JPH08330258A - 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー - Google Patents

化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー

Info

Publication number
JPH08330258A
JPH08330258A JP8149891A JP14989196A JPH08330258A JP H08330258 A JPH08330258 A JP H08330258A JP 8149891 A JP8149891 A JP 8149891A JP 14989196 A JP14989196 A JP 14989196A JP H08330258 A JPH08330258 A JP H08330258A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rinse
spray
openings
polishing
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8149891A
Other languages
English (en)
Inventor
James M Mullins
ジェームス・ミカエル・ムリンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH08330258A publication Critical patent/JPH08330258A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・
バーが提供される。 【解決手段】 CMP装置10に付加されるリンス・ス
プレー・バー24は、研磨パッド12の完全で均一な濡
れとすすぎを提供してプロセスを改良する。このリンス
・スプレー・バーは、その長さの一部分まで通っている
第1開口部26と、第1開口部に接続される複数の第2
開口部28を有して、リンス剤の複数の流路を作る。こ
れらの第2開口部28は、リンス剤が、雰囲気圧より高
い圧力で第2開口部からスプレーできるように、またス
プレー・パターンが互いにオーバーラップして、均一な
濡れを確保するために、リンス・スプレー・バーの低面
の上で、スプレー・ノズル36によってキャップされ
る。インライン・バルブ34は、投入ライン30を介し
て入ってくるリンス剤の圧力を調整し制御して、スプレ
ー・ノズルの圧力を変更できるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加工に関し、さら
に詳しくは半導体ウエハの化学機械研磨に使用するリン
ス・スプレー・バー(rinise spray bar)に関する。
【0002】
【従来の技術】現在の半導体ウエハ加工の1つの側面は
一般に、半導体ウエハ上の金属層の間に交互に誘電層を
形成することを含む。誘電層または金属層の各々の形成
が、結果的に、コンフォーマル層を生じることが多く、
この層は下に位置する表面の微細構成に対応する。これ
らの層はしばしば平坦化が必要とされる。技術上、ウエ
ハ表面を平坦化する各種の方法がある。上記の1つの方
法は、研磨を採用して、半導体ウエハ上の最上層の表面
に沿って突起を除去する。この方法では、半導体ウエハ
は、研磨パッドで被覆されるテーブル上に下向きに置か
れ、研磨パッドは、スラリまたは研磨材料でコーティン
グされる。ついでウエハとテーブルの両方が、互いに関
連しあって回転して、ウエハ表面の突起を除去する。ウ
エハ表面を平坦化するこの工程は、一般に化学機械研磨
(CMP)という。
【0003】CMP工程の重要部分は、ウエハと研磨パ
ッドのすすぎである。現在では、チューブがCMP装置
に付着されて、研磨パッドの中心に向かって液体を分配
する。すすぎ工程に使用されている液体は水であるが、
このチューブは、研磨工程で使用されるスラリ材料を分
配するのにも装備される。チューブは研磨パッドの中心
まで伸びており、チューブ端部の開口を通して、単に水
を分配する。この方法は、研磨パッドの回転によって生
じる遠心力に依存して、研磨パッドの表面全体に水を分
配する。
【0004】しかしながら、先行技術の方法には複数の
欠点がある。前記欠点の1つは、所望されるように研磨
パッドの表面積全体に均一に分配される代わりに、水が
研磨パッドの中心から放射状に水路または細流になって
流れる傾向があることである。水路と水路の間の表面部
分は、乾いたまま残される場合がある。従って、研磨パ
ッドの不均一な濡れが生じて、結果的に研磨面が不均一
になる。このような研磨パッド表面の劣化の結果、研磨
率が低く不安定で予測できないものとなり、これが不均
一に研磨されたウエハ表面をもたらして、望ましくな
い。もう1つの欠点は、不均一な研磨により、研磨パッ
ドの有効寿命(研磨パッドを交換しなければならない間
隔)が短くなって、装置の停止時間が長くなり、CMP
の費用もかさむ。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このため、不均一に研
磨されたウエハ表面を避けるために、研磨の飽和および
安定性のある表面を維持すべく、研磨パッドの均一な濡
れとすすぎを得る方法が望ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、1つの実施例
では、半導体ウエハを研磨するCMPに使用するリンス
・スプレー・バーを提供する。本発明の実施例は、CM
P装置のすべての研磨パッド・ステーションと一緒に使
用できる。リンス・スプレー・バーは、化学的に中性で
硬質の伸長部材によって構成され、リンス剤がそこを通
って流れるように、伸長部材の長さの一部分まで通って
いる第1開口部を有する。また、リンス・スプレー・バ
ーは、複数の第2開口部を有し、これらは、伸長部材の
(第1開口部に接続される)長手方向に沿って位置し
て、リンス剤が複数の流路を持つようにする。第2開口
部の中心線は、第1開口部の中心線と実質的に直交す
る。これらの第2開口部は、伸長部材の底面にあるスプ
レー・ノズルによってキャップされて、リンス剤が、雰
囲気圧より高い圧力で第2開口部からスプレーできるよ
うにする。リンス・スプレー・バーは、研磨パッド上に
配置され、スプレー・ノズルが、パッドの表面に対し下
向きになるように、またリンス・スプレー・バーがパッ
ドの表面に対して実質的に平行になるようにする。リン
ス剤を分配するラインが、リンス・スプレー・バーに付
着される。インライン・バルブが、入ってくるリンス剤
の圧力を調整し制御して、スプレー・ノズルの圧力を必
要に応じて変更できるようにする。リンス・スプレー・
バーは、CMP工程中、必要に応じて電源をオンにでき
て、スラリや各種研磨段階の残留物をすすぎ落とす。リ
ンス剤をスプレーするノズルが複数あるため、研磨パッ
ドおよび半導体ウエハの研磨した表面の均一な濡れとす
すぎが可能となる。上記およびその他の特徴と利点は、
添付図面と合わせて、以下の詳細な説明からより明確に
把握されよう。
【0007】
【実施例】図1は、本発明のリンス・スプレー・バー2
4を有するCMP研磨装置10の上面図である。図に示
すように、CMP装置10は2つの研磨パッド・ステー
ション、すなわち研磨パッド12,12’を有する。研
磨パッド12は、一次もしくは第1の研磨パッドである
のに対し、研磨パッド12’は仕上げまたは最終研磨パ
ッドである。どちらの研磨パッドも、図中の矢印で示す
ように、研磨中は回転する。研磨アーム20は、半導体
ウエハ22を、研磨パッド12の表面に対し、下向きに
保持する。研磨アーム20は移動可能で、ウエハが初期
の研磨工程を終えたなら、最終研磨パッド12’の表面
上に、半導体ウエハ22を配置する。チューブ16,1
6’は、以前から存在する装置の一部である。これらの
チューブは、研磨パッドの中心へと放射線状に伸び、各
チューブの端部に1個の開口のみを有して、パッドの中
心にスラリまたは水を分配する。これらのチューブ1
6,16’は、研磨工程に必要なスラリと、すすぎ工程
用の水の両方を分配するという複数の目的を有する。前
述したように、これらのチューブは、チューブの端部に
ある開口で液体を分配することに限定される。本発明
は、リンス・スプレー・バー24,24’をCMP装置
に付加して、CMP全体のプロセスにとって多くの利点
を持たらすようにすすぎ工程を改良する。リンス・スプ
レー・バー24,24’はまた、研磨パッドの中心に向
かって放射状に伸びる。チューブ16とリンス・スプレ
ー・バー24とが正確な角度を成すことは重要でない。
寧ろ、これらの位置は、どのようなスペースが得られる
ところでも、既存の装置と最適な適合が得られるように
変更できる。リンス・スプレー・バーの使用は、Westec
h磨システムの形で実施化されてきた。しかしながら、
リンス・スプレー・バーの用途は、Westech システムに
なんら限定されず、CMP装置とともに使用するように
適合させることができる。
【0008】図2は、本発明により、研磨パッド12の
上に置かれる図1のリンス・スプレー・バー24の側面
図を示す。リンス・スプレー・バー24は、第1開口部
26を有する伸長部材25によって構成され、第1開口
部はその長さの一部分まで伸びている。リンス・スプレ
ー・バー24の長さは、研磨パッドの大きさに依存して
いる。なぜなら、バーが研磨パッドの中心まで伸びるほ
ど十分に長くする必要があるからである。しかしなが
ら、先行技術の既知のチューブと違って、本発明のリン
ス・スプレー・バー24は、バーの端部に開口を持たな
い。それは、リンス・スプレー・バーの動作が、先行技
術のチューブとは異なる原理に基づいているからであ
る。リンス・スプレー・バー24の端部は、第1開口部
26をプラグ27で栓をすることにより、または伸長部
材25の全長を通る完全な開口部を空けないことによっ
て、閉じられる。プラグ27は、伸長部材25と同じ材
料か、または化学的に中性で非反応性材料によって作る
ことができる。先行技術は、チューブの端部にある開口
を通してリンス剤を分配し、遠心力に依存して、リンス
剤を研磨パッドの表面部分に対し外側へと分配する。こ
の方法は前述したように非効率的で多くの欠点がある。
【0009】これとは対照的に、本発明のリンス・スプ
レー・バー24は、伸長部材25の長手方向に沿って配
置された一連の第2開口部28を第1開口部26と接続
して、図2に示すように、リンス剤の複数の流路を形成
する。これは要求はしないが、リンス・スプレー・バー
24の投入端部から初めて、第2開口部の大きさを次第
に大きくすることが望ましい。たとえば、直径1/32
インチ(0.79mm)が、投入端部に最も近い第1の
第2開口部28に使用され、その後の各第2開口部は、
1/32インチ(0.79mm)ずつ徐々に大きくし
た。これらの寸法は、図に示すことのみを意図し、限定
するものではない。第2開口部28の主軸は第1開口部
26の主軸とほぼ直角を成す。また第2開口部28は、
リンス・スプレー・バー24の長手方向に沿ってほぼ均
一な間隔を開けて配置され、研磨パッド12の表面にリ
ンス剤が均一に拡散されるようにする。2つの隣接する
第2開口部28間の間隔の実際の範囲は、ほぼ30から
45mmである。その目的は、研磨パッド表面を完全且
つ一様にカバーするために、オーバーラップしたスプレ
ー・パターンを得ることである。
【0010】スプレー・ノズル36は、研磨パッド12
の表面部分にリンス剤を均一に拡散させるために、第2
開口部28に適合させる必要がある。スプレー・ノズル
36が使用されない場合には、第2開口部の位置に対応
する洗浄スポットのみが研磨パッド上で観測できる。こ
のスポット洗浄は、パッドの不均一なエージングや研磨
工程中の不均一の除去率を招く。しかしながら、スプレ
ー・ノズル36は、リンス剤を、雰囲気圧より高い圧力
でスプレーでき、またノズルは調整可能な開口位置を有
するので、スプレー・パターンは、図2に示すように扇
状になる。これらのスプレー・パターンは、互いにオー
バーラップするように設計され、研磨パッドの表面部分
が完全に濡れるようにする。
【0011】リンス剤はライン30から与えられ、この
ラインはリンス・スプレー・バー24の投入端部に、コ
ネクタ32によって付着される。コネクタ32は、任意
の一般的種類のものでできるが、Flaretekコネクタが実
施化に使用された。リンス剤は水または水酸化アンモニ
ウム(NH4 OH)でよい。またもう1つの適切な液体
も、リンス・スプレー・バー24によって分配すること
ができる。インライン・バルブ34は、リンス剤の入り
圧力を制御する。発明の実施化にあたっては、0.37
5インチ(9.5mm)のテフロンのチューブがライン
30に使用され、ニードル・バルブが、インライン圧力
を制御するのに使用された。しかしながら、ライン30
およびインライン・バルブ34に他の同等の代替物を使
用しても、リンス・スプレー・バー24の動作に影響を
与えない。発明の実施化に使用されたスプレー・ノズル
は、技術上通常のものとして知られている標準型であ
り、ノズル・メーカーを通じて容易に入手できる。本発
明を実施するには、リンス・スプレー・バー24の底面
と、研磨パッド12の表面との間の分離距離を、実際的
な距離に設定するのが望ましい。ついでスプレー・ノズ
ルとインライン・バルブが調整されて、液体リンス剤の
均一でオーバーラップするスプレーを得る。大気圧を1
0psi(69kPa)上回る圧力を使用して、1イン
チ(25mm)の分離で実施化したが、5から15ps
i(35から100kPa)の範囲の圧力が、実際の分
離距離には適するものと予想される。しかしながら、圧
力の増加によって、リンス・スプレー・バーおよび研磨
パッドを、発明の実施化に使用した1インチよりもさら
に離して配置することができる。また圧力の増加によっ
て、第2開口部(とその対応するスプレー・ノズル)
を、スプレー・パターンのオーバーラップにより、さら
に離して配置することができる。
【0012】線3- 3に沿って切った断面図は、リンス
・スプレー・バー24の形状を詳細に示す。図3に示す
ように、リンス・スプレー・バー24の上部エッジは、
テーパーが施されるかまたは面取りされて、リンス・ス
プレー・バー24の上部における液体の蓄積を減らす。
しかしながら、角を丸めれば、十分に液体を上部表面か
ら流せる。またリンス・スプレー・バー24の上部表面
は、傾斜を付けるかまたはドーム形にしても、液体のは
けをよくできる。また図3では、第1開口部の形状が円
形に示されているが、円形の穴が最も容易に作れるから
である。しかしながら、楕円など他の形状も、それらが
製造可能である限り使用できる。直径5から10mmの
範囲の円形穴で十分である。スプレー・ノズル36を固
定し、各スプレー・ノズル36と研磨パッド12の表面
からの設定された距離を維持するには、平らな底面が望
ましい。
【0013】リンス・スプレー・バー24は、硬質で機
械加工可能な材料から作るべきであり、これらの材料は
化学的に中性で、CMP加工で使用される化学薬品と反
応しない。CMPで使用されるスラリは極めて腐食性が
高く、pHは1から2であるため、材料はこの種の条件
にも耐えられるものにすべきである。また、リンス・ス
プレー・バー24は、バーの所要の長さで撓んだり、曲
がったりしない十分な堅さの材料によって構成されるこ
とも重要である。なぜなら、リンス・スプレー・バー2
4の底面にあるスプレー・ノズル36と研磨パッド12
の表面は、リンス剤を均一にスプレーするために互いに
実質的に平行にすべきだからである。ポリふっ化ビニリ
デン(PVDF)は、実施化に成功した材料であり、こ
の場合、リンス・スプレー・バーはの長さは15.75
から16インチ(40から41cm)、幅が1から1.
5インチ(2.5から3.8cm)、厚さが0.75イ
ンチ(1.9cm)だけ変化する。しかしながら、本発
明の実施はPVDFに限られない。所要の特性を満たす
他の材料もかなり使用できる。このような材料の1つが
メタクリル酸メチル(PMMA)である。また、リンス
・スプレー・バー24の物理的寸法は、実施化に使用さ
れたものとは異なってもよい。実際的な長さの範囲はほ
ぼ35から45cmの変化をとれると予想される。実際
的な幅は、ほぼ25から45mmの範囲をとり、実際的
な厚さは15から20mmの範囲をとろう。
【0014】CMP装置でリンス・スプレー・バー24
を使用する方法では、研磨する半導体ウエハ22を動か
す研磨アーム20が、一次研磨パッド12の上に配置さ
れる。半導体ウエハ22と研磨パッド12は、ウエハ表
面から余分な材料が除去されるまで(通常数百オングス
トロームの材料)、互いに関連し合って指定した時間回
転する。回転速度は、制御装置によって制御でき、本発
明の用途をなんら限定しない。所望の量の材料がウエハ
表面から除去されたなら、リンス・スプレー・バー24
がオンになって、研磨パッドの表面の上にリンス剤を拡
散させる。リンス剤(水,水酸化アンモニウムまたは別
の適切な液体でもよい)は、研磨工程によって生じるウ
エハ表面の残留物を除去するとともに、後に他のウエハ
を研磨するために研磨パッド12を洗浄する。第1の研
磨工程の後、通常、半導体ウエハ22は、最終研磨パッ
ド12’上で最終研磨が施される。半導体ウエハ22の
仕上げ研磨後にリンス・スプレー・バー24’を使用す
れば、研磨工程によって、ウエハ表面の描画線(scribe
line )内に残された残留物を除去するのに役立つ。
【0015】上記の説明および添付図は、本発明に関連
する多くの利点を示している。特に、本発明は先行技術
よりも多くの利点を有することが明かとなった。本発明
は単純でありながら極めて効果的である。リンス・スプ
レーに使用されるプラスチック材料は、CMP薬剤と反
応しないので、腐食は問題にならない。実際の発明の実
施化から、研磨パッドの均一の濡れおよびすすぎが、本
発明の使用を通して達成できることが判明した。これに
より、均一な除去率が得られ、これは、チューブによる
研磨パッドの不均一な濡れおよびすすぎのために不均一
な除去率が普通だった先行技術に対して、劇的な改良点
である。リンス・スプレー・バーを使用して達成した除
去率のこのような均一性は、CMPプロセスの予測性を
大幅に高める。またリンス・スプレー・バーの使用は、
パッドの均一なエージングを可能にすることにより、研
磨パッドの寿命を伸ばすという利点を有する。また先行
技術の研磨工程からの残留物の蓄積は、リンス剤の加圧
スプレーによってすすぎ落とすことができる。本発明の
もう1つの大きな利点は、極めて費用効果が高いことで
ある。リンス・スプレー・バーは、容易に入手できる安
価な材料を用いて、機械工場で容易に作られる。
【0016】本発明により、前述した必要性および利点
を完全に満たす、CMPプロセスでの使用を対象とする
リンス・スプレー・バーが提供されることは明かであ
る。本発明は、その具体的実施例を引用して説明し、明
らかにしてきたが、本発明はこれらの図示した実施例に
限定されることを意図していない。当業者は、本発明の
意図から逸脱することなく、変形およびバリエーション
が可能であることを認めよう。たとえば、リンス・スプ
レー・バーの寸法はここで考察したものとは異なっても
よい。同様に、穴の数およびスプレー・ノズルの数も、
リンス・スプレー・バーの長さ、およびカバーする表面
積に依存して、変更してもよい。使用方法に関するバリ
エーションでは、スラリを用いて半導体ウエハの表面を
研磨することができる。ついで、リンス・スプレー・バ
ーによって水を用いたすすぎ工程で、研磨パッドの表面
および研磨したウエハ表面を均一に濡らしてすすぐ。つ
いで、水酸化アンモニウムが、ウエハ面を洗浄するのに
分配される。水酸化アンモニウムも、リンス・スプレー
・バー24’を通して分配できる。リンス・スプレー・
バーは、種々のタイプの液体の拡散に対応すべく、複数
の第1開口部を持つように製造してもよい。そのため本
発明は、添付請求の範囲に属するすべてのバリエーショ
ンおよび変形を包含することを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のリンス・スプレー・バーの使用方法
を示す、研磨装置の上面図である。
【図2】 本発明によるリンス・スプレー・バーの側面
図である。
【図3】 図2のリンス・スプレー・バーを線3- 3に
沿って切った断面図である。図は必ずしも縮尺どおりに
描かれておらず、また具体的に示していないが本発明の
他の実施例も可能であることを指摘しておく。
【符号の説明】
10 CMP研磨装置 12,12’ 研磨パッド 16,16’ チューブ 20 研磨アーム 22 半導体ウエハ 24,24’ リンス・スプレー・バー 25 伸長部材 26 第1開口部 27 プラグ 28 第2開口部 30 ライン 32 コネクタ 34 インライン・バルブ 36 スプレー・ノズル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 化学機械研磨(CMP)装置(10)に
    使用するリンス・スプレー・バー(24)であって:硬
    質で化学的に中性な材料から構成される伸長部材(2
    5)であって、前記伸長部材は、第1端部と第2端部、
    リンス剤が前記第1端部から前記第2端部へと流れるよ
    うに前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在する
    第1開口部(26)、および前記伸長部材の表面上に複
    数の第2開口部(28)を有し、前記複数の第2開口部
    は、前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置
    され、また前記複数の第2開口部は、前記第1開口部に
    接続されて、前記リンス剤が前記第1開口部から前記複
    数の第2開口部へと流れる伸長部材;および複数のスプ
    レー・ノズル(36)であって、各スプレー・ノズル
    は、前記複数の第2開口部の1つに付着されており、各
    スプレー・ノズルは調整可能なオープン位置を有し、前
    記リンス剤が、雰囲気圧より高い圧力で前記リンス・ス
    プレー・バーから分配できるようにする複数のスプレー
    ・ノズル;によって構成されることを特徴とするリンス
    ・スプレー・バー。
  2. 【請求項2】 化学機械研磨(CMP)装置(10)に
    使用するリンス・スプレー・バー(24)であって:硬
    質で化学的に中性な材料から構成される伸長部材(2
    5)であって、前記伸長部材は、第1端部と第2端部、
    リンス剤が前記第1端部から前記第2端部へと流れるよ
    うに前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在する
    第1開口部(26)、および前記伸長部材の表面上に複
    数の第2開口部(28)を有し、前記複数の第2開口部
    は、前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置
    され、また前記複数の第2開口部は、前記第1開口部に
    接続されて、前記リンス剤が前記第1開口部から前記複
    数の第2開口部へと流れる伸長部材;および複数のスプ
    レー・ノズル(36)であって、各スプレー・ノズルは
    前記複数の第2開口部の1つに付着されており、各スプ
    レー・ノズルは調整可能なオープン位置を有して、前記
    リンス剤が、扇状のスプレー・パターンで、雰囲気圧よ
    り高い圧力で前記リンス・スプレー・バーから分配でき
    るようにし、また前記複数の第2開口部は、第1スプレ
    ー・ノズルからの前記扇状スプレー・パターンが、隣接
    するスプレー・ノズルからの前記扇状スプレー・パター
    ンとオーバーラップするように十分に近接した間隔を開
    けて配置される複数のスプレー・ノズル;によって構成
    されることを特徴とするリンス・スプレー・バー。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハを研磨する方法であって:
    CMP装置(10)に接続されたリンス・スプレー・バ
    ー(24)を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー(24)は、硬質で化学的に中性なポリマーに
    よって構成される伸長部材(25)を有し、前記伸長部
    材は、第1端部および第2端部、リンス剤が前記第1端
    部から前記第2端部へと流れるように前記伸長部材の長
    手方向の一部分に沿って存在する前記伸長部材、および
    前記伸長部材の表面上にある複数の第2開口部(28)
    を有し、前記複数の第2開口部は前記伸長部材の長手方
    向に沿って間隔を開けて配置され、また前記複数の第2
    開口部は、前記第1開口部に接続されて、前記リンス剤
    が前記第1開口部から前記複数の第2開口部へと流れる
    伸長部材;および複数のスプレー・ノズル(36)であ
    って、各スプレー・ノズルは、前記複数の第2開口部の
    1つに付着されており、各スプレー・ノズルは調整可能
    なオープン位置を有して、前記リンス剤が、雰囲気圧よ
    り高い気圧で前記リンス・スプレーから分配できるよう
    にする複数のスプレー・ノズルを有する段階;前記リン
    ス・スプレー・バー(24)を配置する段階であって、
    前記複数のスプレー・ノズル(36)は、研磨パッド
    (12)の上に下向きに付けられ、前記リンス・スプレ
    ー・バーは、前記研磨パッドの中心に向かって放射状に
    伸びる段階;研磨する表面を有する半導体ウエハ(2
    2)を、前記研磨パッドの上に下向きに配置する段階;
    前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回転させる
    ことによって、半導体ウエハの表面を研磨して、研磨面
    を形成する段階;および前記リンス剤を前記リンス・ス
    プレー・バーを介して、前記研磨パッド、および前記半
    導体ウエハの前記研磨面に導入して、前記研磨パッドお
    よび前記研磨面を洗浄する段階;によって構成されるこ
    とを特徴とする研磨方法。
  4. 【請求項4】 半導体ウエハを研磨する方法であって:
    CMP装置(10)に接続されるリンス・スプレー・バ
    ー(24)を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー(24)は、硬質で化学的に中性なポリマーに
    よって構成され、前記伸長部材は、第1端部および第2
    端部、リンス剤が前記第1端部から前記第2端部に流れ
    るように前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在
    する第1開口部(26)、および前記伸長部材の表面上
    に複数の第2開口部(28)を有し、前記複数の第2開
    口部は前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配
    置され、また前記複数の第2開口部は、前記第1開口部
    に接続されて、前記リンス剤が前記第1開口部から前記
    複数の第2開口部へと流れる伸長部材;および複数のス
    プレー・ノズル(36)であって、各スプレー・ノズル
    は、前記複数の第2開口部の1つに付着されており、各
    スプレー・ノズルは調整可能なオープン位置を有し、前
    記リンス剤が、前記リンス・スプレー・バーから、雰囲
    気圧より高い圧力で、前記リンス・スプレー・バーから
    分配できるようにする複数のスプレー・ノズルを有する
    段階;前記リンス・スプレー・バー(24)を配置する
    段階であって、前記複数のスプレー・ノズル(36)
    は、研磨パッド(12)の上に下向きに付けられ、前記
    リンス・スプレー・バーは、前記研磨パッドの中心に向
    かって放射状に伸びる段階;研磨する表面を有する半導
    体ウエハ(22)を、研磨パッドの上に下向きに配置す
    る段階;前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回
    転させることによって、前記半導体ウエハの表面を研磨
    して、研磨面を形成する段階;および前記リンス剤を前
    記リンス・スプレー・バーを介して前記研磨パッドの上
    に、大気圧より約35から100kPa高い気圧で、前
    記研磨パッドおよび前記半導体ウエハの研磨面の上に導
    入して、前記研磨パッドおよび前記研磨面を洗浄する段
    階;によって構成されることを特徴とする研磨方法。
  5. 【請求項5】 半導体ウエハを研磨する方法であって:
    CMP装置(10)に接続されるリンス・スプレー・バ
    ー(24)を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー(24)は、PVDFによって構成される伸長
    部材を有し、第1端部および第2端部、リンス剤が前記
    第1端部から前記第2端部に流れるように前記伸長部材
    の長手方向の一部分に沿って存在する第1開口部(2
    6)、および前記伸長部材の表面上に存在する複数の第
    2開口部(28)を有し、前記複数の第2開口部は前記
    伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置され、ま
    た前記複数の第2開口部は、前記第1開口部に接続され
    て、前記リンス剤が前記第1開口部から前記複数の第2
    開口部へと流れる伸長部材;および複数のスプレー・ノ
    ズル(36)であって、各スプレー・ノズルは、前記複
    数の第2開口部の1つに付着されており、各スプレー・
    ノズルは調整可能なオープン位置を有して、前記リンス
    剤が、前記リンス・スプレー・バーから、雰囲気圧より
    高い圧力で、前記リンス・スプレー・バーから分配でき
    るようにし、また前記複数の第2開口部は、第1スプレ
    ー・ノズルからの扇状パターンが、隣接するスプレー・
    ノズルからの扇状パターンとオーバーラップするよう
    に、十分に近接した間隔を開けて配置される複数のスプ
    レー・ノズルを有する段階;前記リンス・スプレー・バ
    ー(24)を配置する段階であって、前記複数のスプレ
    ー・ノズル(36)は、研磨パッド(12)の上に下向
    きに付けられ、前記リンス・スプレー・バーは、前記研
    磨パッドの中心に向かって放射状に伸び、また前記リン
    ス・スプレー・バーが、前記研磨パッドの表面に対して
    ほぼ平行である段階;研磨する表面を有する半導体ウエ
    ハ(22)を、研磨パッドの上に下向きに配置する段
    階;前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回転さ
    せることによって、前記半導体ウエハの表面を研磨し
    て、研磨面を形成する段階;および前記リンス剤を前記
    リンス・スプレー・バーを介して、前記研磨パッドへの
    スプレー・パターンと、前記半導体ウエハの前記研磨面
    へのスプレー・パターンとがオーパーラップする形でス
    プレーして、前記研磨パッドおよび前記研磨面を洗浄す
    る段階;によって構成されることを特徴とする研磨方
    法。
JP8149891A 1995-06-02 1996-05-21 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー Pending JPH08330258A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US459231 1989-12-29
US08/459,231 US5578529A (en) 1995-06-02 1995-06-02 Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08330258A true JPH08330258A (ja) 1996-12-13

Family

ID=23823936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8149891A Pending JPH08330258A (ja) 1995-06-02 1996-05-21 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5578529A (ja)
JP (1) JPH08330258A (ja)
KR (1) KR100381075B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016097465A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 株式会社荏原製作所 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895270A (en) * 1995-06-26 1999-04-20 Texas Instruments Incorporated Chemical mechanical polishing method and apparatus
JP3778594B2 (ja) * 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
JP3678468B2 (ja) * 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JPH09186116A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
EP0787561B1 (en) * 1996-02-05 2002-01-09 Ebara Corporation Polishing apparatus
KR0151102B1 (ko) * 1996-02-28 1998-10-15 김광호 화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법
US5738567A (en) * 1996-08-20 1998-04-14 Micron Technology, Inc. Polishing pad for chemical-mechanical planarization of a semiconductor wafer
JP2800802B2 (ja) * 1996-09-20 1998-09-21 日本電気株式会社 半導体ウェハーのcmp装置
US5782675A (en) * 1996-10-21 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing fixed-abrasive polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6769967B1 (en) 1996-10-21 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for refurbishing polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
TW426556B (en) * 1997-01-24 2001-03-21 United Microelectronics Corp Method of cleaning slurry remnants left on a chemical-mechanical polish machine
US5893753A (en) * 1997-06-05 1999-04-13 Texas Instruments Incorporated Vibrating polishing pad conditioning system and method
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US5997392A (en) * 1997-07-22 1999-12-07 International Business Machines Corporation Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing
US6071816A (en) * 1997-08-29 2000-06-06 Motorola, Inc. Method of chemical mechanical planarization using a water rinse to prevent particle contamination
US5957757A (en) * 1997-10-30 1999-09-28 Lsi Logic Corporation Conditioning CMP polishing pad using a high pressure fluid
US5916010A (en) * 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
EP0913233B1 (en) * 1997-10-31 2005-05-11 Ebara Corporation Polishing solution supply system
US5945346A (en) * 1997-11-03 1999-08-31 Motorola, Inc. Chemical mechanical planarization system and method therefor
US5957750A (en) * 1997-12-18 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
US6241587B1 (en) * 1998-02-13 2001-06-05 Vlsi Technology, Inc. System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine
US6220941B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) * 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6491570B1 (en) 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
US6429131B2 (en) * 1999-03-18 2002-08-06 Infineon Technologies Ag CMP uniformity
US6053801A (en) * 1999-05-10 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination
US6352595B1 (en) * 1999-05-28 2002-03-05 Lam Research Corporation Method and system for cleaning a chemical mechanical polishing pad
US6283840B1 (en) * 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6350183B2 (en) 1999-08-10 2002-02-26 International Business Machines Corporation High pressure cleaning
US6306008B1 (en) 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6296547B1 (en) 1999-11-16 2001-10-02 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
US6273797B1 (en) 1999-11-19 2001-08-14 International Business Machines Corporation In-situ automated CMP wedge conditioner
JP2001212750A (ja) * 1999-11-25 2001-08-07 Fujikoshi Mach Corp ポリシングマシンの洗浄装置およびポリシングマシン
US6517416B1 (en) * 2000-01-05 2003-02-11 Agere Systems Inc. Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher
JP2001191246A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Nec Corp 平面研磨装置および平面研磨方法
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
US6629881B1 (en) 2000-02-17 2003-10-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling slurry delivery during polishing
US6669538B2 (en) 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
US6622335B1 (en) 2000-03-29 2003-09-23 Lam Research Corporation Drip manifold for uniform chemical delivery
US20020016136A1 (en) * 2000-06-16 2002-02-07 Manoocher Birang Conditioner for polishing pads
US6561884B1 (en) 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
US6482072B1 (en) * 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
US6659849B1 (en) 2000-11-03 2003-12-09 Applied Materials Inc. Platen with debris control for chemical mechanical planarization
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
WO2002043923A1 (de) * 2000-11-29 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Reinigungsvorrichtung zum reinigen von für das polieren von halbleiterwafern verwendeten poliertüchern
JP2004516673A (ja) * 2000-12-22 2004-06-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 上流及び下流の流体供給手段を用いた化学的機械的研磨(cmp)のための方法及び装置
KR100443770B1 (ko) * 2001-03-26 2004-08-09 삼성전자주식회사 기판의 연마 방법 및 연마 장치
KR20020096083A (ko) * 2001-06-16 2002-12-31 동부전자 주식회사 화학적 기계 연마 장치의 세척수 공급 유닛
US7014552B1 (en) * 2001-07-06 2006-03-21 Cypress Semiconductor Corp. Method and system for cleaning a polishing pad
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US6605159B2 (en) * 2001-08-30 2003-08-12 Micron Technology, Inc. Device and method for collecting and measuring chemical samples on pad surface in CMP
KR20030050796A (ko) * 2001-12-19 2003-06-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
JP2003211355A (ja) * 2002-01-15 2003-07-29 Ebara Corp ポリッシング装置及びドレッシング方法
KR100517176B1 (ko) * 2002-05-08 2005-09-26 동부아남반도체 주식회사 화학기계적 연마장치의 로터리 트랜스포터
US6764388B2 (en) * 2002-05-09 2004-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd High-pressure pad cleaning system
FR2842755B1 (fr) * 2002-07-23 2005-02-18 Soitec Silicon On Insulator Rincage au moyen d'une solution de tensioactif apres planarisation mecano-chimique d'une tranche
US6939210B2 (en) * 2003-05-02 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Slurry delivery arm
US6908370B1 (en) * 2003-12-04 2005-06-21 Intel Corporation Rinse apparatus and method for wafer polisher
US20060073773A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Exley Richard J High pressure pad conditioning
US7108588B1 (en) * 2005-04-05 2006-09-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method, and apparatus for wetting slurry delivery tubes in a chemical mechanical polishing process to prevent clogging thereof
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US20070181442A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for foam removal in an electrochemical mechanical substrate polishing process
US8449356B1 (en) * 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
US8523639B2 (en) * 2008-10-31 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Self cleaning and adjustable slurry delivery arm
CN101758420B (zh) * 2008-12-08 2016-04-20 香港科技大学 一种提供冷却的系统、装置及方法
US9349679B2 (en) 2010-08-31 2016-05-24 Utac Thai Limited Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors
CN102554748B (zh) * 2010-12-23 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光方法
CN102553849B (zh) * 2010-12-29 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种固定研磨粒抛光垫清洗装置及清洗方法
CN102129959A (zh) * 2011-01-05 2011-07-20 清华大学 晶圆清洗装置及利用该晶圆清洗装置清洗晶圆的方法
US9299593B2 (en) * 2011-08-16 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device cleaning method and apparatus
CN102553850A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 枣庄矿业(集团)付村煤业有限公司 自动喷水清障装置
JP6209088B2 (ja) * 2013-01-25 2017-10-04 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
US9966281B2 (en) * 2013-11-15 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for chemical mechanical polish cleaning
US11390466B1 (en) 2018-01-17 2022-07-19 James P. Gallagher Apparatus for use in molecular transfer and delivery of substances such as vapors, gases, liquids, and sprays
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
CN110756483A (zh) * 2019-09-19 2020-02-07 上海提牛机电设备有限公司 一种晶圆抓片机构清洗装置
US20210146406A1 (en) * 2019-11-18 2021-05-20 Ford Global Technologies, Llc Cleaning apparatus for sensor
US20220041139A1 (en) * 2020-08-05 2022-02-10 Ford Global Technologies, Llc Sensor cleaning apparatus
US20220184771A1 (en) * 2020-12-14 2022-06-16 Applied Materials, Inc. Polishing system apparatus and methods for defect reduction at a substrate edge
CN114536224A (zh) * 2022-04-11 2022-05-27 北京烁科精微电子装备有限公司 一种研磨液输出臂及稳定研磨速率的方法
CN117340792A (zh) * 2023-11-21 2024-01-05 禹奕智能科技(杭州)有限公司 一种抛光垫自动浸润装置及利用其进行抛光垫浸润的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3342652A (en) * 1964-04-02 1967-09-19 Ibm Chemical polishing of a semi-conductor substrate
US3583110A (en) * 1968-09-26 1971-06-08 Owens Illinois Inc Method of polishing
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
US4891110A (en) * 1986-11-10 1990-01-02 Zenith Electronics Corporation Cataphoretic process for screening color cathode ray tubes
JP2628915B2 (ja) * 1989-06-05 1997-07-09 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5081051A (en) * 1990-09-12 1992-01-14 Intel Corporation Method for conditioning the surface of a polishing pad
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5291693A (en) * 1992-08-20 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Semiconductors structure precision lapping method and system
US5216843A (en) * 1992-09-24 1993-06-08 Intel Corporation Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US5272104A (en) * 1993-03-11 1993-12-21 Harris Corporation Bonded wafer process incorporating diamond insulator
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016097465A (ja) * 2014-11-20 2016-05-30 株式会社荏原製作所 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法
TWI664055B (zh) * 2014-11-20 2019-07-01 日商荏原製作所股份有限公司 研磨面洗淨裝置、研磨裝置、及研磨面洗淨裝置之製造方法
US10661411B2 (en) 2014-11-20 2020-05-26 Ebara Corporation Apparatus for cleaning a polishing surface, polishing apparatus, and method of manufacturing an apparatus for cleaning a polishing surface

Also Published As

Publication number Publication date
US5578529A (en) 1996-11-26
KR970003643A (ko) 1997-01-28
KR100381075B1 (ko) 2003-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08330258A (ja) 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー
CN107958855B (zh) 基板处理方法
US6913523B2 (en) Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
JP2892476B2 (ja) 帯状液体ノズル及び液処理装置及び液処理方法
US20100197204A1 (en) Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US7156721B2 (en) Polishing pad with flow modifying groove network
US20060105678A1 (en) Polishing apparatus and polishing method
US6899609B2 (en) CMP equipment for use in planarizing a semiconductor wafer
US5646071A (en) Equipment and method for applying a liquid layer
US6506098B1 (en) Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
TWI670764B (zh) 化學機械研磨設備及方法
CN113021177A (zh) 化学机械抛光装置及驱动其的方法
US11318579B2 (en) Multiple nozzle slurry dispense scheme
WO2005118223A1 (en) Polishing pad with oscillating path groove network
KR20040017846A (ko) 다중포트 폴리싱 유체 전달 시스템
TW202101639A (zh) 用於移除研磨顆粒的方法及設備
KR101681679B1 (ko) 웨이퍼 연마 장치용 슬러리 공급 장치
JP3996032B2 (ja) 半導体製造用現像装置及びそれを用いた基板への現像液の供給方法
US6439977B1 (en) Rotational slurry distribution system for rotary CMP system
KR20240003447A (ko) 다이 기반 수정을 이용한 화학적 기계적 연마
KR20000007993U (ko) 감광막 현상 장치
JP2023517453A (ja) 第2の流体の分配を用いた基板研磨エッジの均一性の制御
US20050113006A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method to minimize slurry accumulation and scratch excursions
KR0174867B1 (ko) 화학, 기계적 연마기의 스핀들 테이블 어셈블리
KR200191625Y1 (ko) 액상형 연마액을 이용한 웨이퍼 연마 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20041217

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051004

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060104

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060316

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060613