JPH0846275A - ガスレ−ザ装置 - Google Patents

ガスレ−ザ装置

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JPH0846275A
JPH0846275A JP17438194A JP17438194A JPH0846275A JP H0846275 A JPH0846275 A JP H0846275A JP 17438194 A JP17438194 A JP 17438194A JP 17438194 A JP17438194 A JP 17438194A JP H0846275 A JPH0846275 A JP H0846275A
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JP
Japan
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laser
gas
electrode
preionization
discharge
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JP17438194A
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English (en)
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Shigeyuki Takagi
茂行 高木
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明はレ−ザ光を効率よく取り出すこと
ができるようにしたガスレ−ザ装置を提供することにあ
る。 【構成】 内部にガスレ−ザ媒質Gが封入されるレ−ザ
管1の軸方向一端側に設けられた高反射ミラ−3および
他端側に設けられる出力ミラ−4と、それぞれ陰極と陽
極とからなりレ−ザ管内に配置される主電極11および
予備電離電極12と、この予備電離電極での予備電離放
電を補助するピン電極15、16とを具備し、ガスレ−
ザ媒質はハロゲンガス、希釈ガスおよび上記ハロゲンガ
スとで異なる種類のエキシマを生成する少なくとも2種
類以上の希ガスを混合してなり、出力ミラ−は放電励起
される複数のエキシマからそれぞれ発生する波長の異な
る複数のレ−ザ光の少なくとも1つに対して高反射率に
設定され、残りの波長のレ−ザ光に対して低反射率に設
定されてなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はガスレ−ザ媒質を放電
励起するに先立って放電領域をレ−ザ光により予備電離
するガスレ−ザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レ−ザ管にガスレ−ザ媒質が大気圧以上
の圧力で封入された、ガスレ−ザ装置としてのエキシマ
レ−ザでは、ガスレ−ザ媒質を励起してレ−ザ光を発生
させる主放電を安定化させるため、主放電に先立って放
電領域を予備電離するということが行われている。
【0003】放電領域を予備電離する手段として光電離
が考えられている。すなわち、放電領域を予備電離する
場合、レ−ザ管内で、かつ光共振器内に主電極およびこ
の主電極と直列に予備電離電極を配置するとともに、こ
の予備電離電極の近傍にピン電極を配置する。
【0004】上記構成においては、予備電離電極の放電
領域をピン電極で予備電離することで予備電離電極間に
予備放電が点弧される。それによって、ガスレ−ザ媒質
が励起されて微弱な予備電離用レ−ザ光が発生する。予
備電離用レ−ザ光は主電極の放電領域を光電離すること
になるから、主電極に主放電が点弧されてレ−ザ光が光
共振器で増幅されて放出されることになる。
【0005】このような予備電離手段を備えたガスレ−
ザ装置において、レ−ザ光の発振効率を高めるために
は、予備電離電極からの予備電離用レ−ザ光の強度を高
くし、その予備電離用レ−ザ光による主電極の放電領域
の予備電離を強化する必要がある。
【0006】そのための具体的な方法としては、予備電
離電極を長くし、しかも予備電離電極への電気エネルギ
の注入量を増大することで、予備電離用レ−ザ光の強度
を高くするということが考えられる。しかしながら、そ
のような方法では予備電離電極でのエネルギの消費量が
増大するから、全体としての発振効率は低下することに
なる。
【0007】また、上記光共振器を形成する出力ミラ−
の反射率を高め、予備電離電極から取り出された予備電
離用レ−ザ光を光共振器内で多重反射させることで、主
電極の放電領域の予備電離を強化するということも考え
られる。しかしながら、エキシマレ−ザでは励起時の利
得が高いため、出力ミラ−の反射率を高くすると、主電
極で発生するレ−ザ光の取り出し効率が低下することに
なるから、結果的には発振効率が低下するということに
なる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のガ
スレ−ザ装置においては、主電極の放電領域を、主放電
に先立って光電離する場合、その光電離の効率を高めよ
うとすると、主電極からのレ−ザ光の発振効率が低下す
るということがあった。
【0009】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、主電極の放電領域の、主
放電に先立つ光電離を効率よく行えるようにし、それに
よって主電極からのレ−ザ光の発振効率を高めることが
できるようにしたガスレ−ザ装置を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1に記載されたこの発明は、内部にガスレ−ザ
媒質が封入されるレ−ザ管と、このレ−ザ管の軸方向一
端側に設けられた高反射ミラ−および他端側に設けられ
上記高反射ミラ−とで光共振器を形成する出力ミラ−
と、それぞれ陰極と陽極とからなり上記レ−ザ管内に配
置される主電極および予備電離電極と、この予備電離電
極の近傍に配置され予備電離電極での予備電離放電を補
助する補助手段とを具備し、上記ガスレ−ザ媒質はハロ
ゲンガス、希釈ガスおよび上記ハロゲンガスとで異なる
種類のエキシマを生成する少なくとも2種類以上の希ガ
スを混合してなり、上記出力ミラ−は放電励起される複
数のエキシマからそれぞれ発生する波長の異なる複数の
レ−ザ光の少なくとも1つに対して高反射率に設定さ
れ、残りの波長のレ−ザ光に対して低反射率に設定され
てなることを特徴とするガスレ−ザ装置にある。
【0011】
【作用】上記構成の発明によれば、予備電離電極によっ
て発生した異なる波長の複数のレ−ザ光のうち、出力ミ
ラ−に対して高反射率のレ−ザ光は光共振器内を多重反
射して主電極の放電領域を光電離し、主放電によって発
生した異なる波長の複数のレ−ザ光のうち、出力ミラ−
に対して低反射率のレ−ザ光は上記光共振器から効率よ
く取り出すことができる。
【0012】請求項5の発明によれば、ガスレ−ザ媒質
に複数種の希ガスが混合されていることで、そのガスレ
−ザ媒質が放電励起されると、希ガスの種類に応じて複
数種のハロゲンが生成され、それぞれのハロゲンの種類
に応じて異なる波長の複数のレ−ザ光が発生する。
【0013】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図1と図2はこの発明の一実施例のガスレ−ザ
装置としてのエキシマレ−ザを示し、このエキシマレ−
ザは内部にガスレ−ザ媒質Gが封入されたレ−ザ管1を
備えている。このレ−ザ管1は両端が閉塞された円筒状
をなしていて、その両端面にはそれそれ通孔2が形成さ
れている。一方の通孔2は高反射ミラ−3が気密に取り
付けられ、他方の通孔2には上記高反射ミラ−3とで光
共振器を形成する出力ミラ−4が気密に取り付けられて
いる。
【0014】上記高反射ミラ−3は、後述するごとくレ
−ザ管1内で発生する異なる波長のレ−ザ光の全てに対
して反射率がほぼ100%に形成され、上記出力ミラ−
4は波長の異なるレ−ザ光に対して異なる反射率(透過
率)に形成されている。この実施例では、上記出力ミラ
−4は、図3(a)に示すように222nmの短波長の光
に対しては反射率が80〜90%の高反射に設定され、
308nmの長波長の光に対しては反射率が10〜30%
の低反射(透過率が90〜70%)に設定されている。
【0015】上記出力ミラ−4の具体的な構成として
は、図3(b)に示すように合成石英、CaF2 あるい
はMgF2 などの材料からなる基材4aに、誘電体多層
膜4bがコ−テイングされてなり、この誘電体多層膜4
bによって上述した各波長に対する反射率が設定されて
いる。
【0016】上記ガスレ−ザ媒質Gはハロゲンガス、希
釈ガスおよび希ガスを混合してなるものが用いられてい
る。この実施例においては、ハロゲンガスとしてHCl
が用いられ、希釈ガスとしてHeあるいはNeのいずれ
か一方が用いられ、希ガスとしてはXeとKrの2種類
のガスが用いられている。
【0017】したがって、2種類の希ガスが混合されて
いることで、ガスレ−ザ媒質Gが後述するごとく放電励
起されると、HClとKrとからKrClエキシマが生
成され、HClとXeからXeClエキシマが生成され
るようになっている。上記KrClエキシマからは波長
が222nmのレ−ザ光が放出され、XeClエキシマか
らは波長が308nmのレ−ザ光が放出される。
【0018】上記レ−ザ管1内には主電極11と、予備
電離電極12とがレ−ザ管1の軸線方向に沿って直列に
配置されている。主電極11は上下方向に平行に離間対
向した陰極11aと陽極11bとからなり、上記予備電
離電極12も主電極11と同様、陰極12aと陽極12
bとからなる。
【0019】上記主電極11の陰極11aは主放電電源
13に接続され、陽極11bはア−スされている。上記
予備電離電極12の陰極12aは予備電離電源14に接
続され、陽極12bはア−スされている。
【0020】上記予備電離電極12の両側には図2に示
すように上部ピン電極15と下部ピン電極16とが端部
を所定間隔で離間対向させて配置されている。上部ピン
電極15はピ−キングコンデンサ17を介して陰極12
aに接続され、下部ピン電極16は陽極12bに接続さ
れている。
【0021】上記主放電電源13と予備電離電源14と
は遅延発振器18に設定されたタイミングによって作動
し、主電極11と予備電離電極12とに電圧を印加する
ようになっている。上記遅延発振器18は予備電離電源
13を作動させてから主放電電源13を作動させるよう
になっており、その遅延時間は、たとえば10〜20ns
に設定されている。
【0022】また、予備電離に必要な励起エネルギは主
放電のエネルギのたとえば10分の1以下程度であり、
それに応じて予備電離電源14のエネルギ容量は主放電
電源13のエネルギ容量の10分の1程度に設定されて
いる。さらに、これに対応して予備電離電極12の長さ
は主電極11の長さの10分の1程度に設定されてい
る。たとえば、予備電離電極12の長さは1〜10cm程
度であり、主電極11の長さは10〜100cm程度であ
る。なお、各電極11、12の断面積は同じである。
【0023】つぎに、上記構成のエキシマレ−ザの動作
について説明する。遅延発振器18を作動させると、最
初に予備電離電源14が作動して予備電離電極12に所
定の電気エネルギが供給される。それによって、上部ピ
ン電極15と下部ピン電極16とのギャップにスパ−ク
放電が点弧され、そのスパ−ク放電によって発生する紫
外線で予備電離電極12の陰極12aと陽極12bとの
間の放電領域S1 が予備電離される。予備電離が進む
と、上記陰極12aと陽極12bとの間にグロ−放電が
点弧されるから、そのグロ−放電によってガスレ−ザ媒
質Gが励起される。
【0024】ガスレ−ザ媒質Gが励起されると、そのガ
スレ−ザ媒質Gの成分である、HClとKrとからKr
Clエキシマが生成され、HClとXeからXeClエ
キシマが生成される。上記KrClエキシマからは波長
が222nmのレ−ザ光が放出され、XeClエキシマか
らは波長が308nmのレ−ザ光が放出される。
【0025】波長が308nmのレ−ザ光は出力ミラ−4
を透過し、波長が222nmのレ−ザ光は出力ミラ−4で
反射するから、波長が222nmのレ−ザ光は出力ミラ−
4と高反射ミラ−3間を往復反射し、主放電電極11の
放電領域S2 を複数回にわたって光電離することにな
る。
【0026】つまり、波長が222nmのレ−ザ光は、主
電極11の放電領域S2 の予備電離用レ−ザ光となって
その放電領域S2 を十分に光電離することになる。それ
によって、主電極11の放電領域S2 において、ガスレ
−ザ媒質Gは十分に予備電離されることになる。
【0027】予備電離電源14が作動して10〜20ns
経過すると、遅延発振器18からの信号によって主放電
電源13が作動し、主電極11に電気エネルギが注入さ
れる。つまり、主電極11の放電領域S2 のガスレ−ザ
媒質Gが十分に予備電離された時点で主電極11に電圧
が印加されて主放電が点弧される。したがって、主放電
は安定した状態で点弧される。
【0028】主放電が点弧されると、予備電離電極12
での放電時と同様、ガスレ−ザ媒質Gの成分である、H
ClとKrとからKrClエキシマが生成され、HCl
とXeからXeClエキシマが生成される。上記KrC
lエキシマからは波長が222nmのレ−ザ光が放出さ
れ、XeClエキシマからは波長が308nmのレ−ザ光
が放出される。
【0029】波長が308nmのレ−ザ光は高反射ミラ−
3と出力ミラ−4間で反射を繰り返して共振増幅され、
レ−ザ光Lとして上記出力ミラ−4から放出される。波
長が222nmのレ−ザ光は出力ミラ−4に対して高い反
射率で反射するから、出力ミラ−4からはほとんど放出
されることがない。
【0030】すなわち、この実施例によれば、主電極1
1の放電領域S2 は、予備電離電極12の放電領域S1
で発生するとともに高反射ミラ−3と出力ミラ−4との
間に閉じ込められる、波長が222nmの予備電離用レ−
ザ光によって繰り返して光電離されるから、その放電領
域S2 の予備電離が十分に行われることになる。
【0031】予備電離が十分に行われれば、主電極11
での主放電が安定するから、この主電極の放電領域S2
でレ−ザ光を効率よく発生させ、2種類の波長のレ−ザ
光のうち、波長が308nmのレ−ザ光を共振増幅して放
出させることができるから、発振効率を向上させること
ができる。
【0032】この発明のように予備電離電極12で発生
した2つの波長のレ−ザ光の一方を光共振器内に閉じ込
めて主電極11の放電領域S2 を光電離する第1の場合
と、ガスレ−ザ媒質Gの希ガス成分を1種類とし、予備
電離電極12で発生させた予備電離用レ−ザ光を光共振
器内に閉じ込めることなく主電極の放電領域2 を光電離
する第2の場合の、レ−ザ光の発振効率を比較したとこ
ろ、第2の場合は1.5〜1.8 %であったが、第1の場合
は1.8 〜2.6 %に向上した。つまり、第2の場合は、第
1の場合に比べて発振効率は1.2 倍〜1.5 倍へ向上する
ことが確認された。
【0033】また、予備電離用レ−ザ光の利用率も2倍
以上に上昇している。すなわち、予備電離電極12で発
生した予備電離用レ−ザ光を光共振器内に閉じ込めない
場合、予備電離用レ−ザ光は光共振器を二往復する程度
であったが、この発明のようにすれば、予備電離用レ−
ザ光がガスレ−ザ媒質Gを光電離しながら十分に吸収さ
れるまで利用されるから、予備電離用レ−ザ光は少なく
とも3〜4倍以上利用されることになる。
【0034】したがって、さほど強力な予備電離を必要
としないから、予備電離電極12を十分に短くし、ガス
レ−ザ装置の小形化を計ることができる。図4はこの発
明の他の実施例を示す。この実施例は1つの電源21に
よって主電極11と予備電離電極12とに電気エネルギ
を供給するようにしている。つまり、上記電源21は上
記主電極11と予備電離電極12とに並列に接続されて
いるとともに、上記電源21と主電極11との間には磁
気スイッチやコイルなどの遅延回路22が設けられてい
る。
【0035】このような構成によれば、電源21を作動
させると、まず最初に予備電離電極12に電気エネルギ
供給され、ついで遅延回路22に設定された所定の時間
が経過すると、主電極11に電気エネルギが供給される
ことになるから、1つの電源21で主電極11と予備電
離電極12とに電気エネルギを供給することができる。
しかも、主電極11と予備電離電極12とに印加する電
圧はほぼ同じであるから、このことによっても電源21
を1つにすることが可能となる。
【0036】なお、各実施例ではKrClエキシマを励
起して得られる波長が222nmのレ−ザ光を予備電離用
レ−ザ光とし、XeClエキシマを励起して得られる波
長が308nmのレ−ザ光を主レ−ザ光として放出させる
ようにしたが、波長が308nmのレ−ザ光を予備電離用
レ−ザ光とし、波長が222nmのレ−ザ光を主レ−ザ光
として放出させるようにしてもよい。
【0037】その場合、出力ミラ−4の反射率を308
nmの波長のレ−ザ光に対して高くし、222nmの波長の
レ−ザ光に対して低く設定すればよい。また、ガスレ−
ザ媒質GのハロゲンガスとしてF2 を用いる場合、希ガ
スとしてXe、Kr、Arの3種類のうちのいずれか2
種類を選択すればよい。XeFエキシマは350nmの波
長のレ−ザ光を放出し、KrFエキシマは248nmのレ
−ザ光を放出し、さらにArFエキシマは193nmのレ
−ザ光を放出する。したがって、その場合、出力ミラ−
4の反射率は1つの波長のレ−ザ光に対して低く、2つ
の波長のレ−ザ光の少なくとも一方に対して高く設定す
ればよい。
【0038】なお、この場合、出力ミラ−4を2つのレ
−ザ光の波長に対して反射率を低く設定すれば、2つの
波長のレ−ザ光を上記出力ミラ−4から同時に発振出力
させることができる。
【0039】また、上記実施例では予備電離電極で発生
する予備放電を補助するためにピン電極によおる紫外線
予備電離方式を用いたが、X線方式やコロナ放電方式な
どを用いるようにしてもよい。
【0040】さらに、複数の希ガスが混合されたガスレ
−ザ媒質を励起することで、波長の異なる複数のレ−ザ
光を同時に発生させることができるから、これらのレ−
ザ光を出力ミラ−から放出させたのち、ビ−ムスプリッ
タなどの分離手段で波長ごとに分離し、それぞれの波長
に適した用途に使用するようにしてもよい。つまり、出
力ミラ−を波長の異なる複数種のレ−ザ光を透過するこ
とができる構成にすれば、上述したように波長の異なる
複数種のレ−ザ光を取り出してそれぞれの用途に応じて
利用することができる。
【0041】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、予
備電離電極の放電空間部で発生した波長の異なる複数の
レ−ザ光のうち、所定の波長のレ−ザ光は光共振器内に
閉じ込められて主電極の放電領域を予備電離するから、
そのレ−ザ光による主電極の放電領域の光電離を効率よ
く十分に行うことができる。
【0042】したがって、主電極の放電領域を光共振器
内に閉じ込められた上記レ−ザ光によって安定した状態
で確実に予備電離することができるから、その放電領域
からのレ−ザ光の発振効率を十分に高めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例のガスレ−ザ装置の全体構
成図。
【図2】同じく図1の要部のA−A線に沿う断面図。
【図3】(a)は同じく出力ミラ−の波長と透過率との
関係を示すグラフ、(b)は同じく出力ミラ−の断面
図。
【図4】この発明の他の実施例を示すガスレ−ザ装置の
全体構成図。
【符号の説明】
1…レ−ザ管、3…高反射ミラ−、4…出力ミラ−、1
1…主電極、12…予備電離電極、15、16…ピン電
極、13…主放電電源、14…予備電離電源、G…ガス
レ−ザ媒質。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部にガスレ−ザ媒質が封入されるレ−
    ザ管と、このレ−ザ管の軸方向一端側に設けられた高反
    射ミラ−および他端側に設けられ上記高反射ミラ−とで
    光共振器を形成する出力ミラ−と、それぞれ陰極と陽極
    とからなり上記レ−ザ管内に配置される主電極および予
    備電離電極と、この予備電離電極の近傍に配置され予備
    電離電極での予備電離放電を補助する補助手段とを具備
    し、 上記ガスレ−ザ媒質はハロゲンガス、希釈ガスおよび上
    記ハロゲンガスとで異なる種類のエキシマを生成する少
    なくとも2種類以上の希ガスを混合してなり、上記出力
    ミラ−は放電励起される複数のエキシマからそれぞれ発
    生する波長の異なる複数のレ−ザ光の少なくとも1つに
    対して高反射率に設定され、残りの波長のレ−ザ光に対
    して低反射率に設定されてなることを特徴とするガスレ
    −ザ装置。
  2. 【請求項2】 上記主電極と予備電離電極は1つの電源
    装置に並列に接続されているとともに、この電源装置と
    上記主電極との間には主電極への電圧印加を上記予備電
    離電極に対する電圧印加よりも遅らせる遅延手段が設け
    られていることを特徴とする請求項1記載のガスレ−ザ
    装置。
  3. 【請求項3】 上記ガスレ−ザ媒質は、ハロゲンガスと
    してHCl、希釈ガスとしてHeあるいはNe、希ガス
    としてXeとKrであることを特徴とする請求項1記載
    のガスレ−ザ装置。
  4. 【請求項4】 上記ガスレ−ザ媒質は、ハロゲンガスと
    してF2 、希釈ガスとしてHeあるいはNe、希ガスと
    してXe、Kr、Arのうちの少なくとも2つであるこ
    とを特徴とする請求項1記載のガスレ−ザ装置。
JP17438194A 1994-07-26 1994-07-26 ガスレ−ザ装置 Pending JPH0846275A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190134088A (ko) * 2018-05-24 2019-12-04 국방과학연구소 다중 파장 레이저 시스템
WO2022123714A1 (ja) * 2020-12-10 2022-06-16 ギガフォトン株式会社 ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190134088A (ko) * 2018-05-24 2019-12-04 국방과학연구소 다중 파장 레이저 시스템
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