JPH08319192A - シリコン単結晶の育成方法 - Google Patents
シリコン単結晶の育成方法Info
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- JPH08319192A JPH08319192A JP12211195A JP12211195A JPH08319192A JP H08319192 A JPH08319192 A JP H08319192A JP 12211195 A JP12211195 A JP 12211195A JP 12211195 A JP12211195 A JP 12211195A JP H08319192 A JPH08319192 A JP H08319192A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 種結晶をシリコン融液に接触させた際の熱応
力を緩和させ、転位の発生を防止し、種絞り工程の時間
をより一層短縮し、かつ大重量単結晶を確実に支持す
る。 【構成】 チョクラルスキー法により種結晶２１の先端
部をシリコン融液２３に接触させてシリコン単結晶を育
成する。種結晶２１の先端部にレーザ光線を照射して先
端部を融解させることにより先端部を液滴形状にした
後、液滴形状の先端部をシリコン融液２３に接触させ
る。レーザ光線は炭酸ガスレーザであることが好まし
い。種結晶２１の液滴形状の先端部をシリコン融液２３
に接触させて接合部２３ａを形成した後、レーザ光線の
出力を低下させて接合部２３ａを固化させることが更に
好ましい。
力を緩和させ、転位の発生を防止し、種絞り工程の時間
をより一層短縮し、かつ大重量単結晶を確実に支持す
る。 【構成】 チョクラルスキー法により種結晶２１の先端
部をシリコン融液２３に接触させてシリコン単結晶を育
成する。種結晶２１の先端部にレーザ光線を照射して先
端部を融解させることにより先端部を液滴形状にした
後、液滴形状の先端部をシリコン融液２３に接触させ
る。レーザ光線は炭酸ガスレーザであることが好まし
い。種結晶２１の液滴形状の先端部をシリコン融液２３
に接触させて接合部２３ａを形成した後、レーザ光線の
出力を低下させて接合部２３ａを固化させることが更に
好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法という）によりシリコン融液から単結晶
を育成する方法に関する。更に詳しくは、種結晶をシリ
コン融液に接触させる方法に関するものである。
（以下、ＣＺ法という）によりシリコン融液から単結晶
を育成する方法に関する。更に詳しくは、種結晶をシリ
コン融液に接触させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン単結晶の育成方法として
ルツボ内のシリコン融液から半導体用の高純度シリコン
単結晶を成長させるＣＺ法が知られている。この方法
は、ミラーエッチングされた種結晶をシリコン融液に接
触させ、種結晶を引上げてシリコン融液から種絞り部分
を作製し、その後目的とするシリコン棒の直径まで結晶
を徐々に太らせて成長させることにより、必要な面方向
を有する無転位の単結晶棒を得る方法である。この単結
晶を得るに際しては種結晶がシリコン融液に接触する際
の熱応力のために種結晶にスリップ転位が導入され、無
転位の単結晶を得ることが困難であるために通常Ｄａｓ
ｈ法が広く利用されている(W. C. Dash, J.Appl. Phys.
29 736-737(1958))。このＤａｓｈ法は種結晶をシリコ
ン融液に接触させた後に直径を３ｍｍ程度に一旦細くし
て種絞り部分を形成することにより、種結晶に導入され
たスリップ転位から伝播した転位を消滅させ、無転位の
単結晶を得るものである。即ちＤａｓｈ法では、種結晶
から引き続き成長させる単結晶部に直径の小さい種絞り
部分が必要となる。
ルツボ内のシリコン融液から半導体用の高純度シリコン
単結晶を成長させるＣＺ法が知られている。この方法
は、ミラーエッチングされた種結晶をシリコン融液に接
触させ、種結晶を引上げてシリコン融液から種絞り部分
を作製し、その後目的とするシリコン棒の直径まで結晶
を徐々に太らせて成長させることにより、必要な面方向
を有する無転位の単結晶棒を得る方法である。この単結
晶を得るに際しては種結晶がシリコン融液に接触する際
の熱応力のために種結晶にスリップ転位が導入され、無
転位の単結晶を得ることが困難であるために通常Ｄａｓ
ｈ法が広く利用されている(W. C. Dash, J.Appl. Phys.
29 736-737(1958))。このＤａｓｈ法は種結晶をシリコ
ン融液に接触させた後に直径を３ｍｍ程度に一旦細くし
て種絞り部分を形成することにより、種結晶に導入され
たスリップ転位から伝播した転位を消滅させ、無転位の
単結晶を得るものである。即ちＤａｓｈ法では、種結晶
から引き続き成長させる単結晶部に直径の小さい種絞り
部分が必要となる。
【０００３】しかし近年の単結晶の大口径化にともなっ
て単結晶も大重量化し、従来の直径の極めて小さい種絞
り部分では大重量化した単結晶を支持するには強度が十
分でなく、種絞り部分の破損により単結晶棒が落下する
等の重大な事故を生じる恐れがあった。また、Ｄａｓｈ
法では、種絞りを行うことに比較的長い時間を必要と
し、一度種絞りを失敗すると再び長時間かけてやり直す
必要があり、成長プロセスにおける効率低下という不具
合を招いていた。この点を解消するために、種結晶の先
端形状を楔状とし、シリコン融液との接触断面積を極力
少なくしたシリコン単結晶の種結晶が提案されている
（特開平５−１３９８８０）。この種結晶では、種結晶
の断面積が小さいことから、それがシリコン融液に接触
する際の熱応力を軽減し、種絞り直径を比較的太くする
ことができかつ種絞り時間の短縮を図ることができる。
て単結晶も大重量化し、従来の直径の極めて小さい種絞
り部分では大重量化した単結晶を支持するには強度が十
分でなく、種絞り部分の破損により単結晶棒が落下する
等の重大な事故を生じる恐れがあった。また、Ｄａｓｈ
法では、種絞りを行うことに比較的長い時間を必要と
し、一度種絞りを失敗すると再び長時間かけてやり直す
必要があり、成長プロセスにおける効率低下という不具
合を招いていた。この点を解消するために、種結晶の先
端形状を楔状とし、シリコン融液との接触断面積を極力
少なくしたシリコン単結晶の種結晶が提案されている
（特開平５−１３９８８０）。この種結晶では、種結晶
の断面積が小さいことから、それがシリコン融液に接触
する際の熱応力を軽減し、種絞り直径を比較的太くする
ことができかつ種絞り時間の短縮を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した種結
晶では種結晶の先端形状を楔状に加工する必要から加工
する工数が増加する不具合がある。また、種結晶は固体
であることからシリコン融液に接触する際の熱応力を軽
減するには限界があり、これに従って、種絞り部分の直
径を太くすることは期待するほど大きくできない未だ解
決しなければならない問題点が残存していた。本発明の
目的は、種結晶をシリコン融液に接触させた際の熱応力
を十分に緩和させ、転位の発生を防止して種絞り工程の
時間をより一層短縮することのできるシリコン単結晶の
育成方法を提供することにある。本発明の別の目的は、
転位の発生を防止して種絞り部の直径を太くすることに
より、大重量結晶を確実に支持し得るシリコン単結晶の
育成方法を提供することにある。
晶では種結晶の先端形状を楔状に加工する必要から加工
する工数が増加する不具合がある。また、種結晶は固体
であることからシリコン融液に接触する際の熱応力を軽
減するには限界があり、これに従って、種絞り部分の直
径を太くすることは期待するほど大きくできない未だ解
決しなければならない問題点が残存していた。本発明の
目的は、種結晶をシリコン融液に接触させた際の熱応力
を十分に緩和させ、転位の発生を防止して種絞り工程の
時間をより一層短縮することのできるシリコン単結晶の
育成方法を提供することにある。本発明の別の目的は、
転位の発生を防止して種絞り部の直径を太くすることに
より、大重量結晶を確実に支持し得るシリコン単結晶の
育成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うにチョクラルスキー法により種結晶２１の先端部をシ
リコン融液２３に接触させてシリコン単結晶を育成する
方法の改良である。その特徴ある構成は、種結晶２１の
先端部にレーザ光線を照射して先端部を融解させること
により先端部を液滴形状にした後、液滴形状の先端部を
シリコン融液２３に接触させることにある。レーザ光線
は通常、気体、液体、固体、及び半導体レーザのように
レーザ物質の性質により分類されたものが知られてい
る。気体レーザとして代表的なものにヘリウム−ネオ
ン、窒素、エキシマー、希ガスイオン、二酸化炭素、Ｈ
ＣＮ，Ｈ2Ｏレーザがあげられる。液体レーザは色素を
媒体にとかした色素レーザがその波長可変性で知られて
いる。固体レーザはＹＡＧレーザやガラスレーザ、ルビ
ーレーザなどが知られている。基本的に本発明に使用す
るレーザ光線は種結晶２１の先端部を融解させることが
でき、かつ先端部を液滴形状にすることが可能であれ
ば、上述したどのレーザ光線でもよいが、特に炭酸ガス
レーザは種結晶２１を効率よく融解することが期待でき
るので好ましい。
うにチョクラルスキー法により種結晶２１の先端部をシ
リコン融液２３に接触させてシリコン単結晶を育成する
方法の改良である。その特徴ある構成は、種結晶２１の
先端部にレーザ光線を照射して先端部を融解させること
により先端部を液滴形状にした後、液滴形状の先端部を
シリコン融液２３に接触させることにある。レーザ光線
は通常、気体、液体、固体、及び半導体レーザのように
レーザ物質の性質により分類されたものが知られてい
る。気体レーザとして代表的なものにヘリウム−ネオ
ン、窒素、エキシマー、希ガスイオン、二酸化炭素、Ｈ
ＣＮ，Ｈ2Ｏレーザがあげられる。液体レーザは色素を
媒体にとかした色素レーザがその波長可変性で知られて
いる。固体レーザはＹＡＧレーザやガラスレーザ、ルビ
ーレーザなどが知られている。基本的に本発明に使用す
るレーザ光線は種結晶２１の先端部を融解させることが
でき、かつ先端部を液滴形状にすることが可能であれ
ば、上述したどのレーザ光線でもよいが、特に炭酸ガス
レーザは種結晶２１を効率よく融解することが期待でき
るので好ましい。
【０００６】種結晶２１の液滴形状の先端部をシリコン
融液２３に接触させて接合部２３ａを形成した後、レー
ザ光線の出力を低下させて接合部２３ａを固化させるこ
とが好ましい。種結晶２１の液滴形状の先端部をシリコ
ン融液２３に接触させると、図１（ｃ）に示すような接
合部２３ａが形成される。この接合部２３ａが形成され
るまでレーザ光線を照射し、その後レーザ光線の出力を
低下させて接合部２３ａを徐々に冷却して固化させるこ
とにより、種結晶２１がシリコン融液２３に接触する際
の熱応力を更に軽減する。レーザ光線の照射は種結晶２
１をシリコン融液２３に接触させる直前に照射して、そ
の先端部のみを融解させることが好ましい。種結晶２１
は通常融液の直上で予熱されるため、種結晶２１が十分
予熱された後レーザ光線を照射することにより、種結晶
２１の温度勾配を低くして熱応力を軽減することができ
る。先端部のみを融解することにより不必要なレーザ光
線の照射を不要にして、種絞りを行う時間のより一層の
短縮を図ることができる。
融液２３に接触させて接合部２３ａを形成した後、レー
ザ光線の出力を低下させて接合部２３ａを固化させるこ
とが好ましい。種結晶２１の液滴形状の先端部をシリコ
ン融液２３に接触させると、図１（ｃ）に示すような接
合部２３ａが形成される。この接合部２３ａが形成され
るまでレーザ光線を照射し、その後レーザ光線の出力を
低下させて接合部２３ａを徐々に冷却して固化させるこ
とにより、種結晶２１がシリコン融液２３に接触する際
の熱応力を更に軽減する。レーザ光線の照射は種結晶２
１をシリコン融液２３に接触させる直前に照射して、そ
の先端部のみを融解させることが好ましい。種結晶２１
は通常融液の直上で予熱されるため、種結晶２１が十分
予熱された後レーザ光線を照射することにより、種結晶
２１の温度勾配を低くして熱応力を軽減することができ
る。先端部のみを融解することにより不必要なレーザ光
線の照射を不要にして、種絞りを行う時間のより一層の
短縮を図ることができる。
【０００７】更に、種結晶２１の先端部表面はレーザ光
線を効率よく融解する熱量に転換させるために、エッチ
ング処理又は酸化処理することにより先端部の表面粗さ
を増大させて放射率を高めておくことが好ましい。一般
的に放射率とは、ある表面からの放射と、それと同じ温
度における完全輻射黒体からの放射との比であり、放射
とは空気等の媒体を通じて伝播されるエネルギである。
この放射率は物質表面の化学組成、その物質の厚さ、表
面の幾何学的形状及び表面粗さ等により変化する。一
方、放射率は通常物質の吸収率と等しいという関係が存
在する（Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆの法則）。即ち放射率の大
きい物質では最大の放射と吸収をするといえる。ここで
吸収率とは赤外線等が物体内に吸収される割合を示し、
赤外線等が透過する割合を示す透過率及び反射する割合
を示す反射率との総和が即ち１になる関係を有するもの
である。赤外線等が物体内に吸収されるとそれは熱エネ
ルギーに変換されるために吸収率が大きいほど赤外線等
による発熱量が大きいことを示す。
線を効率よく融解する熱量に転換させるために、エッチ
ング処理又は酸化処理することにより先端部の表面粗さ
を増大させて放射率を高めておくことが好ましい。一般
的に放射率とは、ある表面からの放射と、それと同じ温
度における完全輻射黒体からの放射との比であり、放射
とは空気等の媒体を通じて伝播されるエネルギである。
この放射率は物質表面の化学組成、その物質の厚さ、表
面の幾何学的形状及び表面粗さ等により変化する。一
方、放射率は通常物質の吸収率と等しいという関係が存
在する（Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆの法則）。即ち放射率の大
きい物質では最大の放射と吸収をするといえる。ここで
吸収率とは赤外線等が物体内に吸収される割合を示し、
赤外線等が透過する割合を示す透過率及び反射する割合
を示す反射率との総和が即ち１になる関係を有するもの
である。赤外線等が物体内に吸収されるとそれは熱エネ
ルギーに変換されるために吸収率が大きいほど赤外線等
による発熱量が大きいことを示す。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図２に示すように、ＣＺ法によるシリコン
融液２３から単結晶を育成する際に使用する育成装置で
は、炉体１１の内部に炉体１１と同心円状に断熱材１２
と加熱ヒータ１３が配置され、炉体１１中央の回転軸１
４の上端に固定された黒鉛サセプタ１６に有底円筒状の
石英ルツボ１７が嵌合される。炉体１１の上部には回転
・引上げ機構１８が設けられ、ルツボ１７の上方にはこ
の回転・引上げ機構１８からワイヤ１９を介して吊り下
げられたホルダ１９ａに種結晶２１が配置される。回転
・引上げ機構１８は、図示しないが、種結晶２１から成
長した高純度のシリコン単結晶棒を回転しつつ引上げて
種結晶２１の下端に高純度のシリコン単結晶棒を成長さ
せるようになっている。炉体１１の側壁には一対の炭酸
ガスレーザの発生装置（図示せず）が対称的に設けら
れ、その出力取出管２２，２２がその先端を種結晶２１
の先端部に臨むように炉体１１の側壁を貫通して設けら
れる。炭酸ガスレーザの発生装置で発生したレーザ光線
は、破線矢印で示すように、それぞれの出力取出管２
２，２２を介して種結晶２１の先端部に照射されるよう
になっている。
説明する。 ＜実施例１＞図２に示すように、ＣＺ法によるシリコン
融液２３から単結晶を育成する際に使用する育成装置で
は、炉体１１の内部に炉体１１と同心円状に断熱材１２
と加熱ヒータ１３が配置され、炉体１１中央の回転軸１
４の上端に固定された黒鉛サセプタ１６に有底円筒状の
石英ルツボ１７が嵌合される。炉体１１の上部には回転
・引上げ機構１８が設けられ、ルツボ１７の上方にはこ
の回転・引上げ機構１８からワイヤ１９を介して吊り下
げられたホルダ１９ａに種結晶２１が配置される。回転
・引上げ機構１８は、図示しないが、種結晶２１から成
長した高純度のシリコン単結晶棒を回転しつつ引上げて
種結晶２１の下端に高純度のシリコン単結晶棒を成長さ
せるようになっている。炉体１１の側壁には一対の炭酸
ガスレーザの発生装置（図示せず）が対称的に設けら
れ、その出力取出管２２，２２がその先端を種結晶２１
の先端部に臨むように炉体１１の側壁を貫通して設けら
れる。炭酸ガスレーザの発生装置で発生したレーザ光線
は、破線矢印で示すように、それぞれの出力取出管２
２，２２を介して種結晶２１の先端部に照射されるよう
になっている。
【０００９】このような装置におけるシリコン単結晶の
育成は、ルツボ１７に多結晶からなるシリコン融液２３
が加熱ヒータ１３により過熱された状態で貯留され、そ
のルツボ１７の直上１０ｍｍの位置に種結晶２１を位置
させる。この状態で種結晶２１を予熱するとともに、図
１（ａ）の実線矢印で示すように、種結晶２１の先端部
にレーザ光線を出力取出管２２，２２の先端から照射す
る。レーザ光線のパワーは１０ｋＷであり予熱時間は３
０分である。
育成は、ルツボ１７に多結晶からなるシリコン融液２３
が加熱ヒータ１３により過熱された状態で貯留され、そ
のルツボ１７の直上１０ｍｍの位置に種結晶２１を位置
させる。この状態で種結晶２１を予熱するとともに、図
１（ａ）の実線矢印で示すように、種結晶２１の先端部
にレーザ光線を出力取出管２２，２２の先端から照射す
る。レーザ光線のパワーは１０ｋＷであり予熱時間は３
０分である。
【００１０】３０分予熱すると、種結晶２１の先端部
は、図１（ｂ）に示すようにレーザ光線の照射により融
解が始まり、やがて液滴状に変化する。液滴状に変化し
た後は回転・引上げ機構１８によりワイヤ１９を伸ばし
て、種結晶２１を５ｍｍ下げる。下げられた種結晶２１
の先端部は融解した状態でシリコン融液２３に接触して
接合部２３ａを形成する。接合部２３ａはシリコン融液
２３の表面張力により図１（ｃ）に示すように中央部に
くびれ部を生じさせる。接合部２３ａが形成された後は
レーザ光線の照射量を１０％／分の割合で減少させ、接
合部２３ａを徐々に冷却するとともに、種結晶２１を徐
々に引上げて種絞り部分を形成する。この種絞り部分は
直径が６ｍｍ，長さが１００ｍｍであった。種絞り工程
は２０分で終了した。その後種結晶２１を回転・引上げ
機構１８により徐々に引上げ、シリコン単結晶の育成を
行い、全長１０００ｍｍ、直径２００ｍｍの無転位のシ
リコン単結晶棒を得た。
は、図１（ｂ）に示すようにレーザ光線の照射により融
解が始まり、やがて液滴状に変化する。液滴状に変化し
た後は回転・引上げ機構１８によりワイヤ１９を伸ばし
て、種結晶２１を５ｍｍ下げる。下げられた種結晶２１
の先端部は融解した状態でシリコン融液２３に接触して
接合部２３ａを形成する。接合部２３ａはシリコン融液
２３の表面張力により図１（ｃ）に示すように中央部に
くびれ部を生じさせる。接合部２３ａが形成された後は
レーザ光線の照射量を１０％／分の割合で減少させ、接
合部２３ａを徐々に冷却するとともに、種結晶２１を徐
々に引上げて種絞り部分を形成する。この種絞り部分は
直径が６ｍｍ，長さが１００ｍｍであった。種絞り工程
は２０分で終了した。その後種結晶２１を回転・引上げ
機構１８により徐々に引上げ、シリコン単結晶の育成を
行い、全長１０００ｍｍ、直径２００ｍｍの無転位のシ
リコン単結晶棒を得た。
【００１１】＜比較例１＞比較のため、炉体の側壁に炭
酸ガスレーザの発生装置を設けない以外は実施例１と同
じ育成装置によりシリコン単結晶を育成した。即ち、ル
ツボに多結晶からなるシリコン融液が貯留され、そのル
ツボの直上１０ｍｍの位置に種結晶を位置させる。この
状態で種結晶を約３０分予熱する。予熱された種結晶は
回転・引上げ機構により引下げられ、その先端部をシリ
コン融液に接触させる。その状態で約１０分放置した
後、種結晶を徐々に引上げて種絞り部を形成する。この
種絞り部分は直径が３ｍｍ，長さが２００ｍｍであっ
た。種絞り工程は７０分で終了した。その後種結晶を更
に引上げ、シリコン単結晶の育成を行い、実施例１と同
形同大の全長１０００ｍｍ、直径２００ｍｍの無転位の
シリコン単結晶棒を得た。
酸ガスレーザの発生装置を設けない以外は実施例１と同
じ育成装置によりシリコン単結晶を育成した。即ち、ル
ツボに多結晶からなるシリコン融液が貯留され、そのル
ツボの直上１０ｍｍの位置に種結晶を位置させる。この
状態で種結晶を約３０分予熱する。予熱された種結晶は
回転・引上げ機構により引下げられ、その先端部をシリ
コン融液に接触させる。その状態で約１０分放置した
後、種結晶を徐々に引上げて種絞り部を形成する。この
種絞り部分は直径が３ｍｍ，長さが２００ｍｍであっ
た。種絞り工程は７０分で終了した。その後種結晶を更
に引上げ、シリコン単結晶の育成を行い、実施例１と同
形同大の全長１０００ｍｍ、直径２００ｍｍの無転位の
シリコン単結晶棒を得た。
【００１２】＜評価１＞実施例１及び比較例１における
種結晶がシリコン融液に接触するまでの予熱時間、シリ
コン融液との接触時間、種絞り時間、及び種絞り部の直
径を表１に示す。
種結晶がシリコン融液に接触するまでの予熱時間、シリ
コン融液との接触時間、種絞り時間、及び種絞り部の直
径を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、実施例１の予熱
時間は比較例１の予熱時間と同じであるが種結晶をシリ
コン融液に接触させておく接触時間が不要になる。これ
は予熱時間に予め種結晶先端を融解させるためである。
また比較例１で作られたシリコン単結晶棒、及び実施例
１で作られたシリコン単結晶棒の双方に転位が見られな
かった。しかし、実施例１で作られた種絞り部の直径は
比較例１に比較して大きくすることができた。これは種
結晶２１がシリコン融液２３に接触する以前に暖められ
ることに起因する熱応力の低下によるものと考えられ
る。更に種絞り部分を太くできたことから種絞り時間も
比較例１の７０分に対して実施例１では５０分少ない２
０分で完了している。従って、実施例１では比較例１よ
り５０分＋１０分＝６０分の種絞り工程の時間の短縮が
図られた。
時間は比較例１の予熱時間と同じであるが種結晶をシリ
コン融液に接触させておく接触時間が不要になる。これ
は予熱時間に予め種結晶先端を融解させるためである。
また比較例１で作られたシリコン単結晶棒、及び実施例
１で作られたシリコン単結晶棒の双方に転位が見られな
かった。しかし、実施例１で作られた種絞り部の直径は
比較例１に比較して大きくすることができた。これは種
結晶２１がシリコン融液２３に接触する以前に暖められ
ることに起因する熱応力の低下によるものと考えられ
る。更に種絞り部分を太くできたことから種絞り時間も
比較例１の７０分に対して実施例１では５０分少ない２
０分で完了している。従って、実施例１では比較例１よ
り５０分＋１０分＝６０分の種絞り工程の時間の短縮が
図られた。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、レ
ーザ光線を種結晶の先端に照射して、予め種結晶の先端
部を融解させることにより、転位の発生が防止でき、か
つ種絞り工程の時間をより一層短縮することができる。
また、種絞り直径を大きくすることができる結果、大重
量結晶を確実に支持することができる。
ーザ光線を種結晶の先端に照射して、予め種結晶の先端
部を融解させることにより、転位の発生が防止でき、か
つ種絞り工程の時間をより一層短縮することができる。
また、種絞り直径を大きくすることができる結果、大重
量結晶を確実に支持することができる。
【図１】本発明の実施例１の種結晶を示す側面図。
【図２】ＣＺ法による単結晶育成装置の概略断面図。
１１ 炉体 １２ 断熱材 １３ 加熱ヒータ １４ 回転軸 １６ 黒鉛サセプタ １７ ルツボ １８ 回転・引上げ機構 １９ ワイヤ ２１ 種結晶 ２２ 炭酸ガスレーザ発生装置の出力取出管 ２３ シリコン融液 ２３ａ 接合部
Claims (3)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により種結晶(21)の
先端部をシリコン融液(23)に接触させてシリコン単結晶
を育成する方法において、 前記種結晶(21)の先端部にレーザ光線を照射して前記先
端部を融解させることにより前記先端部を液滴形状にし
た後、前記液滴形状の先端部を前記シリコン融液(23)に
接触させることを特徴とするシリコン単結晶の育成方
法。 - 【請求項２】 レーザ光線が炭酸ガスレーザである請求
項１記載のシリコン単結晶の育成方法。 - 【請求項３】 種結晶の液滴形状の先端部をシリコン融
液(23)に接触させて接合部(23a)を形成した後、レーザ
光線の出力を低下させて前記接合部(23a)を固化させる
請求項１又は２記載のシリコン単結晶の育成方法。
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| JP12211195A JP3463712B2 (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | シリコン単結晶の育成方法 |
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| JP12211195A JP3463712B2 (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | シリコン単結晶の育成方法 |
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| JP3463712B2 JP3463712B2 (ja) | 2003-11-05 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-05-22 JP JP12211195A patent/JP3463712B2/ja not_active Expired - Fee Related
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