JPH0844168A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH0844168A JPH0844168A JP6181135A JP18113594A JPH0844168A JP H0844168 A JPH0844168 A JP H0844168A JP 6181135 A JP6181135 A JP 6181135A JP 18113594 A JP18113594 A JP 18113594A JP H0844168 A JPH0844168 A JP H0844168A
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- developing
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 現像バイアス発生装置３８によって、現像ス
リーブ３２に直流に交流を重畳した現像バイアス電圧を
印加する。現像バイアス発生装置３８は、現像スリーブ
３２に付与される現像電流を検知し、現像電流の値が大
きいときには、現像バイアス電圧の交流成分のデューテ
ィを小さくする。一方、現像電流の値が小さいときに
は、現像バイアス電圧の交流成分のデューティを大きく
する。それによって、現像電流の変動を抑制する。 【効果】 環境等の変化による画質の低下を防止でき
る。
リーブ３２に直流に交流を重畳した現像バイアス電圧を
印加する。現像バイアス発生装置３８は、現像スリーブ
３２に付与される現像電流を検知し、現像電流の値が大
きいときには、現像バイアス電圧の交流成分のデューテ
ィを小さくする。一方、現像電流の値が小さいときに
は、現像バイアス電圧の交流成分のデューティを大きく
する。それによって、現像電流の変動を抑制する。 【効果】 環境等の変化による画質の低下を防止でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は画像形成装置に関し、
特にたとえば現像スリーブ等の現像手段にバイアス電圧
を印加して感光体の表面を帯電すると同時に現像するよ
うにした、画像形成装置に関する。
特にたとえば現像スリーブ等の現像手段にバイアス電圧
を印加して感光体の表面を帯電すると同時に現像するよ
うにした、画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の画像形成装置の一例が特開平５
−１４２８９８号に開示されている。この従来技術で
は、現像スリーブと感光体との間に直流成分に交流成分
を重畳したバイアス電圧を印加する。
−１４２８９８号に開示されている。この従来技術で
は、現像スリーブと感光体との間に直流成分に交流成分
を重畳したバイアス電圧を印加する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術によれば、バ
イアス電圧として直流成分に交流成分を重畳したものを
印加するようにしているので、現像領域におけるトナー
の動きが交流成分の働きによって活発化され、トナーと
感光体表面との接触回数が増大し、その結果、感光体の
表面をむらなく均一に帯電させることができるという利
点はあるものの、バイアス電圧の値が一定に設定されて
いたので、感光体の経年変化や環境（湿度等）の変化等
によって現像スリーブから感光体のアース電極までの合
成抵抗値が変動すると、それに伴って現像電流が変動
し、良好な画質を安定して得ることができないという問
題点があった。
イアス電圧として直流成分に交流成分を重畳したものを
印加するようにしているので、現像領域におけるトナー
の動きが交流成分の働きによって活発化され、トナーと
感光体表面との接触回数が増大し、その結果、感光体の
表面をむらなく均一に帯電させることができるという利
点はあるものの、バイアス電圧の値が一定に設定されて
いたので、感光体の経年変化や環境（湿度等）の変化等
によって現像スリーブから感光体のアース電極までの合
成抵抗値が変動すると、それに伴って現像電流が変動
し、良好な画質を安定して得ることができないという問
題点があった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、良
好な画質を安定して得ることができる、画像形成装置を
提供することである。
好な画質を安定して得ることができる、画像形成装置を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、透明基体，
透明電極および光導電体を有する感光体、感光体の透明
基体側から光導電体を露光する光源、感光体の光導電体
側に露光位置に対応して配置され、光導電体に現像剤を
接触させる現像手段、および現像手段と感光体との間に
直流成分に交流成分を重畳したバイアス電圧を印加する
現像バイアス印加手段を備える画像形成装置において、
現像バイアス印加手段は交流成分のデューティを変化さ
せるデューティ変化手段を含み、それによってバイアス
電圧の平均電圧を変化させるようにしたことを特徴とす
る、画像形成装置である。
透明電極および光導電体を有する感光体、感光体の透明
基体側から光導電体を露光する光源、感光体の光導電体
側に露光位置に対応して配置され、光導電体に現像剤を
接触させる現像手段、および現像手段と感光体との間に
直流成分に交流成分を重畳したバイアス電圧を印加する
現像バイアス印加手段を備える画像形成装置において、
現像バイアス印加手段は交流成分のデューティを変化さ
せるデューティ変化手段を含み、それによってバイアス
電圧の平均電圧を変化させるようにしたことを特徴とす
る、画像形成装置である。
【０００６】
【作用】たとえば環境（湿度等）の変化等によって現像
手段に付与される現像電流の値が大きくなると、交流成
分のデューティを小さくすることによって、バイアス電
圧の平均電圧が小さくされる。したがって、現像電流が
それ以上大きくなるのが抑制される。一方、現像電流が
小さくなると、交流成分のデューティを大きくすること
によって、平均電圧が大きくされ、現像電流がそれ以上
小さくなるのが抑制される。
手段に付与される現像電流の値が大きくなると、交流成
分のデューティを小さくすることによって、バイアス電
圧の平均電圧が小さくされる。したがって、現像電流が
それ以上大きくなるのが抑制される。一方、現像電流が
小さくなると、交流成分のデューティを大きくすること
によって、平均電圧が大きくされ、現像電流がそれ以上
小さくなるのが抑制される。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、バイアス電圧の交流
成分のデューティを制御することによって現像電流の変
動を抑制するようにしているので、良好な画質を安定し
て得ることができる。また、像形成が必要でないとき、
交流成分のデューティを調整することによってバイアス
電圧の平均値を０Ｖに設定するようにすると、バイアス
電圧の交流成分および直流成分を個別に０Ｖに設定する
場合に比べて、制御を簡素化できる。
成分のデューティを制御することによって現像電流の変
動を抑制するようにしているので、良好な画質を安定し
て得ることができる。また、像形成が必要でないとき、
交流成分のデューティを調整することによってバイアス
電圧の平均値を０Ｖに設定するようにすると、バイアス
電圧の交流成分および直流成分を個別に０Ｖに設定する
場合に比べて、制御を簡素化できる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１に示すこの実施例の画像形成装置１０
は、感光体ドラム１２を含む。感光体ドラム１２は、ガ
ラス等からなる略円筒状の透明基体１４，透明基体１４
の外周面に形成された透明電極１６および透明電極１６
の外周面に形成された光導電体１８を含み、図示しない
モータによって矢印方向に回転される。感光体ドラム１
２の内部には、ＬＥＤアレイ２０等を含む光書込ヘッド
２２が配置され、光書込ヘッド２２からの光が、透明基
体１４および透明電極１６を通して光導電体１８へ照射
される。光導電体１８における光が照射される点が露光
点Ａ（図２）である。
は、感光体ドラム１２を含む。感光体ドラム１２は、ガ
ラス等からなる略円筒状の透明基体１４，透明基体１４
の外周面に形成された透明電極１６および透明電極１６
の外周面に形成された光導電体１８を含み、図示しない
モータによって矢印方向に回転される。感光体ドラム１
２の内部には、ＬＥＤアレイ２０等を含む光書込ヘッド
２２が配置され、光書込ヘッド２２からの光が、透明基
体１４および透明電極１６を通して光導電体１８へ照射
される。光導電体１８における光が照射される点が露光
点Ａ（図２）である。
【００１０】感光体ドラム１２の右方の露光点Ａ近傍に
は、現像装置２４が配置される。現像装置２４は、その
側面に開口２６を有し、かつその内部に絶縁性トナー２
８ａと導電性磁性キャリア２８ｂ（図２）とからなる現
像剤２８を収容するトナーボックス３０を含む。トナー
ボックス３０の開口２６には、アルミニウムやステンレ
ス鋼等の導電性で非磁性の現像スリーブ３２が配置さ
れ、現像スリーブ３２の内部には、その外周部にＮ極お
よびＳ極が交互に形成された磁気ローラ３４が配置され
る。また、開口２６の上部には、現像スリーブ３２によ
って搬送される現像剤２８の厚みを規制する規制部材３
６が設けられる。そして、現像スリーブ３２に現像バイ
アス発生装置３８が接続され、この現像バイアス発生装
置３８によって、現像スリーブ３２と感光体ドラム１２
の透明基体１４との間に直流に交流（方形波）を重畳し
た現像バイアス電圧が印加される。
は、現像装置２４が配置される。現像装置２４は、その
側面に開口２６を有し、かつその内部に絶縁性トナー２
８ａと導電性磁性キャリア２８ｂ（図２）とからなる現
像剤２８を収容するトナーボックス３０を含む。トナー
ボックス３０の開口２６には、アルミニウムやステンレ
ス鋼等の導電性で非磁性の現像スリーブ３２が配置さ
れ、現像スリーブ３２の内部には、その外周部にＮ極お
よびＳ極が交互に形成された磁気ローラ３４が配置され
る。また、開口２６の上部には、現像スリーブ３２によ
って搬送される現像剤２８の厚みを規制する規制部材３
６が設けられる。そして、現像スリーブ３２に現像バイ
アス発生装置３８が接続され、この現像バイアス発生装
置３８によって、現像スリーブ３２と感光体ドラム１２
の透明基体１４との間に直流に交流（方形波）を重畳し
た現像バイアス電圧が印加される。
【００１１】さらに、感光体ドラム１２の下方には、転
写ローラ４０が配置され、転写ローラ４０の右方（図
１）には、感光体ドラム１２と転写ローラ４０との間に
用紙４２を供給するための供給ローラ４４が配置され、
転写ローラ４０の左方（図１）には、用紙４２に画像を
定着する定着装置４６が配置される。動作において、図
示しないモータによって感光体ドラム１２および現像ス
リーブ３２が矢印方向に回転されると、磁気ローラ３４
によって現像スリーブ３２の表面に磁気吸引された現像
剤２８が現像領域４８へ向けて搬送される。このとき、
トナー２８ａが、キャリア２８ｂとの摩擦帯電により生
じた部分的クーロン力によってキャリア２８ｂの表面に
付着される。現像領域４８においては、図２からよくわ
かるように、現像剤２８からなる磁気ブラシ５０が、磁
気ローラ３４のＮ極とＳ極との間の磁力線に沿って形成
される。磁気ブラシ５０には、導電性磁性キャリア２８
ｂによって導電路が形成されるので、感光体ドラム１２
の表面は、磁気ブラシ５０（導電路）から電荷が注入さ
れることによって一様に帯電される。
写ローラ４０が配置され、転写ローラ４０の右方（図
１）には、感光体ドラム１２と転写ローラ４０との間に
用紙４２を供給するための供給ローラ４４が配置され、
転写ローラ４０の左方（図１）には、用紙４２に画像を
定着する定着装置４６が配置される。動作において、図
示しないモータによって感光体ドラム１２および現像ス
リーブ３２が矢印方向に回転されると、磁気ローラ３４
によって現像スリーブ３２の表面に磁気吸引された現像
剤２８が現像領域４８へ向けて搬送される。このとき、
トナー２８ａが、キャリア２８ｂとの摩擦帯電により生
じた部分的クーロン力によってキャリア２８ｂの表面に
付着される。現像領域４８においては、図２からよくわ
かるように、現像剤２８からなる磁気ブラシ５０が、磁
気ローラ３４のＮ極とＳ極との間の磁力線に沿って形成
される。磁気ブラシ５０には、導電性磁性キャリア２８
ｂによって導電路が形成されるので、感光体ドラム１２
の表面は、磁気ブラシ５０（導電路）から電荷が注入さ
れることによって一様に帯電される。
【００１２】一様に帯電された感光体ドラム１２の表面
が光書込ヘッド２２によって露光されると、露光された
部分（露光部）の表面電位が下がり、トナー２８ａとの
間に電位差が生じて露光部にトナー２８ａが付着され
る。それによって、感光体ドラム１２の表面にトナー像
が形成される。このトナー像が転写ローラ４０によって
用紙４２上に転写され、図示しない定着装置によって用
紙４２上に定着される。
が光書込ヘッド２２によって露光されると、露光された
部分（露光部）の表面電位が下がり、トナー２８ａとの
間に電位差が生じて露光部にトナー２８ａが付着され
る。それによって、感光体ドラム１２の表面にトナー像
が形成される。このトナー像が転写ローラ４０によって
用紙４２上に転写され、図示しない定着装置によって用
紙４２上に定着される。
【００１３】現像バイアス電圧を一定に保持した状態で
環境等が変化すると、現像スリーブ３２から透明基体１
４（アース電極）までの合成抵抗値Ｒが変化し、それに
伴って現像スリーブ３２に付与される現像電流Ｉが変化
する。たとえば図３のグラフに示すように、湿度が上昇
すると現像電流Ｉが上昇し、湿度が低下すると現像電流
Ｉが低下する。このような現像電流Ｉの変動は、感光体
１２の表面電位ＶS の変動を招き、画像濃度のむら等を
引き起こす原因となる。そこで、この実施例では、現像
電流Ｉの変動を抑制して表面電位ＶS を略一定に保持す
ることを目的として、現像バイアス発生装置３８によっ
て現像バイアス電圧の交流成分のデューティを制御す
る。
環境等が変化すると、現像スリーブ３２から透明基体１
４（アース電極）までの合成抵抗値Ｒが変化し、それに
伴って現像スリーブ３２に付与される現像電流Ｉが変化
する。たとえば図３のグラフに示すように、湿度が上昇
すると現像電流Ｉが上昇し、湿度が低下すると現像電流
Ｉが低下する。このような現像電流Ｉの変動は、感光体
１２の表面電位ＶS の変動を招き、画像濃度のむら等を
引き起こす原因となる。そこで、この実施例では、現像
電流Ｉの変動を抑制して表面電位ＶS を略一定に保持す
ることを目的として、現像バイアス発生装置３８によっ
て現像バイアス電圧の交流成分のデューティを制御す
る。
【００１４】以下には、図４のブロック図および図５の
回路図に従って現像バイアス発生装置３８の構成および
その動作について説明する。現像バイアス発生装置３８
は、方形波発生回路５２を含む。方形波発生回路５２
は、コンデンサ５４の充電電圧を基準電圧Ｖｒｅｆｌと
比較してＯＰアンプ５６の出力にパルスを出す。スイッ
チング回路５８には、そのパルスを受けるトランジスタ
６０が設けられ、このトランジスタ６０は、パルスのハ
イレベルおよびローレベルに応じてオン／オフする。一
方、信号ＤＥCNT が、像形成が必要なときにハイレベル
となってトランジスタ６２に与えられる。応じて、トラ
ンジスタ６２がオンとなり、トランジスタ６４がオフと
なるため、パルスすなわちトランジスタ６０の出力が電
流制限回路６６、および抵抗器６８ならびにコンデンサ
７０（これらはフィルタの機能を果たす。）を介してト
ランス７２の１次巻線に印加される。したがって、トラ
ンス７２の２次巻線には、逓倍された交流電圧が得ら
れ、半波整流回路７４の出力には、高圧直流電圧（たと
えば２０００Ｖ）が得られる。
回路図に従って現像バイアス発生装置３８の構成および
その動作について説明する。現像バイアス発生装置３８
は、方形波発生回路５２を含む。方形波発生回路５２
は、コンデンサ５４の充電電圧を基準電圧Ｖｒｅｆｌと
比較してＯＰアンプ５６の出力にパルスを出す。スイッ
チング回路５８には、そのパルスを受けるトランジスタ
６０が設けられ、このトランジスタ６０は、パルスのハ
イレベルおよびローレベルに応じてオン／オフする。一
方、信号ＤＥCNT が、像形成が必要なときにハイレベル
となってトランジスタ６２に与えられる。応じて、トラ
ンジスタ６２がオンとなり、トランジスタ６４がオフと
なるため、パルスすなわちトランジスタ６０の出力が電
流制限回路６６、および抵抗器６８ならびにコンデンサ
７０（これらはフィルタの機能を果たす。）を介してト
ランス７２の１次巻線に印加される。したがって、トラ
ンス７２の２次巻線には、逓倍された交流電圧が得ら
れ、半波整流回路７４の出力には、高圧直流電圧（たと
えば２０００Ｖ）が得られる。
【００１５】ハイレベルの信号ＤＥCNT はまた、Ｉ／Ｖ
変換回路７６のトランジスタ７８に与えられる。したが
って、トランジスタ７８がオンとなり、抵抗器８０およ
び８２を通して電流が流れる。したがって、抵抗器８０
と８２との接続点には、その電流に応じた電圧が得ら
れ、その電圧がＯＰアンプ８４の（−）入力に与えられ
る。基準電圧発生回路８６は、可変抵抗器８８を含み、
その抵抗値によって設定される基準電圧をＯＰアンプ８
４の（＋）入力に与える。したがって、抵抗器８０およ
び８２の接続点の電圧と基準電圧とがＯＰアンプ８４に
よって比較され、両者の差が小さいとき大きくなり、大
きいとき小さくなる信号がＯＰアンプ８４から出力され
る。ＯＰアンプ８４の出力ｂは、したがって、抵抗器８
０および８２の接続点の電圧を反転した電圧となり、そ
れがＯＰアンプ９０の（＋）入力に与えられる。なお、
ＯＰアンプ８４の出力ｂには、電圧制限回路９２を構成
するツェナダイオード９４が接続される。したがって、
ＯＰアンプ８４の出力電圧は、ツェナダイオード９４の
電圧によって制限される。これは、ＯＰアンプ８４の出
力ｂが三角波発生回路９６（後述）の出力ａを超えない
ように制限し、三角波発生回路９６の出力ａとＯＰアン
プ８４の出力ｂとが必ず交わるようにするためである。
変換回路７６のトランジスタ７８に与えられる。したが
って、トランジスタ７８がオンとなり、抵抗器８０およ
び８２を通して電流が流れる。したがって、抵抗器８０
と８２との接続点には、その電流に応じた電圧が得ら
れ、その電圧がＯＰアンプ８４の（−）入力に与えられ
る。基準電圧発生回路８６は、可変抵抗器８８を含み、
その抵抗値によって設定される基準電圧をＯＰアンプ８
４の（＋）入力に与える。したがって、抵抗器８０およ
び８２の接続点の電圧と基準電圧とがＯＰアンプ８４に
よって比較され、両者の差が小さいとき大きくなり、大
きいとき小さくなる信号がＯＰアンプ８４から出力され
る。ＯＰアンプ８４の出力ｂは、したがって、抵抗器８
０および８２の接続点の電圧を反転した電圧となり、そ
れがＯＰアンプ９０の（＋）入力に与えられる。なお、
ＯＰアンプ８４の出力ｂには、電圧制限回路９２を構成
するツェナダイオード９４が接続される。したがって、
ＯＰアンプ８４の出力電圧は、ツェナダイオード９４の
電圧によって制限される。これは、ＯＰアンプ８４の出
力ｂが三角波発生回路９６（後述）の出力ａを超えない
ように制限し、三角波発生回路９６の出力ａとＯＰアン
プ８４の出力ｂとが必ず交わるようにするためである。
【００１６】三角波発生回路９６は、２つのＯＰアンプ
９８および１００、ならびにコンデンサ１０２を含み、
周知のように、コンデンサ１０２の充放電を利用して図
６に示すような三角波ａを出力する。この三角波ａがＯ
Ｐアンプ９０の（−）入力に与えられる。したがって、
ＯＰアンプ９０の出力は、信号ｂが信号ａ以上のときハ
イレベルとなり、信号ｂが信号ａ以下のときローレベル
となる図６に示すような信号ｃとなる。この信号ｃがゲ
ート回路１０４の入力に与えられる。ゲート回路１０４
は、半波整流回路７４の出力すなわち高圧直流電圧を受
ける。したがって、信号ｃがローレベルのとき、ゲート
回路１０４がオンとなり、半波整流回路７４の出力が０
電圧（アース電圧）に強制される。すなわち、高圧直流
電圧が「断」される。
９８および１００、ならびにコンデンサ１０２を含み、
周知のように、コンデンサ１０２の充放電を利用して図
６に示すような三角波ａを出力する。この三角波ａがＯ
Ｐアンプ９０の（−）入力に与えられる。したがって、
ＯＰアンプ９０の出力は、信号ｂが信号ａ以上のときハ
イレベルとなり、信号ｂが信号ａ以下のときローレベル
となる図６に示すような信号ｃとなる。この信号ｃがゲ
ート回路１０４の入力に与えられる。ゲート回路１０４
は、半波整流回路７４の出力すなわち高圧直流電圧を受
ける。したがって、信号ｃがローレベルのとき、ゲート
回路１０４がオンとなり、半波整流回路７４の出力が０
電圧（アース電圧）に強制される。すなわち、高圧直流
電圧が「断」される。
【００１７】上記方形波発生回路５２，スイッチング回
路５８およびトランス７２等と同じ回路構成を有するＤ
Ｃバイアス発生回路１０６が設けられ、このＤＣバイア
ス発生回路１０６の半波整流回路１０８の出力には、た
とえば−４００Ｖの直流バイアス電圧が発生される。こ
の直流バイアス電圧とゲート回路１０４によってオン／
オフ（断続）される高圧電圧（高圧交流電圧）とが出力
バッファ回路１１０によって重畳されて現像バイアス電
圧ＤＥOUT として出力される。
路５８およびトランス７２等と同じ回路構成を有するＤ
Ｃバイアス発生回路１０６が設けられ、このＤＣバイア
ス発生回路１０６の半波整流回路１０８の出力には、た
とえば−４００Ｖの直流バイアス電圧が発生される。こ
の直流バイアス電圧とゲート回路１０４によってオン／
オフ（断続）される高圧電圧（高圧交流電圧）とが出力
バッファ回路１１０によって重畳されて現像バイアス電
圧ＤＥOUT として出力される。
【００１８】基準電圧発生回路８６で発生される基準電
圧は、通常環境（図３のグラフ中のＡ環境）下における
信号ｃのオン／オフデューティが５０％となるように設
定される。したがって、通常環境（Ａ環境）下において
は、図７に示すように、直流電圧（−４００Ｖ）にデュ
ーティ５０％の交流電圧（振幅２ｋＶ）が重畳された現
像バイアス電圧ＤＥOUT （平均電圧Ｖｂ−ＡＶＧ：６０
０Ｖ）が出力される。
圧は、通常環境（図３のグラフ中のＡ環境）下における
信号ｃのオン／オフデューティが５０％となるように設
定される。したがって、通常環境（Ａ環境）下において
は、図７に示すように、直流電圧（−４００Ｖ）にデュ
ーティ５０％の交流電圧（振幅２ｋＶ）が重畳された現
像バイアス電圧ＤＥOUT （平均電圧Ｖｂ−ＡＶＧ：６０
０Ｖ）が出力される。
【００１９】高湿環境（図３のグラフ中のＢ環境）下に
おいては、現像電流Ｉが大きくなり、抵抗器８０および
８２の接続点の電圧が大きくなり、ＯＰアンプ８４の出
力ｂは図８に示すように小さくなる。したがって、ＯＰ
アンプ９０からはオフ期間の長い信号ｃが出力される。
したがって、ゲート回路１０４が長い期間オンされる。
ゲート回路１０４がオフのとき、バイアス電圧ＤＥOUT
としては、図９に示すように、ＤＣバイアス電圧（−４
００Ｖ）に半波整流回路７４の出力電圧（たとえば２０
００Ｖ）が重畳された電圧（１６００Ｖ）が出力され、
ゲート回路１０４がオンのとき、ＤＥOUT には、直流バ
イアス電圧（−４００Ｖ）だけが出力される。信号ｃの
オフ期間が長いということは、直流バイアス電圧に重畳
される交流電圧のオン期間が短い（デューティが小さ
い）ことを意味し、したがって、バイアス電圧ＤＥOUT
の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが小さくなり、感光体ドラム１２
の表面電位ＶS が小さくなる。
おいては、現像電流Ｉが大きくなり、抵抗器８０および
８２の接続点の電圧が大きくなり、ＯＰアンプ８４の出
力ｂは図８に示すように小さくなる。したがって、ＯＰ
アンプ９０からはオフ期間の長い信号ｃが出力される。
したがって、ゲート回路１０４が長い期間オンされる。
ゲート回路１０４がオフのとき、バイアス電圧ＤＥOUT
としては、図９に示すように、ＤＣバイアス電圧（−４
００Ｖ）に半波整流回路７４の出力電圧（たとえば２０
００Ｖ）が重畳された電圧（１６００Ｖ）が出力され、
ゲート回路１０４がオンのとき、ＤＥOUT には、直流バ
イアス電圧（−４００Ｖ）だけが出力される。信号ｃの
オフ期間が長いということは、直流バイアス電圧に重畳
される交流電圧のオン期間が短い（デューティが小さ
い）ことを意味し、したがって、バイアス電圧ＤＥOUT
の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが小さくなり、感光体ドラム１２
の表面電位ＶS が小さくなる。
【００２０】一方、低湿環境（図３のグラフ中のＣ環
境）の場合には、現像電流Ｉが小さくなるので、図１０
に示すように、信号ｃのオフ期間が短くなり、図１１に
示すように、直流バイアス電圧に重畳される交流電圧の
オン期間が長くなり、したがって、バイアス電圧ＤＥ
OUT の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが大きくなり、感光体ドラム
１２の表面電位ＶS が大きくなる。
境）の場合には、現像電流Ｉが小さくなるので、図１０
に示すように、信号ｃのオフ期間が短くなり、図１１に
示すように、直流バイアス電圧に重畳される交流電圧の
オン期間が長くなり、したがって、バイアス電圧ＤＥ
OUT の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが大きくなり、感光体ドラム
１２の表面電位ＶS が大きくなる。
【００２１】この実施例によれば、現像バイアス電圧の
交流成分のデューティを制御することによって現像電流
Ｉの変動を抑制できるので、感光体ドラム１２の表面電
位Ｖ S をほぼ一定に保つことができる。したがって、現
像濃度むら等による画質の低下を防止でき、良好な画質
を安定して得ることができる。なお、上述の実施例で
は、像形成が必要でないときには、現像バイアス電圧の
直流成分および交流成分をともに０Ｖに設定して、現像
バイアス電圧を０Ｖにする必要があるが、図１２に示す
他の実施例では、交流成分のデューティを調整すること
によって現像バイアス電圧の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが０Ｖ
に設定される。すなわち、感光体ドラム１２の表面電位
ＶS は、図１３に示すように、交流成分のデューティに
よって決まる現像バイアス電圧の平均値Ｖｂ−ＡＶＧと
ほぼ同じ値になるので、Ｖｂ−ＡＶＧが０Ｖとなるよう
にデューティを制御することによって、ＶS が０Ｖに設
定され得る。この実施例の回路構成としては、基準電圧
発生回路８６にトランジスタ１１２が接続され、また、
ＤＣバイアス発生回路１０６中のトランジスタ６２（図
５）等が削除される。そして、像形成が必要なときに
は、信号ＤＥCNT （ハイレベル）によってトランジスタ
１１２がオンされ、ＯＰアンプ８４の（＋）入力に所定
の基準電圧が入力される。一方、像形成が必要でないと
きには信号ＤＥCNT がローレベルとなるので、トランジ
スタ１１２がオフされ、ＯＰアンプ８４の（＋）入力に
Ｖｂ−ＡＶＧを０Ｖにするための電圧が入力される。
交流成分のデューティを制御することによって現像電流
Ｉの変動を抑制できるので、感光体ドラム１２の表面電
位Ｖ S をほぼ一定に保つことができる。したがって、現
像濃度むら等による画質の低下を防止でき、良好な画質
を安定して得ることができる。なお、上述の実施例で
は、像形成が必要でないときには、現像バイアス電圧の
直流成分および交流成分をともに０Ｖに設定して、現像
バイアス電圧を０Ｖにする必要があるが、図１２に示す
他の実施例では、交流成分のデューティを調整すること
によって現像バイアス電圧の平均値Ｖｂ−ＡＶＧが０Ｖ
に設定される。すなわち、感光体ドラム１２の表面電位
ＶS は、図１３に示すように、交流成分のデューティに
よって決まる現像バイアス電圧の平均値Ｖｂ−ＡＶＧと
ほぼ同じ値になるので、Ｖｂ−ＡＶＧが０Ｖとなるよう
にデューティを制御することによって、ＶS が０Ｖに設
定され得る。この実施例の回路構成としては、基準電圧
発生回路８６にトランジスタ１１２が接続され、また、
ＤＣバイアス発生回路１０６中のトランジスタ６２（図
５）等が削除される。そして、像形成が必要なときに
は、信号ＤＥCNT （ハイレベル）によってトランジスタ
１１２がオンされ、ＯＰアンプ８４の（＋）入力に所定
の基準電圧が入力される。一方、像形成が必要でないと
きには信号ＤＥCNT がローレベルとなるので、トランジ
スタ１１２がオフされ、ＯＰアンプ８４の（＋）入力に
Ｖｂ−ＡＶＧを０Ｖにするための電圧が入力される。
【００２２】この実施例によれば、像形成が必要でない
ときでも、現像バイアス電圧の直流成分および交流成分
を個別に０Ｖに設定するといった煩雑な制御を必要とし
ないので、回路構成をより簡素化できる。なお、この実
施例（図１２）では、交流成分のデューティを制御して
Ｖｂ−ＡＶＧを０Ｖに設定する必要上、直流成分の極性
と交流成分の平均値の極性とを逆極性に設定しなければ
ならないが、先の実施例（図５）においては、これらの
極性を同極性に設定するようにしてもよい。
ときでも、現像バイアス電圧の直流成分および交流成分
を個別に０Ｖに設定するといった煩雑な制御を必要とし
ないので、回路構成をより簡素化できる。なお、この実
施例（図１２）では、交流成分のデューティを制御して
Ｖｂ−ＡＶＧを０Ｖに設定する必要上、直流成分の極性
と交流成分の平均値の極性とを逆極性に設定しなければ
ならないが、先の実施例（図５）においては、これらの
極性を同極性に設定するようにしてもよい。
【００２３】また、この発明は、図１４に示すように、
帯電装置１１４を用いて感光体１２をプリ帯電するよう
にした画像形成装置１１６にも適用可能である。帯電装
置１１４は、感光体１２の表面に当接する帯電器すなわ
ち導電性ブレード１１８を含み、導電性ブレード１１８
には、帯電バイアス発生装置１２０が接続される。ただ
し、帯電器としては、導電性ブレード１１８の他に導電
性シートや導電性ブラシ等が用いられてもよく、また、
コロナ放電器等の非接触式の帯電器が用いられてもよ
い。画像形成時には、導電性ブレード１１８を通して感
光体１２に電荷が注入され、感光体１２が現像バイアス
とほぼ同じ電位に帯電される。そして、所定電位に帯電
された感光体１２が現像領域４８へ搬送され、磁気ブラ
シ５０からの電荷注入によって感光体１２の帯電電位が
均一化される。
帯電装置１１４を用いて感光体１２をプリ帯電するよう
にした画像形成装置１１６にも適用可能である。帯電装
置１１４は、感光体１２の表面に当接する帯電器すなわ
ち導電性ブレード１１８を含み、導電性ブレード１１８
には、帯電バイアス発生装置１２０が接続される。ただ
し、帯電器としては、導電性ブレード１１８の他に導電
性シートや導電性ブラシ等が用いられてもよく、また、
コロナ放電器等の非接触式の帯電器が用いられてもよ
い。画像形成時には、導電性ブレード１１８を通して感
光体１２に電荷が注入され、感光体１２が現像バイアス
とほぼ同じ電位に帯電される。そして、所定電位に帯電
された感光体１２が現像領域４８へ搬送され、磁気ブラ
シ５０からの電荷注入によって感光体１２の帯電電位が
均一化される。
【００２４】この実施例によれば、帯電装置１１４を用
いて感光体１２をプリ帯電することによって感光体１２
に絶縁性トナーが付着するのを防止できるので、いわゆ
るかぶりの発生を防止できる。また、帯電装置１１４に
よる帯電時の帯電むらを磁気ブラシ５０からの電荷注入
によって均一化できる。
いて感光体１２をプリ帯電することによって感光体１２
に絶縁性トナーが付着するのを防止できるので、いわゆ
るかぶりの発生を防止できる。また、帯電装置１１４に
よる帯電時の帯電むらを磁気ブラシ５０からの電荷注入
によって均一化できる。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例における現像領域を示す図解図であ
る。
る。
【図３】環境変化に伴う現像電流および感光体表面電位
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図４】現像バイアス発生装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図５】現像バイアス発生装置を示す回路図である。
【図６】通常環境下における各種の信号を示す波形図で
ある。
ある。
【図７】通常環境下における現像バイアス電圧を示す波
形図である。
形図である。
【図８】高湿環境下における各種の信号を示す波形図で
ある。
ある。
【図９】高湿環境下における現像バイアス電圧を示す波
形図である。
形図である。
【図１０】低湿環境下における各種の信号を示す波形図
である。
である。
【図１１】低湿環境下における現像バイアス電圧を示す
波形図である。
波形図である。
【図１２】この発明の他の実施例の現像バイアス発生装
置を示す回路図である。
置を示す回路図である。
【図１３】現像バイアス電圧の交流成分のデューティと
現像バイアス電圧の平均値と感光体の表面電位との関係
を示すグラフである。
現像バイアス電圧の平均値と感光体の表面電位との関係
を示すグラフである。
【図１４】この発明のその他の実施例を示す図解図であ
る。
る。
１０ …画像形成装置 １２ …感光体ドラム ２２ …光書込ヘッド ２４ …現像装置 ２８ …現像剤 ３０ …トナーボックス ３２ …現像スリーブ ３４ …磁気ローラ ３８ …現像バイアス発生装置 １１４ …帯電装置
Claims (4)
- 【請求項１】透明基体，透明電極および光導電体を有す
る感光体、前記感光体の前記透明基体側から前記光導電
体を露光する光源、前記感光体の前記光導電体側に露光
位置に対応して配置され、前記光導電体に現像剤を接触
させる現像手段、および前記現像手段と前記感光体との
間に直流成分に交流成分を重畳したバイアス電圧を印加
する現像バイアス印加手段を備える画像形成装置におい
て、 前記現像バイアス印加手段は前記交流成分のデューティ
を変化させるデューティ変化手段を含み、それによって
前記バイアス電圧の平均電圧を変化させるようにしたこ
とを特徴とする、画像形成装置。 - 【請求項２】前記現像バイアス印加手段は、前記直流成
分を発生する直流成分発生手段、前記交流成分を発生す
る交流成分発生手段、および前記直流成分に前記交流成
分を重畳する重畳手段を含み、 前記デューティ変化手段は前記直流成分発生手段および
前記交流成分発生手段の少なくとも一方の出力電流に相
関する電流の大きさを検知する電流検知手段、および前
記電流の大きさに応じて前記デューティを制御するデュ
ーティ制御手段を含む、請求項１記載の画像形成装置。 - 【請求項３】前記交流成分発生手段は直流電圧を発生す
る直流電圧発生手段、および前記直流電圧を断続するこ
とによって交流電圧を発生する断続手段を含み、前記デ
ューティ制御手段は前記電流の大きさに応じて断続時間
を制御する、請求項２記載の画像形成装置。 - 【請求項４】前記デューティを変化することによって前
記バイアス電圧の平均値が０Ｖ以下になるようにした、
請求項１ないし３のいずれかに記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6181135A JPH0844168A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6181135A JPH0844168A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0844168A true JPH0844168A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16095499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6181135A Withdrawn JPH0844168A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0844168A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2341563A1 (de) * | 1973-08-17 | 1975-04-03 | Voest Ag | Stranggiessanlage |
| US9348288B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-05-24 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus forming a plurality of displaced test latent image parts |
| US9423752B2 (en) | 2014-06-11 | 2016-08-23 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and method adjusting image forming condition |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP6181135A patent/JPH0844168A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2341563A1 (de) * | 1973-08-17 | 1975-04-03 | Voest Ag | Stranggiessanlage |
| US9348288B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-05-24 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus forming a plurality of displaced test latent image parts |
| US9423752B2 (en) | 2014-06-11 | 2016-08-23 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and method adjusting image forming condition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |