JPH08339771A

JPH08339771A - 発光装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH08339771A
Application number: JP16799795A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Yamamoto; 真伸山本; Toshio Oboshi; 敏夫大星; Hidetoshi Watanabe; 英俊渡辺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-06-09
Filing date: 1995-06-09
Publication date: 1996-12-24

Abstract

(57)【要約】【構成】螢光面パネル14のガラス基板24にピラー10が
一体成形によって設けられている。ピラー10は、螢光面
パネル14と、背面パネル16との間の間隙を所定寸法に保
つスペーサとして機能する。螢光面パネルのガラス基板
24にはブラックストライプ８、28がストライプ状に配さ
れ、各ブラックストライプ間に螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂが配さ
れ、これらの上に共通のアノード１が配されている。背
面パネル16のガラス基板26には、各螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂに
対向して電極構体15（カソードとゲート電極とからな
る）が配されている。両パネル14、16はその周縁部で封
止用ガラス壁29によって内部が密閉され、両パネル間の
空間は高真空に排気され、ＦＥＤが構成される。【効果】ピラー10がガラス基板24に一体成形によって
設けられているので、ピラー成形がガラス基板成形と同
時になされ、ピラー成形が容易である。また、ガラス基
板成形用の型を高精度に作製しておくことにより、ピラ
ーの寸法精度が高く、ピラーを微細にでき、従って螢光
体Ｒ、Ｇ、Ｂを微細パターンに形成でき、表示される像
の解像度を向上させることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、発光装置及びその製造
方法に関し、例えば、電界放出型表示装置及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電界放出型表示装置（ＦＥＤ：Field Em
ission Display）としては、例えば分解概略斜視図であ
る図50に示すように、ガラス基板24上に赤、緑、青の螢
光体Ｒ、Ｇ、Ｂをストライプ状に配した螢光面パネル14
と、背面パネル16とが、所定間隙を隔てて対向位置する
構造のものがある。背面パネル16は、図51に拡大図示す
るように、ガラス基板26上に、電界放出型カソードとし
てエミッタコーン21が形成されたカソードライン17と、
絶縁層18を介してカソードライン17に直交して配された
ゲート電極ライン19とによって構成されている。

【０００３】両基板24、26は数百μｍ、例えば 300μｍ
の一定間隙を隔てて対向しており、画面領域の周囲は、
図示しないガラス製フリットシールを介して接合され、
その内部は10^-4〜10^-7Paの超高真空に保持されるように
なっている。

【０００４】このような構造の電界放出型表示装置にお
いては、一般に、カソード表面に10⁸〜10⁹Ｖ／ｍの電
界がかかるように、カソード、ゲート電極間に電圧を印
加し、マイクロチップカソード21の先端からトンネル効
果によって電子ビームをカソードホール20を通して放出
し、これに対応してマトリックス構成したカソード、ゲ
ート電極間に電位を順次印加し、選択された螢光体スト
ライプＲ、Ｇ、Ｂに放出電子ビームを当てて光らせ、画
像を表示する。

【０００５】このＦＥＤによりカラー表示を行う方法と
しては、選択された交差部22の各カソードと一色の螢光
体とを対応させる方法と、各カソードと複数の色の螢光
体とを対応させる所謂色選別方法がある。この場合の色
選別の動作を図52を用いて説明する。

【０００６】図51において、螢光面パネル14の内面の複
数のストライプ状の透明電極１上には各色に対応する
Ｒ、Ｇ、Ｂの螢光体が順次配列されて形成され、各色の
電極は夫々赤色は３Ｒ、緑色は３Ｇ、青色は３Ｂの端子
に集約されて導出されている。

【０００７】対向する背面パネル16上には、上記したよ
うにカソード電極17及びゲート電極19が直交してストラ
イプ状に設けられ、このカソード電極17−ゲート電極19
間に10⁸〜10⁹ Ｖ／ｍの電界強度を加えると、各電極の
交差部22に形成されたエミッタコーン21から電子ｅが放
出される。

【０００８】一方、透明電極１（即ち、アノード電極）
とカソード電極17との間には 100〜数千Ｖの電圧を印加
して、電子を加速し、螢光体を発光させる。図52の例に
おいては、赤色螢光体Ｒにのみ電圧を印加して、電子ｅ
を矢印で示すように加速させた場合を示している。

【０００９】このように、三端子化された各色Ｒ、Ｇ、
Ｂを時系列で選択することによってカラー表示を行うこ
とができる。

【００１０】ところで、電界放出型表示装置のカソード
側基板26と螢光体側基板24との間の空間を前記のように
高真空にすると、大気圧により１kg/cm²の大きな圧力が
電界放出型表示装置に加わる。電界放出型表示装置をこ
の圧力に対抗させるためには、カソード側基板26と螢光
面側基板24との間に真空耐圧保持構造を設けないとする
と、両基板26、24のガラス板の厚さを数十mmにしなけれ
ばならない。

【００１１】然し、ガラス板をそのような厚さにすると
電界放出型表示装置を薄型化しかつ軽量に作製すること
はできない。そこで、両基板26、24のガラス板の厚さを
１mm程度にし、かつ大気圧に耐えられるようにするため
には、両基板26及び24の間に真空耐圧保持構造を設ける
こと、より具体的には、両基板26、24間に柱状或いはブ
ロック状の真空耐圧保持用のスペーサ（図49中の10）を
数mm程度の間隔で配置することが必要となる。

【００１２】このようなスペーサとしては、圧縮応力に
強く、１kg/cm²程度の大気圧に耐えられること、電界放
出型装置を全面に亘って均一な厚さに支持できること、
カソードから放出される電子ビームの軌道に影響を与え
ないこと、ガス放出が少なく真空中で安定なこと、フリ
ットシールやベーク時の高温処理に耐えられることが必
要となる。

【００１３】本発明者の一部は、先に、電界放出型表示
装置の真空耐圧構造を担うスペーサとして、螢光体側基
板上に、ガラスペーストをスクリーン印刷法で積層塗布
することにより形成することが有効であることを見出
し、既に提案している（特開平５−325843号）。

【００１４】然し乍ら、螢光体側基板上に画質を劣化さ
せないために、島状に分散固定されたスペーサは、螢光
面パネル14の作製時や真空容器として構成された後の排
気時の大気圧の負荷によって螢光体側基板24上から剥
離、倒壊することがときとしてあった。このような真空
容器中のスペーサの倒壊と、これによる塵埃の発生は、
真空耐圧特性の劣化や放電損傷の原因となる。このよう
な問題は、画素がファインピッチ化した場合に特に重大
である。このような次第で、上記先願発明には、なお解
決すべき問題が残されていることが判明した。

【００１５】

【発明に至る経過】本発明者の一部は、上記先願発明の
問題を解消し、螢光面パネルの製造過程や組み立て後の
大気圧によるスペーサの剥離や倒壊が起こらず、高い生
産性を以て製造でき、かつ、高品質で信頼性の高い発光
装置として、発光体が設けられた第一の基体と、第二の
基体とが所定間隙を隔てて対向し、この所定間隙を保持
するためのスペーサが設けられている発光装置におい
て、前記発光体が存在しない非発光部に、下地層と、こ
の下地層上のスペーサ本体部とによって構成されたスペ
ーサが設けられていることを特徴とする発光装置に係る
発明を、特願平６−303248号において提案している。

【００１６】そして、上記スペーサは、具体的には、印
刷によって下地層を形成し、積層スクリーン印刷によっ
てスペーサ本体部を形成し、焼成によって両者を一体化
してスペーサとする。

【００１７】本発明者が前記の各先願発明に更に検討を
加えた結果、次のことが判明した。

【００１８】積層スクリーン印刷と焼成とによって形成
されたスペーサは、最小線幅が 100μｍ程度の解像度の
電界放出型表示装置にあっても、積層時のスクリーンメ
ッシュの位置を正確にせねばならず、生産性が高いとは
言えない。特にこれ以上の解像度の電界放出型表示装置
を製造しようとすると、スペーサを細くせねばならず、
積層時のスクリーンメッシュの僅かな位置ずれや、スク
リーン印刷時の周囲への浸み出しによってスペーサの径
に正の誤差が生じ易く、スクリーン印刷時に細心の注意
を必要とし、量産性が一層低下する。

【００１９】更に、コントラストを向上させるためのブ
ラックマスクの形成に当たっても、大面積でのパネルで
の位置精度を高精度に保つことが難しく、また、微小な
スペーサ形成時のスクリーンメッシュのプロファイルの
損傷や目詰まり等が起こるようになる。

【００２０】以上のような次第で、最小線幅 100μｍ未
満の高解像度の電界放出型表示装置に対しては、ブラッ
クマスクやスペーサを印刷によって形成するには限界が
ある。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであって、スペーサの位置や寸法
の精度が高く、高解像度の発光にも高い生産性を以て対
応することができる発光装置及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、発光体が設け
られた第一の基体と、第二の基体とが所定間隙を隔てて
対向し、この所定間隙を保持するためのスペーサが設け
られている発光装置において、前記第一の基体及び前記
第二の基体の少なくとも一方に、前記スペーサが一体に
成形されていることを特徴とする発光装置に係る。

【００２３】本発明において、第一の基体にスペーサが
一体に成形されていることが望ましい。

【００２４】また、本発明において、スペーサとして、
第一の基体と第二の基体との間の真空耐圧保持及び絶縁
保持のために発光領域内にピラーを配することが望まし
い。

【００２５】また、本発明において、スペーサを、第一
の基体と第二の基体との間を密閉する密閉手段とするこ
とができる。

【００２６】また、本発明において、スペーサが、第一
の基体と第二の基体との間の真空耐圧保持及び絶縁保持
のためのピラーとして発光領域内に配され、前記第一の
基体と前記第二の基体との間を密閉する密閉手段として
配されていることが望ましい。

【００２７】また、本発明において、複数の発光体が所
定パターンに設けられ、これら発光体間にピラーが配さ
れていることが望ましい。

【００２８】上記において、光学的に透明な第一の基体
上に複数の発光体が設けられ、これら発光体間にブラッ
クマスクが設けられ、前記発光体及び前記ブラックマス
クを覆うように前記複数の発光体に共通の電極が設けら
れているように構成することができる。

【００２９】また、上記に替えて、光学的に透明な第一
の基体上に複数の発光体が設けられ、これら発光体間に
ブラックマスクが設けられ、前記複数の発光体に電極が
夫々設けられているように構成することもできる。

【００３０】また、本発明において、第二の基体に粒子
放出源が設けられ、この粒子放出源から放出される粒子
によって第一の基体の発光体が発光するように構成する
ことが望ましい。

【００３１】また、本発明において、第一の基体の各発
光体に対向して複数の粒子放出源が一対一に対応して設
けられ、これら粒子放出源から放出される粒子によって
前記発光体が発光するように構成することが望ましい。

【００３２】また、本発明において、発光体が螢光体で
あることが望ましい。

【００３３】更に、本発明において、粒子放出源の夫々
が、カソード電極とゲート電極とが絶縁体を介して対向
する電界放出型カソードであり、電界放出型表示装置と
して構成することができる。

【００３４】本発明は、本発明に基づく発光装置を製造
するに際し、前記スペーサを設けた前記第一の基体及び
／又は前記第二の基体に対応する型を用い、基体材料を
前記型に注入して前記第一及び／又は前記第二の基体を
成形する工程を有する、発光装置の製造方法をも提供す
るものである。

【００３５】本発明に基づく方法において、スペーサを
設けた第一の基体に対応する型を用いるのが望ましい。

【００３６】また、本発明に基づく方法において、融解
した基体材料を型に注入し、溶融成形によって第一及び
／又は第二の基体を成形するのが望ましい。

【００３７】また、本発明に基づく方法において、第一
の基体のスペーサ形成側の面に感光液を塗布、乾燥する
工程と、この乾燥した感光層を選択的に露光して複数の
ブラックマスクの潜像を形成する工程と、この潜像を現
像して前記感光層を選択的に除去し、この除去部分にブ
ラックマスク材料を充填、固化してブラックマスクと
し、次いで残っている前記感光層を除去する工程と、前
記各ブラックマスク間に発光体を充填する工程と、前記
第一の基体と、粒子放出源を設けた第二の基体とを接合
する工程とを更に付加することが望ましい。

【００３８】上記において、ブラックマスク及び発光体
の上に共通の電極を設ける工程を更に付加することが望
ましい。

【００３９】本発明に基づく方法において、発光体とし
て螢光体を用い、スラリー状の螢光体材料を塗布し、こ
れを露光して螢光体とすることができる。

【００４０】上記に替えて、予め前記第一の基体上の螢
光体形成面に電着用透明電極を設け、この透明電極上に
電着によって前記螢光体を設けることもできる。

【００４１】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００４２】図１〜図24は、本発明を高精細カラー電界
放出型表示装置に適用した第１の実施例を示すものであ
る。

【００４３】（ＦＥＤパネルの概略）先ず、図５〜図７
について、ＦＥＤ（電界放出型表示装置）の構成を概略
的に説明する。

【００４４】ＦＥＤは、カソードの大きさが数μｍ以下
程度である微小サイズの所謂スピント（Spindt）型の電
界放出型マイクロチップカソード（エミッタコーン）を
用いて電子を取り出し、これを螢光体面に加速照射する
ことによって発光表示させる薄型の平面表示装置であ
る。

【００４５】図５に、その一例としての分解斜視図を示
す。このＦＥＤにおいては、例えばＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の三原色の各螢光体素子がストライプ
状に配列され、その上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：イ
ンジウム及び錫の混合酸化物）からなる共通の透明アノ
ード電極１が被着してカラー螢光面23が形成された光透
過性の螢光面パネル14と、電界放出型カソード（エミッ
タコーン）21（図７参照）を有する電極構体15が形成さ
れた背面パネル16とがシール材（例えば後述のガラス壁
29）等により気密に封止され、所定の真空度に保持され
る。

【００４６】背面パネル16は、ガラスからなる基板24上
に、カソード電極17、絶縁層18、ゲート電極19がこの順
に被着してなっている。絶縁層18は二酸化珪素（ＳｉＯ
₂）からなり、電極17、19はクロムからなり、エミッタ
コーン21はモリブデンからなっている。

【００４７】螢光面パネル14と背面パネル16とは、その
間隔を一定に保持するために所定の高さの柱（スペー
サ）10を介して封止される。このスペーサ10は、耐圧保
持可能範囲で三原色の螢光体素子Ｒ、Ｇ、Ｂからなるト
リオの３トリオ（ＴＲＩＯ）毎若しくは数トリオ毎に設
けられており、後述するように螢光面パネル16と一体成
形によって設けられている。

【００４８】電極構体15は、背面パネル16の内面上に例
えば図５において、ｘ軸で示す方向に延長する帯状のカ
ソード電極17がストライプ状に平行に配列され、これら
のカソード電極17上に絶縁層18を介してカソード電極17
の延長方向と略直交するｙ軸方向に、帯状のゲート電極
19がストライプ状に平行に配列されたものである。

【００４９】図６は、図５に示した螢光面パネル14と背
面パネル16とを接合する要領を示す概略斜視図である。
背面パネル16には多数の駆動用ＩＣチップ31が設けら
れ、ＩＣチップ31は、インターフェースボート32を介し
てホストコンピュータ33から送られる信号によって駆動
し、図５の各電極に選択的に電圧を印加し、表示がなさ
れる。

【００５０】そして、各カソード電極17とゲート電極19
との互いの交差部22には、螢光面におけるＲ、Ｇ、Ｂで
示す三原色の各螢光体素子に対応するように、所定の開
口幅ｗを有するカソードホール20が例えば複数個開けら
れている。これらのカソードホール20下の絶縁層に形成
された貫通孔18ａ内においてカソード電極17上に、例え
ば図７にその要部の概略的拡大斜視図を示すように、円
錐状のエミッタコーン21が夫々被着形成されて電極構体
15が構成されている。

【００５１】このＦＥＤによりカラー表示を行う方法と
しては、選択された交差部22の各カソードと一色の螢光
体とを対応させる方法と、各カソードと複数の色の螢光
体とを対応させる所謂色選別方法がある。この場合の色
選別の動作を図８及び図９を用いて説明する。

【００５２】図８において、螢光面パネル14の複数列の
ストライプ状のＲ、Ｇ、Ｂの螢光体が配列され、その上
に透明電極１が被着している。

【００５３】対向する背面パネル16上には、上記したよ
うにカソード電極17及び各Ｒ、Ｇ、Ｂの螢光体と平行す
るゲート電極19が直交してストライプ状に設けられ、こ
のカソード電極17−ゲート電極19間に 10⁸〜10⁹ Ｖ／ｍ
の電界強度を加えると、各電極の交差部22に形成された
エミッタコーン21から電子ｅが放出される。

【００５４】一方、透明電極１（即ち、アノード電極）
は表示動作中、常時電圧印加されていて、カソード電極
17に 100〜1000Ｖの電圧を印加して、電子を加速し、螢
光体を発光させる。図８の例においては、赤色螢光体Ｒ
に対向するゲート電極にのみ電圧を印加して、電子ｅを
矢印で示すように垂直に加速させた場合を示している。

【００５５】このように、各色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応したゲ
ート電極を選択することによってカラー表示を行うこと
ができる。各カソード電極列上のある一点のカソード、
ゲート及びアノード（螢光体ストライプ）のＮＴＳＣ方
式での色選別タイミングチャートを図９に示す。

【００５６】各カソード電極17を１Ｈの周期で線順次駆
動させるときに、各色螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂに対し夫々周期
１Ｈに＋ｈＶの信号を与える一方、ゲート信号及びカソ
ード信号を１Ｈ周期でゲート信号として＋αＶ、カソー
ド信号として−αＶ〜−βＶを同期して夫々与え、ゲー
ト−カソード間電圧Ｖ_PP＝＋２αＶのときに電子を放出
して、１Ｈで選択されるＲ、Ｇ、Ｂの各螢光体を発光さ
せて色選別を行うことができ、これによりフルカラー表
示を行うことができる。

【００５７】本実施例において注目すべきことは、図１
及び図４に示すように、螢光面パネル14に各ピラー10を
一体成形によって設けていることである。この一体成形
の要領については後に説明する。上記一体成形により、
前述したスクリーン印刷の繰り返しによってピラーを積
層構造にするときのスクリーンメッシュの正確な位置合
わせの煩わしさから解放されて生産性が向上する。これ
に加えて、ピラーを小径にして各螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂの密
度を上げ、後述するブラックストライプと相俟って解像
度を向上することができる。

【００５８】透明電極１の各螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂ間の非発
光部にはブラックストライプ28が配され、これによりコ
ントラストが向上して頗る良好なカラー表示がなされ
る。

【００５９】図１はこの例によるＦＥＤの要部拡大断面
図である。透明電極１下の螢光体素子の各Ｒ、Ｇ、Ｂの
間に、ブラックストライプ28を設け、１つずつの赤、
緑、青を１トリオ（ＴＲＩＯ）として３ＴＲＩＯ毎にス
ペーサ10を設けている。かくして、螢光面パネル14と、
電極構体15を設けた背面パネル16とは、スペーサ10によ
って所定間隙を保つことになる。

【００６０】図２は、螢光面パネル14の画像表示部（螢
光体が存在する領域）30Ａの背面パネル側から見た拡大
部分正面図である。

【００６１】赤、緑、青の３ＴＲＩＯ毎に青と赤との間
のブラックストライプ28を貫通してスペーサ10が立設し
ている。この例では、１ＴＲＩＯのピッチを 0.4mmとし
ており、従って、３ＴＲＩＯ毎のＰ₁で示す 1.2mmのピ
ッチでスペーサ10が設けられることになる。また、スペ
ーサ10の径は50μｍ、高さは 300μｍとしている。スペ
ーサ10の断面を50μｍ×10μｍの矩形としても良い。

【００６２】一般にＦＥＤは、ピッチＰ₁の方向の全体
の長さとこれに直交するストライプ方向の全体の長さと
の比を４：３としており、ストライプ方向のスペーサの
ピッチＰ₂も、これに従って例えば 0.9mmとしている。
かくして、画像表示部30Ａには、互いに直交する方向
に、夫々例えば 1.2mmピッチ、例えば 0.9mmピッチでス
ペーサ10が設けられている。

【００６３】図３は、螢光面パネル14を背面パネル側か
ら見た拡大平面図、図４は図３のIV−IV線断面図であ
る。各ＴＲＩＯは、ｎ列、ｘ行に配置されていて、Ａ１
ＴＲＩＯ〜ＡｎＴＲＩＯはＡ行の、Ｂ１ＴＲＩＯ〜Ｂｎ
ＴＲＩＯはＢ行の、ｘ１ＴＲＩＯ〜ｘｎＴＲＩＯはｘ行
の各ＴＲＩＯの領域を示す。

【００６４】螢光面パネル14のガラス基板24の全縁部に
は、背面パネルとの間の空間を高真空に保つための封止
用のガラス壁29が接着によって立設し、画像表示部30Ａ
とガラス壁29との間のガラス壁29から離れた領域にブラ
ックストライプ８が設けられている。ブラックストライ
プ８のこの領域には、スペーサ10（図１参照）がブラッ
クストライプ８を貫通して立設している。この領域で
は、螢光体ストライプと直交する方向と、螢光体ストラ
イプと平行の方向にスペーサ10が夫々３列設けられてい
る。

【００６５】これらスペーサ10が設けられたブラックス
トライプ８の領域と、その内側の画像表示部30Ａとから
なる領域を、全表示部（符号30Ｂで表す）と呼ぶ。全表
示部30Ｂとガラス壁29との間の領域30Ｃには、電極駆動
用ＩＣチップ（図６の31）が対向位置する。

【００６６】図３及び図４から判るように、スペーサ10
は、全表示部30Ｂ中の画像表示部30Ａ以外の領域に多数
設けられ、更に画像表示部30Ａにも所定ピッチ（この例
では1.2mmピッチ、 0.9mmピッチ）で設けられているの
で、図４中に仮想線で示す背面パネル16との間の空間を
高真空にしても、大気圧に耐えて両基板24、26の距離が
一定に保たれる。図３中、全表示部30Ｂの寸法は、横を
８インチ、縦を６インチとしてある。

【００６７】次に、螢光面パネルの製造手順について説
明する。

【００６８】先ず、図10に示すように、ピラーを設けた
基板（図１、図４の24）に対応した凹部52を精密加工に
よって形成した耐熱鋼製の下型51を用意し、融解したガ
ラス54を凹部52に注入する。融解ガラス54は、珪砂、長
石、ソーダ灰、炭酸カリ等を配合し、融解炉で大凡1600
℃に融解、ノズルを経由して凹部52に注入される。この
注入温度は 700℃以下である。

【００６９】次に、図11に示すように、裏面が平坦で耐
熱鋼製の上型53を下型51の上に載置し、両型を１〜数秒
間、通常のプレスモールドの圧力で加圧して融解ガラス
54を凹部52の隅々に迄行き渡らせる。従って、融解ガラ
ス注入時には、下型51の上面から僅かに盛り上がるよう
に融解ガラス44を注入する。そして、これが凝固した
後、上型53を外し、図12に示す凝固した基板24を下型か
ら取り出す。

【００７０】図10〜図12は、基板24の成形手順を説明す
るための概略図であり、図13、図14は、実際に成形され
た基板24を示している。

【００７１】なお、ピラー10の形状寸法は、図15（ａ）
に示すように、前述した径φが50μｍ、高さＨが 300μ
ｍの円柱形としているが、同図（ｂ）に示すように、幅
Ｗが50μｍ、奥行Ｄが10mm、高さＨが 300μｍの断面矩
形のピラー10’としても良い。

【００７２】以上のような工程により、ピラー10を一体
成形した基板24を成形するので、図11、図12の下型41を
高い寸法精度で作製しておきさえすれば、ピラー10は高
い寸法精度を以て基板24の成形と一緒に成形される。従
って、前述したスクリーン印刷の繰り返しによるピラー
成形におけるような寸法精度の低下のおそれや作業の煩
わしさから解放される。その上、ピラー10を更に小径に
して各螢光体ストライプの密度を高くし、高解像度のＦ
ＥＤにも対応できる。

【００７３】次に、図16〜図25によって螢光面パネル14
の製造手順について説明する。

【００７４】図16は、図10〜図12の工程によって成形さ
れた基板24の断面図である。先ず、図17に示すように、
この基板24のピラー10を形成した側の面に、ポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）に重クロム酸アンモン（ＡＤＣ）
を添加して感光性を付与した感光液を塗布、低温乾燥
し、感光膜55を形成する。

【００７５】次に、ピラー10を形成した面の側から所定
のマスクを用いて露光を行い、次いで現像によって非露
光部を溶解、除去し、図18に示すストライプ状の突条56
を形成する。

【００７６】次に、図19に示すように、各突条56間に形
成された溝57に、カーボンを主な構成材料とする溶液を
充填し、これを乾燥、焼成してブラックストライプ28と
し、次いで突条56を過塩素酸、沃化カリによって除去し
て図20に示す状態とする。

【００７７】次に、感光剤にレッド螢光体粉末を添加し
てスラリー状とした液を予め用意しておき、図21に示す
ように、このスラリーＲＳを低速回転によって各ブラッ
クストライプ28間に塗布する。次いでパネル外面から露
光、現像し、図22に示すように、感光部にＲ螢光体をス
トライプ状に形成する。

【００７８】上記Ｒ螢光体形成と同様の手順により、図
23に示すようにＧ螢光体をストライプ状に形成し、次い
で図24に示すようにＢ螢光体をストライプ状に形成し、
Ｒ、Ｇ、Ｂの螢光体ストライプを所定順序に並ぶように
形成する。

【００７９】次に、図25に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの各
螢光体ストライプ及びブラックストライプ28の上に、ア
クリル樹脂からなる中間膜47を塗布し、更にその上にア
ルミニウムからなるアノード電極１を形成し、焼成して
図１、図４に示した螢光面パネル14とする。

【００８０】最後に、上記螢光面パネル14と、別途作製
された背面パネル16とを接着剤で接合し、両パネル間を
真空にして図３〜図６に示したＦＥＤとする。

【００８１】図26〜図29は、本発明を高精細カラーＦＥ
Ｄに適用した第２の実施例を示すものである。

【００８２】この例では、前記第１の実施例における螢
光面パネルと背面パネルとの間の真空を保持するための
封止用ガラス壁（図４の29）を、螢光面パネルのガラス
基板に一体成形によって設けている。即ち、図26に示す
ように、封止用ガラス壁49が螢光面パネル34のガラス基
板44に一体成形によって設けられている。その他は、前
記第一の実施例におけると同様である。封止壁付き基板
44は、図27〜図29に示すようにして作製される。

【００８３】先ず、図27に示すように、ピラー及び封止
用ガラス壁を設けた基板（図26の44）に対応した凹部62
を精密加工によって形成した耐熱鋼製の下型61を用意
し、融解したガラス54を凹部62に注入する。融解ガラス
54の詳細は、前記第一の実施例におけるそれと同様であ
る。図中、62ａは、封止用ガラス壁に対応する凹部部分
である。

【００８４】次いで、図28に示すように、前記第１の実
施例における図11と同様に、上型63を下型61上に載置し
て上下型を加圧し、融解ガラス54が凝固してから図29に
示す基板44を型から取り出す。かくして、ピラー10と共
に封止用ガラス壁49が一体に成形された基板44が得られ
る。

【００８５】図27〜図29は、基板成形の要領を説明する
ための概略図であり、成形された基板44は、図26に示す
形状としている。図26の基板44に対し、前記第１の実施
例において図16〜図25で説明したと同様の手順によって
螢光面パネル34を作製し、これを、別に作製された背面
パネル16（仮想線で示す）に接着し、両パネル間を真空
にして図26のＦＥＤとする。

【００８６】この例では、ピラー10と共に封止用ガラス
壁49をも基板44に一体成形して設けているので、螢光パ
ネル44と背面パネル16との接合が、前記第１の実施例に
おけるよりも容易である。

【００８７】図30〜図45は、本発明を高精細カラーＦＥ
Ｄに適用した第３の実施例を示すものである。

【００８８】この例では、螢光体ストライプを電着によ
って形成している。このため、図30、図31に示すよう
に、螢光面パネル64のガラス基板24上に、ＩＴＯからな
る透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをストライプ状に配し、こ
れら透明電極を電着用電極としてこれら透明電極上に螢
光体Ｒ、Ｇ、Ｂを被着、形成している。その他は前記第
１の実施例におけると同様である。

【００８９】この例による発光動作を図32及び図33を用
いて説明する。この例にあっては、各螢光体の電着に用
いた透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをその儘アノードとして
使用している。螢光体電着の方法については、後に図41
〜図43によって説明する。

【００９０】図32において、螢光面パネル64の内面の複
数のストライプ状の透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上には各
色に対応するＲ、Ｇ、Ｂの螢光体が順次配列されて形成
され、各色の電極は夫々赤色は３Ｒ、緑色は３Ｇ、青色
は３Ｂの端子に集約されて導出されている。

【００９１】対向する背面パネル16上には、上記したよ
うにカソード電極17及びゲート電極19が直交してストラ
イプ状に設けられ、このカソード電極17−ゲート電極19
間に10⁸〜10⁹ Ｖ／ｍの電界強度を加えると、各電極の
交差部22に形成されたエミッタコーン21から電子ｅが放
出される。

【００９２】一方、透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（即ち、
アノード電極）とカソード電極17との間には 100〜1000
Ｖの電圧を印加して、電子を加速し、螢光体を発光させ
る。図32の例においては、赤色螢光体Ｒ及びこれに対向
するゲート電極にのみ電圧を印加して、電子ｅを矢印で
示すように加速させた場合を示している。

【００９３】このように、三端子化された各色Ｒ、Ｇ、
Ｂを時系列で選択することによってカラー表示を行うこ
とができる。各カソード電極列上のある一点のカソー
ド、ゲート及びアノード（螢光体ストライプ）のＮＴＳ
Ｃ方式での色選別タイミングチャートを図33に示す。

【００９４】各カソード電極17を１Ｈの周期で線順次駆
動させるときに、各色螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂに対し夫々周期
ＨのうちＨ／３ずつ＋ｈＶの信号を与える一方、ゲート
信号及びカソード信号をＨ／３周期でゲート信号として
＋αＶ、カソード信号として−αＶ〜−βＶを同期して
夫々与え、ゲート−カソード間電圧Ｖ_PP＝＋２αＶのと
きに電子を放出して、Ｈ／３毎に選択されるＲ、Ｇ、Ｂ
の各螢光体を発光させて色選別を行うことができ、これ
によりフルカラー表示を行うことができる。

【００９５】この例にあっては、互いに対向するアノー
ド（透明電極）とゲート電極とに選択的に電圧印加を行
うので、電子放出は所定の螢光体に対して 100％なさ
れ、前記第１及び第２の実施例によるよりも一層鮮明な
カラー表示がなされる。

【００９６】次に、図34〜図40によって螢光体パネルの
作製手順について説明する。

【００９７】先ず、図34に示すように、先に図10〜図12
で説明した要領によって作製された基板24のピラー10を
形成した側の面に、ＩＴＯからなる透明導電膜１Ｆを形
成する。次いで、エキシマレーザを用いて図35に示すよ
うに所定パターンに絶縁化処理を施して絶縁化領域60を
ストライプ状に形成し、これらの間に透明電極１Ｒ、１
Ｇ、１Ｂを形成する。

【００９８】次に、図36に示すように、絶縁化領域60及
び透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上に、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）に重クロム酸アンモン（ＡＤＣ）を添加し
て感光性を付与した感光液を塗布、低温乾燥し、感光膜
55を形成し、先に図18〜図20で説明した手順に従って、
図37に示すブラックストライプ28を絶縁化領域60上に形
成する。

【００９９】次に、各透明電極を用いて図38、図39、図
40に示すように、透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上に順次螢
光体Ｒ、Ｇ、Ｂを電着により被着し、螢光面パネル64と
する。この例にあっては、ブラックストライプ28は、絶
縁化領域60上に形成されているので、透明電極１Ｒ、１
Ｇ、１Ｂよりも高く突出しており、このためにコントラ
ストを一層良好にする機能を備えている。然し、透明電
極上への螢光体電着を均一にするために、透明導電膜１
Ｆをパターニングして透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成
し、これら透明電極間にブラックストライプを形成して
も良い。

【０１００】次に、電着によって透明電極上に螢光体素
子（膜）を形成する方法を、図41〜図43によって説明す
る。

【０１０１】先ず、上記パネル64を図41のように、所要
の色の螢光粉体を分散させた電着槽91に入れ、攪拌子93
等による均一攪拌の下で各色に対応するストライプ状透
明電極に対して順次赤、緑及び青色螢光体の電着を行
う。攪拌子93による場合以外に、攪拌羽根、モータを用
いるポンプ循環等による攪拌を行ってもよい。

【０１０２】即ち、先ず、例えば図37に示す如きパネル
を、赤色螢光粉体を分散した電着液92を収容した電着槽
91に入れる。そして、水溶性或いは非水溶性電着液92中
で、螢光体を被着しない電極（この場合１Ｇ及び１Ｂ）
に、０又はこの螢光体を被着する電極（この場合１Ｒ）
とは逆バイアスの電圧を印加する。

【０１０３】３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂは夫々赤、緑及び青に
対応して導出される端子を示し、夫々各透明電極１のう
ち一つの電極を他の電極に比し延長して形成することに
よって構成する。この例において、左端から赤、緑及び
青より成る１トリオ毎に各端子を導出させた例である
が、導出位置はこれに限ることなく、またその間隔も２
トリオ毎とする等種々の変形が可能である。

【０１０４】そして、このように透明電極１が形成され
た螢光面パネル64を、所要の色の螢光粉体を分散させた
電着液92を注入した電着槽91内に図41に示す如く配置し
て、この螢光粉体の色に対応する透明電極１Ｒ、１Ｇ、
１Ｂに対して順次赤、緑及び青の各色螢光体の電着を行
う。

【０１０５】螢光体としては、例えば赤色としてＹ₂Ｏ
₂Ｓ：Ｅｕ，ＣｄＳ等、緑色としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
等、青色としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ等、また他の色とし
て例えばＺｎＳ：Ｍｎ、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、ＺｎＯ：Ｚｎ
等、溶媒に溶出し易い粉体を除いて殆どの半導体及び絶
縁体を電着法に用いることができる。

【０１０６】図41において98は電着の際に螢光面パネル
上の電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂとは逆の極性とする対極、90
Ａは電着用の電源、90Ｂ及び90Ｃは夫々逆バイアス印加
用の電源を示す。

【０１０７】このような構成において、先ずパネル14を
赤色螢光粉体を分散した電着液92、例えば陰極電着にお
いては電解質として硝酸アルミニウム、硝酸マグネシウ
ム、硝酸ランタニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム及び硝酸トリウム等、また分散材としてグリセリ
ン、溶媒としてイソプロピルアルコール、アセトン等を
含む電着液92に入れ、端子３Ｒを介して第１のストライ
プ状透明電極１Ｒに負電位（直流電圧）、端子３Ｇ、３
Ｂを介して他のストライプ状透明電極１Ｇ、１Ｂに０又
は正電位（逆バイアス電圧）を印加し、その対極98に正
電位を印加し、図42に示すように電極１Ｒ上にのみ赤色
螢光粉体を電着し、赤色螢光膜Ｒを形成する。

【０１０８】その後、ストライプ状透明電極１Ｒ、１
Ｇ、１Ｂ間及び前述のピラー10にファンデルワールス力
等の非静電的作用により付着した微量の螢光粉体等を除
去するためパネル64をアルコール等で洗浄し、次いで熱
風乾燥する。

【０１０９】次に、緑色螢光粉体を分散した電着液92に
この螢光面パネル64を入れ、端子３Ｇを介して緑色に対
応する各透明電極１Ｇに負電位、他の透明電極１Ｒ及び
１Ｂに０又は正電位（逆バイアス電圧）、更に対極58に
正電位を与えて電極１Ｇ上にのみ緑色螢光粉体を電着
し、上述の赤色螢光膜には全く混色なく緑色螢光膜を形
成することができる。この場合も、上記と同様に、アル
コール等で洗浄した後熱風乾燥する。

【０１１０】更に、パネル64を青色螢光粉体を分散した
電着液92に入れ、端子３Ｂを介して青色に対応する各透
明電極１Ｂに負電位、他の透明電極１Ｒ及び１Ｇに０又
は正電位（逆バイアス電圧）、更に対極58に正電位を与
えて電極１Ｂ上にのみ青色螢光粉体を電着し、上述の赤
色螢光膜及び緑色螢光膜には全く混色なく青色螢光膜を
形成することができる。この場合も、上記と同様に、ア
ルコール等で洗浄した後熱風乾燥する。

【０１１１】以上の工程を経て、図43のように、赤、
緑、青色螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂを幅狭なストライプ電極１
Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上に夫々選択的に形成することができ
る。

【０１１２】なお、陰極電着においては、水等の電気分
解及び電解質（フリーイオン）の陰極における電気化学
的反応により陰極側に水素等が発生し、ＩＴＯ膜を還元
させてしまうことがあるが、これは、電着液の前処理
（水分除去は電解処理等によるＨ₂除去で、Ａｌ³⁺及び
Ｌａ³⁺等の電解質フリーイオンの除去は電着液の上澄液
交換等で行う。）によって、これを避けることは可能で
ある。

【０１１３】上記した工程において、各螢光体の塗膜値
は電着時間、電界強度、螢光体量、攪拌強度等で制御で
き、例えば、48×48mm角の有効画面にあるＩＴＯストラ
イプ電極〔ピッチ 330μｍ、ストライプ幅50μｍ、スト
ライプ間距離50μｍ、トリオ（赤、緑、青）間距離80μ
ｍ、ストライプ厚 200〜300nm 、一色あたり 145本、総
計 435本〕に15μｍの螢光体を付着させるには、直流電
位が５〜7.5 Ｖである場合、１〜２分間の電着時間で良
い。

【０１１４】このように電圧に範囲を持たせているの
は、赤、緑、青を電着塗布する場合、対向電極となる電
極が異なる（電極間距離も変わる）からである。因み
に、赤、緑、青用のストライプ電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの
センター部に赤色螢光体を電着塗布する場合は、相隣り
あう電極、つまり赤、青用ストライプ電極１Ｒ、１Ｂが
対向電極（電極間距離は同一）となるため、夫々の電極
に同じ電位(7.5Ｖ前後）をかければ良い。

【０１１５】その他の色に関しては、電極間距離に応じ
て電位を調整する（最適電界強度に微調整する）ことに
より、電着が精度良く行われる（対向電極にかける電位
差の範囲は電極間距離に応じて異なってくるため、一義
的には決めることができないが、少なくとも 500Ｖ以下
であり、好ましくは１〜50Ｖの範囲である）。

【０１１６】以上のようにして作製された螢光面パネル
64は、背面パネル16と接合され、両パネル間を真空にし
て図30、図31に示したＦＥＤとなる。

【０１１７】以上に説明したように、この例によれば、
ＦＥＤ用の螢光面形成において、選択電極部（被電着用
ストライプ電極）に対して非選択電極（同一平面上に設
定した他の被電着用電極、又は被電着用電極間に予め設
けた電極等であり、これらが対向電極となる。）部分に
直流バイアス電圧を印加・微調制御する電着法を適用し
ているので、以下のような顕著な効果が得られる。

【０１１８】（１）隣合う電極パターン（片側電極パタ
ーンでも良い。）を対向電極として作用させ、スペーサ
等の立体的障害物が存在していても、所定の電極上への
電着塗布が可能となり、かつ、真空度を損なわない螢光
体を電着することができる。

【０１１９】（２）選択電極以外の電極に直流逆バイア
ス電圧を与える（これは、電着に必要な対向電極の電圧
が同時に逆バイアス電圧ともなる。）ことによって、微
細幅、微細ピッチでも混色の発生及び被電着用ストライ
プ電極間等への螢光体付着を防止できる。

【０１２０】（３）電極がエキシマレーザで形成される
ために電極間距離の精度が飛躍的に向上すると共に、直
流電圧の微調制御で選択電極部近傍の電界制御を容易に
行え、高精細（狭幅）ストライプ上への螢光体の均一塗
布が可能となる。

【０１２１】（４）螢光面パネルの同一平面上に選択電
極と対向電極を設置できるので、電着槽、電着装置の薄
型化及び電着液の少量化を実現できる。また、液量の少
量化のために、均一攪拌が容易となる。

【０１２２】なお、上記したように端子３Ｒ、３Ｇ、３
Ｂの如く三端子化処理をすると、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラー電
着塗布を順次行えることと、ＦＥＤとして時系列色選択
によるカラー表示を可能にすることとの双方を実現でき
るので、有利である。

【０１２３】図30、図31に示したＦＥＤは、前述したよ
うな比較的低電圧励起で螢光体を発光させる場合に適し
ている。これよりも高い電圧（中、高電圧）による励起
で螢光体を発光させる場合は、図40の工程（螢光体Ｒ、
Ｇ、Ｂ形成）の後に、前記第１の実施例における図24の
工程と同様に、図44に示すように螢光体Ｒ、Ｇ、Ｂ及び
ブラックストライプ28上に中間膜47を塗布し、その上に
アルミニウムのアノード１を形成、焼成して螢光面パネ
ル74とする。この場合、透明電極１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、
螢光体電着のためにのみ用いられ、アノードとしては用
いられない。図45、図46は、このように構成したＦＥＤ
を示す。

【０１２４】中、高電圧による励起で螢光体を発光させ
る場合、図45、図46のようにＦＥＤを構成する理由は、
次の通りである。

【０１２５】図47は、前記第２の実施例による封止用ガ
ラス壁付き基板44に、前記第３の実施例による透明電極
１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ及びこれら透明電極上の螢光体Ｒ、
Ｇ、Ｂを設け、螢光面パネル84としたＦＥＤを示す。図
48は、更に共通の電極１を配した螢光面パネル84’とし
たＦＥＤを示す。ＦＥＤをこのように構成することによ
り、前記第２及び第３の実施例による効果が共に奏せら
れ、ＦＥＤ組み立てが一層容易になると共に、一層鮮明
なカラー画像が得られる。

【０１２６】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能
である。

【０１２７】例えば、スペーサは、螢光面パネル側にの
み設けるほか、背面パネルに一体成形して設けて良く、
螢光面パネルと背面パネルとの双方に互いに接触しない
ように一体成形で設けても良い。その他、図49に示すよ
うに、一方のガラス基板（例えば螢光面パネルのガラス
基板）74の封止用ガラス壁79（スペーサの１種である）
を前記第１の実施例におけるそれ（図４の29）よりも高
くし、この高くした寸法分の深さで封止用ガラス壁79と
同じ断面寸法の凹部76ａを他方のガラス基板（例えば背
面パネルのガラス基板）76に設け、封止用ガラス壁79の
先端側部分と凹部76ａとの凹凸嵌合により、両パネルの
接合（仮想線で示す）を正確にすることができる。

【０１２８】また、スペーサは、円柱形に限らず、楕円
柱、四角柱その他の柱状体として良く、壁状体として設
けても良い。

【０１２９】また、上述した螢光体と透明電極のパター
ンや配列、更にはその形成方法は、種々変更して良く、
更にはブラックストライプに替えて格子状に配したブラ
ックマトリックスを採用することも可能である。

【０１３０】更に、螢光体に替えて、他の発光体、例え
ば燐光体を使用することもできる。

【０１３１】なお、本発明に基づく発光装置は、ＦＥＤ
又はそれ以外のディスプレイ装置に限定されることはな
く、上述したＦＥＤの螢光面パネルに光電変換素子を取
付け、螢光面パネルの発光パターンを光電変換素子で電
気信号に変換する光通信用の素子等にも応用可能であ
る。

【０１３２】

【発明の作用効果】本発明は、発光体が設けられた第一
の基体と第二の基体との少なくとも一方に、両基体間の
所定間隙を保持するためのスペーサを一体に成形してい
るので、従来の積層印刷によってスペーサを形成するの
とは異なり、第一の基体及び／又は第二の基体の成形用
の型を高精度にするだけで高い寸法精度を以てスペーサ
を形成できる。この結果、発光体を高密度に配して高解
像度の発光が可能であるのみならず、スペーサを小さく
して一層の高解像度の発光にも対応できる上に、スペー
サと基体とを一体成形することにより、基体成形と同時
にスペーサが成形され、基体上にスペーサのみを別の方
法で形成する作業の複雑さから解放されて発光装置製造
の生産性が著しく向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例によるＦＥＤの要部の拡
大断面図である。

【図２】同画像表示部の背面パネル側から見た拡大部分
正面図である。

【図３】同螢光面パネルの背面パネル側から見た拡大部
分正面図である。

【図４】同図３のIV−IV線断面図である。

【図５】同ＦＥＤの分解斜視図である。

【図６】同ＦＥＤの組み立ての要領を示す分解概略斜視
図である。

【図７】同背面パネルの要部の概略拡大斜視図である。

【図８】同Ｒ、Ｇ、Ｂ三端子の切り換えによる色選別時
の説明図である。

【図９】同色選別時のタイミングチャートを示す図であ
る。

【図10】同螢光面パネルガラス基板成形の第一のステッ
プを示す概略断面図である。

【図11】同螢光面パネルガラス基板成形の第二のステッ
プを示す概略断面図である。

【図12】同螢光面パネルガラス基板の概略断面図であ
る。

【図13】同螢光面パネルガラス基板の一部分を示す断面
図である。

【図14】同螢光面パネルガラス基板の他の部分を示す断
面図である。

【図15】同ピラーを示す拡大斜視図である。

【図16】同螢光面パネル作製の第一のステップを示す概
略断面図である。

【図17】同螢光面パネル作製の第二のステップを示す概
略断面図である。

【図18】同螢光面パネル作製の第三のステップを示す概
略断面図である。

【図19】同螢光面パネル作製の第四のステップを示す概
略断面図である。

【図20】同螢光面パネル作製の第五のステップを示す概
略断面図である。

【図21】同螢光面パネル作製の第六のステップを示す概
略断面図である。

【図22】同螢光面パネル作製の第七のステップを示す概
略断面図である。

【図23】同螢光面パネル作製の第八のステップを示す概
略断面図である。

【図24】同螢光面パネル作製の第九のステップを示す概
略断面図である。

【図25】同螢光面パネルの概略断面図である。

【図26】本発明の第２の実施例によるＦＥＤの図４と同
様の断面図である。

【図27】同螢光面パネルガラス基板成形の第一のステッ
プを示す概略断面図である。

【図28】同螢光面パネルガラス基板成形の第二のステッ
プを示す概略断面図である。

【図29】同螢光面パネルガラス基板の概略断面図であ
る。

【図30】本発明の第３の実施例によるＦＥＤの要部の拡
大断面図である。

【図31】同ＦＥＤの図４と同様の断面図である。

【図32】同Ｒ、Ｇ、Ｂ三端子の切り換えによる色選別時
の説明図である。

【図33】同色選別時のタイミングチャートを示す図であ
る。

【図34】同螢光面パネル作製の第一のステップを示す概
略断面図である。

【図35】同螢光面パネル作製の第二のステップを示す概
略断面図である。

【図36】同螢光面パネル作製の第三のステップを示す概
略断面図である。

【図37】同螢光面パネル作製の第四のステップを示す概
略断面図である。

【図38】同螢光面パネル作製の第五のステップを示す概
略断面図である。

【図39】同螢光面パネル作製の第六のステップを示す概
略断面図である。

【図40】同螢光面パネル作製の第七のステップを示す概
略断面図である。

【図41】同カラー螢光面に螢光体を被着するための電着
装置の概略図である。

【図42】同カラー螢光面の製造工程の一段階を示す断面
図である。

【図43】同カラー螢光面の製造工程の更に他の一段階を
示す断面図である。

【図44】同螢光体上に共通のアノードを設ける場合の最
終ステップを示す概略断面図である。

【図45】同螢光体上に共通のアノードを設けたＦＥＤの
図１と同様の断面図である。

【図46】同螢光体上に共通のアノードを設けたＦＥＤの
図４と同様の断面図である。

【図47】前記第２の実施例に前記第３の実施例を適用し
た変形例によるＦＥＤの図４と同様の断面図である。

【図48】同螢光体上に共通のアノードを設けた変形例に
よるＦＥＤの図４と同様の断面図である。

【図49】本発明の他の実施例による螢光面パネルと背面
パネルとの概略分解断面図である。

【図50】従来例によるＦＥＤの分解概略斜視図である。

【図51】同背面パネルの拡大部分斜視図である。

【図52】同Ｒ、Ｇ、Ｂ三端子の切り換えによる色選別時
の説明図である。

【符号の説明】

１・・・アノード１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ・・・透明電極（ストライプ電極）１Ｆ・・・透明導電膜８、28・・・ブラックストライプ 10、10’・・・スペーサ（ピラー） 14、34、64、74、84、84’・・・螢光面パネル 15・・・電極構体 16・・・背面パネル 17・・・・カソード電極 18・・・絶縁層 18ａ・・・貫通孔 19・・・ゲート電極 20・・・カソードホール 21・・・エミッタコーン 22・・・電極交差部 23・・・カラー螢光面 24、26、44・・・ガラス基板 29、49、79・・・封止用ガラス壁 30Ａ・・・画像表示部 30Ｂ・・・全表示部 51、61・・・下型 52、62・・・下型の凹部 53、63・・・上型 54・・・融解ガラス 55・・・感光膜 56・・・突条 62ａ・・・下型に設けられた封止用ガラス形成用凹部Ｒ・・・赤色螢光体Ｇ・・・緑色螢光体Ｂ・・・青色螢光体ＲＳ・・・スラリー状螢光体材料Ｐ₁、Ｐ₂・・・スペーサのピッチｅ・・・電子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光体が設けられた第一の基体と、第二
の基体とが所定間隙を隔てて対向し、この所定間隙を保
持するためのスペーサが設けられている発光装置におい
て、前記第一の基体及び前記第二の基体の少なくとも一
方に、前記スペーサが一体に成形されていることを特徴
とする発光装置。
【請求項２】第一の基体にスペーサが一体に成形され
ている、請求項１に記載された発光装置。
【請求項３】スペーサが、第一の基体と第二の基体と
の間の真空耐圧保持及び絶縁保持のために発光領域内に
配されたピラーである、請求項１に記載された発光装
置。
【請求項４】スペーサが、第一の基体と第二の基体と
の間を密閉する密閉手段である、請求項１に記載された
発光装置。
【請求項５】スペーサが、第一の基体と第二の基体と
の間の真空耐圧保持及び絶縁保持のためのピラーとして
発光領域内に配され、前記第一の基体と前記第二の基体
との間を密閉する密閉手段として配されている、請求項
１に記載された発光装置。
【請求項６】複数の発光体が所定パターンに設けら
れ、これら発光体間にピラーが配されている、請求項３
に記載された発光装置。
【請求項７】光学的に透明な第一の基体上に複数の発
光体が設けられ、これら発光体間にブラックマスクが設
けられ、前記発光体及び前記ブラックマスクを覆うよう
に前記複数の発光体に共通の電極が設けられている、請
求項６に記載された発光装置。
【請求項８】光学的に透明な第一の基体上に複数の発
光体が設けられ、これら発光体間にブラックマスクが設
けられ、前記複数の発光体に電極が夫々設けられてい
る、請求項６に記載された発光装置。
【請求項９】第二の基体に粒子放出源が設けられ、こ
の粒子放出源から放出される粒子によって第一の基体の
発光体が発光する、請求項１に記載された発光装置。
【請求項10】第一の基体の各発光体に対向して複数の
粒子放出源が一対一に対応して設けられ、これら粒子放
出源から放出される粒子によって前記発光体が発光す
る、請求項９に記載された発光装置。
【請求項11】発光体が螢光体である、請求項１に記載
された発光装置。
【請求項12】粒子放出源の夫々が、カソード電極とゲ
ート電極とが絶縁体を介して対向する電界放出型カソー
ドであり、電界放出型表示装置として構成されている、
請求項９に記載された発光装置。
【請求項13】発光体が設けられた第一の基体と、第二
の基体とが所定間隙を隔てて対向し、この所定間隙を保
持するためのスペーサが設けられている発光装置におい
て、前記第一の基体及び前記第二の基体の少なくとも一
方に、前記スペーサが一体に成形されていることを特徴
とする発光装置を製造するに際し、前記スペーサを設けた前記第一の基体及び／又は前記第
二の基体に対応する型を用い、基体材料を前記型に注入
して前記第一及び／又は前記第二の基体を成形する工程
を有する、発光装置の製造方法。
【請求項14】スペーサを設けた第一の基体に対応する
型を用いる、請求項13に記載された、発光装置の製造方
法。
【請求項15】融解した基体材料を型に注入し、溶融成
形によって第一及び／又は第二の基体を成形する、請求
項13に記載された、発光装置の製造方法。
【請求項16】第一の基体のスペーサ形成側の面に感光
液を塗布、乾燥する工程と、この乾燥した感光層を選択的に露光して複数のブラック
マスクの潜像を形成する工程と、この潜像を現像して前記発光層を選択的に除去し、この
除去部分にブラックマスク材料を充填、固化してブラッ
クマスクとし、次いで残っている前記感光層を除去する
工程と、前記各ブラックマスク間に発光体を充填する工程と、前記第一の基体と、粒子放出源を設けた第二の基体とを
接合する工程とを更に有する、請求項13に記載された、
発光装置の製造方法。
【請求項17】ブラックマスク及び発光体の上に共通の
電極を設ける工程を更に有する、請求項16に記載され
た、発光装置の製造方法。
【請求項18】螢光体が設けられた第一の基体と、第二
の基体とが所定間隙を隔てて対向し、この所定間隙を保
持するためのスペーサが設けられている発光装置におい
て、前記第一の基体及び前記第二の基体の少なくとも一
方に、前記スペーサが一体に成形されていることを特徴
とする発光装置を製造するに際し、スラリー状の螢光体材料を塗布し、これを露光して螢光
体とする、請求項16に記載された、発光装置の製造方
法。
【請求項19】螢光体が設けられた第一の基体と、第二
の基体とが所定間隙を隔てて対向し、この所定間隙を保
持するためのスペーサが設けられている発光装置におい
て、前記第一の基体及び前記第二の基体の少なくとも一
方に、前記スペーサが一体に成形されていることを特徴
とする発光装置を製造するに際し、予め前記第一の基体上の螢光体形成面に電着用透明電極
を設け、この透明電極上に電着によって前記螢光体を設
ける、請求項16に記載された、発光装置の製造方法。