JPH0124646Y2 - - Google Patents

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JPH0124646Y2
JPH0124646Y2 JP1979134159U JP13415979U JPH0124646Y2 JP H0124646 Y2 JPH0124646 Y2 JP H0124646Y2 JP 1979134159 U JP1979134159 U JP 1979134159U JP 13415979 U JP13415979 U JP 13415979U JP H0124646 Y2 JPH0124646 Y2 JP H0124646Y2
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transistor
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series
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電子回路等に使用される定電圧電源
回路、いわゆるシヤントレギユレータ回路に関す
る。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a constant voltage power supply circuit, a so-called shunt regulator circuit, used in electronic circuits and the like.

この種の回路は、第1図に示すように、ダーリ
ントン接続のトランジスタQ1とQ2、抵抗R1
R2、定電圧ダイオードZDで成る。負荷はRLで示
した。今負荷RLが変動して負荷電流ILが△ILだけ
減少したとすると、電圧VccはR0×△ILだけ上昇
し、従つてトランジスタQ2のベース電位もこれ
に追従して上昇し、トランジスタQ1とQ2のコレ
クタ電流が増加(電流Iが増加)して、電圧Vcc
を下げるようになる。負荷電流ILが△ILだけ増加
した場合には、その逆の動作が行なわれる。この
ように、負荷電流Iが増加(減少)すれば、それ
に相当する量だけ定電圧電源回路の電流Iが減少
(増加)して、電圧Vccが一定に保たれるように
なる。
This type of circuit consists of Darlington connected transistors Q 1 and Q 2 , resistor R 1 and
R 2 consists of a constant voltage diode ZD. The load is indicated by R L. If the load R L changes and the load current I L decreases by △I L , the voltage Vcc will rise by R 0 × △I L , and the base potential of transistor Q 2 will follow this and rise accordingly. Then, the collector currents of transistors Q1 and Q2 increase (current I increases), and the voltage Vcc
will begin to lower. If the load current I L increases by ΔI L , the opposite operation occurs. In this way, when the load current I increases (decreases), the current I of the constant voltage power supply circuit decreases (increases) by a corresponding amount, and the voltage Vcc is kept constant.

また、ダーリントン接続のトランジスタQ1
Q2のエミツタ接地電流増幅率をhfe(>>1)と
すると、電圧Vccは、 Vcc=R2/hfe・I+(R2/R1+1)・2VBE +VZ …(1) である。但し、VBEはトランジスタQ1,Q2のベー
ス・エミツタ間電圧、VZは定電圧ダイオードZD
の電圧である。(1)式の右の第1項は定電圧回路の
内部インピーダンスを示し、この内部インピーダ
ンスを下げるために、第1図のようにトランジス
タQ1とQ2をダーリントン接続としている。この
場合、内部インピーダンスを無視すれば、電圧
Vccは電流Iに拘らずほぼ一定で、 Vcc=(R2/R1+1)・2VBE+VZ …(2) となる。また電源回路は一般に温度によつてその
出力電圧が変化しないこと、すなわち電圧Vccの
温度係数∂/∂TVccが一定であることが要求され る。第1図の場合は、 ∂/∂TVcc=2(R2/R1+1)・∂/∂TVBE +∂/∂TVZ …(3) である。∂/∂TVBEは一般に良く知られているよう に、−2mv/℃程度の値であり、また∂/∂TVZは正 となり、第2図に示すようにその電圧VZ(すなわ
ち、P・N接合の不純物濃度)にほぼ比例して変
化する。従つて、(3)式からわかるように、 ∂/∂TVZ<+4mv/℃ …(4) の場合には、∂/∂TVcc=0にすることは不可能で ある。特に本回路をIC化しようとする場合、 ∂/∂TVZ≧+4mv/℃ …(5) としなければならず、ICの製法(不純物濃度)
が限定され、ICの他の性質に悪影響を及ぼして
しまう。
Also, the Darlington connected transistor Q1 and
If the common emitter current amplification factor of Q 2 is hfe (>>1), then the voltage Vcc is Vcc=R 2 /h fe・I+(R 2 /R 1 +1)・2V BE +V Z …(1) . However, V BE is the base-emitter voltage of transistors Q 1 and Q 2 , and V Z is the voltage regulator diode ZD.
voltage. The first term on the right side of equation (1) indicates the internal impedance of the constant voltage circuit, and in order to lower this internal impedance, transistors Q 1 and Q 2 are connected in Darlington as shown in FIG. In this case, if you ignore the internal impedance, the voltage
Vcc is almost constant regardless of the current I, and is expressed as Vcc=(R 2 /R 1 +1)·2V BE +V Z (2). Further, a power supply circuit is generally required that its output voltage does not change with temperature, that is, that the temperature coefficient ∂/∂TVcc of the voltage Vcc is constant. In the case of FIG. 1, ∂/∂TVcc=2(R 2 /R 1 +1)·∂/∂TV BE +∂/∂TV Z (3). As is generally well known, ∂/∂TV BE has a value of about -2 mv/℃, and ∂/∂TV Z is positive, and as shown in Figure 2, the voltage V Z (i.e., P・It changes almost in proportion to the impurity concentration of the N junction). Therefore, as can be seen from equation (3), when ∂/∂TV Z <+4mv/°C (4), it is impossible to set ∂/∂TVcc=0. In particular, when trying to convert this circuit into an IC, it is necessary to satisfy ∂/∂TV Z ≧+4mv/℃ (5), and the IC manufacturing method (impurity concentration) must be satisfied.
is limited, and other properties of the IC are adversely affected.

本考案は以上のような点に鑑みたもので、IC
化に適し、温度に対する電圧変動の少ない定電圧
電源回路を提供することを目的とする。
The present invention was developed in consideration of the above points.
The purpose of the present invention is to provide a constant voltage power supply circuit that is suitable for various applications and has little voltage fluctuation with respect to temperature.

以下、第3図を参照して本考案の一実施例を説
明する。この第3図においては、ダーリントン接
続されるトランジスタQ1とQ2の後者のトランジ
スタQ2のベースバイアスをトランジスタQ3、抵
抗R2,R1によつて得、そのトランジスタQ3のベ
ースバイアスを抵抗R3,R4、n個のダイオード
D1〜Doで得、更にその抵抗R4とn個のダイオー
ドD1〜Doに並列に定電圧ダイオードZDを接続し
たものである。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 3, the base bias of the latter transistor Q 2 of the transistors Q 1 and Q 2 connected to Darlington is obtained by the transistor Q 3 and the resistors R 2 and R 1, and the base bias of the transistor Q 3 is obtained by the transistor Q 3 and the resistors R 2 and R 1 . Resistors R 3 , R 4 , n diodes
A constant voltage diode ZD is connected in parallel to the resistor R 4 and the n diodes D 1 to D o .

すなわち、定電圧ダイオードZDのアノード電
位にn個のダイオードD1〜Doで積み上げた電位
をトランジスタQ3のベースに与え、これによつ
てトランジスタQ2のベースに正帰還させるよう
にしたものである。
In other words, the potential accumulated on the anode potential of the constant voltage diode ZD by n diodes D 1 to D o is applied to the base of the transistor Q 3 , thereby providing positive feedback to the base of the transistor Q 2 . be.

この回路の基本動作は第1図の回路と同じであ
る。またこの回路において、内部インピーダンス
を無視すると、 Vcc=(2R2/R1+3−n)VBE+VZ …(6) となる。従つて、∂/∂TVZ=+3mv/℃(< 4mv/℃)の場合であつても、n=2,R2/R1= 1/4に定数を選べば、∂/∂TVcc=0にすることが できる。
The basic operation of this circuit is the same as the circuit shown in FIG. Further, in this circuit, if internal impedance is ignored, Vcc=(2R 2 /R 1 +3−n)V BE +V Z (6). Therefore, even if ∂/∂TV Z = +3mv/℃ (< 4mv/℃), if constants are chosen as n=2 and R 2 /R 1 = 1/4, ∂/∂TVcc=0 It can be done.

以上から本考案によれば、IC化した場合の内
部の定電圧ダイオードの温度係数が+4mv/℃以
下の場合であつても、出力電圧の温度変化に対す
る変動が零になるように設計することができるよ
うになる。
From the above, according to the present invention, even if the temperature coefficient of the internal voltage regulator diode is +4mv/℃ or less when integrated into an IC, it is possible to design the output voltage so that the fluctuation due to temperature changes is zero. become able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の定電圧回路図、第2図は定電圧
ダイオードの温度特性図、第3図は本考案の一実
施例の定電圧回路図である。 Q……トランジスタ、ZD……定電圧ダイオー
ド、D……ダイオード。
FIG. 1 is a diagram of a conventional constant voltage circuit, FIG. 2 is a temperature characteristic diagram of a constant voltage diode, and FIG. 3 is a diagram of a constant voltage circuit according to an embodiment of the present invention. Q...transistor, ZD...constant voltage diode, D...diode.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 電圧源と基準電位点間に設けられダーリントン
接続されたトランジスタ回路と、このトランジス
タ回路における前段トランジスタのベースドライ
ブ用トランジスタと、前記電圧源と基準電位点間
に直列接続した定電圧ダイオードと抵抗との直列
接続で成る電圧設定回路と、上記定電圧ダイオー
ドに並列に接続された抵抗と所定数のダイオード
の直列接続と、上記ダイオードによる積み上げ電
圧を前記ベースドライブ用トランジスタのベース
に与える手段とを具備してなる定電圧電源回路。
A Darlington-connected transistor circuit provided between a voltage source and a reference potential point, a transistor for driving the base of a previous stage transistor in this transistor circuit, and a constant voltage diode and a resistor connected in series between the voltage source and the reference potential point. The voltage setting circuit includes a voltage setting circuit connected in series, a resistor connected in parallel to the voltage regulator diode, and a predetermined number of diodes connected in series, and means for applying the voltage accumulated by the diodes to the base of the base drive transistor. Constant voltage power supply circuit.
JP1979134159U 1979-09-28 1979-09-28 Expired JPH0124646Y2 (en)

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JPS5653218U JPS5653218U (en) 1981-05-11
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4870851A (en) * 1971-12-28 1973-09-26
JPS49128250A (en) * 1973-03-23 1974-12-09

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4870851A (en) * 1971-12-28 1973-09-26
JPS49128250A (en) * 1973-03-23 1974-12-09

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JPS5653218U (en) 1981-05-11

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