JPH0837372A - Production process of ceramic multilayer wiring board - Google Patents

Production process of ceramic multilayer wiring board

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JPH0837372A
JPH0837372A JP17105394A JP17105394A JPH0837372A JP H0837372 A JPH0837372 A JP H0837372A JP 17105394 A JP17105394 A JP 17105394A JP 17105394 A JP17105394 A JP 17105394A JP H0837372 A JPH0837372 A JP H0837372A
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dry film
film resist
conductor paste
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好和 中田
Kazunari Tanaka
一成 田中
Shozo Otomo
省三 大友
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Nippon Steel and Sumikin Electronics Devices Inc
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Abstract

PURPOSE:To avoid forming any irregular face or warp of a laminate and form a fine and precise wiring patterns on the laminate by repeating a compression bonding step, adhering step, recess-forming step, conductor paste charging step and eliminating step, at least once. CONSTITUTION:The title method comprises steps of compression-forming a green sheet 14 having via-holes 12 to a ceramic base board 11, applying a dry film resist 15 to the sheet 14, forming recesses 18 in the form of a conductor pattern on the resist 15, and charging a conductor paste 19 into the recesses 18 and via-holes 12. These steps are repeated, at least once. Thus, the green sheets 14 to be stacked have a softness enough and hence neither irregular face nor uncharged part is formed in a laminate and no warp is caused. Thus, a fine multilayer wiring pattern is formed with a high accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はセラミックス多層配線基
板の製造方法に関し、より詳細には半導体LSI、チッ
プ部品などが実装され、それらを相互配線するためのセ
ラミックス多層配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board for mounting semiconductor LSIs, chip components, etc. and interconnecting them.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化、高密
度化、高速動作化が進んできており、現在さらなる小型
化等の要求がなされている。そして、これらの要求に答
えるため、最近ではマルチチップモジュール(MCM)
の採用が検討され始めている。MCMは、高密度配線が
形成された多層配線基板に、複数のベアチップ(パッケ
ージ化されていない裸のLSI)が実装されたものであ
る。このMCMは配線基板の構成や材料によって、MC
M−L、MCM−C、MCM−Dの3つに大別される。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have become smaller, higher in density, and operated at a higher speed, and there is now a demand for further size reduction. And to meet these demands, recently, multi-chip module (MCM)
The adoption of is starting to be considered. The MCM is one in which a plurality of bare chips (bare LSI that is not packaged) are mounted on a multilayer wiring board on which high-density wiring is formed. This MCM depends on the structure and material of the wiring board.
It is roughly classified into three types, ML, MCM-C, and MCM-D.

【0003】MCM−Lはガラス/エポキシ系プリント
配線基板を基板として使用するものであり、低コストで
生産が可能であるが、貫通ビアホールの存在により配線
面積が増大するために高密度化が図れないという問題点
を有しており、低速領域(動作周波数が50MHz程
度)で使用されている。MCM−Cはセラミックスを基
板に使用し、その上に厚膜法により配線層を形成したも
のであり、中程度のコストで生産が可能であるが、厚膜
技術に起因する配線ピッチの限界から高密度化にも限界
があり、中速領域(動作周波数が50〜100MHz)
で使用されている。MCM−Dは、絶縁層としてポリイ
ミドを使用し、シリコン基板等の半導体上に薄膜工程に
より高密度配線を形成したものであり、高速領域(動作
周波数が100MHzを超えたもの)で使用することが
できる。しかし、MCM−Dは薄膜形成工程での工程数
が他の方法と比較して多く、また薄膜形成装置が高価で
ある等の理由から製造コストが高く付くという問題があ
る。
The MCM-L uses a glass / epoxy type printed wiring board as a substrate and can be produced at a low cost, but since the wiring area increases due to the presence of through via holes, the density can be increased. It has a problem that it does not exist, and is used in a low speed region (operating frequency is about 50 MHz). MCM-C uses ceramics for the substrate and has a wiring layer formed on it by the thick film method, and can be produced at a moderate cost, but due to the limitation of the wiring pitch due to the thick film technology. There is a limit to high density, medium speed range (operating frequency is 50 to 100MHz)
Used in. MCM-D uses polyimide as an insulating layer and has high-density wiring formed by a thin film process on a semiconductor such as a silicon substrate, and can be used in a high-speed region (operating frequency exceeding 100 MHz). it can. However, MCM-D has a problem that the number of steps in the thin film forming step is larger than that of other methods, and the manufacturing cost is high because the thin film forming apparatus is expensive.

【0004】従って、現在エンジニアリングワークステ
ーション等の民生用の電子機器で実験搭載されているの
は、主にMCM−Cである。
Therefore, it is the MCM-C that is currently experimentally mounted on consumer electronic devices such as engineering workstations.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、民生用の電子機
器に対しても動作周波数が100MHzを超える領域で
の使用が要求されるようになってきている。しかしなが
ら、前述のようにMCM−Dはコストが高く付くので民
生用の電子機器に使用することが難しく、他方MCM−
Cは配線ピッチの限界から集積度の向上を図ることがで
きず、高速領域での使用が難しい。すなわち、現在のM
CM−Cの配線ルールでは、配線幅が100μm、配線
間隔が100μm程度であり、動作周波数が100μm
を超える高速領域では、配線幅や配線間隔をさらに微細
化する必要がある。
In recent years, consumer electronic devices have been required to be used in a region where the operating frequency exceeds 100 MHz. However, as described above, the MCM-D is expensive and difficult to use in consumer electronic devices, while the MCM-D is difficult to use.
C cannot improve the degree of integration due to the limit of the wiring pitch, and is difficult to use in the high speed region. That is, the current M
According to the CM-C wiring rule, the wiring width is 100 μm, the wiring interval is about 100 μm, and the operating frequency is 100 μm.
In the high-speed region exceeding 10 μm, it is necessary to further reduce the wiring width and wiring interval.

【0006】通常、MCM−Cとして使用されるセラミ
ックス多層配線基板は、グリーンシート上にスクリーン
印刷法により導体パターンを塗布、印刷し、これら導体
パターンを有するグリーンシートを積層し、焼成するこ
とにより製造しているが、スクリーン印刷に使用するメ
ッシュスクリーンはメッシュ開口率に限界があるため、
前記した配線ルールが100μm以下のオーダーのもの
を印刷しようとすると導体ペーストに印刷不良(にじ
み、かすれ等)が発生するという問題があった。また、
グリーンシートに導体ペーストを塗布、印刷した後、導
体ペーストを乾燥させるために前記グリーンシートを加
熱するが、この加熱処理によりグリーンシートが収縮し
てしまうことがある。このため、導体パターンの寸法精
度の低下やグリーンシート積層時の位置ずれが発生する
という問題があった。
Usually, the ceramic multilayer wiring board used as the MCM-C is manufactured by applying and printing a conductor pattern on a green sheet by a screen printing method, laminating the green sheets having these conductor patterns, and firing. However, since the mesh screen used for screen printing has a limit in mesh aperture ratio,
There is a problem that printing failure (bleeding, blurring, etc.) occurs in the conductor paste when printing the wiring rule of the order of 100 μm or less. Also,
After the conductor paste is applied and printed on the green sheet, the green sheet is heated in order to dry the conductor paste, but the heat treatment sometimes causes the green sheet to shrink. For this reason, there is a problem that the dimensional accuracy of the conductor pattern is lowered and a positional deviation occurs when the green sheets are stacked.

【0007】またグリーンシートに形成されたビアホー
ルに導体ペーストを充填する際には、前記グリーンシー
トをスクリーン印刷機の下地板に載せ、スクリーン印刷
法により前記ビアホール内部への導体ペーストの充填を
行う。しかし、導体ペースト充填後にグリーンシートを
下地板より取りはずす際、ビアホールに充填された導体
ペーストが下地板に付着してしまい、ビアホール内部に
導体ペーストの充填不良が生じるという問題があった。
When filling the via hole formed in the green sheet with the conductor paste, the green sheet is placed on a base plate of a screen printing machine, and the conductor paste is filled into the inside of the via hole by a screen printing method. However, when the green sheet is removed from the base plate after filling the conductor paste, the conductor paste filled in the via holes adheres to the base plate, which causes a problem that the conductor paste is not filled inside the via holes.

【0008】さらに、導体パターンが形成されたグリー
ンシートを積層することにより形成された多層積層体を
焼成すると体積収縮が発生するが、その際場所による収
縮率にばらつきが±0.3%程度発生すること、及びグ
リーンシート内のセラミックスと導体である金属との収
縮率の相違から焼成後の基板に「そり」が発生すること
等のため、配線パターンの精度が低下するという問題も
あった。
Further, when a multilayer laminate formed by stacking green sheets on which conductor patterns are formed is fired, volume shrinkage occurs. At that time, the shrinkage rate varies from place to place by about ± 0.3%. There is also a problem that the accuracy of the wiring pattern is deteriorated because "warping" occurs on the substrate after firing due to the difference in shrinkage between the ceramics in the green sheet and the metal which is a conductor.

【0009】そこで、焼成されたセラミックス基板を使
用し、このセラミックス基板上に厚膜導体と絶縁体のペ
ーストを交互に印刷し、焼成する方法も試みられている
が、この方法では導体ペーストの上に積層される絶縁層
に凹凸を生じ、配線層を重ねるにつれ、この凹凸が大き
くなるため、精密な配線層を形成することができないと
いう課題があった。
Therefore, a method of using a fired ceramics substrate and alternately printing a thick film conductor and an insulating paste on the ceramics substrate and firing the paste has been attempted. There is a problem in that it is not possible to form a precise wiring layer because unevenness occurs in the insulating layer laminated on the wiring layer and the unevenness increases as the wiring layers are stacked.

【0010】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、積層体に凹凸や反り等がなく、その内部に断
線や未充填部が発生せず、多段にわたり微細で精密な配
線パターンを形成することが可能なセラミックス多層配
線基板の製造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above problems, and has no unevenness or warpage in the laminated body, no breaks or unfilled portions are formed therein, and a fine and precise wiring pattern is formed in multiple steps. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board that can be formed.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るセラミックス多層配線基板の製造方法
は、セラミックス基板上にビアホールが形成されたグリ
ーンシートを圧着する圧着工程と、該グリーンシート上
にドライフィルムレジストを接着する接着工程と、該ド
ライフィルムレジストに導体パターン状の凹部を形成す
る凹部形成工程と、導体ペーストを該凹部及び前記ビア
ホールに充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライ
フィルムレジストを消失させる消失工程とを少なくとも
1回以上繰り返すことを特徴としている(1)。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention comprises a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having via holes formed on the ceramic substrate, and the green sheet. An adhering step of adhering a dry film resist thereon, a recess forming step of forming a conductor pattern-shaped recess in the dry film resist, a conductor paste filling step of filling a conductor paste into the recess and the via hole, and the dry film It is characterized by repeating the erasing step of erasing the resist at least once or more (1).

【0012】また本発明に係るセラミックス多層配線基
板の製造方法は、ドライフィルムレジスト上にグリーン
シートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリー
ンシートにビアホールを形成するビアホール形成工程
と、前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホ
ールが形成されたグリーンシートをセラミックス基板に
圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導
体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペ
ーストを該凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペー
スト充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失さ
せる消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すことを特
徴としている(2)。
The method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention comprises a green sheet forming step of forming a green sheet on a dry film resist, a via hole forming step of forming a via hole in the green sheet, and the dry film resist. With the via hole facing upwards, a pressure bonding step of pressure bonding the green sheet with the via hole formed on the ceramic substrate, a recess forming step of forming a conductive pattern-shaped recess in the dry film resist, and a conductive paste filling the recess and the via hole. The step of filling the conductive paste and the step of eliminating the dry film resist are repeated at least once (2).

【0013】また本発明に係るセラミックス多層配線基
板の製造方法は、セラミックス基板上にビアホールが形
成されたグリーンシートを圧着する圧着工程と、該グリ
ーンシートに液状のフォトレジストを充填し、乾燥させ
るフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト層に
導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体
ペーストを該凹部に充填する導体ペースト充填工程と、
前記フォトレジスト層を消失させる消失工程とを少なく
とも1回以上繰り返すことを特徴としている(3)。
The method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention comprises a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having via holes formed on the ceramic substrate, and a photo-resist in which the green sheet is filled with liquid photoresist and dried. A resist layer forming step, a recess forming step of forming a conductor pattern-shaped recess in the photoresist layer, and a conductor paste filling step of filling a conductor paste into the recess,
The erasing step of erasing the photoresist layer is repeated at least once (3).

【0014】本発明に係るセラミックス多層配線基板の
製造方法(1)〜(3)について、以下図面に基づいて
詳細に説明する。以下、前記セラミックス多層配線基板
の製造方法(1)を第1の製造方法、前記セラミックス
多層配線基板の製造方法(2)を第2の製造方法、前記
セラミックス多層配線基板の製造方法(3)を第3の製
造方法ともいう。
The method (1) to (3) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. Hereinafter, a method (1) for manufacturing the ceramic multilayer wiring board will be referred to as a first manufacturing method, a method (2) for manufacturing the ceramic multilayer wiring board will be referred to as a second manufacturing method, and a method (3) for manufacturing the ceramic multilayer wiring board will be described. Also referred to as the third manufacturing method.

【0015】まず、本発明に係る第1の製造方法につい
て説明する。図1(a)〜(i)は第1の製造方法にお
ける各製造工程を概略的に示した断面図である。
First, the first manufacturing method according to the present invention will be described. 1A to 1I are cross-sectional views schematically showing each manufacturing step in the first manufacturing method.

【0016】本方法においては、まず圧着工程として、
セラミックス基板11上にビアホール12が形成された
グリーンシート14を圧着する(図1(a))。
In this method, first, as a crimping step,
The green sheet 14 having the via holes 12 formed thereon is pressure-bonded onto the ceramic substrate 11 (FIG. 1A).

【0017】本発明に使用するセラミックス基板11
は、配線基板として使用することができるものであれば
特に限定されず、その具体例としては、例えばセラミッ
クス基板として通常使用されるアルミナセラミックス基
板、ムライトセラミックス基板、ガラスセラミックス基
板、窒化アルミニウムセラミックス基板等が挙げられ
る。セラミックス基板11は、その内部や表面に配線等
が形成された基板であってもよい。
Ceramic substrate 11 used in the present invention
Is not particularly limited as long as it can be used as a wiring substrate, and specific examples thereof include, for example, an alumina ceramics substrate, a mullite ceramics substrate, a glass ceramics substrate, an aluminum nitride ceramics substrate or the like which is usually used as a ceramics substrate. Is mentioned. The ceramic substrate 11 may be a substrate in which wiring or the like is formed inside or on the surface thereof.

【0018】グリーンシート14は、通常用いられるセ
ラミックス粒子やガラス粒子、例えばアルミナ、ムライ
ト、コージェライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ホ
ウ珪酸ガラス等の粒子60〜70wt%、ブチラール樹
脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂(バインダ)5〜1
0wt%、トルエン、キシレン、i−ブタノール、n−
ブタノール等の溶剤15〜20wt%及びジオクチルフ
タレート(DOP)、ジブチルフタレート(DBP)等
の可塑剤2〜10wt%等から構成されている。このグ
リーンシート14は公知の方法により作製することがで
きる。その方法としては、例えば前記組成からなるスラ
リを調製した後、ポリエステル、ポリエチレン等の柔軟
性を有する樹脂製のフィルム基材13の上にドクターブ
レード法等によりグリーンシート14を形成する方法が
挙げられる。グリーンシート14は樹脂製のバインダ及
び可塑剤が含まれているので、形状保持性及び柔軟性を
有する。このグリーンシート14の厚さは、通常10〜
400μm程度である。
The green sheet 14 is made of ceramic particles or glass particles that are usually used, for example, 60 to 70 wt% of particles of alumina, mullite, cordierite, aluminum nitride, silicon nitride, borosilicate glass, butyral resin, acrylic resin, or the like. Plastic resin (binder) 5-1
0 wt%, toluene, xylene, i-butanol, n-
It is composed of 15 to 20 wt% of a solvent such as butanol and 2 to 10 wt% of a plasticizer such as dioctyl phthalate (DOP) and dibutyl phthalate (DBP). The green sheet 14 can be manufactured by a known method. Examples of the method include a method of preparing a slurry having the above composition and then forming a green sheet 14 on a film base material 13 made of a resin having flexibility such as polyester and polyethylene by a doctor blade method or the like. . Since the green sheet 14 contains a resin binder and a plasticizer, it has shape retention and flexibility. The thickness of this green sheet 14 is usually 10 to 10.
It is about 400 μm.

【0019】グリーンシート14へのビアホール12の
形成方法としては、通常行われている方法、すなわちパ
ンチング法により貫通孔を形成する方法が挙げられる。
なお、パンチングを行う際には、フィルム基材13を剥
離せず、フィルム基材13上に存在するグリーンシート
14とフィルム基材13とに同時に貫通孔を形成する方
法が、グリーンシート14の伸縮が生じないので好まし
い。
As a method of forming the via hole 12 in the green sheet 14, there is a method which is usually used, that is, a method of forming a through hole by a punching method.
When punching, the method of forming the through holes at the same time in the green sheet 14 existing on the film base material 13 and the film base material 13 without peeling the film base material 13 expands and contracts the green sheet 14. Is not generated, which is preferable.

【0020】このようにしてビアホール12が形成され
たグリーンシート14を、セラミックス基板11に圧着
するが、前記圧着の方法は熱圧着法が好ましい。熱圧着
の条件としては、加熱温度が80〜120℃、圧力が5
〜30kg/cm2 、熱圧着時間が10秒〜1分程度が
好ましい。圧着する際に、フィルム基材13とグリーン
シート14とは剥離せず、フィルム基材13を付けたま
ま、フィルム基材13を上側にしてセラミックス基板1
1に圧着する方法をとるのが、グリーンシート14の伸
縮が生じないので好ましく、またゴム板をグリーンシー
ト14の上に載置して圧着する方法が、セラミックス基
板11に多少の反り等が存在する場合でもセラミックス
基板11を破損する虞れがないので好ましい。
The green sheet 14 having the via holes 12 thus formed is pressure-bonded to the ceramic substrate 11, and the pressure-bonding method is preferably thermocompression bonding. The conditions for thermocompression bonding are a heating temperature of 80 to 120 ° C. and a pressure of 5
It is preferably about 30 kg / cm 2 , and the thermocompression bonding time is about 10 seconds to 1 minute. At the time of pressure bonding, the film base material 13 and the green sheet 14 are not separated from each other, and the film base material 13 is attached to the ceramic substrate 1 with the film base material 13 facing upward.
It is preferable to adopt a method of crimping to No. 1 because expansion and contraction of the green sheet 14 does not occur. Further, a method of placing a rubber plate on the green sheet 14 and crimping the ceramic substrate 11 has some warpage or the like. Even in the case of doing so, there is no risk of damaging the ceramic substrate 11, which is preferable.

【0021】圧着する際のグリーンシート14の位置合
わせは、例えばセラミックス基板11上に予め複数の位
置合わせマーク11aをスクリーン印刷等により形成し
ておき、他方グリーンシート14には位置合わせのため
の貫通孔を形成しておき、前記グリーンシート14を圧
着する際に、セラミックス基板11上の位置合わせマー
ク11aがグリーンシート14に形成された貫通孔の中
に位置するようにグリーンシート14をセラミックス基
板11上に載置し、熱圧着すればよい。
The positioning of the green sheet 14 at the time of pressure bonding is performed by forming a plurality of positioning marks 11a on the ceramic substrate 11 in advance by screen printing or the like, while the green sheet 14 is pierced for positioning. A hole is formed in advance, and when the green sheet 14 is pressure-bonded, the green sheet 14 is positioned so that the alignment mark 11a on the ceramic substrate 11 is located in the through hole formed in the green sheet 14. It may be placed on top and thermocompression bonded.

【0022】この後、フィルム基材13はグリーンシー
ト14より剥離する(図1(b))。剥離性を向上させ
るために、グリーンシート14を形成する前に、フィル
ム基材13にシリコンオイルをコーティングしておいて
もよい。
After that, the film substrate 13 is peeled off from the green sheet 14 (FIG. 1 (b)). In order to improve the releasability, the film base material 13 may be coated with silicon oil before forming the green sheet 14.

【0023】次に、接着工程として、グリーンシート1
4上にドライフィルムレジスト15を接着する(図1
(c))。
Next, as a bonding step, the green sheet 1
A dry film resist 15 is adhered onto the surface 4 (see FIG. 1).
(C)).

【0024】ドライフィルムレジスト15としては、公
知のネガ型のものを使用することができ、その具体例と
しては、例えばデュポン社製のリストン、三菱レイヨン
社製のダイヤロン等が挙げられる。ドライフィルムレジ
スト15の厚さは、15〜50μmの範囲が好ましい。
ドライフィルムレジスト15の厚さが15μm未満であ
ると後工程において導体ペーストの充填が難しくなり、
他方その厚さが50μmを超えると解像度が低下する。
ドライフィルムレジスト15の接着方法は、熱圧着法を
とるのが好ましい。熱圧着の条件としては、加熱温度8
0〜110℃、圧力1〜3kg/cm2 が好ましい。
As the dry film resist 15, a well-known negative type resist can be used, and specific examples thereof include Liston manufactured by DuPont and Dialon manufactured by Mitsubishi Rayon. The thickness of the dry film resist 15 is preferably in the range of 15 to 50 μm.
If the thickness of the dry film resist 15 is less than 15 μm, it becomes difficult to fill the conductive paste in the subsequent step,
On the other hand, if the thickness exceeds 50 μm, the resolution is lowered.
As a method for adhering the dry film resist 15, it is preferable to adopt a thermocompression bonding method. The conditions for thermocompression bonding are a heating temperature of 8
0 to 110 ° C. and a pressure of 1 to 3 kg / cm 2 are preferable.

【0025】次に、凹部形成工程として、ドライフィル
ムレジスト15に導体パターン状の凹部18を形成す
る。この場合、ドライフィルムレジスト15の導体パタ
ーン以外の部分に紫外線17が露光されるように設計さ
れたフォトマスク16を介して紫外線17を照射し(図
1(d))、その後現像処理を施すことにより、セラミ
ックス基板11上に導体パターン状の凹部18を形成す
る(図1(e))。
Next, as a recess forming step, a conductive pattern-shaped recess 18 is formed in the dry film resist 15. In this case, the portion of the dry film resist 15 other than the conductor pattern is irradiated with the ultraviolet rays 17 through the photomask 16 designed so that the ultraviolet rays 17 are exposed (FIG. 1 (d)), and then the development treatment is performed. Thus, the conductor pattern-shaped recesses 18 are formed on the ceramic substrate 11 (FIG. 1E).

【0026】紫外線17による露光処理の条件は特に限
定されないが、露光量は通常20〜50mJ/cm2
好ましい。前記露光量が20mJ/cm2 未満であると
現像によりセラミックス基板11の表面まで達する凹部
18を完全に形成することが難しく、他方前記露光量が
50mJ/cm2 を超えるとオーバー露光となり、凹部
18の断面形状が逆台形になるため好ましくない。
The conditions of the exposure treatment with the ultraviolet rays 17 are not particularly limited, but the exposure amount is usually preferably 20 to 50 mJ / cm 2 . If the exposure dose is less than 20 mJ / cm 2 , it is difficult to completely form the recess 18 reaching the surface of the ceramic substrate 11 by development. On the other hand, if the exposure dose exceeds 50 mJ / cm 2 , overexposure occurs and the recess 18 is formed. This is not preferable because the cross-sectional shape of is an inverted trapezoid.

【0027】前記現像処理の条件も特に限定されるもの
ではなく、通常行われるスプレー法又は浸漬揺動法等の
方法により現像処理を施すことができる。現像液は0.
1〜1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶液が好ましい。
The conditions of the developing treatment are not particularly limited, and the developing treatment can be carried out by a commonly used method such as a spray method or an immersion rocking method. The developer is 0.
A 1 to 1.0 wt% sodium carbonate aqueous solution is preferred.

【0028】次に、導体ペースト充填工程として、導体
ペースト19を導体パターン状の凹部18(配線部及び
ビアカバー部)及びビアホール12に充填する(図1
(f))。
Next, as a conductor paste filling step, the conductor paste 19 is filled in the conductor pattern-shaped recesses 18 (wiring portion and via cover portion) and the via holes 12 (FIG. 1).
(F)).

【0029】通常、導体ペースト19は導体粉末、溶
剤、及び樹脂(バインダ)より構成される。前記導体粉
末用の材料としては、通常基板等の配線に使用される公
知の導体材料を使用することができ、その具体例として
は、例えばW、Mo−Mn、Au、Ag、Ag−Pd、
Cu、Ni、Pd等が挙げられる。
Usually, the conductor paste 19 is composed of conductor powder, a solvent, and a resin (binder). As the material for the conductor powder, a known conductor material that is usually used for wiring of a substrate or the like can be used, and specific examples thereof include W, Mo-Mn, Au, Ag, Ag-Pd,
Cu, Ni, Pd, etc. are mentioned.

【0030】また導体ペースト19用の溶剤としては、
例えばテルピネオール、ジブチルフタレート(DBP)
等、公知の溶剤が挙げられる。
As the solvent for the conductor paste 19,
For example terpineol, dibutyl phthalate (DBP)
For example, a known solvent may be used.

【0031】導体ペースト19用のバインダーは、後工
程で用いられるフォトレジスト層消失液に溶解しないも
のである必要がある。これは、ドライフィルムレジスト
15に形成された凹部18及びグリーンシート14のビ
アホール12に導体ペースト19を充填した後、このド
ライフィルムレジスト15を現像液に接触させて溶解、
消失させる工程において、導体ペースト19がフォトレ
ジスト層消失液に溶解しないようにするためである。前
記フォトレジスト層消失液は通常水溶液であるので、導
体ペースト19に用いられる樹脂は非水溶性の樹脂であ
る必要がある。前記樹脂の具体例としては、例えばエチ
ルセルロース、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等が挙げ
られる。
The binder for the conductor paste 19 must be one that does not dissolve in the photoresist layer disappearing liquid used in the subsequent step. This is because after filling the concave portion 18 formed in the dry film resist 15 and the via hole 12 of the green sheet 14 with the conductor paste 19, the dry film resist 15 is brought into contact with a developing solution to dissolve it.
This is for preventing the conductor paste 19 from being dissolved in the photoresist layer disappearing liquid in the disappearing step. Since the photoresist layer disappearing liquid is usually an aqueous solution, the resin used for the conductor paste 19 needs to be a water-insoluble resin. Specific examples of the resin include ethyl cellulose, acrylic resin, methacrylic resin and the like.

【0032】以上の理由から本発明に使用される導体ペ
ースト19としては、例えば前記導体粉末が84〜96
wt%、前記アクリル樹脂等の樹脂(バインダ)が2〜
6wt%、前記テルピネオール等の溶剤が2〜16wt
%の組成からなるものが好ましい。導体ペースト19の
調製は3本ロールを使用する方法等、公知の調製方法を
用いて調製することができる。
For the above reasons, the conductor paste 19 used in the present invention contains, for example, the conductor powders 84 to 96.
2% by weight of the resin (binder) such as the acrylic resin
6 wt%, the solvent such as terpineol is 2 to 16 wt%
% Composition is preferred. The conductor paste 19 can be prepared by a known preparation method such as a method using a triple roll.

【0033】なお、焼成後に導体とセラミックス基板1
1との接着性を高めるために、上記導体粉末に対し、ガ
ラス、SiO2 、TiO2 等の無機結合粉末を1〜10
wt添加してもよい。
After firing, the conductor and the ceramic substrate 1
In order to improve the adhesiveness with 1, the inorganic powders such as glass, SiO 2 and TiO 2 are added to the conductive powder in an amount of 1 to 10
You may add wt.

【0034】上記した組成の導体ペースト19をドライ
フィルムレジストの凹部18及びビアホール12に充填
するには、スキージを用い、導体ペースト19を凹部1
8に直接擦り込むように充填する方法をとるのが好まし
い。この場合に用いるスキージの材質は、ゴム又はフッ
素樹脂が好ましい。凹部18以外のドライフィルムレジ
スト15の表面に導体ペースト19が多少残存する場合
もあるが、この場合は導体ペースト19の付着していな
いスキージを用いて掻き取ることにより殆ど除去するこ
とができ、ドライフィルムレジスト15が傷つくことも
ない。さらに、前記操作によっても除去できない極薄い
導体ペースト19の層が存在する場合は、導体ペースト
19を乾燥させた後、ラッピングフィルム(砥粒として
粒径1μmのアルミナが被着しているもの)を用いて研
磨することにより除去することができる。また、凹部1
8内及びビアホール12内に導体ペースト19の充填不
良が生じた場合には、充填方向を初期の充填方向より9
0度変えて再度充填すれば、完全に充填することができ
る。
In order to fill the recess 18 and the via hole 12 of the dry film resist with the conductor paste 19 having the above composition, a squeegee is used, and the conductor paste 19 is filled with the conductor paste 19.
It is preferable to adopt a method of filling by directly rubbing into No. 8. The material of the squeegee used in this case is preferably rubber or fluororesin. There may be some conductor paste 19 remaining on the surface of the dry film resist 15 other than the recesses 18, but in this case, the conductor paste 19 can be almost removed by scraping with a squeegee to which the conductor paste 19 is not attached. The film resist 15 is not damaged. Furthermore, when there is an extremely thin layer of the conductor paste 19 that cannot be removed even by the above-mentioned operation, after drying the conductor paste 19, a wrapping film (those having alumina having a particle size of 1 μm adhered as abrasive grains) is applied. It can be removed by polishing with. Also, the recess 1
When the filling failure of the conductor paste 19 occurs in 8 and in the via hole 12, the filling direction is set to 9 from the initial filling direction.
Completely filling can be done by changing 0 degree and filling again.

【0035】導体ペースト19を充填した後は、乾燥工
程として、前記工程を経たセラミックス基板11に加熱
処理を施し、導体ペースト19中の溶剤等を揮発させ
る。加熱処理は、約90〜120℃で10〜20分程度
行うのが好ましい。
After the conductor paste 19 is filled, as a drying step, the ceramic substrate 11 that has undergone the above steps is subjected to heat treatment to volatilize the solvent and the like in the conductor paste 19. The heat treatment is preferably performed at about 90 to 120 ° C. for about 10 to 20 minutes.

【0036】次に、消失工程として、導体ペースト19
が充填されたドライフィルムレジスト15をフォトレジ
スト層消失液で処理して溶解し、ドライフィルムレジス
ト15を消失させる(図1(g))。前記フォトレジス
ト層消失液は、ドライフィルムレジスト15を溶解し、
かつ導体ペースト19に使用されている樹脂、グリーン
シート14に使用されている樹脂及びセラミックス基板
11を溶解しない必要がある。このようなフォトレジス
ト層消失液としては、例えば1〜5wt%の水酸化ナト
リウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられる。
前記フォトレジスト層消失液の濃度が1wt%未満で
は、フォトレジスト層の溶解速度が遅く、他方前記フォ
トレジスト層消失液の濃度が5wt%を超えるとセラミ
ックス基板11を溶解する虞れがある。前記フォトレジ
スト層消失液として、フォトレジストメーカーの剥離液
を使用してもよい。
Next, as a disappearing step, the conductor paste 19
The dry film resist 15 filled with is treated with a photoresist layer disappearing liquid to be dissolved, and the dry film resist 15 is disappeared (FIG. 1 (g)). The photoresist layer disappearing liquid dissolves the dry film resist 15,
Moreover, it is necessary that the resin used for the conductor paste 19, the resin used for the green sheet 14 and the ceramic substrate 11 are not dissolved. Examples of such a photoresist layer disappearing liquid include a 1 to 5 wt% sodium hydroxide aqueous solution and a potassium hydroxide aqueous solution.
If the concentration of the photoresist layer disappearing liquid is less than 1 wt%, the dissolution rate of the photoresist layer is slow, while if the concentration of the photoresist layer disappearing liquid exceeds 5 wt%, the ceramic substrate 11 may be dissolved. A stripping solution from a photoresist maker may be used as the photoresist layer disappearing solution.

【0037】前記した諸工程を経ることにより、セラミ
ックス基板11上に貼着されたグリーンシート14に導
体ペースト乾燥体19’からなる導体パターン(ビア、
ビアカバー部、配線部)が形成される。そして、これを
焼成処理すれば、グリーンシート14や導体ペースト乾
燥体19’中の有機分が分解、消失し、グリーンシート
14に含まれているセラミックス粒子等、及び導体ペー
スト乾燥体19’に含まれている金属導体が焼結して、
セラミックス多層配線基板が製造されるが、通常はセラ
ミックス基板11上に複数層のグリーンシート14及び
導体ペースト19からなる導体パターン(以下、これら
を多層積層体と記す)を形成した後、焼成処理を行う。
Through the above-mentioned steps, the conductor pattern (via, via) of the conductor paste dried body 19 'is formed on the green sheet 14 attached to the ceramic substrate 11.
A via cover portion and a wiring portion) are formed. When this is fired, the organic components in the green sheet 14 and the conductor paste dried body 19 'are decomposed and disappeared, and the ceramic particles contained in the green sheet 14 and the conductor paste dried body 19' are contained. The metal conductor that is
A ceramic multilayer wiring board is manufactured, but usually, after forming a conductor pattern (hereinafter, referred to as a multilayer laminate) composed of a plurality of layers of green sheets 14 and conductor paste 19 on a ceramic substrate 11, a firing process is performed. To do.

【0038】この場合には、前記圧着工程、前記接着工
程、前記凹部形成工程及び前記導体ペースト充填工程、
及び前記消失工程を複数回繰り返し、前述した諸工程に
より導体ペースト乾燥体19からなる導体パターンが形
成されたグリーンシート14上に、同様の形状を有する
グリーンシート14及び前記導体パターンを複数層積層
し、多層積層体を形成する(図1(i))。
In this case, the crimping step, the adhering step, the recess forming step and the conductor paste filling step,
And repeating the disappearing step a plurality of times, and laminating a plurality of layers of the green sheet 14 and the conductor pattern having the same shape on the green sheet 14 on which the conductor pattern made of the conductor paste dried body 19 is formed by the above-mentioned steps. , A multi-layer laminate is formed (FIG. 1 (i)).

【0039】なお、2回目以降の圧着工程においては、
前記導体パターンが形成されたグリーンシート14上
に、熱圧着等によりグリーンシート14を貼着する(図
1(h))。この熱圧着によりグリーンシート14上の
導体パターンが形成されていない部分(溝部)にグリー
ンシート14が充填されるため、下層のグリーンシート
14と上層のグリーンシート14との間に空隙が生じる
ことはない。
In the second and subsequent crimping steps,
The green sheet 14 is attached to the green sheet 14 having the conductor pattern formed thereon by thermocompression bonding or the like (FIG. 1 (h)). Due to the thermocompression bonding, the green sheet 14 is filled in the portions (grooves) on the green sheet 14 where the conductor pattern is not formed, so that no gap is generated between the lower green sheet 14 and the upper green sheet 14. Absent.

【0040】これらの工程が終了した後、多層積層体が
形成されたセラミックスを焼成することにより、セラミ
ックス多層配線基板の製造が完了する。焼成条件は、含
まれている導体の種類により異なるが、グリーンシート
14や金属導体が焼結してセラミックス基板11にしっ
かり接着する雰囲気及び温度条件等が好ましい。
After these steps are completed, the ceramic having the multilayer laminated body formed thereon is fired to complete the production of the ceramic multilayer wiring board. The firing conditions differ depending on the type of the conductor contained, but the atmosphere and temperature conditions in which the green sheet 14 and the metal conductor are sintered and firmly adhered to the ceramic substrate 11 are preferable.

【0041】次に、第2の製造方法(2)について説明
する。本方法においては、前記第1の製造方法において
グリーンシート14を形成する際に用いられたフィルム
基材13の代わりに、ドライフィルムレジスト15を用
いる。従って、グリーンシート形成工程においては、ド
ライフィルムレジスト15上にグリーンシート14を形
成し、そのままドライフィルムレジスト15の剥離を行
わずにセラミックス基板11上にグリーンシート14を
圧着する。圧着方法は、前記第1の製造方法と同様でよ
い。この方法を前記第1の製造方法と比較すると、フィ
ルム基材13をグリーンシート14から剥離する必要が
なく、またドライフィルムレジスト15をグリーンシー
ト14に接着する工程を省略することができる。
Next, the second manufacturing method (2) will be described. In this method, a dry film resist 15 is used instead of the film base material 13 used in forming the green sheet 14 in the first manufacturing method. Therefore, in the green sheet forming step, the green sheet 14 is formed on the dry film resist 15, and the green sheet 14 is pressure-bonded onto the ceramic substrate 11 without peeling the dry film resist 15 as it is. The crimping method may be the same as the first manufacturing method. Comparing this method with the first manufacturing method, it is not necessary to peel the film base material 13 from the green sheet 14, and the step of adhering the dry film resist 15 to the green sheet 14 can be omitted.

【0042】その後は、前記第1の製造方法と同様に凹
部形成工程、導体ペースト充填工程及び消失工程を行
い、必要であれば前記諸工程を複数回繰り返す。これら
の方法については、前記第1の製造方法において詳述し
たので、ここでは詳細な説明は省略する。
Thereafter, the recess forming step, the conductor paste filling step and the erasing step are performed in the same manner as the first manufacturing method, and the above steps are repeated a plurality of times if necessary. Since these methods have been described in detail in the first manufacturing method, detailed description thereof will be omitted here.

【0043】次に、第3の製造方法(3)について説明
する。図2(a)〜(i)は、前記第3の製造方法にお
ける各製造工程を概略的に示した断面図である。なお、
(e)の工程以降は前記第1の製造方法と同様であるの
で、ここではその説明を省略する。
Next, the third manufacturing method (3) will be described. 2A to 2I are cross-sectional views schematically showing each manufacturing step in the third manufacturing method. In addition,
Since the process after (e) is the same as the first manufacturing method, the description thereof is omitted here.

【0044】前記第3の製造方法においては、まず初め
に第1の製造方法と同様に圧着工程を行い(図2
(a))、次にフィルム基材13の剥離を行う(図2
(b))。
In the third manufacturing method, first, a pressure bonding step is performed as in the first manufacturing method (see FIG. 2).
(A)) Then, the film base material 13 is peeled off (see FIG. 2).
(B)).

【0045】次に、フォトレジスト層形成工程として、
グリーンシート14に液状のフォトレジストを塗布し、
乾燥させてフォトレジスト層25を形成する(図1
(c))。
Next, as a photoresist layer forming step,
Apply a liquid photoresist to the green sheet 14,
Dry to form a photoresist layer 25 (FIG. 1).
(C)).

【0046】前記塗布方法としては、例えばロールコー
ター法、バーコーター法、ディップ法、ホイラー法(ス
ピンナー法)等が挙げられ、これらの方法によりグリー
ンシート14上に液状のフォトレジストを塗布した後、
セラミックス基板11をオーブンに入れて約87〜90
℃で30〜40分程度加熱し、フォトレジストを乾燥、
固化させる。この工程によりグリーンシート14に形成
されたビアホール12にもフォトレジストが充填され、
固化する。次工程の凹部形成工程では、ビアホール12
内に充填されたフォトレジストを完全に除去する必要が
あり、この場合、以下のような理由からネガ型フォトレ
ジストの方が好ましい。すなわち、ネガ型フォトレジス
トを使用した場合、導体パターン形成部分を未感光部と
するため、最適露光量で紫外線露光を行うことができ、
現像液による溶解も容易である。他方ポジ型フォトレジ
ストを使用した場合は、導体パターンの部分を感光部と
しなければならないので、ビアホール12内部まで感光
させる必要があり、そのため露光量を大幅に増加させな
ければならない。従って、正確なパターンニングが難し
くなる。ネガ型フォトレジストとしては、東京応化工業
(株)製 PMERN−H600等が挙げられる。
Examples of the coating method include a roll coater method, a bar coater method, a dipping method, a Wheeler method (spinner method) and the like. After applying a liquid photoresist on the green sheet 14 by these methods,
Put the ceramics substrate 11 in the oven for about 87-90.
Heat at 30 ° C for about 30-40 minutes to dry the photoresist,
Let it solidify. Through this step, the via holes 12 formed in the green sheet 14 are also filled with the photoresist,
Solidify. In the recess forming process of the next process, the via hole 12
It is necessary to completely remove the photoresist filled in the inside, and in this case, the negative type photoresist is preferable for the following reasons. That is, when a negative photoresist is used, since the conductor pattern forming portion is an unexposed portion, it is possible to perform ultraviolet exposure at an optimum exposure amount,
Dissolution with a developing solution is also easy. On the other hand, when a positive photoresist is used, since the conductor pattern portion must be used as a photosensitive portion, it is necessary to expose the inside of the via hole 12 as well, and therefore the exposure amount must be greatly increased. Therefore, accurate patterning becomes difficult. Examples of the negative photoresist include PMERN-H600 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

【0047】次に、前記したように導体パターン部分が
未感光部となるように設計されたフォトマスク16を使
用して紫外線17による露光処理を行う(図2
(d))。紫外線17による露光量は通常200〜40
0mJ/cm2 が好ましい。前記露光量が200mJ/
cm2 未満であると現像により下の層の表面まで達する
凹部18を完全に形成することが難しく、他方前記露光
量が400mJ/cm2 を超えるとオーバー露光とな
り、凹部18の断面形状が逆台形になるため好ましくな
い。
Next, as described above, an exposure process with ultraviolet rays 17 is performed using the photomask 16 designed so that the conductor pattern portion becomes an unexposed portion (FIG. 2).
(D)). The exposure amount by the ultraviolet rays 17 is usually 200 to 40
0 mJ / cm 2 is preferable. The exposure dose is 200 mJ /
If it is less than cm 2 , it is difficult to completely form the concave portion 18 reaching the surface of the lower layer by development, while if the exposure amount exceeds 400 mJ / cm 2 , overexposure occurs and the sectional shape of the concave portion 18 is an inverted trapezoid. Is not preferable.

【0048】その後は、第1の製造方法と同様の条件で
同様の工程を行うことによりセラミックス多層配線基板
を製造することができる。
After that, a ceramic multilayer wiring board can be manufactured by performing the same steps under the same conditions as in the first manufacturing method.

【0049】[0049]

【作用】上記した構成のセラミックス多層配線基板の製
造方法(1)によれば、セラミックス基板上にビアホー
ルが形成されたグリーンシートを圧着する圧着工程と、
該グリーンシート上にドライフィルムレジストを接着す
る接着工程と、該ドライフィルムレジストに導体パター
ン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを
該凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填
工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失
工程とを少なくとも1回以上繰り返すので、前記圧着工
程、前記接着工程及び前記凹部形成工程によりセラミッ
クス基板に貼着されたグリーンシート上に高精度で微細
な導体パターン状の凹部が形成され、前記導体ペースト
充填工程によりセラミックス基板に固定されたグリーン
シートのビアホールを含む凹部に充填性よく導体ペース
トが充填され、消失工程によりドライフィルムレジスト
が完全に消失してグリーンシート上に導体ペースト乾燥
体のみが残留する。また、前記工程を少なくとも1回以
上繰り返すが、積層するグリーンシートが柔軟性を有す
るため、多層積層体に凹凸や未充填部分が生じることは
ない。また、グリーンシートはセラミックス基板に固定
されているため、焼成時に平面方向に収縮することはな
く反り等も生じないため、高精度で微細な多層配線パタ
ーンを有するセラミックス多層配線基板が製造される。
According to the method (1) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having the above structure, a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having via holes formed on the ceramic substrate,
An adhering step of adhering a dry film resist on the green sheet, a recess forming step of forming a conductor pattern-shaped recess in the dry film resist, and a conductor paste filling step of filling a conductor paste into the recess and the via hole, Since the erasing step of erasing the dry film resist is repeated at least one or more times, it is possible to form a highly precise and fine conductor pattern on the green sheet attached to the ceramic substrate by the pressure bonding step, the bonding step and the recess forming step. Of the green sheet fixed to the ceramic substrate by the conductor paste filling step is filled with the conductor paste with a good filling property, and the dry film resist is completely disappeared by the disappearing step and Only dried conductor paste remains Further, although the above steps are repeated at least once or more, since the laminated green sheets have flexibility, no unevenness or unfilled portion is generated in the multilayer laminate. Further, since the green sheet is fixed to the ceramic substrate, it does not shrink in the planar direction during firing and does not warp, so that a ceramic multilayer wiring substrate having a highly precise and fine multilayer wiring pattern is manufactured.

【0050】また上記構成のセラミックス多層配線基板
の製造方法(2)によれば、ドライフィルムレジスト上
にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工程
と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホー
ル形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側にし
て、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミッ
クス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルムレ
ジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程
と、導体ペーストを前記凹部及び前記ビアホールに充填
する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレジ
ストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰り
返すので、上記(1)記載の作用の他、フィルム基材の
剥離工程及びドライフィルムレジストの接着工程を省略
することができ、より容易にセラミックス多層配線基板
が製造される。
According to the method (2) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having the above structure, a green sheet forming step of forming a green sheet on the dry film resist, a via hole forming step of forming a via hole in the green sheet, A pressure-bonding step of pressure-bonding a green sheet having a via hole formed thereon to a ceramic substrate with the dry film resist on the upper side, a recess forming step of forming a conductive pattern-shaped recess in the dry film resist, and a conductor paste containing the recess and Since the conductor paste filling step of filling the via hole and the disappearing step of disappearing the dry film resist are repeated at least once or more, in addition to the function described in (1) above, the peeling step of the film base material and the dry film resist You can omit the bonding process. Readily ceramic multilayer wiring board is manufactured.

【0051】また上記構成のセラミックス多層配線基板
の製造方法によれば、セラミックス基板上にビアホール
が形成されたグリーンシートを圧着する圧着工程と、該
グリーンシートに液状のフォトレジストを充填し、乾燥
させるフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト
層に導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、
導体ペーストを凹部に充填する導体ペースト充填工程
と、前記フォトレジスト層を消失させる消失工程とを少
なくとも1回以上繰り返すので、取扱が容易な液状フォ
トレジストにより容易にグリーンシート上にフォトレジ
スト層が形成され、その後は上記(1)記載の方法と同
様な工程により、精密で微細な多層配線パターンを有す
るセラミックス多層配線基板が製造される。
Further, according to the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having the above structure, a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having a via hole formed on the ceramic substrate, and filling the green sheet with a liquid photoresist and drying it. A photoresist layer forming step, and a recess forming step of forming a conductive pattern-shaped recess in the photoresist layer,
Since the step of filling the concave portion with the conductor paste and the step of eliminating the photoresist layer are repeated at least once or more, the photoresist layer is easily formed on the green sheet by the liquid photoresist which is easy to handle. After that, a ceramic multilayer wiring board having a precise and fine multilayer wiring pattern is manufactured by the same process as the method described in (1) above.

【0052】[0052]

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミックス
多層配線基板の製造方法の実施例及び比較例を説明す
る。
EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Examples and comparative examples of the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention will be described below.

【0053】[実施例1]まず、アルミナセラミックス
基板上に、直径50μmのビアホールが形成されたグリ
ーンシートをフィルム基材を付けたまま、所定の位置に
熱圧着した。熱圧着の条件は加熱温度100℃、圧力2
kg/cm2 、加圧保持時間30秒であった。グリーン
シートの位置合わせは、アルミナセラミックス基板上に
スクリーン印刷により形成した位置合わせマークと、グ
リーンシートに形成した位置合わせ用の貫通孔部分とが
一致するように行った。またグリーンシートの熱圧着時
には厚さ2mmのゴム板をフィルム基材の上に載置して
圧着を行った。グリーンシートはアルミナ粉末(平均粒
径 2μm)60wt%、及びCaO−Al23 −B
23 −SiO2 系のガラス粉末(平均粒径 4.2μ
m)40wt%からなる混合粉末100重量部に、有機
樹脂バインダとしてメタクリル酸エステル樹脂が13重
量部、可塑剤としてDOPが5重量部、及び溶剤として
トルエンとキシレン(1:1)が合計で27重量部添加
されているものを用いた。前記グリーンシートの厚さは
80μmであった。
Example 1 First, a green sheet having via holes with a diameter of 50 μm formed on an alumina ceramic substrate was thermocompression-bonded to a predetermined position while the film substrate was still attached. The conditions for thermocompression bonding are a heating temperature of 100 ° C. and a pressure of 2
kg / cm 2, was dwell time of 30 seconds. The alignment of the green sheet was performed so that the alignment mark formed by screen printing on the alumina ceramic substrate and the through hole portion for alignment formed on the green sheet were aligned. When the green sheet was thermocompression-bonded, a rubber plate having a thickness of 2 mm was placed on the film base material and pressure-bonded. The green sheet is 60 wt% of alumina powder (average particle size 2 μm), and CaO-Al 2 O 3 -B.
2 O 3 -SiO 2 glass powder (average particle size 4.2 μ
m) 100 parts by weight of mixed powder consisting of 40 wt%, 13 parts by weight of methacrylic acid ester resin as an organic resin binder, 5 parts by weight of DOP as a plasticizer, and 27 total of toluene and xylene (1: 1) as a solvent. What was added by weight was used. The green sheet had a thickness of 80 μm.

【0054】次に、フィルム基材をグリーンシートより
剥離し、厚さが33μmのドライフィルムレジスト(デ
ュポン社製 リストン4713)を前記グリーンシート
上に加熱温度105℃、圧力2kg/cm2 で積層し
た。
Next, the film substrate was peeled from the green sheet, and a dry film resist (liston 4713 manufactured by DuPont) having a thickness of 33 μm was laminated on the green sheet at a heating temperature of 105 ° C. and a pressure of 2 kg / cm 2 . .

【0055】次に、配線ルールが線幅50μm、線間隔
50μmの導体パターンが形成されたフォトマスクを介
して前記ドライフィルムレジストに露光量が30mJ/
cm2 になるように紫外線14による露光処理を施し
た。
Next, the dry film resist was exposed to a dose of 30 mJ / through a photomask on which a conductor pattern having a wiring width of 50 μm and a line interval of 50 μm was formed.
An exposure treatment with an ultraviolet ray 14 was performed so that the cm 2 was obtained.

【0056】次に、1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶
液よりなる現像液(液温30℃)に前記工程を経たアル
ミナセラミックス基板を25秒間浸漬し、導体パターン
状の凹部をポジ型フォトレジスト層12に形成した。
Next, the alumina ceramics substrate that has undergone the above steps is dipped in a developing solution (solution temperature 30 ° C.) consisting of a 1.0 wt% sodium carbonate aqueous solution for 25 seconds to form the conductive pattern-shaped recesses in the positive photoresist layer 12. Formed.

【0057】次に、フッ素樹脂製のスキージを用い、導
体ペーストを前記凹部に擦り込むようにして充填した。
この導体ペーストは、Ag粉末(平均粒径2.0μ
m):85wt%、アクリル樹脂:4wt%、及びテル
ピネオール:11wt%から構成されていた。導体ペー
ストに充填不良が生じた場合には、再度充填処理を施し
た。
Next, using a fluororesin squeegee, the conductor paste was rubbed into the recesses and filled.
This conductor paste is Ag powder (average particle size 2.0 μm).
m): 85 wt%, acrylic resin: 4 wt%, and terpineol: 11 wt%. When the conductor paste was defective in filling, the filling process was performed again.

【0058】その後、前記工程を経たアルミナセラミッ
クス基板をオーブンに入れ、導体ペースト乾燥処理とし
て、100℃で10分間熱処理を施し、溶剤を揮発させ
ると共に、導体ペーストをグリーンシートやアルミナセ
ラミックス基板に結着させた。その後、ラッピングフィ
ルム(メッシュ#4000)を用いてドライフィルムレ
ジストの表面を約10秒間研磨し、余剰の導体ペースト
を除去した。この工程で、グリーンシートに形成された
ビアホールの内部にも導体ペーストが充填された。
Then, the alumina ceramics substrate that has undergone the above steps is put in an oven, and as a conductor paste drying treatment, a heat treatment is performed at 100 ° C. for 10 minutes to volatilize the solvent and bond the conductor paste to the green sheet or the alumina ceramics substrate. Let Then, the surface of the dry film resist was polished for about 10 seconds using a wrapping film (mesh # 4000) to remove excess conductor paste. In this step, the conductor paste was also filled inside the via holes formed in the green sheet.

【0059】次に、前記工程を経たアルミナセラミック
ス基板を、3wt%の水酸化ナトリウム水溶液からなる
フォトレジスト層消失液に1分間浸漬して、残ったドラ
イフィルムレジストを消失させた。この結果、アルミナ
セラミックス基板には、グリーンシートと導体パターン
状の導体ペースト乾燥体が残った。
Next, the alumina ceramics substrate which has undergone the above steps was immersed in a photoresist layer disappearing liquid consisting of a 3 wt% sodium hydroxide aqueous solution for 1 minute to eliminate the remaining dry film resist. As a result, the green sheet and the conductor-pattern dried conductor paste were left on the alumina ceramic substrate.

【0060】次に、初めと同様に、ビアホールが形成さ
れたグリーンシートをフィルム基材を付けたまま、所定
の位置に熱圧着した。前工程でドライフィルムレジスト
が消失することにより形成された導体ペースト乾燥体間
の溝部には、この圧着工程における熱圧着で柔軟性を有
するグリーンシートが食い込み、空隙部は形成されなか
った。
Then, as in the beginning, the green sheet having the via holes formed therein was thermocompression-bonded to a predetermined position with the film substrate attached. A green sheet having flexibility was bitten by thermocompression bonding in this pressure bonding step into the groove portion between the conductor paste dried bodies formed by the disappearance of the dry film resist in the previous step, and no void was formed.

【0061】次に、前記した接着工程、凹部形成工程、
導体ペースト充填工程、及び消失工程を4回繰り返すこ
とによりセラミックス基板上に多層積層体を形成した。
Next, the above-described bonding step, recess forming step,
The multilayer paste was formed on the ceramic substrate by repeating the conductor paste filling step and the disappearing step four times.

【0062】最後に、前記工程を経たアルミナセラミッ
クス基板を、大気中、900℃で10分間焼成すること
により、グリーンシート及び導体ペースト乾燥体中の有
機分を分解、消失させると共に、グリーンシート及び導
体粉末の焼結とアルミナセラミックス基板への接着を行
い、セラミックス多層配線基板の製造を完了した。
Finally, the alumina ceramics substrate that has undergone the above steps is fired in the atmosphere at 900 ° C. for 10 minutes to decompose and eliminate the organic components in the dried green sheet and conductor paste, and at the same time, to remove the green sheet and the conductor. The powder was sintered and adhered to the alumina ceramics substrate to complete the production of the ceramic multilayer wiring substrate.

【0063】製造されたセラミックス多層配線基板の断
面組織を走査型電子顕微鏡(SEM)にて調査したとこ
ろ、内部には配線幅50μm、配線間隔50μmの配線
が形成され、ビアホールの部分も導体層が緻密に形成さ
れていた。また、グリーンシートより形成された絶縁層
は各層ともその厚さが均一で、お互いに平行に形成され
ていることを確認した。さらに、このセラミックス多層
配線基板にLSIを実際に実装し、正常に動作すること
を確認した。
A cross-sectional structure of the manufactured ceramic multilayer wiring board was examined by a scanning electron microscope (SEM). As a result, a wiring having a wiring width of 50 μm and a wiring interval of 50 μm was formed inside, and a conductor layer was also formed in the via hole. It was densely formed. In addition, it was confirmed that the insulating layers formed from the green sheets had uniform thickness in each layer and were formed in parallel with each other. Further, it was confirmed that the LSI was actually mounted on the ceramic multilayer wiring board and that the LSI operates normally.

【0064】[実施例2]フィルム基材として実施例1
で使用したドライフィルムレジストを用い、前記ドライ
フィルムレジスト上にグリーンシートを形成し、さらに
このグリーンシートに実施例1と同様にしてビアホール
を形成した。
[Example 2] Example 1 as a film substrate
Using the dry film resist used in step 1, a green sheet was formed on the dry film resist, and a via hole was formed in the green sheet in the same manner as in Example 1.

【0065】その後、実施例1と同様に接着工程、凹部
形成工程、導体ペースト充填工程、及び消失工程を4回
繰り返すことによりセラミックス基板上に多層積層体を
形成し、焼成によりセラミックス多層配線基板を製造し
た。なお、ドライフィルムレジストをフィルム基材とし
て使用しているので、フィルム基材の剥離工程は必要な
く、そのまま前記ドライフィルムレジストに導体パター
ン状の凹部を形成すればよかった。
Thereafter, as in Example 1, the bonding step, the recess forming step, the conductor paste filling step, and the disappearing step are repeated four times to form a multilayer laminate on the ceramic substrate, and the ceramic multilayer wiring substrate is baked. Manufactured. Since the dry film resist is used as the film base material, a peeling step of the film base material is not necessary, and the conductive film-like concave portions may be formed on the dry film resist as it is.

【0066】製造されたセラミックス多層配線基板を実
施例1と同様にSEM観察し、実施例1と同様の優れた
特性を有するセラミックス多層配線基板が形成されてい
ることを確認した。また、このセラミックス多層配線基
板にLSIを実際に実装し、正常に動作することを確認
した。
The manufactured ceramic multilayer wiring board was observed by SEM in the same manner as in Example 1, and it was confirmed that the ceramic multilayer wiring board having the same excellent characteristics as in Example 1 was formed. Moreover, it was confirmed that the LSI was actually mounted on the ceramic multilayer wiring board and that the LSI operates normally.

【0067】[実施例3]ドライフィルムレジストの代
わりに液状のフォトレジストを使用し、グリーンシート
上にフォトレジスト層を形成した他は、実施例1とほぼ
同様にセラミックス多層配線基板を製造した。なお、液
状のフォトレジストを使用すると、グリーンシートのビ
アホールの内部にもフォトレジストが充填されるため、
この部分も消失工程において溶解除去する必要がある。
従って、消失工程までの工程について、以下に説明す
る。
Example 3 A ceramic multilayer wiring board was manufactured in substantially the same manner as in Example 1 except that a liquid photoresist was used instead of the dry film resist and a photoresist layer was formed on the green sheet. If a liquid photoresist is used, the photoresist will be filled inside the via holes of the green sheet.
This portion also needs to be dissolved and removed in the disappearance step.
Therefore, the steps up to the disappearance step will be described below.

【0068】液状のネガ型フォトレジスト(東京応化工
業(株)製 PMER N−H600)をバーコータ
(巻線ミルNo.40)を用いて塗布し、70℃で30
分間温風乾燥することにより厚さ25μmのフォトレジ
スト層をグリーンシート上に形成した。前記工程により
グリーンシートに形成されたビアホールの内部にもネガ
型フォトレジスト層が形成された。
A liquid negative photoresist (PMER N-H600 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied using a bar coater (winding mill No. 40), and it was applied at 70 ° C. for 30 minutes.
A 25 μm thick photoresist layer was formed on the green sheet by drying with warm air for a minute. A negative photoresist layer was also formed inside the via hole formed in the green sheet by the above process.

【0069】次に、配線ルールが線幅50μm、線間隔
50μmの導体パターンが形成されたフォトマスクを介
して前記ネガ型フォトレジスト層に露光量が250mJ
/cm2 になるように紫外線14による露光処理を施し
た。
Then, the negative photoresist layer was exposed to a dose of 250 mJ through a photomask on which a conductor pattern having a line width of 50 μm and a line interval of 50 μm was formed.
An exposure treatment with ultraviolet rays 14 was performed so that the concentration became / cm 2 .

【0070】次に、1.0wt%の炭酸ナトリウム水溶
液よりなる現像液(液温30℃)に前記工程を経たアル
ミナセラミックス基板を30分間浸漬し、導体パターン
状の凹部をネガ型フォトレジスト層に形成した。この工
程で、グリーンシートのビアホール内部に形成されてい
たネガ型フォトレジスト層は完全に除去されたことを、
SEMによる断面観察で確認した。この工程の後は、前
記したようい実施例1と同様の工程を行うことによりセ
ラミックス多層配線基板を製造した。
Next, the alumina ceramics substrate that has undergone the above steps is dipped in a developing solution (solution temperature 30 ° C.) consisting of a 1.0 wt% sodium carbonate aqueous solution for 30 minutes to form the conductive pattern-shaped depressions in the negative photoresist layer. Formed. In this step, the negative photoresist layer formed inside the via hole of the green sheet was completely removed.
It was confirmed by observing the cross section by SEM. After this step, a ceramic multilayer wiring board was manufactured by performing the same steps as in Example 1 as described above.

【0071】製造されたセラミックス多層配線基板を実
施例1と同様にSEM観察し、実施例1と同様の優れた
特性を有するセラミックス多層配線基板が形成されてい
ることを確認した。
The manufactured ceramic multilayer wiring board was observed by SEM in the same manner as in Example 1, and it was confirmed that a ceramic multilayer wiring board having the same excellent characteristics as in Example 1 was formed.

【0072】[比較例1]アルミナセラミックス基板上
に実施例1と同様にグリーンシートを圧着した。
[Comparative Example 1] A green sheet was pressure-bonded onto an alumina ceramic substrate in the same manner as in Example 1.

【0073】次に、実施例1で使用した導体ペーストを
用い、グリーンシート上にスクリーン印刷法により導体
パターンを形成し、実施例1と同様の条件で乾燥を行っ
た。
Next, using the conductor paste used in Example 1, a conductor pattern was formed on the green sheet by a screen printing method, and dried under the same conditions as in Example 1.

【0074】次に、導体ペースト乾燥体からなる導体パ
ターンを有するグリーンシート上に再度グリーンシート
を圧着する工程、導体ペーストを印刷する工程を同様に
4回繰り返し、アルミナセラミックス基板上に積層体を
形成し、実施例1と同様の条件で焼成した。
Next, the step of pressing the green sheet again onto the green sheet having the conductor pattern made of the dried conductor paste and the step of printing the conductor paste are repeated 4 times in the same manner to form a laminated body on the alumina ceramic substrate. Then, firing was performed under the same conditions as in Example 1.

【0075】製造されたセラミックス多層配線基板を実
施例1と同様にSEM観察したところ、配線が断線して
いる部分、配線間がショートしている部分、及びビアホ
ール内部での導体未充填部分が多数存在することが確認
された。
SEM observation of the manufactured ceramic multilayer wiring board was carried out in the same manner as in Example 1. As a result, a large number of broken wires, shorted wires, and unfilled conductors inside the via holes were observed. It was confirmed to exist.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るセラミ
ックス多層配線基板の製造方法(1)にあっては、セラ
ミックス基板上にビアホールが形成されたグリーンシー
トを圧着する圧着工程と、該グリーンシート上にドライ
フィルムレジストを接着する接着工程と、該ドライフィ
ルムレジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形
成工程と、導体ペーストを該凹部及び前記ビアホールに
充填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルム
レジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上
繰り返すので、前記圧着工程、前記接着工程及び前記凹
部形成工程によりセラミックス基板に貼着されたグリー
ンシート上に高精度で微細な導体パターン状の凹部を形
成することができ、前記導体ペースト充填工程によりセ
ラミックス基板に固定されたグリーンシートのビアホー
ルを含む凹部に充填性よく導体ペーストを充填すること
ができ、消失工程によりドライフィルムレジストを完全
に消失させて導体ペースト乾燥体のみを残留させること
ができる。また、前記工程を少なくとも1回以上繰り返
すが、積層するグリーンシートが柔軟性を有するため、
多層積層体の凹凸や未充填部分の発生を防止することが
できる。また、グリーンシートをセラミックス基板に固
定させているため、焼成時のグリーンシートの平面方向
への収縮や反り等の発生を防止することができ、その結
果高精度で微細な多層配線パターンを有するセラミック
ス多層配線基板を製造することができる。
As described above in detail, in the method (1) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention, a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having via holes formed on the ceramic substrate, and the green An adhering step of adhering a dry film resist on a sheet; a recess forming step of forming a conductor pattern-shaped recess in the dry film resist; a conductor paste filling step of filling a conductor paste into the recess and the via hole; Since the erasing step of erasing the film resist is repeated at least one or more times, highly accurate and fine conductor pattern-shaped concave portions are formed on the green sheet adhered to the ceramic substrate by the pressure bonding step, the bonding step and the concave portion forming step. Can be formed on the ceramic substrate by the conductor paste filling step. Can be filled with filling good conductor paste in a recess including a constant is green sheet via holes, completely abolished the dry film resist by the disappearance step is can be left only conductive paste dried body. Further, the above steps are repeated at least once, but since the laminated green sheets have flexibility,
It is possible to prevent the unevenness and the unfilled portion of the multilayer laminate from being generated. Further, since the green sheet is fixed to the ceramic substrate, it is possible to prevent the green sheet from shrinking or warping in the plane direction during firing, and as a result, a ceramic having a highly precise and fine multilayer wiring pattern. A multilayer wiring board can be manufactured.

【0077】また本発明に係るセラミックス多層配線基
板の製造方法(2)にあっては、ドライフィルムレジス
ト上にグリーンシートを形成するグリーンシート形成工
程と、該グリーンシートにビアホールを形成するビアホ
ール形成工程と、前記ドライフィルムレジストを上側に
して、ビアホールが形成されたグリーンシートをセラミ
ックス基板に圧着する圧着工程と、前記ドライフィルム
レジストに導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工
程と、導体ペーストを前記凹部及び前記ビアホールに充
填する導体ペースト充填工程と、前記ドライフィルムレ
ジストを消失させる消失工程とを少なくとも1回以上繰
り返すので、上記(1)記載の効果の他、フィルム基材
の剥離工程及びドライフィルムレジストの接着工程を省
略することができ、より容易にセラミックス多層配線基
板の製造を行うことができる。
In the method (2) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention, a green sheet forming step of forming a green sheet on the dry film resist and a via hole forming step of forming a via hole in the green sheet. A pressure-bonding step of pressure-bonding the green sheet having via holes formed thereon to a ceramic substrate with the dry film resist facing upward; a recess forming step of forming a conductive pattern-shaped recess in the dry film resist; Since the conductive paste filling step of filling the concave portion and the via hole and the disappearing step of disappearing the dry film resist are repeated at least one or more times, in addition to the effect described in (1), a peeling step of the film base material and a dry film. The resist adhesion process can be omitted More easily it can be manufactured of ceramic multi-layer wiring board.

【0078】また本発明に係るセラミックス多層配線基
板の製造方法(3)にあっては、セラミックス基板上に
ビアホールが形成されたグリーンシートを圧着する圧着
工程と、該グリーンシートに液状のフォトレジストを充
填し、乾燥させるフォトレジスト層形成工程と、該フォ
トレジスト層に導体パターン状の凹部を形成する凹部形
成工程と、導体ペーストを凹部に充填する導体ペースト
充填工程と、前記フォトレジスト層を消失させる消失工
程とを少なくとも1回以上繰り返すので、取扱が容易な
液状フォトレジストにより容易にグリーンシート上にフ
ォトレジスト層が形成され、その後は上記(1)記載の
方法と同様な工程により、同様に精密で微細な多層配線
パターンを有するセラミックス多層配線基板を製造する
ことができる。
Further, in the method (3) for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention, a pressure bonding step of pressure bonding a green sheet having via holes formed on the ceramic substrate, and a liquid photoresist on the green sheet. Filling and drying a photoresist layer forming step, a recess forming step of forming a conductive pattern-like recess in the photoresist layer, a conductor paste filling step of filling a conductive paste into the recess, and the photoresist layer disappearing. Since the erasing step is repeated at least once, the photoresist layer is easily formed on the green sheet by the liquid photoresist which is easy to handle, and thereafter, the steps similar to the method described in (1) above are performed to obtain the same precision. Thus, it is possible to manufacture a ceramic multilayer wiring board having a fine multilayer wiring pattern.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)〜(i)は本発明に係るセラミックス多
層配線基板の製造方法(第1の製造方法)における各工
程を模式的に示した断面図である。
1A to 1I are cross-sectional views schematically showing each step in a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention (first manufacturing method).

【図2】(a)〜(i)は本発明に係るセラミックス多
層配線基板の製造方法(第3の製造方法)における各工
程を模式的に示した断面図である。
2 (a) to (i) are cross-sectional views schematically showing each step in the method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board according to the present invention (third manufacturing method).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 セラミックス基板 12 ビアホール 14 グリーンシート 15 ドライフィルムレジスト 18 凹部 19 導体ペースト 25 フォトレジスト層 11 Ceramics Substrate 12 Via Hole 14 Green Sheet 15 Dry Film Resist 18 Recess 19 Conductor Paste 25 Photoresist Layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 省三 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番1 株式会社住友金属セラミックス内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Minoru Otomo 2701-1 Iwakura, East branch, Omine Town, Mine City, Yamaguchi Prefecture, Sumitomo Metal Ceramics Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックス基板上に、ビアホールが形
成されたグリーンシートを圧着する圧着工程と、該グリ
ーンシート上にドライフィルムレジストを接着する接着
工程と、該ドライフィルムレジストに導体パターン状の
凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペーストを該凹部
及び前記ビアホールに充填する導体ペースト充填工程
と、前記ドライフィルムレジストを消失させる消失工程
とを少なくとも1回以上繰り返すことを特徴とするセラ
ミックス多層配線基板の製造方法。
1. A pressure-bonding step of pressure-bonding a green sheet on which a via hole is formed on a ceramic substrate, an adhesion step of bonding a dry film resist on the green sheet, and a conductive pattern-shaped concave portion on the dry film resist. A ceramic multi-layer wiring board characterized in that a step of forming a concave portion, a step of filling a conductive paste in the concave portion and the via hole, and a step of eliminating the dry film resist are repeated at least once or more. Production method.
【請求項2】 ドライフィルムレジスト上にグリーンシ
ートを形成するグリーンシート形成工程と、該グリーン
シートにビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記ドライフィルムレジストを上側にして、ビアホール
が形成されたグリーンシートをセラミックス基板に圧着
する圧着工程と、前記ドライフィルムレジストに導体パ
ターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体ペース
トを該凹部及び前記ビアホールに充填する導体ペースト
充填工程と、前記ドライフィルムレジストを消失させる
消失工程とを少なくとも1回以上繰り返すことを特徴と
するセラミックス多層配線基板の製造方法。
2. A green sheet forming step of forming a green sheet on a dry film resist, and a via hole forming step of forming a via hole in the green sheet,
A pressure-bonding step of pressure-bonding a green sheet having a via hole formed thereon to a ceramic substrate with the dry film resist on the upper side, a recess forming step of forming a conductive pattern-shaped recess in the dry film resist, and a conductor paste containing the recess and A method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board, comprising repeating a conductive paste filling step of filling the via hole and a disappearing step of removing the dry film resist at least once.
【請求項3】 セラミックス基板上に、ビアホールが形
成されたグリーンシートを圧着する圧着工程と、該グリ
ーンシートに液状のフォトレジストを充填し、乾燥させ
るフォトレジスト層形成工程と、該フォトレジスト層に
導体パターン状の凹部を形成する凹部形成工程と、導体
ペーストを該凹部に充填する導体ペースト充填工程と、
前記フォトレジスト層を消失させる消失工程とを少なく
とも1回以上繰り返すことを特徴とするセラミックス多
層配線基板の製造方法。
3. A pressure-bonding step of pressure-bonding a green sheet having a via hole formed on a ceramics substrate, a photoresist layer forming step of filling the green sheet with a liquid photoresist and drying the photoresist, and forming a photoresist layer on the photoresist layer. A recess forming step of forming a conductor pattern-shaped recess, a conductor paste filling step of filling the recess with a conductor paste,
A method of manufacturing a ceramic multilayer wiring board, characterized in that the step of erasing the photoresist layer is repeated at least once.
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EP1023635A1 (en) * 1997-09-30 2000-08-02 Candescent Technologies Corporation Multi-level conductive matrix formation method
KR100688744B1 (en) * 2004-11-15 2007-02-28 삼성전기주식회사 High density printed circuit board and method of manufacturing the same

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