JPH07122854A - Manufacture of laminated ceramic circuit board - Google Patents

Manufacture of laminated ceramic circuit board

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JPH07122854A
JPH07122854A JP5269131A JP26913193A JPH07122854A JP H07122854 A JPH07122854 A JP H07122854A JP 5269131 A JP5269131 A JP 5269131A JP 26913193 A JP26913193 A JP 26913193A JP H07122854 A JPH07122854 A JP H07122854A
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conductor
insulating film
hole
circuit board
film
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Akira Imoto
晃 井本
Masafumi Hisataka
将文 久高
Yuzuru Matsumoto
譲 松本
Akihiro Sakanoue
聡浩 坂ノ上
Kazumasa Furuhashi
和雅 古橋
Hiroshi Suenaga
弘 末永
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Kyocera Corp
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a circuit board whose continuity reliability between internal wirings can be enhanced by surely filling a conductive paste into a through recessed part passing in the thickness direction of an insulating film. CONSTITUTION:In the manufacturing method of a laminated ceramic circuit board, the surface of a base body 15 is coated with a glass-ceramic slip material which contains a photoreactive monomer, the slip material is dried, insulating films 10a to 10e are formed, through recessed parts 30 are formed in the insulating films 10a to 10e, a conductive paste is filled into the through recessed parts 30, conductors 31 to be used as via-hole conductors and conductor films 20 to be used as internal wirings are formed, this operation is repeated sequentially, and a firing treatment is executed. Then, wall faces 30a, 30b in every through recessed part 30 are tilted in such a way that the surface of the base body whose opening area is at the lower part becomes larger than an exposed area.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光硬化モノマーを含有
するガラス・セラミックのスリップ材の塗布、ビアホー
ル導体、内部配線の充填・印刷を順次繰り返して形成し
た積層型セラミック回路基板の製造方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a laminated ceramic circuit board which is formed by sequentially repeating coating of a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer, filling of via-hole conductors, and filling / printing of internal wiring. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】セラミック回路基板の製造方法として
は、一般に、ビアホール導体となる導体、内部配線とな
る導体膜を形成したグリーンシートを複数枚積層して、
積層体とし、その後、グリーンシート、導体及び導体膜
を一体的に焼成処理するグリーンシート多層方法があっ
た。
2. Description of the Related Art Generally, a ceramic circuit board is manufactured by laminating a plurality of green sheets each having a conductor serving as a via-hole conductor and a conductor film serving as internal wiring.
There is a green sheet multilayer method in which a green sheet, a conductor and a conductor film are integrally fired after forming a laminated body.

【0003】また、セラミックなどの耐熱性基板上に、
導電性ペーストを用いて、内部配線となる導体膜をスク
リーン印刷で形成し、続いて内部配線となる導体膜どう
しの接続部分が露出するように、絶縁ペーストを用いて
絶縁層となる絶縁膜をスクリーン印刷で形成し、この工
程を順次繰り返して積層体を形成し、絶縁膜及び各内部
配線となる導体を一体的に焼成処理する印刷多層方法が
あった。
On a heat resistant substrate such as ceramic,
Conductive paste is used to form a conductor film that will become the internal wiring by screen printing, and then an insulating paste will be used to form the insulating film that will become the insulating layer so that the connection between the conductive films that will become the internal wiring is exposed. There is a printing multi-layer method in which the layers are formed by screen printing, the steps are sequentially repeated to form a laminate, and the insulating film and the conductors to be the internal wirings are integrally fired.

【0004】しかし、前者のグリーンシート多層方法で
は、各グリーンシートにビアホール導体となる貫通穴を
形成し、この貫通穴内に導電性ペーストを印刷・充填す
るが、貫通穴の開口径を大きくなると、導電性ペースト
を安定的に貫通穴内に保持できず、導体抜けが発生して
しまうため、貫通穴の開口径には上限があった。また、
この導電性ペーストの印刷・充填は、グリーンシートを
敷紙上に載置して印刷・充填するが、敷紙とグリーンシ
ートとを分離する際に、貫通穴内に保持された導電性ペ
ーストが敷紙に奪われてしまい、貫通穴内の導体の表面
が凹んでしまい、内部配線間の導通不良が発生すること
がある。さらに、上述のグリーンシートを高い精度よく
位置合わせで、積層しなくては所定回路が達成できない
という問題点があった。
However, in the former green sheet multi-layer method, a through hole to be a via hole conductor is formed in each green sheet, and a conductive paste is printed and filled in the through hole. However, when the opening diameter of the through hole becomes large, Since the conductive paste cannot be stably held in the through hole and the conductor may be omitted, the opening diameter of the through hole has an upper limit. Also,
In printing and filling of this conductive paste, the green sheet is placed and printed / filled on the sheet of paper, but when separating the sheet of paper and the green sheet, the conductive paste held in the through holes is The surface of the conductor in the through hole may be dented, resulting in defective conduction between the internal wirings. Further, there is a problem that a predetermined circuit cannot be achieved without stacking the green sheets described above with high accuracy and alignment.

【0005】後者の場合、ビアホール導体となる貫通穴
を形成する必要がないが、絶縁層となる絶縁膜が、スク
リーン印刷により形成され、このスクリーンから透過す
る絶縁ペースト量が略一定量であるため、常に絶縁膜の
厚みが均一となる。従って、絶縁膜によって被覆される
内部配線が複雑化したり、また積層数が増加したりする
と、印刷を完了した最上層の絶縁膜の表面が既に積層さ
れた内部配線の影響により凹凸となり、その表面に内部
配線を形成しようとしても、厚みが不均一となったり、
また断線などの問題が発生してしまう。
In the latter case, it is not necessary to form a through hole to be a via-hole conductor, but an insulating film to be an insulating layer is formed by screen printing, and the amount of insulating paste transmitted from this screen is substantially constant. , The thickness of the insulating film is always uniform. Therefore, when the internal wiring covered by the insulating film becomes complicated or the number of stacked layers increases, the surface of the uppermost insulating film that has completed printing becomes uneven due to the influence of the already stacked internal wiring, and the surface thereof becomes uneven. Even if you try to form internal wiring on the
Also, problems such as disconnection will occur.

【0006】この両問題点を解決する方法として、本発
明者らは、先に、(1)基体表面に、光硬化可能なモノ
マーを含有するガラス・セラミックのスリップ材を塗布
・乾燥しして絶縁膜を形成し、(2)前記絶縁膜のビア
ーホル導体となる位置を除く表面を露光処理を施し、現
像処理して基体表面が露出する貫通孔を形成し、(3)
前記貫通孔内に導電性ペーストを充填してビアホール導
体となる導体を及び前記絶縁膜の表面に導電性ペースト
を印刷して内部配線となる導体膜を形成し、前記各
(1)〜(3)の工程を順次繰り返した後、焼成処理し
て成る積層型セラミック回路基板を提案した。
As a method for solving both of these problems, the present inventors firstly applied (1) a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer to the surface of a substrate and dried it. An insulating film is formed, and (2) the surface of the insulating film excluding a position to be a via-hole conductor is exposed and developed to form a through hole exposing the surface of the substrate, (3)
The conductive paste is filled in the through hole to form a conductor serving as a via-hole conductor and a conductive paste is printed on the surface of the insulating film to form a conductor film serving as internal wiring. ), A multilayer ceramic circuit board is proposed, which is obtained by sequentially repeating the steps (1) and (2) and then performing a firing process.

【0007】尚、上述の「貫通孔」は、1層あたりの絶
縁膜を貫通するため、貫通孔と表現したが、実際には、
その貫通孔の下部側の開口からは基体の表面が露出して
おり、全体として「凹部」形状であるため、特に、グリ
ーンシート多層方式の貫通孔と区別するために、以下
「貫通凹部」と表現する。また、上述の方法を便宜上、
スリップ材塗布による積層方法という。
The above-mentioned "through hole" is expressed as a through hole because it penetrates the insulating film per layer, but in reality,
Since the surface of the substrate is exposed from the opening on the lower side of the through hole and has a “concave” shape as a whole, in order to distinguish it from the through hole of the green sheet multi-layer system, it will be referred to as “through concave” below. Express. Also, for convenience of the above method,
It is called a lamination method by applying slip materials.

【0008】このスリップ材塗布による積層方法におい
ては、(1)の工程であるガラス・セラミックのスリッ
プ材の塗布は、ブレードなどによって塗布されるため、
最上層に塗布された絶縁膜の表面は、内部配線の構造や
積層数に係わらず、常に均一となるため、その後、絶縁
膜の表面に内部配線を信頼性高く形成できる。
In the laminating method by applying the slip material, since the application of the glass / ceramic slip material in the step (1) is applied by a blade or the like,
Since the surface of the insulating film applied as the uppermost layer is always uniform regardless of the structure of the internal wiring and the number of laminated layers, the internal wiring can be formed on the surface of the insulating film with high reliability thereafter.

【0009】また、(2)の工程の最上層に塗布形成さ
れた絶縁膜の厚みを貫くビアホール導体となる貫通凹部
が、露光・現像処理により形成されるため、目的に応じ
た異なる開口形状の貫通凹部を一括的に形成できる、即
ち、ビアホール導体に流れる信号電流、電源電流、アー
ス電流などの電流を考慮して、最適な形状のビアホール
導体が達成できる。
Further, since the through-hole concave portion which becomes the via-hole conductor and penetrates through the thickness of the insulating film formed by coating in the uppermost layer in the step (2) is formed by the exposure / development process, it has a different opening shape depending on the purpose. The through recesses can be collectively formed, that is, a via hole conductor having an optimum shape can be achieved in consideration of currents such as a signal current, a power supply current and a ground current flowing in the via hole conductor.

【0010】さらに、ビアホール導体と内部配線との接
続の位置合わせが、特に(2)の工程であるビアホール
導体となる貫通凹部を形成するための露光処理によって
決定されることになるが、この露光処理の位置合わせは
容易且つ高精度であるため、全体として位置ずれが発生
しにくく、特に、グリーンシート多層方法のような精密
な位置合わせを行う必要がない。
Further, the alignment of the connection between the via-hole conductor and the internal wiring is determined by the exposure process for forming the penetrating recess which becomes the via-hole conductor, which is the step (2). Since the positioning of the processing is easy and highly accurate, the positional deviation is unlikely to occur as a whole, and it is not particularly necessary to perform the precise positioning as in the green sheet multilayer method.

【0011】従って、製造方法が比較的簡単で、内部配
線の断線がなく、さらに内部配線とビアホール導体との
接続信頼性が向上する積層型セラミック回路基板とな
る。
Therefore, the manufacturing method is relatively simple, the internal wiring is not broken, and the connection reliability between the internal wiring and the via-hole conductor is improved.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
積層型セラミック回路基板においては、特に、ビアホー
ル導体となる導体の形成が非常に重要となる。
However, in the above-mentioned laminated ceramic circuit board, formation of a conductor serving as a via-hole conductor is very important.

【0013】このビアホール導体となる導体は、絶縁膜
に形成した貫通凹部の内部に気泡の発生がなく、安定し
て導電性ペーストを充填して、初めて、低導体抵抗で、
且つ接続信頼性の高いものとなる。即ち、貫通凹部の表
面側の開口から導電性ペーストを充填しつつ、同時に、
その内部の空気を完全に排除することが重要である。
The conductor to be the via-hole conductor has a low conductor resistance and is stable for the first time when the conductive paste is stably filled without generation of bubbles inside the through recess formed in the insulating film.
In addition, the connection reliability is high. That is, while filling the conductive paste from the opening on the surface side of the through recess, at the same time,
It is important to completely eliminate the air inside it.

【0014】仮に、貫通凹部内に充填した導体に、気泡
が発生すると、導通不良が発生したり、焼成時に膨張し
てしまいビアホール導体に亀裂が生じたりしてしまう。
If air bubbles are generated in the conductor filled in the through recess, conduction failure may occur, or the via hole conductor may expand due to expansion during firing, resulting in cracks in the via-hole conductor.

【0015】これに対して、グリーンシート多層方式に
おける貫通穴は、シートの両主面に開口を有しているた
め、上述したように、導体が奪われるという問題がある
ものの、貫通穴内の気泡なく充填することができる。
On the other hand, since the through holes in the green sheet multi-layer system have openings on both main surfaces of the sheet, there is a problem that the conductor is taken away as described above, but bubbles in the through holes are present. Can be filled without.

【0016】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、絶縁膜の厚み方向を貫く貫
通凹部に確実に導電性ペーストを充填することができる
積層型セラミック回路基板の製造方法を提供することで
ある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is a multilayer ceramic in which a conductive paste can be reliably filled in a through recess penetrating the insulating film in the thickness direction. A method of manufacturing a circuit board is provided.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明は、(1)基体表
面に、光硬化可能なモノマーを含有するガラス・セラミ
ックのスリップ材を塗布・乾燥して絶縁膜を形成する工
程と、(2)前記絶縁膜に選択的な露光・現像処理によ
り貫通凹部を形成する工程と、(3)前記絶縁膜の表面
及び貫通凹部内に導電性ペーストを印刷・充填してビア
ホール導体となる導体と内部配線となる導体膜とを形成
する工程と、(4)前記各(1)〜(3)の工程を順次
繰り返した後、絶縁膜、導体膜及び導体を一体的に焼成
処理して成る積層型セラミック回路基板の製造方法であ
って、前記貫通凹部の壁面が、その上部側開口面積を大
きく、基体側の開口面積が小さくするように傾斜してい
る積層型セラミック回路基板の製造方法である。
The present invention comprises: (1) a step of applying a glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer on a surface of a substrate and drying the slip material to form an insulating film; ) A step of forming a through recess in the insulating film by selective exposure / development processing, and (3) a conductor and an inside which are printed and filled with a conductive paste on the surface of the insulating film and in the through recess to form a via hole conductor. A laminate type in which a step of forming a conductor film to be wiring and (4) the steps (1) to (3) are sequentially repeated, and then the insulating film, the conductor film and the conductor are integrally fired. A method of manufacturing a ceramic circuit board, wherein the wall surface of the through recess is inclined so that the opening area on the upper side is large and the opening area on the base side is small.

【0018】[0018]

【作用】本発明によれば、絶縁膜に形成した貫通凹部の
壁面が、下部側開口に向かって開口面積が小さくなるよ
うに傾斜しているため、上述の(3)の工程で、導電性
ペーストを印刷・充填した場合、導電性ペーストが印刷
の進行方向の手前側の傾斜した壁面を伝って充填され、
同時に、貫通凹部内の空気を印刷の進行方向側の傾斜し
た壁面側から逃がすことができるため、貫通凹部内に導
電性ペーストを気泡なく、安定して充填することができ
る。
According to the present invention, since the wall surface of the through recess formed in the insulating film is inclined so that the opening area becomes smaller toward the lower side opening, the conductivity in the above step (3) is increased. When the paste is printed and filled, the conductive paste is filled along the inclined wall surface on the front side in the printing progress direction,
At the same time, the air in the through recesses can escape from the inclined wall surface side in the printing direction, so that the conductive paste can be stably filled in the through recesses without bubbles.

【0019】従って、このビアホール導体による内部配
線間の導通が確実となり、内部配線間の導通信頼性が向
上する積層型セラミック回路基板を簡単に製造すること
ができる。
Therefore, the conduction between the internal wirings is ensured by the via-hole conductor, and the multilayer ceramic circuit board in which the reliability of the conduction between the internal wirings is improved can be easily manufactured.

【0020】また、スリップ材塗布による積層方法によ
る作用効果、即ち、絶縁膜の表面が常に均一に保つこと
ができ、その表面に形成する内部配線となる導体膜の段
切れがなく、貫通凹部の形状が任意に変更でき、また同
時に一括処理でき、位置合わせが容易であるなどをその
まま享受できる。
In addition, the function and effect of the laminating method by applying the slip material, that is, the surface of the insulating film can be always kept uniform, and the conductor film which is the internal wiring formed on the surface does not have a step breakage and the through recess The shape can be changed arbitrarily, and at the same time, it is possible to perform batch processing at the same time, and it is possible to enjoy the ease of alignment.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1は、本発明に係る積層型セラミック回路基板の断面図
であり、図2(a)〜(h)はその製造方法を説明する
断面図である。尚、説明は5層の絶縁層からなる積層型
セラミック回路基板を用いて説明するが、積層数は任意
に変更することができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic circuit board according to the present invention, and FIGS. 2A to 2H are cross-sectional views illustrating a manufacturing method thereof. Although the description will be given using a laminated ceramic circuit board including five insulating layers, the number of laminated layers can be arbitrarily changed.

【0022】図において、1は積層体本体であり、1a
〜1eは絶縁層、2は内部配線、3はビアホール導体、
4は表面配線、5、6は電子部品である。
In the figure, reference numeral 1 is a laminated body, and 1a
1e is an insulating layer, 2 is an internal wiring, 3 is a via-hole conductor,
Reference numeral 4 is surface wiring, and 5 and 6 are electronic components.

【0023】積層体本体1は、絶縁層1a〜1e、該絶
縁層1a〜1eの層間に配された内部配線2、異なる層
間に配された複数の内部配線2との間、または内部配線
2と表面配線4との間を接続するためのビアホール導体
3とから構成されている。
The laminated body 1 includes insulating layers 1a to 1e, internal wirings 2 arranged between the insulating layers 1a to 1e, a plurality of internal wirings 2 arranged in different layers, or an internal wiring 2 And a via hole conductor 3 for connecting between the surface wiring 4 and the surface wiring 4.

【0024】絶縁層1a〜1eは、例えば850〜10
50℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−
セラミック材料からなり、その厚みは40〜120μm
である。このような複数の絶縁層1a〜1e間には、内
部配線2が配置されている。
The insulating layers 1a-1e are, for example, 850-10.
Glass that enables firing at relatively low temperatures around 50 ° C
Made of ceramic material, its thickness is 40 ~ 120μm
Is. The internal wiring 2 is arranged between the plurality of insulating layers 1a to 1e.

【0025】内部配線2は、金系、銀系、銅系の金属材
料、例えば銀系導体からなっている。また、異なる絶縁
層1a〜1e間の内部配線2は、絶縁層1a〜1eの厚
みを貫くビアホール導体3によって接続されている。
The internal wiring 2 is made of a gold-based, silver-based or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor. Further, the internal wiring 2 between the different insulating layers 1a to 1e is connected by the via-hole conductor 3 penetrating the thickness of the insulating layers 1a to 1e.

【0026】ビアホール導体3も内部配線2と同様に金
系、銀系、銅系の金属材料、例えば銀系導体からなって
いる。
The via-hole conductor 3 is also made of a gold-based, silver-based, or copper-based metal material, for example, a silver-based conductor, like the internal wiring 2.

【0027】積層体本体1の表面には、絶縁層1aに形
成したビアホール導体3と接続する、銀系、銅系の金属
材料、例えば銅系導体からなる表面配線4が形成されて
おり、この表面配線4上には、必要に応じて、厚膜抵抗
体膜5や図示していないが厚膜保護膜が形成されたり、
メッキ処理されたり、またICを含む各種電子部品6が
半田やボンディング細線によって接合されている。
A surface wiring 4 made of a silver-based or copper-based metal material, such as a copper-based conductor, is formed on the surface of the laminated body 1 so as to be connected to the via-hole conductor 3 formed in the insulating layer 1a. If necessary, a thick film resistor film 5 or a thick film protective film (not shown) may be formed on the surface wiring 4,
Various electronic components 6 including a plating process and an IC are joined by solder or bonding fine wires.

【0028】上述の積層型セラミック回路基板は、図2
(a)〜(h)に示す工程によって形成される。
The above-mentioned laminated ceramic circuit board is shown in FIG.
It is formed by the steps shown in (a) to (h).

【0029】まず、図2(a)に示すように、耐熱性樹
脂、ガラス、セラミックなどのワーク基板15(基体に
相当)上に絶縁層1eとなる絶縁膜10eを形成する。
First, as shown in FIG. 2A, an insulating film 10e to be the insulating layer 1e is formed on a work substrate 15 (corresponding to a base) made of heat resistant resin, glass, ceramics or the like.

【0030】絶縁膜10eは、セラミック粉末、ガラス
材料、有機バインダと、有機又は水系溶剤を均質混練し
て得られスリップ材を40〜120μm程度になるよう
に、塗布、乾燥して形成する。
The insulating film 10e is formed by uniformly kneading ceramic powder, a glass material, an organic binder, and an organic or aqueous solvent, and applying and drying the slip material to a thickness of about 40 to 120 μm.

【0031】尚、図1に示す積層体本体1の裏面側主面
には表面配線などを形成してないため、絶縁層1eにビ
アホール導体を形成する必要がないため、絶縁膜10e
を上述のスリップ材を単に塗布し、乾燥するだけで形成
しているが、絶縁膜10eにビアホール導体を形成する
場合には、スリップ材にさらに光硬化可能なモノマーを
添加して、後述の図2(c)〜図2(e)のように選択
的な露光・現像処理を行う必要がある。
Since the front surface wiring is not formed on the main surface on the back surface side of the laminated body 1 shown in FIG. 1, it is not necessary to form a via-hole conductor in the insulating layer 1e.
Is formed by simply applying the above-mentioned slip material and drying it. However, when forming a via-hole conductor in the insulating film 10e, a photo-curable monomer is further added to the slip material, and 2 (c) to FIG. 2 (e), it is necessary to perform selective exposure / development processing.

【0032】上述のセラミック粉末としては、クリスト
バライト、石英、コランダム(αアルミナ)、ムライ
ト、ジルコニア、コージェライト等の材料が挙げられ、
その粉末の平均粒径は、好ましくは1.0〜6.0μ
m、更に好ましくは1.5〜4.0μmである。これら
のセラミック材料は2種以上混合して用いられてもよ
い。
Examples of the above-mentioned ceramic powder include materials such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, zirconia and cordierite.
The average particle size of the powder is preferably 1.0 to 6.0 μ.
m, and more preferably 1.5 to 4.0 μm. Two or more kinds of these ceramic materials may be mixed and used.

【0033】特に、コランダムを用いた場合、コスト的
に有利となる。
In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost.

【0034】ここで、セラミック粉末の平均粒径が1.
0〜6.0μmと設定したのは、平均粒径が1.0μm
未満では、均質混合してスリップ化することが難しくな
り、、後述の露光処理時に露光光が乱反射して充分な露
光ができなくなる。逆に平均粒径が6.0μmを超える
と緻密で強度の高い積層体本体1が得られない。
Here, the average particle size of the ceramic powder is 1.
The average particle size is 1.0 μm, which is set to 0 to 6.0 μm.
If the amount is less than the above, it is difficult to homogeneously mix and slip, and the exposure light is diffusely reflected at the time of the exposure processing described later, and sufficient exposure cannot be performed. On the contrary, if the average particle size exceeds 6.0 μm, the dense laminated body 1 having high strength cannot be obtained.

【0035】上述のガラス材料としては、複数の金属酸
化物を含むガラスフリットであり、850〜1050℃
で焼成した後に、コージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライト及びその置換誘導体の結晶
を少なくとも1種析出するものが挙げられる。
The above-mentioned glass material is a glass frit containing a plurality of metal oxides and has a temperature of 850 to 1050 ° C.
After calcination in 1., at least one crystal of cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof is precipitated.

【0036】特に、アノーサイトまたはセルジアンを析
出する結晶化ガラスフリットを用いると、より強度の高
い積層体本体が得られ、また、コージェライトまたはム
ライトを析出し得る結晶化ガラスフリットを用いれる
と、焼成後の熱膨張率が低い為、回路基板上にIC等の
シリコンチップを配置するための回路基板としては有効
となる。
In particular, when a crystallized glass frit which deposits anorthite or sersian is used, a laminated body having higher strength can be obtained, and when a crystallized glass frit which deposits cordierite or mullite is used, Since the coefficient of thermal expansion after firing is low, it is effective as a circuit board for disposing a silicon chip such as an IC on the circuit board.

【0037】上述の絶縁層の強度、熱膨張率を考慮した
最も好ましいガラス材料としては、B2 3 、Si
2 、Al2 3 、ZnO、アルカリ土類酸化物を含む
ガラスフリットである。この様なガラスフリットは、ガ
ラス化範囲が広くまた屈伏点が600〜800℃付近に
ある為、850〜1050℃程度の低温焼成に適し、且
つ内部配線2、ビアホール導体3となる銅系、銀系及び
金系の導電材料の焼結挙動に適している。
The most preferable glass materials in consideration of the strength and the coefficient of thermal expansion of the insulating layer are B 2 O 3 and Si.
A glass frit containing O 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and an alkaline earth oxide. Since such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point around 600 to 800 ° C., it is suitable for low temperature firing at about 850 to 1050 ° C., and copper-based and silver to be the internal wiring 2 and the via-hole conductor 3. It is suitable for the sintering behavior of metallic and gold-based conductive materials.

【0038】ガラス材料はスリップ材中には、フリット
の状態で混合されている。このフリットの平均粒径は、
1.0〜5.0μm、好ましくは1.5〜3.5μmで
ある。ここで、平均粒径が1.0μm未満の場合は、ス
リップ化することが困難であり、後述の露光時に露光光
が乱反射して充分な露光ができなくなる。逆に平均粒径
が5.0μmを超えると分散性が損なわれ、具体的には
絶縁材料であるセラミック粉末間に均等に溶解分散でき
ず、強度が非常に低下してしまう。
The glass material is mixed in the slip material in a frit state. The average particle size of this frit is
It is 1.0 to 5.0 μm, preferably 1.5 to 3.5 μm. Here, if the average particle diameter is less than 1.0 μm, it is difficult to make slippage, and the exposure light is diffusely reflected at the time of exposure described later, and sufficient exposure cannot be performed. On the other hand, if the average particle diameter exceeds 5.0 μm, the dispersibility is impaired, and specifically, it cannot be uniformly dissolved and dispersed between the ceramic powders that are the insulating material, and the strength is greatly reduced.

【0039】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が10〜50wt%、好まし
くは20〜35wt%であり、ガラス材料が90〜50
wt%、好ましくは80〜65wt%である。
The composition ratio of the above-mentioned ceramic material and glass material is such that when firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C., the ceramic material is 10 to 50 wt%, preferably 20 to 35 wt%. Is 90-50
wt%, preferably 80-65 wt%.

【0040】ここで、セラミック材料が10wt%未
満、且つガラス材料が90wt%を越えると、絶縁層に
ガラス質が増加しすぎ、絶縁層の強度等からしても不適
切であり、また、セラミック材料が50wt%を越え、
且つガラス材料が50wt%未満となると、後述の露光
時に露光光が乱反射して充分な露光ができなり、焼成後
の絶縁層の緻密性も損なわれる。
Here, if the ceramic material is less than 10 wt% and the glass material exceeds 90 wt%, the insulating layer is excessively vitreous, which is inappropriate from the viewpoint of the strength of the insulating layer. Material exceeds 50wt%,
When the glass material is less than 50 wt%, the exposure light is diffusely reflected at the time of exposure described later, sufficient exposure can be performed, and the denseness of the insulating layer after firing is also impaired.

【0041】上述のセラミックやガラスなどの固形成分
の他に、スリップ材の構成材料としては、焼結によって
消失される光硬化可能なモノマー、有機バインダーと、
有機溶剤とを含んでいる。
In addition to the above-described solid components such as ceramics and glass, the constituent material of the slip material is a photocurable monomer that is lost by sintering, an organic binder,
Contains an organic solvent.

【0042】光硬化可能なモノマーは、低温短時間の焼
成工程に対応するために、熱分解性に優れたものであ
り、光硬化可能なモノマーとしては、スリップ材の塗布
・乾燥後の露光によって、光重合される必要があり、遊
離ラジカルの形成、連鎖生長付加重合が可能で、2級も
しくは3級炭素を有したモノマーが好ましく、例えば少
なくとも1つの重合可能なエチレン系基を有するブチル
アクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに
対応するアルキルメタクリレートが有効である。
The photo-curable monomer is excellent in thermal decomposability in order to cope with a low temperature and short-time baking process. As the photo-curable monomer, a slip material can be exposed by exposure after coating and drying. It is necessary to photopolymerize, free radical formation, chain growth addition polymerization are possible, and a monomer having a secondary or tertiary carbon is preferable, for example, butyl acrylate having at least one polymerizable ethylene group. Alkyl acrylates and their corresponding alkyl methacrylates are effective.

【0043】また、テトラエチレングリコールジアクリ
レート等のポリエチレングリコールジアクリレートおよ
びそれらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。
In addition, polyethylene glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and their corresponding methacrylates may be mentioned.

【0044】光硬化可能なモノマーは、選択的な露光処
理によって絶縁膜10eが硬化され、現像処理によって
露光部分以外の部分が容易に除去できるように所定量添
加される。例えば、固形成分(セラミック材料及びガラ
ス材料) に対して5〜15wt%以下である。
The photo-curable monomer is added in a predetermined amount so that the insulating film 10e is cured by the selective exposure treatment and the portion other than the exposed portion can be easily removed by the development treatment. For example, it is 5 to 15 wt% or less with respect to the solid component (ceramic material and glass material).

【0045】有機バインダーは、光硬化可能なモノマー
同様に熱分解性の良好なものでなくてはならない。同時
にスリップの粘性を決めるものである為、固形分との濡
れ性も重視せねばならず、本発明者の検討によればアク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。添加量としては固形分に対して25
wt%以下が好ましい。
The organic binder should have good thermal decomposability as well as the photocurable monomer. At the same time, since it determines the viscosity of the slip, the wettability with the solid content must be emphasized.According to the study of the present inventor, a carboxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymer and an alcoholic hydroxyl group are determined. The ethylenically unsaturated compounds provided are preferred. Addition amount is 25 based on solid content
Wt% or less is preferable.

【0046】尚、溶剤として、有機系溶剤の他に、水系
溶剤を用いることができるが、この場合、光硬化可能な
モノマー及び有機バインダは、水溶性である必要があ
り、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例え
ばカルボキシル基が付加されている。その付加量は酸価
で表せば2〜300あり、好ましくは5〜100であ
る。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉
末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなる
ため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考
慮して、上述の範囲で適宜付加される。
As the solvent, an aqueous solvent can be used in addition to the organic solvent. In this case, the photocurable monomer and the organic binder must be water-soluble, and the monomer and the binder should be used. , Hydrophilic functional groups such as carboxyl groups are added. The amount of addition is 2 to 300, preferably 5 to 100, when expressed by acid value. If the addition amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the powder of the fixed component will be poor, and if it is large, the thermal decomposability will be poor. In consideration of the above, it is appropriately added within the above range.

【0047】何れの系のスリップ材においても光硬化可
能なモノマー及び有機バインダは上述したように熱分解
性の良好なものでなくてはならないが、具体的には60
0℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。更に好ま
しくは500℃以下である。
In any type of slip material, the photocurable monomer and the organic binder must have good thermal decomposability as described above, but specifically, 60
It must be capable of thermal decomposition below 0 ° C. More preferably, it is 500 ° C. or lower.

【0048】熱分解温度が600℃を越えると、絶縁層
内に残存してしまい、カーボンとしてトラップし、基板
を灰色に変色させたり、絶縁層の絶縁抵抗までも低下さ
せてしまう。またボイドとなりデラミネーションを起こ
すことがある。
When the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the insulating layer and is trapped as carbon, which causes the substrate to turn gray and the insulating resistance of the insulating layer to decrease. Also, it may become void and cause delamination.

【0049】また、スリップ材には、増感剤、光開始系
材料等を必要に応じて添加しても構わない。例えば、光
開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロインエ
ステル類化合物などが挙げられる。
Further, a sensitizer, a photoinitiator material, etc. may be added to the slip material as required. For example, examples of the photoinitiator-based material include benzophenones and acyloin ester compounds.

【0050】上述のスリップ材の塗布方法として、例え
ば、ドクターブレード法(ナイフコート法)、ロールコ
ート法、印刷法などが挙げられる。特に塗布後の絶縁膜
の表面が平坦化することが容易なドクターブレード法な
どが好適である。尚、塗布方法に応じて溶剤の添加量が
調整され、所定粘度に調整される。
Examples of the method of applying the above-mentioned slip material include a doctor blade method (knife coating method), a roll coating method, a printing method and the like. In particular, a doctor blade method or the like is preferable because it makes it easy to flatten the surface of the insulating film after coating. The amount of the solvent added is adjusted according to the coating method to adjust the viscosity to a predetermined value.

【0051】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥条件は、120℃
以下が望ましい。また、急激な乾燥は、表面にクラック
を発生される可能性があるため、急加熱は避けることが
重要となる。
As a drying method, a batch-type drying furnace or an in-line-type drying furnace is used, and the drying condition is 120 ° C.
The following is desirable. Also, rapid drying may cause cracks on the surface, so it is important to avoid rapid heating.

【0052】次に、図2(b)に示すように、絶縁層1
eと絶縁層1dとの層間に配される内部導体2となる導
体膜20を例えばAg系導電性ペーストを用いてスクリ
ーン印刷によって所定形状に印刷し、乾燥を行う。その
導体膜は、20〜50μm程度が好ましい。
Next, as shown in FIG. 2B, the insulating layer 1
The conductor film 20 serving as the inner conductor 2 disposed between the e and the insulating layer 1d is printed in a predetermined shape by screen printing using, for example, an Ag-based conductive paste, and dried. The conductor film is preferably about 20 to 50 μm.

【0053】導電性ペーストは、金、銀、銅もしくはそ
の合金のうち少なくとも1つの金属材料、例えば銀の粉
末と、低融点ガラス成分と、有機バインダーと、有機溶
剤と、必要に応じて上述の光硬化可能なモノマーを均質
混練したものが用いられる。
The conductive paste is a powder of at least one metal material of gold, silver, copper or alloys thereof, for example, silver powder, a low melting point glass component, an organic binder, an organic solvent, and, if necessary, the above-mentioned materials. A homogeneously kneaded photo-curable monomer is used.

【0054】特に、焼成温度が850〜1050℃と比
較的低いため、絶縁膜1a〜1eの焼結挙動を考慮し
て、低融点ガラス成分の屈伏点を700〜800℃とな
るものが使用することが重要である。
In particular, since the firing temperature is relatively low at 850 to 1050 ° C., a low melting point glass component having a yield point of 700 to 800 ° C. is used in consideration of the sintering behavior of the insulating films 1 a to 1 e. This is very important.

【0055】尚、必要に応じて、さらに導体膜20全体
を露光処理して、光硬化を行っても構わない。これは、
後述の図2(e)工程で、この導体膜20上に塗布・形
成される絶縁膜10dに貫通凹部30を形成すべく、現
像処理をおこなった場合、この導体膜20が現像液によ
って侵されることを防止するものであり、現像液侵され
ることがなければ、導電性ペースト光硬化可能なモノマ
ーや露光処理を施す必要はない。
If necessary, the entire conductor film 20 may be exposed to light to be photocured. this is,
In the process shown in FIG. 2E, which will be described later, when a developing process is performed to form the penetrating recess 30 in the insulating film 10d applied / formed on the conductor film 20, the conductor film 20 is attacked by the developing solution. That is, it is not necessary to apply a conductive paste photocurable monomer or an exposure treatment as long as it is not attacked by the developing solution.

【0056】次に、図2(c)に示すように、上述の導
体膜20を完全に被覆するように、絶縁層1dとなる絶
縁膜10dを上述のスリップ材を用いて塗布・乾燥を行
う。
Next, as shown in FIG. 2C, the insulating film 10d to be the insulating layer 1d is applied and dried using the above-mentioned slip material so as to completely cover the above-mentioned conductor film 20. .

【0057】尚、ここで基体とは、ワーク基板15単体
ではなく、この工程前に形成された、絶縁膜10e、内
部配線となる導体膜20を含むものを基体という。
Here, the base body is not the work substrate 15 alone, but the base body including the insulating film 10e and the conductor film 20 to be the internal wiring formed before this step.

【0058】次に、図2(d)に示すように、絶縁層1
dの厚み方向を貫くビアホール導体3に相当する絶縁膜
10dの所定位置に、貫通凹部30となる溶化部30’
を露光処理して形成する。
Next, as shown in FIG. 2D, the insulating layer 1
At a predetermined position of the insulating film 10d corresponding to the via-hole conductor 3 penetrating in the thickness direction of d, the solubilized portion 30 'to be the through recess 30 is formed.
Is formed by exposure processing.

【0059】絶縁膜10dの光硬化モノマーが、光重合
されるネガ型であるため、貫通凹部30となる溶化部3
0’のみが露光光が照射されないようにして行われる。
具体的には、絶縁膜10dの表面に、貫通凹部30とな
る溶化部30’のみが露光処理されない所定パターンの
フォトターゲットを、絶縁膜10dの表面に載置、又は
近接配置して、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光
を照射する。この選択的な露光処理により、絶縁膜1d
の貫通凹部30となる以外の部分が、光硬化可能なモノ
マーの光重合反応を起こす。尚、露光装置は所謂写真製
版技術に用いられる一般的なものでよい。
Since the photo-curable monomer of the insulating film 10d is a negative type which undergoes photo-polymerization, the solubilized portion 3 to be the through recess 30 is formed.
Only 0'is performed without exposing the exposure light.
Specifically, on the surface of the insulating film 10d, a photo target having a predetermined pattern in which only the solubilized portion 30 'to be the penetrating recess 30 is not exposed is placed on or near the surface of the insulating film 10d, and low pressure Irradiate the exposure light of high-pressure and ultra-high-pressure mercury lamp system. By this selective exposure processing, the insulating film 1d
A portion other than the through-hole concave portion 30 causes a photopolymerization reaction of the photocurable monomer. The exposure device may be a general one used in so-called photolithography.

【0060】次に、図2(e)に示すように、露光処理
した絶縁膜10dを現像処理し、溶化部30’を除去し
て、貫通凹部30を形成する。これにより、貫通凹部3
0の下部には、図2(b)で印刷形成した内部配線2と
なる導体膜20の一部が露出することになる。
Next, as shown in FIG. 2E, the exposed insulating film 10d is subjected to a development process to remove the solubilized portion 30 'and form a through recess 30. Thereby, the through recess 3
A part of the conductor film 20 which becomes the internal wiring 2 printed and formed in FIG. 2B is exposed at the lower part of 0.

【0061】この現像処理として、クロロセン、1,
1,1−トリクロロエタン、アルカリ現像溶剤を例えば
スプレー現像法やパドル現像法によって、溶化部30’
に噴射したり、接触したりして、現像処理を行う。その
後、必要に応じて洗浄及び乾燥を行なう。
As this development processing, chlorocene, 1,
1,1-trichloroethane and an alkali developing solvent are applied to the solubilized portion 30 'by, for example, a spray developing method or a paddle developing method.
The developing process is performed by spraying or contacting the surface. Then, if necessary, washing and drying are performed.

【0062】次に、図2(f)に示すように、絶縁膜1
0dの貫通凹部30に、ビアホール導体3となる導体3
1を、導電性ペーストの充填・乾燥によって形成する。
充填方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。
Next, as shown in FIG. 2F, the insulating film 1
The conductor 3 to be the via-hole conductor 3 is provided in the through recess 30 of 0d.
1 is formed by filling and drying a conductive paste.
The filling method is, for example, a screen printing method.

【0063】次に、図2(g)に示すように、絶縁層1
dと絶縁層1cとの間に配される内部配線2となる導体
膜20を導電性ペーストも用いて印刷・乾燥する。刷方
法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。尚、必要に
応じて、導体膜20の全面を露光処理を施して光硬化を
行う。
Next, as shown in FIG. 2G, the insulating layer 1
The conductor film 20 to be the internal wiring 2 arranged between the d and the insulating layer 1c is printed and dried using a conductive paste. The printing method is, for example, a screen printing method. If necessary, the entire surface of the conductor film 20 is exposed to light to be photocured.

【0064】次に、絶縁層1cとなる絶縁膜を、図2
(c)に示すように形成し、続いて、絶縁層1cとなる
絶縁膜の貫通凹部を、図2(d)(e)に示すように形
成し、この貫通凹部にビアホール導体3となる導体を図
2(f)に示すように形成し、絶縁層1cと絶縁層1b
との間に配される内部配線2となる導体膜を図2(g)
に示すように形成する。
Next, the insulating film to be the insulating layer 1c is formed as shown in FIG.
2C, and then a through recess of the insulating film to be the insulating layer 1c is formed as shown in FIGS. 2D and 2E, and a conductor to be the via-hole conductor 3 is formed in this through recess. Is formed as shown in FIG. 2 (f), and the insulating layer 1c and the insulating layer 1b are formed.
The conductor film which becomes the internal wiring 2 disposed between and is shown in FIG.
It is formed as shown in.

【0065】これを繰り返して、図2(h)に示すよう
に、最上層の絶縁層1aとなる絶縁膜10aに、ビアホ
ール導体3・・となる導体31を形成することにより、
未焼成の積層体本体1の重畳工程が終了する。そして、
この未焼成状態の積層本体1を、個々の積層体本体に分
割可能にするためにプレス成型により分割溝を形成し、
ワーク基板15と積層体本体1とを分離する。
By repeating this, as shown in FIG. 2H, the conductor 31 serving as the via-hole conductor 3 ... Is formed in the insulating film 10a serving as the uppermost insulating layer 1a.
The superposing step of the unfired laminated body 1 is completed. And
This unbaked laminated body 1 is divided into individual laminated bodies by press molding to form dividing grooves,
The work substrate 15 and the laminated body 1 are separated.

【0066】次に、絶縁膜10a〜10e、内部配線2
となる導体膜20が積層し、ビアホール導体3と導体3
0が配置された積層体本体1を一体焼結を行う。
Next, the insulating films 10a to 10e and the internal wiring 2
The conductor film 20 that becomes
The laminated body 1 in which 0 is arranged is integrally sintered.

【0067】焼結は、脱バインダ過程と焼成過程からな
る。脱バインダ過程は、絶縁膜10a〜10e、内部配
線2となる導体膜20、及びビアホール導体3の導体3
1に含まれる有機成分を消失するためであり、例えば6
00℃以下である。
Sintering consists of a binder removal process and a firing process. In the binder removal process, the insulating films 10a to 10e, the conductor film 20 to be the internal wiring 2, and the conductor 3 of the via-hole conductor 3 are used.
This is because the organic component contained in 1 disappears, and for example, 6
It is not higher than 00 ° C.

【0068】また、焼成過程は、絶縁膜10a〜10e
のガラス成分を充分に軟化させて、セラミック粉末の粒
界に均一に充填させ、積層体本体1の一定強度を達成さ
せ、同時に、導体膜20、導体31の銀系粉末を粒成長
させて、低抵抗化させるとともに、絶縁層と一体化させ
るものであり、酸化性雰囲気又は中性雰囲気でピーク温
度850〜1050℃で行う。
In the baking process, the insulating films 10a to 10e are used.
By sufficiently softening the glass component of (1) to uniformly fill the grain boundaries of the ceramic powder to achieve a certain strength of the laminated body 1, and at the same time, the silver powder of the conductor film 20 and the conductor 31 is grain-grown. In addition to lowering the resistance, it is integrated with the insulating layer, and is performed at a peak temperature of 850 to 1050 ° C. in an oxidizing atmosphere or a neutral atmosphere.

【0069】焼結された積層体本体1の表面に、表面導
体4として、低温(例えば780℃以下)焼成可能な銅
系導電性ペーストによる印刷、焼きつけを行い、必要に
応じて、厚膜抵抗体膜5を焼きつけ形成し、表面導体4
上にICチップやチップ部品などの電子部品を接合し
て、分割溝にそって個々に分割する。これにより、図1
に示す積層型セラミック回路基板が達成される。
On the surface of the sintered laminated body 1, as the surface conductor 4, printing and baking are performed using a copper-based conductive paste that can be fired at a low temperature (for example, 780 ° C. or lower), and if necessary, a thick film resistance is applied. Body film 5 is formed by baking, surface conductor 4
An electronic component such as an IC chip or a chip component is bonded to the top and divided individually along the dividing groove. As a result,
The multilayer ceramic circuit board shown in is achieved.

【0070】尚、表面導体4は、銅系材料であるため、
焼きつけは、還元性雰囲気で行う必要がある。このた
め、積層体本体と同時に一体焼結が不可能であるが、例
えば表面導体4に銀系導体、例えば銀単体、銀パラジウ
ム合金などを用いれば、焼成前に積層体本体1上に表面
導体4となる導体を印刷して、積層体と同時に一体焼結
が可能である。
Since the surface conductor 4 is a copper-based material,
Baking must be done in a reducing atmosphere. For this reason, it is impossible to perform integral sintering at the same time as the laminated body, but if a silver-based conductor, for example, simple silver or a silver-palladium alloy, is used for the surface conductor 4, the surface conductor will be formed on the laminated body 1 before firing. It is possible to print a conductor of No. 4 and perform integral sintering simultaneously with the laminated body.

【0071】本発明の特徴的なことは、図3(a)に示
すように、ビアホール導体3が形成される絶縁膜10に
形成された貫通凹部30の壁面30a、30bが、上部
側開口径Dに対して下部の導体20が露出する下部側開
口径dが小さくなるように傾斜していることである。
The feature of the present invention is that, as shown in FIG. 3A, the wall surfaces 30a and 30b of the through recess 30 formed in the insulating film 10 in which the via-hole conductor 3 is formed have the upper side opening diameter. That is, the lower conductor 20 is inclined with respect to D so that the lower opening diameter d through which the lower conductor 20 is exposed becomes small.

【0072】これにより、図3(b)に示すように、ス
クリーン32を介して、スキージ33の印圧により、導
電性ペースト34を充填した場合、スキージ33の進行
方向の手前側の壁面30a側から導電性ペースト34が
流れ込み、さらにスキージ33が進行すると、図3
(c)に示すように、貫通凹部30内の空気が、スキー
ジ33の進行方向側の壁面30b側から容易に抜けるこ
とになり、結局、貫通凹部30内に、気泡を発生させる
ことなく、導電性ペースト34を完全に充填することが
できる。
As a result, as shown in FIG. 3B, when the conductive paste 34 is filled with the squeegee 33 through the screen 32, the side surface 30a of the squeegee 33 on the front side in the advancing direction thereof. When the conductive paste 34 flows in from the squeegee 33 and further advances,
As shown in (c), the air in the through recess 30 easily escapes from the wall surface 30b side of the squeegee 33 in the traveling direction, and eventually, the inside of the through recess 30 is electrically conductive without generating bubbles. The conductive paste 34 can be completely filled.

【0073】ここで、上述の形状の貫通凹部30は、露
光条件、現像条件によって簡単に形成することができ
る。
Here, the through recess 30 having the above-described shape can be easily formed under the exposure condition and the developing condition.

【0074】例えば露光条件は、比較的低い強度で、例
えば50mJ/cm2 程度露光し、現像条件として、現
像時間を、例えば30秒程度と短く、且つ現像液の希釈
割合を高くして、低濃度の溶液を用いることにより達成
される。
For example, the exposure conditions are such that the exposure is carried out at a relatively low intensity, for example, about 50 mJ / cm 2 , and the development conditions are as follows: the development time is short, for example, about 30 seconds, and the developing solution dilution ratio is high, This is achieved by using a solution of concentration.

【0075】ここで、図3(a)に示す傾斜角θは、導
電性ペーストの粘度、スキージの印圧、速度によっても
若干異なるが65〜85°程度が適当である。傾斜角θ
が65°未満では、上部側開口径Dと下部側開口径dの
変位が大きくなり、ビアホール導体3を形成するに必要
な面積が多くなり、小形、高密度配線が困難となる。
Here, the inclination angle θ shown in FIG. 3 (a) is about 65 to 85 ° although it is slightly different depending on the viscosity of the conductive paste, the printing pressure of the squeegee, and the speed. Inclination angle θ
Is less than 65 °, the displacement between the upper side opening diameter D and the lower side opening diameter d becomes large, the area required to form the via-hole conductor 3 increases, and it becomes difficult to make small-sized and high-density wiring.

【0076】また、傾斜角θが85°を越えると、貫通
凹部30に導電性ペースト34を充填しても、その底部
に気泡が発生することが多く、ビアホール導体3の導通
不要が顕著となる。
Further, when the inclination angle θ exceeds 85 °, bubbles are often generated at the bottom of the through-hole recess 30 even when the through-hole recess 30 is filled with the conductive paste 34, and the need for conduction of the via-hole conductor 3 becomes remarkable. .

【0077】ここで、従来のグリーンシート多層方法に
よるビアホール導体となる導体を形成する場合には、厚
み100〜200μmのグリーンシートに金型やNCパ
ンチ加工により、ビアホール導体となる位置にシートの
両表面が開口するスルーホールを形成し、このスルーホ
ールに導電性ペーストを充填するが、両表面が開口して
いるため、大きな開口径のスルーホールを形成すること
ができても、導電性ペーストの充填時、ペーストをスル
ーホール内に保持することができず、ペースト抜けが発
生してしまう。このため、従来のスルーホールの径は、
100〜200μm程度が上限であった。
Here, in the case of forming a conductor to be a via-hole conductor by the conventional green sheet multi-layer method, a green sheet having a thickness of 100 to 200 μm is die-molded or NC punched to form a via-hole conductor at both positions. A through hole with an open surface is formed, and this through hole is filled with a conductive paste. However, since both surfaces are open, it is possible to form a through hole with a large opening diameter. At the time of filling, the paste cannot be held in the through hole, and the paste will be lost. Therefore, the diameter of the conventional through hole is
The upper limit was about 100 to 200 μm.

【0078】これに対して、本発明による貫通凹部30
の場合、ペースト抜けが発生することがないため、電源
電圧やアース電位系などの比較的電流容量が大きいビア
ホール導体3であっても、目的に応じて任意の形状とす
ることが簡単である。即ち、貫通凹部30の上部側開口
径D及び下部側開口径dは、電源電圧やアース電位に関
係するものを比較的大きく、さらに信号系に関するもの
を高密度化するために比較的小さくすることが望まし
い。信号系のビアーホル導体3の上部側開口径Dを60
〜150μm、下部側開口径dを40〜100μm程度
にすることができる。
On the other hand, the through recess 30 according to the present invention.
In this case, since the paste is not removed, it is easy to make the via-hole conductor 3 having a relatively large current capacity such as a power supply voltage or an earth potential system any shape according to the purpose. That is, the upper opening diameter D and the lower opening diameter d of the penetrating recess 30 should be relatively large in relation to the power supply voltage and the ground potential, and relatively small in order to increase the density of the signal system. Is desirable. The upper opening diameter D of the via-hole conductor 3 of the signal system is set to 60.
˜150 μm, and the lower opening diameter d can be set to about 40 to 100 μm.

【0079】尚、上述の実施例では、図2(f)(g)
に示すように、ビアホール導体3となる導体の充填と、
内部配線2となる導体膜の印刷を別々の工程を行ってい
るが、図3に示すように、同一工程で、一回のスクリー
ン印刷によってビアホール導体3となる導体31の充填
と、内部配線2となる導体膜20の印刷を行っても構わ
ない。さらに、必要に応じて導体31及び導体膜20を
光硬化させても構わない。勿論この場合に、導電性ペー
スト中に光硬化可能なモノマーを添加しておく。
Incidentally, in the above-mentioned embodiment, FIG. 2 (f) (g)
As shown in, filling the conductor to be the via-hole conductor 3,
Although the conductor film to be the internal wiring 2 is printed in different steps, as shown in FIG. 3, in the same step, the conductor 31 to be the via-hole conductor 3 is filled by one screen printing and the internal wiring 2 is formed. The conductor film 20 to be used may be printed. Further, the conductor 31 and the conductor film 20 may be photo-cured if necessary. Of course, in this case, a photocurable monomer is added to the conductive paste.

【0080】また、上述の実施例では、表面配線が積層
体本体1の表面側主面のみであるが、積層体本体1の裏
面側主面にも表面配線や各種電子部品を搭載することが
できる。この場合、裏面側の絶縁層1eとなる絶縁膜1
0eを形成した後、選択的な露光処理、現像処理して、
貫通凹部30を形成し、さらに、貫通凹部30内にビア
ホール導体3となる導体31を充填する。
Further, in the above-mentioned embodiment, the surface wiring is only on the front surface side main surface of the laminated body 1, but the surface wiring and various electronic parts can be mounted also on the back surface main surface of the laminated body 1. it can. In this case, the insulating film 1 serving as the insulating layer 1e on the back surface side
After forming 0e, selective exposure processing and development processing are performed,
The through recess 30 is formed, and the through recess 30 is further filled with the conductor 31 to be the via-hole conductor 3.

【0081】さらに、ワーク基板15として、表面に内
部配線を印刷形成された焼成済のセラミック基板を用い
ても構わない。この場合、ワーク基板15を分離する必
要がない。
Further, as the work substrate 15, a fired ceramic substrate having internal wiring printed thereon may be used. In this case, it is not necessary to separate the work board 15.

【0082】また、内部配線2として、Au系、Ag
系、Cu系の低融点金属材料を用いたため、絶縁層1a
〜1fとしてもガラス・セラミックを主成分とする材料
を用いたが、内部配線2として、タングステン、モリブ
デンなどの高融点金属材料が用いてもよい。この場合、
焼結温度が1300℃前後となるため、このタングステ
ン、モリブデンなどの金属材料の焼結挙動に近似する絶
縁層中のガラス成分の組成を変更したり、ガラス成分、
セラミック成分の構成比率、例えばガラス成分を10重
量%未満としても構わない。
As the internal wiring 2, Au system, Ag, etc.
Insulating layer 1a because a low-melting metal material such as Cu-based or Cu-based is used
Although a material containing glass ceramic as a main component is used also for 1f, a high melting point metal material such as tungsten or molybdenum may be used for the internal wiring 2. in this case,
Since the sintering temperature is around 1300 ° C., the composition of the glass component in the insulating layer that is similar to the sintering behavior of the metal material such as tungsten and molybdenum can be changed, the glass component,
The composition ratio of the ceramic component, for example, the glass component may be less than 10% by weight.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上、本発明によれば、ビアホール導体
となる貫通凹部の壁面が、上部側開口面積が大きく、下
部側開口面積が小さくなるように傾斜しているので、こ
の貫通凹部に導電性ペーストを印刷・充填すると、気泡
の発生なく、導電性ペーストを完全に充填することがで
き、表面の凹みなどが一切ないビアホール導体となる導
体を形成できる。
As described above, according to the present invention, since the wall surface of the through recess serving as the via-hole conductor is inclined so that the upper opening area is large and the lower opening area is small, the through recess is electrically conductive. When the conductive paste is printed / filled, the conductive paste can be completely filled without generation of bubbles, and a conductor that becomes a via-hole conductor without any dent on the surface can be formed.

【0084】従って、ビアホール導体によって互いに導
通される内部配線パターン間の接続が確実となり、内部
配線間の導通信頼性が向上する積層型セラミック回路基
板を簡単に製造することができる。
Therefore, the connection between the internal wiring patterns electrically connected to each other by the via-hole conductor is ensured, and the multilayer ceramic circuit board in which the reliability of conduction between the internal wirings is improved can be easily manufactured.

【0085】また、絶縁膜の表面が常に均一に保つこと
ができ、その表面に形成する内部配線パターンの段切れ
がない、貫通凹部の形状が任意に変更でき、また同時に
一括処理できる、位置合わせが容易であるなどを製造方
法が簡単で、且つ内部配線の導通信頼性の高い積層型セ
ラミック回路基板を製造できる。
Further, the surface of the insulating film can be always kept uniform, the internal wiring pattern formed on the surface is not discontinuous, the shape of the penetrating recesses can be arbitrarily changed, and at the same time, batch processing can be performed. It is possible to manufacture a multi-layer ceramic circuit board having a simple manufacturing method such as easy manufacturing process and high internal wiring reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る積層型セラミック回路基板の断面
図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic circuit board according to the present invention.

【図2】(a)〜(h)は、本発明の積層型セラミック
回路基板の各製造工程を説明するための概略断面図であ
る。
2A to 2H are schematic cross-sectional views for explaining each manufacturing process of the multilayer ceramic circuit board of the present invention.

【図3】(a)〜(c)は、本発明の積層型セラミック
回路基板に用いる貫通凹部の充填状態を示す概略断面図
である。
3 (a) to (c) are schematic cross-sectional views showing a filling state of a through recess used in the multilayer ceramic circuit board of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1e・・・絶縁層 10a〜10e・・・絶縁膜 2・・・・・・・内部配線 20・・・・・・内部配線となる導体 3・・・・・・・ビアホール導体 31・・・・・・ビアホール導体となる導体部材 30・・・・・・貫通凹部 30a、30b・・壁面 4・・・・・・・表面配線 5・・・・・・・厚膜抵抗体 6・・・・・・・電子部品 15・・・・・・ワーク基板 30’・・・・溶化部 1a to 1e ... Insulating layer 10a to 10e ... Insulating film 2 ... Internal wiring 20 ... Internal conductor 3 ... Via hole conductor 31. ... Conductor member that becomes via-hole conductor 30 ... Penetrating recesses 30a, 30b ... Wall surface 4 ... Surface wiring 5 ... Thick film resistor 6.・ ・ ・ ・ Electronic parts 15 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Work board 30 '・ ・ ・ ・ Solution

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂ノ上 聡浩 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 古橋 和雅 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 末永 弘 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Sakahiro Sakahiro 1-1, Yamashita-cho, Kokubun-shi, Kagoshima Prefecture Kyocera stock company Kagoshima Kokubun factory (72) Inventor Kazuma Furuhashi 1-1, Yamashita-cho, Kokubun-shi, Kagoshima Kyocera stock company Kagoshima Kokubu factory (72) Inventor Hiroshi Suenaga 1-1 Yamashita-cho, Kokubu city, Kagoshima prefecture Kyocera stock company Kagoshima Kokubu factory

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (1)基体表面に、光硬化可能なモノマ
ーを含有するガラス・セラミックのスリップ材を塗布・
乾燥して絶縁膜を形成する工程と、 (2)前記絶縁膜に、選択的に露光・現像処理すること
により貫通孔を形成する工程と、 (3)前記絶縁膜の表面及び貫通孔内に導電性ペースト
を印刷・充填してビアホール導体となる導体及び内部配
線となる導体膜を形成する工程と、 (4)前記各(1)〜(3)の工程を繰り返し、絶縁
膜、内部配線となる導体膜及びビアホール導体となる導
体を一体的に焼成処理して成る積層型セラミック回路基
板の製造方法であって、 前記絶縁膜に形成する貫通孔の孔壁面が、その上面側開
口面積を大きく、基体側の開口面積を小さくするように
傾斜していることを特徴とする積層型セラミック回路基
板の製造方法。
1. A glass / ceramic slip material containing a photocurable monomer is applied to the surface of a substrate.
A step of forming an insulating film by drying, (2) a step of forming a through hole by selectively exposing and developing the insulating film, and (3) a surface of the insulating film and the inside of the through hole. A step of printing / filling a conductive paste to form a conductor to be a via hole conductor and a conductor film to be an internal wiring, and (4) the steps (1) to (3) above are repeated to form an insulating film and an internal wiring. A method of manufacturing a multilayer ceramic circuit board, comprising integrally firing a conductor film and a conductor to be a via-hole conductor, wherein a hole wall surface of a through hole formed in the insulating film has a large opening area on the upper surface side. A method for manufacturing a multilayer ceramic circuit board, characterized in that it is inclined so as to reduce the opening area on the base side.
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