JPH0846255A - 超伝導素子およびその製造方法 - Google Patents
超伝導素子およびその製造方法Info
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- JPH0846255A JPH0846255A JP6182285A JP18228594A JPH0846255A JP H0846255 A JPH0846255 A JP H0846255A JP 6182285 A JP6182285 A JP 6182285A JP 18228594 A JP18228594 A JP 18228594A JP H0846255 A JPH0846255 A JP H0846255A
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- superconducting
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特性が優れ再現性よく作製可能な超伝導接合
およびその製造方法の提供する。 【構成】 アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からな
る超伝導薄膜において、膜厚方向あるいは薄膜面内の一
部領域に炭素元素の濃度分布を設ける。製造方法として
は、アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からなる超伝
導薄膜の面内の一部に各種ビームを照射して、炭素元素
を離脱させる。また、アルカリ土類元素および銅の炭酸
化物からなる薄膜を炭素と酸素を含む雰囲気中で堆積さ
せる際に、途中で雰囲気中の炭素と酸素の含有割合を変
化させる。
およびその製造方法の提供する。 【構成】 アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からな
る超伝導薄膜において、膜厚方向あるいは薄膜面内の一
部領域に炭素元素の濃度分布を設ける。製造方法として
は、アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からなる超伝
導薄膜の面内の一部に各種ビームを照射して、炭素元素
を離脱させる。また、アルカリ土類元素および銅の炭酸
化物からなる薄膜を炭素と酸素を含む雰囲気中で堆積さ
せる際に、途中で雰囲気中の炭素と酸素の含有割合を変
化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速・高感度の動作が
期待される超伝導デバイスの要素部品となる超伝導接合
素子およびその製造方法に関する。特に炭酸系酸化物高
温超伝導体を利用した超伝導素子に関する。
期待される超伝導デバイスの要素部品となる超伝導接合
素子およびその製造方法に関する。特に炭酸系酸化物高
温超伝導体を利用した超伝導素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年発見された酸化物超伝導体の中に
は、その超伝導臨界温度が液体窒素温度を越えるものが
あり、超伝導体の応用分野が大きく広がった。エレクト
ロニクス分野に応用が期待される超伝導デバイスに関し
ては、その基本的要素部品である超伝導接合として、超
伝導薄膜の面内の粒界を利用した接合、階段状の段差を
利用した接合、積層型の接合などが試作されている（高
田進、応用物理、Vol.62,p.443 (1993)）。
は、その超伝導臨界温度が液体窒素温度を越えるものが
あり、超伝導体の応用分野が大きく広がった。エレクト
ロニクス分野に応用が期待される超伝導デバイスに関し
ては、その基本的要素部品である超伝導接合として、超
伝導薄膜の面内の粒界を利用した接合、階段状の段差を
利用した接合、積層型の接合などが試作されている（高
田進、応用物理、Vol.62,p.443 (1993)）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来試作
されている超伝導接合素子は、特性が不安定で、再現性
よく作製するのが困難であった。これは、接合が超伝導
物質と非超伝導物質という異種の材料の接触で構成され
るため、高温超伝導体のような複合酸化物で完全な乱れ
のない接合を実現することが技術的に困難であるからで
ある。すなわち薄膜における超伝導部と非超伝導部の膜
厚方向あるいは面内方向の接触を良質なものとし、実用
的な優れた特性の素子とするには、それぞれの材料の両
者の相性がよく、かつ作成が容易であることが必要であ
る。
されている超伝導接合素子は、特性が不安定で、再現性
よく作製するのが困難であった。これは、接合が超伝導
物質と非超伝導物質という異種の材料の接触で構成され
るため、高温超伝導体のような複合酸化物で完全な乱れ
のない接合を実現することが技術的に困難であるからで
ある。すなわち薄膜における超伝導部と非超伝導部の膜
厚方向あるいは面内方向の接触を良質なものとし、実用
的な優れた特性の素子とするには、それぞれの材料の両
者の相性がよく、かつ作成が容易であることが必要であ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、超伝導接合をアルカリ土類元素および
銅の炭酸化物からなる炭酸系超伝導体の薄膜を基に構成
し、膜厚方向あるいは薄膜面内の一部に炭素元素の濃度
が分布する領域を設ける。
に、本発明では、超伝導接合をアルカリ土類元素および
銅の炭酸化物からなる炭酸系超伝導体の薄膜を基に構成
し、膜厚方向あるいは薄膜面内の一部に炭素元素の濃度
が分布する領域を設ける。
【０００５】また、本発明の超伝導薄膜の製造方法とし
て、アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からなる超伝
導薄膜の面内の一部に各種ビームを照射し、炭素元素を
離脱させる方法をとる。
て、アルカリ土類元素および銅の炭酸化物からなる超伝
導薄膜の面内の一部に各種ビームを照射し、炭素元素を
離脱させる方法をとる。
【０００６】あるいは、アルカリ土類元素および銅の炭
酸化物からなる薄膜を炭素と酸素を含む雰囲気中で堆積
させる際に、堆積課程の途中で雰囲気中の炭素と酸素の
含有割合を変化させる方法をとる。
酸化物からなる薄膜を炭素と酸素を含む雰囲気中で堆積
させる際に、堆積課程の途中で雰囲気中の炭素と酸素の
含有割合を変化させる方法をとる。
【０００７】
【作用】炭酸系超伝導体は、炭素と銅を主成分とする酸
化物の層（ＣxＣｕ1-xＯ3）と、アルカリ土類元素
（Ａ）を介して連なったｎ枚の銅酸素面（ＣｕＯ2）か
らなる層とが、層状に重なった結晶構造を持ち、一般式
(ＣxＣｕ1-x)Ａn+1ＣｕnＯ2n +3 で表される物質である
（ｎは１以上の整数、ｘは０から１の間の値）。
化物の層（ＣxＣｕ1-xＯ3）と、アルカリ土類元素
（Ａ）を介して連なったｎ枚の銅酸素面（ＣｕＯ2）か
らなる層とが、層状に重なった結晶構造を持ち、一般式
(ＣxＣｕ1-x)Ａn+1ＣｕnＯ2n +3 で表される物質である
（ｎは１以上の整数、ｘは０から１の間の値）。
【０００８】本願発明の炭酸系超伝導体は、炭素の含有
量が少なくなると、その構造が銅酸素面とアルカリ土類
元素が積み重なった構造の無限層物質（ＡＣｕＯ2）に
変化し、電気抵抗が高くなり非超伝導体化する。
量が少なくなると、その構造が銅酸素面とアルカリ土類
元素が積み重なった構造の無限層物質（ＡＣｕＯ2）に
変化し、電気抵抗が高くなり非超伝導体化する。
【０００９】それ故、膜厚方向あるいは薄膜面内の一部
に炭素元素の濃度が分布する領域を設けることにより、
非超伝導体化を防ぎ、変化した無限層が元の炭酸系超伝
導体と相性よく良好な接合を作製し得る。
に炭素元素の濃度が分布する領域を設けることにより、
非超伝導体化を防ぎ、変化した無限層が元の炭酸系超伝
導体と相性よく良好な接合を作製し得る。
【００１０】また、この炭素量が成膜条件あるいは成膜
後の後処理により容易に制御でき、超伝導体が無限層構
造に変化する。
後の後処理により容易に制御でき、超伝導体が無限層構
造に変化する。
【００１１】また一度、炭酸系超伝導体の構造の生成の
後、表面を処理して炭素を離脱させ無限層構造に変える
方法は、異種の材料を改めて積層させる方式とは異なり
本質的に界面の整合性が優れており良好な接合を作るこ
とができる。
後、表面を処理して炭素を離脱させ無限層構造に変える
方法は、異種の材料を改めて積層させる方式とは異なり
本質的に界面の整合性が優れており良好な接合を作るこ
とができる。
【００１２】
（実施例１）本発明の１実施例を図１に基づき説明す
る。図１は、超伝導素子作製の工程図である。
る。図１は、超伝導素子作製の工程図である。
【００１３】図１（ａ）はチタン酸ストロンチウム基体
１１上に炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 薄膜１
２が形成される工程図である。
１１上に炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 薄膜１
２が形成される工程図である。
【００１４】炭酸バリウム(ＢａＣＯ3)と酸化銅(Ｃｕ
Ｏ)をモル比４：３の割合で混合・成形したものをター
ゲットとして用いたスパッタリング蒸着法により、５５
０℃に加熱したチタン酸ストロンチウム１１ＳｒＴｉＯ
3（１００）面基体上に薄膜形成を行った。スパッタガ
スとして、アルゴンに酸素と二酸化炭素をＡｒ：Ｏ2：
ＣＯ2＝３：１：１のモル比で加えた混合ガス１Ｐａを
用いたところ、炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5
１２の薄膜が堆積した。
Ｏ)をモル比４：３の割合で混合・成形したものをター
ゲットとして用いたスパッタリング蒸着法により、５５
０℃に加熱したチタン酸ストロンチウム１１ＳｒＴｉＯ
3（１００）面基体上に薄膜形成を行った。スパッタガ
スとして、アルゴンに酸素と二酸化炭素をＡｒ：Ｏ2：
ＣＯ2＝３：１：１のモル比で加えた混合ガス１Ｐａを
用いたところ、炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5
１２の薄膜が堆積した。
【００１５】２００ｎｍ厚の炭酸系超伝導体の薄膜１２
が形成された時点でシャッターを閉め、堆積を停止さ
せ、そのままの基体温度５５０℃に保って雰囲気を酸素
１００Ｐａに変えて５分間放置した。
が形成された時点でシャッターを閉め、堆積を停止さ
せ、そのままの基体温度５５０℃に保って雰囲気を酸素
１００Ｐａに変えて５分間放置した。
【００１６】その結果、図１（ｂ）に示すよう炭酸系超
伝導体薄膜１２の表面５ｎｍ程度の部分１３の炭素元素
が欠乏して無限層物質に変わった。
伝導体薄膜１２の表面５ｎｍ程度の部分１３の炭素元素
が欠乏して無限層物質に変わった。
【００１７】その後再びシャッターを開けて薄膜堆積を
行うと、図１（ｃ）に示すよう無限層である薄層１３の
上に再び炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 薄膜１
４が形成された。
行うと、図１（ｃ）に示すよう無限層である薄層１３の
上に再び炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 薄膜１
４が形成された。
【００１８】これら３層の膜は何れもｃ軸が基板に垂直
に配向したエピタキシャル薄膜となっており、結晶構造
的に乱れのない積層が達成されている。この方法で作製
した超伝導接合は、もとの薄膜の表面を改質させて形成
しているので、従来の薄膜積層で課題であった接合部の
非超伝導層と超伝導電極層との相互熱拡散による接合の
消失や、非超伝導層にピンホールができる等の問題がな
く、本質的に良質の接合が得られる。
に配向したエピタキシャル薄膜となっており、結晶構造
的に乱れのない積層が達成されている。この方法で作製
した超伝導接合は、もとの薄膜の表面を改質させて形成
しているので、従来の薄膜積層で課題であった接合部の
非超伝導層と超伝導電極層との相互熱拡散による接合の
消失や、非超伝導層にピンホールができる等の問題がな
く、本質的に良質の接合が得られる。
【００１９】この薄膜の超伝導接合部を用いてイオンエ
ッチングにより２０μｍ角の超伝導素子形状を形成した
ところ、２０Ｋの温度で再現性良くジョセフソン接合特
性を得ることができた。間に挟まれた無限層物質の抵抗
率が室温で１０Ωｃｍと高く半導体的な温度依存性を示
すので、バリア層として適した材料であることも併せて
確認した。
ッチングにより２０μｍ角の超伝導素子形状を形成した
ところ、２０Ｋの温度で再現性良くジョセフソン接合特
性を得ることができた。間に挟まれた無限層物質の抵抗
率が室温で１０Ωｃｍと高く半導体的な温度依存性を示
すので、バリア層として適した材料であることも併せて
確認した。
【００２０】（実施例２）本実施例においては、上記実
施例１と同様に、炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ
5 の薄膜を５５０℃に加熱したチタン酸ストロンチウム
基体上に堆積させることを試みた。
施例１と同様に、炭酸系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ
5 の薄膜を５５０℃に加熱したチタン酸ストロンチウム
基体上に堆積させることを試みた。
【００２１】スパッタガスとして、１Ｐａのアルゴン・
酸素・二酸化炭素混合ガス（Ａｒ：Ｏ2：ＣＯ2＝３：
１：１）を用いて１００ｎｍの超伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂ
ａ2ＣｕＯ5 を堆積させたところで、ガスの割合をＡ
ｒ：Ｏ2：ＣＯ2＝３：２：０すなわち二酸化炭素を酸素
に替えてあらたに１００ｎｍの膜厚まで堆積を続けた。
酸素・二酸化炭素混合ガス（Ａｒ：Ｏ2：ＣＯ2＝３：
１：１）を用いて１００ｎｍの超伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂ
ａ2ＣｕＯ5 を堆積させたところで、ガスの割合をＡ
ｒ：Ｏ2：ＣＯ2＝３：２：０すなわち二酸化炭素を酸素
に替えてあらたに１００ｎｍの膜厚まで堆積を続けた。
【００２２】その結果無限層構造薄膜ＢａＣｕＯ2 が超
伝導薄膜に引き続いて成長し、超伝導と無限層の２層積
層となったものが得られた。
伝導薄膜に引き続いて成長し、超伝導と無限層の２層積
層となったものが得られた。
【００２３】分析の結果、界面で結晶学的な乱れが全く
ない接合が形成されており、両者は、上記実施例１のよ
うに相が変化する関係にあり、結晶構造は異なるが同種
の物質なので、相性よく良質の接合を作ることができた
と思われる。この方法によると、単に薄膜堆積中に雰囲
気ガスの成分を切り替えるだけで任意の接合が形成でき
るので、簡便に超伝導素子を製造できる。
ない接合が形成されており、両者は、上記実施例１のよ
うに相が変化する関係にあり、結晶構造は異なるが同種
の物質なので、相性よく良質の接合を作ることができた
と思われる。この方法によると、単に薄膜堆積中に雰囲
気ガスの成分を切り替えるだけで任意の接合が形成でき
るので、簡便に超伝導素子を製造できる。
【００２４】また、ある程度の炭素が雰囲気中に存在し
ていても、酸素の絶対量が多い場合には無限層構造が成
長する。
ていても、酸素の絶対量が多い場合には無限層構造が成
長する。
【００２５】なお、本実施例では成膜法としてスパッタ
法を用いたが、他の方法を用いて雰囲気ガスの炭素と酸
素の割合の制御を行った場合でも同じである。
法を用いたが、他の方法を用いて雰囲気ガスの炭素と酸
素の割合の制御を行った場合でも同じである。
【００２６】（実施例３）単位格子中に銅酸素面を２枚
有する結晶構造の炭酸系超伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2Ｃａ
Ｃｕ2Ｏ7 をスパッタリング法により３００ｎｍの厚さ
で作製した。
有する結晶構造の炭酸系超伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2Ｃａ
Ｃｕ2Ｏ7 をスパッタリング法により３００ｎｍの厚さ
で作製した。
【００２７】この薄膜は８０Ｋで超伝導転移を示す。薄
膜をフォトリソグラフィによる微細パターン転写した後
イオンエッチングを用いて加工し、１０μｍの線幅を持
つくびれを形成した。このように形成した薄膜パターン
の外観を図２に示す。
膜をフォトリソグラフィによる微細パターン転写した後
イオンエッチングを用いて加工し、１０μｍの線幅を持
つくびれを形成した。このように形成した薄膜パターン
の外観を図２に示す。
【００２８】チタン酸ストロンチウム基体１１上に炭酸
系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣａＣｕ 2Ｏ7 の薄膜２１が
くびれ部２２を持つようにパターン化されている。前記
くびれ部２２に電子ビーム２３を加速電圧は３５ｋＶ、
電流は１０ｍＡとして、真空中で照射した。
系超伝導体(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣａＣｕ 2Ｏ7 の薄膜２１が
くびれ部２２を持つようにパターン化されている。前記
くびれ部２２に電子ビーム２３を加速電圧は３５ｋＶ、
電流は１０ｍＡとして、真空中で照射した。
【００２９】照射された部分２４の分析を行ったとこ
ろ、炭酸系超伝導体から無限層構造に変化していた。こ
れは、電子ビーム２３の照射部の炭酸系超伝導体から、
照射電子ビームによる熱の発生などにより、炭素元素が
離脱し無限層構造が再構築されたことを示している。
ろ、炭酸系超伝導体から無限層構造に変化していた。こ
れは、電子ビーム２３の照射部の炭酸系超伝導体から、
照射電子ビームによる熱の発生などにより、炭素元素が
離脱し無限層構造が再構築されたことを示している。
【００３０】上記の方法で作製した素子は、超伝導電極
の間に電気抵抗の高い無限層物質が良好に接続された構
造となっており、ジョセフソン接合特性を示した。
の間に電気抵抗の高い無限層物質が良好に接続された構
造となっており、ジョセフソン接合特性を示した。
【００３１】なお、電子ビームの照射ではなく、放射
線、赤外線、レーザー光線等の他のビームの照射でも同
様であり、またイオンビーム照射で炭素元素を直接たた
き出す方法でもよい。
線、赤外線、レーザー光線等の他のビームの照射でも同
様であり、またイオンビーム照射で炭素元素を直接たた
き出す方法でもよい。
【００３２】なお本実施例では炭酸系超伝導薄膜とし
て、単位格子中に銅酸素面を２枚有する構造の炭酸系超
伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣａＣｕ2Ｏ7 を用いたが、一
般にｎ枚の銅酸素面を有するこの系の他の超伝導薄膜
(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2Ｃａn-1ＣｕnＯ2n +3 を用いた場合、あ
るいはアルカリ土類元素としてＳｒ等の他の元素やいく
つかの組み合わせを用いた場合でも同様に超伝導素子が
実現できる。
て、単位格子中に銅酸素面を２枚有する構造の炭酸系超
伝導薄膜(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣａＣｕ2Ｏ7 を用いたが、一
般にｎ枚の銅酸素面を有するこの系の他の超伝導薄膜
(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2Ｃａn-1ＣｕnＯ2n +3 を用いた場合、あ
るいはアルカリ土類元素としてＳｒ等の他の元素やいく
つかの組み合わせを用いた場合でも同様に超伝導素子が
実現できる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明は、炭酸系超伝導体
を用いて、良質・高品質の超伝導接合素子を提供でき
る。特に、炭酸系超伝導体が炭素元素の含有量を制御す
ると抵抗の高い無限層物質に変化するという本物質の特
性を利用したもので、本質的に良質な接合の形成が可能
となった。超伝導接合は各種超伝導デバイスの基本要素
部品を構成するものであり、高品質な超伝導デバイスも
提供できる。
を用いて、良質・高品質の超伝導接合素子を提供でき
る。特に、炭酸系超伝導体が炭素元素の含有量を制御す
ると抵抗の高い無限層物質に変化するという本物質の特
性を利用したもので、本質的に良質な接合の形成が可能
となった。超伝導接合は各種超伝導デバイスの基本要素
部品を構成するものであり、高品質な超伝導デバイスも
提供できる。
【図１】本発明の実施例における超伝導素子作製の工程
図
図
【図２】本発明の実施例における超伝導素子の外観図
【符号の説明】 １１ チタン酸ストロンチウム基体 １２ 下部(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 超伝導薄膜 １３ 無限層ＢａＣｕＯ2 薄膜 １４ 上部(Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣｕＯ5 超伝導薄膜 ２１ (Ｃ,Ｃｕ)Ｂａ2ＣａＣｕ2Ｏ7 超伝導薄膜 ２２ くびれ部 ２３ 電子ビーム ２４ 無限層構造部分
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも１種以上のアルカリ土類元素お
よび銅の炭酸化物からなる超伝導薄膜の、膜厚方向ある
いは薄膜面内に炭素元素の濃度分布のある領域を設けた
ことを特徴とする超伝導素子。 - 【請求項２】超伝導薄膜が、炭素と銅を主成分とする酸
化物の層と、アルカリ土類元素を介して連なった１枚以
上の銅酸素面からなる層とが、層状に重なった結晶構造
であることを特徴とする請求項１記載の超伝導素子。 - 【請求項３】超伝導薄膜が、炭素、アルカリ土類元素、
銅の酸化物を主体成分とする炭酸系超伝導体の層と、ア
ルカリ土類元素と銅の酸化物を主体成分とする無限層物
質の層とが、積層された構造からなることを特徴とする
請求項１記載の超伝導素子。 - 【請求項４】少なくとも１種以上のアルカリ土類元素お
よび銅の炭酸化物からなる超伝導薄膜の面内の一部にエ
ネルギービームを照射して、前記ビームの照射した領域
の炭素元素を離脱させる工程を含むことを特徴とする超
伝導素子の製造方法。 - 【請求項５】少なくとも１種以上のアルカリ土類元素お
よび銅の炭酸化物からなる薄膜を成膜する工程におい
て、積層雰囲気中の炭素と酸素の含有割合を変化させる
ことを特徴とする超伝導素子の製造方法。 - 【請求項６】少なくとも１種以上のアルカリ土類元素お
よび銅の炭酸化物からなる薄膜を成膜する工程におい
て、途中で堆積を停止して主成分が酸素である雰囲気中
で膜表面を加熱処理することを特徴とする請求項５に記
載の超伝導素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6182285A JPH0846255A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 超伝導素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6182285A JPH0846255A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 超伝導素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846255A true JPH0846255A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16115609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6182285A Pending JPH0846255A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 超伝導素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416817C (zh) * | 2000-09-07 | 2008-09-03 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
-
1994
- 1994-08-03 JP JP6182285A patent/JPH0846255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100416817C (zh) * | 2000-09-07 | 2008-09-03 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
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