JP4234219B2 - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに関し、特に、各々の薄膜アクチュエーテッドミラーがレベル付け部を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の多様なビデオディスプレイシステムのうち、光投射システムは高画質の画像を大画面で提供し得るものとして知られている。そのような光投射システムにおいて、ランプから発せられた光は、例えば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ上に一様に入射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続されている。これらのアクチュエーターは、印加された電界信号に応じて変形を起こす、圧電物質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質からなり得る。
【０００３】
各ミラーから反射した光線は、例えば、光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエーターに電気信号を印加することによって、各ミラーの入射光線に対する相対的な位置が変更されることによって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向される。各反射光線の光路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された光線の光量が変わることによって光の強さが変調される。開口を経て変調された光線は、投射レンズのような適切な光学装置を介して投射スクリーン上に入射し、その上に像を表示する。
【０００４】
図１には、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー101 よりなるアレイ100 の製造方法を説明するための概略的な断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及びＮは各々正の整数である。このアレイ100 は、本願出願と出願人を同じくする米国特許出願番号第08/602,928号明細書に、「THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM 」との名称で開示されている。
【０００５】
図2A及び図2Bは、各々図１中の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿って、線Ａ−Ａ及び線Ｃ−Ｃに沿って取った概略的な断面図である。
【０００６】
アレイ100 は、能動マトリックス110 、パッシベーション(passivation) 層120 、食刻液流入防止層130 及びＭ×Ｎ個の駆動構造体200 のアレイを備える。
能動マトリックス110 は、基板112 、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）及びＭ×Ｎ個の接続端子114 のアレイを備える。
【０００７】
リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm のパッシベーション層120 は、能動マトリックス110 の上部に位置する。
【０００８】
窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm の食刻液流入防止層130 は、パッシベーション層120 の上部に位置する。
【０００９】
駆動構造体200 の各々は、第１薄膜電極185 、変形可能な薄膜部175 、第２薄膜電極165 、弾性部155 及びコンジット195 から構成される。光反射性及び導電性物質からなる第１薄膜電極185 は、変形可能な薄膜部175 の上部に位置し電気的に接地されて、ミラーだけではなく共通バイアス電極として作用する。圧電物質または電歪物質からなる変形可能な薄膜部175 は、第２薄膜電極165 の上部に位置する。導電性物質からなる第２薄膜電極165 は、弾性部155 の上部に位置し、コンジット195 及び接続端子114 を通じて対応するトランジスタに電気的に接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー101 における第２薄膜電極165 から電気的に非接続とされて、信号電極として作用する。窒化物からなる弾性部155 は、第２薄膜電極165 の下部に位置する。金属からなるコンジット195 は、変形可能な薄膜部175 の上部から対応する接続端子114 の上部まで延在する。各々の薄膜アクチュエーテッドミラー101 において変形可能な薄膜部175 の上部から下の方に延在するコンジット195 と変形可能な薄膜部175 の上部に形成された第１薄膜電極185 とは、互いに電気的に接続されていない。各々の能動マトリックス200 は、近位端210 及び遠位端220 を有し、近位端210 は第１側面部212 と第２側面部214 とに分けられる。近位端210 の下部は食刻液流入防止層130 とパッシベション層120 との間に部分的に貫通して、能動マトリックス110 の上部に形成されることによって、駆動構造体200 を片持ちすることにする。
【００１０】
前述したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー101 のアレイ100 には幾つかの欠点がある。即ち、各駆動構造体200 における近位端210 の下部が駆動構造体を片持ちするため能動マトリックス110 の上部に形成されており、能動マトリックス110 の接続端子114 の各々が近位端210 の第１側面部212 の下部に位置するので、近位端210 における第１側面部212 の高さと第２側面部214 の高さとが異なって、駆動構造体200 が傾くようになるという不都合がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、光投射システムに用いられ、各薄膜アクチュエーテッドミラーがレベル付け部を有するＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。
本発明の他の目的は、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにある。
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、
基板、Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタ、Ｍ個のソースライン、Ｎ個のゲートライン、Ｍ×Ｎ個の接続端子及びＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイを有する能動マトリックスと、
前記能動マトリックスの上部に形成される不動態化層（パッシベーション層）と、
前記パッシベーション層の上部に形成される食刻液流入防止層と、
各々が第１薄膜電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極、弾性部及びコンジットを有するＭ×Ｎ個の駆動構造体とを含むことを特徴とし、
前記第１薄膜電極が前記変形可能な薄膜部の上部に位置すると共に、電気的に接地されることによってミラーだけではなく共通バイアス電極として作用し、前記変形可能な薄膜部が前記第２薄膜電極の上部に位置し、前記第２薄膜電極が前記弾性部の上部に位置し、前記コンジット及び前記接続端子を通じて対応するトランジスタに電気的に接続されることによって信号電極として作用し、前記弾性部が前記第２薄膜電極の下部に位置し、前記コンジットが前記変形可能な薄膜部の上部から前記接続端子の上部まで延在し、前記駆動構造体の各々が近位端と遠位端から構成され、前記近位端は第１側面部と第２側面部に分けられ、前記近位端の第１側面部は前記パッシベーション層と前記食刻液流入防止層との間に部分的に貫通して、前記能動マトリックスにおける前記接続端子の上部に位置し、前記近位端の第２側面は前記能動マトリックスにおける前記レベル付け部の上部に位置することによって、前記駆動構造体を片持ちするとともに、前記レベル付け部の上部が、前記接続端子の上部と同一の高さになっていることを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。
【００１３】
本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、
Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタのアレイ及びＭ個のソースラインを有する基板を準備する第１工程と、
前記ＭＯＳトランジスタのアレイを有する前記基板の上部に金属層を蒸着する第２工程と、
前記金属層をＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイ、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイ及びＮ個のゲートラインにパターニングすることによって、能動マトリックスを形成する第３工程と、
前記能動マトリックスの上部にパッシベーション層及び食刻液流入防止層を各々形成する第４工程と、
前記食刻液流入防止層の上部にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５工程と、
前記薄膜犠牲層の上部に弾性層及び第2薄膜層を各々蒸着する第６工程と、
前記第２薄膜層をＭ×Ｎ個の第2薄膜電極にイソ−カッティング(iso-cutting）する第７工程と、
前記第２薄膜電極の上部に変形可能な薄膜層及び第１薄膜層を各々蒸着することによって、多層構造体を形成する第８工程と、
前記薄膜犠牲層が露出するまで、前記多層構造体を、各々が第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の未完成駆動構造体にパターニングする第９工程と、
Ｍ×Ｎ個のコンジットのアレイを前記変形可能な薄膜部の上部から対応する接続端子の上部まで形成することによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体を形成する第10工程と、
前記薄膜犠牲層を取除くことによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する第11工程
とを含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。図3(A)及び図3(B)は、各々、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の断面図であり、図4(A)及び図4(B)は各々薄膜アクチュエーテッドミラー301 における能動マトリックス310 の平面図であり、図５〜図１４は各々Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明するための概略的な断面図である。ここで、Ｍ、Ｎは正の整数である。各図中で、同一部分は同一の参照符号を付して表示したことに注目されたい。
【００１５】
図3(A)及び図3(B)は、各々、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301のアレイ300 を説明する概略的な断面図であって、アレイ300 は、能動マトリックス310 、パッシベーション層320 、食刻液流入防止層330 及びＭ×Ｎ個の駆動構造体410 のアレイを備える。
【００１６】
能動マトリックス310 は、基板312 、Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタ430 のアレイ、Ｍ個のソースライン442 、Ｎ個のゲートライン（図示せず）、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ、Ｍ×Ｎ個のレベル付け部448 のアレイを備える。
【００１７】
リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm のパッシベーション層320 は、能動マトリックス310 の上部に位置する。
【００１８】
窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm の食刻液流入防止層330 は、パッシベーション層320 の上部に位置する。
【００１９】
各々の駆動構造体410 は、第１薄膜電極385 、変形可能な薄膜部375 、第２薄膜電極365 、弾性部355 及びコンジット395 を備える。アルミニウム(Al)または銀(Ag)のような導電性及び光反射性物質からなる第１薄膜電極385 は、変形可能な薄膜部375 の上部に位置し、電気的に接地されることによって、ミラーだけではなく共通バイアス電極として作用する。ジルコン酸チタン酸鉛(PZT) のような圧電物質または硝酸マグネシウム鉛(PMN) のような電歪物質からなる変形可能な薄膜部375 は、第２薄膜電極365 の上部に位置する。白金／タンタル(Pt/Ta) のような導電性物質からなる第２薄膜電極365 は、弾性部355 の上部に位置し、コンジット395 及び接続端子446 を通じて対応するトランジスタに電気的に接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー301 の第２薄膜電極365 と電気的に非接続とされることによって、信号電極として作用する。窒化ケイ素のような窒化物からなる弾性部355 は、第２薄膜電極365 の下部に位置する。タングステン(W) のような金属からなるコンジット395 は、変形可能な薄膜部375 の上部から接続端子446 の上部まで延在して形成される。各々の薄膜アクチュエーテッドミラー301 において、変形可能な薄膜部375 の上部から下の方に延在するコンジット395 と変形可能な薄膜部375 の上部に位置する第１薄膜電極385 とは、互いに電気的に接続されていない。各々の駆動構造体410 は、近位端420 及び遠位端425 を有し、近位端420 は第１側面部422 と第２側面部424 に分けられる。ここで、近位端420 の第１側面部422 は食刻液流入防止層330 とパッシベーション層320 との間に部分的に貫通して、能動マトリックス310 の接続端子446 の上部に形成されており、近位端420 の第２側面部424 は能動マトリックス310 のレベル付け部448 の上部に形成されることによって、駆動構造体410 を片持ちする。
【００２０】
図4A及び図4Bには、本発明の二つの実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 における能動マトリックス310 の平面図が各々示されている。
【００２１】
各トランジスタ430 は、ソース端子432 、ゲート端子434 及びドレイン端子436 を有し、同行に位置したソース端子432 の各々はソースライン442 として互いに電気的に接続されており、同列に位置したゲート端子434 の各々はゲートライン444 として互いに電気的に接続され、各ドレイン端子436 は対応する接続端子446 に電気的に接続されている。ソースライン442 は、ゲートライン444 と電気的に短絡されている。各アクチュエーテッドミラー301 において、各接続端子446 は近位端420 の第１側面部の下部に位置し、各レベル付け部448 は近位端420 の第２側面部の下部に位置している。レベル付け部448 の上部が接続端子446 の上部と同一に形成されるように、レベル付け部448 は能動マトリックス310 に組み込まれる。図4Aに示すように、本発明の一実施例によれば、各レベル付け部448 は、接続端子446 を、隣接する薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第１側面部422 から薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第２側面部424 まで延在することによって形成される。図4Bに示すように、本発明の他の実施例によれば、ゲートライン444 は、薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第２側面部に位置することによって、レベル付け部448 として働きを果たす。
【００２２】
図５〜図１４は、各々図３に示すＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明する断面図である。
【００２３】
図4A、図4B及び図５に示すように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明する概略的な断面図が示されている。
アレイ300 の製造工程は、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ430 のアレイ、Ｍ個のソースライン442 を有する基板312 の準備から始まる。同列に位置する各ソース端子432 はソースライン442 のうちのいずれか一つを通じて電気的に互いに接続している。
【００２４】
図６に示すように、タングステン(W) のような金属からなる金属層440 が、トランジスタ430 を有する基板312 の上部にスパッタリング法を用いて蒸着される。
【００２５】
次に、金属層440 はＮ個のゲートライン444 、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ及びＭ×Ｎ個のレベル付け部448 のアレイにパターニングされることによって、能動マトリックス310 が形成される。図4A、図4B及び図７に示すように、同行に位置する各ゲート端子434 は、ゲートライン444 のうちのいずれか一つを通じて互いに電気的に接続される。各ドレイン端子436 は、対応する接続端子446 に電気的に接続される。
【００２６】
続いて、ＰＳＧまたは窒化ケイ素からなり、厚み、0.1 〜２μm のパッシベーション層320 が、CVD 法またはスピンコーティング法を用いて、能動マトリックス310 の上部に形成される。
【００２７】
次に、図８に示すように、窒化ケイ素からなり、厚み、0.1 〜２μm の食刻液流入防止層330 が、スパッタリング法またはCVD 法を用いて、パッシベーション層の上部に蒸着される。
その後、薄膜犠牲層340 が、食刻液流入防止層330 の上部に形成される。薄膜犠牲層340 は、金属からなる場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて形成され、ＰＳＧからなる場合にはCVD 法またはスピンコーティング法を用いて形成し、ポリシリコンからなる場合にはCVD 法を用いて形成される。
【００２８】
続いて、図９に示すように、各対における空スロット345 のうちのいずれか一つがドライエッチング法及びウェットエッチング法を用いて接続端子446 のうちのいずれか一つを取囲むように、Ｍ×Ｎ対の空スロット345 のアレイが薄膜犠牲層340 に形成される。
【００２９】
次に、窒化ケイ素のような窒化物からなり、厚み、0.1 〜２μｍの弾性層350 が、CVD 法を用いて、空スロット345 を有する薄膜犠牲層340 の上部に蒸着される。
【００３０】
その後、図１０に示すように、(Pt/Ta) のような導電性物質からなり、厚み、0.１〜２μm の第２薄膜層（図示せず）が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて弾性層の上部に形成される。その後、第２薄膜層は、ドライエッチング法を用いてＭ×Ｎ個の第２薄膜電極365 のアレイにイソ−カッティングされる。ここで、各々の第２薄膜電極365 は、他の第２薄膜電極365 と電気的に非接続とされている。
【００３１】
続いて、PZT のような圧電物質またはPMN のような電歪物質からなり、厚み、0.1 〜２μm の変形可能な薄膜層370 が、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及びCVD 法を用いてＭ×Ｎ個の第２薄膜電極365 の上部に蒸着される。
次に、図１１に示すように、アルミニウム(Al)または銀(Ag)のような導電性であり光反射性物質からなり、厚み、0.1 〜２μm の第１薄膜層380 が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて変形可能な薄膜層370 の上部に形成されることによって、多層構造体390 が形成される。
【００３２】
図１２に示すように、多層構造体390 は、薄膜犠牲層340 が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いてＭ×Ｎ個の未完成駆動構造体400 のアレイにパターニングされる。各々の未完成駆動構造体400 は、第１薄膜電極385 、変形可能な薄膜部375 、第２薄膜電極365 及び弾性部355 を備える。
【００３３】
続いて、Ｍ×Ｎ個の孔のアレイ（図示せず）が、エッチング法を用いて形成される。ここで、各孔は変形可能な薄膜部375 の上部から対応する接続端子446 の上部まで延在して形成される。
【００３４】
次に、図１３に示すように、コンジット395 が、各孔をリフト−オフ法を用いてタングステン(W) のような金属で埋め込んで形成されることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体410 のアレイを形成する。
【００３５】
図１４に示すように、薄膜犠牲層340 が、例えば、フッ化水素(HF)蒸気等の食刻液または化学液でウエットエッチング法を用いて取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 が形成される。
【００３６】
本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 において、能動マトリックス310 は、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ及びＭ×Ｎ個のレベル付け部448 を備える。接続端子446 及びレベル付け部448 が、薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第１及び第２側面部422 、424 の下部に各々位置され、接続端子446 の上部とレベル付け部448 の上部とが互いに同一に形成され近位端420 の第１側面部422 と第２側面部424 が互いに同じ高さに形成するようにする。
【００３７】
上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３８】
従って、本発明によれば、レベル付け部を各薄膜アクチュエーテッドミラーに組み込むとともにレベル付け部の上部を前記接続端子の上部と同一の高さにすることによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造の際、駆動構造体の傾き現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの平面図である。
【図２】(A) 及び(B) よりなり、各々図１中の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿って、線Ａ−Ａ及び線Ｃ−Ｃに沿って取った概略的な断面図である。
【図３】 (A) 及び(B) よりなり、各々は、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを説明するための概略的な断面図である。
【図４】 (A) 及び(B) よりなり、各々本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの能動マトリックスの平面図である。
【図５】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図７】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図８】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図９】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
100, 300 アレイ
101, 301 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
110, 310, 410 能動マトリックス
112, 312 基板
114, 446 接続端子
120, 320 パッシベーション層
130, 330 食刻液流入防止層
155, 355 弾性部
165, 365 第２薄膜電極
175, 375 電気的に変形可能な薄膜部
185, 385 第１薄膜電極
195, 395 コンジット
200, ×Ｎ個の駆動構造体
210, 420 近位端
212, 422 第１側面部
214, 424 第２側面部
220 駆動構造体
400 未完成駆動構造体
425 遠位端
430 トランジスタ
432 ソース端子
434 ゲート端子
436 ドレイン端子
442 ソースライン
444 ゲートライン
448 レベル付け部
【発明の属する技術分野】
本発明は、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに関し、特に、各々の薄膜アクチュエーテッドミラーがレベル付け部を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の多様なビデオディスプレイシステムのうち、光投射システムは高画質の画像を大画面で提供し得るものとして知られている。そのような光投射システムにおいて、ランプから発せられた光は、例えば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ上に一様に入射される。ここで、各ミラーは各アクチュエータに接続されている。これらのアクチュエーターは、印加された電界信号に応じて変形を起こす、圧電物質または電歪物質のような電気的に変形可能な物質からなり得る。
【０００３】
各ミラーから反射した光線は、例えば、光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエーターに電気信号を印加することによって、各ミラーの入射光線に対する相対的な位置が変更されることによって、各ミラーからの反射光線の光路が偏向される。各反射光線の光路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された光線の光量が変わることによって光の強さが変調される。開口を経て変調された光線は、投射レンズのような適切な光学装置を介して投射スクリーン上に入射し、その上に像を表示する。
【０００４】
図１には、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー101 よりなるアレイ100 の製造方法を説明するための概略的な断面図が各々示されている。ここで、Ｍ及びＮは各々正の整数である。このアレイ100 は、本願出願と出願人を同じくする米国特許出願番号第08/602,928号明細書に、「THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM 」との名称で開示されている。
【０００５】
図2A及び図2Bは、各々図１中の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿って、線Ａ−Ａ及び線Ｃ−Ｃに沿って取った概略的な断面図である。
【０００６】
アレイ100 は、能動マトリックス110 、パッシベーション(passivation) 層120 、食刻液流入防止層130 及びＭ×Ｎ個の駆動構造体200 のアレイを備える。
能動マトリックス110 は、基板112 、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）及びＭ×Ｎ個の接続端子114 のアレイを備える。
【０００７】
リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm のパッシベーション層120 は、能動マトリックス110 の上部に位置する。
【０００８】
窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm の食刻液流入防止層130 は、パッシベーション層120 の上部に位置する。
【０００９】
駆動構造体200 の各々は、第１薄膜電極185 、変形可能な薄膜部175 、第２薄膜電極165 、弾性部155 及びコンジット195 から構成される。光反射性及び導電性物質からなる第１薄膜電極185 は、変形可能な薄膜部175 の上部に位置し電気的に接地されて、ミラーだけではなく共通バイアス電極として作用する。圧電物質または電歪物質からなる変形可能な薄膜部175 は、第２薄膜電極165 の上部に位置する。導電性物質からなる第２薄膜電極165 は、弾性部155 の上部に位置し、コンジット195 及び接続端子114 を通じて対応するトランジスタに電気的に接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー101 における第２薄膜電極165 から電気的に非接続とされて、信号電極として作用する。窒化物からなる弾性部155 は、第２薄膜電極165 の下部に位置する。金属からなるコンジット195 は、変形可能な薄膜部175 の上部から対応する接続端子114 の上部まで延在する。各々の薄膜アクチュエーテッドミラー101 において変形可能な薄膜部175 の上部から下の方に延在するコンジット195 と変形可能な薄膜部175 の上部に形成された第１薄膜電極185 とは、互いに電気的に接続されていない。各々の能動マトリックス200 は、近位端210 及び遠位端220 を有し、近位端210 は第１側面部212 と第２側面部214 とに分けられる。近位端210 の下部は食刻液流入防止層130 とパッシベション層120 との間に部分的に貫通して、能動マトリックス110 の上部に形成されることによって、駆動構造体200 を片持ちすることにする。
【００１０】
前述したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー101 のアレイ100 には幾つかの欠点がある。即ち、各駆動構造体200 における近位端210 の下部が駆動構造体を片持ちするため能動マトリックス110 の上部に形成されており、能動マトリックス110 の接続端子114 の各々が近位端210 の第１側面部212 の下部に位置するので、近位端210 における第１側面部212 の高さと第２側面部214 の高さとが異なって、駆動構造体200 が傾くようになるという不都合がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、光投射システムに用いられ、各薄膜アクチュエーテッドミラーがレベル付け部を有するＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することにある。
本発明の他の目的は、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することにある。
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、
基板、Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタ、Ｍ個のソースライン、Ｎ個のゲートライン、Ｍ×Ｎ個の接続端子及びＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイを有する能動マトリックスと、
前記能動マトリックスの上部に形成される不動態化層（パッシベーション層）と、
前記パッシベーション層の上部に形成される食刻液流入防止層と、
各々が第１薄膜電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極、弾性部及びコンジットを有するＭ×Ｎ個の駆動構造体とを含むことを特徴とし、
前記第１薄膜電極が前記変形可能な薄膜部の上部に位置すると共に、電気的に接地されることによってミラーだけではなく共通バイアス電極として作用し、前記変形可能な薄膜部が前記第２薄膜電極の上部に位置し、前記第２薄膜電極が前記弾性部の上部に位置し、前記コンジット及び前記接続端子を通じて対応するトランジスタに電気的に接続されることによって信号電極として作用し、前記弾性部が前記第２薄膜電極の下部に位置し、前記コンジットが前記変形可能な薄膜部の上部から前記接続端子の上部まで延在し、前記駆動構造体の各々が近位端と遠位端から構成され、前記近位端は第１側面部と第２側面部に分けられ、前記近位端の第１側面部は前記パッシベーション層と前記食刻液流入防止層との間に部分的に貫通して、前記能動マトリックスにおける前記接続端子の上部に位置し、前記近位端の第２側面は前記能動マトリックスにおける前記レベル付け部の上部に位置することによって、前記駆動構造体を片持ちするとともに、前記レベル付け部の上部が、前記接続端子の上部と同一の高さになっていることを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。
【００１３】
本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、
Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタのアレイ及びＭ個のソースラインを有する基板を準備する第１工程と、
前記ＭＯＳトランジスタのアレイを有する前記基板の上部に金属層を蒸着する第２工程と、
前記金属層をＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイ、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイ及びＮ個のゲートラインにパターニングすることによって、能動マトリックスを形成する第３工程と、
前記能動マトリックスの上部にパッシベーション層及び食刻液流入防止層を各々形成する第４工程と、
前記食刻液流入防止層の上部にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５工程と、
前記薄膜犠牲層の上部に弾性層及び第2薄膜層を各々蒸着する第６工程と、
前記第２薄膜層をＭ×Ｎ個の第2薄膜電極にイソ−カッティング(iso-cutting）する第７工程と、
前記第２薄膜電極の上部に変形可能な薄膜層及び第１薄膜層を各々蒸着することによって、多層構造体を形成する第８工程と、
前記薄膜犠牲層が露出するまで、前記多層構造体を、各々が第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の未完成駆動構造体にパターニングする第９工程と、
Ｍ×Ｎ個のコンジットのアレイを前記変形可能な薄膜部の上部から対応する接続端子の上部まで形成することによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体を形成する第10工程と、
前記薄膜犠牲層を取除くことによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する第11工程
とを含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。図3(A)及び図3(B)は、各々、光投射システムに用いられ、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の断面図であり、図4(A)及び図4(B)は各々薄膜アクチュエーテッドミラー301 における能動マトリックス310 の平面図であり、図５〜図１４は各々Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明するための概略的な断面図である。ここで、Ｍ、Ｎは正の整数である。各図中で、同一部分は同一の参照符号を付して表示したことに注目されたい。
【００１５】
図3(A)及び図3(B)は、各々、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301のアレイ300 を説明する概略的な断面図であって、アレイ300 は、能動マトリックス310 、パッシベーション層320 、食刻液流入防止層330 及びＭ×Ｎ個の駆動構造体410 のアレイを備える。
【００１６】
能動マトリックス310 は、基板312 、Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタ430 のアレイ、Ｍ個のソースライン442 、Ｎ個のゲートライン（図示せず）、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ、Ｍ×Ｎ個のレベル付け部448 のアレイを備える。
【００１７】
リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm のパッシベーション層320 は、能動マトリックス310 の上部に位置する。
【００１８】
窒化ケイ素からなり、厚み0.1 〜２μm の食刻液流入防止層330 は、パッシベーション層320 の上部に位置する。
【００１９】
各々の駆動構造体410 は、第１薄膜電極385 、変形可能な薄膜部375 、第２薄膜電極365 、弾性部355 及びコンジット395 を備える。アルミニウム(Al)または銀(Ag)のような導電性及び光反射性物質からなる第１薄膜電極385 は、変形可能な薄膜部375 の上部に位置し、電気的に接地されることによって、ミラーだけではなく共通バイアス電極として作用する。ジルコン酸チタン酸鉛(PZT) のような圧電物質または硝酸マグネシウム鉛(PMN) のような電歪物質からなる変形可能な薄膜部375 は、第２薄膜電極365 の上部に位置する。白金／タンタル(Pt/Ta) のような導電性物質からなる第２薄膜電極365 は、弾性部355 の上部に位置し、コンジット395 及び接続端子446 を通じて対応するトランジスタに電気的に接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー301 の第２薄膜電極365 と電気的に非接続とされることによって、信号電極として作用する。窒化ケイ素のような窒化物からなる弾性部355 は、第２薄膜電極365 の下部に位置する。タングステン(W) のような金属からなるコンジット395 は、変形可能な薄膜部375 の上部から接続端子446 の上部まで延在して形成される。各々の薄膜アクチュエーテッドミラー301 において、変形可能な薄膜部375 の上部から下の方に延在するコンジット395 と変形可能な薄膜部375 の上部に位置する第１薄膜電極385 とは、互いに電気的に接続されていない。各々の駆動構造体410 は、近位端420 及び遠位端425 を有し、近位端420 は第１側面部422 と第２側面部424 に分けられる。ここで、近位端420 の第１側面部422 は食刻液流入防止層330 とパッシベーション層320 との間に部分的に貫通して、能動マトリックス310 の接続端子446 の上部に形成されており、近位端420 の第２側面部424 は能動マトリックス310 のレベル付け部448 の上部に形成されることによって、駆動構造体410 を片持ちする。
【００２０】
図4A及び図4Bには、本発明の二つの実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 における能動マトリックス310 の平面図が各々示されている。
【００２１】
各トランジスタ430 は、ソース端子432 、ゲート端子434 及びドレイン端子436 を有し、同行に位置したソース端子432 の各々はソースライン442 として互いに電気的に接続されており、同列に位置したゲート端子434 の各々はゲートライン444 として互いに電気的に接続され、各ドレイン端子436 は対応する接続端子446 に電気的に接続されている。ソースライン442 は、ゲートライン444 と電気的に短絡されている。各アクチュエーテッドミラー301 において、各接続端子446 は近位端420 の第１側面部の下部に位置し、各レベル付け部448 は近位端420 の第２側面部の下部に位置している。レベル付け部448 の上部が接続端子446 の上部と同一に形成されるように、レベル付け部448 は能動マトリックス310 に組み込まれる。図4Aに示すように、本発明の一実施例によれば、各レベル付け部448 は、接続端子446 を、隣接する薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第１側面部422 から薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第２側面部424 まで延在することによって形成される。図4Bに示すように、本発明の他の実施例によれば、ゲートライン444 は、薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第２側面部に位置することによって、レベル付け部448 として働きを果たす。
【００２２】
図５〜図１４は、各々図３に示すＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明する断面図である。
【００２３】
図4A、図4B及び図５に示すように、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 の製造方法を説明する概略的な断面図が示されている。
アレイ300 の製造工程は、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ430 のアレイ、Ｍ個のソースライン442 を有する基板312 の準備から始まる。同列に位置する各ソース端子432 はソースライン442 のうちのいずれか一つを通じて電気的に互いに接続している。
【００２４】
図６に示すように、タングステン(W) のような金属からなる金属層440 が、トランジスタ430 を有する基板312 の上部にスパッタリング法を用いて蒸着される。
【００２５】
次に、金属層440 はＮ個のゲートライン444 、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ及びＭ×Ｎ個のレベル付け部448 のアレイにパターニングされることによって、能動マトリックス310 が形成される。図4A、図4B及び図７に示すように、同行に位置する各ゲート端子434 は、ゲートライン444 のうちのいずれか一つを通じて互いに電気的に接続される。各ドレイン端子436 は、対応する接続端子446 に電気的に接続される。
【００２６】
続いて、ＰＳＧまたは窒化ケイ素からなり、厚み、0.1 〜２μm のパッシベーション層320 が、CVD 法またはスピンコーティング法を用いて、能動マトリックス310 の上部に形成される。
【００２７】
次に、図８に示すように、窒化ケイ素からなり、厚み、0.1 〜２μm の食刻液流入防止層330 が、スパッタリング法またはCVD 法を用いて、パッシベーション層の上部に蒸着される。
その後、薄膜犠牲層340 が、食刻液流入防止層330 の上部に形成される。薄膜犠牲層340 は、金属からなる場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて形成され、ＰＳＧからなる場合にはCVD 法またはスピンコーティング法を用いて形成し、ポリシリコンからなる場合にはCVD 法を用いて形成される。
【００２８】
続いて、図９に示すように、各対における空スロット345 のうちのいずれか一つがドライエッチング法及びウェットエッチング法を用いて接続端子446 のうちのいずれか一つを取囲むように、Ｍ×Ｎ対の空スロット345 のアレイが薄膜犠牲層340 に形成される。
【００２９】
次に、窒化ケイ素のような窒化物からなり、厚み、0.1 〜２μｍの弾性層350 が、CVD 法を用いて、空スロット345 を有する薄膜犠牲層340 の上部に蒸着される。
【００３０】
その後、図１０に示すように、(Pt/Ta) のような導電性物質からなり、厚み、0.１〜２μm の第２薄膜層（図示せず）が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて弾性層の上部に形成される。その後、第２薄膜層は、ドライエッチング法を用いてＭ×Ｎ個の第２薄膜電極365 のアレイにイソ−カッティングされる。ここで、各々の第２薄膜電極365 は、他の第２薄膜電極365 と電気的に非接続とされている。
【００３１】
続いて、PZT のような圧電物質またはPMN のような電歪物質からなり、厚み、0.1 〜２μm の変形可能な薄膜層370 が、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及びCVD 法を用いてＭ×Ｎ個の第２薄膜電極365 の上部に蒸着される。
次に、図１１に示すように、アルミニウム(Al)または銀(Ag)のような導電性であり光反射性物質からなり、厚み、0.1 〜２μm の第１薄膜層380 が、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて変形可能な薄膜層370 の上部に形成されることによって、多層構造体390 が形成される。
【００３２】
図１２に示すように、多層構造体390 は、薄膜犠牲層340 が露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法を用いてＭ×Ｎ個の未完成駆動構造体400 のアレイにパターニングされる。各々の未完成駆動構造体400 は、第１薄膜電極385 、変形可能な薄膜部375 、第２薄膜電極365 及び弾性部355 を備える。
【００３３】
続いて、Ｍ×Ｎ個の孔のアレイ（図示せず）が、エッチング法を用いて形成される。ここで、各孔は変形可能な薄膜部375 の上部から対応する接続端子446 の上部まで延在して形成される。
【００３４】
次に、図１３に示すように、コンジット395 が、各孔をリフト−オフ法を用いてタングステン(W) のような金属で埋め込んで形成されることによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体410 のアレイを形成する。
【００３５】
図１４に示すように、薄膜犠牲層340 が、例えば、フッ化水素(HF)蒸気等の食刻液または化学液でウエットエッチング法を用いて取り除かれることによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 が形成される。
【００３６】
本発明のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー301 のアレイ300 において、能動マトリックス310 は、Ｍ×Ｎ個の接続端子446 のアレイ及びＭ×Ｎ個のレベル付け部448 を備える。接続端子446 及びレベル付け部448 が、薄膜アクチュエーテッドミラー301 における近位端420 の第１及び第２側面部422 、424 の下部に各々位置され、接続端子446 の上部とレベル付け部448 の上部とが互いに同一に形成され近位端420 の第１側面部422 と第２側面部424 が互いに同じ高さに形成するようにする。
【００３７】
上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３８】
従って、本発明によれば、レベル付け部を各薄膜アクチュエーテッドミラーに組み込むとともにレベル付け部の上部を前記接続端子の上部と同一の高さにすることによって、薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造の際、駆動構造体の傾き現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの平面図である。
【図２】(A) 及び(B) よりなり、各々図１中の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿って、線Ａ−Ａ及び線Ｃ−Ｃに沿って取った概略的な断面図である。
【図３】 (A) 及び(B) よりなり、各々は、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを説明するための概略的な断面図である。
【図４】 (A) 及び(B) よりなり、各々本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの能動マトリックスの平面図である。
【図５】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図７】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図８】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図９】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】同じく、その製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
100, 300 アレイ
101, 301 Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー
110, 310, 410 能動マトリックス
112, 312 基板
114, 446 接続端子
120, 320 パッシベーション層
130, 330 食刻液流入防止層
155, 355 弾性部
165, 365 第２薄膜電極
175, 375 電気的に変形可能な薄膜部
185, 385 第１薄膜電極
195, 395 コンジット
200, ×Ｎ個の駆動構造体
210, 420 近位端
212, 422 第１側面部
214, 424 第２側面部
220 駆動構造体
400 未完成駆動構造体
425 遠位端
430 トランジスタ
432 ソース端子
434 ゲート端子
436 ドレイン端子
442 ソースライン
444 ゲートライン
448 レベル付け部
Claims (7)
- 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイであって、
基板、Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタ、Ｍ個のソースライン、Ｎ個のゲートライン、Ｍ×Ｎ個の接続端子及びＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイを有する能動マトリックスと、
前記能動マトリックスの上部に形成される不動態化層（パッシベーション層）と、
前記パッシベーション層の上部に形成される食刻液流入防止層と、
各々が第１薄膜電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極、弾性部及びコンジットを有するＭ×Ｎ個の駆動構造体とを含むことを特徴とし、
前記第１薄膜電極が前記変形可能な薄膜部の上部に位置すると共に、電気的に接地されることによってミラーだけではなく共通バイアス電極として作用し、前記変形可能な薄膜部が前記第２薄膜電極の上部に位置し、前記第２薄膜電極が前記弾性部の上部に位置し、前記コンジット及び前記接続端子を通じて対応するトランジスタに電気的に接続されることによって信号電極として作用し、前記弾性部が前記第２薄膜電極の下部に位置し、前記コンジットが前記変形可能な薄膜部の上部から前記接続端子の上部まで延在し、前記駆動構造体の各々が近位端と遠位端から構成され、前記近位端は第１側面部と第２側面部に分けられ、前記近位端の第１側面部は前記パッシベーション層と前記食刻液流入防止層との間に部分的に貫通して、前記能動マトリックスにおける前記接続端子の上部に位置し、前記近位端の第２側面は前記能動マトリックスにおける前記レベル付け部の上部に位置することによって、前記駆動構造体を片持ちするとともに、前記レベル付け部の上部が、前記接続端子の上部と同一の高さになっていることを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 前記ＭＯＳトランジスタの各々が、対応する接続端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 前記レベル付け部の各々が、前記接続端子を隣接する薄膜アクチュエーテッドミラーにおける前記近位端の前記第１側面部から、前記薄膜アクチュエーテッドミラーにおける前記近位端の前記第２側面部まで延在することによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 前記レベル付け部の各々が、前記ゲートラインが前記薄膜アクチュエーテッドミラーにおける前記近位端の前記第２側面部の下に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
- 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ、Ｎは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、
Ｍ×Ｎ個のＭＯＳトランジスタのアレイ及びＭ個のソースラインを有する基板を準備する第１工程と、
前記ＭＯＳトランジスタのアレイを有する前記基板の上部に金属層を蒸着する第２工程と、
前記金属層をＭ×Ｎ個のレベル付け部のアレイ、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイ及びＮ個のゲートラインにパターニングすることによって、能動マトリックスを形成する第３工程と、
前記能動マトリックスの上部にパッシベーション層及び食刻液流入防止層を各々形成する第４工程と、
前記食刻液流入防止層の上部にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを有する薄膜犠牲層を形成する第５工程と、
前記薄膜犠牲層の上部に弾性層及び第２薄膜層を各々蒸着する第６工程と、
前記第２薄膜層をＭ×Ｎ個の第２薄膜電極にイソ−カッティング(iso-cutting) する第７工程と、
前記第２薄膜電極の上部に変形可能な薄膜層及び第1薄膜層を各々蒸着することによって、多層構造体を形成する第８工程と、
前記薄膜犠牲層が露出するまで、前記多層構造体を、各々が第１薄膜電極、変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を有するＭ×Ｎ個の未完成駆動構造体にパターニングする第９工程と、
Ｍ×Ｎ個のコンジットのアレイを前記変形可能な薄膜部の上部から対応する接続端子の上部まで形成することによって、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体を形成する第10工程と、
前記薄膜犠牲層を取除くことによって、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する第11工程
とを含むことを特徴とする薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 前記金属層が、タングステン（Ｗ）からなることを特徴とする請求項５に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
- 前記金属層が、スパッタリング法によって蒸着されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。
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