JPH08330258A - 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー - Google Patents

化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・バー

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JPH08330258A
JPH08330258A JP8149891A JP14989196A JPH08330258A JP H08330258 A JPH08330258 A JP H08330258A JP 8149891 A JP8149891 A JP 8149891A JP 14989196 A JP14989196 A JP 14989196A JP H08330258 A JPH08330258 A JP H08330258A
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rinse
spray
openings
polishing
polishing pad
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JP8149891A
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James M Mullins
ジェームス・ミカエル・ムリンス
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Motorola Solutions Inc
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Motorola Inc
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 化学機械研磨に使用するリンス・スプレー・
バーが提供される。 【解決手段】 ＣＭＰ装置１０に付加されるリンス・ス
プレー・バー２４は、研磨パッド１２の完全で均一な濡
れとすすぎを提供してプロセスを改良する。このリンス
・スプレー・バーは、その長さの一部分まで通っている
第１開口部２６と、第１開口部に接続される複数の第２
開口部２８を有して、リンス剤の複数の流路を作る。こ
れらの第２開口部２８は、リンス剤が、雰囲気圧より高
い圧力で第２開口部からスプレーできるように、またス
プレー・パターンが互いにオーバーラップして、均一な
濡れを確保するために、リンス・スプレー・バーの低面
の上で、スプレー・ノズル３６によってキャップされ
る。インライン・バルブ３４は、投入ライン３０を介し
て入ってくるリンス剤の圧力を調整し制御して、スプレ
ー・ノズルの圧力を変更できるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加工に関し、さら
に詳しくは半導体ウエハの化学機械研磨に使用するリン
ス・スプレー・バー（rinise spray bar）に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の半導体ウエハ加工の１つの側面は
一般に、半導体ウエハ上の金属層の間に交互に誘電層を
形成することを含む。誘電層または金属層の各々の形成
が、結果的に、コンフォーマル層を生じることが多く、
この層は下に位置する表面の微細構成に対応する。これ
らの層はしばしば平坦化が必要とされる。技術上、ウエ
ハ表面を平坦化する各種の方法がある。上記の１つの方
法は、研磨を採用して、半導体ウエハ上の最上層の表面
に沿って突起を除去する。この方法では、半導体ウエハ
は、研磨パッドで被覆されるテーブル上に下向きに置か
れ、研磨パッドは、スラリまたは研磨材料でコーティン
グされる。ついでウエハとテーブルの両方が、互いに関
連しあって回転して、ウエハ表面の突起を除去する。ウ
エハ表面を平坦化するこの工程は、一般に化学機械研磨
（ＣＭＰ）という。
【０００３】ＣＭＰ工程の重要部分は、ウエハと研磨パ
ッドのすすぎである。現在では、チューブがＣＭＰ装置
に付着されて、研磨パッドの中心に向かって液体を分配
する。すすぎ工程に使用されている液体は水であるが、
このチューブは、研磨工程で使用されるスラリ材料を分
配するのにも装備される。チューブは研磨パッドの中心
まで伸びており、チューブ端部の開口を通して、単に水
を分配する。この方法は、研磨パッドの回転によって生
じる遠心力に依存して、研磨パッドの表面全体に水を分
配する。
【０００４】しかしながら、先行技術の方法には複数の
欠点がある。前記欠点の１つは、所望されるように研磨
パッドの表面積全体に均一に分配される代わりに、水が
研磨パッドの中心から放射状に水路または細流になって
流れる傾向があることである。水路と水路の間の表面部
分は、乾いたまま残される場合がある。従って、研磨パ
ッドの不均一な濡れが生じて、結果的に研磨面が不均一
になる。このような研磨パッド表面の劣化の結果、研磨
率が低く不安定で予測できないものとなり、これが不均
一に研磨されたウエハ表面をもたらして、望ましくな
い。もう１つの欠点は、不均一な研磨により、研磨パッ
ドの有効寿命（研磨パッドを交換しなければならない間
隔）が短くなって、装置の停止時間が長くなり、ＣＭＰ
の費用もかさむ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このため、不均一に研
磨されたウエハ表面を避けるために、研磨の飽和および
安定性のある表面を維持すべく、研磨パッドの均一な濡
れとすすぎを得る方法が望ましい。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、１つの実施例
では、半導体ウエハを研磨するＣＭＰに使用するリンス
・スプレー・バーを提供する。本発明の実施例は、ＣＭ
Ｐ装置のすべての研磨パッド・ステーションと一緒に使
用できる。リンス・スプレー・バーは、化学的に中性で
硬質の伸長部材によって構成され、リンス剤がそこを通
って流れるように、伸長部材の長さの一部分まで通って
いる第１開口部を有する。また、リンス・スプレー・バ
ーは、複数の第２開口部を有し、これらは、伸長部材の
（第１開口部に接続される）長手方向に沿って位置し
て、リンス剤が複数の流路を持つようにする。第２開口
部の中心線は、第１開口部の中心線と実質的に直交す
る。これらの第２開口部は、伸長部材の底面にあるスプ
レー・ノズルによってキャップされて、リンス剤が、雰
囲気圧より高い圧力で第２開口部からスプレーできるよ
うにする。リンス・スプレー・バーは、研磨パッド上に
配置され、スプレー・ノズルが、パッドの表面に対し下
向きになるように、またリンス・スプレー・バーがパッ
ドの表面に対して実質的に平行になるようにする。リン
ス剤を分配するラインが、リンス・スプレー・バーに付
着される。インライン・バルブが、入ってくるリンス剤
の圧力を調整し制御して、スプレー・ノズルの圧力を必
要に応じて変更できるようにする。リンス・スプレー・
バーは、ＣＭＰ工程中、必要に応じて電源をオンにでき
て、スラリや各種研磨段階の残留物をすすぎ落とす。リ
ンス剤をスプレーするノズルが複数あるため、研磨パッ
ドおよび半導体ウエハの研磨した表面の均一な濡れとす
すぎが可能となる。上記およびその他の特徴と利点は、
添付図面と合わせて、以下の詳細な説明からより明確に
把握されよう。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明のリンス・スプレー・バー２
４を有するＣＭＰ研磨装置１０の上面図である。図に示
すように、ＣＭＰ装置１０は２つの研磨パッド・ステー
ション、すなわち研磨パッド１２，１２’を有する。研
磨パッド１２は、一次もしくは第１の研磨パッドである
のに対し、研磨パッド１２’は仕上げまたは最終研磨パ
ッドである。どちらの研磨パッドも、図中の矢印で示す
ように、研磨中は回転する。研磨アーム２０は、半導体
ウエハ２２を、研磨パッド１２の表面に対し、下向きに
保持する。研磨アーム２０は移動可能で、ウエハが初期
の研磨工程を終えたなら、最終研磨パッド１２’の表面
上に、半導体ウエハ２２を配置する。チューブ１６，１
６’は、以前から存在する装置の一部である。これらの
チューブは、研磨パッドの中心へと放射線状に伸び、各
チューブの端部に１個の開口のみを有して、パッドの中
心にスラリまたは水を分配する。これらのチューブ１
６，１６’は、研磨工程に必要なスラリと、すすぎ工程
用の水の両方を分配するという複数の目的を有する。前
述したように、これらのチューブは、チューブの端部に
ある開口で液体を分配することに限定される。本発明
は、リンス・スプレー・バー２４，２４’をＣＭＰ装置
に付加して、ＣＭＰ全体のプロセスにとって多くの利点
を持たらすようにすすぎ工程を改良する。リンス・スプ
レー・バー２４，２４’はまた、研磨パッドの中心に向
かって放射状に伸びる。チューブ１６とリンス・スプレ
ー・バー２４とが正確な角度を成すことは重要でない。
寧ろ、これらの位置は、どのようなスペースが得られる
ところでも、既存の装置と最適な適合が得られるように
変更できる。リンス・スプレー・バーの使用は、Westec
h磨システムの形で実施化されてきた。しかしながら、
リンス・スプレー・バーの用途は、Westech システムに
なんら限定されず、ＣＭＰ装置とともに使用するように
適合させることができる。
【０００８】図２は、本発明により、研磨パッド１２の
上に置かれる図１のリンス・スプレー・バー２４の側面
図を示す。リンス・スプレー・バー２４は、第１開口部
２６を有する伸長部材２５によって構成され、第１開口
部はその長さの一部分まで伸びている。リンス・スプレ
ー・バー２４の長さは、研磨パッドの大きさに依存して
いる。なぜなら、バーが研磨パッドの中心まで伸びるほ
ど十分に長くする必要があるからである。しかしなが
ら、先行技術の既知のチューブと違って、本発明のリン
ス・スプレー・バー２４は、バーの端部に開口を持たな
い。それは、リンス・スプレー・バーの動作が、先行技
術のチューブとは異なる原理に基づいているからであ
る。リンス・スプレー・バー２４の端部は、第１開口部
２６をプラグ２７で栓をすることにより、または伸長部
材２５の全長を通る完全な開口部を空けないことによっ
て、閉じられる。プラグ２７は、伸長部材２５と同じ材
料か、または化学的に中性で非反応性材料によって作る
ことができる。先行技術は、チューブの端部にある開口
を通してリンス剤を分配し、遠心力に依存して、リンス
剤を研磨パッドの表面部分に対し外側へと分配する。こ
の方法は前述したように非効率的で多くの欠点がある。
【０００９】これとは対照的に、本発明のリンス・スプ
レー・バー２４は、伸長部材２５の長手方向に沿って配
置された一連の第２開口部２８を第１開口部２６と接続
して、図２に示すように、リンス剤の複数の流路を形成
する。これは要求はしないが、リンス・スプレー・バー
２４の投入端部から初めて、第２開口部の大きさを次第
に大きくすることが望ましい。たとえば、直径１／３２
インチ（０．７９ｍｍ）が、投入端部に最も近い第１の
第２開口部２８に使用され、その後の各第２開口部は、
１／３２インチ（０．７９ｍｍ）ずつ徐々に大きくし
た。これらの寸法は、図に示すことのみを意図し、限定
するものではない。第２開口部２８の主軸は第１開口部
２６の主軸とほぼ直角を成す。また第２開口部２８は、
リンス・スプレー・バー２４の長手方向に沿ってほぼ均
一な間隔を開けて配置され、研磨パッド１２の表面にリ
ンス剤が均一に拡散されるようにする。２つの隣接する
第２開口部２８間の間隔の実際の範囲は、ほぼ３０から
４５ｍｍである。その目的は、研磨パッド表面を完全且
つ一様にカバーするために、オーバーラップしたスプレ
ー・パターンを得ることである。
【００１０】スプレー・ノズル３６は、研磨パッド１２
の表面部分にリンス剤を均一に拡散させるために、第２
開口部２８に適合させる必要がある。スプレー・ノズル
３６が使用されない場合には、第２開口部の位置に対応
する洗浄スポットのみが研磨パッド上で観測できる。こ
のスポット洗浄は、パッドの不均一なエージングや研磨
工程中の不均一の除去率を招く。しかしながら、スプレ
ー・ノズル３６は、リンス剤を、雰囲気圧より高い圧力
でスプレーでき、またノズルは調整可能な開口位置を有
するので、スプレー・パターンは、図２に示すように扇
状になる。これらのスプレー・パターンは、互いにオー
バーラップするように設計され、研磨パッドの表面部分
が完全に濡れるようにする。
【００１１】リンス剤はライン３０から与えられ、この
ラインはリンス・スプレー・バー２４の投入端部に、コ
ネクタ３２によって付着される。コネクタ３２は、任意
の一般的種類のものでできるが、Flaretekコネクタが実
施化に使用された。リンス剤は水または水酸化アンモニ
ウム（ＮＨ4 ＯＨ）でよい。またもう１つの適切な液体
も、リンス・スプレー・バー２４によって分配すること
ができる。インライン・バルブ３４は、リンス剤の入り
圧力を制御する。発明の実施化にあたっては、０．３７
５インチ（９．５ｍｍ）のテフロンのチューブがライン
３０に使用され、ニードル・バルブが、インライン圧力
を制御するのに使用された。しかしながら、ライン３０
およびインライン・バルブ３４に他の同等の代替物を使
用しても、リンス・スプレー・バー２４の動作に影響を
与えない。発明の実施化に使用されたスプレー・ノズル
は、技術上通常のものとして知られている標準型であ
り、ノズル・メーカーを通じて容易に入手できる。本発
明を実施するには、リンス・スプレー・バー２４の底面
と、研磨パッド１２の表面との間の分離距離を、実際的
な距離に設定するのが望ましい。ついでスプレー・ノズ
ルとインライン・バルブが調整されて、液体リンス剤の
均一でオーバーラップするスプレーを得る。大気圧を１
０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）上回る圧力を使用して、１イン
チ（２５ｍｍ）の分離で実施化したが、５から１５ｐｓ
ｉ（３５から１００ｋＰａ）の範囲の圧力が、実際の分
離距離には適するものと予想される。しかしながら、圧
力の増加によって、リンス・スプレー・バーおよび研磨
パッドを、発明の実施化に使用した１インチよりもさら
に離して配置することができる。また圧力の増加によっ
て、第２開口部（とその対応するスプレー・ノズル）
を、スプレー・パターンのオーバーラップにより、さら
に離して配置することができる。
【００１２】線３- ３に沿って切った断面図は、リンス
・スプレー・バー２４の形状を詳細に示す。図３に示す
ように、リンス・スプレー・バー２４の上部エッジは、
テーパーが施されるかまたは面取りされて、リンス・ス
プレー・バー２４の上部における液体の蓄積を減らす。
しかしながら、角を丸めれば、十分に液体を上部表面か
ら流せる。またリンス・スプレー・バー２４の上部表面
は、傾斜を付けるかまたはドーム形にしても、液体のは
けをよくできる。また図３では、第１開口部の形状が円
形に示されているが、円形の穴が最も容易に作れるから
である。しかしながら、楕円など他の形状も、それらが
製造可能である限り使用できる。直径５から１０ｍｍの
範囲の円形穴で十分である。スプレー・ノズル３６を固
定し、各スプレー・ノズル３６と研磨パッド１２の表面
からの設定された距離を維持するには、平らな底面が望
ましい。
【００１３】リンス・スプレー・バー２４は、硬質で機
械加工可能な材料から作るべきであり、これらの材料は
化学的に中性で、ＣＭＰ加工で使用される化学薬品と反
応しない。ＣＭＰで使用されるスラリは極めて腐食性が
高く、ｐＨは１から２であるため、材料はこの種の条件
にも耐えられるものにすべきである。また、リンス・ス
プレー・バー２４は、バーの所要の長さで撓んだり、曲
がったりしない十分な堅さの材料によって構成されるこ
とも重要である。なぜなら、リンス・スプレー・バー２
４の底面にあるスプレー・ノズル３６と研磨パッド１２
の表面は、リンス剤を均一にスプレーするために互いに
実質的に平行にすべきだからである。ポリふっ化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）は、実施化に成功した材料であり、こ
の場合、リンス・スプレー・バーはの長さは１５．７５
から１６インチ（４０から４１ｃｍ）、幅が１から１．
５インチ（２．５から３．８ｃｍ）、厚さが０．７５イ
ンチ（１．９ｃｍ）だけ変化する。しかしながら、本発
明の実施はＰＶＤＦに限られない。所要の特性を満たす
他の材料もかなり使用できる。このような材料の１つが
メタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）である。また、リンス
・スプレー・バー２４の物理的寸法は、実施化に使用さ
れたものとは異なってもよい。実際的な長さの範囲はほ
ぼ３５から４５ｃｍの変化をとれると予想される。実際
的な幅は、ほぼ２５から４５ｍｍの範囲をとり、実際的
な厚さは１５から２０ｍｍの範囲をとろう。
【００１４】ＣＭＰ装置でリンス・スプレー・バー２４
を使用する方法では、研磨する半導体ウエハ２２を動か
す研磨アーム２０が、一次研磨パッド１２の上に配置さ
れる。半導体ウエハ２２と研磨パッド１２は、ウエハ表
面から余分な材料が除去されるまで（通常数百オングス
トロームの材料）、互いに関連し合って指定した時間回
転する。回転速度は、制御装置によって制御でき、本発
明の用途をなんら限定しない。所望の量の材料がウエハ
表面から除去されたなら、リンス・スプレー・バー２４
がオンになって、研磨パッドの表面の上にリンス剤を拡
散させる。リンス剤（水，水酸化アンモニウムまたは別
の適切な液体でもよい）は、研磨工程によって生じるウ
エハ表面の残留物を除去するとともに、後に他のウエハ
を研磨するために研磨パッド１２を洗浄する。第１の研
磨工程の後、通常、半導体ウエハ２２は、最終研磨パッ
ド１２’上で最終研磨が施される。半導体ウエハ２２の
仕上げ研磨後にリンス・スプレー・バー２４’を使用す
れば、研磨工程によって、ウエハ表面の描画線（scribe
line ）内に残された残留物を除去するのに役立つ。
【００１５】上記の説明および添付図は、本発明に関連
する多くの利点を示している。特に、本発明は先行技術
よりも多くの利点を有することが明かとなった。本発明
は単純でありながら極めて効果的である。リンス・スプ
レーに使用されるプラスチック材料は、ＣＭＰ薬剤と反
応しないので、腐食は問題にならない。実際の発明の実
施化から、研磨パッドの均一の濡れおよびすすぎが、本
発明の使用を通して達成できることが判明した。これに
より、均一な除去率が得られ、これは、チューブによる
研磨パッドの不均一な濡れおよびすすぎのために不均一
な除去率が普通だった先行技術に対して、劇的な改良点
である。リンス・スプレー・バーを使用して達成した除
去率のこのような均一性は、ＣＭＰプロセスの予測性を
大幅に高める。またリンス・スプレー・バーの使用は、
パッドの均一なエージングを可能にすることにより、研
磨パッドの寿命を伸ばすという利点を有する。また先行
技術の研磨工程からの残留物の蓄積は、リンス剤の加圧
スプレーによってすすぎ落とすことができる。本発明の
もう１つの大きな利点は、極めて費用効果が高いことで
ある。リンス・スプレー・バーは、容易に入手できる安
価な材料を用いて、機械工場で容易に作られる。
【００１６】本発明により、前述した必要性および利点
を完全に満たす、ＣＭＰプロセスでの使用を対象とする
リンス・スプレー・バーが提供されることは明かであ
る。本発明は、その具体的実施例を引用して説明し、明
らかにしてきたが、本発明はこれらの図示した実施例に
限定されることを意図していない。当業者は、本発明の
意図から逸脱することなく、変形およびバリエーション
が可能であることを認めよう。たとえば、リンス・スプ
レー・バーの寸法はここで考察したものとは異なっても
よい。同様に、穴の数およびスプレー・ノズルの数も、
リンス・スプレー・バーの長さ、およびカバーする表面
積に依存して、変更してもよい。使用方法に関するバリ
エーションでは、スラリを用いて半導体ウエハの表面を
研磨することができる。ついで、リンス・スプレー・バ
ーによって水を用いたすすぎ工程で、研磨パッドの表面
および研磨したウエハ表面を均一に濡らしてすすぐ。つ
いで、水酸化アンモニウムが、ウエハ面を洗浄するのに
分配される。水酸化アンモニウムも、リンス・スプレー
・バー２４’を通して分配できる。リンス・スプレー・
バーは、種々のタイプの液体の拡散に対応すべく、複数
の第１開口部を持つように製造してもよい。そのため本
発明は、添付請求の範囲に属するすべてのバリエーショ
ンおよび変形を包含することを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のリンス・スプレー・バーの使用方法
を示す、研磨装置の上面図である。
【図２】 本発明によるリンス・スプレー・バーの側面
図である。
【図３】 図２のリンス・スプレー・バーを線３- ３に
沿って切った断面図である。図は必ずしも縮尺どおりに
描かれておらず、また具体的に示していないが本発明の
他の実施例も可能であることを指摘しておく。
【符号の説明】
１０ ＣＭＰ研磨装置 １２，１２’ 研磨パッド １６，１６’ チューブ ２０ 研磨アーム ２２ 半導体ウエハ ２４，２４’ リンス・スプレー・バー ２５ 伸長部材 ２６ 第１開口部 ２７ プラグ ２８ 第２開口部 ３０ ライン ３２ コネクタ ３４ インライン・バルブ ３６ スプレー・ノズル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学機械研磨（ＣＭＰ）装置（１０）に
    使用するリンス・スプレー・バー（２４）であって：硬
    質で化学的に中性な材料から構成される伸長部材（２
    ５）であって、前記伸長部材は、第１端部と第２端部、
    リンス剤が前記第１端部から前記第２端部へと流れるよ
    うに前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在する
    第１開口部（２６）、および前記伸長部材の表面上に複
    数の第２開口部（２８）を有し、前記複数の第２開口部
    は、前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置
    され、また前記複数の第２開口部は、前記第１開口部に
    接続されて、前記リンス剤が前記第１開口部から前記複
    数の第２開口部へと流れる伸長部材；および複数のスプ
    レー・ノズル（３６）であって、各スプレー・ノズル
    は、前記複数の第２開口部の１つに付着されており、各
    スプレー・ノズルは調整可能なオープン位置を有し、前
    記リンス剤が、雰囲気圧より高い圧力で前記リンス・ス
    プレー・バーから分配できるようにする複数のスプレー
    ・ノズル；によって構成されることを特徴とするリンス
    ・スプレー・バー。
  2. 【請求項２】 化学機械研磨（ＣＭＰ）装置（１０）に
    使用するリンス・スプレー・バー（２４）であって：硬
    質で化学的に中性な材料から構成される伸長部材（２
    ５）であって、前記伸長部材は、第１端部と第２端部、
    リンス剤が前記第１端部から前記第２端部へと流れるよ
    うに前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在する
    第１開口部（２６）、および前記伸長部材の表面上に複
    数の第２開口部（２８）を有し、前記複数の第２開口部
    は、前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置
    され、また前記複数の第２開口部は、前記第１開口部に
    接続されて、前記リンス剤が前記第１開口部から前記複
    数の第２開口部へと流れる伸長部材；および複数のスプ
    レー・ノズル（３６）であって、各スプレー・ノズルは
    前記複数の第２開口部の１つに付着されており、各スプ
    レー・ノズルは調整可能なオープン位置を有して、前記
    リンス剤が、扇状のスプレー・パターンで、雰囲気圧よ
    り高い圧力で前記リンス・スプレー・バーから分配でき
    るようにし、また前記複数の第２開口部は、第１スプレ
    ー・ノズルからの前記扇状スプレー・パターンが、隣接
    するスプレー・ノズルからの前記扇状スプレー・パター
    ンとオーバーラップするように十分に近接した間隔を開
    けて配置される複数のスプレー・ノズル；によって構成
    されることを特徴とするリンス・スプレー・バー。
  3. 【請求項３】 半導体ウエハを研磨する方法であって：
    ＣＭＰ装置（１０）に接続されたリンス・スプレー・バ
    ー（２４）を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー（２４）は、硬質で化学的に中性なポリマーに
    よって構成される伸長部材（２５）を有し、前記伸長部
    材は、第１端部および第２端部、リンス剤が前記第１端
    部から前記第２端部へと流れるように前記伸長部材の長
    手方向の一部分に沿って存在する前記伸長部材、および
    前記伸長部材の表面上にある複数の第２開口部（２８）
    を有し、前記複数の第２開口部は前記伸長部材の長手方
    向に沿って間隔を開けて配置され、また前記複数の第２
    開口部は、前記第１開口部に接続されて、前記リンス剤
    が前記第１開口部から前記複数の第２開口部へと流れる
    伸長部材；および複数のスプレー・ノズル（３６）であ
    って、各スプレー・ノズルは、前記複数の第２開口部の
    １つに付着されており、各スプレー・ノズルは調整可能
    なオープン位置を有して、前記リンス剤が、雰囲気圧よ
    り高い気圧で前記リンス・スプレーから分配できるよう
    にする複数のスプレー・ノズルを有する段階；前記リン
    ス・スプレー・バー（２４）を配置する段階であって、
    前記複数のスプレー・ノズル（３６）は、研磨パッド
    （１２）の上に下向きに付けられ、前記リンス・スプレ
    ー・バーは、前記研磨パッドの中心に向かって放射状に
    伸びる段階；研磨する表面を有する半導体ウエハ（２
    ２）を、前記研磨パッドの上に下向きに配置する段階；
    前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回転させる
    ことによって、半導体ウエハの表面を研磨して、研磨面
    を形成する段階；および前記リンス剤を前記リンス・ス
    プレー・バーを介して、前記研磨パッド、および前記半
    導体ウエハの前記研磨面に導入して、前記研磨パッドお
    よび前記研磨面を洗浄する段階；によって構成されるこ
    とを特徴とする研磨方法。
  4. 【請求項４】 半導体ウエハを研磨する方法であって：
    ＣＭＰ装置（１０）に接続されるリンス・スプレー・バ
    ー（２４）を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー（２４）は、硬質で化学的に中性なポリマーに
    よって構成され、前記伸長部材は、第１端部および第２
    端部、リンス剤が前記第１端部から前記第２端部に流れ
    るように前記伸長部材の長手方向の一部分に沿って存在
    する第１開口部（２６）、および前記伸長部材の表面上
    に複数の第２開口部（２８）を有し、前記複数の第２開
    口部は前記伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配
    置され、また前記複数の第２開口部は、前記第１開口部
    に接続されて、前記リンス剤が前記第１開口部から前記
    複数の第２開口部へと流れる伸長部材；および複数のス
    プレー・ノズル（３６）であって、各スプレー・ノズル
    は、前記複数の第２開口部の１つに付着されており、各
    スプレー・ノズルは調整可能なオープン位置を有し、前
    記リンス剤が、前記リンス・スプレー・バーから、雰囲
    気圧より高い圧力で、前記リンス・スプレー・バーから
    分配できるようにする複数のスプレー・ノズルを有する
    段階；前記リンス・スプレー・バー（２４）を配置する
    段階であって、前記複数のスプレー・ノズル（３６）
    は、研磨パッド（１２）の上に下向きに付けられ、前記
    リンス・スプレー・バーは、前記研磨パッドの中心に向
    かって放射状に伸びる段階；研磨する表面を有する半導
    体ウエハ（２２）を、研磨パッドの上に下向きに配置す
    る段階；前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回
    転させることによって、前記半導体ウエハの表面を研磨
    して、研磨面を形成する段階；および前記リンス剤を前
    記リンス・スプレー・バーを介して前記研磨パッドの上
    に、大気圧より約３５から１００ｋＰａ高い気圧で、前
    記研磨パッドおよび前記半導体ウエハの研磨面の上に導
    入して、前記研磨パッドおよび前記研磨面を洗浄する段
    階；によって構成されることを特徴とする研磨方法。
  5. 【請求項５】 半導体ウエハを研磨する方法であって：
    ＣＭＰ装置（１０）に接続されるリンス・スプレー・バ
    ー（２４）を設ける段階であって、前記リンス・スプレ
    ー・バー（２４）は、ＰＶＤＦによって構成される伸長
    部材を有し、第１端部および第２端部、リンス剤が前記
    第１端部から前記第２端部に流れるように前記伸長部材
    の長手方向の一部分に沿って存在する第１開口部（２
    ６）、および前記伸長部材の表面上に存在する複数の第
    ２開口部（２８）を有し、前記複数の第２開口部は前記
    伸長部材の長手方向に沿って間隔を開けて配置され、ま
    た前記複数の第２開口部は、前記第１開口部に接続され
    て、前記リンス剤が前記第１開口部から前記複数の第２
    開口部へと流れる伸長部材；および複数のスプレー・ノ
    ズル（３６）であって、各スプレー・ノズルは、前記複
    数の第２開口部の１つに付着されており、各スプレー・
    ノズルは調整可能なオープン位置を有して、前記リンス
    剤が、前記リンス・スプレー・バーから、雰囲気圧より
    高い圧力で、前記リンス・スプレー・バーから分配でき
    るようにし、また前記複数の第２開口部は、第１スプレ
    ー・ノズルからの扇状パターンが、隣接するスプレー・
    ノズルからの扇状パターンとオーバーラップするよう
    に、十分に近接した間隔を開けて配置される複数のスプ
    レー・ノズルを有する段階；前記リンス・スプレー・バ
    ー（２４）を配置する段階であって、前記複数のスプレ
    ー・ノズル（３６）は、研磨パッド（１２）の上に下向
    きに付けられ、前記リンス・スプレー・バーは、前記研
    磨パッドの中心に向かって放射状に伸び、また前記リン
    ス・スプレー・バーが、前記研磨パッドの表面に対して
    ほぼ平行である段階；研磨する表面を有する半導体ウエ
    ハ（２２）を、研磨パッドの上に下向きに配置する段
    階；前記研磨パッドを前記半導体ウエハに対して回転さ
    せることによって、前記半導体ウエハの表面を研磨し
    て、研磨面を形成する段階；および前記リンス剤を前記
    リンス・スプレー・バーを介して、前記研磨パッドへの
    スプレー・パターンと、前記半導体ウエハの前記研磨面
    へのスプレー・パターンとがオーパーラップする形でス
    プレーして、前記研磨パッドおよび前記研磨面を洗浄す
    る段階；によって構成されることを特徴とする研磨方
    法。
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