JPH0837321A - 反射型発光ダイオード - Google Patents

反射型発光ダイオード

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JPH0837321A
JPH0837321A JP6191995A JP19199594A JPH0837321A JP H0837321 A JPH0837321 A JP H0837321A JP 6191995 A JP6191995 A JP 6191995A JP 19199594 A JP19199594 A JP 19199594A JP H0837321 A JPH0837321 A JP H0837321A
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JP
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light emitting
central axis
point
light
emitting diode
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JP6191995A
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English (en)
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Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Takashi Sato
敬 佐藤
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Iwasaki Denki KK
Original Assignee
Iwasaki Denki KK
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 中心軸光度の高い反射型発光ダイオードを提
供する。 【構成】 発光面の中央部に電極が形成された発光素子
11と、発光面に対向する側に設けられた反射面14
と、発光素子11の背面側に設けられた放射面15と、
反射面14と放射面15との間に充填された光透過性材
料13とを有する反射型発光ダイオードにおいて、反射
面14が、中心軸Zを含む平面において発光面上の電極
が形成されている部分以外の点fを焦点とし、点fから
発せられた光を中心軸Zに対し厳密に平行な光として反
射する放物線のうち、点fを通り中心軸Zに平行な線と
放物線との交点近傍の点をX、点fを通り中心軸Zに略
垂直な線と放物線との交点をX´としたときに、X−X
´部分を、中心軸Zの回りに回転することにより得られ
る凹面状に形成されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイやセンサ
等に用いられる発光ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の反射型発光ダイオードについて図
9乃至図13を参照して説明する。図9は従来の反射型
発光ダイオードの概略正面図、図10は図9に示す反射
型発光ダイオードのA−A矢視方向概略断面図、図11
は図9に示す反射型発光ダイオードのB−B矢視方向概
略断面図、図12は図11のC部を拡大したものであ
り、発光素子51が発した光の光路を説明するための
図、図13は図9に示す反射型発光ダイオードの点灯状
態を正面から観察したときに視認される光の様子を示す
図である。
【0003】従来の反射型発光ダイオード50は、図9
乃至図12に示すように、発光面上の中央部に電極が形
成された発光素子51と、発光素子51に電力を供給す
るリードフレーム52a,52bと、光透過性材料53
と、発光素子51の発光面と対向する側に設けられた反
射面54と、発光素子51の背面側に設けられた放射面
55と、ワイヤ56とを有する。発光素子51は、リー
ドフレーム52aの先端部に設けられている。ワイヤ5
6は、一端が発光素子51の発光面上の中央部に形成さ
れた電極と、他端がリードフレーム52bとそれぞれ電
気的に接続されている。発光素子51と、リードフレー
ム52a,52bの先端部と、ワイヤ56とは光透過性
材料53により一体的に封止されている。反射面54
は、光透過性材料53の凸面を鍍金や金属蒸着等により
鏡面加工したものである。反射面54は、図12に示す
ように、発光面の中心Oを焦点とする放物線Nを、発光
素子51の発光面の中心Oを通る中心軸Zの回りに回転
することにより得られる回転放物面状に形成されてい
る。放射面55は、平面状に形成されている。
【0004】上記構成による反射型発光ダイオード50
は、発光素子51の発光面に対向する側に反射面54を
設けたことにより、発光素子51が発する光の略全光束
の放射方向を制御することができる。また、反射面54
を、発光素子51の発光面の中心Oを焦点とする回転放
物面状に形成したことにより、発光素子51から発せら
れた光は、反射面54上の任意の点において、この点を
通り中心軸Zと平行な軸を中心としてこの点から見た発
光素子51の発光面の立体角に相当する拡がり角度範囲
内に反射され、その後、放射面55から外部に放射され
る。たとえば、図12に示す反射面54上の点P1 〜P
5 で反射された光は、各点から見た発光面の立体角α1
〜α5 と同じ拡がり角度範囲で中心軸Zと平行な方向に
反射される。これにより、発光素子51が発する光の略
全光束を、略平行光として前方に放射することができ
る。かかる反射型発光ダイオード50はセンサ用光源等
に用いることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成による反射型発光ダイオード50では、発光素子51
の発光面の中央部に電極が形成されており、また、反射
面54が発光素子51の発光面の中心Oを焦点とする回
転放物面状に形成されているので、反射面54の周縁部
を除き、発光素子51が発した光を、厳密な平行光とし
て放射することができない。すなわち、発光素子51か
ら発せられ、反射面54上の任意の点で反射された光
は、前述した拡がり角度範囲のうち、この点を通り中心
軸Zと平行な軸を中心としてこの点から見た電極の立体
角に相当する角度の範囲内には反射されない。たとえ
ば、図12に示す反射面54上の点P1 〜P4 で反射さ
れた光は、各点における反射された光の拡がり角度範囲
α1 〜α4 のうち、各点を通り中心軸Zと平行な軸を中
心として各点から見た電極の立体角β1 〜β4 と同じ角
度の範囲内には反射されない。但し、点P5 では、反射
面54の焦点と点P5 との間に発光素子51の発光面が
位置するので、発光素子51が発した光を厳密な平行光
として反射することができる。さらに、反射面54と放
射面55との間は光透過性材料53で充填されているの
で、中心軸Zに対し厳密に平行な方向へ反射された光以
外の光は、放射面55の界面で中心軸Zに対しより大き
な角度方向に屈折され、外部に放射される。したがっ
て、例えば図12に示す反射面54上の点P1 〜P4
おいて、光が反射されない角度範囲β1 〜β4 は、放射
面55の界面でさらに拡大される。このため、上記構成
による反射型発光ダイオード50では、厳密な平行光を
反射面54の大部分から放射することができないので、
発光素子51が発する光のうち厳密な平行光として放射
する光の効率が低く、したがって、中心軸光度(中心軸
Z上の光度)があまり高くないという問題がある。尚、
この問題は所謂レンズ型発光ダイオードでも生じる。し
かし、レンズ型発光ダイオードは発光素子が発した光を
発光素子から比較的離れた位置に設けられたレンズ面か
ら直接外部に放射するのに対し、上記構成の反射型発光
ダイオードは発光素子が発した光を発光素子に比較的近
い位置に設けられた反射面で反射した後、放射面から外
部に放射する。このため、この問題がより顕著となる。
また、この問題は反射面の直径が小さいものほど顕著に
なる。
【0006】発光素子51の発光面が縦0.3mm、横
0.3mm、反射面55の直径が5mm、発光素子51
の発光面の中央部に形成された電極の直径が0.1mm
である反射型発光ダイオード50が、放射面55から1
m離れた位置に設置された中心軸Zと垂直な照射平面に
照射する光の範囲を表1に示す。ここで、反射点位置と
は、発光素子51が発した光が反射面54で反射した際
の反射面54上の位置であり、図12に示すように、中
心軸Zからの距離Dで表している。また、光の範囲と
は、中心O及び反射点を含む平面と発光面との交線上に
ある全ての点のうち、中心軸Zに対しその反射点が属す
る側から発せられた光が、その反射点で反射されて照射
平面に照射される範囲である。中心O及び反射点を含む
平面と発光面との交線上にある全ての点のうち、中心軸
Zに対しその反射点が属する側から発せられた光につい
てのみ光の範囲を示したのは、電極にはワイヤ56がボ
ンディングされているため、たとえば、図12におい
て、中心O及び反射点P1 〜P 5 を含む平面と発光面と
の交線上にある全ての点のうち、中心軸Zに対し右側か
ら発せられた光、特に中心軸Zに対し大きな角度方向へ
放射された光の大部分は、ワイヤボンディング部により
遮られるので、反射面54の中心軸Zに対し左側に到達
することができないからである。光の範囲も、反射点位
置と同様に、中心軸Zからの距離で表しており、中心軸
Zから反射点位置に向かう方向をプラスの方向としてい
る。表1に示すように、照射平面が反射型発光ダイオー
ド50から十分に離れている場合、中心軸Zに近い反射
点から放射された光ほど、中心軸Zから離れた位置に照
射される。このため、照射平面における照射パターン
は、照射エリアの中央部に暗部(光があまり照射されて
いない部分)が形成される。
【0007】
【表1】
【0008】したがって、上記構成による反射型発光ダ
イオード50をセンサ用光源として用いた場合、検出距
離が長く、また検出物が反射型発光ダイオード50の中
心軸Z上にあるときに、検出物の寸法が照射エリアの中
央部に形成される暗部以下であると、検出物に光を十分
に照射することができないという問題がある。また、上
記構成による反射型発光ダイオード50をディスプレイ
用光源として用いた場合、正面から観察したときに、図
13に示すように、反射面54の周縁部のみが発光し、
中央部(ハッチングを施した部分)が発光していないよ
うに視認されるという問題がある。
【0009】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、中心軸光度の高い反射型発光ダイオードを提供
することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の発明の反射型発光ダイオードは、発光
面の中央部に電極が形成された発光素子と、前記発光素
子の前記発光面に対向するように設けられた前記発光素
子が発した光を反射する反射面と、前記発光素子の背面
側に設けられた前記反射面により反射された光を外部に
放射する放射面と、前記反射面と前記放射面との間に充
填された光透過性材料と、を有する反射型発光ダイオー
ドにおいて、前記反射面が、前記発光素子の中心軸を含
む平面において前記発光面上の点であって前記中心軸か
ら左右一方のいずれかにずれた前記電極が形成されてい
る部分以外の点を焦点とし、前記焦点から発せられた光
を前記中心軸上の点に集光する方向に反射する曲線又は
前記焦点から放射された光を前記放射面を含む光学系に
おいて屈折させた後に前記中心軸上の前記点に集光する
方向に反射する曲線のうち、前記焦点を通り前記中心軸
に平行な線と前記曲線との交点近傍の点をX、前記焦点
を通り前記中心軸に略垂直な線と前記曲線との交点のう
ち前記中心軸に対し前記焦点が位置する側の交点をX´
としたときに、X−X´部分を、前記中心軸の回りに回
転することにより得られる凹面状に形成されていること
を特徴とするものである。
【0011】請求項2記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項1記載の発明において、前記曲線が放物線
であり、前記放物線の対称軸は、前記中心軸を平行移動
した位置にあることを特徴とするものである。
【0012】請求項3記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項2記載の発明において、前記放射面が、前
記中心軸に垂直な平面状に形成されていることを特徴と
するものである。
【0013】請求項4記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項1記載の発明において、前記曲線が楕円で
あり、前記楕円の対称軸は、前記中心軸を前記中心軸上
の前記点を中心に回転移動した位置にあることを特徴と
するものである。
【0014】請求項5記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項4記載の発明において、前記放射面が、前
記中心軸上の前記点の近傍に形成されていることを特徴
とするものである。
【0015】請求項6記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項1記載の発明において、前記放射面が、前
記中心軸に垂直な平面状に形成されたものであり、前記
曲線が、前記焦点から放射された光を前記放射面を含む
光学系において屈折させた後に前記中心軸上の前記点に
集光する方向に反射するものであることを特徴とするも
のである。
【0016】
【作用】請求項1記載の発明の反射型発光ダイオード
は、発光素子の発光面に対向する側に発光素子が発した
光を反射する反射面を設けたことにより、発光素子が発
する光の略全光束の放射方向を制御することができる。
また、発光素子の中心軸を含む平面において発光面上の
点であって中心軸から左右一方のいずれかにずれた電極
が形成されている部分以外の点を焦点とし、焦点から発
せられた光を中心軸上の点に集光する方向に反射する曲
線又は焦点から放射された光を放射面を含む光学系にお
いて屈折させた後に中心軸上の点に集光する方向に反射
する曲線のうち、焦点を通り中心軸に平行な線と曲線と
の交点近傍の点をX、焦点を通り中心軸に略垂直な線と
曲線との交点のうち中心軸に対し焦点が位置する側の交
点をX´としたときに、X−X´部分を、中心軸の回り
に回転することにより得られる凹面状に形成された反射
面を設けたことにより、発光素子の中央部に電極が形成
されていても、発光素子は反射面の焦点位置から光を発
することができる。反射面の焦点位置から発せられた光
のうち、この焦点及び中心軸を含む平面と反射面との交
線上に到達した光は、反射面により、発光素子の中心軸
上の点に集光する方向に反射される。
【0017】請求項2記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、曲線として、対称軸が中心軸を平行移動した位置
にある放物線を用いたことにより、反射面の焦点位置か
ら発せられた光のうち、この焦点及び中心軸を含む平面
と反射面との交線上に到達した光は、反射面により、中
心軸に対し厳密に平行な方向に反射される。尚、中心軸
に対し厳密に平行な光は、中心軸上の無限遠方で集光す
る。
【0018】請求項3記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項2記載の発明において、発光素子の中心軸
に垂直な平面状に形成された放射面を用いたことによ
り、反射面から放射された厳密な平行光を放射面の界面
で屈折させることなく外部に放射することができる。
【0019】請求項4記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、曲線として、対称軸が中心軸を中心軸上の点を中
心に回転移動した位置にある楕円を用いたことにより、
反射面の焦点位置から発せられた光のうち、この焦点及
び中心軸を含む平面と反射面との交線上に到達した光
は、反射面により、この中心軸上の点に集光する方向に
反射される。
【0020】請求項5記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、請求項4記載の発明において、中心軸上の点の近
傍に放射面を設けたことにより、例えば光ファイバ用光
源に適する。
【0021】請求項6記載の発明の反射型発光ダイオー
ドは、中心軸に垂直な平面状に形成された放射面を用い
たことにより、反射型発光ダイオードを薄型にすること
ができ、また、放射面に傷が付きにくく且つ塵が溜まり
にくい。また、曲線として、焦点から放射された光をこ
の放射面を含む光学系において屈折させた後に中心軸上
の点に集光する方向に反射するものを用いたことによ
り、発光素子が発した光をこの中心軸上の点に効率よく
集光することができる。
【0022】
【実施例】以下に本発明の第一実施例について図1乃至
図4を参照して説明する。図1は本発明の第一実施例で
ある反射型発光ダイオードの概略正面図、図2は図1に
示す反射型発光ダイオードのD−D矢視方向概略断面
図、図3は図1に示す反射型発光ダイオードのE−E矢
視方向概略断面図、図4は図3のF部を拡大したもので
あり、発光素子11が発した光の光路を説明するための
図である。
【0023】本発明の第一実施例である反射型発光ダイ
オード10は、図1乃至図4に示すように、発光面の中
央部に電極が形成された発光素子11と、発光素子11
に電力を供給するリードフレーム12a,12bと、光
透過性材料13と、発光素子11の発光面と対向する側
に設けられた反射面14と、発光素子11の背面側に設
けられた放射面15と、ワイヤ16とを有する。発光素
子11は、リードフレーム12aの先端部に設けられて
いる。ワイヤ16は、一端が発光素子11の発光面上の
中央部に形成された電極と、他端がリードフレーム12
bとそれぞれ電気的に接続されている。発光素子11
と、リードフレーム12a,12bの先端部と、ワイヤ
16とは光透過性材料13により一体的に封止されてい
る。反射面14は、光透過性材料13の凸面を鍍金や金
属蒸着等により鏡面加工したものである。反射面14
は、図4に示すように、発光素子11の発光面上の点で
あって電極が形成されている部分以外にある点fを焦点
とする放物線のうち、点fを通り発光素子11の発光面
の中心Oを通る中心軸Zに平行な線と放物線との交点近
傍の点をX、点fを通り中心軸Zに略垂直な線と放物線
との交点のうち中心軸Zに対し点fが位置する側の交点
をX´としたときに、X−X´部分を、中心軸Zの回り
に回転することにより得られる凹面状に形成されてい
る。放物線の対称軸Hは、中心軸Zを平行移動した位置
にある。尚、放物線のX−X´部分を中心軸Zの回りに
回転して凹面を形成した場合、中心軸Zの近傍に穴がで
きるが、この部分を含む中心軸Z近傍の反射面は、発光
素子11が発した光を再び発光素子11のある方向に反
射させてしまうので、有効利用することができない。し
たがって、この部分は凹面と滑らかにつながっていれば
どの様な形状であっても特性上の問題はない。放射面1
5は、中心軸Zに垂直な平面状に形成されている。
【0024】上記構成による反射型発光ダイオード10
は、発光素子11が発した光を、発光素子11の発光面
に対向する側に設けられた反射面14で反射した後、放
射面15から外部に放射する。これにより、発光素子1
1が発する光の略全光束の放射方向を制御することがで
きる。
【0025】また、発光素子11の発光面上の点であっ
て電極が形成されている部分以外にある点fを焦点とす
る放物線のうち、点fを通り中心軸Zに平行な線と放物
線との交点近傍の点をX、点fを通り中心軸Zに略垂直
な線と放物線との交点のうち中心軸Zに対し点fが位置
する側の交点をX´としたときに、X−X´部分を、中
心軸Zの回りに回転することにより得られる凹面状に形
成された反射面14を設けたことにより、発光素子11
から発せられた光は、反射面14上の任意の点におい
て、この点を通り中心軸Zと平行な軸を中心としてこの
点から見た発光素子11の発光面の立体角に相当する拡
がり角度範囲内に反射され、その後、放射面15から外
部に放射される。たとえば、図4に示す反射面14上の
点P1 〜P5 で反射された光は、各点を通り中心軸Zと
平行な軸を中心として各点から見た発光面の立体角α1
〜α5 と同じ拡がり角度範囲内に反射される。これによ
り、発光素子51が発する光の略全光束を、略平行光と
して前方に放射することができる。
【0026】さらに、反射面14は発光素子11の発光
面上の電極が形成されている部分以外の部位を焦点とす
るので、中心軸Zに対し厳密に平行な光を反射面14の
大部分から放射することができる。反射型発光ダイオー
ド10も、図9乃至図12に示す従来の反射型発光ダイ
オード50と同様に、発光素子11から発せられ、反射
面14上の任意の点で反射された光は、前述した拡がり
角度範囲のうち、この点から見た電極の立体角に相当す
る角度の範囲内には放射されない。たとえば、図4に示
す反射面14上の点P1 〜P4 で反射された光は、各点
において反射された光の拡がり角度範囲α1 〜α4 のう
ち、各点から見た電極の立体角β1 〜β4 と同じ角度の
範囲内には反射されない。しかしながら、上記構成によ
る反射型発光ダイオード10では、発光素子11は反射
面14の焦点、すなわち、点fを中心軸Zの回りに回転
することにより得られる円上の点から光を発することが
できる。この焦点から発せられた光のうち、この焦点及
び中心軸Zを含む平面と反射面14との交線上に到達し
た光は、反射面14により、中心軸Zと厳密に平行な方
向に反射され、放射面15に略垂直な角度で入射した
後、放射面15の界面で屈折することなく、厳密な平行
光として外部に放射される。このように、上記構成によ
る反射型発光ダイオード10では、反射面14の略全面
から厳密な平行光が放射されているので、中心軸光度
(中心軸Z上の光度)を向上させることができる。尚、
放射面15から外部に放射された中心軸Zに対し厳密に
平行な光は、中心軸Z上の無限遠方で集光する。
【0027】発光素子11の発光面が縦0.3mm、横
0.3mm、反射面15の直径が5mm、発光素子11
の発光面の中央部に形成された電極の直径が0.1mm
である反射型発光ダイオード10が、放射面15から1
m離れた位置に設置された中心軸Zと垂直な照射平面に
照射する光の範囲を表2に示す。ここで、反射点位置と
は、発光素子11が発した光が反射面14で反射した際
の反射面14上の位置であり、図4に示すように、中心
軸Zからの距離Dで表している。また、光の範囲とは、
中心O及び反射点を含む平面と発光面との交線上にある
全ての点のうち、中心軸Zに対しその反射点が属する側
から発せられた光が、その反射点で反射されて照射平面
に照射される範囲である。中心O及び反射点を含む平面
と発光面との交線上にある全ての点のうち、中心軸Zに
対しその反射点が属する側から発せられた光についての
み光の範囲を示したのは、電極にはワイヤ16がボンデ
ィングされているため、たとえば、図4において、中心
O及び反射点P1 〜P5 を含む平面と発光面との交線上
にある全ての点のうち、中心軸Zに対し右側から発せら
れた光、特に中心軸Zに対し大きな角度方向へ放射され
た光の大部分は、ワイヤボンディング部により遮られる
ので、反射面14の中心軸Zに対し左側に到達すること
ができないからである。光の範囲も、反射点位置と同様
に、中心軸Zからの距離で表しており、中心軸Zから反
射点位置に向かう方向をプラスの方向としている。表2
に示す反射点からの光の範囲が示すように、照射平面が
反射型発光ダイオード10から十分に離れている場合で
も、照射平面における照射パターンは照射エリア全体に
光が照射されているものとなる。
【0028】
【表2】
【0029】したがって、上記構成による反射型発光ダ
イオード10を検出距離の長いセンサ用光源として用い
た場合、検出物を反射型発光ダイオード10の中心軸Z
上に設置したときに、検出物に光を十分に照射すること
ができる。また、上記構成による反射型発光ダイオード
10をディスプレイ用光源として用いた場合、正面から
観察したときに、反射面14の全面全体が発光している
ように視認される。
【0030】本発明の第一実施例によれば、発光素子1
1の発光面に対向する側に発光素子11が発した光を反
射する反射面14を設けたことにより、発光素子11が
発する光の略全光束の放射方向を制御することができ
る。
【0031】また、本発明の第一実施例によれば、発光
素子11の発光面上の点であって電極が形成されている
部分以外にある点fを焦点とする放物線のうち、点fを
通り中心軸Zに平行な線と放物線との交点近傍の点を
X、点fを通り中心軸Zに略垂直な線と放物線との交点
のうち中心軸Zに対し点fが位置する側の交点をX´と
したときに、X−X´部分を、中心軸Zの回りに回転す
ることにより得られる凹面状に形成された反射面14を
設けたことにより、発光素子11の発光面の中央部に電
極が形成されていても、発光素子11は反射面14の焦
点位置から光を発することができるので、反射面14の
焦点位置から発せられた光のうち、この焦点及び中心軸
Zを含む平面と反射面14との交線上に到達した光を、
反射面14により、中心軸Zに対し厳密に平行な方向に
反射することができる。したがって、検出距離の長いセ
ンサ用光源に適した中心軸光度の高い反射型発光ダイオ
ードを提供することができる。
【0032】さらに、本発明の第一実施例によれば、発
光素子11の中心軸Zに垂直な平面状に形成された放射
面15を用いたことにより、反射面14から放射された
厳密な平行光を放射面15の界面で屈折させることなく
外部に放射することができる。これにより、中心軸光度
を高いものとすることができる。
【0033】加えて、本発明の第一実施例によれば、反
射面14と放射面15との間に光透過性材料13を充填
したことにより、リード12a,12b及びワイヤ16
が物理的な衝撃によって断線するのを防止することがで
きる。また、発光素子11の耐侯性が向上するので、寿
命特性が向上する。さらに、発光素子11内で発する光
を発光素子11外へ取り出す効率を向上させることがで
きる。
【0034】尚、第一実施例では、平面状に形成された
放射面15を用いたものについて説明したが、本発明は
これに限定されるものではない。たとえば、発光素子1
1が発した光を所定位置に集光する場合、この所定位置
を焦点とする回転楕円面状に形成された放射面を用いて
もよい。
【0035】また、第一実施例では、反射型発光ダイオ
ード10単独のものについて説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。たとえば、放射面15の前
方にレンズ等の光学系を設置することにより、発光素子
11が発した光を所定位置に集光するようにしたもので
あってもよい。
【0036】次に、本発明の第二実施例について図5を
参照して説明する。図5は本発明の第二実施例である反
射型発光ダイオードの概略断面図であり、第一実施例の
図3に相当する図である。
【0037】図5に示す反射型発光ダイオード20が本
発明の第一実施例である反射型発光ダイオード10と異
なる点は、放物線のX−X´部分を中心軸Zの回りに回
転することにより得られる凹面状に形成された反射面1
4に代えて反射面24を用いたこと及び中心軸Zに対し
垂直な平面状の放射面15に代えて放射面25を用いた
ことである。その他の構成は、反射型発光ダイオード1
0と同様である。尚、反射型発光ダイオード20におい
て第一実施例である反射型発光ダイオード10と同一の
機能を有するものには、同一又は対応する符号を付すこ
とにより、その詳細な説明を省略する。
【0038】反射面24は、図5に示すように、発光素
子11の発光面上の点であって電極が形成されている部
分以外にある点f1 及び発光素子11の発光面の中心O
を通る中心軸Z上の点f2 を焦点とする楕円のうち、点
1 及び点f2 を通る直線と楕円との交点近傍の点を
X、点f1 を通り中心軸Zに略垂直な線と楕円との交点
のうち中心軸Zに対し点f1 が位置する側の交点をX´
としたときに、X−X´部分を、中心軸Zの回りに回転
することにより得られる凹面状に形成されている。楕円
の対称軸Hは、中心軸Zを中心軸Z上の点f2 を中心に
回転移動した位置にある。尚、楕円のX−X´部分を中
心軸Zの回りに回転して凹面を形成した場合、中心軸Z
の近傍に穴ができるが、この部分を含む中心軸Z近傍の
反射面は、発光素子11が発した光を再び発光素子11
のある方向に反射させてしまうので、有効利用すること
ができない。したがって、この部分は凹面と滑らかにつ
ながっていればどの様な形状であっても特性上の問題は
ない。放射面25は、中心軸Z上の点f2 を中心とする
球面状に形成されている。
【0039】上記構成による反射型発光ダイオード20
では、発光素子11の発光面から発せられた光は反射面
24で反射された後、放射面25から放射され、点f2
近傍に集光される。特に、反射面24の焦点、すなわ
ち、点f1 を中心軸Zの回りに回転することにより得ら
れる円上の点から発せられた光のうち、この焦点及び中
心軸Zを含む平面と反射面24との交線上に到達した光
は、反射面24により、点f2 方向に反射される。そし
て、点f2 方向に反射された光は、放射面25を点f2
を中心とする球面状に形成したことにより、放射面25
に略垂直な角度で入射するので、放射面25の界面で屈
折することなく外部に放射され、点f2 に到達する。
【0040】本発明の第二実施例によれば、発光素子1
1の発光面上の点であって電極が形成されている部分以
外にある点f1 及び中心軸Z上の点f2 を焦点とする楕
円のうち、点f1 及び点f2 を通る直線と楕円との交点
近傍の点をX、点f1 を通り中心軸Zに略垂直な線と楕
円との交点のうち中心軸Zに対し点f1 が位置する側の
交点をX´としたときに、X−X´部分を、中心軸Zの
回りに回転することにより得られる凹面状に形成された
反射面24を設けたことにより、発光素子11の発光面
の中央部に電極が形成されていても、発光素子11は反
射面24の焦点位置から光を発することができるので、
反射面24の焦点位置から光を発せられた光のうち、こ
の焦点及び中心軸Zを含む平面と反射面24との交線上
に到達した光を、反射面14により、中心軸Z上の点f
2 に集光する方向に反射することができる。
【0041】また、本発明の第二実施例によれば、中心
軸Z上の点f2 を中心とする球面状に形成された放射面
25を設けたことにより、反射面24から放射された中
心軸Z上の点f2 に集光する光を放射面25の界面で屈
折させることなく外部に放射することができる。これに
より、中心軸Z上の点f2 に集光する光の照射強度を高
いものとすることができる。
【0042】次に、本発明の第二実施例の変形例につい
て図6を参照して説明する。図6は本発明の第二実施例
の変形例である反射型発光ダイオードの概略断面図であ
り、第一実施例の図3に相当する図である。
【0043】図6に示す反射型発光ダイオード20aが
本発明の第二実施例である反射型発光ダイオード20と
異なる点は、点f2 を中心とする球面状に形成された放
射面25に代えて、点f2 の位置に中心軸Zに対し垂直
な平面状に形成された放射面25aを用いたことであ
る。その他の構成は、反射型発光ダイオード20と同様
である。尚、反射型発光ダイオード20aにおいて第二
実施例である反射型発光ダイオード20と同一の機能を
有するものには、同一又は対応する符号を付すことによ
り、その詳細な説明を省略する。
【0044】上記構成による反射型発光ダイオード20
aでは、発光素子11の発光面から発せられた光は反射
面24で反射された後、点f2 近傍に集光され、放射面
25aから放射される。特に、反射面24の焦点、すな
わち、点f1 を中心軸Zの回りに回転することにより得
られる円上の点から発せられた光のうち、この焦点及び
中心軸Zを含む平面と反射面24との交線上に到達した
光は、反射面24により、点f2 方向に反射され、屈折
することなく点f2 に到達する。
【0045】本発明の第二実施例の変形例によれば、放
射面35を点f2 の位置に中心軸Zに対し垂直な平面状
に形成したことにより、反射面24から放射された中心
軸Z上の点f2 に集光する光を屈折させることなく放射
面25aに到達させることができる。これにより、中心
軸Z上の点f2 に集光する光の照射強度を高いものとす
ることができる。本発明の第二実施例の変形例は、特に
光ファイバ用光源に適する。但し、光ファイバ用光源と
して用いる場合、反射面24で反射された光の点f2
の集光角度を、使用する光ファイバの開口数に応じたも
の(たとえば、光ファイバのグラッド層、ココ層の屈折
率がそれぞれ1.3, 1.5の場合、集光角度は中心軸Zに対
し約30度以内)とする必要がある。その他の効果は、
第二実施例と同様である。
【0046】尚、第二実施例の変形例では、放射面25
aを点f2 の位置に形成したものについて説明したが、
本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、光
ファイバ用光源に用いる場合、光ファイバとの結合に支
障がない範囲であれば、点f2 の位置に形成されていな
くても点f2 付近に形成されていればよい。
【0047】次に、本発明の第三実施例について図7を
参照して説明する。図7は本発明の第三実施例である反
射型発光ダイオードの概略断面図であり、第一実施例の
図3に相当する図である。
【0048】図7に示す反射型発光ダイオード30が本
発明の第一実施例である反射型発光ダイオード10と異
なる点は、放物線のX−X´部分を中心軸Zの回りに回
転することにより得られる凹面状に形成された反射面1
4に代えて反射面34を用いたことである。その他の構
成は、反射型発光ダイオード10と同様である。尚、反
射型発光ダイオード30において第一実施例である反射
型発光ダイオード10と同一の機能を有するものには、
同一又は対応する符号を付すことにより、その詳細な説
明を省略する。
【0049】反射面34は、発光面の中心O1 を通り発
光面に対し垂直な中心軸Zを軸として曲線f(x) を回転
することにより得られる凹面状に形成されている。ここ
で、曲線f(x) は、発光素子11の発光面上の点であっ
て電極が形成されている部分以外の点f3 から発せられ
た光のうち中心軸Zに対し外側に0〜90度の角度を形
成する方向に発せられた光を、放射面15の界面におい
て屈折させた後に、中心軸Z上にある点f4 に集光する
方向に反射するように設計されている。
【0050】具体的には、図7において、反射面34の
直径φが5mm、反射面34の端縁から放射面15まで
の距離Thが1.0mm、発光素子11の背面から発光
素子11の発光面までの距離Tsが0.28mm、放射
面15から点f4 までの距離Hが5.0mmである場
合、曲線f(x) は次式で表すことができる。尚、f(x)
はZ軸上の位置、xはZ軸に垂直なX軸上の位置であ
り、Z軸と発光素子11の背面との交点O2 を原点とし
ている。 f(x) =A0 0 +A1 1 +A2 2 +A3 3 +A
4 4 +A5 5+A6 6 +A7 7 +A8 8 +A
9 9 +A1010 但し、0≦x≦φ/2 A0 =−1.536555112417 A1 =−0.068594831230 A2 = 0.548230687477 A3 =−1.264707360521 A4 = 2.827002044916 A5 =−3.891724553162 A6 = 3.415993014646 A7 =−1.907887902389 A8 = 0.655081536759 A9 =−0.125813076832 A10= 0.010331357759
【0051】上記構成による反射型発光ダイオード30
では、発光素子11の発光面から発せられた光は反射面
34で反射された後、放射面15の界面で屈折すること
により、点f4 近傍に集光される。特に、点f3 を中心
軸Zの回りに回転することにより得られる円上の点から
発せられた光のうち、この点及び中心軸Zを含む平面と
反射面34との交線上に到達した光は、反射面34によ
り反射された後、放射面15の界面で屈折することによ
り、点f4 に到達する。
【0052】本発明の第三実施例によれば、点f3 から
発せられた光を放射面15の界面で屈折させた後に、点
4 に集光する方向に反射する曲線f(x) を、中心軸Z
の回りに回転することにより得られる凹面状に形成され
た反射面34を用いたことにより、発光素子11から発
せられ、反射面34で反射された光を、放射面15の界
面で屈折させることにより、点f4 に効率よく集光する
ことができる。
【0053】また、本発明の第三実施例によれば、放射
面15を中心軸Zに垂直な平面状に形成したことによ
り、反射型発光ダイオードを薄型にすることができ、ま
た、放射面に傷が付きにくく且つ塵が溜まりにくいとい
う利点がある。
【0054】尚、第三実施例では、xの範囲が0≦x≦
φ/2である曲線f(x) を中心軸Zの回りに回転するこ
とにより得られる凹面状に形成された反射面34を用い
たものについて説明したが、本発明はこれに限定される
ものではない。点f3 を通り中心軸Zに平行な線を中心
軸Zの回りに回転することにより得られる円筒が反射面
を切り取る部分、即ち反射面の中央部は、発光素子11
が発した光を再び発光素子11のある方向に反射させて
しまうので、有効利用することができない。したがっ
て、この部分の形状は反射面の他の部分と滑らかにつな
がっているものであれば、どの様な形状であっても特性
上問題ない。
【0055】次に、本発明の第三実施例の変形例につい
て図8を参照して説明する。図8は本発明の第三実施例
の変形例である反射型発光ダイオードの概略断面図であ
り、第一実施例の図3に相当する図である。
【0056】図8に示す反射型発光ダイオード30aが
本発明の第三実施例である反射型発光ダイオード30と
異なる点は、放射面15上に平坦な光透過性強化板39
を設けたことである。その他の構成は、反射型発光ダイ
オード30と同様である。尚、反射型発光ダイオード3
0aにおいて第三実施例である反射型発光ダイオード3
0と同一の機能を有するものには、同一又は対応する符
号を付すことにより、その詳細な説明を省略する。
【0057】光透過性強化板39は、反射面34aと放
射面15との間に充填された光透過性材料13と同じ屈
折率を有する。光透過性強化板39には、SiO2 系の
ガラス板が用いられる。
【0058】本発明の第三実施例によれば、かかる光透
過性強化板39を設けたことにより、反射型発光ダイオ
ードの表面強度や耐油性等の向上を図ることができる。
その他の効果は第三実施例と同様である。
【0059】尚、発光素子11の発光面から発せられた
光は反射面34aで反射された後、放射面15の界面で
屈折することなく、光透過性強化板39の界面に到達
し、その後、光透過性強化板39の界面で屈折する。し
たがって、反射面34aは、放射面15の界面ではな
く、光透過性強化板39の界面での屈折を考慮して、発
光素子11から発せられた光が中心軸Z上の所望の点に
集光するように設計されなければならない。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、発光素子の発光面に対向する側に発光素子が
発した光を反射する反射面を設けたことにより、発光素
子が発する光の略全光束の放射方向を制御することがで
き、また、発光素子の中心軸を含む平面において発光面
上の点であって中心軸から左右一方のいずれかにずれた
電極が形成されている部分以外の点を焦点とし、焦点か
ら発せられた光を中心軸上の点に集光する方向に反射す
る曲線又は焦点から放射された光を放射面を含む光学系
において屈折させた後に中心軸上の点に集光する方向に
反射する曲線のうち、焦点を通り中心軸に平行な線と曲
線との交点近傍の点をX、焦点を通り中心軸に略垂直な
線と曲線との交点のうち中心軸に対し焦点が位置する側
の交点をX´としたときに、X−X´部分を、中心軸の
回りに回転することにより得られる凹面状に形成された
反射面を設けたことにより、発光素子の中央部に電極が
形成されていても、発光素子は反射面の焦点位置から光
を発することができるので、反射面の焦点位置から発せ
られた光のうち、この焦点及び中心軸を含む平面と反射
面との交線上に到達した光を、中心軸上の点に集光する
方向に反射することができ、これにより、厳密な集光点
における集光効率の高い反射型発光ダイオードを提供す
ることができる。
【0061】請求項2記載の発明によれば、曲線とし
て、対称軸が中心軸を平行移動した位置にある放物線を
用いたことにより、反射面の焦点位置から発せられた光
のうち、この焦点及び中心軸を含む平面と反射面との交
線上に到達した光を、中心軸に対し厳密に平行な方向に
反射することができるので、中心軸光度の高い反射型発
光ダイオードを提供することができる。
【0062】請求項3記載の発明によれば、請求項2記
載の発明において、発光素子の中心軸に垂直な平面状に
形成された放射面を用いたことにより、反射面から放射
された厳密な平行光を放射面の界面で屈折させることな
く外部に放射することができる反射型発光ダイオードを
提供することができる。
【0063】請求項4記載の発明によれば、曲線とし
て、対称軸が中心軸を中心軸上の点を中心に回転移動し
た位置にある楕円を用いたことにより、反射面の焦点位
置から発せられた光のうち、この焦点及び中心軸を含む
平面と反射面との交線上に到達した光を、中心軸上の点
に集光する方向に反射することができるので、発光素子
が発した光をこの中心軸上の点に効率よく集光すること
ができる反射型発光ダイオードを提供することができ
る。
【0064】請求項5記載の発明によれば、請求項4記
載の発明において、中心軸上の点の近傍に放射面を設け
たことにより、例えば光ファイバ用光源に適した反射型
発光ダイオードを提供することができる。
【0065】請求項6記載の発明によれば、中心軸に垂
直な平面状に形成された放射面を用いたことにより、反
射型発光ダイオードを薄型にすることができ、また、放
射面に傷が付きにくく且つ塵が溜まりにくくすることが
でき、また、曲線として、焦点から放射された光をこの
放射面を含む光学系において屈折させた後に中心軸上の
点に集光する方向に反射するものを用いたことにより、
発光素子が発した光をこの中心軸上の点に効率よく集光
することができる反射型発光ダイオードを提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例である反射型発光ダイオー
ドの概略正面図である。
【図2】図1に示す反射型発光ダイオードのD−D矢視
方向概略断面図である。
【図3】図1に示す反射型発光ダイオードのE−E矢視
方向概略断面図である。
【図4】図3のF部を拡大したものであり、発光素子1
1が発した光の光路を説明するための図である。
【図5】本発明の第二実施例である反射型発光ダイオー
ドの概略断面図であり、第一実施例の図3に相当する図
である。
【図6】本発明の第二実施例の変形例である反射型発光
ダイオードの概略断面図であり、第一実施例の図3に相
当する図である。
【図7】本発明の第三実施例である反射型発光ダイオー
ドの概略断面図であり、第一実施例の図3に相当する図
である。
【図8】本発明の第三実施例の変形例である反射型発光
ダイオードの概略断面図であり、第一実施例の図3に相
当する図である。
【図9】従来の反射型発光ダイオードの概略正面図であ
る。
【図10】図9に示す反射型発光ダイオードのA−A矢
視方向概略断面図である。
【図11】図9に示す反射型発光ダイオードのB−B矢
視方向概略断面図である。
【図12】図11のC部を拡大したものであり、発光素
子51が発した光の光路を説明するための図である。
【図13】図9に示す反射型発光ダイオードの点灯状態
を正面から観察したときに視認される光の様子を示す図
である。
【符号の説明】
10,20,20a,30 反射型発光ダイオード 11 発光素子 12a,12b リードフレーム 13 光透過性材料 14,24,34,34a 反射面 15,25,25a 放射面 16 ワイヤ 39 光透過性強化板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光面の中央部に電極が形成された発光
    素子と、前記発光素子の前記発光面に対向するように設
    けられた前記発光素子が発した光を反射する反射面と、
    前記発光素子の背面側に設けられた前記反射面により反
    射された光を外部に放射する放射面と、前記反射面と前
    記放射面との間に充填された光透過性材料と、を有する
    反射型発光ダイオードにおいて、 前記反射面は、前記発光素子の中心軸を含む平面におい
    て前記発光面上の点であって前記中心軸から左右一方の
    いずれかにずれた前記電極が形成されている部分以外の
    点を焦点とし、前記焦点から発せられた光を前記中心軸
    上の点に集光する方向に反射する曲線又は前記焦点から
    放射された光を前記放射面を含む光学系において屈折さ
    せた後に前記中心軸上の前記点に集光する方向に反射す
    る曲線のうち、前記焦点を通り前記中心軸に平行な線と
    前記曲線との交点近傍の点をX、前記焦点を通り前記中
    心軸に略垂直な線と前記曲線との交点のうち前記中心軸
    に対し前記焦点が位置する側の交点をX´としたとき
    に、X−X´部分を、前記中心軸の回りに回転すること
    により得られる凹面状に形成されていることを特徴とす
    る反射型発光ダイオード。
  2. 【請求項2】 前記曲線は放物線であり、前記放物線の
    対称軸は、前記中心軸を平行移動した位置にあることを
    特徴とする請求項1記載の反射型発光ダイオード。
  3. 【請求項3】 前記放射面は、前記中心軸に垂直な平面
    状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の反
    射型発光ダイオード。
  4. 【請求項4】 前記曲線は楕円であり、前記楕円の対称
    軸は、前記中心軸を前記中心軸上の前記点を中心に回転
    移動した位置にあることを特徴とする請求項1記載の反
    射型発光ダイオード。
  5. 【請求項5】 前記放射面は、前記中心軸上の前記点の
    近傍に形成されていることを特徴とする請求項4記載の
    反射型発光ダイオード。
  6. 【請求項6】 前記放射面は、前記中心軸に垂直な平面
    状に形成されたものであり、前記曲線は、前記焦点から
    放射された光を前記放射面を含む光学系において屈折さ
    せた後に前記中心軸上の前記点に集光する方向に反射す
    るものであることを特徴とする請求項1記載の反射型発
    光ダイオード。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6906459B2 (en) 1999-12-28 2005-06-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode

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US6906459B2 (en) 1999-12-28 2005-06-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode

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