため、ＴＣＸＯは温度補償回路を利用して、温度変化による周波数のずれを補償する。発振器回路の温度補償は、水晶と直列に温度依存リアクタンス（temperature dependent reactance）を入れることによって一般に達成される。温度依存リアクタンスは、周辺温度の変化によって生じる水晶リアクタンスの変化を相殺するように選択される。一般に、温度依存リアクタンスは、バラクタ・ダイオード（varactor diode）からなり、その印加電圧は、必要な補償リアクタンスの量に応じて温度補償回路によって決定される。この温度補償では、発振器の出力信号周波数は周辺温度の変化に対して実質的に一定のままであり、その結果、発振器回路の実質的に平坦な周波数対温度特性が得られる。例えば、前述の１０ＭＨｚ発振器回路の出力信号周波数変化は、温度補償により＋／−２０ｐｐｍから＋／−１ｐｐｍ（すなわち１０Ｈｚ）に改善できる。温度影響の他に、水晶の周波数は老化（aging）によって経時変化する。一般に、老化は、水晶における応力緩和（stress relief）や、水晶に対するまたは水晶からの質量伝達（mass transfer）によって生じる。この現象を補償するため、発振器回路は老化に対抗または相殺するように調整される。老化補正は、発振器の負荷リアクタンスを所定の量だけ変えて、それにより発振器回路を新たな負荷リアクタンス点で強制的に動作させることによって一般に行われる。新たな負荷リアクタンスへの動作は、発振器回路の周波数応答に本質的に影響を与え、老化した発振器の出力信号周波数を補正する結果となる。老化調整を行うため、バラクタ，可変コンデンサまたは可変インダクタが一般に用いられる。老化調整は、温度補償回路から実質的に独立する。ＴＣＸＯの老化調整および温度補償を独立して行うことにより、トリム効果（ trim effect）として知られる結果が得られる。水晶老化は、発振器回路の負荷リアクタンス（すなわち、水晶の負荷容量）を変えることによって補正されるので、温度補償発振器回路は、老化調整後に異なる負荷で動作する。水晶の負荷容量の変化は、水晶の周波数感度に影響を与え、そのため温度補償回路によって施される補正量にも影響を与える。水晶の周波数感度は、次式によって与えられる。水晶感度＝（ωＣ_m）／｛２［Ｃ₀／Ｃ₁＋１］²｝×１０⁶［ｐｐｍ／ｏｈｍ］ただし、Ｃ_mは、水晶の動容量（crystal motional capacitance）；Ｃ₀は、水晶の静容量（static capacitance）；Ｃ₁は、負荷容量（load capacitance）；および ωは、角周波数（angular frequency）である。従って、老化調整中の水晶の負荷容量（Ｃ₁）の変化は、温度補償回路によって提供される実質的に平坦な周波数対温度特性を乱す。この乱れは、トリム効果（ trim effect）として知られる。トリム効果は、安定性の低い発振器（例えば、５ｐｐｍ以上）では深刻な問題とはならないが、安定性の高い発振器（例えば、１ｐｐｍ以下）への需要が高まるにつれて、トリム効果は発振器の安定性能に対して大きな影響を及ぼす。従来の方法は、トリム効果のジレンマを２つの個別の手法で解決することを試みた。第１の手法は、水晶の静容量（Ｃ₀）を中和し、それにより負荷容量の関数としての一定の水晶感度を生成する手法である。水晶の静容量は、水晶に並列にインダクタを入れることによって一般に中和される。一般に、この手法では、並列インダクタを組み込むことにより発振器回路内に生じる帰還路の数が増加するので、望ましくないスプリアス応答（spurious response）が生じやすい発振器回路が得られる。さらに、途方もなく大きいインダクタンスを一般に必要とするので、この手法は基本モード水晶（fundamental-mode crystal）では実際的ではない。第２の手法は、出力信号波形からビットを追加または削除するなど、ＴＣＸＯ回路に対して外部の補償を利用することにより、発振器の出力信号周波数を温度補償する。この補償手法は、米国特許第４，１６０，１８３号および第４，８７２，７６５号で説明されるようなデュアル・モード発振器で用いると優れた性能を発揮するが、かなり複雑・高価な手順であり、手ごろな価格の製品には適さない。従って、従来技術の欠点によって制限されない、ＴＣＸＯ回路のトリム効果を低減する方法および装置が必要とされる。特に、広い範囲の動作パラメータで利用でき、かつ外部補償回路を必要とせずに所望の老化調整を利用する補償方法は、従来技術に対する改善である。図面の簡単な説明第１図は、本発明による温度補償水晶発振器回路を示す。第２図は、本発明によるスケーリング・デバイスおよび制御装置を示す。第３図は、本発明による別のスケーリング・デバイスおよび制御装置を示す。好適な実施例の説明一般に、本発明は、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）回路において修正された温度補償信号を供給する方法および装置に関する。これは、温度依存電流発生器（temperature dependent current generator）を利用して、周辺温度の変化に応答して振幅が変化する温度補償信号を供給することによって達成される。温度補償信号は、複数の離散的な周波数調整値に基づいてスケーリングされ、修正温度補償信号を生成する。このように修正温度補償信号を生成することにより、ＴＣＸＯ回路を補償することに伴うトリム効果は、外部補償回路を必要とせずに大幅に低減される。本発明は、第１図ないし第３図を参照して詳しく説明できる。第１図は、本発明による、発振器回路１０２，温度依存電流発生器１０４，スケーリング・デバイス１０７および周波数調整回路１１２を含むＴＣＸＯ回路１００を示す。好適な実施例では、発振器回路１０２は、周知のピアス・トポロジ（Pierce topolog y）を採用し、圧電デバイス（例えば、水晶１２０），２つのバラクタ・ダイオード１２１，１２２，インバータ１２３，２つの結合コンデンサ１２４，１２５および帰還抵抗器１２６を含む。温度依存電流発生器１０４は、好ましくは、Mo torola Inc．に譲渡された米国特許第４，２５４，３８２号 ”Crystal Oscilla tor Temperature Compensating Circuit”において詳説されるように、電流ミラー，電流ソースおよび温度依存差動増幅器の組み合わせによって構成される。スケーリング・デバイス１０７および周波数調整回路１１２については以下で詳しく説明する。ＴＣＸＯ回路１００の修正温度補償は、本発明によって次のように行われる。直流（ＤＣ）供給電圧（Ｖ_S）は、ＤＣ電力を温度依存電流発生器１０４およびスケーリング・デバイス１０７に供給する。本明細書で規定されるように参考として含まれる米国特許第４，２５４，３８２号で詳しく説明されるように、温度依存電流発生器１０４は、電流ソース（source）／シンク（sink）基準電圧１０６および温度補償信号１０８を生成し、これらは次にスケーリング・デバイス１０７に供給される。好ましくは、温度補償信号１０８は、振幅が周辺温度変化に応答して変化する電流である。ただし、別の実施例では、温度補償信号１０８は、温度依存電圧でもよい。温度補償信号１０８の選択は、スケーリング・デバイス１０７の構成に依存する。以下の説明では、温度補償信号１０８はＤＣ電流であると想定する。スケーリング・デバイス１０７は、周波数調整回路１１２のメモリ１１６に格納された離散的な周波数調整値に応答して、温度補償信号１０８をスケーリングし、修正温度補償信号１１０を生成する。老化補正値または周波数オフセット値でもよい、離散的な周波数調整値は、以下で詳しく説明する制御装置１１８を介してスケーリング・デバイスに伝えられる。スケーリング・デバイス１０７を出ると、好ましくは、修正温度補償信号１１０は、修正温度補償信号１１０を、発振器回路１０２の入力に位置する２つの抵抗器１１７，１２８に印加することにより、バイアス電圧に変換される。抵抗器１２８の両端で発生するバイアス電圧は、バラクタ・ダイオード１２１に印加され、温度依存リアクタンス（すなわち、バラクタ・ダイオード１２１のリアクタンスは、印加される温度依存電圧に応答して変化する）を生成する。好適な実施例では、印加バイアス電圧に応答してバラクタ・ダイオード１２１によって与えられるリアクタンス変化の量は、水晶１２０の温度依存周波数応答およびバラクタ・ダイオード１２１，１２２の温度依存リアクタンスを補正するのに十分大きい。従って、バイアス電圧をバラクタ・ダイオード１２１に印加することによって、発振器周波数は周辺温度の変化に対しても実質的に一定に維持される。修正温度補償信号１１０を受けるだけでなく、発振器回路は、周波数調整回路１１２からトリム調整信号１１４も受ける。トリム調整信号１１４とは、周辺温度から独立し、かつメモリ１１６に常駐する離散的な周波数調整値に応答して、周波数調整回路１１２によって生成される電圧である。好適な実施例では、トリム調整信号１１４は、抵抗器１２９を介してバラクタ・ダイオード１２２に印加される。トリム調整信号１１４は、離散的な周波数調整値の変化に応答して、バラクタ・ダイオード１２２のリアクタンスを変える。従って、バラクタ・ダイオード１２２は容量性負荷を水晶１２０に与えるので、トリム調整信号１１４の変化により、水晶の負荷リアクタンスに温度から独立した変化が生じる。この負荷リアクタンス変化は、特定の老化係数（aging factor）または所望の周波数オフセットに応答して，水晶の周波数感度を変更する。修正温度補償信号１１０およびトリム調整信号１１４を受けると、発振器回路１０２は、両方の信号１１０，１１４に依存する周波数で交流信号を生成する。発振器回路１０２の動作は当技術分野で周知であり、よって本発明の理解を助ける場合を除いて、さらに詳しく説明しない。修正温度補償信号１１０に対する老化依存性を導入することにより、本発明は、発振器出力信号の連続的な周波数補正を可能にし、老化の影響および周辺温度の変化を同時に考慮できる。従って、本発明は、従来のトリム効果補償回路に比べて実質的小さい回路面積しか必要とせずに、老化および周辺温度変化の総合的な影響を考慮する単一の補償段階で、発振器回路の信号周波数を調整することにより、従来技術のトリム効果ジレンマを解消する。第２図は、本発明によるスケーリング・デバイス１０７，周波数調整回路１１２および制御装置１１８の好適な実施例を示す。好適なスケーリング・デバイスは、複数の電流ミラー・デバイス（３つを図示）を含む分割された電流ミラー１０７−１からなる。複数の電流ミラー・デバイスは、複数の電流ソース２０４〜２０６および複数の電流シンク２０４−１〜２０６−１によって構成される。各電流ソース２０４〜２０６は、それぞれの電流シンク２０４−１〜２０６ −１と実質的に同一である。制御装置１１８は、周波数調整回路１１２のメモリ１１６に常駐する離散的な周波数調整値（Ａ₀〜Ａ_n）２１２の選択された部分に基づいて、複数の電流ミラー・デバイスを起動するために用いられる複数のデジタル・スイッチ２０７〜２０９によって構成される。好ましくは、周波数調整回路１１２は、離散的な周波数調整値２１２を格納する８ビットのラッチ・レジスタ２１１と、トリム調整信号１１４を与える周波数調整デジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２１３を含む。温度補償信号１０８および電流ソース／シンク基準電圧１０６が分割された電流ミラー１０７−１に入ると、電流ソース／シンク基準電圧１０６は、電流ソース成分１０６−１と電流シンク成分１０６−２とからなる。電流ソース成分１０６−１は、基準電圧として分割された電流ミラーの電流ソース２０４〜２０６に印加される。同様に、電流シンク成分１０６−２は、基準電圧として分割された電流ミラーの電流シンク２０４−１〜２０６−１に印加される。それぞれのデジタル・スイッチ２０７〜２０９によって起動されると、各電流ソース２０４〜２０６は、温度依存電流発生器１０４に常駐する出力電流ソースによって供給される電流に比例する電流を供給する。例えば、好適な実施例では、一般的なＡＴカット水晶の最大未補償周波数対温度偏移は＋／−２０ｐｐｍで、予想老化オフセットは＋／−１０ｐｐｍで、電流ソース２０４〜２０６は、温度依存電流発生器の出力電流ソースによって供給される全電流のそれぞれ０．５７％，１．１４％および２．２８％を供給するように選択できる。同様に、各電流シンク２０４−１〜２０６−１は、温度依存電流発生器１０４に常駐する出力電流シンクによって沈められる電流に比例する電流を沈める。各電流ソース２０４〜２０６によって供給され、各電流シンク２０４−１〜２０６−１によって沈められる電流の割合は、予想される老化オフセットおよび水晶周波数温度補償について許容可能なトリム効果の量に依存する。温度補償信号１０８は、制御装置１１８をなすデジタル・スイッチ２０７〜２０９の開閉によって分割電流ミラー１０７−１を通過する際に修正される。上で簡単に述べたように、デジタル・スイッチ２０７〜２０９の開閉は、周波数調整回路１１２のメモリ１１６に格納された離散的な周波数調整値２１２に依存する。好適な実施例では、スイッチ起動は、８ビット・ラッチ・レジスタ２１１の３つの最上位ビット（すなわち、Ａ_n〜Ａ_n-2）にのみ依存する。従って、３つの最上位ビットがすべてバイナリ０の場合、すべて３つのデジタル・スイッチ２０７〜２０９は開となり、温度補償信号１０８は修正されずに分割電流ミラーを通過する。この結果、最小値であり、かつ温度補償信号１０８と実質的に等しい修正温度補償信号１１０が得られる。一方、３つの最上位ビットがすべてバイナリ１の場合、すべて３つのデジタル・スイッチ２０７〜２０９は閉となり、温度補償信号１０８はすべて３つの電流ミラー・デバイスによって修正される。この結果、最大値の修正温度補償信号１１０が得られる。従って、３つの最上位ビットを利用することにより、８つのスイッチの組み合わせ（すなわち、２³）が実現され、各組み合わせは上記の例で提供される電流ソース／シンク割合に基づいて発振器回路の信号周波数の０．１１ｐｐｍの変更を可能にする。所定の中央値を中心にして修正温度補償信号１１０を変更するための実質的に対称的な範囲を提供するため、３つの最上位ビットは、最初に、それぞれバイナリ０，バイナリ１およびバイナリ１によって構成されてもよい。このビット構成は、デジタル・スイッチ２０８，２０９を閉にし、よって温度補償信号１０８と、電流ソース２０５，２０６によって発生された電流との和に等しい修正温度補償信号１１０を生成する。好適な実施例では、３つの最上位ビットの他の７つの可能な値により、修正温度補償信号１１０はその公称値または中央値から＋／− ２％変化することができる。分割電流ミラー１０７−１と同様に、周波数調整ＤＡＣ２１３は、８ビット・ラッチ・レジスタ２１１における離散的な周波数調整値２１２に応答して、トリム調整信号１１４（例えば、ＤＣ電圧）を生成する。従って、離散的な周波数調整値２１２は、修正温度補償信号１１０およびトリム調整信号１１４に同時に影響を及ぼす。好適な実施例では、トリム調整信号１１４は、８ビット・ラッチ・レジスタ２１１に常駐する離散的な周波数調整値２１２の量子化アナログ値である。前述のように、トリム調整信号１１４は、予想される水晶老化または所望の発振器周波数オフセットに応答して、２つの水晶負荷リアクタンスのうち一方（すなわち、バラクタ・ダイオード１２２）を変更するために用いられる。他方の水晶負荷リアクタンス（すなわち、バラクタ・ダイオード１２１）は、老化または周波数オフセットと、周辺温度変化とに応答して、電圧変換された修正温度補償信号１１０によって調整される。第３図は、本発明によるスケーリング・デバイス１０７の別の実施例を示す。この別のスケーリング・デバイス１０７は、複数の抵抗性デバイス３０４〜３０６，３０４−１〜３０６−１（６つを図示）を含む、分割抵抗性デバイス１０７ −２からなる。対応する抵抗性デバイスの各対（例えば、３０４および３０４− １）は、好ましくは、実質的に等しい抵抗を有する。各対の抵抗デバイスは、温度補償信号１０８を受け、かつ修正温度補償信号１１０を供給するノードを中心として対称的に配置される。複数の抵抗デバイス３０４〜３０６，３０４−１〜３０６−１は、好ましくは、抵抗器からなり、図示のように、供給電圧と接地との間で直列に接続してもよい。この実施例では、第１図に示す抵抗器１１７，１２８は、それらの機能は分割抵抗デバイス１０７−２において抵抗器３０３，３０３−１によって本質的に実行されるので、不必要なことに留意されたい。さらに、第１図および第２図において提供される電流ソース／シンク基準電圧１０６は、好ましくは分割抵抗デバイス１０７−２で用いられないことに留意されたい。温度補償信号１０８が分割抵抗デバイス１０７−２に入ると、この信号は制御装置１１８をなすデジタル・スイッチ３０７〜３０９の開閉によって修正される。第２図を参照した説明と同様に、デジタル・スイッチ３０７〜３０９の起動は、好ましくは、８ビット・ラッチ・レジスタ２１１における３つの最上位ビットの値２１２に依存する。各スイッチ３０７〜３０９が起動されると、電圧供給と、温度補償信号１０８を受けるノードとの間の有効抵抗は低減される。よって、ノードにおける電圧変化は、抵抗デバイス３０４〜３０６，３０４−１〜３０６ −１によって与えられる有効抵抗に比例した量だけ低下する。従って、修正温度補償信号１１０は、温度補償信号１０８と、８ビット・ラッチ・レジスタ２１１における３つの最上位ビットの値２１２とに依存する。第２図の分割電流ミラー１０７−１についての説明と同様に、分割抵抗デバイス１０７−２は、最初に、閉じたスイッチ３０８，３０９で構成され、修正温度補償信号１１０について所定の公称電圧を供給することができる。第３図に関する上記の説明は温度補償信号１０８がＤＣ電流からなることに基づくが、アナログ電圧にも適用可能であることに留意されたい。アナログ電圧（例えば、ＤＣ電圧）は、マイクロプロセッサ方式のＤＡＣから供給でき、このＤＡＣは、温度補償信号１０８をスケーリング・デバイス１０７に印加する前に、温度依存電流発生器１０４の出力電流を電圧に変換する。この場合、スケーリング・デバイス１０７は、分圧器構成の分割抵抗デバイス１０７−２、またはオペアンプなどプログラム可能な電圧スケーリング素子でもよい。本発明は、ＴＣＸＯ回路において修正温度補償信号を供給する方法および装置を提供する。本発明により、ＴＣＸＯ回路に対して外部の回路を利用せずに、発振器回路の老化および温度補償を同時に行うことができ、トリム効果を低減する。従って、本発明は、安定性の高いＴＣＸＯ回路の経済的な生産を促進し、この利点は、従来のトリム効果を低減する方法における大きくて高価な外部回路では容易に達成できない。さらに、本発明のＴＣＸＯ回路は、特定の水晶発振器の発振周波数を設定・維持するために周波数調整値を最初に求めるだけでよい。従って、本発明は、水晶老化または周波数オフセット調整に応答して発振器回路の温度補償性能を維持し、従来のＴＣＸＯ回路の場合のように、かかる調整に応答して得られる発振器温度補償性能が劣化しない。

Claims

【特許請求の範囲】１．温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）であって：周波数特性が周辺温度の変化に応答して変化する圧電デバイスを含む発振器回路であって、前記発振器回路は、修正温度補償信号に少なくとも部分的に応答して、周波数が変化する信号を生成する発振器回路；前記周辺温度の変化に応答して電流レベルを与え、温度補償信号を生成する電流発生器；前記電流発生器および前記発振器回路に動作可能に結合され、複数の電流ミラー・デバイスを含む分割電流ミラーであって、前記複数の電流ミラー・デバイスは、前記電流発生器によって生成される前記電流レベルに比例する電流レベルを与える分割電流ミラー；離散的な周波数調整値を格納するメモリ手段；および前記メモリ手段と前記分割電流ミラーとの間で動作可能に結合され、前記離散的な周波数調整値に基づいて、少なくとも第１の前記複数の電流ミラー・デバイスを選択子、前記温度補償信号を修正する制御手段；によって構成されることを特徴とするＴＣＸＯ回路。２．前記メモリ手段は、８ビット・ラッチ・レジスタからなり、前記離散的な周波数調整値は、前記８ビット・ラッチ・レジスタの３つの最上位ビットに常駐することを特徴とする請求項１記載のＴＣＸＯ回路。３．前記離散的な周波数調整値は、複数の老化補正値からなることを特徴とする請求項１記載のＴＣＸＯ回路。４．前記離散的な周波数調整値は、複数の周波数オフセット値からなることを特徴とする請求項１記載のＴＣＸＯ回路。５．各前記複数の電流ミラー・デバイスは、電流ソースおよび電流シンクからなり、前記電流ソースおよび前記電流シンクは、前記電流発生器によって生成される前記電流レベルに比例する電流レベルを与えることを特徴とする請求項１記載のＴＣＸＯ回路。６．温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）回路であって：周波数特性が周辺温度の変化に応答して変化する圧電デバイスを含む発振器回路であって、前記発振器回路は、修正温度補償信号に少なくとも部分的に応答して、周波数が変化する信号を生成する発振器回路；周辺温度の変化に応答して電流レベルを与え、温度補償信号を生成する電流発生器；前記電流発生器に動作可能に結合され、複数の抵抗性デバイスを含む、分割抵抗デバイス；離散的な周波数調整値を格納するメモリ；および前記メモリと前記分割抵抗デバイスとの間で動作可能に結合され、前記離散的な周波数調整値に基づいて、少なくとも第１の前記複数の抵抗性デバイスを選択し、前記温度補償信号を修正する制御装置；によって構成されることを特徴とするＴＣＸＯ回路。７．前記メモリ手段は、８ビット・ラッチ・レジスタからなり、前記離散的な周波数調整値は、前記８ビット・ラッチ・レジスタの３つの最上位ビットに常駐することを特徴とする請求項６記載のＴＣＸＯ回路。８．前記離散的な周波数調整値は、複数の老化補正値からなることを特徴とする請求項６記載のＴＣＸＯ回路。９．前記離散的な周波数調整値は、複数の周波数オフセット値からなることを特徴とする請求項６記載のＴＣＸＯ回路。１０．前記複数の抵抗性デバイスは、抵抗器からなることを特徴とする請求項６記載のＴＣＸＯ回路。