JPH08327881A - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 - Google Patents
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法Info
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- JPH08327881A JPH08327881A JP8116130A JP11613096A JPH08327881A JP H08327881 A JPH08327881 A JP H08327881A JP 8116130 A JP8116130 A JP 8116130A JP 11613096 A JP11613096 A JP 11613096A JP H08327881 A JPH08327881 A JP H08327881A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 すすぎ洗い液の除去の際、弾性部が駆動基板
に付く現象を防止することができるＭ×Ｎ個のアクチュ
エーテッドミラーアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、駆動基板を準備
し、薄膜犠牲層を形成し、弾性層を沈積させ、この弾性
層にコンジットのアレイを形成し、第２薄膜層、電気的
に変形可能な薄膜層及び第１薄膜層を沈積させ、第１薄
膜層、電気的に変形可能な薄膜層及び第２薄膜層を各々
Ｍ×Ｎ個の第１薄膜電極のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に
変形可能な薄膜部のアレイ及び、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電
極のアレイにパターニングしてＭ×Ｎ個の未完成構造の
アクチュエーテッドミラーアレイを形成し、弾性層をＭ
個の準弾性部にパターニングし、薄膜犠牲層を除去し、
薄膜保護層を除去し、Ｍ個の準弾性部をＭ×Ｎ個の弾性
部のアレイにパターニングしてＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを完成する。
に付く現象を防止することができるＭ×Ｎ個のアクチュ
エーテッドミラーアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の製造方法は、駆動基板を準備
し、薄膜犠牲層を形成し、弾性層を沈積させ、この弾性
層にコンジットのアレイを形成し、第２薄膜層、電気的
に変形可能な薄膜層及び第１薄膜層を沈積させ、第１薄
膜層、電気的に変形可能な薄膜層及び第２薄膜層を各々
Ｍ×Ｎ個の第１薄膜電極のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に
変形可能な薄膜部のアレイ及び、Ｍ×Ｎ個の第２薄膜電
極のアレイにパターニングしてＭ×Ｎ個の未完成構造の
アクチュエーテッドミラーアレイを形成し、弾性層をＭ
個の準弾性部にパターニングし、薄膜犠牲層を除去し、
薄膜保護層を除去し、Ｍ個の準弾性部をＭ×Ｎ個の弾性
部のアレイにパターニングしてＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラーアレイを完成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光投射システムに関
し、特に、光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイの製造方法に関する。
し、特に、光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】映像表示システムは表示方法によって光
直視システムと光投射システムに区別される。ここで、
光投射システムは大スクリーンでも高精細度を表す特徴
を有する。このような光投射システムでは光源からの光
束が一律的にＭ×Ｎ個のアクチュエータを照らし、これ
らのアクチュエータには各ミラーが各々のアクチュエー
タに組み合わされており、アクチュエータは印加される
電界によって変形を起こす電歪または圧電物質からな
る。
直視システムと光投射システムに区別される。ここで、
光投射システムは大スクリーンでも高精細度を表す特徴
を有する。このような光投射システムでは光源からの光
束が一律的にＭ×Ｎ個のアクチュエータを照らし、これ
らのアクチュエータには各ミラーが各々のアクチュエー
タに組み合わされており、アクチュエータは印加される
電界によって変形を起こす電歪または圧電物質からな
る。
【０００３】各々のミラーから反射された光束は光学バ
ッフルの孔に入射されて、各アクチュエータに電気信号
が印加されると各ミラーの全般的な位置が変わるし、各
ミラーから反射される光束の光路が変わるようになる。
各反射される光束の光路が変わることによって光学装置
の孔を通過する光束の量が変わることになり、これによ
り光の強さを調節する。孔を通過した光束は投射レンズ
のような適当な光学装置を通じて投射面に投射されてそ
の上に像を表す。
ッフルの孔に入射されて、各アクチュエータに電気信号
が印加されると各ミラーの全般的な位置が変わるし、各
ミラーから反射される光束の光路が変わるようになる。
各反射される光束の光路が変わることによって光学装置
の孔を通過する光束の量が変わることになり、これによ
り光の強さを調節する。孔を通過した光束は投射レンズ
のような適当な光学装置を通じて投射面に投射されてそ
の上に像を表す。
【０００４】図１〜図７はＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラー１０１のアレイ１００の製造する方法を説
明する断面図であって、「THINFILM ACTUATED MIRROR A
RRAY」の名称で出願中の米国特許出願第08/430,628号に
開示されている（ここで、ＭとＮは整数）。
テッドミラー１０１のアレイ１００の製造する方法を説
明する断面図であって、「THINFILM ACTUATED MIRROR A
RRAY」の名称で出願中の米国特許出願第08/430,628号に
開示されている（ここで、ＭとＮは整数）。
【０００５】アレイ１００を製造する過程は、基板１
２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタの列（図示せず）及びＭ×
Ｎ個の接続端子１４の列を含んで上部面を有する駆動基
板１０の準備から始まる。
２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタの列（図示せず）及びＭ×
Ｎ個の接続端子１４の列を含んで上部面を有する駆動基
板１０の準備から始まる。
【０００６】次に、駆動基板１０の上部に薄膜犠牲層２
４が形成される。ここで、前記薄膜犠牲層２４は、薄膜
犠牲層２４が金属からなる場合には、スパッタリング法
または蒸着法を用いて、ＰＳＧからなる場合にはスピン
コーティングまたは化学気相沈積ＣＶＤ法を用いて、多
結晶シリコンからなる場合には、化学気相沈積法を用い
て形成される。
４が形成される。ここで、前記薄膜犠牲層２４は、薄膜
犠牲層２４が金属からなる場合には、スパッタリング法
または蒸着法を用いて、ＰＳＧからなる場合にはスピン
コーティングまたは化学気相沈積ＣＶＤ法を用いて、多
結晶シリコンからなる場合には、化学気相沈積法を用い
て形成される。
【０００７】続いて、薄膜犠牲層２４によって囲まれる
Ｍ×Ｎ個の支持部２２の列を含む支持層２０を形成す
る。ここで、前記支持層２０は薄膜犠牲層２４にフォト
リソグラフィー法を用いて接続端子１４の周りに位置す
るＭ×Ｎ個の空孔（図示せず）の列を形成する過程と、
各空孔にスパッタリングまたは化学気相沈積法を用いて
支持部２２を形成する過程によって図１に示されてよう
に形成される。前記支持部２２は絶縁物質からなる。
Ｍ×Ｎ個の支持部２２の列を含む支持層２０を形成す
る。ここで、前記支持層２０は薄膜犠牲層２４にフォト
リソグラフィー法を用いて接続端子１４の周りに位置す
るＭ×Ｎ個の空孔（図示せず）の列を形成する過程と、
各空孔にスパッタリングまたは化学気相沈積法を用いて
支持部２２を形成する過程によって図１に示されてよう
に形成される。前記支持部２２は絶縁物質からなる。
【０００８】次に前記支持部２２と同一な絶縁物質から
なる弾性層３０がゾルーゲル(Sol-Gel）、スパッタリン
グまたは化学気相沈積法を用いて支持層２０の上部に形
成される。
なる弾性層３０がゾルーゲル(Sol-Gel）、スパッタリン
グまたは化学気相沈積法を用いて支持層２０の上部に形
成される。
【０００９】次に、金属からなるコンジット２６が各支
持部２２に形成される。ここで、前記コンジット２６は
まず食刻法を用いて弾性層３０の上部から接続端子１４
の上部まで貫通するＭ×Ｎ個の孔（図示せず）の列を形
成する過程と、前記孔に金属を詰める過程によって図２
に示されたように形成される。
持部２２に形成される。ここで、前記コンジット２６は
まず食刻法を用いて弾性層３０の上部から接続端子１４
の上部まで貫通するＭ×Ｎ個の孔（図示せず）の列を形
成する過程と、前記孔に金属を詰める過程によって図２
に示されたように形成される。
【００１０】次に、導電性物質からなる薄膜第２層４０
がスパッタリング法を用いてコンジット２６を含む弾性
層３０の上部に形成される。前記薄膜第２層４０は支持
部２２に形成されるコンジット２６を通じてトランジス
タに電気的に連結される。
がスパッタリング法を用いてコンジット２６を含む弾性
層３０の上部に形成される。前記薄膜第２層４０は支持
部２２に形成されるコンジット２６を通じてトランジス
タに電気的に連結される。
【００１１】次に、ＰＺＴなどの圧電物質からなる電気
的に変形可能な薄膜層５０が、図３に示されたように、
スパッタリングまたは化学気相沈積法を用いて薄膜第２
層４０の上部に形成される。
的に変形可能な薄膜層５０が、図３に示されたように、
スパッタリングまたは化学気相沈積法を用いて薄膜第２
層４０の上部に形成される。
【００１２】次に、電気的に変形可能な薄膜層５０、薄
膜第２層４０及び弾性層３０がフォトリソグラフィー法
またはレーザ切断法を用いて各々Ｍ×Ｎ個の電気的に変
形可能な薄膜５５の列、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極４５の
列及びＭ×Ｎ個の弾性部３５の列で、図４に示されたよ
うに、支持層２０が露出されるまでパターニングされ
る。前記各薄膜第２電極４５は各々支持部２２に形成さ
れたコンジット２６を通じてトランジスタに電気的に連
結されており、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に
おいて信号電極の機能をする。
膜第２層４０及び弾性層３０がフォトリソグラフィー法
またはレーザ切断法を用いて各々Ｍ×Ｎ個の電気的に変
形可能な薄膜５５の列、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極４５の
列及びＭ×Ｎ個の弾性部３５の列で、図４に示されたよ
うに、支持層２０が露出されるまでパターニングされ
る。前記各薄膜第２電極４５は各々支持部２２に形成さ
れたコンジット２６を通じてトランジスタに電気的に連
結されており、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に
おいて信号電極の機能をする。
【００１３】次に、各電気的に変形可能な薄膜部５５は
相転移を起こすように熱処理されてＭ×Ｎ個の熱処理さ
れた構造（図示せず）の列を形成する。前記各電気的に
変形可能な薄膜部５５は充分に薄いため、電気的に変形
可能な薄膜部５５が圧電物質からなる場合には薄膜アク
チュエーテッドミラー１０１の駆動の際、印加される電
気信号によって分極され得るためにそれを別に分極する
必要がない。
相転移を起こすように熱処理されてＭ×Ｎ個の熱処理さ
れた構造（図示せず）の列を形成する。前記各電気的に
変形可能な薄膜部５５は充分に薄いため、電気的に変形
可能な薄膜部５５が圧電物質からなる場合には薄膜アク
チュエーテッドミラー１０１の駆動の際、印加される電
気信号によって分極され得るためにそれを別に分極する
必要がない。
【００１４】前記の段階の後、導電性物質で光を反射す
る物質からなるＭ×Ｎ個の薄膜第１電極６５の列がＭ×
Ｎ個の熱処理された構造の列の電気的に変形可能な薄膜
部５５の上部に形成される。ここで、前記薄膜第１電極
６５は、図５に示されたように露出された支持層２０を
含むＭ×Ｎ個の熱処理された構造の列の上部を完全に覆
うように導電性物質で光を反射する物質からなる層６０
をスパッタリング法を用いて形成した後、前記層６０を
食刻法を用いて選択的に除去して形成される。これによ
って図６に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータ
１１１のアレイ１１０を形成する。ここで、前記各薄膜
第１電極６５は薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に
おいてバイアス電極のみならずミラーとして作用する。
続いて、各アクチュエータ１１１の上部面及び４つの側
面を薄膜保護層（図示せず）で完全に取り囲む。
る物質からなるＭ×Ｎ個の薄膜第１電極６５の列がＭ×
Ｎ個の熱処理された構造の列の電気的に変形可能な薄膜
部５５の上部に形成される。ここで、前記薄膜第１電極
６５は、図５に示されたように露出された支持層２０を
含むＭ×Ｎ個の熱処理された構造の列の上部を完全に覆
うように導電性物質で光を反射する物質からなる層６０
をスパッタリング法を用いて形成した後、前記層６０を
食刻法を用いて選択的に除去して形成される。これによ
って図６に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータ
１１１のアレイ１１０を形成する。ここで、前記各薄膜
第１電極６５は薄膜アクチュエーテッドミラー１０１に
おいてバイアス電極のみならずミラーとして作用する。
続いて、各アクチュエータ１１１の上部面及び４つの側
面を薄膜保護層（図示せず）で完全に取り囲む。
【００１５】そして、支持層２０の薄膜犠牲層２４は食
刻法によって除去される。最後に、食刻法を用いて薄膜
保護層（図示せず）が除去されて、図７に示されたよう
にＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のア
レイ１００を完成する。
刻法によって除去される。最後に、食刻法を用いて薄膜
保護層（図示せず）が除去されて、図７に示されたよう
にＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１０１のア
レイ１００を完成する。
【００１６】前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラー１０１のアレイ１００の製造法には多くの問題があ
る。最も大きい問題点は薄膜犠牲層２４及び薄膜保護層
の除去に用いられる食刻液の除去の際に発生する。前記
食刻液は蒸発によって除去されるすすぎ洗い液を用いて
除去されるが、前記すすぎ洗い液の除去の際にすすぎ洗
い液の表面張力は弾性部３５を駆動基板１０に向かって
引っ張るようになり、弾性部３５が駆動基板１０に付く
ようになる現象を発生させる。これによって薄膜アクチ
ュエーテッドミラー１０１の駆動及び構造的特性が低下
され、アレイ１００の全般的な駆動特性も低下される。
ラー１０１のアレイ１００の製造法には多くの問題があ
る。最も大きい問題点は薄膜犠牲層２４及び薄膜保護層
の除去に用いられる食刻液の除去の際に発生する。前記
食刻液は蒸発によって除去されるすすぎ洗い液を用いて
除去されるが、前記すすぎ洗い液の除去の際にすすぎ洗
い液の表面張力は弾性部３５を駆動基板１０に向かって
引っ張るようになり、弾性部３５が駆動基板１０に付く
ようになる現象を発生させる。これによって薄膜アクチ
ュエーテッドミラー１０１の駆動及び構造的特性が低下
され、アレイ１００の全般的な駆動特性も低下される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、すすぎ洗い液の除去の際、弾性部が駆動基板に
付く現象を防止し得る光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供する
ことである。
目的は、すすぎ洗い液の除去の際、弾性部が駆動基板に
付く現象を防止し得る光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供する
ことである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
て、各接続端子が関連トランジスタに電気的に連結され
たＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジス
タのアレイ及び基板を含む駆動基板を準備する第１過程
と、前記駆動基板の上部に薄膜犠牲層を沈積させる第２
過程と、各空孔が接続端子の上部周りに位置するように
前記薄膜犠牲層にＭ×Ｎ個の空孔のアレイを形成する第
３過程と、前記空孔を含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質
からなる弾性層を沈積させる第４過程と、各コンジット
が弾性層の上部から関連接続端子の上部まで形成される
ように上部弾性層にＭ×Ｎ個のコンジットのアレイを形
成する第５過程と、前記コンジットを含む弾性層の上部
に導電性物質からなる薄膜第２層、薄膜エレクトロディ
スプレイシブ層及び導電性物質で光を反射する物質から
なる薄膜第１層を沈積させる第６過程と、前記薄膜第１
層、電気的に変形可能な薄膜層及び薄膜第２層を各々Ｍ
×Ｎ個の薄膜第１電極のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に変
形可能な薄膜のアレイ及びＭ×Ｎ個の薄膜第２電極のア
レイに前記弾性層が露出するまでパターニングしてＭ×
Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラーアレイを形成す
るようにする第７過程であって、前記各未完成アクチュ
エータは薄膜第１電極、薄膜エレクトロディスプレイシ
ブ部及び薄膜第２電極を含み、前記薄膜第２電極はコン
ジット及び接続端子を通じて関連トランジスタに電気的
に連結されて各薄膜アクチュエータで信号電極の機能を
し、前記薄膜第１電極は各薄膜アクチュエータでバイア
ス電極及びミラーの機能をする前記第７過程と、前記弾
性層を前記薄膜犠牲層が露出されるまでＮ個の脚形の部
分を有するＭ個の準弾性部に横方向にパターニングする
第８過程と、前記各未完成アクチュエータを完全に覆う
薄膜保護層を形成する第９過程と、前記薄膜犠牲層を除
去して駆動空間を形成する第１０過程と、前記薄膜保護
層を除去する第１１過程と、前記Ｍ個の準弾性部をＭ×
Ｎ個の弾性部のアレイで列方向へパターニングしてＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する
第１２過程とを含む。
めに、本発明は、光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
て、各接続端子が関連トランジスタに電気的に連結され
たＭ×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジス
タのアレイ及び基板を含む駆動基板を準備する第１過程
と、前記駆動基板の上部に薄膜犠牲層を沈積させる第２
過程と、各空孔が接続端子の上部周りに位置するように
前記薄膜犠牲層にＭ×Ｎ個の空孔のアレイを形成する第
３過程と、前記空孔を含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質
からなる弾性層を沈積させる第４過程と、各コンジット
が弾性層の上部から関連接続端子の上部まで形成される
ように上部弾性層にＭ×Ｎ個のコンジットのアレイを形
成する第５過程と、前記コンジットを含む弾性層の上部
に導電性物質からなる薄膜第２層、薄膜エレクトロディ
スプレイシブ層及び導電性物質で光を反射する物質から
なる薄膜第１層を沈積させる第６過程と、前記薄膜第１
層、電気的に変形可能な薄膜層及び薄膜第２層を各々Ｍ
×Ｎ個の薄膜第１電極のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に変
形可能な薄膜のアレイ及びＭ×Ｎ個の薄膜第２電極のア
レイに前記弾性層が露出するまでパターニングしてＭ×
Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラーアレイを形成す
るようにする第７過程であって、前記各未完成アクチュ
エータは薄膜第１電極、薄膜エレクトロディスプレイシ
ブ部及び薄膜第２電極を含み、前記薄膜第２電極はコン
ジット及び接続端子を通じて関連トランジスタに電気的
に連結されて各薄膜アクチュエータで信号電極の機能を
し、前記薄膜第１電極は各薄膜アクチュエータでバイア
ス電極及びミラーの機能をする前記第７過程と、前記弾
性層を前記薄膜犠牲層が露出されるまでＮ個の脚形の部
分を有するＭ個の準弾性部に横方向にパターニングする
第８過程と、前記各未完成アクチュエータを完全に覆う
薄膜保護層を形成する第９過程と、前記薄膜犠牲層を除
去して駆動空間を形成する第１０過程と、前記薄膜保護
層を除去する第１１過程と、前記Ｍ個の準弾性部をＭ×
Ｎ個の弾性部のアレイで列方向へパターニングしてＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを完成する
第１２過程とを含む。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施について
図面を参照しながらより詳しく説明する。図８〜図１３
及び図１４〜図１７は各々本発明による異なる光投射シ
ステム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０
１のアレイ３００の製造方法を説明する概略的断面図を
示す（ここで、ＭとＮは整数）。図８〜図１３及び図１
４〜図１７に示した同一の部分は同一の参照番号によっ
て示されている。
図面を参照しながらより詳しく説明する。図８〜図１３
及び図１４〜図１７は各々本発明による異なる光投射シ
ステム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０
１のアレイ３００の製造方法を説明する概略的断面図を
示す（ここで、ＭとＮは整数）。図８〜図１３及び図１
４〜図１７に示した同一の部分は同一の参照番号によっ
て示されている。
【００２０】図８〜図１３は本発明の一実施例によるＭ
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ
３００の製造方法を説明する概略的な断面図を示す。
×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ
３００の製造方法を説明する概略的な断面図を示す。
【００２１】アレイ３００を製造するための過程はＭ×
Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレイ、Ｍ×Ｎ個の
接続端子２１４のアレイ及び基板２１２を含む駆動基板
２１０の準備から始まる。前記各接続端子２１４はトラ
ンジスタの列の中で関連トランジスタに電気的に連結さ
れている。
Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレイ、Ｍ×Ｎ個の
接続端子２１４のアレイ及び基板２１２を含む駆動基板
２１０の準備から始まる。前記各接続端子２１４はトラ
ンジスタの列の中で関連トランジスタに電気的に連結さ
れている。
【００２２】次に、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）
などの金属、ＰＳＧまたは多結晶シリコンからなる、
０．１〜２μm の厚さを有する薄膜犠牲層２２４が駆動
基板２１０の上部に形成される。前記薄膜犠牲層２２４
は金属で形成する場合は、スパッタリングまたは蒸着法
を用いて形成され、ＰＳＧで形成する場合は、化学気相
沈積法またはスピンコーティング法を用いて形成され、
多結晶シリコンで形成する場合は、化学気相沈積法を用
いて形成される。続いて、Ｍ×Ｎ個の空孔（図示せず）
のアレイがフォトリソグラフィー法を用いて薄膜犠牲層
２２４に形成される。前記各空孔は接続端子２１４の上
部周りに位置する。
などの金属、ＰＳＧまたは多結晶シリコンからなる、
０．１〜２μm の厚さを有する薄膜犠牲層２２４が駆動
基板２１０の上部に形成される。前記薄膜犠牲層２２４
は金属で形成する場合は、スパッタリングまたは蒸着法
を用いて形成され、ＰＳＧで形成する場合は、化学気相
沈積法またはスピンコーティング法を用いて形成され、
多結晶シリコンで形成する場合は、化学気相沈積法を用
いて形成される。続いて、Ｍ×Ｎ個の空孔（図示せず）
のアレイがフォトリソグラフィー法を用いて薄膜犠牲層
２２４に形成される。前記各空孔は接続端子２１４の上
部周りに位置する。
【００２３】次に、窒化シリコンなどの絶縁物質からな
る、０．１〜２μm の厚さを有する弾性層２３０が蒸着
法、スパッタリング法または化学気相沈積法を用いて空
孔を含む薄膜犠牲層２２４の上部に形成される。続い
て、アルミニウムまたはタングステンなどの金属からな
るＭ×Ｎ個のコンジット２２６のアレイが弾性層２３０
に形成される。前記各コンジット２２６は、まずエッチ
ング法を用いて各孔が弾性層２３０の上部から関連接続
端子２１４の上部まで形成されるＭ×Ｎ個の孔（図示せ
ず）のアレイを形成する過程と、スパッタリングまたは
化学気相沈積法を用いて金属で孔を詰める過程によっ
て、図８に示されたように形成される。
る、０．１〜２μm の厚さを有する弾性層２３０が蒸着
法、スパッタリング法または化学気相沈積法を用いて空
孔を含む薄膜犠牲層２２４の上部に形成される。続い
て、アルミニウムまたはタングステンなどの金属からな
るＭ×Ｎ個のコンジット２２６のアレイが弾性層２３０
に形成される。前記各コンジット２２６は、まずエッチ
ング法を用いて各孔が弾性層２３０の上部から関連接続
端子２１４の上部まで形成されるＭ×Ｎ個の孔（図示せ
ず）のアレイを形成する過程と、スパッタリングまたは
化学気相沈積法を用いて金属で孔を詰める過程によっ
て、図８に示されたように形成される。
【００２４】次の段階で、ＰｔまたはＰｔ/ Ｔｉなどの
導電性物質からなる０．１〜２μmの厚さを有する薄膜
第２層２４０がスパッタリングまたは真空蒸着法を用い
てコンジット２２６を含む弾性層２３０の上部に形成さ
れる。続く段階では、ＡｌまたはＡｇの導電性物質で光
を反射する物質からなる０．１〜２μm の厚さを有する
薄膜第１層２６０がスパッタリングまたは真空蒸着法を
用いて、図９に示したように、前記電気的に変形可能な
薄膜層２５０の上部に沈積される。
導電性物質からなる０．１〜２μmの厚さを有する薄膜
第２層２４０がスパッタリングまたは真空蒸着法を用い
てコンジット２２６を含む弾性層２３０の上部に形成さ
れる。続く段階では、ＡｌまたはＡｇの導電性物質で光
を反射する物質からなる０．１〜２μm の厚さを有する
薄膜第１層２６０がスパッタリングまたは真空蒸着法を
用いて、図９に示したように、前記電気的に変形可能な
薄膜層２５０の上部に沈積される。
【００２５】前記段階の後に、薄膜第１層２６０、電気
的に変形可能な薄膜層２５０及び薄膜第２層２４０が、
各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電極２６５のアレイ、Ｍ×Ｎ個
の電気的に変形可能な薄膜２５５のアレイ及びＭ×Ｎ個
の薄膜第２電極２４５のアレイに前記弾性層２３０が露
出されるまでパターニングされて、Ｍ×Ｎの未完成（ｓ
ｅｍｉ）アクチュエーテッドミラー構造（３２１）が形
成される。Ｍ×Ｎ個の未完成アクチュエータ３２１の構
造は薄膜第１電極２６５、電気的に変形可能な薄膜部２
５５及び薄膜第２電極２４５を含む。前記薄膜第２電極
２４５はコンジット２２６及び接続端子２１４を通じて
関連トランジスタに電気的に連結されて各薄膜アクチュ
エータ３０１において信号電極としての機能を果す。前
記薄膜第１電極２６５は各薄膜アクチュエータ３０１に
おいてバイアス電極及びミラーとして機能する。
的に変形可能な薄膜層２５０及び薄膜第２層２４０が、
各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電極２６５のアレイ、Ｍ×Ｎ個
の電気的に変形可能な薄膜２５５のアレイ及びＭ×Ｎ個
の薄膜第２電極２４５のアレイに前記弾性層２３０が露
出されるまでパターニングされて、Ｍ×Ｎの未完成（ｓ
ｅｍｉ）アクチュエーテッドミラー構造（３２１）が形
成される。Ｍ×Ｎ個の未完成アクチュエータ３２１の構
造は薄膜第１電極２６５、電気的に変形可能な薄膜部２
５５及び薄膜第２電極２４５を含む。前記薄膜第２電極
２４５はコンジット２２６及び接続端子２１４を通じて
関連トランジスタに電気的に連結されて各薄膜アクチュ
エータ３０１において信号電極としての機能を果す。前
記薄膜第１電極２６５は各薄膜アクチュエータ３０１に
おいてバイアス電極及びミラーとして機能する。
【００２６】前記電気的に変形可能な薄膜部２５５は充
分に薄いため前記エレクトロディスプレイシブ部２５５
が圧電物質からなるとすると、薄膜アクチュエータ３０
１の駆動の際、印加された電気信号によって分極され得
るため別に分極する必要はない。
分に薄いため前記エレクトロディスプレイシブ部２５５
が圧電物質からなるとすると、薄膜アクチュエータ３０
１の駆動の際、印加された電気信号によって分極され得
るため別に分極する必要はない。
【００２７】続く段階では、前記弾性層２３０が、Ｍ個
の準弾性部２３３に薄膜犠牲層２２４が露出されるまで
フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて、
図１０に示されたように、横方向にパターニングされ
る。前記各Ｍ個の準弾性部２３３はＮ個の脚形の部分
（ブリッジ形部分）を有する。続いて、前記各未完成ア
クチュエータ３２１を完全に覆う薄膜保護層２７０が、
図１１に示されたように形成される。
の準弾性部２３３に薄膜犠牲層２２４が露出されるまで
フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いて、
図１０に示されたように、横方向にパターニングされ
る。前記各Ｍ個の準弾性部２３３はＮ個の脚形の部分
（ブリッジ形部分）を有する。続いて、前記各未完成ア
クチュエータ３２１を完全に覆う薄膜保護層２７０が、
図１１に示されたように形成される。
【００２８】前記薄膜犠牲層２２４が続けて食刻液また
は化学溶剤を用いて除去されて駆動空間２８０を形成す
る。前記薄膜犠牲層２２４の除去に用いられた食刻液ま
たは化学溶剤はすすぎ洗い液を用いてすすいで除去され
た後、すすぎ洗い液も除去される。続く段階では、前記
薄膜保護層２７０が、図１２に示されたように、化学溶
剤を用いて除去される。前記薄膜保護層２７０の除去に
用いられる化学溶剤はすすぎ洗い液で除去された後、す
すぎ洗い液も除去される。
は化学溶剤を用いて除去されて駆動空間２８０を形成す
る。前記薄膜犠牲層２２４の除去に用いられた食刻液ま
たは化学溶剤はすすぎ洗い液を用いてすすいで除去され
た後、すすぎ洗い液も除去される。続く段階では、前記
薄膜保護層２７０が、図１２に示されたように、化学溶
剤を用いて除去される。前記薄膜保護層２７０の除去に
用いられる化学溶剤はすすぎ洗い液で除去された後、す
すぎ洗い液も除去される。
【００２９】最後に、前記Ｍ個の準弾性部２３３は反応
イオン食刻法などの食刻法を用いてＭ×Ｎ個の弾性部２
３５のアレイに列方向（ｒｏｗ方向）にパターニングさ
れて、図１３に示されたように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完成する。
イオン食刻法などの食刻法を用いてＭ×Ｎ個の弾性部２
３５のアレイに列方向（ｒｏｗ方向）にパターニングさ
れて、図１３に示されたように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完成する。
【００３０】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラー１０１のアレイ１００の製造法とは異なり、本発
明の方法によると、すすぎ洗い液の除去の際、未完成ア
クチュエータ３２１は、Ｍ個の準弾性部２３３各々がＮ
個の脚形の部分を有する各Ｍ個の準弾性部２３３によっ
て支持されるので、弾性部２３５がすすぎ洗い液の表面
張力によって駆動基板２１０に付く現象を防止すること
ができて、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の駆動
及び構造的特性が増加するようになり、アレイ３００の
全般的な駆動特性も増加する。
ミラー１０１のアレイ１００の製造法とは異なり、本発
明の方法によると、すすぎ洗い液の除去の際、未完成ア
クチュエータ３２１は、Ｍ個の準弾性部２３３各々がＮ
個の脚形の部分を有する各Ｍ個の準弾性部２３３によっ
て支持されるので、弾性部２３５がすすぎ洗い液の表面
張力によって駆動基板２１０に付く現象を防止すること
ができて、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の駆動
及び構造的特性が増加するようになり、アレイ３００の
全般的な駆動特性も増加する。
【００３１】図１４〜図１７は本発明の他の実施例によ
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のア
レイ３００の製造方法を説明する概略的な断面図を示し
たものである。
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のア
レイ３００の製造方法を説明する概略的な断面図を示し
たものである。
【００３２】本例では、前記図９に示されたように、薄
膜第１層２６０（図９）の沈積の後、前記薄膜第１層２
６０、電気的に変形可能な薄膜層２５０、薄膜第２層２
４０及び弾性層２３０が薄膜犠牲層２２４及び駆動基板
２１０の部分が露出されるまでフォトリソグラフィー法
またはレーザ切断法を用いて各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電
極２６５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜
部２５５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極２４５のア
レイ及びＭ×Ｎ個の弾性部２３５のアレイにパターニン
グされて、図１４に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラー３１１のアレイ３１０を形成する。
続く段階で、フォトレジストからなる薄膜保護層（図示
せず）で前記露出された駆動基板２１０及び薄膜犠牲層
２２４の部分を含むアクチュエーテッドミラー３１１を
完全に覆う。
膜第１層２６０（図９）の沈積の後、前記薄膜第１層２
６０、電気的に変形可能な薄膜層２５０、薄膜第２層２
４０及び弾性層２３０が薄膜犠牲層２２４及び駆動基板
２１０の部分が露出されるまでフォトリソグラフィー法
またはレーザ切断法を用いて各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電
極２６５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜
部２５５のアレイ、Ｍ×Ｎ個の薄膜第２電極２４５のア
レイ及びＭ×Ｎ個の弾性部２３５のアレイにパターニン
グされて、図１４に示されたように、Ｍ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラー３１１のアレイ３１０を形成する。
続く段階で、フォトレジストからなる薄膜保護層（図示
せず）で前記露出された駆動基板２１０及び薄膜犠牲層
２２４の部分を含むアクチュエーテッドミラー３１１を
完全に覆う。
【００３３】次に、前記薄膜保護層がフォトリソグラフ
ィー法を用いて薄膜犠牲層２２４が露出されるまでＭ個
の準薄膜保護部２７５へ、図１５に示されたように横方
向にパターニングされる。
ィー法を用いて薄膜犠牲層２２４が露出されるまでＭ個
の準薄膜保護部２７５へ、図１５に示されたように横方
向にパターニングされる。
【００３４】薄膜犠牲層２２４は続いて食刻液または化
学溶剤を用いて除去されて、図１６に示されたように、
駆動空間２８０を形成する。前記薄膜犠牲層２２４の除
去に用いられた食刻液または化学溶剤はすすぎ洗い液を
用いて除去される。最後に、Ｍ個の準薄膜保護部２７５
がプラズマ食刻法などの食刻法または燃やすことによっ
て除去されて、図１７に示されたように、Ｍ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完
成する。
学溶剤を用いて除去されて、図１６に示されたように、
駆動空間２８０を形成する。前記薄膜犠牲層２２４の除
去に用いられた食刻液または化学溶剤はすすぎ洗い液を
用いて除去される。最後に、Ｍ個の準薄膜保護部２７５
がプラズマ食刻法などの食刻法または燃やすことによっ
て除去されて、図１７に示されたように、Ｍ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００を完
成する。
【００３５】前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ
ラー３０１のアレイ３００の製造法においては、すすぎ
洗い液の除去の際、前記アクチュエータ３１１がＭ個の
準薄膜保護部２７５によって支持されるため、弾性部２
３５が駆動基板２１０に付く現象を防止することができ
るようにされ、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の
駆動及び構造的特性が増加され、アレイの全般的な駆動
特性も増加される。
ラー３０１のアレイ３００の製造法においては、すすぎ
洗い液の除去の際、前記アクチュエータ３１１がＭ個の
準薄膜保護部２７５によって支持されるため、弾性部２
３５が駆動基板２１０に付く現象を防止することができ
るようにされ、薄膜アクチュエーテッドミラー３０１の
駆動及び構造的特性が増加され、アレイの全般的な駆動
特性も増加される。
【００３６】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００３７】
【発明の効果】従って、本発明によれば、すすぎ洗い液
の除去の際、各準弾性部が準弾性部によって支持される
ため、弾性部２３５に生じる表面張力の除去が可能であ
ることでアレイの全般的な駆動特性を増大させることが
できる。
の除去の際、各準弾性部が準弾性部によって支持される
ため、弾性部２３５に生じる表面張力の除去が可能であ
ることでアレイの全般的な駆動特性を増大させることが
できる。
【図１】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイの製造方法を説明する断面図である。
ーアレイの製造方法を説明する断面図である。
【図２】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図３】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図４】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図５】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図６】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図７】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的
な断面図である。
ュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概略的
な断面図である。
【図９】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１０】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１１】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１２】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１３】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１４】本発明の他の実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概
略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明する概
略的な断面図である。
【図１５】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１６】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
【図１７】同じく、その製造方法を説明する断面図であ
る。
る。
２１０ 駆動基板 ２１２ 基板 ２１４ 接続端子 ２２４ 薄膜犠牲層 ２２６ コンジット ２３０ 弾性層 ２３５ 弾性部 ２４０ 薄膜第２層 ２４５ 薄膜第２電極 ２５０ 電気的に変形可能な薄膜層 ２５５ 電気的に変形可能な薄膜部 ２６０ 薄膜第１層 ２６５ 薄膜第１電極 ２７０ 薄膜保護層 ２７５ 薄膜保護部 ２８０ 駆動空間 ３０１ 薄膜アクチュエーテッドミラー ３１１ アクチュエータ ３２１ 未完成構造のアクチュエータ
Claims (9)
- 【請求項１】 光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、 各接続端子が関連トランジスタに電気的に連結されたＭ
×Ｎ個の接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタの
アレイ及び基板を含む駆動基板を準備する第１過程と、 前記駆動基板の上部に薄膜犠牲層を沈積させる第２過程
と、 各空孔が接続端子の上部周りに位置するように前記薄膜
犠牲層にＭ×Ｎ個の空孔のアレイを形成する第３過程
と、 前記空孔を含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質からなる弾
性層を沈積させる第４過程と、 各コンジットが弾性層の上部から関連接続端子の上部ま
で形成されるように上部弾性層にＭ×Ｎ個のコンジット
のアレイを形成する第５過程と、 前記コンジットを含む弾性層の上部に導電性物質からな
る薄膜第２層、薄膜エレクトロディスプレイシブ層及び
導電性物質で光を反射する物質からなる薄膜第１層を沈
積させる第６過程と、 前記薄膜第１層、電気的に変形可能な薄膜層及び薄膜第
２層を各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電極のアレイ、Ｍ×Ｎ個
の電気的に変形可能な薄膜のアレイ及びＭ×Ｎ個の薄膜
第２電極のアレイに前記弾性層が露出するまでパターニ
ングしてＭ×Ｎ個の未完成アクチュエーテッドミラーア
レイを形成するようにする第７過程であって、前記各未
完成アクチュエータは薄膜第１電極、薄膜エレクトロデ
ィスプレイシブ部及び薄膜第２電極を含み、前記薄膜第
２電極はコンジット及び接続端子を通じて関連トランジ
スタに電気的に連結されて各薄膜アクチュエータで信号
電極の機能をし、前記薄膜第１電極は各薄膜アクチュエ
ータでバイアス電極及びミラーの機能をする前記第７過
程と、 前記弾性層を前記薄膜犠牲層が露出されるまでＮ個の脚
形の部分を有するＭ個の準弾性部に横方向にパターニン
グする第８過程と、 前記各未完成アクチュエータを完全に覆う薄膜保護層を
形成する第９過程と、 前記薄膜犠牲層を除去して駆動空間を形成する第１０過
程と、 前記薄膜保護層を除去する第１１過程と、 前記Ｍ個の準弾性部をＭ×Ｎ個の弾性部のアレイで列方
向へパターニングしてＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイを完成する第１２過程とを含むことを特
徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ
イの製造方法。 - 【請求項２】 前記弾性層がフォトリソグラフィー法を
用いてＭ個の準弾性部にパターニングされることを特徴
とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ
ッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項３】 前記弾性層が、レーザ切断法を用いてＭ
個の準弾性部にパターニングされることを特徴とする請
求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイの製造方法。 - 【請求項４】 前記Ｍ個の準弾性部が、反応イオン食刻
法を用いてＭ×Ｎ個の弾性部のアレイにパターニングさ
れることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の
Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーアレイの製造方
法。 - 【請求項５】 光投射システムで用いるＭ×Ｎ個の薄膜
アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、 対応するトランジスタに電気的に連結されるＭ×Ｎ個の
接続端子のアレイ、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及
び基板を含む駆動基板を準備する第１過程と、 前記駆動基板の上部に薄膜犠牲層を沈積する第２過程
と、 各空孔が接続端子の上部周りに位置するように前記薄膜
犠牲層にＭ×Ｎ個の空孔のアレイを形成する第３過程
と、 前記空孔を含む薄膜犠牲層の上部に絶縁物質からなる弾
性層を沈積させる第４過程と、 各コンジットが弾性層の上部から関連接続端子の上部ま
で形成されるように前記弾性層にＭ×Ｎ個のコンジット
のアレイを形成する第５過程と、 前記コンジットを含む弾性層の上部に導電性物質からな
る薄膜第２層、電気的に変形可能な薄膜層及び導電性物
質で光を反射する物質からなる薄膜第１層を沈積させる
第６過程と、 前記薄膜第１層、電気的に変形可能な薄膜層、薄膜第２
層及び弾性層を薄膜犠牲層及び駆動基板の部分が露出さ
れるまで各々Ｍ×Ｎ個の薄膜第１電極のアレイ、Ｍ×Ｎ
個の電気的に変形可能な薄膜部のアレイ、Ｍ×Ｎ個の薄
膜第２電極のアレイ及びＭ×Ｎ個の弾性部のアレイにパ
ターニングしてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーア
レイを形成するようになる第７過程であって、前記各ア
クチュエータの構造は薄膜第１電極、電気的に変形可能
な薄膜部、薄膜第２電極及び弾性部を含み、前記薄膜第
２電極はコンジット及び接続端子を通じて関連トランジ
スタに電気的に連結されて各薄膜アクチュエータで信号
電極の機能を行い、前記薄膜第１電極は各薄膜アクチュ
エータでバイアス電極及びミラーの機能をする前記第７
過程と、 前記露出された薄膜犠牲層及び駆動基板の部分を含みア
クチュエータ構造を完全に覆う薄膜保護層を形成する第
８過程と、 前記薄膜保護層をＭ個の準薄膜保護部に前記薄膜犠牲層
が露出されるまで横方向にパターニングする第９過程
と、 前記薄膜犠牲層を除去して駆動空間を形成する第１０過
程と、 前記Ｍ個の準薄膜保護部を除去してＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエータを完成する第１１過程とを含むことを特徴と
するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
製造方法。 - 【請求項６】 前記薄膜保護層が、フォトリソグラフィ
ー法からなることを特徴とする請求項５に記載のＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項７】 前記薄膜保護層が、フォトリソグラフィ
ー法を用いてＭ個の準薄膜保護部にパターニングされる
ことを特徴とする請求項５に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項８】 前記Ｍ個の準薄膜保護部が、燃やすこと
によって除去されることを特徴とする請求項５に記載の
Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造
方法。 - 【請求項９】 前記Ｍ個の準薄膜保護部が、プラズマ食
刻法を用いて除去されることを特徴とする請求項５に記
載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの
製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950013352A KR0159393B1 (ko) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 광로 조절 장치의 제조방법 |
| KR95-13352 | 1995-05-26 | ||
| KR95-13353 | 1995-05-26 | ||
| KR1019950013353A KR0159394B1 (ko) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 광로 조절 장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327881A true JPH08327881A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=26631044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8116130A Pending JPH08327881A (ja) | 1995-05-26 | 1996-05-10 | 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5637517A (ja) |
| JP (1) | JPH08327881A (ja) |
| CN (1) | CN1160220A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
| EP0798272B1 (en) * | 1996-03-27 | 2004-08-18 | Asahi Glass Company Ltd. | Laminate and process for its production |
| EP0856825B1 (en) * | 1997-01-31 | 2004-11-17 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for manufacturing integrated semiconductor devices comprising a chemoresistive gas microsensor |
| WO1999023832A1 (en) * | 1997-10-31 | 1999-05-14 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film actuated mirror array in an optical projection system |
| US6468437B1 (en) * | 1998-12-03 | 2002-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing liquid discharging head |
| US6203715B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-03-20 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for the manufacture of a thin film actuated mirror array |
| AU2002230678A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-18 | Philip Joseph Koh | A high frequency interconnect system using micromachined plugs and sockets |
| WO2003017653A2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Cae Inc. | Video projector and optical light valve therefor |
| KR100645640B1 (ko) * | 2003-11-03 | 2006-11-15 | 삼성전기주식회사 | 회절형 박막 압전 마이크로 미러 및 그 제조 방법 |
| AU2006265019B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-10-13 | Celgene Corporation | Processes for the preparation of 4-amino-2-(2,6-dioxopiperidin-3-yl)isoindoline-1,3-dione compounds |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1996
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