JPH0845928A - ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法 - Google Patents
ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法Info
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- JPH0845928A JPH0845928A JP17705494A JP17705494A JPH0845928A JP H0845928 A JPH0845928 A JP H0845928A JP 17705494 A JP17705494 A JP 17705494A JP 17705494 A JP17705494 A JP 17705494A JP H0845928 A JPH0845928 A JP H0845928A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学定数及び膜厚の基板面内均一性に優れた
ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法を提供する。 【構成】 成膜室２内に配される基板載置電極４と、成
膜ガス供給路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔５を
有する対向電極７との間で発生させたプラズマを用いて
ＣＶＤを行うことにより、基板９上にＳｉＯＮ系材料膜
１０を成膜するＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法において、
成膜ガスが成膜室２内に均一に供給されるようにするた
めに、前記対向電極７の内部に成膜ガス分散用の多孔板
８を配して成膜を行う。なお、前記成膜ガスには、不活
性ガスを添加してもよい。 【効果】 プラズマ初期放電が安定なものとなり、薄く
ても均一なＳｉＯＮ系材料膜を成膜できる。その結果、
後工程においてフォトリソグラフィのプロセスマージン
が拡大する。
ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法を提供する。 【構成】 成膜室２内に配される基板載置電極４と、成
膜ガス供給路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔５を
有する対向電極７との間で発生させたプラズマを用いて
ＣＶＤを行うことにより、基板９上にＳｉＯＮ系材料膜
１０を成膜するＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法において、
成膜ガスが成膜室２内に均一に供給されるようにするた
めに、前記対向電極７の内部に成膜ガス分散用の多孔板
８を配して成膜を行う。なお、前記成膜ガスには、不活
性ガスを添加してもよい。 【効果】 プラズマ初期放電が安定なものとなり、薄く
ても均一なＳｉＯＮ系材料膜を成膜できる。その結果、
後工程においてフォトリソグラフィのプロセスマージン
が拡大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等に用いら
れるＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法に関し、特にＳｉＯＮ
系材料膜の基板面内均一性の向上に関する。
れるＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法に関し、特にＳｉＯＮ
系材料膜の基板面内均一性の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴い、フォトレジ
ストを露光する露光光の短波長化が進んでおり、０．３
５μｍ世代及びそれ以降の世代の半導体装置の製造に
は、露光光にエキシマレーザが用いられるようになって
いる。
ストを露光する露光光の短波長化が進んでおり、０．３
５μｍ世代及びそれ以降の世代の半導体装置の製造に
は、露光光にエキシマレーザが用いられるようになって
いる。
【０００３】このような半導体装置の製造において、露
光光が基板等から反射するとフォトレジストを良好にパ
ターニングすることができない。すなわち、基板等から
の反射光によりフォトレジストの一部分に光が集中し
て、いわゆるハレーションによりレジストパターンの寸
法にばらつきが生じてしまったり、あるいは、基板等か
らの反射光によりフォトレジスト内で光干渉が生じてフ
ォトレジストの高さ方向に光強度分布が生じて、いわゆ
る定在波効果により露光後に得られるレジストパターン
の断面形状が波状に劣化してしまう。
光光が基板等から反射するとフォトレジストを良好にパ
ターニングすることができない。すなわち、基板等から
の反射光によりフォトレジストの一部分に光が集中し
て、いわゆるハレーションによりレジストパターンの寸
法にばらつきが生じてしまったり、あるいは、基板等か
らの反射光によりフォトレジスト内で光干渉が生じてフ
ォトレジストの高さ方向に光強度分布が生じて、いわゆ
る定在波効果により露光後に得られるレジストパターン
の断面形状が波状に劣化してしまう。
【０００４】そこで、基板等の上に、露光光の反射を防
止する反射防止膜を形成した上でフォトレジストのパタ
ーニングを行うことが検討されており、エキシマレーザ
の波長域においてはＳｉＯＮ系材料膜が反射防止膜とし
て有望視されている。そして、このＳｉＯＮ系材料膜よ
りなる反射防止膜は、通常は平行平板型プラズマＣＶＤ
装置を用いて成膜される。
止する反射防止膜を形成した上でフォトレジストのパタ
ーニングを行うことが検討されており、エキシマレーザ
の波長域においてはＳｉＯＮ系材料膜が反射防止膜とし
て有望視されている。そして、このＳｉＯＮ系材料膜よ
りなる反射防止膜は、通常は平行平板型プラズマＣＶＤ
装置を用いて成膜される。
【０００５】上記平行平板型プラズマＣＶＤ装置は、図
４に示すように、排気孔１１を備えた成膜室１２と、前
記成膜室１２内に配され、基板加熱用のヒーター１３を
備えた基板載置電極１４と、前記成膜室１２内に前記基
板載置電極１４と対向するように配され、成膜ガス供給
路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔１５を有し、プ
ラズマ励起用のＲＦ電源１６と接続された対向電極１７
から成る。そして、前記対向電極１７の内部には、成膜
ガスを分散させるために前記ガス噴出孔１５の上流側に
円盤状のガス分散板１８が配される。そして、成膜ガス
は、図中矢印Ｎで示すように、前記ガス分散板１８によ
って対向電極１７の内部において周辺方向に分散された
後、対向電極１７の基板対向面に平行に周辺から中心に
向かって、ガス噴出孔１５より成膜室１２内に供給され
る。
４に示すように、排気孔１１を備えた成膜室１２と、前
記成膜室１２内に配され、基板加熱用のヒーター１３を
備えた基板載置電極１４と、前記成膜室１２内に前記基
板載置電極１４と対向するように配され、成膜ガス供給
路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔１５を有し、プ
ラズマ励起用のＲＦ電源１６と接続された対向電極１７
から成る。そして、前記対向電極１７の内部には、成膜
ガスを分散させるために前記ガス噴出孔１５の上流側に
円盤状のガス分散板１８が配される。そして、成膜ガス
は、図中矢印Ｎで示すように、前記ガス分散板１８によ
って対向電極１７の内部において周辺方向に分散された
後、対向電極１７の基板対向面に平行に周辺から中心に
向かって、ガス噴出孔１５より成膜室１２内に供給され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＳｉＯＮ系
材料膜よりなる反射防止膜は、基板面内の表面段差の増
加を抑え、かつ高い反射防止効果を得るために、膜厚が
２０〜４０ｎｍとなるように非常に薄く形成される。し
たがって、平行平板型プラズマＣＶＤ装置によるＳｉＯ
Ｎ系材料膜の成膜は、数秒程度の短い時間で行われる。
ところが、このように短い時間で成膜すると、プラズマ
が不安定な状態であるプラズマ初期放電の間に成膜が行
われることとなる。
材料膜よりなる反射防止膜は、基板面内の表面段差の増
加を抑え、かつ高い反射防止効果を得るために、膜厚が
２０〜４０ｎｍとなるように非常に薄く形成される。し
たがって、平行平板型プラズマＣＶＤ装置によるＳｉＯ
Ｎ系材料膜の成膜は、数秒程度の短い時間で行われる。
ところが、このように短い時間で成膜すると、プラズマ
が不安定な状態であるプラズマ初期放電の間に成膜が行
われることとなる。
【０００７】このプラズマ初期放電に関しては、例え
ば、応用物理学，第６２巻，第７号（１９９３），６９
９〜７０２頁に、ＨｅとＳｉＨ4 よりなる材料ガスを電
極面と平行に周辺から中心に向かって供給して、ＲＦシ
ランプラズマ中で堆積種（パウダー）を形成した場合、
電極の周辺部から堆積種が形成されることが記載されて
いる。すなわち、電極面に平行に周辺から成膜ガスを流
した場合は、電極の周辺部から放電が開始される。
ば、応用物理学，第６２巻，第７号（１９９３），６９
９〜７０２頁に、ＨｅとＳｉＨ4 よりなる材料ガスを電
極面と平行に周辺から中心に向かって供給して、ＲＦシ
ランプラズマ中で堆積種（パウダー）を形成した場合、
電極の周辺部から堆積種が形成されることが記載されて
いる。すなわち、電極面に平行に周辺から成膜ガスを流
した場合は、電極の周辺部から放電が開始される。
【０００８】そして、上述のような平行平板型プラズマ
ＣＶＤ装置でＳｉＯＮ系材料膜を成膜する場合も、電極
面に平行に周辺から中心に向かって成膜ガスを流すた
め、電極の周辺部から放電が開始され、プラズマ初期放
電時においては堆積種の空間分布にばらつきが生じてい
ると考えられる。そして、このプラズマ初期放電時の堆
積種の空間分布のばらつきのために、前記堆積種が堆積
して形成されるＳｉＯＮ系材料膜の基板面内均一性は劣
ったものとなってしまい、基板の周辺部ほど膜厚が厚
く、かつ光学定数が大きなものとなってしまう。
ＣＶＤ装置でＳｉＯＮ系材料膜を成膜する場合も、電極
面に平行に周辺から中心に向かって成膜ガスを流すた
め、電極の周辺部から放電が開始され、プラズマ初期放
電時においては堆積種の空間分布にばらつきが生じてい
ると考えられる。そして、このプラズマ初期放電時の堆
積種の空間分布のばらつきのために、前記堆積種が堆積
して形成されるＳｉＯＮ系材料膜の基板面内均一性は劣
ったものとなってしまい、基板の周辺部ほど膜厚が厚
く、かつ光学定数が大きなものとなってしまう。
【０００９】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、基板面内均一性に優れた
ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法を提供することを目的とす
る。
鑑みて提案されたものであり、基板面内均一性に優れた
ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明のＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法は、成膜室内
に配される基板載置電極と、成膜ガス供給路を兼ね基板
対向面に多数のガス噴出孔を有する対向電極との間で発
生させたプラズマを用いてＣＶＤを行うことにより、基
板上にＳｉＯＮ系材料膜を成膜するＳｉＯＮ系材料膜の
成膜方法において、前記対向電極の内部に成膜ガス分散
用の多孔板を配して前記成膜を行うものである。
めに本発明のＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法は、成膜室内
に配される基板載置電極と、成膜ガス供給路を兼ね基板
対向面に多数のガス噴出孔を有する対向電極との間で発
生させたプラズマを用いてＣＶＤを行うことにより、基
板上にＳｉＯＮ系材料膜を成膜するＳｉＯＮ系材料膜の
成膜方法において、前記対向電極の内部に成膜ガス分散
用の多孔板を配して前記成膜を行うものである。
【００１１】上記ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法において
は、前記成膜ガスとして不活性ガスを含むガスを用いる
ことが好ましい。前記不活性ガスとしては、例えば、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等が挙げられる。
は、前記成膜ガスとして不活性ガスを含むガスを用いる
ことが好ましい。前記不活性ガスとしては、例えば、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等が挙げられる。
【００１２】
【作用】前記対向電極の内部に配された成膜ガス分散用
の多孔板により、中心部と周辺部の成膜ガスの濃度分布
が均一化された上で、成膜ガスがガス噴出孔から成膜室
内に供給される。したがって、初期プラズマ放電時の周
辺部と中心部のプラズマの空間分布が均一化される。そ
の結果、成膜されたＳｉＯＮ系材料膜の基板面内均一
性、すなわち膜厚の分布及び光学定数の分布の均一性が
向上する。
の多孔板により、中心部と周辺部の成膜ガスの濃度分布
が均一化された上で、成膜ガスがガス噴出孔から成膜室
内に供給される。したがって、初期プラズマ放電時の周
辺部と中心部のプラズマの空間分布が均一化される。そ
の結果、成膜されたＳｉＯＮ系材料膜の基板面内均一
性、すなわち膜厚の分布及び光学定数の分布の均一性が
向上する。
【００１３】また、成膜ガスに不活性ガスを添加するこ
とより、成膜室内の成膜ガス濃度が下がるため、ＳｉＯ
Ｎ系材料膜の成膜速度が低下する。したがって、成膜時
間が長くなり、プラズマ初期放電だけでなく、安定した
プラズマ状態の下でも成膜できるようになるため、Ｓｉ
ＯＮ系材料膜の基板面内均一性が向上する。さらに、成
膜ガスに不活性ガスを添加した場合、圧力条件を不変と
すると、成膜ガスの流速は必然的に高くなるので、成膜
プロセスがガス供給律速よりも反応律速に支配されるよ
うになり、面内均一性が向上する。
とより、成膜室内の成膜ガス濃度が下がるため、ＳｉＯ
Ｎ系材料膜の成膜速度が低下する。したがって、成膜時
間が長くなり、プラズマ初期放電だけでなく、安定した
プラズマ状態の下でも成膜できるようになるため、Ｓｉ
ＯＮ系材料膜の基板面内均一性が向上する。さらに、成
膜ガスに不活性ガスを添加した場合、圧力条件を不変と
すると、成膜ガスの流速は必然的に高くなるので、成膜
プロセスがガス供給律速よりも反応律速に支配されるよ
うになり、面内均一性が向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。なお、当然のことながら本発明は下記の
実施例により限定を受けるものではない。
いて説明する。なお、当然のことながら本発明は下記の
実施例により限定を受けるものではない。
【００１５】実施例１ 本実施例では、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い
て、ポリサイド膜が形成された５インチ径の基板上に、
反射防止膜としてＳｉＯＮ系材料膜を成膜した。
て、ポリサイド膜が形成された５インチ径の基板上に、
反射防止膜としてＳｉＯＮ系材料膜を成膜した。
【００１６】上記平行平板型プラズマＣＶＤ装置は、図
１に示すように、排気孔１を備えた成膜室２と、前記成
膜室２内に配され、基板加熱用のヒーター３を備えた基
板載置電極４と、前記成膜室２内に前記基板載置電極４
と対向するように配され、成膜ガス供給路を兼ね基板対
向面に多数のガス噴出孔５を有し、プラズマ励起用のＲ
Ｆ電源６と接続された対向電極７から成る。
１に示すように、排気孔１を備えた成膜室２と、前記成
膜室２内に配され、基板加熱用のヒーター３を備えた基
板載置電極４と、前記成膜室２内に前記基板載置電極４
と対向するように配され、成膜ガス供給路を兼ね基板対
向面に多数のガス噴出孔５を有し、プラズマ励起用のＲ
Ｆ電源６と接続された対向電極７から成る。
【００１７】そして、前記対向電極７の内部には、成膜
ガスを分散させるために前記ガス噴出孔５の上流側に円
盤状のガス分散板用の多孔板８が配される。この多孔板
８は図２に示すように、円盤状の板８ａに多数の孔８ｂ
をあけたものである。そして、成膜ガスは、図中矢印Ｍ
で示すように、前記多孔板７によって対向電極７の内部
において均一に分散された後、ガス噴出孔５より成膜室
２内に均一に供給される。なお、前記多孔板８の孔８ｂ
の開口位置と、前記ガス噴出孔５の開口位置とは、より
効率よく成膜ガスを分散させるためには、必ずしも一致
していないほうが好ましい。
ガスを分散させるために前記ガス噴出孔５の上流側に円
盤状のガス分散板用の多孔板８が配される。この多孔板
８は図２に示すように、円盤状の板８ａに多数の孔８ｂ
をあけたものである。そして、成膜ガスは、図中矢印Ｍ
で示すように、前記多孔板７によって対向電極７の内部
において均一に分散された後、ガス噴出孔５より成膜室
２内に均一に供給される。なお、前記多孔板８の孔８ｂ
の開口位置と、前記ガス噴出孔５の開口位置とは、より
効率よく成膜ガスを分散させるためには、必ずしも一致
していないほうが好ましい。
【００１８】上記のような平行平板型プラズマＣＶＤ装
置にて、基板載置電極４上に基板９を配して、この基板
９上にＳｉＯＮ系材料膜１０を以下の条件で成膜した。
置にて、基板載置電極４上に基板９を配して、この基板
９上にＳｉＯＮ系材料膜１０を以下の条件で成膜した。
【００１９】 成膜装置 ：平行平板型枚葉式プラズマＣＶＤ装置 成膜ガス ：ＳｉＨ4＝５０ＳＣＣＭ、Ｎ2Ｏ＝４４ＳＣＣＭ ＲＦパワー ：１９０Ｗ（周波数＝１３．５６ＭＨｚ） 圧力 ：２．５Ｔｏｒｒ（約３３３Ｐａ） 基板温度 ：３６０℃ 電極間距離 ：４００ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） 成膜時間 ：４．４秒比較例１ 本比較例では、図４に示すような、従来の平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置を用いて、実施例１と同様にＳｉＯＮ
系材料膜を成膜した。すなわち、本比較例では、対向電
極の内部に孔のあいていない円盤状のガス分散板が配さ
れた平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＯＮ系
材料膜を成膜した。
ラズマＣＶＤ装置を用いて、実施例１と同様にＳｉＯＮ
系材料膜を成膜した。すなわち、本比較例では、対向電
極の内部に孔のあいていない円盤状のガス分散板が配さ
れた平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＯＮ系
材料膜を成膜した。
【００２０】基板面内均一性の評価 実施例１及び比較例１で成膜したＳｉＯＮ系材料膜につ
いて、基板中心の位置Ａ、基板中心から半径方向に１９
ｍｍの位置Ｂ、基板中心から半径方向に３８ｍｍの位置
Ｃ、基板中心から半径方向に５７ｍｍの位置Ｄの４点に
おける、光学定数と膜厚ｄを測定した。なお、光学定数
としては波長２４８ｎｍにおける複素振幅屈折率の実数
部ｎ及び虚数部係数ｋを測定した。表１に測定結果、及
び各測定結果の基板面内均一性を示す。
いて、基板中心の位置Ａ、基板中心から半径方向に１９
ｍｍの位置Ｂ、基板中心から半径方向に３８ｍｍの位置
Ｃ、基板中心から半径方向に５７ｍｍの位置Ｄの４点に
おける、光学定数と膜厚ｄを測定した。なお、光学定数
としては波長２４８ｎｍにおける複素振幅屈折率の実数
部ｎ及び虚数部係数ｋを測定した。表１に測定結果、及
び各測定結果の基板面内均一性を示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、実施例１で成膜
したＳｉＯＮ系材料膜は、比較例１で成膜したＳｉＯＮ
系材料膜に比べて、光学定数及び膜厚ともに、基板面内
均一性に優れている。
したＳｉＯＮ系材料膜は、比較例１で成膜したＳｉＯＮ
系材料膜に比べて、光学定数及び膜厚ともに、基板面内
均一性に優れている。
【００２３】さらに、実施例１及び比較例１で成膜した
ＳｉＯＮ系材料膜について、スイングレシオを求めた。
なお、スイングレシオとは、図３に示すように、フォト
レジストの膜厚に対してフォトレジスト中の光吸収量を
プロットして得られる曲線（スイング・カーブ）におい
て、任意の膜厚ｄにおける該スイング・カーブの振幅Δ
Ａと、図中に破線で示される該スイング・カーブの振幅
の中心線までの高さＡ（すなわち定在波効果が全く無い
場合の光吸収量）との比として定義され、このスイング
レシオの値は小さい方が反射防止効果に優れている。そ
して、このスイングレシオを求めた結果、実施例１で成
膜したＳｉＯＮ系材料膜のスイングレシオは±１．７％
であり、比較例１で成膜したＳｉＯＮ系材料膜のスイン
グレシオは±５．７％であった。したがって、実施例で
成膜したＳｉＯＮ系材料膜は、比較例で成膜したＳｉＯ
Ｎ系材料膜に比べて、反射防止効果に優れている。
ＳｉＯＮ系材料膜について、スイングレシオを求めた。
なお、スイングレシオとは、図３に示すように、フォト
レジストの膜厚に対してフォトレジスト中の光吸収量を
プロットして得られる曲線（スイング・カーブ）におい
て、任意の膜厚ｄにおける該スイング・カーブの振幅Δ
Ａと、図中に破線で示される該スイング・カーブの振幅
の中心線までの高さＡ（すなわち定在波効果が全く無い
場合の光吸収量）との比として定義され、このスイング
レシオの値は小さい方が反射防止効果に優れている。そ
して、このスイングレシオを求めた結果、実施例１で成
膜したＳｉＯＮ系材料膜のスイングレシオは±１．７％
であり、比較例１で成膜したＳｉＯＮ系材料膜のスイン
グレシオは±５．７％であった。したがって、実施例で
成膜したＳｉＯＮ系材料膜は、比較例で成膜したＳｉＯ
Ｎ系材料膜に比べて、反射防止効果に優れている。
【００２４】実施例２ 本実施例では、シリコン基板上に、ゲート酸化膜、Ｐド
ープトポリシリコン、及びＷＳｉx を積層し、この上に
反射防止膜としてＳｉＯＮ系材料膜を、実施例１と同様
な平行平板型プラズマＣＶＤ装置にて、成膜ガスに不活
性ガスを添加して成膜した。
ープトポリシリコン、及びＷＳｉx を積層し、この上に
反射防止膜としてＳｉＯＮ系材料膜を、実施例１と同様
な平行平板型プラズマＣＶＤ装置にて、成膜ガスに不活
性ガスを添加して成膜した。
【００２５】ＳｉＯＮ系材料膜は、膜厚ｄが約２９ｎ
ｍ、複素振幅屈折率の実数部ｎが約２．１２、複素振幅
屈折率の虚数部ｋが約０．５４となるように、以下のよ
うな条件で成膜した。
ｍ、複素振幅屈折率の実数部ｎが約２．１２、複素振幅
屈折率の虚数部ｋが約０．５４となるように、以下のよ
うな条件で成膜した。
【００２６】 成膜装置 ：平行平板型枚葉式プラズマＣＶＤ装置 成膜ガス ：ＳｉＨ4＝ ５０ＳＣＣＭ Ｎ2Ｏ ＝ ５０ＳＣＣＭ Ｈｅ ＝５００ＳＣＣＭ ＲＦパワー ：１９０Ｗ（周波数＝１３．５６ＭＨｚ） 圧力 ：２．５Ｔｏｒｒ（約３３３Ｐａ） 基板温度 ：３６０℃ 電極間距離 ：４００ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） 成膜時間 ：２０秒 以上のように成膜したＳｉＯＮ系材料膜の膜厚均一性を
測定したところ、±３％であり均一性に優れていた。
測定したところ、±３％であり均一性に優れていた。
【００２７】次に、上記ＳｉＯＮ系材料膜上にオフセッ
ト酸化膜を形成した上で、実際にフォトレジストのパタ
ーニングを行った。
ト酸化膜を形成した上で、実際にフォトレジストのパタ
ーニングを行った。
【００２８】前記オフセット酸化膜は、例えば、ＳｉＨ
4／Ｏ2系の減圧ＣＶＤで基板温度約４００℃にて、膜厚
約１７０ｎｍとなるように成膜する。そして、前記オフ
セット酸化膜上に、化学増幅型のポジ型フォトレジスト
（和光純薬社製、商品名：ＷＫＲ−ＰＴ１）を形成し
て、コーティングを施した後、ＫｒＦエキシマステッパ
ーにて露光し、さらにフォトレジストに現像工程を施し
てパターニングを行った。
4／Ｏ2系の減圧ＣＶＤで基板温度約４００℃にて、膜厚
約１７０ｎｍとなるように成膜する。そして、前記オフ
セット酸化膜上に、化学増幅型のポジ型フォトレジスト
（和光純薬社製、商品名：ＷＫＲ−ＰＴ１）を形成し
て、コーティングを施した後、ＫｒＦエキシマステッパ
ーにて露光し、さらにフォトレジストに現像工程を施し
てパターニングを行った。
【００２９】このようにフォトレジストのパターニング
を行ったところ、スイングレシオは±２％にまで改善さ
れ、非常に良好なパターニングが行えた。
を行ったところ、スイングレシオは±２％にまで改善さ
れ、非常に良好なパターニングが行えた。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、ＳｉＯＮ系材料膜を薄くても均一に成膜するこ
とができるため、ＳｉＯＮ系材料膜で反射防止膜を形成
した場合、高い反射防止効果を得ることができる。しか
も、ＳｉＯＮ系材料膜の膜厚分布が均一となるので、基
板面内の表面段差も減少する。
よれば、ＳｉＯＮ系材料膜を薄くても均一に成膜するこ
とができるため、ＳｉＯＮ系材料膜で反射防止膜を形成
した場合、高い反射防止効果を得ることができる。しか
も、ＳｉＯＮ系材料膜の膜厚分布が均一となるので、基
板面内の表面段差も減少する。
【００３１】したがって、エキシマレーザのような短波
長の露光光を用いても、フォトレジストのパターニング
を良好に行うことができる。その結果、フォトリソグラ
フィのプロセスマージンが広がり、特に０．３５μｍ世
代及びそれ以降の世代のＳＲＡＭやＡＳＩＣをはじめと
する半導体装置の歩止まりが向上する。
長の露光光を用いても、フォトレジストのパターニング
を良好に行うことができる。その結果、フォトリソグラ
フィのプロセスマージンが広がり、特に０．３５μｍ世
代及びそれ以降の世代のＳＲＡＭやＡＳＩＣをはじめと
する半導体装置の歩止まりが向上する。
【図１】 本発明に用いられる平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置の一構成例を示す要部側面図である。
Ｄ装置の一構成例を示す要部側面図である。
【図２】 図１に示す平行平板型プラズマＣＶＤ装置の
成膜ガス分散用の多孔板の一例を示す上面図である。
成膜ガス分散用の多孔板の一例を示す上面図である。
【図３】 フォトレジストの膜厚とフォトレジスト中の
光吸収量の関係を示す特性図である。
光吸収量の関係を示す特性図である。
【図４】 従来の平行平板型プラズマＣＶＤ装置の一構
成例を示す要部側面図である。
成例を示す要部側面図である。
１ 排気孔 ２ 成膜室 ３ ヒーター ４ 基板載置電極 ５ ガス噴出孔 ６ ＲＦ電源 ７ 対向電極 ８ 多孔板 ９ 基板 １０ ＳｉＯＮ系材料膜
Claims (2)
- 【請求項１】 成膜室内に配される基板載置電極と、成
膜ガス供給路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔を有
する対向電極との間で発生させたプラズマを用いてＣＶ
Ｄを行うことにより、基板上にＳｉＯＮ系材料膜を成膜
するＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法において、 前記対向電極の内部に成膜ガス分散用の多孔板を配して
前記成膜を行うことを特徴とするＳｉＯＮ系材料膜の成
膜方法。 - 【請求項２】 前記成膜ガスとして不活性ガスを含むガ
スを用いることを特徴とする請求項１記載のＳｉＯＮ系
材料膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17705494A JPH0845928A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17705494A JPH0845928A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845928A true JPH0845928A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16024331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17705494A Pending JPH0845928A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | ＳｉＯＮ系材料膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154502A (ja) * | 1997-05-07 | 1999-02-26 | Applied Materials Inc | エッチング停止層の堆積方法及び装置 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17705494A patent/JPH0845928A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154502A (ja) * | 1997-05-07 | 1999-02-26 | Applied Materials Inc | エッチング停止層の堆積方法及び装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011218 |