JPH08335682A - 電子デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子デバイス（１０）を製造するための高誘
電体材料を処理する方法。 【解決手段】 この電子デバイスには、内部電極（２
４）、高誘電体層（２８）、および外側電極（３０）が
設けられている。この高誘電体層（２８）に対して、酸
素／オゾン環境の下で紫外線を照射して、不所望な水酸
化物および炭化物化合物を除去する。この層（２８）
に、更に、外側電極（３０）の堆積に先立って、高圧の
等方性反応イオンエッチング処理を施す。これら層（２
８）、（３０）との間のインターフェイスを、反応性フ
ッ素および低圧プラズマに露出させることによって、こ
の層（２８）に関連した正規の電気的特性および漏れ電
流を改善する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、概して、電子デバ
イスの分野に関するもので、特に、高誘電率材料および
電子デバイスのプロセス方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＤＲＡＭ等の高密度容量構造に対する著
しい要求によって、例えば、バリウムストロンチウムチ
タン化合物等の高い誘電率材料の利用が促進されてい
る。これらの材料の高誘電率によって、極めて小さな面
積内で、極めて高い静電容量性記憶容量が得られるよう
になる。通常、これら高誘電率材料は、金属有機化学蒸
着技術を駆使して利用されており、これによって、水お
よび炭化水素材料による高誘電率材料の表面およびバル
ク（ｂｕｌｋ）中に汚染が生じ、このため、重大な問題
が誘起されてしまう。これら汚染物によって、高誘電率
材料を利用して製造した電子デバイスの性能が著しく低
下してしまう。多くの場合には、誘電材料を堆積および
洗浄する時に用いられるプロセス（処理）技術は、これ
ら高誘電率材料をプロセスする場合には良好に利用でき
ない。その理由としては、これら高誘電率材料は水や炭
化水素による汚染に対する特に感染性を有しているため
である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従って、このような材
料を利用した電子デバイス中の高誘電率層を堆積および
浄化のためのプロセス技術に対する要望が発生してい
る。

【０００４】高誘電率材料の層を処理する、本発明のプ
ロセス方法によれば、従来のデバイスや方法における問
題点を、相当程度、除去または抑制することができる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の一実施例の、高
誘電率材料の層を形成する方法によれば、高誘電率材料
の層を堆積するステップを具備している。また、この形
成方法には、この層に酸素およびオゾン雰囲気（環境）
の下で紫外線照射するステップが設けられている。次
に、上昇させた温度下で高圧の等方性反応性イオンエッ
チングを利用して、この層をエッチング処理する。次
に、低温環境の下でフッ素を包含した低圧プラズマ中
に、この層を露出させる。次に、外側電極層を、この高
誘電率層の外側から堆積する。

【０００６】

【実施例】図１には、概して、参照番号１０で表わされ
た電子デバイスが表わされており、このデバイス１０が
半導体基板１２上に形成されている。この半導体基板１
２には、シリコンのような適切な半導体材料が設けられ
ている。また、この基板１２に、ゲルマニウムまたはダ
イヤモンドのような他の単一成分の半導体を設けること
もできる。更に、この基板１２に、ゲルマニウムヒ素、
燐化インジウム、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニ
ウムまたはシリコンカーバイト等の化合物半導体を設け
ることもできる。

【０００７】この基板１２に、これの外側表面１６の近
傍に形成されたアクティブ（活性）領域１４が設けられ
る。このアクティブ領域１４には、基板１２中に形成さ
れたアクティブ半導体の拡散および非拡散領域が設けら
れる。このアクティブ領域１４に、導電性相互接続部
（インターコネクト）、抵抗、およびトランジスタを包
含することができる。上記外側表面１６の大部分が、中
間レベル隔離層１８によって包囲されており、この隔離
層には、例えば、二酸化けい素、ホウ素燐酸塩シリケイ
トガラス、またはスピン・オンガラスを含む。この中間
レベル隔離層１８には、拡散バリア（障壁）を含んだ多
重層を設けることもでき、これら拡散バリアには、例え
ば、窒化けい素が含まれている。この中間レベル隔離層
１８から外側から形成された層に、化合物が設けられ、
これら化合物がこの中間レベル隔離層１８中に広がると
共に、アクティブ領域１４中に拡散する場合に、特にこ
れら拡散バリアは有益なものである。例えば、外側層
に、鉛化合物が含まれている場合には、この中間レベル
隔離層１８内の拡散バリアによって、このような鉛化合
物が、アクティブ領域１４内に拡散するのを防止でき
る。

【０００８】この電子デバイス１０の製造中において、
中間レベル隔離層１８中に開口を形成して、アクティブ
領域１４の外側表面１６の一部分を露出させる。次に、
導電性プラグ２０を、この外側表面１６と接触して開口
中に形成する。この導電性プラグ２０は、例えば、多結
晶シリコンのような酸化可能な材料を有し、この多結晶
シリコンは、導電できるようにドープ（浸漬）処理され
ている。また、この導電性プラグ２０は、窒化チタン、
シリサイドチタン、または、他の反応性金属化合物、例
えば、窒化ジルコルニア、タンタル、シリサイド、タン
グステンシリサイド、モリブデンシリサイド、ニッケル
シリサイド、タンタル炭化物、またはチタンほう化物更
に、導電性プラグ２０は、他の単一化合物半導体を有
し、これら半導体は導電性を有するようにドープ処理さ
れており、例えば、単結晶、または多結晶シリコンまた
はゲルマニウムの半導体である。また、この導電性プラ
グ２０は、タングステン、タンタル、またはモリブテン
のような反応性金属を有することもできる。導電性プラ
グ２０は、例えばホウ素カーバイドのような導電性カー
バイドまたはホウ化物を有することもできる。また、導
電性プラグ２０は、ゲルマニウムヒ素、ホウ化インジウ
ム、シリコンとゲルマニウムの組合せ、およびシリコン
カーバイドのようなドープ処理された化合物半導体を有
することもできる。また、導電性プラグ２０は、上述し
た材料の種々の組合せを有することもできる。

【０００９】バリア（障壁）層２２もまた、この中間レ
ベル隔離層１８中の開口中に、導電性プラグ２０と電気
的に接触して形成される。このバリア層２２の作用によ
って、導電性プラグ２０が、内側電極２４内の材料から
隔離されるようになる。この内側電極２４が、このバリ
ア層２２から外側に形成されると共に、このバリア層２
２を完全に包囲し、更に、図１に示すように、中間レベ
ル隔離層１８の一部分から外側から形成される。

【００１０】このバリア層２２に、例えば、窒化チタン
を設けることもできる。更に、このバリア層２２に、三
元またはそれ以上のアモルファス窒化物、例えば、Ｔａ
−Ｓｉ−Ｎ、Ｔａ−Ｂ−Ｎ、またはＴｉ−Ｂ−Ｎを設け
ることもできる。また、バリア層２２に、種々のエキゾ
チック（ｅｘｏｔｉｃ）導電性窒化物、例えば、Ｚｒ窒
化物、Ｈｆ窒化物、イットリウム窒化物、Ｓｉ窒化物、
Ｌａ窒化物、および他の希土類窒化物、例えば、Ｎデフ
ィシエント（ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ）、Ａｌ窒素物、ドー
プ処理したＡｌ窒化物、Ｍｇ窒化物、Ｃａ窒化物、Ｓｒ
窒化物、およびＢａ窒化物を設けることもできる。更に
また、バリア層２２に、上述のエキゾチック導電性窒化
物と、共通のシリコン処理材料（例えば、窒化チタン、
窒化ゲルマニウム、窒化Ｎｉ、窒化Ｃｏ、窒化Ｔａ、窒
化Ｗ）との合金を設けることもできる。更に、このバリ
ア層２２に、種々の貴金属絶縁体合金、例えば、Ｐｔ−
Ｓｉ−Ｎ、Ｐｄ−Ｓｉ−Ｏ、Ｐｄ−Ｂ−（Ｏ，Ｎ）、
Ｐｄ−Ａｌ−Ｎ、Ｒｕ−Ｓｉ−（Ｏ，Ｎ）、Ｉｒ−Ｓｉ
−Ｏ、Ｒｅ−Ｓｉ−Ｎ、Ｒｈ−Ａｌ−Ｏ、Ａｕ−Ｓｉ−
ＮまたはＡｇ−Ｓｉ−Ｎを設けることもできる。また、
このバリア層２２に、多重層と、上述した材料の組合せ
とを有する不均一（不均質）構造を設けることもでき
る。

【００１１】内側電極２４は、プラチナやルテニウム酸
化物のような酸素安定化材料を有している。更に、この
内側電極２４は、他の貴金属またはプラチナ群金属、ま
たはそれらの合金を有することもできる。これらの金属
としては、例えば、パラジウム、イリジウム、レニウ
ム、ロジウム、金または銀がある。また、この内側電極
２４は、導電性金属化合物、例えば、ルテニウム酸化
物、スズ酸化物、インジウム酸化物、レニウム酸化物、
オスミウム酸化物、ロジウム酸化物、イリジウム酸化
物、または、ドープ処理したスズ、インジウムまたは亜
鉛酸化物を有することもできる。更に、内側電極２４
は、導電性ペロブスカイト状材料、例えば、ＹＢａ₂ Ｃ
ｕ₃ Ｏ_7-x ，（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ₃ 、またはＳｉＲｕ
Ｏ₃ を有することもできる。更に、内側電極２４は、上
述した材料の組合せから成るヘテロ構造を有することも
できる。

【００１２】内部電極２４を形成するために利用した層
を堆積する前に、付着層２６を、この内側電極２４を形
成するために用いた層を堆積する場所であれば何処にで
も、堆積する。この付着層２６は、チタン、タンタルま
たは他の適切な材料の極めて薄い層を有することもでき
る。この付着層２６は、３〜５０Åの厚さであれば何れ
の厚さでも良く、好適には、１０〜２０Å程度の厚さで
ある。内側電極２４を形成するために利用した材料は、
空気中に露出されている誘電材料に対して、良好に付着
することはない。この付着層２６を、誘電体層が元の位
置に形成されるように堆積し、この誘電体層上に、内側
電極２４を付着させることができる。この付着層２６
は、堆積後および内側電極２４を形成するために利用し
た層の堆積前には、空気中に露出させない。内側電極２
４を形成するために用いた材料は、付着層２６内のチタ
ンまたはタンタルに対して、良好に付着するものであ
り、この付着は、内側電極２４が中間レベル隔離層１８
に対して直接接触して配置された場合に比べて良好なも
のである。また、この付着層２６を、バリア層２２と内
側電極２４との間に堆積させることもできる。このデバ
イスの動作中、チャージキャリアは、この付着層２６を
介して内側電極２４とバリア層２２との間を通過させる
必要がある。例え、この付着層２６が、処理中、誘電体
に成ったとしても、この層によってデバイス１０の導電
度にはっきりした影響を与えるものではない。その理由
は、この層は５〜１０Å程度の厚さを有するだけである
からである。

【００１３】図２Ａは、高誘電体層２８の大きく拡大し
た図であ。この図２Ａにおいて、高誘電体層２８内の個
々の結晶粒（ｇｒａｉｎｓ）の円柱状成長が表示されて
いる。この図２Ａに示したように、単結晶粒の円柱状成
長は、この層２８の外側表面３４から内側表面３６まで
延在する粒界によって特徴付けられている。

【００１４】これに対して、図２Ｂは、層２８内で等位
削減（ｅｑｕｉａｘｅｄ）された結晶粒成長を呈するこ
の層２８の拡大図である。この等位削減された結晶粒成
長は、外側表面３４から内側表面３６まで全体に亘って
延在しない、より小さな単結晶粒によって特徴付けられ
ている。

【００１５】高誘電体層２８の堆積中、多数の不所望な
化合物が生成される。例えば、この高誘電体層２８が、
バリウムストロンチウムチタンから形成される場合に
は、通常、ＭＯＣＶＤプロセスに利用される有機金属環
境によって、水酸化バリウム、炭化バリウム、水酸化ス
トロンチウム、および炭化ストロンチウムが形成され
る。これら水酸化物および炭化物の化合物は、この層２
８の外側表面３４上、または、図２Ａおよび図２Ｂで表
わされた粒界に沿って形成される。これら水酸化物およ
び炭化物の化合物によって、高誘電体材料の電気的特性
が低下してしまう。この外側電極層３０の堆積の前に、
これら水酸化物および炭化物の化合物の存在を除去また
は減少させる数種類のプロセスステップを実行すること
が望ましいものである。

【００１６】外側電極３０の堆積に先立って、且つ、高
誘電体層２８の堆積の後に実行する第１のプロセスステ
ップは、酸素および／またはオゾンおよび／またはＮ₂
Ｏの混合雰囲気中で、この層２８に対して、紫外線を照
射することである。このプロセスは、比較的広範な温度
範囲、例えば２００℃〜６００℃内で実行できる。この
照射は、４００℃〜５００℃程度の範囲内で最適に行う
ことができる。この紫外線の照射には、高誘電体材料の
バンドギャップより更に高いエネルギを有するフォトン
を含むように構成する必要がある。例えば、バリウムス
トロンチウムチタンを利用してこの層２８を形成する場
合には、２，４エレクトロンボルトより大きなエネルギ
のフォトンを含む必要がある。更に好適な焼きなましで
は、酸素の混合気中の８％のオゾンを、５００℃の基板
と共に、冷壁反応器中で、３５０ｎｍより短かい波長に
対して、１０^-3ｗ／ｃｍ² 以下の紫外線照射の下で利用
する。この紫外線は、１ａ＋ｍＯ₂ に対して、１ｃｍ以
下、または１ＴｏｎＯ₂ に対して、２０ｃｍ以下で通過
する。

【００１７】オゾンおよび紫外線照射によって、酸素の
ラジカル（遊離基）が生成されるようになる。更に、こ
の紫外線照射によって、層２８の主要材料中および、こ
の層２８内の粒界に沿った不純物の拡散が増大するよう
になる。この層２８内の不所望な化合物は、酸素ラジカ
ルと反応すると共に、この層２８の外へ拡散するように
なる。

【００１８】層３０の堆積に先立って、この高誘電体層
２８を浄化するために利用される第２プロセスステップ
は、反応イオンエッチャーまたはイオンミル等のドライ
エッチングを利用して、外側表面をエッチング処理する
ものである。このエッチングには、Ｏ₂ を含有させる必
要があると共に、可能ならば、例えば、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎ
ｅ，ＸｅまたはＫｒのようなエイブルガスを含有させる
必要がある。また、このエッチングでは、Ｆ，Ｃｌ，Ｂ
ｒ，Ｉｏのハロゲンを含んだガスも利用する必要があ
る。層２８の表面に集中した不純物には、炭化物、水酸
化物、有機物、ならびに、可能ならば、アモルファスま
たは、非化学式的に堆積された材料が含まれている。こ
のエッチングは、室温またはそれより上昇した温度の下
で行なうことができる。このエッチングが低温（２５０
℃以下）で行われる場合には、フォトンまたはプラズマ
で純粋に熱的または強調された第２の焼なまし（アニー
ル）ステップを必要とする。第１の好適なエッチングで
は、４００℃で１００ｍＴｏｒｒの圧力下で、Ｏｚ／Ａ
ｒ／ １／２ガス混合気が利用され、５０Åの層２８が
除去される。第２の好適なエッチングでは、２０〜１０
０℃で１００ｍＴｏｒｒの圧力下で、Ｏ₂ ／Ａｒ／Ｃ／
２(^1/2／１）の混合気が利用され、層２８の平均値１
００Åが６００℃、Ｏ₂ の１ａｔｍ、アニール１５分間
によって除去される。

【００１９】反応性イオンエッチングプロセスを、層３
０を堆積させるのに使用したプロセスと共に、自然体
（ｉｎ ｓｉｔｕ）またはクラスタツール（ｃｌｕｓｔ
ｅｒｔｏｏｌ）構造で実行する必要があるので、この層
２８のエッチング処理した外側表面が、層３０を堆積す
る前に、空気に露らされることがなくなる。

【００２０】この反応性イオンエッチングに続いて実行
できる、追加のプロセスステップは、層２８のエッチン
グ処理された外側表面を、低圧プラズマ中のフッ素に対
して露出させることである。この追加プロセスステップ
は、フッ素、アルゴンおよび、追加例として、酸素を、
３００℃またはそれ以下の低下温度の下で、低圧プラズ
マ中で混合させて実現できる。低圧のプラズマによっ
て、反応性フッ素を生成するように作用し、これによっ
て、層２８の外側表面３４と、外側電極層３０の内側表
面との間で、フッ素と一緒にインターフェイスをドープ
するようになる。このインターフェイスでのフッ素の利
用は、洩れ電流の減少が見られると共に、層２８中に用
いられた高誘電体材料の強磁性体特性を改善するように
なる。

【００２１】上述したプロセスステップは、特定の順序
でリストアップしたにすぎず、他の組合せや、他の順序
で、また独立して利用することも可能である。

【００２２】以上、本発明を詳述したが、種々の変更、
交換、変形等を、本発明の技術的思想を逸脱することな
く実行できることは明らかである。

【００２３】以上の説明に関して、更に以下の項を開示
する。 （１）電子デバイスを製造するに当り、高誘電率材料の
層を基板上に堆積させるステップと；この高誘電率材料
の層に、紫外線を照射するステップとを具備し、この紫
外線照射には、オゾンを含む環境の下で、前記高誘電体
材料のバンドギャップより大きなエネルギのフォトンが
包含されていることを特徴とする電子デバイス製造方
法。

【００２４】（２）前記照射ステップには、紫外線で前
記高誘電体材料の層を照射するステップが設けられ、こ
の紫外線照射は、オゾンを含む周囲環境の下で、前記高
誘電体材料のバンドギャップより大きなエネルギのフォ
トンを包含する、第１項記載の方法。

【００２５】（３）更に、酸素およびアルゴンを含んだ
反応性イオンエッチングプロセスで、前記高誘電率材料
の層の外側表面をエッチングするステップを設けた、第
１項記載の方法。 （４）前記エッチングステップに、３００℃から６００
℃の温度範囲で、エッチングするステップを設けた、第
３項記載の方法。 （５）更に、前記高誘電体材料の層の外側表面を、低圧
プラズマ中の反応性フッ素に露出させるステップを設け
た、第１項記載の方法。

【００２６】（６）更に、前記高誘電率材料の外側表面
を空気環境の下に露出させることなく、この高誘電率材
料から外側に、外側電極材料の層を、この外側電極材料
の堆積に先立って堆積するステップを設けた、第３項記
載の方法。 （７）第１項記載の製造方法を利用して製造した電子デ
バイス。

【００２７】（８）電子デバイスを製造するに当り、高
誘電率材料の層を基板上に堆積させるステップと；この
高誘電率材料の層に、紫外線を照射するステップと、こ
の紫外線照射には、オゾンを含む環境の下で、前記高誘
電体材料のバンドギャップより大きなエネルギのフォト
ンが包含されていることを特徴とする電子デバイス製造
方法であって、前記高誘電体材料の層の外側表面を、３
００℃から６００℃までの温度範囲の下で酸素およびア
ルゴンを含有する反応性イオンエッチングプロセスでエ
ッチングするステップと；前記高誘電体材料の層の外側
表面を、低圧プラズマ中で反応性フッ素に露出させるス
テップと；この高誘電体材料層の外側表面から外側に、
外側電極材料の層を堆積させるステップとを具備し、こ
の外側電極材料の堆積に先立って、前記高誘電体材料の
外側表面を、空気環境の下で露出させないで、この外側
電極材料の層を堆積させることを特徴とする電子デバイ
ス製造方法。 （９）第８項記載の製造方法を用いて製造した電子デバ
イス。

【００２８】（１０）電子デバイス１０を製造するため
の高誘電体材料を処理する方法。この電子デバイスに
は、内部電極２４、高誘電体層２８、および外側電極３
０が設けられている。この高誘電体層２８に対して、酸
素／オゾン環境の下で紫外線を照射して、不所望な水酸
化物および炭化物化合物を除去する。この層２８に、更
に、外側電極３０の堆積に先立って、高圧の等方性反応
イオンエッチング処理を施す。これら層２８，３０との
間のインターフェイスを、反応性フッ素および低圧プラ
ズマに露出させることによって、この層２８に関連した
正規の電気的特性および漏れ電流を改善する。

【００２９】関連出願 本願は米国特許出願第 号、１９９５年６月
５日出願、名称“高誘電体材料および付着層を利用した
半導体構造およびこの半導体構造を製造する方法”（代
理人Ｎｏ．１９５０８）、および米国特許出願第
号、１９９５年６月５日出願、名称“高密度、高
誘電体メモリデバイス中に内側電極を製造する方法”
（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１９５０７）に関連するものであ
る。

【００３０】以下に示した、既出願は、本願発明に関連
している。即ち、米国特許出願第０８／２８３，８８１
号“プラチナの簿層を有する改良された高誘電率材料電
極”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１７９５０）、発明者：Ｓｕ
ｍｍｅｒｆｅｌｔ，Ｂｅｒａｔａｎ，Ｋｉｒｌｉｎおよ
びＧｎａｄｅ。米国特許出願第０８／２８３，４６８号
“ペロブスカイト誘電体用の導電性プロブスカイト−シ
ード層を有する改良された電極”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−
１７９５２）、発明者：ＳｕｍｍｅｒｆｅｌｔおよびＢ
ｅｒａｔａｎ。米国特許出願第０８／２８３，４４２号
“二酸化ルテニウムの簿層を有する、改良された高誘電
体材料”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１９１５３）、発明者：
Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ，Ｂｅｒａｔａｎ，Ｋｉｒｌｉｎ
およびＧｎａｄｅ。米国特許出願第０８／２８３，４６
７号、“予備酸化処理された高誘電体材料電極”（代理
人Ｎｏ．ＴＩ−１９１８９）、発明者：Ｎｉｓｈｉｏｋ
ａ，Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ，ＰａｒｋおよびＢｈａｔｔ
ａｃｈａｒｙａ。米国特許出願第０８／２８３，８７１
号、“サイドウォールスペーサを有する高誘電体材料電
極”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１９２７２）、発明者：Ｎｉ
ｓｈｉｏｋａ，Ｐａｒｋ，Ｂｈａｔｔａｃｈａｒｙａお
よびＳｕｍｍｅｒｆｅｌｔ。米国特許出願第０８／２８
３，４４１号、“高誘電体材料電極用アモルファス−窒
化物バリア層”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１９５５４）、発
明者：Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ。米国特許出願第０８／２
８３，８７３号、“高誘電体材料電極用導電性エキゾチ
ック−窒化物バリア層”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１９５５
５）、発明者：Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ。米国特許出願第
０８／２７６，１９１号、１９９４年７月１５日出願、
“高誘電体材料用の軽度にドナーをドープ処理した電
極”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１７６６０．１）、発明者：
Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ，Ｂｅｒａｔａｎ、およびＧｎａ
ｄｅ。米国特許出願第０８／００９，５２１号、“誘電
体材料用電気的コネクション”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１
７３３９）、発明者：ＧｎａｄｅおよびＳｕｍｍｅｒｆ
ｅｌｔ。米国特許出願第０８／２６０，１４９号、“高
誘電体材料用軽度にドナーをドープ処理した電極”（代
理人Ｎｏ．ＴＴ−１７３３９．１）、発明者：Ｓｕｍｍ
ｅｒｆｅｌｔ，Ｂｅｒａｔａｎ、およびＧｎａｄｅ。米
国特許出願第０８／０４０，９４６号、“高誘電体材料
用軽度にドナーをドープ処理した電極”（代理人Ｎｏ．
ＴＩ−１７６６０）、発明者：Ｓｕｍｍｅｒｆｅｌｔ，
ＢｅｒａｔａｎおよびＧｎａｄｅ。米国特許出願第０８
／０４１，０２５号、“高誘電体材料用電極インターフ
ェイス”（代理人Ｎｏ．ＴＩ−１７６６１）、発明者：
ＳｕｍｍｅｒｆｅｌｔおよびＢｅｒａｔａｎ。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプロセス技術を利用して製造したメモ
リセルの横断面拡大図。

【図２】Ａは、高誘電体材料中で成長する結晶の一態様
を表わす横断面図。Ｂは、高誘電体材料中で成長する結
晶の他の態様を表わす横断面図。

【符号の説明】

１０ 電子デバイス １２ 基板 １４ アクティブ領域 １６ 中間レベル隔離層 ２２ バリア層 ２８ 高誘電体層 ３０ 堆積層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ツ アメリカ合衆国テキサス州プラノ，ラバカ ドライブ 4209

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子デバイスを製造する方法であって、 高誘電率材料の層を基板上に堆積させる工程と；前記高
   誘電率材料の層に、紫外線を照射する工程とを具備し、
   該紫外線照射には、オゾンを含む環境の下で、前記高誘
   電体材料のバンドギャップより大きなエネルギのフォト
   ンが包含されていることを特徴とする電子デバイス製造
   方法。