JPH0832009A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH0832009A
JPH0832009A JP16779194A JP16779194A JPH0832009A JP H0832009 A JPH0832009 A JP H0832009A JP 16779194 A JP16779194 A JP 16779194A JP 16779194 A JP16779194 A JP 16779194A JP H0832009 A JPH0832009 A JP H0832009A
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JP
Japan
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semiconductor device
outer leads
sealing body
leads
lead
Prior art date
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Application number
JP16779194A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Tomita
義徳 富田
Nobuo Yoshida
伸生 吉田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve efficiency of failure analysis of a semiconductor device wherein many outer leads are arranged along one side of a sealed body. CONSTITUTION:In a semiconductor device wherein many outer leads 3 are arranged along one side of a sealed body 1, scales for counting the number of outer leads 3 are constituted for every specified number of leads. The scales consist of colored outer leads 3A, outer leads formed wider than other outer leads 3, and marks formed on a single surface of the sealed body 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、封止体の一辺に沿って多数本のアウターリードが配
列された半導体装置に適用して有効な技術に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to a semiconductor device in which a large number of outer leads are arranged along one side of a sealing body.

【0002】[0002]

【従来の技術】回路システムが塔載された半導体ペレッ
トを封止体で封止する半導体装置として、例えばQFP
(Quad Flat Package)構造を採用する半導体装置があ
る。このQFP構造を採用する半導体装置は、半導体ペ
レットに塔載される回路システムの高集積化に伴って、
封止体の一辺に沿って配列されるアウターリードの本数
が増加し、多ピン化の傾向にある。
2. Description of the Related Art As a semiconductor device for sealing a semiconductor pellet on which a circuit system is mounted with a sealing body, for example, QFP
There is a semiconductor device that employs a (Quad Flat Package) structure. A semiconductor device adopting this QFP structure has been developed with the high integration of a circuit system mounted on a semiconductor pellet.
The number of outer leads arranged along one side of the sealing body increases, and the number of pins tends to increase.

【0003】前記QFP構造の半導体装置は、その製造
過程において、エージング試験(加速試験)、選別試験
が施される。エージング試験は、顧客での使用条件に比
べて過酷な使用条件下(負荷を与えた状態)で半導体ペレ
ットに塔載された回路システムの回路動作を行い、顧客
での使用中に欠陥になるもの、ある意味では欠陥を加速
的に発生せしめ、顧客に出荷する前の初期段階において
不良品の排除を目的とする。選別試験は、エージング処
理された半導体ペレットの電気的特性検査を行い、半導
体装置の良品、不良品の選別を目的とする。
The semiconductor device having the QFP structure is subjected to an aging test (acceleration test) and a selection test in the manufacturing process. The aging test is the one in which the circuit operation of the circuit system mounted on the semiconductor pellet is performed under conditions of use (load is applied) that are more severe than the conditions of use by the customer, causing defects during use by the customer. In a sense, the purpose is to accelerate the generation of defects and to eliminate defective products in the initial stage before shipping to customers. The screening test is intended to screen the electrical characteristics of the aged semiconductor pellets and screen the semiconductor device for non-defective and defective products.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記選別試験で不良品
となった半導体装置は不良解析が施される。不良解析
は、所定のアウターリードに例えばプローブ針を接触さ
せ、回路システムを構成する半導体素子の抵抗値や配線
間の導通状態を調べる。所定のアウターリードは、封止
体の一辺に多数本のアウターリードが配列されたリード
配列の初段からアウターリードの本数を作業者が数える
ことによって選択される。
A failure analysis is performed on a semiconductor device which has become a defective product in the screening test. In the failure analysis, for example, a probe needle is brought into contact with a predetermined outer lead, and the resistance value of a semiconductor element forming a circuit system and the conduction state between wirings are checked. The predetermined outer lead is selected by the operator counting the number of outer leads from the first stage of the lead arrangement in which a large number of outer leads are arranged on one side of the sealing body.

【0005】しかしながら、QFP構造の半導体装置は
多ピン化の傾向にあり、封止体の一辺に配列されるアウ
ターリードの本数は70本〜120本に及ぶ。このた
め、不良解析時の作業効率が低下するという問題を生じ
る。
However, the semiconductor device having the QFP structure tends to have a large number of pins, and the number of outer leads arranged on one side of the sealing body is 70 to 120. For this reason, there arises a problem that work efficiency at the time of failure analysis is reduced.

【0006】本発明の目的は、封止体の一辺に沿って多
数本のアウターリードが配列された半導体装置の不良解
析時における作業効率を高めることが可能な技術を提供
することにある。
It is an object of the present invention to provide a technique capable of improving work efficiency during failure analysis of a semiconductor device in which a large number of outer leads are arranged along one side of a sealing body.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0009】封止体の一辺に沿って多数本のアウターリ
ードが配列された半導体装置において、前記アウターリ
ードの本数を数えるための目盛を所定のリード本数毎に
構成する。
In a semiconductor device in which a large number of outer leads are arranged along one side of the sealing body, a scale for counting the number of the outer leads is formed for each predetermined number of leads.

【0010】[0010]

【作用】上述した手段によれば、目盛でアウターリード
3の本数を把握することができ、アウターリード3の本
数を容易に数えることができるので、所定のアターリー
ド3の選択を容易に行うことができる。この結果、QF
P構造を採用する半導体装置の不良解析時における作業
効率を高めることができる。
According to the above-mentioned means, the number of the outer leads 3 can be grasped on the scale and the number of the outer leads 3 can be easily counted, so that the predetermined outer leads 3 can be easily selected. it can. As a result, QF
It is possible to improve work efficiency during failure analysis of a semiconductor device that employs the P structure.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の構成について、QFP構造を
採用する半導体装置に本発明を適用した実施例とともに
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of the present invention will be described below together with embodiments in which the present invention is applied to a semiconductor device adopting a QFP structure.

【0012】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, those having the same function are designated by the same reference numerals and their repeated description will be omitted.

【0013】(実 施 例 1)本発明の実施例1である
QFP構造の半導体装置の概略構成を図1(平面図)に示
す。
(Embodiment 1) FIG. 1 (plan view) shows a schematic structure of a semiconductor device having a QFP structure which is Embodiment 1 of the present invention.

【0014】図1に示すように、QFP構造の半導体装
置は、平面が方形状に形成された封止体1で半導体ペレ
ット2を封止する。封止体1は、例えばエポキシ系の樹
脂で形成され、トランスファモールド法によって成形さ
れる。半導体ペレット2は、記憶回路、論理回路、或は
それらの混合回路等の回路システムを塔載する。
As shown in FIG. 1, in a semiconductor device having a QFP structure, a semiconductor pellet 2 is sealed with a sealing body 1 having a rectangular plane. The sealing body 1 is formed of, for example, an epoxy resin and is molded by a transfer molding method. The semiconductor pellet 2 mounts a circuit system such as a memory circuit, a logic circuit, or a mixed circuit thereof.

【0015】前記封止体1の4辺の夫々の外側には、こ
の夫々の辺に沿って多数本のアウターリード3が配列さ
れる。アウターリード3は、封止体1で封止されたイン
ナーリード、ボンディングワイヤを介して半導体ペレッ
ト2の外部端子(ボンディングパッド)に電気的に接続
される。
On the outside of each of the four sides of the sealing body 1, a large number of outer leads 3 are arranged along the respective sides. The outer lead 3 is electrically connected to an external terminal (bonding pad) of the semiconductor pellet 2 via an inner lead sealed with the sealing body 1 and a bonding wire.

【0016】アウターリード3は、封止体1の成形後、
リードフレームから切断され、例えばガルウィング形状
に成形される。リードフレームは、例えばFe−Ni
(例えばNi含有量42又は50[%])合金、Cu合
金等で形成される。
After molding the sealing body 1, the outer leads 3 are
It is cut from the lead frame and formed into, for example, a gull wing shape. The lead frame is, for example, Fe-Ni.
(For example, Ni content is 42 or 50 [%]) alloy, Cu alloy or the like.

【0017】前記QFP構造の半導体装置は、これに限
定されないが、384本のアウターリード3を配列した
多ピン構造で構成され、封止体1の各辺に96本のアウ
ターリード3を配列する。つまり、QFP構造の半導体
装置は、封止体1の各辺に96本のアウターリード3か
らなるリード配列4を配置した4方向リード配列構造で
構成される。
Although not limited to this, the semiconductor device having the QFP structure has a multi-pin structure in which 384 outer leads 3 are arranged, and 96 outer leads 3 are arranged on each side of the sealing body 1. . In other words, the semiconductor device having the QFP structure has a four-direction lead array structure in which the lead array 4 including 96 outer leads 3 is arranged on each side of the sealing body 1.

【0018】前記リード配列4にはアウターリード3の
本数を数えるための目盛が構成される。この目盛は、所
定のリード本数毎に彩色されたアウターリード3Aで構
成される。アウターリード3Aは、リード配列4の初段
から数えて例えば5本毎に構成される。アウターリード
3Aは封止体1の成形後に彩色される。なお、アウター
リード3Aの彩色はリードフレームの形成工程において
行ってもよい。
The lead array 4 is provided with a scale for counting the number of outer leads 3. The scale is composed of outer leads 3A that are colored for each predetermined number of leads. The outer leads 3A are formed, for example, every five leads from the first stage of the lead array 4. The outer leads 3A are colored after the molding of the sealing body 1. The outer leads 3A may be colored in the lead frame forming step.

【0019】このように、所定のリード本数毎に彩色さ
れたアウターリード3Aでアウターリード3の本数を数
えるための目盛を構成することにより、目盛(アウター
リード3A)でアウターリード3の本数を把握すること
ができ、アウターリード3の本数を容易に数えることが
できるので、所定のアターリード3の選択を容易に行う
ことができる。この結果、QFP構造を採用する半導体
装置の不良解析時における作業効率を高めることができ
る。
In this way, by constructing a scale for counting the number of outer leads 3 by the outer leads 3A colored for each predetermined number of leads, the number of outer leads 3 can be grasped by the scale (outer leads 3A). Since the number of the outer leads 3 can be easily counted, the predetermined outer leads 3 can be easily selected. As a result, it is possible to improve work efficiency during failure analysis of a semiconductor device that employs the QFP structure.

【0020】(実 施 例 2)本発明の実施例2である
QFP構造の半導体装置の概略構成を図2(要部平面
図)に示す。
(Embodiment 2) FIG. 2 (plan view of a main portion) shows a schematic structure of a semiconductor device having a QFP structure which is Embodiment 2 of the present invention.

【0021】図2に示すように、QFP構造の半導体装
置は、平面が方形状に形成された封止体1で半導体ペレ
ット2を封止する。このQFP構造の半導体装置は、前
述の実施例1と同様に、384本のアウターリード3を
配列した多ピン構造で構成され、封止体1の各辺に96
本のアウターリード3を配列する。つまり、QFP構造
の半導体装置は、封止体1の各辺に96本のアウターリ
ード3からなるリード配列4を配置した4方向リード配
列構造で構成される。
As shown in FIG. 2, in the semiconductor device having the QFP structure, the semiconductor pellet 2 is sealed with the sealing body 1 having a rectangular plane. This QFP structure semiconductor device has a multi-pin structure in which 384 outer leads 3 are arrayed, as in the case of the above-described first embodiment, and each side of the sealing body 1 has 96 parts.
Arrange the outer leads 3 of the book. In other words, the semiconductor device having the QFP structure has a four-direction lead array structure in which the lead array 4 including 96 outer leads 3 is arranged on each side of the sealing body 1.

【0022】前記リード配列4にはアウターリード3の
本数を数えるための目盛が構成される。この目盛は、所
定のリード本数毎に他のアウターリード3のリード幅
(リード配列方向の幅)に比べて広く形成されたアウタ
ーリード3Bで構成される。アウターリード3Bはリー
ド配列4の初段から数えて例えば5本毎に構成される。
The lead array 4 is provided with a scale for counting the number of outer leads 3. This graduation is composed of outer leads 3B that are formed wider than the lead width (width in the lead arrangement direction) of the other outer leads 3 for each predetermined number of leads. The outer leads 3B are formed, for example, every five leads from the first stage of the lead array 4.

【0023】このように、所定のリード本数毎に他のア
ウターリード3のリード幅に比べて広く形成されたアウ
ターリード3Bでアウターリード3の本数を数えるため
の目盛を構成することにより、目盛(アウターリード3
B)でアウターリード3の本数を把握することができ、
アウターリード3の本数を容易に数えることができるの
で、所定のアウターリード3の選択を容易に行うことが
できる。この結果、QFP構造を採用する半導体装置の
不良解析時における作業効率を高めることができる。
As described above, by constructing a scale for counting the number of outer leads 3 with the outer leads 3B formed wider than the lead width of the other outer leads 3 for each predetermined number of leads, the scale ( Outer lead 3
You can check the number of outer leads 3 in B),
Since the number of outer leads 3 can be easily counted, a predetermined outer lead 3 can be easily selected. As a result, it is possible to improve work efficiency during failure analysis of a semiconductor device that employs the QFP structure.

【0024】また、他のアウターリード3のリード幅に
比べて広く形成されたアウターリード3Bを所定のリー
ド本数毎に配置することにより、QFP構造の半導体装
置を実装基板に実装した後、実装基板の変形、反り等で
発生する応力を緩和することができるので、実装後のア
ウターリード3の剥がれを防止できる。
Further, by arranging the outer leads 3B formed wider than the lead widths of the other outer leads 3 for each predetermined number of leads, after mounting the semiconductor device having the QFP structure on the mounting substrate, the mounting substrate is mounted. Since the stress generated by the deformation, warpage, etc. can be relieved, the outer lead 3 can be prevented from peeling off after mounting.

【0025】(実 施 例 3)本発明の実施例3である
QFP構造の半導体装置の概略構成を図3(要部平面
図)に示す。
(Embodiment 3) FIG. 3 (plan view of a principal portion) shows a schematic structure of a semiconductor device having a QFP structure which is Embodiment 3 of the present invention.

【0026】図3に示すように、QFP構造の半導体装
置は、平面が方形状に形成された封止体1で半導体ペレ
ット2を封止する。このQFP構造の半導体装置は、前
述の実施例1と同様に、384本のアウターリード3を
配列した多ピン構造で構成され、封止体1の各辺に96
本のアウターリード3を配列する。つまり、QFP構造
の半導体装置は、封止体1の各辺に96本のアウターリ
ード3からなるリード配列4を配置した4方向リード配
列構造で構成される。
As shown in FIG. 3, in the semiconductor device having the QFP structure, the semiconductor pellet 2 is sealed by the sealing body 1 having a rectangular plane. This QFP structure semiconductor device has a multi-pin structure in which 384 outer leads 3 are arrayed, as in the case of the above-described first embodiment, and each side of the sealing body 1 has 96 parts.
Arrange the outer leads 3 of the book. In other words, the semiconductor device having the QFP structure has a four-direction lead array structure in which the lead array 4 including 96 outer leads 3 is arranged on each side of the sealing body 1.

【0027】前記封封止体1の一表面にはアウターリー
ド3の本数を数えるための目盛が構成される。この目盛
は、リード配列4において、所定のリード本数毎に形成
された目印5で構成される。目印5は、例えば封止体1
の表面に施されたペイントマーク又は封止体1の表面に
施された凸凹で構成される。目印5はリード配列4の初
段から数えて例えば5本毎に構成される。なお、ペイン
トマークによる目印5は、封止体1の成形後、この封止
体1の一表面に品種、メーカ名等を表示するマーキング
工程において形成される。また、凸凹による目印5は、
封止体1を成形する金型に凸凹を構成しておき、封止体
1の成形と共に形成される。
A scale for counting the number of outer leads 3 is formed on one surface of the sealing body 1. This graduation is composed of marks 5 formed in the lead arrangement 4 for each predetermined number of leads. The mark 5 is, for example, the sealing body 1.
The surface is formed of paint marks or the surface of the sealing body 1 is uneven. The marks 5 are formed, for example, every five lines counting from the first stage of the lead array 4. The mark 5 formed by the paint mark is formed on the one surface of the sealing body 1 after the molding of the sealing body 1 in a marking step of displaying a product type, a manufacturer name, and the like. In addition, the mark 5 formed by unevenness is
It is formed together with the molding of the sealing body 1 by forming irregularities in a mold for molding the sealing body 1.

【0028】このように、封止体1の一表面に所定のリ
ード本数毎に形成された目印5でアウターリード3の本
数を数えるため目盛を構成することにより、目盛(目印
5)でアウターリード3の本数を把握することができ、
アウターリード3の本数を容易に数えることができるの
で、所定のアウターリード3の選択を容易に行うことが
できる。この結果、QFP構造を採用する半導体装置の
不良解析時における作業効率を高めることができる。
As described above, by forming a scale for counting the number of outer leads 3 by the marks 5 formed on the one surface of the sealing body 1 for each predetermined number of leads, the outer leads can be formed by the scale (mark 5). You can grasp the number of 3
Since the number of outer leads 3 can be easily counted, a predetermined outer lead 3 can be easily selected. As a result, it is possible to improve work efficiency during failure analysis of a semiconductor device that employs the QFP structure.

【0029】また、ペイントマークによる目印5は、マ
ーキング工程において形成されるので、目印5の形成に
よる製造工程の増加を抑えることができる。
Further, since the mark 5 formed of the paint mark is formed in the marking process, it is possible to suppress an increase in the number of manufacturing processes due to the formation of the mark 5.

【0030】また、凸凹による目印5は、封止体1の成
形工程において形成されるので、目印5の形成による製
造工程の増加を抑えることができる。
Further, since the mark 5 formed by the unevenness is formed in the molding process of the sealing body 1, it is possible to suppress an increase in the manufacturing process due to the formation of the mark 5.

【0031】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
As described above, the invention made by the present inventor is
Although the present invention has been specifically described based on the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0032】例えば、本発明は、セラミックからなる封
止体で半導体ペレットを気密封止する半導体装置に適用
できる。
For example, the present invention can be applied to a semiconductor device in which a semiconductor pellet is hermetically sealed with a sealing body made of ceramics.

【0033】また、本発明は、2方向リード配列構造を
採用する半導体装置に適用できる。
Further, the present invention can be applied to a semiconductor device adopting a two-way lead arrangement structure.

【0034】また、本発明は、1方向リード配列構造を
採用する半導体装置に適用できる。
Further, the present invention can be applied to a semiconductor device adopting a one-way lead arrangement structure.

【0035】[0035]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0036】封止体の一辺に沿って多数本のアウターリ
ードが配列された半導体装置の不良解析時における作業
効率を高めることができる。
It is possible to improve the work efficiency during failure analysis of a semiconductor device in which a large number of outer leads are arranged along one side of the sealing body.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1であるQFP構造を採用する
半導体装置の概略構成を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor device adopting a QFP structure which is Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施例2であるQFP構造を採用する
半導体装置の概略構成を示す要部平面図。
FIG. 2 is a plan view of essential parts showing a schematic configuration of a semiconductor device adopting a QFP structure which is Embodiment 2 of the present invention.

【図3】本発明の実施例3であるQFP構造を採用する
半導体装置の概略構成を示す要部平面図。
FIG. 3 is a plan view of a principal part showing a schematic configuration of a semiconductor device adopting a QFP structure which is Embodiment 3 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…封止体、2…半導体ペレット、3…アウターリー
ド、4…リード配列、5…目印。
1 ... Sealing body, 2 ... Semiconductor pellet, 3 ... Outer lead, 4 ... Lead arrangement, 5 ... Mark.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 封止体の一辺に沿って多数本のアウター
リードが配列された半導体装置において、前記アウター
リードの本数を数えるための目盛を所定のリード本数毎
に構成したことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which a large number of outer leads are arranged along one side of a sealing body, wherein a scale for counting the number of the outer leads is formed for each predetermined number of leads. Semiconductor device.
【請求項2】 前記目盛はアウターリード又は封止体に
構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the scale is formed on an outer lead or a sealing body.
【請求項3】 前記目盛は、彩色されたアウターリード
で構成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体
装置。
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the scale is composed of a colored outer lead.
【請求項4】 前記目盛は、他のアウターリードのリー
ド幅に比べて広く形成されたアウターリードで構成され
ることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 2, wherein the scale is composed of an outer lead formed wider than a lead width of another outer lead.
【請求項5】 前記目盛は、封止体の一表面に形成され
た目印で構成されることを特徴とする請求項2に記載の
半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 2, wherein the scale is composed of a mark formed on one surface of the sealing body.
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