JPH0845433A - 放電表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な構造と回路によって高輝度及び高効率
を実現できると共に、アドレス放電とメモリー電極相互
の電圧関係により互いの放電が邪魔されることがなく、
最適な電圧を選択することのできる放電表示装置を提案
しようとするものである。 【構成】 隔壁６を介して互いに交叉する如く近接して
配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極
１、２と、複数の透孔が設けられると共に、その全表面
が絶縁層３ａ、４ａで被覆されてなるメモリー電極３、
４（近接配置された２枚のメモリー電極３、４）とを有
し、複数の第１及び第２のアドレス電極１、２及びメモ
リー電極３、４が積層されて、放電ガスを有する管体内
に封入されてなることを特徴とする放電表示装置であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はメモリー電極を用いた放
電表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に、従来の放電表示装置（ＰＤＰ：
プラズマディスプレイパネル）のいくつかの例を説明す
る。

【０００３】〔従来例１〕（図１８） 先ず、図１８を参照して、本出願人が特願平４−７４６
０３号及び特願平４−３００２６６号等で提案した放電
表示装置（メモリー電極型ＰＤＰ）（従来例１）を説明
する。図示を省略した前面ガラス板及び背面ガラス板１
１の周辺がフリットガラスによって封止されて構成され
る管体内に下記の構造体が収納されると共に、管体内を
真空にした後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等
又はそれらの混合気体等の放電用気体（ガス）が封入さ
れて構成される。

【０００４】この放電表示装置は、ＸＹマトリックス状
に配列された複数の透孔を有し、その各全面が導電層３
ａ、４ａで覆われた２枚のシート状のメモリー電極３、
４を備え、その２枚のメモリー電極３、４が、その各透
孔が連通して放電セルを形成するように重ね合わされ、
それぞれ互いに平行に配され、それぞれ複数のＸＹマト
リクス状に配されたストライプ状の第１及び第２のアド
レス電極（その一方及び他方がそれぞれアノード、カソ
ードとなる）１、２が互いに交差するように所定間隔を
置いて配され、その複数の第１及び第２のアドレス電極
１、２間に、その各交点が各放電セルと対応するよう
に、重ね合わされた一対の２枚のメモリー電極３、４が
配されて、放電ガスを有する管体内に封入される。複数
の第１及び第２のアドレス電極１、２の内の選択された
第１及び第２のアドレス電極１、２間に所定電圧が印加
されて、その交点に位置する放電セル（放電空間）内に
放電が発生せしめられると共に、一対の２枚のメモリー
電極３、４間に所定交流電圧が印加されてその放電が維
持せしめられるようにしたものである。

【０００５】ここで、この放電表示装置の動作を説明す
る。始めに、第１のアドレス電極（アノード）１及び第
２のアドレス電極（カソード）２間の放電によって、放
電セル内に画像信号の書き込みによる放電が励起される
と、管体内のイオン、電子等の荷電粒子は、印加される
交流電圧による２枚のメモリー電極３、４の極性に応じ
て、それぞれの貫通孔内に引かれ、その内面の絶縁層３
ａ、４ａの表面に蓄積して、壁電荷が形成されが、その
後、印加される交流電圧による２枚のメモリー電極３、
４の極性が反転すると、その間の電位差は印加される交
流電圧に壁荷電に基づく電圧が重畳されて高く成るの
で、２枚のメモリー電極３、４の各貫通孔間で放電が生
じ、以下この現象が繰り返されることにより、放電セル
内に信号の書き込みによる各貫通孔から成る放電セル内
における放電が維持される。要するに、第１及び第２の
アドレス電極の交点に選択的に発生した補助的放電を、
一対の２枚のメモリー電極３、４に移行して、維持パル
スのみで継続的に発光させるようにしたものである。

【０００６】かかる図１８の放電表示装置によれば、複
数の第１及び第２のアドレス電極（アノード及びカソー
ド）１、２は従来のＤＣ型ＰＤＰの電極と同様に、その
各電極上に絶縁層の形成を必要とせず、放電がメモリー
電極３、４に設けた透孔内で生じるので、基本的には隔
壁（バリアリブ）を必要とせず、駆動回路もＤＣ型ＰＤ
Ｐと同様の回路が使用できるので、構造が簡単で量産性
に優れ、高解像度化及び大型化が容易で、駆動が簡単で
その駆動回路が簡単と成り、しかも、低廉化が容易と成
る。

【０００７】〔従来例２〕（図１９） 次に、図１９を参照して、従来の放電表示装置（３電極
面放電型ＰＤＰ）（従来例２）を説明する。図示を省略
した前面ガラス板及び背面ガラス板１１の周辺がフリッ
トガラスによって封止されて構成される管体内に下記の
構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はそれらの混合
気体等の放電用気体（ガス）が封入されて構成される。

【０００８】背面ガラス板１１上に、互いに平行に配さ
れた一対メモリー電極としてのそれぞれストライプ状の
メモリー電極（Ｘ１電極）２及びアドレス電極を兼ねた
メモリー電極（Ｘ２電極）２′の組が複数互いに平行に
配され、その複数の組のＸ１電極２及びＸ２電極２′の
上を含めて背面ガラス板１１上の前面に絶縁層９が被着
形成される。絶縁層９上に、複数の組のメモリー電極
（Ｘ２電極）２及びメモリー電極（Ｘ２電極）２′と直
交する如く複数の隔壁６が設けられ、その各隔壁上６上
に、複数の組のＸ２電極２及びＸ２電極２′と直交し、
互いに平行となるように、ストライプ状の複数のアドレ
ス電極（電極Ｙ）１が配される。

【０００９】ここで、この放電表示装置の動作を説明す
る。始めに、アドレス電極（Ｙ電極）１及びアドレス電
極（Ｘ２電極）２′間の放電によって、放電セル内に画
像信号の書き込みによる放電が励起されると、このとき
に生ずる電荷をメモリー電極２、２′に所謂壁電荷とし
て絶縁層９上に蓄積される。要するに、アドレス放電を
メモリー放電に移行させ、そのメモリー放電を継続する
ようにしている。

【００１０】〔従来例〕（図２０） 次に、図２０を参照して、従来の放電表示装置（タウン
ゼント放電パルスメモリー型ＰＤＰ）（特開昭６１−２
７３８３２号公報〈特願昭６０−１１４０７８号〉等参
照）（従来例３）について説明する。これは放電空間を
２分し、表示に無関係なセル下部で放電間隙の短いアド
レス放電（補助放電）を生じさせ、そのアドレス放電を
比較的長い放電間隙を持つメモリー放電（表示放電）に
移行させ、発光効率を高めるようにしたものである。

【００１１】前面ガラス板１２及び背面ガラス板１１の
周辺がフリットガラスによって封止されて構成される管
体内に下記の構造体が収納されると共に、管体内を真空
にした後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又は
それらの混合気体等の放電用気体（ガス）が封入されて
構成される。

【００１２】背面ガラス板１１上に抵抗層１５が被着形
成され、その上にスペーサ８ｆが被着形成され、上部か
ら下部へ順次積層されたスペーサ８ｂ〜８ｅを貫通する
如く形成された補助放電空間１０′の底部であるスペー
サ８ｆ上に所定間隔を置いて互いに平行に配されたスト
ライプ状の複数のアドレス電極（カソード）１３が被着
形成される。尚抵抗層１５は、このカソード１３に直列
接続される。又、補助放電空間１０′内のスペーサ８ｂ
の下面に、複数のカソード１３と互いに交叉する如く、
所定間隔を置いて互いに平行に配された複数の（アドレ
ス電極）補助アノード１４が被着形成される。

【００１３】スペーサ８ｂの上には、スペーサ８ｂ〜８
ｆに比べて分厚いスペーサ８ａが被着形成され、そのス
ペーサ８ａに、補助放電空間１０′と連通する表示放電
空間１０が設けられ、その表示放電空間１０の内壁に蛍
光体層７が被着形成されている。そして、スペーサ８ａ
の上面に対向する如く前面ガラス板１２が設けられ、そ
の前面ガラス板１２の下面の全面に透明な表示アノード
５が被着形成されている。

【００１４】次に、この従来例３の放電表示装置の動作
を説明する。複数の補助アノード１４及び複数のカソー
ド１３の内の画像信号に応じて選択された補助アノード
１４及びカソード１３間に所定の直流電圧が印加される
と、補助放電空間１０′内でアドレス放電が生じ、その
後、表示アノード５への電圧の印加によって、放電経路
が表示アノード５及びカソード１３間に移行する。

【００１５】この場合、アドレス放電は単にメモリー放
電を励起する補助放電機能しか持たず、メモリー機能は
ない。そして、メモリー作用は表示アノード５に非常に
高い電圧、例えば、５００Ｖ以上の電圧で、パルス幅が
０．５μsec 以下のパルス電圧を断続的に印加するいわ
ゆるパルスメモリー方式を採用している。従って、この
場合の駆動回路は頗る複雑で高価なものとなる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】図１８で説明した従来
例１のメモリー電極型放電表示装置を、その必要部分に
３原色の蛍光体層を設けてカラー放電表示装置にする場
合には、蛍光体層の発光の効率及び輝度の向上並びにそ
の発光表示のコントラストの改善が必要となる。

【００１７】ＰＤＰに限らず、ガス放電管では、蛍光灯
のように、放電空間の放電経路の長さを長くし、その放
電空間に近接した部位に蛍光体層を被着形成することに
より、放電空間に発生した陽光柱から効率良く紫外線が
発生し、その紫外線が効率良く蛍光体層に照射されるの
で、高効率及び高輝度の発光が実現できる。

【００１８】しかし、従来例１の放電表示装置におい
て、放電経路を長くしようとすると、放電電圧を高くし
なければならないので、駆動に問題がある。

【００１９】又、従来例１のメモリー電極型放電表示装
置では、ＡＣ型ＰＤＰと同様に、メモリー放電による画
面を初期状態に戻して、次の画面を書き込む準備をする
所謂リセット放電が、両メモリー電極間で一旦全面放電
を起こすことによって行われ、このメモリー放電が発光
の主たる光源である限り、コントラストの向上もあまり
望めない。

【００２０】更に、従来例１のメモリー電極型放電表示
装置では、ＸＹマトリクスを構成する一対のアドレス電
極の間にメモリー電極があるので、一対のアドレス電
極、即ち、アノード及びカソード間の距離が、メモリー
電極の厚さで規定されるため、アドレス放電に最適な電
極間距離を設定することが困難であった。又、メモリー
電極の電位は、アドレス放電を阻止するように働くた
め、アドレス放電の電圧が高くなる傾向にあった。この
傾向はメモリー電極の孔の直径が小さくなる程顕著で、
これが解像度の向上の妨げなっていた。

【００２１】又、放電管としての効率を上げるための有
効な手段として、メモリー電極の孔の直径をできるだけ
小さくして、ホロー効果を活用する場合があるが、従来
例１のメモリー電極型放電表示装置では、孔の直径が小
さくなるに従って、アドレス電圧が高くなり、事実上効
率を上げることはできない。

【００２２】更に、従来例１のメモリー電極型放電表示
装置では、２枚のメモリー電極の各孔を１対１に対応さ
せなければならないで、その位置合わせが困難であっ
た。

【００２３】図１９で説明した従来例２の三電極面放電
型放電表示装置（ＰＤＰ）では、メモリー放電は近接し
て平行する如く配された対のメモリー電極間で行われる
ので、長い放電経路を持たせることは不可能であり、こ
のため発光効率と輝度の向上はあまり望めない。三電極
面放電型放電表示装置では、ＡＣ型ＰＤＰ及び上述の従
来例１のメモリー電極型放電表示装置と同様に、メモリ
ー放電による画面を初期状態に戻して、次の画面を書き
込む準備をする所謂リセット放電が、両メモリー電極間
で一旦全面放電を起こすことによって行われ、このメモ
リー放電が発光の主たる光源である限り、コントラスト
の向上もあまり望めない。

【００２４】図２０で説明した従来例３のタウンゼント
放電パルスメモリー型放電表示装置（ＰＤＰ）では、ア
ドレス放電は単にメモリー放電を励起する補助放電機能
しか持たず、メモリー機能はなく、メモリー作用は表示
陽極に非常に高い電圧（例えば、５００Ｖ以上）で、パ
ルス幅の非常に短い（例えば、０．５μsec 以下）パル
スを印加して行うパルスメモリー方式を採用しているた
め、駆動回路が複雑なため高価になる。

【００２５】上述の点に鑑み、本発明の第１の目的は、
簡単な構造と回路によって高輝度及び高効率を実現でき
ると共に、アドレス放電とメモリー電極相互の電圧関係
により互いの放電が邪魔されることがなく、最適な電圧
を選択することのできる放電表示装置を提案しようとす
るものである。

【００２６】本発明の第２の目的は、メモリー放電と、
主放電、即ち、発光表示に寄与する放電とを、簡単な構
造と駆動方法で分離することができ、これによって、コ
ントラストの改善と、輝度及び発光効率の向上を可能に
した放電表示装置を提案しようとするものである。

【００２７】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１及
び図２に示す如く、隔壁６を介して互いに交叉する如く
近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレ
ス電極１、２と、複数の透孔が設けられると共に、その
全表面が絶縁層３ａ、４ａで被覆されてなるメモリー電
極３、４（近接配置された２枚のメモリー電極３、４）
とを有し、複数の第１及び第２のアドレス電極１、２及
びメモリー電極３、４が積層されて、放電ガスを有する
管体内に封入されてなることを特徴とする放電表示装置
である。

【００２８】第２の本発明は、図８及び図９に示す如
く、隔壁６を介して互いに交叉する如く近接して配され
たそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極１、２
と、複数の透孔が設けられると共に、その全表面が絶縁
層で被覆されてなるメモリー電極３、４（近接配置され
た２枚のメモリー電極３、４）と、そのメモリー電極
３、４の複数の透孔にそれぞれ対応した複数の透孔を有
し、その複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層７が被着
形成されたスペーサ８と、共通電極５とを有し、複数の
第１及び第２のアドレス電極１、２、メモリー電極３、
４、スペーサ８及び共通電極５が順次積層されて、放電
ガスを有する管体内に封入されてなることを特徴とする
放電表示装置である。

【００２９】第３の本発明は、図１２及び図１３に示す
如く、隔壁６を介して互いに交叉する如く近接して配さ
れたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極１、２
と、複数の透孔が設けられると共に、その全表面が絶縁
層で被覆されてなるメモリー電極３、４（近接配置され
た２枚のメモリー電極３、４）と、そのメモリー電極
３、４のの複数の透孔にそれぞれ対応した複数の透孔を
有し、メモリー電極３、４とは反対側の面上に蛍光体層
７が被着形成されたスペーサ８と、共通電極５とを有
し、複数の第１及び第２のアドレス電極１、２、メモリ
ー電極３、４、スペーサ８及び共通電極５が順次積層さ
れて、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを
特徴とする放電表示装置である。

【００３０】第４の本発明は、第１、第２又は第３の本
発明の放電表示装置において、図５及び図６に示す如
く、複数の第１及び第２アドレス電極１、２にて構成さ
れる各格子孔に対し、メモリー電極３、４の複数の透孔
が対向するように構成される。

【００３１】第５の本発明は、第１、第２、第３又は第
４の本発明の放電表示装置において、図７に示す如く、
メモリー電極３、４を隔壁６として使用し、その両面の
絶縁層上に複数の第１及び第２のアドレス電極１、２が
被着形成される。

【００３２】第６の本発明は、図１４及び図１５に示す
如く、絶縁装置９上に被着形成された、互いに近接配置
された第１のメモリー電極２及び第２のメモリー電極を
兼ねた第２のアドレス電極２′の複数の組と、絶縁装置
９及び隔壁６を介して、複数の第２のアドレス電極２′
と交叉する複数の第１のアドレス電極１と、複数の第１
及び第２のアドレス電極１、２にて構成される複数の格
子孔に対応したた複数の透孔を有し、その複数の透孔の
内壁にそれぞれ蛍光体層７が被着形成されたスペーサ８
と、共通電極５とを有し、絶縁装置９上に被着形成され
た、互いに近接配置された第１及び第２のメモリー電極
２、２′の複数の組、複数の第１のアドレス電極１、ス
ペーサ８及び共通電極５が順次積層されて、放電ガスを
有する管体内に封入されてなることを特徴とする放電表
示装置である。

【００３３】

【作用】第１の本発明の作用を説明する。複数の第１及
び第２のアドレス電極１、２のうち、画像信号に応じて
選択された第１及び第２のアドレス電極１、２間に放電
に充分な直流電圧が印加され、放電空間１０内がイオ
ン、電子又は準安定原子で満たされ、プラズマ状態の放
電空間の電位は、第１及び第２のアドレス電極１、２の
うちのカソードとなる電極に対して略放電維持電圧とな
る。このような状態で、メモリー電極３、４のそれぞれ
の電位を、プラズマ電位よりも高く維持するか、又は、
低く維持するかによって、メモリー電極３、４の絶縁層
３ａ、４ａの表面に蓄積された電荷の極性及び量が変わ
ってくる。即ち、アドレス放電中、メモリー電極３、４
の電位を高く維持すると、負の空間電荷、即ち、電子
が、又、低くすると正の空間電荷、即ち、イオンがそれ
ぞれメモリー電極３、４の絶縁層３ａ、４ａの表面に引
き付けられて、壁電荷として蓄積される。蓄積される壁
電荷の量は、メモリー電極３、４の電位とプラズマ電位
との差、絶縁層３ａ、４ａの誘電率、厚さ等によって決
まる。

【００３４】そこで、第１及び第２のアドレス電極１、
２のアドレス放電による壁電荷を、画像信号に基づく位
置の情報としてメモリー電極３、４に記憶させるには、
例えば、アドレス放電中の２枚のメモリー電極３、４の
うちの一方の電位を高く、他方の電位を低く保てば良
い。即ち、アドレス放電の起きた画素、即ち、放電空間
１０の壁面に壁電荷が形成され、アドレス放電の起きな
い画素、即ち、放電空間１０には壁電荷は形成されない
ので、アドレス期間終了後にメモリー電極３、４維持パ
ルスを印加することによって、画像表示ができ、次のア
ドレス放電までの間、その表示はメモリー表示となる。
アドレス放電期間中にメモリー電極３、４の電位を共に
同電位、例えば、プラズマ電位と同じにすると、両者の
電位差は０であるから、既存の壁電荷は空間電荷によっ
て消去される。このような方法でも、画像情報を壁電荷
の分布状態としてメモリー電極３、４上に蓄積できる。

【００３５】

【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の各実施例
を説明する。

【００３６】〔実施例１〕（図１〜図４） 先ず、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１及び
図２を参照して、本発明の実施例１を説明する。この放
電表示装置は、前面ガラス板１２及び背面ガラス板１１
の周辺がフリットガラスによって封止されて構成された
管体内に下記の構造体が収納されると共に管体内を真空
にした後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又は
これらの混合気体等の放電用気体（ガス）（２００torr
〜４００torr）が封入されて構成されたＰＤＰである。

【００３７】背面ガラス板１１上に、一定間隔を置いて
平行に配されたストライプ状の複数のアドレス電極（Ｘ
電極）２を被着形成する。その被着形成は、スクリーン
印刷法等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜技術で容
易に実現できる。この複数のアドレス電極２と略直交す
る如く、背面ガラス板１１上及びアドレス電極２上に亘
って、一定間隔を置いて平行に配された複数の隔壁（絶
縁体からなる）６を被着形成する。この複数の隔壁６
は、スクリーン印刷の繰り返しによって、所定の高さの
ものを得る。複数の隔壁６上にそれぞれストライプ状の
複数のアドレス電極（Ｙ電極）１を被着形成する。その
被着形成方法は、アドレス電極２と同様である。かくし
て、それぞれ複数のアドレス電極１、２は互いに略直角
となるように、所定間隔を置いて配される。

【００３８】隔壁６の厚さは、ガス圧、ガス組成、画素
ピッチ等考慮して最適に設定するが、一般には８０μｍ
〜２００μｍ程度である。尚、隔壁６は、隣接画素間の
クロストークを確実に回避するために、格子状に形成し
ても良い。

【００３９】複数のアドレス電極１、２はいずれがアノ
ード及びカソードであっても構わない。但し、放電を複
数の隔壁６のどちらか一方の側から起こさせる必要か
ら、複数の隔壁６の上側に配される複数のアドレス電極
１は、それに対応して、その片側を絶縁層で被覆しても
良い。

【００４０】３、４はそれぞれ格子状の一対のメモリー
電極で、それぞれの全面が絶縁層３ａ、４ａで被覆され
ている。この２枚のメモリー電極３、４は、マトリクス
状に配列された複数の矩形の透孔（格子孔）を有する導
電層、即ち、ステンレススチール、アルミニウム、ニッ
ケル等の金属又は金属の合金の板をエッチング等によっ
て形成されたメッシュ状の導電板からなり、その全表面
が、例えば、ガラス粉末のペーストの吹き付け、浸漬等
によって塗布された後、それを高温で焼成して、絶縁層
３ａ、４ａを形成する。絶縁層３ａ、４ａは、上述の金
属又は合金からなるのメモリー電極３、４自体の表面を
酸化して形成するようにしても良い。

【００４１】これらの２枚のメモリー電極３、４は、そ
の各格子がアドレス電極１、２と対応するように、その
形状及び対向位置が設定される。上側メモリー電極３上
には、前面ガラス板１２が配される。尚、２枚のメモリ
ー電極３、４の透孔の形状は、正方形、矩形等に限ら
ず、円形、楕円等も可能である。

【００４２】ガラス板１１、１２間には、それぞれ複数
のアドレス電極１、２の交叉による正方形又は矩形の孔
並びに２枚のメモリー電極３、４の各孔が連通して、放
電空間１０が形成されるように、位置合わせが行われ
る。そして、前面ガラス板１２の各放電空間１０に対応
する部分に、蛍光体層７が被着形成されている。この蛍
光体層７は、単色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方
向に順次繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体である。

【００４３】次に、この実施例１の放電表示装置の動作
の概要を説明する。複数の第１及び第２のアドレス電極
１、２のうち、画像信号に応じて選択された第１及び第
２のアドレス電極１、２間に放電に充分な直流電圧が印
加され、放電空間１０内がイオン、電子又は準安定原子
で満たされ、プラズマ状態の放電空間の電位は、第１及
び第２のアドレス電極１、２のうちのカソードに対して
略放電維持電圧となる。このような状態で、メモリー電
極３、４のそれぞれの電位を、プラズマ電位よりも高く
維持するか、又は、低く維持するかによって、メモリー
電極３、４の絶縁層３ａ、４ａの表面に蓄積された電荷
の極性及び量が変わってくる。即ち、アドレス放電中、
メモリー電極３、４の電位を高く維持すると、負の空間
電荷、即ち、電子が、又、低くすると正の空間電荷、即
ち、イオンがそれぞれメモリー電極３、４の絶縁層３
ａ、４ａの表面に引き付けられて、壁電荷として蓄積さ
れる。蓄積される壁電荷の量は、メモリー電極３、４の
電位とプラズマ電位との差、絶縁層３ａ、４ａの誘電
率、厚さ等によって決まる。

【００４４】そこで、第１及び第２のアドレス電極１、
２のアドレス放電による壁電荷を、画像信号に基づく位
置の情報としてメモリー電極３、４に記憶させるには、
例えば、アドレス放電中の２枚のメモリー電極３、４の
うちの一方の電位を高く、他方の電位を低く保てば良
い。即ち、アドレス放電の起きた画素、即ち、放電空間
１０の壁面に壁電荷が形成され、アドレス放電の起きな
い画素、即ち、放電空間１０には壁電荷は形成されない
ので、アドレス期間終了後にメモリー電極３、４維持パ
ルスを印加することによって、画像表示ができ、次のア
ドレス放電までの間、その表示はメモリー表示となる。
アドレス放電期間中にメモリー電極３、４の電位を共に
同電位、例えば、プラズマ電位と同じにすると、両者の
電位差は０であるから、既存の壁電荷は空間電荷によっ
て消去される。このような方法でも、画像情報を壁電荷
の分布状態としてメモリー電極３、４上に蓄積できる。

【００４５】次に、この実施例１の放電表示装置の動作
を図３及び図４を参照して、詳細に説明する。先ず、図
３に示すの駆動方法について説明する。メモリー電極
３、４の各格子孔の絶縁層３ａ、４ａの表面に壁電荷が
ないことが前提で、駆動に際してはアドレス信号の印加
以前に消去放電を行うなどして画面上の全放電セル又は
ライン上の全放電セルの壁電荷の消去を行う。その壁電
荷の具体的な方法は、アドレス電極１、２に信号を印加
しない状態で、メモリー電極３、４間に十分な電圧を印
加して、画面上の全放電セル又はライン上の全放電セル
に放電を起こさせ、その後直ちにメモリー電極３、４の
電位を共に放電空間電位と同じ電圧に維持する。これに
よって、壁電荷は消滅すると共に、新たな壁電荷を蓄積
されない。

【００４６】壁電荷がない状態で、図３Ｃ、Ｄに示す如
く、メモリー電極３に放電空間電位（例えば、１００
Ｖ）よりも高い電圧、例えば、１５０Ｖの電圧を印加す
ると共に、メモリー電極４に放電空間電位よりの低い電
圧、例えば、５０Ｖの電圧を印加した状態で、図３Ａに
示す如く、アドレス電極１にアドレス放電に十分な電圧
である２００Ｖの正電圧を印加すると共に、図３Ｂに示
す如く、アドレス電極２に接地電位を与える。アドレス
放電によって発生した負電荷が壁電荷としてメモリー電
極３の上の絶縁層３ａ上に帯電し、正電荷が壁電荷とし
てメモリー電極４の絶縁層４ａ上に帯電する。その後、
アドレス電極１に対する電圧は、図３Ａに示す如く、約
１００Ｖに低下する。アドレス電極２は、不要な放電が
起きないバイアス電圧、例えば、１００Ｖに保持されて
いるので、他のセル（画素）（放電空間）へのアドレス
信号電圧が他のセル（画素）（放電空間）のアドレスＸ
電極（アノード）１に印加されても、壁電荷はそのまま
維持される。

【００４７】１画面のアドレッシングが終り、アドレス
放電は、アドレス電極１、２が共にガス空間中に露出し
ているので、通常のＤＣ型ＰＤＰと同様に線順次駆動が
行われる。図３Ｃ、Ｄに示す如く、アドレス期間中はメ
モリー電極３に放電空間電位（例えば、約１００Ｖ）よ
り高い電圧である１５０Ｖが印加され、メモリー電極４
には放電空間電位より低い電圧である５０Ｖが印加され
ているので、アドレス放電の開始には影響しない。この
状態でアドレス放電が起きると、発生した荷電粒子はメ
モリー電極３、４上の絶縁層３ａ、４ａ上に帯電して壁
電荷を形成する。

【００４８】そして、上述の各電極の電位配分によっ
て、メモリー電極３には負電荷が、メモリー電極４には
正の壁電荷が形成される。このアドレス動作は線順次
で、例えば、最上部のラインから最下部まで行われる。

【００４９】メモリー期間では、図３Ｃ、Ｄに示す如
く、メモリー電極３、４に、それぞれ最高電圧が１５０
Ｖ、最低電圧が５０Ｖの互いに逆極性の交流電圧（１０
０Ｖの直流電圧に振幅が５０Ｖの交流電圧が重畳された
電圧）が放電維持パルスとして印加され、アドレス放電
によって発生した壁電荷の蓄積による電界が維持パルス
に重畳されたセルは放電し、アドレスされずに壁電荷の
蓄積されなかったセルは放電しない。かくして、画面に
は画像情報に従ってこの期間放電が持続する。

【００５０】次に、図４の駆動方法について説明する。
この駆動方法では、メモリー電極３、４の格子孔の絶縁
層３ａ、４ａの表面に一様に壁電荷が蓄積されているこ
とが前提であるので、駆動に際してはアドレス信号の印
加以前にメモリー電極３、４にリセットパルスを印加し
て、メモリー電極３、４の画面上の全放電セル又はライ
ン上の全放電セル内に放電を起こして、その各放電セル
内の絶縁層７の表面に壁電荷を形成しておく。このリセ
ットパルスの印加による壁電荷形成の具体的な方法は、
メモリー電極３、４間に放電を開始するに十分なリセッ
トパルス電圧を印加して、リセット放電による荷電粒子
が放電セル内存在する期間その電圧をそのまま維持する
か、又は、メモリー電極３、４それぞれを少なくとも放
電空間電位よりも高い電圧（例えば、１５０Ｖ）と低い
電圧（例えば、５０Ｖ）を印加すれば、その各放電セル
内の壁電荷はそのまま保持される。そして、それから所
定時間後に、荷電粒子が存在しなく成ってから、メモリ
ー電極３、４に放電空間電位と略等しい１００Ｖの電圧
を印加すれば、その後もその各放電セル内の壁電荷はそ
のまま保持される。

【００５１】図４Ｃ、Ｄに示す如く、メモリー電極３、
４が共に約１００Ｖに保持され、メモリー電極３の放電
空間１０の絶縁層３ａ上には負の壁電荷が蓄積され、メ
モリー電極４の放電空間１０の絶縁層４ａ上には正の壁
電荷が蓄積されており、この状態で、図４Ａに示す如
く、アドレス電極１にアドレス放電に十分な電圧である
２００Ｖの正電圧を印加すると共に、図４Ｂに示す如
く、アドレス電極２に接地電位を与える。この放電によ
って発生した荷電粒子がメモリー電極３、４の絶縁層３
ａ、４ａ上の壁電荷と再結合して、壁電荷を消滅せしめ
られる。その後、図４Ａに示す如く、アドレス電極１に
対する電圧は、約１００Ｖに低下するが、図４Ｃ、Ｄに
示す如く、メモリ電極極３、４は同じバイアス電圧の約
１００Ｖに保持され、壁電荷のためメモリー電極３の表
面はそれより低い電圧である５０Ｖに、又、メモリー電
極４の表面はそれより高い１５０Ｖ程度に成っているの
で、放電した空間の正負の荷電粒子はそれぞれメモリー
電極３、４に引っ張られて、メモリー電極３、４の各放
電空間１０の絶縁層３ａ、４ａの壁電荷と再結合を起こ
す。この後、アドレス信号は順次に次の放電空間に移っ
て行くが、その間両メモリー電極３、４の電圧は同じ状
態に保持されるので、新たな放電が起きない限り、各放
電空間の壁電荷の状態はそのまま維持される。

【００５２】１画面のアドレッシングが終り、メモリー
電極３、４間にメモリー放電のための維持パルスが印加
されている状態では、通常のＡＣ型ＰＤＰの動作と同様
に、維持パルスに壁電荷による電界が重畳されるセルは
放電し、アドレスされずに壁電荷の蓄積がなかったセル
は放電しない。即ち、アドレス放電により発生した荷電
粒子がメモリー電極３、４の絶縁層７上の壁電荷と再結
合してこれを消滅せしめる。アドレス放電の起こらなか
ったセルの壁電荷はそのまま残る。

【００５３】さて、アドレス期間に各セルに画面情報に
従った壁電荷が形成されるメモリー期間では、図４Ｃ、
Ｄに示す如く、メモリー電極３、４間に、最高電圧が１
５０Ｖ、最低電圧が５０Ｖの交流電圧（１００Ｖの直流
電圧に重畳されている）が放電維持パルスとして印加さ
れるが、壁電荷の存否により、維持パルスに壁電荷によ
る電界が重畳される放電空間はは放電し、壁電荷の消去
されたセルは放電しない。かくして、ＰＤＰの画面には
画像情報に従って、各画素に対応した放電空間１０毎に
メモリー期間中、点灯、非点灯が持続する。

【００５４】〔実施例２〕（図５及び図６） 先ず、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図５及び
図６を参照して、本発明の実施例２を説明するも、これ
は図１及び図２の実施例１の変形例であって、実施例１
と異なるところは、２枚のメモリー電極３、４の格子孔
の径が、複数のアドレス電極１、２から構成される格子
の孔に比べて小さくなるように設定されており、複数の
アドレス電極１、２で形成される１個の格子孔（正方
形、矩形、円形、楕円等が可能である）に対して、２枚
のメモリー電極３、４の各格子孔がそれぞれ複数個、こ
こでは９個が対応するようになされている。

【００５５】複数のアドレス電極１、２から構成される
格子の孔に、２枚のメモリー電極３、４の格子の多数の
孔が対応するようした場合は、アドレス電極１、２に対
する一対の２枚のメモリー電極３、４の位置合わせは不
要となる。この場合、複数のアドレス電極１、２から構
成される格子の孔と、複数の２枚のメモリー電極３、４
の格子の孔と径の違いにによる再生画像のモアレ縞を回
避するために、複数のアドレス電極１、２から構成され
る格子の孔の配列方向と、複数の２枚のメモリー電極
３、４の格子の孔の配列方向との間に、３０°〜４５°
程度の角度差を設けるを可とする。

【００５６】一対の２枚のメモリー電極３、４の孔の直
径を約５０μｍ程度に設定することは容易であるが、こ
のようにすると、ホロー効果により、その孔の中でのカ
ソードからの２次電子放射効率が高くなり、このため放
電維持電圧が低下して消費電圧が低下する。

【００５７】蛍光体層７は、図６に示す如く、前面ガラ
ス板１２の放電空間１０と対応する部分に被着形成する
が、その代わり又はこれと共に、２枚のメモリー電極
３、４間に、これら２枚のメモリー電極３、４と同様の
構成のものを、これら３者の孔が一致するように積層
し、中間の電極の孔（絶縁層で被覆されている）内壁に
蛍光体層を被着形成することもできる。この蛍光体層７
も、単色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次
繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体である。

【００５８】尚、実施例２の放電表示装置の動作は、実
施例１と同様である。

【００５９】〔実施例３〕（図７） 次に、隔壁及びアドレス電極を示す図７を参照して、本
発明の実施例３を説明する。実施例１、２における隔壁
６は、複数のアドレス電極１に対応して設けられたスト
ライプ状の複数の隔壁から構成されていたが、図７で
は、隔壁６を格子状に形成し、その下面に複数のアドレ
ス電極２を被着形成し、その上面に複数のアドレス電極
１を被着形成して、アドレス電極１、２が互いに略直交
するようにする。この隔壁６としては、全体として絶縁
体で構成する他に、全表面が絶縁層３ａ、４ａで被覆さ
れたメモリー電極３、４を利用しても良い。その場合に
は、複数のアドレス電極１、２間の耐圧を高くするため
に、メモリー電極として使用する場合に比し、絶縁層３
ａ、４ａを厚くする。

【００６０】この場合、複数のアドレス電極１、２の幅
は、隔壁６のアドレス電極１、２の形成されている面の
幅より狭くすることによって、隣接画素間のクロストー
クを回避し得る。又、その複数のアドレス電極１、２
を、隔壁６のアドレス電極１、２の形成されている面の
幅方向において一方の向きに変位させると、隣接画素間
のクロストークは一層起こり難くなる。

【００６１】〔実施例４〕（図８〜図１１） 放電表示装置の斜視図及び断面図をそれぞれ示し図８及
び図９並びにタイミングチャート及び放電経路をそれぞ
れ示す図１０及び図１１を参照して、本発明の実施例４
を説明する。

【００６２】先ず、図８及び図９を参照して、この実施
例４の放電表示装置の構造を説明する。この放電表示装
置は、前面ガラス板１２及び背面ガラス板１１の周辺が
フリットガラスによって封止されて構成され、管体内に
下記の構造体が収納されると共に管体内を真空にした後
ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はこれらの
混合気体等の放電用気体（ガス）（２００torr〜４００
torr）が封入されて構成されたＰＤＰである。

【００６３】背面ガラス板１１上に、一定間隔を置いて
平行に配されたストライプ状の複数のアドレス電極（Ｘ
電極）２を被着形成する。その被着形成は、スクリーン
印刷法等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜技術で容
易に実現できる。この複数のアドレス電極２上と略直交
する如く、背面ガラス板１１上及びアドレス電極２上に
亘って、一定間隔を置いて平行に配された複数のストラ
イプ状の隔壁（絶縁体からなる）６を被着形成する。こ
の複数の隔壁６は、スクリーン印刷の繰り返しによっ
て、所定の高さのものを得る。複数の隔壁６の高さは、
ガス圧、ガス組成、画素ピッチ等によって最適な値が選
ばれる。複数の隔壁６上にそれぞれストライプ状の複数
のアドレス電極（Ｙ電極）１を被着形成する。その被着
形成方法は、アドレス電極２と同様である。かくして、
それぞれ複数のアドレス電極１、２は互いに略直角とな
るように、所定間隔を置いて配される。

【００６４】隔壁６の厚さは、ガス圧、ガス組成、画素
ピッチ等考慮して最適に設定するが、一般には８０μｍ
〜２００μｍ程度である。尚、隔壁６は、隣接画素間の
クロストークを確実に回避するために、格子状に形成し
ても良い。

【００６５】複数のアドレス電極１、２はいずれがアノ
ード及びカソードであっても構わない。但し、放電を複
数の隔壁６のどちらか一方の側から起こさせる必要か
ら、複数の隔壁６の上側に配される複数のアドレス電極
１は、それに対応して、隔壁６の片側に変位させるよう
にする。

【００６６】３、４はそれぞれ格子状の一対のメモリー
電極で、それぞれの全面がそれぞれ絶縁層３ａ、４ａで
被覆されている。この２枚のメモリー電極３、４は、マ
トリクス状に配列された複数の矩形の透孔を有する導電
層、即ち、ステンレススチール、アルミニウム、ニッケ
ル等の金属又は金属の合金の板をエッチング等によって
形成されたメッシュ状の導電板からなり、その全表面
が、例えば、ガラス粉末のペーストの吹き付け、浸漬等
によって塗布された後、それを高温で焼成して、絶縁層
３ａ、４ａを被覆したものである。絶縁層３ａ、４ａ
は、上述の金属又は合金からなる２枚のメモリー電極
３、４自体の表面を酸化して形成するようにしても良
い。

【００６７】これらの２枚のメモリー電極３、４は、そ
の各格子がアドレス電極１、２によって形成される各格
子と対応するように、その形状及び対向位置が設定され
る。上側メモリー電極３上には、前面ガラス板１２が配
される。尚、２枚のメモリー電極３、４の格子孔の形状
は、正方形、矩形等に限らず、円形、楕円等が可能であ
る。

【００６８】複数のアドレス電極１、２によって形成さ
れる格子の孔、２枚のメモリー電極３、４それぞれの格
子孔と、格子孔が連通するように、上側のメモリー電極
３の上に、分厚な格子状のスペーサ８が配される。そし
て、そのスペーサ８の格子孔の壁面に蛍光体層７が被着
形成られる。このスペーサ８は、前面ガラス板１２の下
面にスクリーン印刷等によって形成することもできる
が、絶縁板をエッチングしたもの、金属板を成形したも
の等も可能であり、又、複数枚の板を積層したものでも
良い。

【００６９】スペーサ８の高さは、駆動条件によってそ
の最適値が選択されるが、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度
である。スペーサ８の高さが高い程、後述する表示アノ
ード５に印加する電圧が高くなるが、その高さが通常
１．５ｍｍ程度から陽光柱が現れて紫外線放射が強くな
って輝度が高くなる。

【００７０】前面ガラス板１２の下面に、酸化錫や酸化
インジュウム錫等の透明導電層からなる表示アノード５
が配される。この表示アノード５は、平面板である他
に、メッシュ状の有孔金属板でも良い。

【００７１】ガラス板１１、１２間には、スペーサ８の
格子孔、それぞれ複数のアドレス電極１、２の交叉によ
る格子孔並びに２枚のメモリー電極３、４の各孔が連通
して、放電空間１０が形成されるように、位置合わせが
行われる。そして、スペーサ８の格子孔の内壁に蛍光体
層７が被着形成されている。この蛍光体層７は、単色蛍
光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次繰り返し配
された赤、緑及び青蛍光体である。この蛍光体層７は、
単色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次繰り
返し配された赤、緑及び青蛍光体である。

【００７２】次に、図１０を参照して、この実施例４の
放電表示装置の動作を説明する。複数のアドレス電極
１、２間の交点のうち画像信号に応じた位置に選択的に
アドレス放電を生じさせる前に、図１０Ｃ及び図１０Ｄ
に示す如く、２枚のメモリー電極３、４間に放電に充分
な電圧を印加してリセット放電を起こさせて、全画面を
一旦同じ状態にリセットする。

【００７３】そして、このリセット放電による空間電荷
が存在している間に、図１０Ｃに示す如く、２枚のメモ
リー電極３、４にリセット放電のために印加した電位の
略中間の電位（これを中間電位と称する）であって、同
じ電位に、２枚のメモリー電極３、４の電位を保持す
る。かくすると、リセット放電による空間電荷のために
両２枚のメモリー電極３、４の絶縁層３ａ、４ａ上の壁
電荷が全て消去されて、全画面に亘って壁電荷のない状
態か、又は、２枚のメモリー電極３、４間に電位差が生
じない透過な壁電荷が残留する状態になる。

【００７４】又、このリセット放電による空間電荷が存
在している間に、図１０Ｄに示す如く、２枚のメモリー
電極３、４の電位を、一方は中間電位より少し高い電位
に、他方は中間電位より少し低い電位に、それぞれ保持
すると、リセット放電による空間電荷はそれぞれの極性
に応じて、２枚のメモリー電極３、４の格子孔の内壁面
に、壁電荷として蓄積されるので、全画面に亘り均一な
壁電荷が形成された状態になる。以上により、画像に応
じた選択的なアドレス放電を行うための初期状態が作ら
れて、リセットが完了する。

【００７５】さて、複数のアドレス電極１、２間の交点
のうち画像信号に応じた位置に選択的にアドレス放電を
生じさせるために、アドレス電極１、２の一方に、図１
０Ａに示す如く画像信号に応じた電圧を与え、他方に順
次走査電圧を与えて、そのアドレス電極１、２間に放電
に充分な電圧が印加される。このアドレス放電が生じる
と、放電空間１０内はイオン、電子又は準安定原子で満
たされ、プラズマ状態の放電空間１０の電位は、カソー
ド１３に対し略放電維持電圧となる電位になる。

【００７６】このような状態の下に、２枚のメモリー電
極３、４のそれぞれ電位を、放電空間電位よりも高く又
は低く維持すからによって、２枚のメモリー電極３、４
の絶縁層３ａ、３ｂの表面に蓄積された電荷の極性及び
量が変わってくる。即ち、アドレス放電中に２枚のメモ
リー電極３、４の電位を高く維持すると、負の空間電
荷、即ち、電子が、又、低くすると、正の空間電荷、即
ち、イオンが２枚のメモリー電極３、４の絶縁層３ａ、
４ａの表面に引き付けられて、壁電荷として蓄積され
る。その電荷の蓄積される量は、２枚のメモリー電極
３、４の電位及びプラズマ電位との差と、絶縁層３ａ、
４ａの誘電率、厚さ等によって決まる。

【００７７】上述したリセット放電によって、２枚のメ
モリー電極３、４の絶縁層３ａ、４ａ上の壁電荷が存在
しない初期状態を想定する。そこで、アドレス放電によ
る壁電荷を画像信号に基づく情報として２枚のメモリー
電極３、４に記憶させるためには、アドレス放電中に、
２枚のメモリー電極３、４の一方３の電位を高く、他方
４の電位を低く保持すれば良いことが分かる。即ち、ア
ドレス放電の生じた画素、即ち、孔の壁面に壁電荷が形
成され、アドレス放電の生じない所には壁電荷は形成さ
れないので、アドレス期間終了後は、２枚のメモリー電
極３、４に図１０Ｃ又はＤに示すパルスを印加するとこ
によって画像表示ができ、次にのアドレス放電までの間
の表示はメモリー表示となる。

【００７８】以上の動作説明は、表示アノード５を考慮
の外に置いた説明で、図１８の従来例１の動作と同様で
あ。次に、表示アノード５を考慮した動作説明を行う。
図１０Ｅに示す如く、リセット期間及びアドレス期間中
には、表示アノード５の電圧を、アドレス電極１、２及
び２枚のメモリー電極３、４に影響与えない低い電圧に
しておく。続いて、アドレス放電期間が終了して、各セ
ルに選択的に壁電荷が形成された状態で、メモリー動作
に移行するが、そのとき、図１０Ｅに示す如く、表示ア
ノード５の電圧を高くする。但し、その表示アノード５
に与える電圧は、２枚のメモリー電極３、４に対し、表
示に無関係な放電を引き起こさない程度で、高くする。
この状態から、アドレス放電期間中に形成された壁電荷
の分布に沿って選択的なメモリー放電を開始する。

【００７９】表示アノード５に印加する電圧（図１０
Ｅ）は、上述したようにリセット及びアドレス期間と、
メモリー期間とで異なるが、その差の電圧はセル（放電
空間）の構造やガス圧等によって異なる。しかし、その
差の電圧は比較的低く、場合によっては、リセット、ア
ドレス及びメモリー期間に亘って、一定の直流電圧（バ
イアス電圧）を表示アノード５に印加することも可能で
ある。

【００８０】次に、図１１を参照して、表示アノード５
の動作を説明する。図１１の放電空間１０は画面の１画
素に対応する放電空間を示す。この場合、この放電空間
は電離した荷電粒子や準安定原子で満たされているの
で、表示アノードの電圧が低くても、２枚のメモリー電
極３、４のうちの低電圧側メモリー電極との間で放電が
生じる。換言すれば、メモリー放電電流に表示アノード
５からの放電電流が加算される。新たな壁電荷が形成さ
れてメモリー放電の半周期が停止しても、次の半周期で
引き続き起こるメモリー放電に対して同様に表示アノー
ド５から電流が供給される。即ち、メモリー放電が継続
している間は、表示アノード５からの電流が２枚のメモ
リー電極３、４側に供給され続ける。更に、別の言い方
をすれば、２枚のメモリー電極３、４間の放電が、表示
アノード５によって、表示アノード５及び２枚のメモリ
ー電極３、４間に引き出されることになる。この放電
は、図１１に図示のように、スペーサ８の格子孔内の蛍
光体層７の被着形成された内壁に沿って生じるので、放
電によって生じる紫外線が蛍光体層７を励起して発光さ
せる。尚、メモリー放電が行われていない画素の放電空
間では、荷電粒子が存在しないので、表示アノード５に
印加される、例えば、２００Ｖ〜３００Ｖ程度の電圧で
は放電は生じない。

【００８１】〔実施例５〕（図１２及び図１３） 次に、本発明の実施例５を、放電表示装置の断面図及び
前面ガラス板を除いた状態の平面図を示す図１２及び図
１３を参照して説明するも、図８及び図９と対応する部
分には、同一符号を付して、重複説明を省略する。この
実施例５の放電表示装置では、スペーサ８を実施例４の
スペーサ８より肉薄にし、格子状の表示アノード５を、
前面ガラス板１２と対向するスペーサ８の上面に被着形
成し、スペーサ８の上面の格子状の表示アノード５を除
く部分に蛍光体層７を被着形成した場合である。放電空
間１０は、格子状の表示アノード５の格子孔に位置す
る。その他の構造及び動作は実施例４の放電表示装置と
同様であるので、重複説明を省略する。

【００８２】〔実施例６〕（図１４〜図１７） 次に、放電表示装置の斜視図及び断面図をそれぞれ示す
図１４及び図１５並びにタイミングチャート及び放電経
路をそれぞれ示す図１６及び図１７を参照して、本発明
の実施例６を説明する。

【００８３】先ず、図１４及び図１５を参照して、この
実施例６の放電表示装置の構造を説明する。この放電表
示装置は、前面ガラス板１２及び背面ガラス板１１の周
辺がフリットガラスによって封止されて構成され、管体
内に下記の構造体が収納されると共に管体内を真空にし
た後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はこれ
らの混合気体等の放電用気体（ガス）（２００torr〜４
００torr）が封入されて構成されたＰＤＰである。

【００８４】背面ガラス板１１上に、互いに平行に所定
間隔を以て配された対をなす、それぞれストライプ状の
メモリー電極（Ｘ１電極）２及びアドレス電極を兼ねた
メモリー電極（Ｘ２電極）２′の組を複数、互いに平行
に所定間隔を置いて被着形成する。その被着形成は、ス
クリーン印刷法等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜
技術で容易に実現できる。背面ガラス板１１上及びメモ
リー電極２、２′上に亘って、前面に絶縁層９を被着形
成する。ＡＣ型ＰＤＰと同様に、絶縁層９上に、更に、
図示を省略したＭｇＯ等の保護層を被着形成し、その上
に、この複数のメモリー電極２、２′と略直交する如
く、一定間隔を置いて平行に配された複数のストライプ
状の隔壁（絶縁体からなる）６を被着形成する。この複
数の隔壁６は、スクリーン印刷の繰り返しによって、所
定の高さのものを得る。複数の隔壁６の高さは、ガス
圧、ガス組成、画素ピッチ等によって最適な値が選ばれ
る。複数の隔壁６上にそれぞれストライプ状の複数のア
ドレス電極（Ｙ電極）１を被着形成する。その被着形成
方法は、アドレス電極２と同様である。かくして、それ
ぞれ複数のアドレス電極１、２は互いに略直角となるよ
うに、所定間隔を置いて配される。

【００８５】隔壁６の厚さは、ガス圧、ガス組成、画素
ピッチ等考慮して最適に設定するが、一般には８０μｍ
〜２００μｍ程度である。尚、隔壁６は、隣接画素間の
クロストークを確実に回避するために、格子状に形成し
ても良い。

【００８６】複数のアドレス電極１、２′はいずれがア
ノード及びカソードであっても構わない。但し、放電を
複数の隔壁６のどちらか一方の側から起こさせる必要か
ら、複数の隔壁６の上側に配される複数のアドレス電極
１は、それに対応して、隔壁６の片側に変位させるよう
にする。

【００８７】複数のアドレス電極１、２′によって形成
される各格子の孔に、各格子が連通する如く、複数の隔
壁６及び複数のアドレス１上に、格子状の分厚な格子状
のスペーサ８が配される。そして、そのスペーサ８の格
子孔の壁面に蛍光体層７が被着形成られる。このスペー
サ８は、全面ガラス板１２の下面にスクリーン印刷等に
よって形成することもできるが、絶縁板をエッチングし
たもの、金属板を成形したもの等も可能であり、又、複
数枚の板を積層したものでも良い。

【００８８】スペーサ８の高さは、駆動条件によってそ
の最適値が選択されるが、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度
である。スペーサ８の高さが高い程、後述する表示アノ
ード５に印加する電圧が高くなるが、その高さが通常
１．５ｍｍ程度から陽光柱が現れて紫外線放射が強くな
って輝度が高くなる。

【００８９】前面ガラス板１２の下面に、酸化錫や酸化
インジュウム錫等の透明導電層からなる表示アノード５
が配される。この表示アノード５は、平面板である他
に、メッシュ状の有孔金属板でも良い。

【００９０】ガラス板１１、１２間には、スペーサ８の
格子孔、それぞれ複数のアドレス電極１、２の交叉によ
る格子孔並びに２枚のメモリー電極３、４の各格子孔が
連通して、放電空間１０が形成されるように、位置合わ
せが行われる。そして、スペーサ８の格子孔の内壁に蛍
光体層７が被着形成されている。この蛍光体層７は、単
色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次繰り返
し配された赤、緑及び青蛍光体である。この蛍光体層７
は、単色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次
繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体である。

【００９１】次に、図１６を参照して、この実施例６の
放電表示装置の動作を説明する。複数のアドレス電極１
及び２′間の交点のうち画像信号に応じた位置に選択的
にアドレス放電を生じさせる前に、図１６Ｂ及び図１６
Ｃに示す如く、複数組のメモリー電極（Ｘ１、Ｘ２電
極）２、２′間にリセットパルスを印加して全画素に一
旦放電を起こさせてから、そのとき発生する空間電荷に
よってメモリー電極２、２′上に残留する壁電荷を消去
させる。

【００９２】次のアドレス期間に入ると、図１６Ａ、Ｂ
に示す如く、複数のアドレス電極１、２′のうち選択さ
れた画素に対応するアドレス電極１、２′間に、充分の
電位差のパルスが印加されて、アドレス放電が生じる。
アドレス放電によって、アドレス電極２′上の絶縁層９
上に壁電荷が蓄積され、その後、直ちにアドレス放電は
停止される。この壁電荷の有無によって選択されたセル
と選択されていないセルとの間に、壁電荷による電圧の
差ができるので、アドレス期間の次にメモリー期間に、
図１６Ｂ、Ｃに示す如く、メモリー電極２、２′間に放
電維持のための交流パルス、即ち、サステインパルスを
印加すると、選択セルに継続的なメモリー放電を維持で
きる。

【００９３】以上の動作は、従来例２の３電極面放電型
ＰＤＰと同様であるが、実施例６において、従来例２と
異なるところは、表示アノード５による動作である。リ
セット期間及びアドレス期間中には、図１６Ｄに示す如
く、表示アノード５の電圧を、アドレス電極１、２′及
び複数組ののメモリー電極２、２′に影響与えない低い
電圧にしておく。続いて、アドレス放電期間が終了し
て、各セルに選択的に壁電荷が形成された状態で、メモ
リー動作に移行するが、そのとき、図１６Ｄに示す如
く、表示アノード５の電圧を高くし、メモリー期間中そ
の電圧を一定に保つ。但し、その表示アノードに与える
電圧は、複数組ののメモリー電極２、２′に対し、表示
に無関係な放電を引き起こさない程度で、高くする。こ
の状態から、アドレス放電期間中に形成された壁電荷の
分布に沿って選択的なメモリー放電を開始する。

【００９４】表示アノード５に印加する電圧（図１６
Ｄ）は、上述したようにリセット及びアドレス期間と、
メモリー期間とで異なるが、その差の電圧はセル（放電
空間）の構造やガス圧等によって異なる。しかし、その
差の電圧は比較的低く、場合によっては、リセット、ア
ドレス及びメモリー期間に亘って、一定の直流電圧（バ
イアス電圧）を表示アノード５に印加することも可能で
ある。

【００９５】次に、図１７を参照して、表示アノード５
の動作を説明する。図１７の放電空間１０は画面の１画
素に対応する放電空間を示す。この場合、この放電空間
は電離した荷電粒子や準安定原子で満たされているの
で、表示アノードの電圧が低くても、２枚のメモリー電
極３、４のうちの低電圧側メモリー電極との間で放電が
生じる。換言すれば、メモリー放電電流に表示アノード
５からの放電電流が加算される。新たな壁電荷が形成さ
れてメモリー放電の半周期が停止しても、次の半周期で
引き続き起こるメモリー放電に対して同様に表示アノー
ド５から電流が供給される。即ち、メモリー放電が継続
している間は、表示アノード５からの電流が２枚のメモ
リー電極３、４側に供給され続ける。更に、別の言い方
をすれば、２枚のメモリー電極３、４間の放電が、表示
アノード５によって、表示アノード５及び２枚のメモリ
ー電極３、４間に引き出されることになる。この放電
は、図１７に図示のように、スペーサ８の格子孔内の蛍
光体層７の被着形成された内壁に沿って生じるので、放
電によって生じる紫外線が蛍光体層７を励起して発光さ
せる。尚、メモリー放電が行われていない画素の放電空
間では、荷電粒子が存在しないので、表示アノード５に
印加される、例えば、２００Ｖ〜３００Ｖ程度の電圧で
は放電は生じない。

【００９６】尚、図５及び図６に示す実施例２及び／又
は図７に示す実施例３の構成は、図１及び２に示す実施
例１、図８及び図９に示す実施例４並びに図１２及び図
１３に示す実施例５に適用することができる。

【００９７】実施例の第１の放電表示装置によれば、図
１及び図２に示す如く、隔壁６を介して互いに交叉する
如く近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のア
ドレス電極１、２と、複数の透孔が設けられると共に、
その全表面が絶縁層３ａ、４ａで被覆されてなるメモリ
ー電極３、４（近接配置された２枚のメモリー電極３、
４）とを有し、複数の第１及び第２のアドレス電極１、
２及びメモリー電極３、４が積層されて、放電ガスを有
する管体内に封入されてなるので、簡単な構造にて高輝
度及び高効率を実現でき、アドレス放電とメモリー電極
相互の電圧関係により互いの放電が邪魔されることがな
く、最適な電圧を選択することができると共に、メモリ
ー電極３、４の厚さに無関係に第１及び第２のアドレス
電極１、２間の間隔を最適値に設定することのできる放
電表示装置を得ることができる。

【００９８】実施例の第２の放電表示装置によれば、図
８及び図９に示す如く、隔壁６を介して互いに交叉する
如く近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のア
ドレス電極１、２と、複数の透孔が設けられると共に、
その全表面が絶縁層で被覆されてなるメモリー電極３、
４（近接配置された２枚のメモリー電極３、４）と、そ
のメモリー電極３、４の複数の透孔にそれぞれ対応した
複数の透孔を有し、その複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍
光体層７が被着形成されたスペーサ８と、共通電極（表
示アノード）５とを有し、複数の第１及び第２のアドレ
ス電極１、２、メモリー電極３、４、スペーサ８及び共
通電極（表示アノード）５が順次積層されて、放電ガス
を有する管体内に封入されてなるので、簡単な構造と駆
動回路によって、メモリー放電と、主放電、即ち、発光
表示に寄与する放電とを分離することができ、これによ
って、リセット放電が発光表示に影響を及ぼすことがな
くなって、コントラストが大幅に改善されると共に、ア
ドレス放電及びメモリー放電相互の画面操作に影響を及
ぼすことなく発光効率及び輝度を大幅に改善することが
できる。

【００９９】実施例の第３の放電表示装置によれば、図
１２及び図１３に示す如く、隔壁６を介して互いに交叉
する如く近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２
のアドレス電極１、２と、複数の透孔が設けられると共
に、その全表面が絶縁層で被覆されてなるメモリー電極
３、４（近接配置された２枚のメモリー電極３、４）
と、そのメモリー電極３、４のの複数の透孔にそれぞれ
対応した複数の透孔を有し、メモリー電極３、４とは反
対側の面上に蛍光体層７が被着形成されたスペーサ８
と、共通電極（表示アノード）５とを有し、複数の第１
及び第２のアドレス電極１、２、メモリー電極３、４、
スペーサ８及び共通電極（表示アノード）５が順次積層
されて、放電ガスを有する管体内に封入されてなるの
で、実施例の第２の放電表示装置と同様の効果が得られ
る。

【０１００】実施例の第４の放電表示装置によれば、実
施例の第１、第２又は第３の放電表示装置において、図
５及び図６に示す如く、複数の第１及び第２アドレス電
極１、２にて構成される各格子孔に対し、メモリー電極
３、４の複数の透孔が対向するように構成したので、実
施例の第１、第２又は第３の放電表示装置の効果に加え
て、第１及び第２のアドレス電極１、２と、メモリー電
極３、４との間の位置合わせが容易になると共に、ホロ
ー効果による放電特性の著しい改善が可能となる。これ
らの効果は、複数の第１及び第２アドレス電極１、２に
て構成される各格子孔に対向するメモリー電極３、４の
透孔の数が多い程、顕著になる。

【０１０１】実施例の第５の放電表示装置によれば、実
施例の第１、第２、第３又は第４の放電表示装置におい
て、図７に示す如く、メモリー電極３、４を隔壁６とし
て使用し、その両面の絶縁層上に複数の第１及び第２の
アドレス電極１、２が被着形成されるので、実施例の第
１、第２、第３又は第４の放電表示装置の効果に加え
て、第１及び第２のアドレス電極１、２と、メモリー電
極３、４との間の位置合わせが容易となる。

【０１０２】実施例の第６の放電表示装置によれば、図
１４及び図１５に示す如く、絶縁装置９上に被着形成さ
れた、互いに近接配置された第１のメモリー電極２及び
第２のメモリー電極を兼ねた第２のアドレス電極２′の
複数の組と、絶縁装置９及び隔壁６を介して、複数の第
２のアドレス電極２′と交叉する複数の第１のアドレス
電極１と、複数の第１及び第２のアドレス電極１、２に
て構成される複数の格子孔に対応したた複数の透孔を有
し、その複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層７が被着
形成されたスペーサ８と、共通電極（表示アノード）５
とを有し、絶縁装置９上に被着形成された、互いに近接
配置された第１及び第２のメモリー電極２、２′の複数
の組、複数の第１のアドレス電極１、スペーサ８及び共
通電極（表示アノード）５が順次積層されて、放電ガス
を有する管体内に封入されてなるので、簡単な構造と駆
動回路によって、メモリー放電と、主放電、即ち、発光
表示に寄与する放電とを分離することができ、これによ
って、リセット放電が発光表示に影響を及ぼすことがな
くなって、コントラストが大幅に改善されると共に、ア
ドレス放電及びメモリー放電相互の画面操作に影響を及
ぼすことなく発光効率及び輝度を大幅に改善することが
できる。

【０１０３】

【発明の効果】第１の本発明の放電表示装置によれば、
隔壁を介して互いに交叉する如く近接して配されたそれ
ぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極と、複数の透孔
が設けられると共に、その全表面が絶縁層で被覆されて
なるメモリー電極とを有し、複数の第１及び第２のアド
レス電極及びメモリー電極が積層されて、放電ガスを有
する管体内に封入されてなるので、簡単な構造にて高輝
度及び高効率を実現でき、アドレス放電とメモリー電極
相互の電圧関係により互いの放電が邪魔されることがな
く、最適な電圧を選択することができると共に、メモリ
ー電極３、４の厚さに無関係に第１及び第２のアドレス
電極１、２間の間隔を最適値に設定することのできる放
電表示装置を得ることができる。

【０１０４】第２の本発明の放電表示装置によれば、隔
壁を介して互いに交叉する如く近接して配されたそれぞ
れ複数の第１及び第２のアドレス電極と、複数の透孔が
設けられると共に、その全表面が絶縁層で被覆されてな
るメモリー電極と、そのメモリー電極の複数の透孔にそ
れぞれ対応した複数の透孔を有し、その複数の透孔の内
壁にそれぞれ蛍光体層が被着形成されたスペーサと、共
通電極とを有し、複数の第１及び第２のアドレス電極、
メモリー電極、スペーサ及び共通電極が順次積層され
て、放電ガスを有する管体内に封入されてなるので、簡
単な構造と駆動回路によって、メモリー放電と、主放
電、即ち、発光表示に寄与する放電とを分離することが
でき、これによって、リセット放電が発光表示に影響を
及ぼすことがなくなって、コントラストが大幅に改善さ
れると共に、アドレス放電及びメモリー放電相互の画面
操作に影響を及ぼすことなく発光効率及び輝度を大幅に
改善することができる。

【０１０５】第３の本発明の放電表示装置によれば、隔
壁を介して互いに交叉する如く近接して配されたそれぞ
れ複数の第１及び第２のアドレス電極と、複数の透孔が
設けられると共に、その全表面が絶縁層で被覆されてな
るメモリー電極と、そのメモリー電極の複数の透孔にそ
れぞれ対応した複数の透孔を有し、メモリー電極とは反
対側の面上に蛍光体層が被着形成されたスペーサと、共
通電極とを有し、複数の第１及び第２のアドレス電極、
メモリー電極、スペーサ及び共通電極が順次積層され
て、放電ガスを有する管体内に封入されてなるので、第
２の本発明の放電表示装置と同様の効果が得られる。

【０１０６】第４の本発明の放電表示装置によれば、第
１、第２又は第３の本発明の放電表示装置において、複
数の第１及び第２アドレス電極にて構成される各格子孔
に対し、メモリー電極の複数の透孔が対向するように構
成されてなるので、第１、第２又は第３の本発明の放電
表示装置の効果に加えて、第１及び第２のアドレス電極
と、メモリー電極との間の位置合わせが容易になると共
に、ホロー効果による放電特性の著しい改善が可能とな
る。これらの効果は、複数の第１及び第２アドレス電極
にて構成される各格子孔に対向するメモリー電極の透孔
の数が多い程、顕著になる。

【０１０７】第５の本発明の放電表示装置によれば、第
１、第２、第３又は第４の本発明の放電表示装置におい
て、メモリー電極を隔壁として使用し、その両面の絶縁
層上に複数の第１及び第２のアドレス電極が被着形成さ
れてなるので、第１、第２、第３又は第４の本発明の放
電表示装置の効果に加えて、第１及び第２のアドレス電
極と、メモリー電極との間の位置合わせが容易となる。

【０１０８】第６の本発明の放電表示装置によれば、絶
縁層上に被着形成された、互いに近接配置された第１の
メモリー電極及び第２のメモリー電極を兼ねた第２のア
ドレス電極の複数の組と、絶縁層及び隔壁を介して、複
数の第２のアドレス電極と交叉する複数の第１のアドレ
ス電極と、複数の第１及び第２のアドレス電極にて構成
される複数の格子孔に対応したた複数の透孔を有し、そ
の複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層が被着形成され
たスペーサと、共通電極とを有し、絶縁層上に被着形成
された、互いに近接配置された第１及び第２のメモリー
電極の複数の組、複数の第１のアドレス電極、スペーサ
及び共通電極が順次積層されて、放電ガスを有する管体
内に封入されてなるので、簡単な構造と駆動回路によっ
て、メモリー放電と、主放電、即ち、発光表示に寄与す
る放電とを分離することができ、これによって、リセッ
ト放電が発光表示に影響を及ぼすことがなくなって、コ
ントラストが大幅に改善されると共に、アドレス放電及
びメモリー放電相互の画面操作に影響を及ぼすことなく
発光効率及び輝度を大幅に改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の放電表示装置の斜視図

【図２】その実施例１の放電表示装置の断面図

【図３】その実施例１の動作説明のためのタイミングチ
ャート（１） Ａ アドレス電極１の電圧（画像信号） Ｂ アドレス電極２の電圧（走査信号） Ｃ メモリー電極３の電圧 Ｄ メモリー電極４の電圧

【図４】その実施例１の動作説明のためのタイミングチ
ャート（２） Ａ アドレス電極１の電圧（画像信号） Ｂ アドレス電極２の電圧（走査信号） Ｃ メモリー電極３の電圧 Ｄ メモリー電極４の電圧

【図５】本発明の実施例２の放電表示装置の斜視図

【図６】その実施例２の放電表示装置の断面図

【図７】実施例３の放電表示装置の一部の斜視図

【図８】本発明の実施例４の放電表示装置の斜視図

【図９】その実施例４の放電表示装置の断面図

【図１０】その実施例４のタイミングチャート Ａ アドレス電極１の電圧（画像信号） Ｂ アドレス電極２の電圧（走査信号） Ｃ メモリー電極３の電圧 Ｄ メモリー電極４の電圧 Ｅ 表示アノード５の電圧

【図１１】その実施例４の放電経路を示す断面図

【図１２】本発明の実施例５の放電表示装置の断面図

【図１３】その実施例５の放電表示装置の平面図

【図１４】本発明の実施例６の放電表示装置の斜視図

【図１５】その実施例６の放電表示装置の断面図

【図１６】その実施例６のタイミングチャート Ａ アドレス電極（Ｙ電極）１の電圧（画像信号） Ｂ メモリー電極（Ｘ２）２′の電圧（走査及びメモリ
ー電圧） Ｃ メモリー電極（Ｘ１）２の電圧（メモリー電圧） Ｄ 表示アノード５の電圧

【図１７】その実施例５の放電経路を示す断面図

【図１８】従来例１の放電表示装置の斜視図

【図１９】従来例２の放電表示装置の斜視図

【図２０】従来例３の放電表示装置の断面図

【符号の説明】

１ アドレス電極 ２ アドレス電極（メモリー電極） ２′アドレス電極（メモリー電極） ３ メモリー電極 ３ａ 絶縁層 ４ メモリー電極 ４ａ 絶縁層 ５ 表示アノード（共通電極） ６ 隔壁 ７ 蛍光体層 ８ スペーサ ９ 絶縁層 １０ 放電空間 １０′補助放電空間 １１ 背面ガラス板 １２ 前面ガラス板 １３ カソード １４ 補助アノード １５ 抵抗層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年７月５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】この放電表示装置は、ＸＹマトリックス状
に配列された複数の透孔を有し、その各全面が絶縁層３
ａ、４ａで覆われた２枚のシート状のメモリー電極３、
４を備え、その２枚のメモリー電極３、４が、その各透
孔が連通して放電セルを形成するように重ね合わされ、
それぞれ互いに平行に配され、それぞれ複数のＸＹマト
リクス状に配されたストライプ状の第１及び第２のアド
レス電極（その一方及び他方がそれぞれアノード、カソ
ードとなる）１、２が互いに交差するように所定間隔を
置いて配され、その複数の第１及び第２のアドレス電極
１、２間に、その各交点が各放電セルと対応するよう
に、重ね合わされた一対の２枚のメモリー電極３、４が
配されて、放電ガスを有する管体内に封入される。複数
の第１及び第２のアドレス電極１、２の内の選択された
第１及び第２のアドレス電極１、２間に所定電圧が印加
されて、その交点に位置する放電セル（放電空間）内に
放電が発生せしめられると共に、一対の２枚のメモリー
電極３、４間に所定交流電圧が印加されてその放電が維
持せしめられるようにしたものである。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】背面ガラス板１１上に、互いに平行に配さ
れた一対メモリー電極としてのそれぞれストライプ状の
メモリー電極（Ｘ１電極）２及びアドレス電極を兼ねた
メモリー電極（Ｘ２電極）２′の組が複数互いに平行に
配され、その複数の組のＸ１電極２及びＸ２電極２′の
上を含めて背面ガラス板１１上の全面に絶縁層９が被着
形成される。絶縁層９上に、複数の組のメモリー電極
（Ｘ２電極）２及びメモリー電極（Ｘ２電極）２′と直
交する如く複数の隔壁６が設けられ、その各隔壁上６上
に、複数の組のＸ２電極２及びＸ２電極２′と直交し、
互いに平行となるように、ストライプ状の複数のアドレ
ス電極（電極Ｙ）１が配される。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】第６の本発明は、図１４及び図１５に示す
如く、絶縁層９上に被着形成された、互いに近接配置さ
れた第１のメモリー電極２及び第２のメモリー電極を兼
ねた第２のアドレス電極２′の複数の組と、絶縁層９及
び隔壁６を介して、複数の第２のアドレス電極２′と交
叉する複数の第１のアドレス電極１と、複数の第１及び
第２のアドレス電極１、２にて構成される複数の格子孔
に対応したた複数の透孔を有し、その複数の透孔の内壁
にそれぞれ蛍光体層７が被着形成されたスペーサ８と、
共通電極５とを有し、絶縁層９上に被着形成された、互
いに近接配置された第１及び第２のメモリー電極２、
２′の複数の組、複数の第１のアドレス電極１、スペー
サ８及び共通電極５が順次積層されて、放電ガスを有す
る管体内に封入されてなることを特徴とする放電表示装
置である。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４４】そこで、第１及び第２のアドレス電極１、
２のアドレス放電による壁電荷を、画像信号に基づく位
置の情報としてメモリー電極３、４に記憶させるには、
例えば、アドレス放電中の２枚のメモリー電極３、４の
うちの一方の電位を高く、他方の電位を低く保てば良
い。即ち、アドレス放電の起きた画素、即ち、放電空間
１０の壁面に壁電荷が形成され、アドレス放電の起きな
い画素、即ち、放電空間１０には壁電荷は形成されない
ので、アドレス期間終了後にメモリー電極３、４に放電
維持パルスを印加することによって、画像表示ができ、
次のアドレス放電までの間、その表示はメモリー表示と
なる。アドレス放電期間中にメモリー電極３、４の電位
を共に同電位、例えば、プラズマ電位と同じにすると、
両者の電位差は０であるから、既存の壁電荷は空間電荷
によって消去される。このような方法でも、画像情報を
壁電荷の分布状態としてメモリー電極３、４上に蓄積で
きる。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４７】アドレス放電は、アドレス電極１、２が共
にガス空間中に露出しているので、通常のＤＣ型ＰＤＰ
と同様に線順次駆動が行われる。図３Ｃ、Ｄに示す如
く、アドレス期間中はメモリー電極３に放電空間電位
（例えば、約１００Ｖ）より高い電圧である１５０Ｖが
印加され、メモリー電極４には放電空間電位より低い電
圧である５０Ｖが印加されているので、アドレス放電の
開始には影響しない。この状態でアドレス放電が起きる
と、発生した荷電粒子はメモリー電極３、４上の絶縁層
３ａ、４ａ上に帯電して壁電荷を形成する。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５０】次に、図４の駆動方法について説明する。
この駆動方法では、メモリー電極３、４の格子孔の絶縁
層３ａ、４ａの表面に一様に壁電荷が蓄積されているこ
とが前提であるので、駆動に際してはアドレス信号の印
加以前にメモリー電極３、４にリセットパルスを印加し
て、メモリー電極３、４の画面上の全放電セル又はライ
ン上の全放電セル内に放電を起こして、その各放電セル
内の絶縁層３ａ、４ａの表面に壁電荷を形成しておく。
このリセットパルスの印加による壁電荷形成の具体的な
方法は、メモリー電極３、４間に放電を開始するに十分
なリセットパルス電圧を印加して、リセット放電による
荷電粒子が放電セル内存在する期間その電圧をそのまま
維持するか、又は、メモリー電極３、４それぞれを少な
くとも放電空間電位よりも高い電圧（例えば、１５０
Ｖ）と低い電圧（例えば、５０Ｖ）を印加すれば、その
各放電セル内の壁電荷はそのまま保持される。そして、
それから所定時間後に、荷電粒子が存在しなく成ってか
ら、メモリー電極３、４に放電空間電位と略等しい１０
０Ｖの電圧を印加すれば、その後もその各放電セル内の
壁電荷はそのまま保持される。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５２】１画面のアドレッシングが終り、メモリー
電極３、４間にメモリー放電のための維持パルスが印加
されている状態では、通常のＡＣ型ＰＤＰの動作と同様
に、維持パルスに壁電荷による電界が重畳されるセルは
放電し、アドレスされずに壁電荷の蓄積がなかったセル
は放電しない。即ち、アドレス放電により発生した荷電
粒子がメモリー電極３、４の絶縁層３ａ、４ａ上の壁電
荷と再結合してこれを消滅せしめる。アドレス放電の起
こらなかったセルの壁電荷はそのまま残る。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５５】複数のアドレス電極１、２から構成される
格子の孔に、２枚のメモリー電極３、４の格子の多数の
孔が対応するようした場合は、アドレス電極１、２に対
する一対の２枚のメモリー電極３、４の位置合わせは不
要となる。この場合、複数のアドレス電極１、２から構
成される格子の孔と、複数の２枚のメモリー電極３、４
の格子の孔と径の違いによる再生画像のモアレ縞を回避
するために、複数のアドレス電極１、２から構成される
格子の孔の配列方向と、複数の２枚のメモリー電極３、
４の格子の孔の配列方向との間に、３０°〜４５°程度
の角度差を設けるを可とする。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５９】〔実施例３〕（図７） 次に、隔壁及びアドレス電極を示す図７を参照して、本
発明の実施例３を説明する。実施例１、２における隔壁
６は、複数のアドレス電極１に対応して設けられたスト
ライプ状の複数の隔壁から構成されていたが、図７で
は、隔壁６を格子状に形成し、その下面に複数のアドレ
ス電極２を被着形成し、その上面に複数のアドレス電極
１を被着形成して、アドレス電極１、２が互いに略直交
するようにする。この隔壁６としては、全体として絶縁
体で構成する他に、全表面が絶縁層で被覆されたメモリ
ー電極を利用しても良い。その場合には、複数のアドレ
ス電極１、２間の耐圧を高くするために、メモリー電極
として使用する場合に比し、絶縁層を厚くする。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７１】ガラス板１１、１２間には、スペーサ８の
格子孔、それぞれ複数のアドレス電極１、２の交叉によ
る格子孔並びに２枚のメモリー電極３、４の各孔が連通
して、放電空間１０が形成されるように、位置合わせが
行われる。そして、スペーサ８の格子孔の内壁に蛍光体
層７が被着形成されている。この蛍光体層７は、単色蛍
光体又は水平若しくは／及び垂直方向に順次繰り返し配
された赤、緑及び青蛍光体である。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７３】そして、このリセット放電による空間電荷
が存在している間に、図１０Ｃに示す如く、２枚のメモ
リー電極３、４にリセット放電のために印加した電位の
略中間の電位（これを中間電位と称する）であって、同
じ電位に、２枚のメモリー電極３、４の電位を保持す
る。かくすると、リセット放電による空間電荷のために
両２枚のメモリー電極３、４の絶縁層３ａ、４ａ上の壁
電荷が全て消去されて、全画面に亘って壁電荷のない状
態か、又は、２枚のメモリー電極３、４間に電位差が生
じない等価な壁電荷が残留する状態になる。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７５】さて、複数のアドレス電極１、２間の交点
のうち画像信号に応じた位置に選択的にアドレス放電を
生じさせるために、アドレス電極１、２の一方に、図１
０Ａに示す如く画像信号に応じた電圧を与え、他方に順
次走査電圧を与えて、そのアドレス電極１、２間に放電
に充分な電圧が印加される。このアドレス放電が生じる
と、放電空間１０内はイオン、電子又は準安定原子で満
たされ、プラズマ状態の放電空間１０の電位は、カソー
ド、即ち、アドレス電極１又は２に対し略放電維持電圧
となる電位になる。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８４】背面ガラス板１１上に、互いに平行に所定
間隔を以て配された対をなす、それぞれストライプ状の
メモリー電極（Ｘ１電極）２及びアドレス電極を兼ねた
メモリー電極（Ｘ２電極）２′の組を複数、互いに平行
に所定間隔を置いて被着形成する。その被着形成は、ス
クリーン印刷法等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜
技術で容易に実現できる。背面ガラス板１１上及びメモ
リー電極２、２′上に亘って、全面に絶縁層９を被着形
成する。ＡＣ型ＰＤＰと同様に、絶縁層９上に、更に、
図示を省略したＭｇＯ等の保護層を被着形成し、その上
に、この複数のメモリー電極２、２′と略直交する如
く、一定間隔を置いて平行に配された複数のストライプ
状の隔壁（絶縁体からなる）６を被着形成する。この複
数の隔壁６は、スクリーン印刷の繰り返しによって、所
定の高さのものを得る。複数の隔壁６の高さは、ガス
圧、ガス組成、画素ピッチ等によって最適な値が選ばれ
る。複数の隔壁６上にそれぞれストライプ状の複数のア
ドレス電極（Ｙ電極）１を被着形成する。その被着形成
方法は、アドレス電極２と同様である。かくして、それ
ぞれ複数のアドレス電極１、２′は互いに略直角となる
ように、所定間隔を置いて配される。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８７】複数のアドレス電極１、２′によって形成
される各格子の孔に、各格子が連通する如く、複数の隔
壁６及び複数のアドレス１上に、格子状の分厚な格子状
のスペーサ８が配される。そして、そのスペーサ８の格
子孔の壁面に蛍光体層７が被着形成られる。このスペー
サ８は、前面ガラス板１２の下面にスクリーン印刷等に
よって形成することもできるが、絶縁板をエッチングし
たもの、金属板を成形したもの等も可能であり、又、複
数枚の板を積層したものでも良い。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９０】ガラス板１１、１２間には、スペーサ８の
格子孔、それぞれ複数のアドレス電極１、２の交叉によ
る格子孔が連通して、放電空間１０が形成されるよう
に、位置合わせが行われる。そして、スペーサ８の格子
孔の内壁に蛍光体層７が被着形成されている。この蛍光
体層７は、単色蛍光体又は水平若しくは／及び垂直方向
に順次繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体である。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９５】次に、図１７を参照して、表示アノード５
の動作を説明する。図１７の放電空間１０は画面の１画
素に対応する放電空間を示す。この場合、この放電空間
は電離した荷電粒子や準安定原子で満たされているの
で、表示アノードの電圧が低くても、２枚のメモリー電
極２、２′のうちの低電圧側メモリー電極との間で放電
が生じる。換言すれば、メモリー放電電流に表示アノー
ド５からの放電電流が加算される。新たな壁電荷が形成
されてメモリー放電の半周期が停止しても、次の半周期
で引き続き起こるメモリー放電に対して同様に表示アノ
ード５から電流が供給される。即ち、メモリー放電が継
続している間は、表示アノード５からの電流が２枚のメ
モリー電極２、２′側に供給され続ける。更に、別の言
い方をすれば、２枚のメモリー電極２、２′間の放電
が、表示アノード５によって、表示アノード５及び２枚
のメモリー電極３、４間に引き出されることになる。こ
の放電は、図１７に図示のように、スペーサ８の格子孔
内の蛍光体層７の被着形成された内壁に沿って生じるの
で、放電によって生じる紫外線が蛍光体層７を励起して
発光させる。尚、メモリー放電が行われていない画素の
放電空間では、荷電粒子が存在しないので、表示アノー
ド５に印加される、例えば、２００Ｖ〜３００Ｖ程度の
電圧では放電は生じない。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０１】実施例の第５の放電表示装置によれば、実
施例の第１、第２、第３又は第４の放電表示装置におい
て、図７に示す如く、メモリー電極を隔壁６として使用
し、その両面の絶縁層上に複数の第１及び第２のアドレ
ス電極１、２が被着形成されるので、実施例の第１、第
２、第３又は第４の放電表示装置の効果に加えて、第１
及び第２のアドレス電極１、２と、メモリー電極との間
の位置合わせが容易となる。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０２】実施例の第６の放電表示装置によれば、図
１４及び図１５に示す如く、絶縁層９上に被着形成され
た、互いに近接配置された第１のメモリー電極２及び第
２のメモリー電極を兼ねた第２のアドレス電極２′の複
数の組と、絶縁層９及び隔壁６を介して、複数の第２の
アドレス電極２′と交叉する複数の第１のアドレス電極
１と、複数の第１及び第２のアドレス電極１、２にて構
成される複数の格子孔に対応したた複数の透孔を有し、
その複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層７が被着形成
されたスペーサ８と、共通電極（表示アノード）５とを
有し、絶縁層９上に被着形成された、互いに近接配置さ
れた第１及び第２のメモリー電極２、２′の複数の組、
複数の第１のアドレス電極１、スペーサ８及び共通電極
（表示アノード）５が順次積層されて、放電ガスを有す
る管体内に封入されてなるので、簡単な構造と駆動回路
によって、メモリー放電と、主放電、即ち、発光表示に
寄与する放電とを分離することができ、これによって、
リセット放電が発光表示に影響を及ぼすことがなくなっ
て、コントラストが大幅に改善されると共に、アドレス
放電及びメモリー放電相互の画面操作に影響を及ぼすこ
となく発光効率及び輝度を大幅に改善することができ
る。

【手続補正１９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

【手続補正２０】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１６】

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 隔壁を介して互いに交叉する如く近接し
   て配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極
   と、 複数の透孔が設けられると共に、その全表面が絶縁層で
   被覆されてなるメモリー電極とを有し、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極及び上記メモリ
   ー電極が積層されて、放電ガスを有する管体内に封入さ
   れてなることを特徴とする放電表示装置。
2. 【請求項２】 隔壁を介して互いに交叉する如く近接し
   て配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極
   と、 複数の透孔が設けられると共に、その全表面が絶縁層で
   被覆されてなるメモリー電極と、 該メモリー電極の複数の透孔にそれぞれ対応した複数の
   透孔を有し、該複数の透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層が
   被着形成されたスペーサと、 共通電極とを有し、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記メモリー
   電極、上記スペーサ及び上記共通電極が順次積層され
   て、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを特
   徴とする放電表示装置。
3. 【請求項３】 隔壁を介して互いに交叉する如く近接し
   て配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極
   と、 複数の透孔が設けられると共に、その全表面が絶縁層で
   被覆されてなるメモリー電極と、 該メモリー電極の複数の透孔にそれぞれ対応した複数の
   透孔を有し、上記メモリー電極とは反対側の面上に蛍光
   体層が被着形成されたスペーサと、 共通電極とを有し、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記メモリー
   電極、上記スペーサ及び上記共通電極が順次積層され
   て、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを特
   徴とする放電表示装置。
4. 【請求項４】 上記請求項１、２又は３に記載の放電表
   示装置において、 上記複数の第１及び第２アドレス電極にて構成される各
   格子孔に対し、上記メモリー電極の複数の透孔が対向す
   るように構成されてなることを特徴とする放電表示装
   置。
5. 【請求項５】 上記請求項１、２、３又は４に記載の放
   電表示装置において、 上記メモリー電極を上記隔壁として使用し、その両面の
   絶縁層上に上記複数の第１及び第２のアドレス電極が被
   着形成されてなることを特徴とする放電表示装置。
6. 【請求項６】 絶縁層上に被着形成された、互いに近接
   配置された第１のメモリー電極及び第２のメモリー電極
   を兼ねた第２のアドレス電極の複数の組と、 上記絶縁層及び隔壁を介して、上記複数の第２のアドレ
   ス電極と交叉する複数の第１のアドレス電極と、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極にて構成される
   複数の格子孔に対応したた複数の透孔を有し、該複数の
   透孔の内壁にそれぞれ蛍光体層が被着形成されたスペー
   サと、 共通電極とを有し、 上記絶縁層上に被着形成された、互いに近接配置された
   上記第１及び第２のメモリー電極の複数の組、上記複数
   の第１のアドレス電極、上記スペーサ及び共通電極が順
   次積層されて、放電ガスを有する管体内に封入されてな
   ることを特徴とする放電表示装置。