JPH08503808A

JPH08503808A - 超電導体のための絶縁

Info

Publication number: JPH08503808A
Application number: JP6513312A
Authority: JP
Inventors: ユー、ディンガン
Original assignee: コンポジットマテリアルズテクノロジー、インコーポレイテッド
Priority date: 1992-11-24
Filing date: 1993-11-18
Publication date: 1996-04-23
Also published as: EP0672292A4; EP0672292B1; DE69325665T2; DE69325665D1; EP0672292A1; US5364709A; WO1994012989A1

Abstract

(57)【要約】本発明の超電導物体は、超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、この芯（１）の周りに配置される銅の安定化層（４）と、この銅安定化層（４）の周りを囲む絶縁層（５）とを有する。この絶縁層（５）は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ及びＭｏから選ばれる耐火性金属の冶金学的に接合した層である。

Description

【発明の詳細な説明】超電導体のための絶縁本発明は、ストランド相互間の結合（coupling）によって生ずる交流損失を減少させるための超電導体ストランドの絶縁に関する。発明の背景超電導線ケーブルから生ずる交流超電導磁石の運転において、結合によるエネルギー損失が大きな問題となり得る。結合（カップリング）は実質的にケーブル中の隣接ストランド間の短絡であり、ストランド界面における不充分な抵抗によって生じる。誘導電流が、カップリングしたストランドの界面を通って流れ、エネルギーを浪費する。Ｎｂ₃Ｓｎ金属間化合物が脆いために磁石巻きのあとに反応させる必要があるＮｂ₃Ｓｎケーブルにとって、カップリングは特に深刻な問題であり得る。Ｎｂ₃ Ｓｎストランドは、銅の表面を有するのが通常である。反応温度は７００℃範囲にあるので、このＮｂ₃Ｓｎストランドは互いに焼結、実際の意味ではカップリング、する傾向がある。このことは、電導体がコンジット中のケーブル（Cable- in-conduit:CIC）である場合、この場合が通常多い、特に当てはまる。この構成においては、ケーブルはジャケット、通常はステンレス鋼ジャケット、内にシールされている。このジャケットはケーブルに圧力を加え、各ストランドを強制的に集合させる。この温度と圧力の間では、ストランドの多少の焼結は避けられない。この焼結とカップリングの問題はしばらくの間認められてきており、それを改善するために種々の解決策がとられてきた。アメリカ特許Ｎｏ．４，３３０，３４７において、平山（Hirayama）らは電導体の銅表面上に絶縁層をつくる方法を開示している［“超導電体用のフィルム絶縁としての硫化第一銅”Ｇ．Ｒ．ワグナー（Wagner），Ｐ．Ｄ．ベックキオ（Vecchio）、Ｊ．Ｈ．アップホフ（Uphof f）、超低温工学（材料）における進歩、２８，１９８１も参照せよ］。電導体ストランドはＨ₂Ｓガス中で焼かれ、硫化第一銅の薄い（１．５〜２０ｍ）被膜をつくる。この発明の重要な特徴は、硫化プロセスの結果として銅の電導性の減少が起こらないということである（被膜自体における以外）。この被膜は、３０時間もの長時間保たれる７００℃の温度に対して焼結するのを防止する。ストランド間のカップリングは、ある一定の破壊電圧まではこの被膜によって防止される。この電圧を超すと、この半導体被膜は自由に電流を通す。本出願の主題をなす発明とは異なり、この硫化第一銅絶縁体は、別個に分離した金属被膜の生成というよりは銅電導体表面の化学変換を伴う。アメリカ特許Ｎｏ．４，９９０，４９１において、ワーグナーらは電導体ストランド表面上に絶縁用酸化ニッケル被膜を作る方法を開示している。ニッケルを電導体上にめっきし、次にこの電導体を酸素富化雰囲気中で加熱する。得られた被膜は硫化第一銅と類似の性質を有するが、より以上の高い電圧離隔性を備えているのでより効果的な絶縁体となる。この特許は、３０時間以上の７００℃の熱処理間のニッケルの汚染（混交）を結果として、ストランドの銅クラッド中で電導性の劣化が起こらないと述べている。しかしながら、当業者が推測するように、これは明らかにポテンシャルの問題である。可能性のある被膜材料としてニッケル以外の金属は開示されていない。Ｎｂ₃Ｓｎ電導体に対するストランド間焼結を防止する別の方法は、ストランド表面上にクロムをめっきすることである。この方法は、提案されている国際熱核実験炉（ＩＴＥＲ）のような大規模プロジェクトに対して今日の産業界において最も普通に利用されている方法である。クロムめっきは実際効果的に焼結を防ぎ、そしてカップリングを大部分解消させる［例えば“マルチフィラメントコンポジット超電導ストランド及びケーブル”、Ｔ．Ｍ．マウエル（Mower）及びＹ．岩佐（Iwasa）、超低温工学（材料）における進歩、３２，Ｒ．Ｐ．リード（Reed）及びＡ．Ｆ．クラーク（Clark）編集、ｐ．ｐ．７７１−７７８，Plenum Press，New York，1986参照］が、このプロセスは以下を含む種々の欠点を有する：１．それは高コストプロセスである。２．クロムを長いストランド全長にわたって一様にめっきすることが困難である。３．ストランド表面に対するめっきクロムの結合力が往々にして弱く、ケーブル化操作中にクロムのはがれ（フレーキング）を招く。４．堅いクロムは、ケーブル化に伴う急激な曲げに対して思うように適さない。５．銅とクロムは熱処理中に相互拡散することができ、銅の電導性の劣化を招来し、それによって電導体の電気安定性を損なわせる。上記のような問題を回避し、かつ、特別な硫化又は酸化工程を必要としない絶縁被膜を生成させる方法が産業にとって極めて有用であろう。そのような方法が本発明の課題となる。上記の全ての被膜技術ならびに本発明も、特にＮｂ₃Ｓｎ電導体に適用する。先行技術はＮｂ₃Ｓｎ電導体のための製造法についての多数の記載を含む。例としては、マクドナルド（McDonald）のアメリカ特許Ｎｏ．４，２６２，４１２及びオゥゼリヤンスキー（Ozeryansky）らのアメリカ特許Ｎｏ．４，９７３，３６５がある。これらの特許は、それぞれブロンズ法及び内部錫プロセス（internal tin pvocess）によるＮｂ₃Ｓｎ電導体の製造・組立てを開示している。本発明は、Ｎｂ₃Ｓｎ電導体ケーブルに対して最も効果的であるけれども、他の電導体に対しても同じく容易に適用できるであろう。例えば、ＮｂＴｉ電導体ストランドを利用するケーブルは、たとえ焼結が問題でないとしても、交流運転中にカップリング損失を蒙り得る。本発明はそのようなケーブルにおけるストランド相互間の抵抗を増大させるために使用でき、それによって損失を減少させる。以下の説明において典型例としてＮｂ₃Ｓｎ電導体が掲げられていることは、したがって、本発明が適用し得る電導体のタイプについての限定として解釈してはならない。発明の簡単な説明本発明の製品は、７００℃付近の温度で銅中に殆ど溶解せず、かつ、銅に比較して高い融点を有し、延伸性で電気抵抗性の金属の表面被膜をもつ超電導体ストランドである。ニオビウム、バナジウム、タンタル、モリブデン金属が好ましい。本発明は、選択されたクラッド材料、ならびに使用によっては必要とされる障壁材料及び／又は押し出しジャケット材料の夫々のシートを電導体本体の周囲を囲むことによって実施される。本発明の本質的な特徴は、これらのステップが、組立原型（プロトコール）に対して特別な修正を必要としない手段によって電導体組立過程中に行われることである。クラッドと電導体の組立て物がビレットを形成し、次いでこのビレットの直径が最終サイズまで機械的に縮小される。この最終サイズではクラッドの厚さは２０μｍ以下である。この時点で、外側筒材料及び／又は障壁材料のいずれも化学的に除去され、電導体のクラッド表面を露出させる。別の方法として、線引き（ Wire drawing）用に適した表面を露出させるように、それがクラッド自体か又は他の緩衝層であれ、ジャケット又は障壁の材料を中間加工段階において除くこともできる。いずれの場合でも加工の完成時にはクラッド表面のみが残る。このクラッドは超低温において抵抗性であり、７００℃付近の温度でそれ自身に対して焼結せず、そしてこれらの同じ温度で銅中に殆ど溶解しない。クロムのようなめっき被膜とは異なり、本発明のクラッドは電導体に冶金学的に接合しており、そして容易に変形し得る。ストランドがケーブル化されると、このクラッドはストランド間の焼結を防ぎ、交流運転中のカップリング損失を最小にする。本発明をより完全に理解するために、添付の図面とともに以下の詳細な説明について参照されねばならない。ここで：図面の簡単な説明図１は、本発明の特色である外側金属層を含むブロンズ法Ｎｂ₃ Ｓｎ電導体ビレットの概略断面図である。図２は、互いに捩れた３個の電導体ストランドからなるプロンズ法ケーブルの概略描写図である。分かり易くするため、図１の特徴１−５が、最終ストランド直径においてサイズが著しく縮小されて、示されている。図３は、３個のツィスト電導体ストランドからなるＮｂＴｉケーブルの概略描写図である。各ストランドは本発明の特色である抵抗性クラッドを有する。発明の詳細な説明図１に本発明の好ましい実施態様を示す。ブロンズ（例えば、Ｃｕ−Ｓｎ）マトリックス１は、多数のニオビウムフィラメント２を含んでいる。このマトリックスはタンタル障壁３及び銅安定化材４によって囲まれている。特徴１−４は、ブロンズ法Ｎｂ₃Ｓｎ超電導体ストランドにとって典型的なものである。残りの特徴は本発明の特色をなす。ニオビウムクラッド５は、最終的に化学的手段によって露出される絶縁表面である。引っ張り表面として薄い鉄層６が備えられている。チタンエッチング障壁７が、銅押し出しジャケット８と鉄の引っ張り表面６とを分離するために組入れられている。大抵の場合、クラッド及び障壁５，６，７は夫々の成分用シート材料を１回巻きか又は多数回巻きとして組入れられるであろう。コンポジットの複数部材は組立てられてビレットとなり、このビレットは次いで多くの機械的手段のなかのいずれかの手段によって縮小されるが、加熱押し出し及び線引き（wire drawing）による手段が好ましい。押し出し後、しかし最終サイズになるに先立って、銅ジャケットは硝酸中で除去され、チタン障壁はフッ化水素酸中で除去される。次いで薄い鉄層が外側の線引き表面として利用される。この鉄層の薄いことが、ニオビウムクラッドの直接引っ張りと殆ど同様に引っ張ることを可能にする。ニオビウム表面を直接引っ張ることはできるが、しかしそれは大きな困難と高コストでのみ可能である。鉄層はこのように線引き工程を簡単にする。線（ワイヤー）が所望の直径に縮小したとき、鉄表面が塩酸中で除去される。この塩酸は、ニオビウムやニオビウムクラッド中の欠陥（きず）を通してうっかり塩酸にさらされる可能性があるいかなる銅にも作用しない。最終のストランドは図１の特徴１−５のみを有する。図２は、前述したようにプロンズ法電導体ストランドから作られた単一のケーブルを示す。超電導Ｎｂ₃ Ｓｎ金属間化合物を生成させるために、このようなケーブルを７００℃付近の温度で３０時間又はそれ以上の時間加熱する。ニオビウムフィラメント２とブロンズマトリックス１の間の反応の結果、金属間化合物が生成する。タンタル障壁３は錫がブロンズから銅安定化材４中に浸出するのを防止する。上記のような電導体の電気的的安定性は、銅安定化材の純度に全く依存すということを了解することが重要である。このことが、前記化合物を生成するために多量の錫がマトリックスから引き出されるという事実にもかかわらず、ブロンズマトリックス自体が安定化材として役立ち得ない理由となっており；残っている“銅”は、実際単に低錫含量のブロンズにすぎない。例えば、反応前に７原子％の錫を含むマトリックスは、反応後に通常なお２−３原子％の錫を含んでおり、この含有量は、マトリックスを安定化材として有用にするには遥かに多すぎる。錫含有銅マトリックスは、比較的低“抵抗比”（例えば３０又はそれ以下）を有する。ここで、抵抗比は４．２Ｋの抵抗に対する室温の抵抗の比を表わす。純粋な高電導性銅では、その抵抗比は２５０又はそれ以上のオーダーにある。ニオビウム、ならびにタンタル、バナジウム、モリブデンのようなクラッドに適当な他の金属の融点は１９００℃以上であり、したがってケーブルが７００℃ 付近の温度で熱処理されるときに焼結するとは考えられない。さらに、この銅安定化材とこのタイプのクラッド材料との間では、相互拡散は殆どかあるいは全く起こらないであろう。特に、ニオビウムとタンタルは銅中に完全に不溶性である。この逆も真である。これら金属の使用によって銅の純度を維持することができ、その電導性が充分高いままに残って超電導体を安定化するのを保証している。堅いクロムとは異なり、本発明のクラッドは電導体に冶金学的に接合しているのでフレーキングは起こリ得ない。このクラッドは延伸性があるのでケーブル化操作によく適している。この方法は又、めっきによって提供され得る被膜より遥かに均一な被膜を実現することができる。クラッド、障壁及び外側ジャケットの厚さは適用する際の必要性によって変る。しかしながら、典型的には、鉄はニオビウムに匹敵する厚さをもち、ニオビウムは最終電導体直径において２０μｍ未満の厚さをもつように選ばれる。チタンの厚さ及び外側ジャケットの厚さは、これらの層が加工の初期段階において除去される限りは任意に選び得る。与えられたビレット直径に対する層厚さの可能な組合わせは、以下の非限定的実施例において与えられている：実施例１図１の要素１−４からなるブロンズ法Ｎｂ₃ Ｓｎ電導体ビレットを当業者に公知である方法により組立てた。安定化筒４の外径は１４４ｍｍ（５．６７０インチ）である。ニオビウム層５は、厚さ１２７μｍ（０．００５インチ）のニオビウムフォイルの３回巻きからなる。鉄層６は、厚さ１２７μｍ（０．００５インチ）の鉄フォイルの３回巻きからなる。チタン層７は、５０８μｍ（０．０２０ィンチ）のチタンシートの３回巻きからなる。このニオビウムと鉄のフォイル及びチタンシートは、焼きなました状態にあるのが好ましい。鉄フォイルは９９％超の純度であることが好ましい。チタンシートはＡＳＴＭＢ２６５−７９グレード１に合致するのが好ましい。銅ジャケット８は内径が１４９ｍｍ（５．８８インチ）、外径が１５４ｍｍ（６．０５０インチ）である。組立てられたビレットは熔接して閉じられ、熱間均衡加圧され（hot isostati cally pressed: HIP’d）、次いで当業者に公知の方法で押し出される。押し出し後、銅ジャケットは硝酸中で酸洗いにより除かれ、チタン障壁はフッ化水素酸中で酸洗いして除かれる。次いでこの鉄クラッドロッドは、当業者に公知であるような一連の線（ワイヤー）引きと焼なまし工程によって縮小される。７８７μｍ（０．０３１インチ）の最終直径において、ワイヤーの鉄表面が塩酸中で酸洗いにより除去され、ＩＴＥＲのような使用によく適するサイズの直径７８２μｍ（０．０３０８インチ）のニオビウム−クラッド電導体が露出する。この直径におけるニオビウムの厚さは約２ μｍであり、これは焼結を防ぐとともにＮｂ₃Ｓｎケーブルの反応により生ずるストランド間のカップリングを最小にするのに充分である。ニオビウム（臨界温度、Ｔｃ＝０．１Ｋ）、タンタル（Ｔｃ＝４．５Ｋ）、及びバナジウム（Ｔｃ＝５．３Ｋ）のような金属が、Ｎｂ₃Ｓｎ電導体に典型的に使用される４．２Ｋの運転温度において超電導性であることは、当業者によって認められていることだろう。しかしながら、上記金属は、Ｎｂ₃ Ｓｎ交流磁石の全運転範囲（〜１３Ｔ，ＩＴＥＲに対して最高）に比べて非常に狭い磁界範囲（＜１Ｔ）でのみ超電導性である。さらに、現代産業においてこれら金属が大きな超電導体として使われていないという事実から立証されるように、これら金属の電流運搬容量（current carrying capacity ，Jc）は極めて低い。被膜は長時間７００℃の温度にさらされ、これら被膜に与えられたいかなる冷間作業も実質的に除かれ、さらにＪｃを減少させる。未焼結ストランド間に期待される接触抵抗を加えるなら、これらの金属被膜の弱い超電導性に起因するカップリング損失は微々たるものとなる。履歴損失は、存在するけれども、これも無視できる程小さい。本発明の望ましい実施態様は、当業者にとって明らかな多数の方法において変更することができるであろう。例えば、障壁／緩衝成分（図１の６及び７）は省略できるであろう。線引き中のある段階、又は最終サイズにおいて、外側ジャケットは硝酸中で酸洗いにより除かれてニオビウム−クラッド電導体を露出する。コンポジットをジャケットがついた状態で最終サイズまで引っ張ること（to dra w）は奨められない。その訳は、ニオビウムは小さい孔を生じがちであり、この孔を通って硝酸が下層の安定化層をアタックできるからである。このニオビウムが比較的厚い（＞２５．４μｍ）（＞０．００１インチ）ときにジャケットを除去し、次いで露出したニオビウム表面で引っ張ること（drawing with）は可能性はあるが、既に指摘したようにこれは困難であり、かつ、費用が高い。バナジウム− 、タンタル−、及びモリブデン−クラッド材料に対しても同じことが言える。とは言うものの、そのような方法は本発明の範囲内含まれる。図１の要素６及び７が省略される別の実施態様において、ジャケット８は鉄製又はスチールのような鉄合金製である。この実施態様では、押し出されたロッドは最終サイズまで単に引っ張られ、その後に塩酸中でジャケットがもぎとられる（is picked off）。前述したように引っ張り中にニオビウム中に孔が出現する可能性があるが、この場合、孔は必ずしも問題とはならない。塩酸はニオビウム又は銅の安定化材のどちらをも攻撃しないので、電導体は酸洗い中に損なわれることはないであろう。ニオビウム中の偶然の小さな露出箇所が重大な焼結又はカップリングの問題を起こすことはないはずである。別の実施態様においては、引っ張り表面６は、純粋な鉄ではなくてスチールのような鉄合金であり、又は選択的エッチング法に適した延伸性金属であれば別のどんな金属でもよい。さらに別の実施態様においては、押し出しジャケット８は銅以外の延伸性金属で作られる。ニッケルのように硝酸に溶解する金属なら何でも適当である。さらに又他の実施態様において、最終のクラッド電導体の表面は、その抵抗値を高めるように処理することができる。例えば、ケーブルに巻かれているこの望ましい実施態様の製品は、電導体上にニオビウム酸化物表面層の生成を促進させるように、酸素リッチ雰囲気中で加熱できると思われる。この熱処理は、電導体内でのＮｂ₃Ｓｎ生成と矛盾しないようでなければならない（７００℃の温度、例えば）。ＮｂＯ層はニオビウムよりも高い抵抗値を有するものと思われ、ニオビウムのようには超電導でないであろう。本発明を他の電導体に適用することも可能である。図３は、互いに捩れた３本の電導体ストランドからなる単一ケーブルを示す。図２に示したブロンズ法電導体の代りに、ここでの電導体は銅マトリックス１０中の多数のＮｂＴｉフィラメント９からなる。各ストランドはクラッド材料５により囲まれており、この材料としてはニオビウム、タンタル、バナジウム又はモリブデンが好ましい。クラッドされたＮｂＴｉ電導体ストランドは、マルチフィラメントのＮｂＴｉビレットを当業者に公知の方法で組立てることによって形成される。このビレットは、実施例１において正確に説明したように、クラッド、障壁材料及び押し出しジャケットによって囲まれている。次いで、このものは熔接され、熱間均衡加圧され、そして加熱押し出しされる。ジャケット及び障壁は、実施例１に説明したように押し出されたロッドから除かれる。次いでこのロッドは、これも又当業者に公知の方法で、一連の線引きと沈降熱処理（precipitation heat treatment）のステップにおいて縮小される。最終サイズにおいて、クラッド電導体は実施例１において説明したように露出される。クラッド電導体は、この最終サイズにおいて２０μｍより薄い厚さである。このクラッドストランドで作られたケーブルは、クラッドによって提供される高められたストランド相互間の抵抗のせいでカップリング損失が減少するであろう。前記絶縁層は連続層として説明されているが、これは決定的なものではない。重要な特徴は、この絶縁層が超電導体ストランド上の安定化層間の接触を防止するということである。したがって、このような物理的スペースどりが達成される限り、若干の有孔性は許容することができる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８【提出日】１９９４年９月３０日【補正内容】請求の範囲１．超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、該芯の周りに配置される純粋金属性安定化層（４）、及び該安定化層を囲む絶縁層（５）とからなる超電導物体を形成する方法であって、以下の工程：・超電導体ビレットと安定化筒（４）との間の拡散障壁（３）によって保護された該安定化筒中に該超電導体ビレットを準備し、・前記安定化筒（４）の周りを、７００℃において該安定化金属と反応せず、かつ１テスラを超える磁界及び４．２Ｋの温度において超電導性でない絶縁耐火性金属（５）（その合金を含む）で囲み、・線引きにおいて手助けするために、前記耐火性金属層（５）の外側に少なくとも２層の追加金属層（６）を準備し、ここでこの追加２層の内層は鉄からなり、外層は銅からなっており、・前記各層が冶金学的に接合するように前記各層を共縮小し、前記追加の銅層を除去し、そして厚さが２０μｍ未満の最終絶縁耐火性金属層をつくるために、前記各層を少なくとも１００のファクターで（by a factor of ）全縮小（a total reduction）までさらに縮小し、そして・前記鉄層を除去する：からなることを特徴とする前記超電導物体を形成する方法。２．前記超電導体（２）がＮｂ₃Ｓｎ超電導体を形成するためのＮｂを含むブロンズ法ビレツトであり、かつ、前記安定化材（４）が高電導性の銅である請求項１に記載の方法。３．前記超電導体（２）がＮｂＴｉである請求項１に記載の方法。４．前記絶縁耐火性金属層（５）が、外側酸化物被膜をつくるために酸化される請求項１に記載の方法。５．前記超電導体（２）が、錫をニオビウムと反応させることによって作られる請求項１に記載の方法。６．Ｎｂ₃Ｓｎ超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、ブロンズ芯中に分散しているニオビウム（２）を含む該ブロンズ芯（１）とからなるビレットと、前記芯の周りに配置される純粋銅安定化層（４）と、該銅安定化層を囲む絶縁タンタル層（５）と、このタンタル層の外側に順番に配置される鉄層（６）、チタン層（７）、銅の押し出し層（８）とからなる超電導物体を形成するための押し出しビレット。７．前記絶縁耐火性金属層（５）がニオビウムであり、かつ、チタン層（７）が前記鉄層（６）の外側に位置している請求項１に記載の方法。

Claims

【特許請求の範囲】１．超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、該芯（１）の周りに配置される銅安定化層（４）と、該銅安定化層（４）の周りを囲む絶縁層（５）とからなる超電導物体において、前記絶縁層（５）が、Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ及びＭｏのクラスからの一定の耐火性金属の冶金学的に接合した層であることを特徴とする改良された前記超電導物体。２．超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、該芯（１）の周りに配置される高抵抗比を有する金属の安定化層（４）と、該安定化層（４）の周りを囲む絶縁層（５）とからなる超電導物体において、該絶縁層（５）が、７００℃において前記安定化金属と反応せず、１テスラ（Tesla）を超える磁界及び４．２Ｋの温度において超電導性でない耐火性金属（その合金を含む）であり、この絶縁層（５）が前記安定化層（４）に冶金学的に接合していることを特徴とする改良された前記超電導物体。３．Ｎｂ₃Ｓｎ超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、該芯（１）の周りに配置される純粋銅の安定化層（４）と、該銅安定化層（４）の周りを囲む絶縁層（５）とからなる超電導物体において、前記絶縁層（５）が、７００℃において銅と反応せず、１テスラを超える磁界及び４．２Ｋの温度において超電導性でない耐火性金属（その合金を含む）であり、前記全ての層が、少なくとも１００のファクターによって共に縮小されており、該絶縁層（５）が２０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする改良された前記超電導物体。４．超電導体（２）を含むマトリックス芯（１）と、該芯の周りに配置される純粋な金属性安定化層（４）と、該安定化層の周りを囲む絶縁層（５）とからなる超電導物体を形成する方法であって、以下の工程：・超電導体ビレットと安定化筒（４）との間の拡散障壁（３）によって保護された該安定化筒中の該電導体ビレットを準備し、・前記安定化筒（４）の周りを、７００℃において該安定化金属と反応せず、かつ、１テスラを超える磁界及び４．２Ｋの温度において超電導性でない絶縁耐火性金属（５）（その合金を含む）で囲み、・線引きにおいて手助けするために前記耐火性金属（５）の外側に少なくとも一層の追加金属層（６）を準備し、・厚さが２０μｍ以下の最終の絶縁耐火性金属層をつくるために前記各層を少なくとも１００のファクターによって共に縮小する：からなることを特徴とする前記超電導物体を形成する方法。５．前記超電導体（２）が、Ｎｂ₃Ｓｎ超電導体を形成するためのＮｂを含むブロンズ法ビレットであリ、かつ、前記安定化材（４）が高電導性の銅である請求項４に記載の方法。６．前記超電導体（２）がＮｂＴｉである請求項４に記載の方法。７．前記絶縁層（５）が、不連続ではあるが前記安定化層（４）をいずれの隣接する安定化層からも隔てるものである請求項２に記載の製品。８．前記絶縁層（５）が酸化物表面を有する請求項２に記載の製品。９．前記絶縁耐火性金属層（５）が、外側に酸化物被膜をつくるために酸化される請求項４に記載の方法。１０．前記超電導体（２）が、錫をニオビウムと反応させることによってつくられる請求項４に記載の方法。