JPH0836428A - Saturation detecting circuit for transistor - Google Patents

Saturation detecting circuit for transistor

Info

Publication number
JPH0836428A
JPH0836428A JP6169288A JP16928894A JPH0836428A JP H0836428 A JPH0836428 A JP H0836428A JP 6169288 A JP6169288 A JP 6169288A JP 16928894 A JP16928894 A JP 16928894A JP H0836428 A JPH0836428 A JP H0836428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
saturation
collector
resistor
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6169288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisato Takeuchi
久人 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP6169288A priority Critical patent/JPH0836428A/en
Publication of JPH0836428A publication Critical patent/JPH0836428A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the saturation current due to a PNP transistor TR parasitic to a saturated TR by detecting the saturation of the saturated TR and feeding back it to turn off this TR. CONSTITUTION:A reference voltage source VBC is connected to the positive input terminal of an amplifier 1, and the connection point between resistors 3 and 4 is connected to the negative input terminal. The base of a TR 2 is connected to the output terminal, and the emitter of the TR 2 is connected to a power terminal VCC, and the collector and the resistor 3 are connected, and the ground terminal is connected to the resistor 4. The general regulator circuit like thin is added to the saturation detection circuit, and the voltage between the base and the collector of the TR 2 is detected; and when it reaches a prescribed value, it is fed back in such direction that the amplifier 1 is turned off.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレギュレータ回路の電源
電圧が低下したときの負荷駆動用トランジスタの飽和検
出回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a saturation detection circuit for a load driving transistor when the power supply voltage of a regulator circuit drops.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5はレギュレータ回路の構成を示す回
路図である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a regulator circuit.

【0003】電源端子が低下したときにトランジスタ2
が飽和状態になり、トランジスタ2のコレクタが電源電
圧付近まで上昇すると、半導体装置特有の寄生PNPト
ランジスタ20がオンして、電流がチップ基板に流出す
る。この飽和電流はトランジスタ20の大きさに関与す
る。
When the power supply terminal drops, the transistor 2
Is saturated and the collector of the transistor 2 rises to near the power supply voltage, the parasitic PNP transistor 20 peculiar to the semiconductor device is turned on, and a current flows to the chip substrate. This saturation current contributes to the size of the transistor 20.

【0004】図6はレギュレータ回路に従来の飽和電流
低減回路の構成を示す図である。図6に示すように、ト
ランジスタ2のベースとトランジスタ21のベースとを
接続し、トランジスタ21のエミッタをトランジスタ2
のコレクタと抵抗3の接続点に接続し、トランジスタ2
1のコレクタとトランジスタ22のベース・コレクタと
トランジスタ23のベースとを接続し、トランジスタ2
2,23のエミッタを接地端子に接続し、トランジスタ
23のコレクタを増幅器に接続する。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a conventional saturation current reducing circuit in a regulator circuit. As shown in FIG. 6, the base of the transistor 2 is connected to the base of the transistor 21, and the emitter of the transistor 21 is connected to the transistor 2
Connected to the connection point between the collector of the
The collector of 1 and the base / collector of the transistor 22 are connected to the base of the transistor 23, and the transistor 2
The emitters of 2, 23 are connected to the ground terminal and the collector of the transistor 23 is connected to the amplifier.

【0005】電源端子電圧が低下して、トランジスタ2
のコレクタと電源電圧の差が0.1V付近になると、ト
ランジスタ21がオンして、トランジスタ22に電流が
流れ込む。トランジスタ23はトランジスタ22とカレ
ントミラー接続されているので、トランジスタ22のコ
レクタ電流をトランジスタ23のコレクタは引き込む。
このトランジスタ23のコレクタ電流を、トランジスタ
2がオフするように、フィードバックをかけて飽和電流
を低減させる。
When the power supply terminal voltage drops, the transistor 2
When the difference between the collector voltage and the power supply voltage is about 0.1 V, the transistor 21 is turned on and a current flows into the transistor 22. Since the transistor 23 is current-mirror connected to the transistor 22, the collector current of the transistor 22 is drawn by the collector of the transistor 23.
The collector current of the transistor 23 is fed back to reduce the saturation current so that the transistor 2 is turned off.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、トランジスタ21のHFEのバラツキや
温度変化で飽和電流が大きくばらついてしまう問題があ
った。
However, in the above-mentioned conventional configuration, there is a problem that the saturation current greatly varies due to variations in HFE of the transistor 21 and temperature changes.

【0007】図4は図5,6に示した回路の電源電流−
電源電圧特性である。実線が一般的なレギュレータ回路
の特性であり、点線が従来の飽和電流低減回路の特性で
ある。
FIG. 4 shows the power supply current of the circuit shown in FIGS.
It is a power supply voltage characteristic. The solid line shows the characteristics of a general regulator circuit, and the dotted line shows the characteristics of a conventional saturation current reduction circuit.

【0008】トランジスタ2が飽和領域に入ると、電源
電流のいちじるしい増加現象が現れる。
When the transistor 2 enters the saturation region, the power supply current increases remarkably.

【0009】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、hFE依存特性、温度依存特性の少ないトランジスタ
の飽和検出回路を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a saturation detection circuit for a transistor having a small h FE dependency characteristic and a low temperature dependency characteristic.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のトランジスタ飽和検出回路は、飽和検出レ
ベルを任意に設定できるレベルシフト回路と、フィード
バック回路とを備えたものである。
In order to achieve this object, a transistor saturation detection circuit of the present invention comprises a level shift circuit capable of arbitrarily setting a saturation detection level and a feedback circuit.

【0011】[0011]

【作用】この構成によって、飽和検出回路によりトラン
ジスタの飽和レベルを所定の値で検出することが可能に
なり、フィードバック回路に正確に信号を送ることがで
きる。したがって、増幅器に正確にフィードバックをか
けることが可能になる。また温度によっていちじるしく
増加していた電源電流も抑えることが可能になる。
With this configuration, the saturation detection circuit can detect the saturation level of the transistor at a predetermined value, and the signal can be accurately sent to the feedback circuit. Therefore, it becomes possible to accurately feed back the amplifier. In addition, it is possible to suppress the power supply current that has increased significantly due to temperature.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明のトランジスタの飽和検出回
路にかかる一実施例の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a transistor saturation detection circuit according to the present invention.

【0014】図1において、1は増幅器、2は負荷駆動
用トランジスタ、3,4は第1,第2の抵抗、5は飽和
検出回路とフィードバック回路である。VBGは基準電圧
源である。
In FIG. 1, 1 is an amplifier, 2 is a load driving transistor, 3 and 4 are first and second resistors, and 5 is a saturation detection circuit and a feedback circuit. V BG is a reference voltage source.

【0015】増幅器1の正の入力端子に基準電圧源を接
続し、負の入力端子に抵抗3,4の接続点を接続し、出
力端子に負荷駆動用トランジスタ2のベースを接続し、
電源端子にトランジスタ2のエミッタを接続し、コレク
タと抵抗3を接続し、抵抗4に接地端子を接続した一般
的レギュレータ回路に付加した飽和検出回路とフィード
バックであって、トランジスタ2のベース・コレクタ間
電圧の検出を行い、それが所定の値となったときに増幅
器1をオフさせる方向にフィードバックをかける。
The reference voltage source is connected to the positive input terminal of the amplifier 1, the connection point of the resistors 3 and 4 is connected to the negative input terminal, and the base of the load driving transistor 2 is connected to the output terminal.
A saturation detection circuit and a feedback added to a general regulator circuit in which the emitter of the transistor 2 is connected to the power supply terminal, the collector is connected to the resistor 3, and the ground terminal is connected to the resistor 4 between the base and collector of the transistor 2. The voltage is detected, and when it reaches a predetermined value, feedback is applied to turn off the amplifier 1.

【0016】図2は図1に示すトランジスタ飽和検出回
路の具体的な構成を示す回路図である。なお、図2にお
いて、1は増幅器、5は飽和検出回路とフィードバック
回路となる。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific structure of the transistor saturation detection circuit shown in FIG. In FIG. 2, 1 is an amplifier and 5 is a saturation detection circuit and a feedback circuit.

【0017】図2に示すようにトランジスタの飽和検出
回路は、トランジスタ10のエミッタと、トランジスタ
11のエミッタと、トランジスタ2のエミッタと、トラ
ンジスタ19のコレクタとを電源端子VCCに接続する。
トランジスタ14のエミッタと、トランジスタ2のベー
スと、トランジスタ19のベースとを接続し、この接続
点を抵抗31を介して電源端子VCCに接続する。トラン
ジスタ15のベースをトランジスタ18のベース、コレ
クタに接続し、抵抗32を介して電源端子VCCに接続す
るとともに、抵抗33を介してトランジスタ19のエミ
ッタと、電流源41と抵抗34とに接続する。電流源4
1の片方を接地端子GNDに接続する。抵抗34の片方
とトランジスタ13のベースとを接続し、抵抗35を介
して接地端子GNDに接続する。トランジスタ15のコ
レクタを、トランジスタ16のベース・コレクタと、ト
ランジスタ17のベースとに接続する。トランジスタ1
6,17のエミッタを接地端子GNDに接続する。トラ
ンジスタ13のベースを、抵抗4を介して接地端子GN
Dに接続するとともに、抵抗3を介してトランジスタ2
のコレクタと、トランジスタ15のエミッタとに接続す
る。トランジスタ13のエミッタとトランジスタ14の
エミッタとを接続し、この接続点を電流源40を介して
接地端子GNDに接続する。トランジスタ13のコレク
タを、トランジスタ11のベース・コレクタと、トラン
ジスタ10のベースと、トランジスタ17のコレクタと
に接続する。トランジスタ10のコレクタを、トランジ
スタ14のベースと、トランジスタ12のコレクタとに
接続する。トランジスタ12のベースを基準電圧源VBG
と接続する。
As shown in FIG. 2, the transistor saturation detection circuit connects the emitter of transistor 10, the emitter of transistor 11, the emitter of transistor 2, and the collector of transistor 19 to power supply terminal V CC .
The emitter of the transistor 14, the base of the transistor 2, and the base of the transistor 19 are connected, and this connection point is connected to the power supply terminal V CC via the resistor 31. The base of the transistor 15 is connected to the base and collector of the transistor 18, connected to the power supply terminal V CC through the resistor 32, and connected to the emitter of the transistor 19 and the current source 41 and the resistor 34 through the resistor 33. . Current source 4
One of the terminals 1 is connected to the ground terminal GND. One of the resistors 34 and the base of the transistor 13 are connected to each other and connected to the ground terminal GND via the resistor 35. The collector of transistor 15 is connected to the base-collector of transistor 16 and the base of transistor 17. Transistor 1
The emitters of 6 and 17 are connected to the ground terminal GND. The base of the transistor 13 is connected to the ground terminal GN via the resistor 4.
Transistor 2 via resistor 3
Is connected to the collector and the emitter of the transistor 15. The emitter of the transistor 13 and the emitter of the transistor 14 are connected, and this connection point is connected to the ground terminal GND via the current source 40. The collector of the transistor 13 is connected to the base / collector of the transistor 11, the base of the transistor 10 and the collector of the transistor 17. The collector of transistor 10 is connected to the base of transistor 14 and the collector of transistor 12. The base of the transistor 12 is the reference voltage source V BG
Connect with.

【0018】また、図2における接続点A,B、および
REGの電位の説明をしながら、飽和検出回路による飽
和電流の低減回路の動作を以下説明する。
The operation of the saturation current reduction circuit by the saturation detection circuit will be described below, while explaining the potentials of the connection points A, B and V REG in FIG.

【0019】まず、VREGは以下の次式で表すことがで
きる。 VREG=VBG×(R3/R4)+VBG (V) ………(1) 電源端子電圧がVREGよりも約0.7V以上であればトラ
ンジスタ2が飽和しないため、寄生PNPトランジスタ
はオンせず、飽和電流が流れない。このときのA点とB
点は以下の式2,3で表すことができる。
First, V REG can be expressed by the following equation. V REG = V BG × (R 3 / R 4 ) + V BG (V) (1) If the power supply terminal voltage is about 0.7 V or more than V REG, the transistor 2 will not saturate, so a parasitic PNP transistor Does not turn on and no saturation current flows. Point A and B at this time
The points can be expressed by the following equations 2 and 3.

【0020】 VA=VCC−VBE2−VBE19 (V) ………(2) VB=VA+VBE18×R3/(R3+R4) (V) ………(3) 電源端子電圧がVREGよりも約0.1V以上、0.7V未
満であれば、トランジスタ2は飽和領域にあり、寄生P
NPトランジスタがオンの状態にある。VA,VBは上式
で表せるので、トランジスタ2の飽和レベルを0.2V
で検出したい場合にはVAとVBの差が0.5Vになるよ
うに設定し、トランジスタ15がオンするようにする。
V A = V CC −V BE2 −V BE19 (V) (2) V B = V A + V BE18 × R 3 / (R 3 + R 4 ) (V) (3) Power supply If the terminal voltage is about 0.1 V or more and less than 0.7 V than V REG , the transistor 2 is in the saturation region and the parasitic P
The NP transistor is on. Since V A and V B can be expressed by the above formula, the saturation level of the transistor 2 can be set to 0.2V.
When it is desired to detect with, the difference between V A and V B is set to 0.5 V, and the transistor 15 is turned on.

【0021】以上のように抵抗33,34の抵抗比によ
り飽和検出レベルを設定することが可能である。
As described above, the saturation detection level can be set by the resistance ratio of the resistors 33 and 34.

【0022】上述したように、トランジスタ2が飽和す
ると、飽和レベル検出回路のトランジスタ15がオンし
て、フィードバック回路が動作する。トランジスタ15
のコレクタ電流をカレントミラーし、トランジスタ17
でN倍にしてトランジスタ2がオフするように、増幅器
にフィードバックをかける。
As described above, when the transistor 2 is saturated, the transistor 15 of the saturation level detecting circuit is turned on and the feedback circuit operates. Transistor 15
Current collector current of the
Then, feedback is applied to the amplifier so that the transistor 2 is turned off by N times.

【0023】温度特性に関しては飽和検出レベルが問題
になるが飽和レベルは次式4で表すことができる。
Regarding the temperature characteristic, the saturation detection level becomes a problem, but the saturation level can be expressed by the following equation 4.

【0024】 VCE2=VB2−VBE19+VBE18×{R3/(R3 + R4)}+VBE15 (V ) ………(4) 上式よりVBE19,VBE15がキャンセルされて温度特性と
して残る項目は、VBE 18と抵抗3,4である。したがっ
て、抵抗3と抵抗4との比が5:2とすると、温度係数
は−1.3mV/℃となる。ただしVBEの温度係数は−
1.8mV/℃である。
V CE2 = V B2 −V BE19 + V BE18 × {R 3 / (R 3 + R 4 )} + V BE15 (V) (4) From the above equation, V BE19 and V BE15 are canceled and the temperature is changed. The items that remain as characteristics are V BE 18 and resistors 3 and 4. Therefore, if the ratio of the resistance 3 to the resistance 4 is 5: 2, the temperature coefficient is -1.3 mV / ° C. However, the temperature coefficient of V BE is −
It is 1.8 mV / ° C.

【0025】以上のように本実施例によれば、飽和検出
回路により飽和レベルを任意に設定することが可能にな
り飽和検出を正確に行うことができる。したがってトラ
ンジスタ2の飽和電流を正確に低減することができる。
As described above, according to this embodiment, the saturation level can be arbitrarily set by the saturation detection circuit, and the saturation detection can be accurately performed. Therefore, the saturation current of the transistor 2 can be accurately reduced.

【0026】抵抗32,35は定電流源でも上記特性を
得ることができる。
The resistors 32 and 35 can obtain the above characteristics even with a constant current source.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明は、飽和するトランジスタの飽和
検出を行い、そのトランジスタをオフするようにフィー
ドバックをかけることにより、飽和トランジスタに寄生
するPNPトランジスタによる飽和電流を低減すること
ができる。
According to the present invention, saturation detection of a saturated transistor is performed, and feedback is applied so as to turn off the transistor, whereby the saturation current due to a PNP transistor parasitic on the saturation transistor can be reduced.

【0028】図3はその効果を示した電源電流−電源電
圧特性である。
FIG. 3 is a power supply current-power supply voltage characteristic showing the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のトランジスタの飽和検出回路にかかる
一実施例の構成を示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a transistor saturation detection circuit of the present invention.

【図2】図1に示すトランジスタの飽和検出回路の具体
的な構成を示す回路図
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of a transistor saturation detection circuit shown in FIG.

【図3】図2に示す回路の特性図FIG. 3 is a characteristic diagram of the circuit shown in FIG.

【図4】従来の飽和検出回路による飽和電流の低減回路
の特性図
FIG. 4 is a characteristic diagram of a saturation current reduction circuit using a conventional saturation detection circuit.

【図5】一般的レギュレータ回路の構成を示すブロック
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of a general regulator circuit.

【図6】従来の飽和検出回路による飽和電流の低減回路
の構成を示すブロック図
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a saturation current reduction circuit using a conventional saturation detection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 増幅器 2 負荷駆動用トランジスタ(第1のトランジスタ) 3 抵抗(第1の抵抗) 4 抵抗(第2の抵抗) 5 飽和検出回路・フィードバック回路 VCC 電源端子 VBG 基準電圧源1 Amplifier 2 Load-driving transistor (first transistor) 3 Resistance (first resistance) 4 Resistance (second resistance) 5 Saturation detection circuit / feedback circuit V CC power supply terminal V BG reference voltage source

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 増幅器の一方の入力端子に基準電圧源を
接続し、他方の入力端子に第1の抵抗および第2の抵抗
の接続点を接続し、出力端子に第1のトランジスタのベ
ースを接続し、電源端子に前記第1のトランジスタのエ
ミッタを接続し、コレクタと前記第1の抵抗を接続し、
前記第2の抵抗に接地端子を接続した一般的レギュレー
タ回路に付加した飽和検出回路であって、前記第1のト
ランジスタのベース・コレクタ間電圧を検出して所定の
値となったときに前記増幅器をオフさせる方向にフィー
ドバックをかける回路を備えたトランジスタの飽和検出
回路。
1. An amplifier has one input terminal connected to a reference voltage source, the other input terminal connected to a connection point of a first resistor and a second resistor, and an output terminal connected to the base of a first transistor. Connect the emitter of the first transistor to the power supply terminal, connect the collector and the first resistor,
A saturation detection circuit added to a general regulator circuit in which a ground terminal is connected to the second resistor, wherein the amplifier is provided when a base-collector voltage of the first transistor is detected and reaches a predetermined value. Saturation detection circuit of transistor equipped with a circuit that feeds back in the direction to turn off.
JP6169288A 1994-07-21 1994-07-21 Saturation detecting circuit for transistor Pending JPH0836428A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6169288A JPH0836428A (en) 1994-07-21 1994-07-21 Saturation detecting circuit for transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6169288A JPH0836428A (en) 1994-07-21 1994-07-21 Saturation detecting circuit for transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0836428A true JPH0836428A (en) 1996-02-06

Family

ID=15883744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6169288A Pending JPH0836428A (en) 1994-07-21 1994-07-21 Saturation detecting circuit for transistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0836428A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3648154A (en) Power supply start circuit and amplifier circuit
US4808907A (en) Current regulator and method
US6181196B1 (en) Accurate bandgap circuit for a CMOS process without NPN devices
US4578633A (en) Constant current source circuit
JPS5836015A (en) Electronic variable impedance device
JPH0836428A (en) Saturation detecting circuit for transistor
EP0483526B1 (en) A current threshold detector circuit
JP3178716B2 (en) Maximum value output circuit, minimum value output circuit, maximum value minimum value output circuit
US4433302A (en) Amplifier with independent quiescent output voltage control
US6396319B2 (en) Semiconductor integrated circuit with quick charging/discharging circuit
JP3255226B2 (en) Voltage controlled amplifier
JP2623954B2 (en) Variable gain amplifier
JP2532900Y2 (en) Limiter circuit
JPS61117613A (en) Constant voltage power supply circuit with current limit
JPS6246326Y2 (en)
JPH10161757A (en) Series path regulator circuit
JPH0124646Y2 (en)
JPH0610414Y2 (en) Low saturation voltage type series regulator
JPH04278611A (en) Constant current circuit
JPH062337Y2 (en) ALC circuit
JPH07147532A (en) Negative surge clamping circuit
JPH07306725A (en) Constant voltage power circuit
JPH05343933A (en) Voltage-current conversion circuit
JPS634962B2 (en)
JPH04357706A (en) Variable gain amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment

Year of fee payment: 14

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090201

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090201

Year of fee payment: 14