JPH08321508A - 薄膜パターンの形成方法および研削装置 - Google Patents
薄膜パターンの形成方法および研削装置Info
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- JPH08321508A JPH08321508A JP12802195A JP12802195A JPH08321508A JP H08321508 A JPH08321508 A JP H08321508A JP 12802195 A JP12802195 A JP 12802195A JP 12802195 A JP12802195 A JP 12802195A JP H08321508 A JPH08321508 A JP H08321508A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リフトオフ法を使用する薄膜パターンの形成
方法に関し、レジストの剥離を容易にすることを目的と
する。 【構成】 リフトオフ法を用いて基板上に配線をパター
ン形成する際に、配線の厚さよりも厚く基板上にレジス
ト膜を形成しておき、パターン形成を行って後、基板の
全面に金属膜を形成し、次に、基板上に直接形成されて
いる金属膜よりも高い高さまで、表面より研削を行って
レジストを露出させ、次に、基板をレジストの溶剤に浸
漬して剥離することを特徴として薄膜パターンの形成方
法を構成する。
方法に関し、レジストの剥離を容易にすることを目的と
する。 【構成】 リフトオフ法を用いて基板上に配線をパター
ン形成する際に、配線の厚さよりも厚く基板上にレジス
ト膜を形成しておき、パターン形成を行って後、基板の
全面に金属膜を形成し、次に、基板上に直接形成されて
いる金属膜よりも高い高さまで、表面より研削を行って
レジストを露出させ、次に、基板をレジストの溶剤に浸
漬して剥離することを特徴として薄膜パターンの形成方
法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリフトオフ法により効率
よく微細な配線パターンを形成する方法に関する。
よく微細な配線パターンを形成する方法に関する。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から情報
処理装置は小形大容量化が進められているが、電子機器
を小形化し、また高速化するには半導体ＩＣの集積度の
向上と共に、これを装着する配線基板の高密度化が必要
である。このため、配線基板は当初の単層プリント板か
ら多層プリント板、表面実装基板へと集積度の向上が行
われ、現在では半導体チップの実装にも対応でき、ま
た、更に高密度化が可能なマルチチップモジール（略称
ＭＣＭ）が開発されつゝある。
処理装置は小形大容量化が進められているが、電子機器
を小形化し、また高速化するには半導体ＩＣの集積度の
向上と共に、これを装着する配線基板の高密度化が必要
である。このため、配線基板は当初の単層プリント板か
ら多層プリント板、表面実装基板へと集積度の向上が行
われ、現在では半導体チップの実装にも対応でき、ま
た、更に高密度化が可能なマルチチップモジール（略称
ＭＣＭ）が開発されつゝある。
【０００３】こゝで、ＭＣＭ基板としてはセラミック基
板上に厚膜法で配線層と絶縁層とを交互に形成したもの
を使用することもできるが、信号の高速化を追求する大
型コンピュータなどにおいてはセラミックよりも更に低
誘電率であり、また、耐熱性にも優れたポリイミドを絶
縁層とし、この上に電導率の優れた銅（Ｃu ）よりなる
配線を形成し、これを交互に積層した薄膜多層配線基板
の実用化が行われている。
板上に厚膜法で配線層と絶縁層とを交互に形成したもの
を使用することもできるが、信号の高速化を追求する大
型コンピュータなどにおいてはセラミックよりも更に低
誘電率であり、また、耐熱性にも優れたポリイミドを絶
縁層とし、この上に電導率の優れた銅（Ｃu ）よりなる
配線を形成し、これを交互に積層した薄膜多層配線基板
の実用化が行われている。
【０００４】
【従来の技術】現在、配線基板用絶縁材料として実用化
が進められているポリイミドは先に記したように耐熱性
と低誘電率とを併せもつ優れた材料である。すなわち、
線状高分子であるにも拘らず、熱安定性が極めて良く、
500 ℃程度まで分解しないと云う性質をもっている。ま
た、情報処理において、信号の伝播速度はε1/2 に反比
例する（但しεは誘電率) と云う関係があるが、ポリイ
ミドのεは3.4 と小さく、高周波絶縁材料として適して
いる。また、Ｃu は抵抗率が低く、また、比較的安価で
あって配線用金属としては適当な材料である。
が進められているポリイミドは先に記したように耐熱性
と低誘電率とを併せもつ優れた材料である。すなわち、
線状高分子であるにも拘らず、熱安定性が極めて良く、
500 ℃程度まで分解しないと云う性質をもっている。ま
た、情報処理において、信号の伝播速度はε1/2 に反比
例する（但しεは誘電率) と云う関係があるが、ポリイ
ミドのεは3.4 と小さく、高周波絶縁材料として適して
いる。また、Ｃu は抵抗率が低く、また、比較的安価で
あって配線用金属としては適当な材料である。
【０００５】このように、薄膜多層回路基板はポリイミ
ドを絶縁層とし、Ｃu を配線層として交互に積層して形
成されるが、両者を直接に接触させるとＣu が徐々にポ
リイミドの中に拡散するマイグレーション(Migration)
が生じ、絶縁抵抗が低下すると云う問題を生じ、ＭＣＭ
基板のように微小線幅の配線が微細な間隔を隔てゝパタ
ーン形成してある状態では絶縁不良や短絡を生じ易く信
頼性を低下させる。
ドを絶縁層とし、Ｃu を配線層として交互に積層して形
成されるが、両者を直接に接触させるとＣu が徐々にポ
リイミドの中に拡散するマイグレーション(Migration)
が生じ、絶縁抵抗が低下すると云う問題を生じ、ＭＣＭ
基板のように微小線幅の配線が微細な間隔を隔てゝパタ
ーン形成してある状態では絶縁不良や短絡を生じ易く信
頼性を低下させる。
【０００６】この理由はポリイミドよりなる絶縁層の作
り方としてＣu よりなる配線がパターン形成された導体
層の上にポリアミックス酸を一定の厚さに塗布し、乾燥
させてから加熱してキュアを行い、脱水させてポリイミ
ドとする手法が行われているが、このポリアミックス酸
にＣu が部分的に溶解するためである。そこで、この対
策としてＣu の上下を耐薬品性の優れたクローム（Ｃr
）の薄膜で挟みＣr ／Ｃu ／Ｃr の積層構造をとる方
法が用いられている。なお、Ｃr 薄膜の形成は樹脂や基
板との密着性の向上に対しても甚だ有効である。
り方としてＣu よりなる配線がパターン形成された導体
層の上にポリアミックス酸を一定の厚さに塗布し、乾燥
させてから加熱してキュアを行い、脱水させてポリイミ
ドとする手法が行われているが、このポリアミックス酸
にＣu が部分的に溶解するためである。そこで、この対
策としてＣu の上下を耐薬品性の優れたクローム（Ｃr
）の薄膜で挟みＣr ／Ｃu ／Ｃr の積層構造をとる方
法が用いられている。なお、Ｃr 薄膜の形成は樹脂や基
板との密着性の向上に対しても甚だ有効である。
【０００７】そして、このパターンの形成方法としては
スパッタなどの薄膜形成技術を用いて基板上にＣr ／Ｃ
u ／Ｃr の三層膜を形成した後、写真蝕刻技術（ホトリ
ソグラフィ）を用いて選択エッチングする方法があり、
また、図４に示すように基板１の上にＣr 膜２とＣu 膜
３との二層膜を形成し、（以上同図Ａ）、次に、このＣ
u 膜の上にめっき用のレジスト４を被覆し、写真蝕刻技
術を用いて配線パターン５を窓開けする。（以上同図
Ｂ） 次にＣr ／Ｃu 膜を陰極として配線パターン５にＣu め
っき６を行い、（以上同図Ｃ）、次に、レジスト４を剥
離した後、レジスト４の下のＣu 膜３とＣr 膜２をエッ
チングすることによりＣr ／Ｃu なる導体線路を形成す
る。（以上同図Ｄ） 次に、この導体線路の上にレジスト８を被覆した後、写
真蝕刻技術によりＣr／Ｃu なる導体線路を露出させ、
（以上同図Ｅ）、次に、この上にＣr 膜９を形成し、
（以上同図Ｆ）、次に、レジスト８を剥離することによ
ってＣr ／Ｃu ／Ｃr よりなる配線10が形成される。
（以上同図Ｇ）、然し、かゝる方法による場合はＣr 膜
は線路の上下には存在するが、側面には存在しないため
マイグレーションの危険性は消えていない。
スパッタなどの薄膜形成技術を用いて基板上にＣr ／Ｃ
u ／Ｃr の三層膜を形成した後、写真蝕刻技術（ホトリ
ソグラフィ）を用いて選択エッチングする方法があり、
また、図４に示すように基板１の上にＣr 膜２とＣu 膜
３との二層膜を形成し、（以上同図Ａ）、次に、このＣ
u 膜の上にめっき用のレジスト４を被覆し、写真蝕刻技
術を用いて配線パターン５を窓開けする。（以上同図
Ｂ） 次にＣr ／Ｃu 膜を陰極として配線パターン５にＣu め
っき６を行い、（以上同図Ｃ）、次に、レジスト４を剥
離した後、レジスト４の下のＣu 膜３とＣr 膜２をエッ
チングすることによりＣr ／Ｃu なる導体線路を形成す
る。（以上同図Ｄ） 次に、この導体線路の上にレジスト８を被覆した後、写
真蝕刻技術によりＣr／Ｃu なる導体線路を露出させ、
（以上同図Ｅ）、次に、この上にＣr 膜９を形成し、
（以上同図Ｆ）、次に、レジスト８を剥離することによ
ってＣr ／Ｃu ／Ｃr よりなる配線10が形成される。
（以上同図Ｇ）、然し、かゝる方法による場合はＣr 膜
は線路の上下には存在するが、側面には存在しないため
マイグレーションの危険性は消えていない。
【０００８】そこで、発明者の属する部門では図３に示
すようにリフトオフ法とスパッタ法との用いるパターン
形成方法を提案している。すなわち、基板１の上にレジ
スト８を被覆し、（以上同図Ａ）、次に、写真蝕刻技術
を用いてレジスト８を選択エッチングして配線パターン
12を形成する。（以上同図Ｂ） 次に、スパッタ法によりＣr 膜13を形成するが、この
際、Ｃr ターゲットと基板間の距離を出来るだけ近づけ
て、選択エッチングにより穴開けしたレジスト８の側面
にもＣr 膜13が析出するようにする。（以上同図Ｃ） 次に、Ｃu ターゲットと基板との距離をできるだけと
り、垂直方向からスパッタを行ってＣu 膜14を作り、(
以上同図Ｄ）、同様にしてＣr 膜15を作り、( 以上同図
Ｅ）、次に、レジスト８を除去することにより、前後左
右がＣr 膜で覆われたＣu 膜よりなる配線16を形成する
ことができる。
すようにリフトオフ法とスパッタ法との用いるパターン
形成方法を提案している。すなわち、基板１の上にレジ
スト８を被覆し、（以上同図Ａ）、次に、写真蝕刻技術
を用いてレジスト８を選択エッチングして配線パターン
12を形成する。（以上同図Ｂ） 次に、スパッタ法によりＣr 膜13を形成するが、この
際、Ｃr ターゲットと基板間の距離を出来るだけ近づけ
て、選択エッチングにより穴開けしたレジスト８の側面
にもＣr 膜13が析出するようにする。（以上同図Ｃ） 次に、Ｃu ターゲットと基板との距離をできるだけと
り、垂直方向からスパッタを行ってＣu 膜14を作り、(
以上同図Ｄ）、同様にしてＣr 膜15を作り、( 以上同図
Ｅ）、次に、レジスト８を除去することにより、前後左
右がＣr 膜で覆われたＣu 膜よりなる配線16を形成する
ことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】発明者等はポリイミド
絶縁層へのマイグレーションを抑制した配線の形成方法
としてリフトオフ法とＣr 膜の斜めスパッタとを組合せ
た方法を提案しているが、この場合の問題は選択露光と
現像により形成したレジストの凹部（配線パターン）の
側面にもスパッタによってＣr 膜が形成されているため
に、レジストの剥離に時間を要することである。
絶縁層へのマイグレーションを抑制した配線の形成方法
としてリフトオフ法とＣr 膜の斜めスパッタとを組合せ
た方法を提案しているが、この場合の問題は選択露光と
現像により形成したレジストの凹部（配線パターン）の
側面にもスパッタによってＣr 膜が形成されているため
に、レジストの剥離に時間を要することである。
【００１０】すなわち、リフト法ではレジストの全面が
パターン形成する金属で覆われるが、本発明に係るＣr
膜被覆Ｃu 配線形成の場合、レジストの凹部の側面にも
充分にＣr 膜が形成されているために、レジスト剥離の
工程において、溶剤との接触が困難であり、剥離に長時
間を要することが問題である。
パターン形成する金属で覆われるが、本発明に係るＣr
膜被覆Ｃu 配線形成の場合、レジストの凹部の側面にも
充分にＣr 膜が形成されているために、レジスト剥離の
工程において、溶剤との接触が困難であり、剥離に長時
間を要することが問題である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題はリフトオフ
法を用いて基板上に配線をパターン形成する際に、配線
の厚さよりも厚く予め基板上にレジスト膜を形成してお
き、選択露光と現像によりパターン形成を行って後、こ
のレジスト膜上に金属膜を形成し、次に、基板上に直接
形成されている金属膜よりも高い高さまで、表面より研
削を行ってレジストを露出させ、次に、この基板をレジ
ストの溶剤に浸漬して剥離することにより達成すること
ができる。
法を用いて基板上に配線をパターン形成する際に、配線
の厚さよりも厚く予め基板上にレジスト膜を形成してお
き、選択露光と現像によりパターン形成を行って後、こ
のレジスト膜上に金属膜を形成し、次に、基板上に直接
形成されている金属膜よりも高い高さまで、表面より研
削を行ってレジストを露出させ、次に、この基板をレジ
ストの溶剤に浸漬して剥離することにより達成すること
ができる。
【００１２】
【作用】本発明は精度の高い研削盤を用いて被処理基板
の表面を研削し、レジストを露出させることによりレジ
ストの剥離を容易にするものである。
の表面を研削し、レジストを露出させることによりレジ
ストの剥離を容易にするものである。
【００１３】すなわち、リフトオフ法において使用する
レジストの厚さは最大でも10μm であることから、本発
明を実施するには分解能が0.1 μm 以下で微細な凹凸を
精度よく測定できることゝ、１μm 以下の精度で研削で
きる研削盤が必要である。
レジストの厚さは最大でも10μm であることから、本発
明を実施するには分解能が0.1 μm 以下で微細な凹凸を
精度よく測定できることゝ、１μm 以下の精度で研削で
きる研削盤が必要である。
【００１４】これを実現するため本発明に係る精密研削
盤の計測システムはレーザを光源とし、光の干渉を利用
して被処理基板の凹凸面の距離と、砥石と被処理基板ま
での距離を測り、一方、研削盤はこの情報により砥石を
被処理基板面まで下げた後、設定した厚さだけ基板面を
研削できるようにしたものである。
盤の計測システムはレーザを光源とし、光の干渉を利用
して被処理基板の凹凸面の距離と、砥石と被処理基板ま
での距離を測り、一方、研削盤はこの情報により砥石を
被処理基板面まで下げた後、設定した厚さだけ基板面を
研削できるようにしたものである。
【００１５】
【実施例】図２は本発明に係る精密研削盤の構成図であ
って、光源としてはＨe-Ｎe レーザを用い、光学ヘッド
18よりビーム径２ mm で出力が0.5mＷのレーザ光を照射
し光の干渉を利用して基板１の表面の凹凸を測定できる
よう構成されており、この場合、試料台19をスライドさ
せて凸面と凹面との距離を求めレジスト８の厚さを求め
る。
って、光源としてはＨe-Ｎe レーザを用い、光学ヘッド
18よりビーム径２ mm で出力が0.5mＷのレーザ光を照射
し光の干渉を利用して基板１の表面の凹凸を測定できる
よう構成されており、この場合、試料台19をスライドさ
せて凸面と凹面との距離を求めレジスト８の厚さを求め
る。
【００１６】次に、この測定値より研削値を研削盤20に
入力させると、砥石21は設定位置まで下がって基板１の
上の金属膜22とレジスト８の研摩を行うものである。図
１は本発明の実施例であって、基板１としてはガラスを
用い、この基板１の上にレジスト８を10μm の厚さに被
覆した。（以上同図Ａ） 次に、写真蝕刻技術を用いてレジスト８を選択エッチン
グして幅が15μm の配線パターン12を形成する。（以上
同図Ｂ） 次に、スパッタ法によりＣr 膜13を800 Åの厚さに形成
するが、この際、Ｃrターゲットと基板間の距離を出来
るだけ近づけて、配線パターンにより穴開けしたレジス
ト８の側面にもＣr 膜13が析出するようにした。（以上
同図Ｃ） 次に、Ｃu ターゲットと基板との距離をできるだけと
り、垂直方向からスパッタを行って３μm の厚さのＣu
膜14を作り、同様にして800 Åの厚さのＣr 膜15を形成
した。（以上同図Ｄ） 次に、基板を精密研削盤にセットして凹部（配線パター
ン12) の深さが10μmであることを確認した後、上から
５μm の深さ（同図ＤのＸ−Ｘ´の位置）まで研削して
レジスト８を露出させた。（以上同図Ｅ） 次に、基板をキシレンに浸漬してレジスト８を剥離する
ことにより配線16が完成した。( 以上同図Ｆ）
入力させると、砥石21は設定位置まで下がって基板１の
上の金属膜22とレジスト８の研摩を行うものである。図
１は本発明の実施例であって、基板１としてはガラスを
用い、この基板１の上にレジスト８を10μm の厚さに被
覆した。（以上同図Ａ） 次に、写真蝕刻技術を用いてレジスト８を選択エッチン
グして幅が15μm の配線パターン12を形成する。（以上
同図Ｂ） 次に、スパッタ法によりＣr 膜13を800 Åの厚さに形成
するが、この際、Ｃrターゲットと基板間の距離を出来
るだけ近づけて、配線パターンにより穴開けしたレジス
ト８の側面にもＣr 膜13が析出するようにした。（以上
同図Ｃ） 次に、Ｃu ターゲットと基板との距離をできるだけと
り、垂直方向からスパッタを行って３μm の厚さのＣu
膜14を作り、同様にして800 Åの厚さのＣr 膜15を形成
した。（以上同図Ｄ） 次に、基板を精密研削盤にセットして凹部（配線パター
ン12) の深さが10μmであることを確認した後、上から
５μm の深さ（同図ＤのＸ−Ｘ´の位置）まで研削して
レジスト８を露出させた。（以上同図Ｅ） 次に、基板をキシレンに浸漬してレジスト８を剥離する
ことにより配線16が完成した。( 以上同図Ｆ）
【００１７】
【発明の効果】本発明の実施により薄膜多層基板の製造
工程において配線など薄膜パターンをリフトオフ法によ
り形成するときに、レジストの剥離が容易となり、これ
により製造効率を向上することができた。
工程において配線など薄膜パターンをリフトオフ法によ
り形成するときに、レジストの剥離が容易となり、これ
により製造効率を向上することができた。
【図１】 本発明に係る配線パターン形成方法を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明に係る精密研削盤の構成図である。
【図３】 発明者等が提案しているパターン形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】 従来の配線パターン形成方法を示す断面図で
ある。
ある。
１ 基板 ２，９，13，15 Ｃr 膜 ３，14， Ｃu 膜 ４，８ レジスト ５，12 配線パターン 10，16 配線 18 光学ヘッド 20 研削盤 21 砥石
Claims (2)
- 【請求項１】 リフトオフ法を用いて基板上に配線をパ
ターン形成する際に、該配線の厚さよりも厚く基板上に
レジスト膜を形成しておき、パターン形成を行って後、
該基板の全面に金属膜を形成し、次に、基板上に直接形
成してある金属膜よりも高い高さまで、表面より研削を
行ってレジストを露出させ、次に、該基板を溶剤に浸漬
してレジストを剥離することを特徴とする薄膜パターン
の形成方法。 - 【請求項２】 前記基板上の金属膜とレジスト膜上の金
属膜との段差を測定して研削を行う研削装置がレーザ干
渉測長器を備えた研削盤であることを特徴とする研削装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12802195A JPH08321508A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 薄膜パターンの形成方法および研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12802195A JPH08321508A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 薄膜パターンの形成方法および研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321508A true JPH08321508A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14974533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12802195A Pending JPH08321508A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 薄膜パターンの形成方法および研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321508A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086531A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Instruments Inc | パターン電極作製法およびその作製法で作製されたパターン電極 |
| CN104756226A (zh) * | 2012-08-24 | 2015-07-01 | 发光装置公司 | 波长转换材料沉积方法及相关制品 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12802195A patent/JPH08321508A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086531A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Seiko Instruments Inc | パターン電極作製法およびその作製法で作製されたパターン電極 |
| CN104756226A (zh) * | 2012-08-24 | 2015-07-01 | 发光装置公司 | 波长转换材料沉积方法及相关制品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021022 |