JPH08316396A - ダムバー切断方法及びダムバー切断装置 - Google Patents

ダムバー切断方法及びダムバー切断装置

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JPH08316396A
JPH08316396A JP7117298A JP11729895A JPH08316396A JP H08316396 A JPH08316396 A JP H08316396A JP 7117298 A JP7117298 A JP 7117298A JP 11729895 A JP11729895 A JP 11729895A JP H08316396 A JPH08316396 A JP H08316396A
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dam bar
resin mold
laser light
dam
heat input
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JP7117298A
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English (en)
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Shinya Okumura
信也 奥村
Naoki Mitsuyanagi
直毅 三柳
Nobuhiko Tada
信彦 多田
Yoshiya Nagano
義也 長野
Yoshiaki Shimomura
義昭 下村
Shigeyuki Sakurai
茂行 桜井
Yasushi Minomoto
泰 美野本
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Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置のダムバーを細長い断面形状のレー
ザ光照射で切断するに際し、ダムバーの樹脂モールドに
近い側と遠い側の入熱量を均等にし、切断幅を同一にし
て、高精度で良好な品質が得られるようにする。 【構成】ベンディングミラー11と集光レンズ12の間
に細長いくさび形状穴15aを有するマスク15を設
け、レーザ光14のスポット14aの狭い側が樹脂モー
ルド3側に来るようにする。これにより、ダムバー2の
樹脂モールド3に遠い側よりも樹脂モールド3に近い側
でレーザ光14照射による入熱量が少なくなり、ダム内
レジン4からの熱および正味のレーザ光照射による入熱
のトータルである樹脂モールド3に近い側の入熱量と、
樹脂モールド3から遠い側の入熱量とを均一にできる。
従って、ダムバー2切断後の切断幅を同一にできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに半導
体チップを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体
装置のダムバーをレーザ光によって切断するダムバーの
切断方法、及びダムバー切断装置に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載し
樹脂モールドでそれらリードフレーム及び半導体チップ
を一体に封止した半導体装置において、ダムバーはリー
ドフレームのリード間を連結するものであり、樹脂モー
ルドでリードフレームと半導体チップを一体に封止する
時に樹脂モールドがリードの間に流れ出てくるのを堰止
める役割を果たすものである。また、このダムバーは各
リードを補強する役割も有する。そして、樹脂モールド
による封止が終了すると、このダムバーは切断除去さ
れ、リードフレームの各リード(アウターリード)が個
々に切り離される。なお、以下の説明では、上記のよう
な樹脂モールドでリードフレーム及び半導体チップを一
体に封止した樹脂モールド型半導体装置のことを単に半
導体装置という。
【0003】従来では、リードフレームのリードピッチ
がそれほど微細でなくアウターリード部分の寸法精度に
もある程度余裕があったため、ダムバーをパンチプレス
等により打ち抜き切断することが多かったが、最近では
半導体装置の高集積化や高性能化に伴ってリードフレー
ムがさらに多ピンかつ狭ピッチになってきており、その
寸法精度が厳しく要求されるため、従来のプレス打ち抜
き法では技術的に対応できなくなってきた。
【0004】例えば0.3mmピッチの多ピンかつ狭ピ
ッチのリードフレームでは、板厚が0.1〜0.2mm
程度、リード間隙(以下、適宜スリット部という)の幅
が0.1〜0.15mm程度となり、板厚と同じかまた
はそれ以下の寸法でダムバー部分を切断する必要があ
り、このような微細な寸法の打ち抜きを行う工具を作成
することは非常に困難を伴うと共に、もしそのような工
具が作成できたとしても工具の厚さが微細な寸法となる
ため破損する可能性が大きい。しかも、ダムバーの近く
にはダムバーとリードの間に流出後固化した樹脂ダムバ
ーとリードの間に流出後固化した樹脂(以下、ダム内レ
ジンという)やリードフレーム表面に流出した樹脂(以
下、レジンばりという)も付着し、上記プレス打抜き法
ではダムバーを確実かつ良好な形状に切断することがで
きない。
【0005】これに対し、最近ではレーザ光を使用した
ダムバーの切断方法が開発されている。レーザ光は極め
て小さく絞ることができるため微細な加工が可能であ
り、これをダムバーに照射するだけで非接触でダムバー
を切断することができるため寸法精度の良い加工が可能
である。このようなレーザ光による加工(以下、適宜レ
ーザ加工という)をダムバーの切断等に応用する従来技
術としては、例えば特開平5−211260号公報に記
載のものがある。
【0006】この特開平5−211260号公報に記載
の従来技術においては、予め個々のダムバー加工位置を
カメラ等で取り込み、全部のデータを取り込んでから画
像処理によって全ての実際のダムバーの位置を検出し、
その後この正確な位置情報に基づいてレーザ光を照射す
る方法が開示されている。ここでも、レーザ光の集光位
置決定にはガルバノミラーが、レーザ光の集光には大口
径の集光レンズが使用されている。
【0007】また、ダムバーの加工方法ではないが、特
開平1−224188号公報に記載の従来技術において
は、レーザ光によって断続的な加工を行う際に加減速に
よる振動を回避するため、レーザ光の発振時刻を制御し
ながら予め求めておいた加工軌跡に沿ってレーザ光の光
軸を相対移動させ、高速に位置決めしながら連続的に加
工する(オンザフライ)方式が提案されている。この方
式は半導体ウエハを加工する場合に好適なものである
が、ダムバーの加工に応用することが可能と考えられ
る。
【0008】さらに、レーザ光を用いるダムバーの加工
に好適な従来技術として、特開平6−142968号公
報に記載のものがある。この従来技術は、加工光学系と
ほぼ同軸上に配置した検出光学系(光検出手段)におい
て被加工物における材料の有無(リードの配列状態)を
光学的に検出し、その検出信号を矩形化し、さらにその
矩形化した信号に一定の遅延時間を与え、遅延時間を与
えた信号に基づいてパルスレーザ光の発振を制御するも
のである。つまり、この方式は、リードの配列状態を直
接視覚的に検出し、そのデータを利用してパルスレーザ
光の照射を即座に行うものであり、レーザ光の光軸(以
下、レーザ光軸という)軸を被加工物に対して移動させ
るだけで、順次ダムバーが切断され、確実かつ高速に加
工が行える。
【0009】一方、特開平4−322454号公報に記
載の従来技術は、レーザ発振器から出力されるレーザ光
の断面形状をシリンドリカルレンズによって細長い形状
(楕円形状)とし、ガルバノミラーによってレーザ光の
集光位置を決定し、大口径の集光レンズによりダムバー
に集光して溶断を行うものであり、狭いスリット幅に対
応させて一回のレーザ光照射でダムバーを切断するもの
である。これにより、前述の3つの従来技術によるより
も一層高速な加工を行うことが可能である。
【0010】また、レーザ光を用いてダムバーおよびダ
ム内レジンを溶断、除去する方法が特開平5−3153
78号公報に開示されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】特開平4−32245
4号公報等に記載の従来技術を利用し、半導体装置のダ
ムバーを細長い断面形状を有するレーザ光を照射して切
断する場合、一般的には、ダムバーの切断と同時にダム
バーとリードの間に流出後固化したダム内レジンも同時
に溶融除去する。そのために、ダムバーだけでなく、そ
のダムバーに隣接するダム内レジンの表面にも細長い断
面形状のレーザ光が照射されるようにする。このような
ダムバーおよびダム内レジンを同時に溶断除去する考え
方は、特開平5−315378号公報に属する考え方で
もある。
【0012】この場合、レーザ光エネルギーの吸収率の
低い金属からなるダムバーと、吸収率の高い黒色樹脂か
らなるダム内レジンそれぞれに、レーザ光照射による入
熱現象が生じる。
【0013】そこである一つのダムバーに注目すると、
ダムバーの樹脂モールドに近い側の部分には、正味のレ
ーザ光照射による入熱現象以外に、レーザ光照射によっ
てダム内レジンに発生した熱が伝わってくる入熱現象も
起こる。そして、そのダム内レジンからの入熱に伴って
ダムバーを構成する金属材料のレーザ光吸収率が上昇
し、そのレーザ光吸収率の上昇によってもさらに入熱量
が上昇する。従って、ダムバーの樹脂モールドに近い側
の部分では、ダムバーの樹脂モールドに遠い側の部分よ
りトータルの入熱量が多くなる。
【0014】上記のようなダムバーの樹脂モールドに近
い側と遠い側の入熱量の差のために、ダムバー切断後の
切断幅は一定とはならず、ダムバーの樹脂モールドに近
い部分が広く、ダムバーの樹脂モールドに遠い部分が狭
くなってしまう。
【0015】本発明の目的は、半導体装置のダムバーを
細長い断面形状を有するレーザ光を照射して切断するに
際して、ダムバーの樹脂モールドに近い側と遠い側の入
熱量を均等にし、ダムバーの切断幅を同一にして、高精
度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置を得ること
ができるダムバー切断方法及びダムバー切断装置を提供
することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームに半導体チップを
搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置のダム
バーを、細長い断面形状を有するレーザ光を照射して切
断するダムバーの切断方法において、前記レーザ光照射
による入熱量が前記ダムバーの樹脂モールドに遠い側よ
りも樹脂モールドに近い側の方で少なくなるようにし
て、前記レーザ光を前記ダムバーに照射し前記ダムバー
を切断することを特徴とするダムバー切断方法が提供さ
れる。
【0017】上記ダムバー切断方法において、好ましく
は、前記レーザ光の断面形状を樹脂モールド側の狭い略
くさび形状にする。
【0018】また、上記ダムバー切断方法において、好
ましくは、前記レーザ光の断面形状を楕円形状にし、か
つ前記ダムバー上に照射される前記レーザ光のスポット
の中心を樹脂モールドから遠ざかる方向にずらせる。
【0019】さらに、上記ダムバー切断方法において、
好ましくは、前記レーザ光の断面におけるエネルギー密
度分布を、前記ダムバーの樹脂モールドに近い側では小
さく樹脂モールドに遠い側では大きくなるような連続的
な勾配に設定する。
【0020】また、前述の目的を達成するため、本発明
によれば、リードフレームに半導体チップを搭載し樹脂
モールドで一体に封止した半導体装置のダムバーに細長
い断面形状を有するレーザ光を照射することにより前記
ダムバーを切断するダムバー切断装置において、前記レ
ーザ光照射による入熱量が、前記ダムバーの樹脂モール
ドに遠い側よりも樹脂モールドに近い側の方で少なくな
るように調整する入熱量調整手段を有することを特徴と
するダムバー切断装置が提供される。
【0021】上記ダムバー切断装置において、好ましく
は、前記入熱量調整手段が、前記レーザ光の断面形状を
樹脂モールド側の狭い略くさび形状にするマスクを含
む。
【0022】または、上記入熱量調整手段が、非球面レ
ンズを含んでもよい。
【0023】さらに、上記入熱量調整手段が、前記ダム
バーの樹脂モールドに近い側では透過率が小さく樹脂モ
ールドに遠い側では透過率が大きくなるような連続的な
透過率勾配を有するハーフミラーを含んでもよい。
【0024】
【作用】上記のように構成した本発明のダムバー切断方
法においては、レーザ光照射による入熱量を、ダムバー
の樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モールドに近い側の
方が少なくなるようにすることにより、レーザ光エネル
ギーの吸収率の低い金属からなるダムバーの入熱量が多
くなり、吸収率の高い黒色樹脂からなるダム内レジンの
入熱量が少なくなる。従って、ダムバーの樹脂モールド
に近い側に伝わってくるダム内レジンからの熱も少なく
なり、それに伴うダムバーのレーザ光吸収率の上昇の度
合いも小さくなる。また、ダムバー自体においても、樹
脂モールドに遠い側よりも近い側の方で正味のレーザ光
照射による入熱量が少なくなる。その結果、ダム内レジ
ンからの熱および正味のレーザ光照射による入熱のトー
タルである樹脂モールドに近い側の部分の入熱量と、樹
脂モールドから遠い側の部分の入熱量とを均一にするこ
とが可能となる。
【0025】上記のように、ダムバーの樹脂モールドに
近い側と遠い側とで入熱量の差がなくなって均一となる
ため、ダムバー切断後の切断幅は、樹脂モールドに近い
側、遠い側にかかわらず同一となり、広い部分や狭い部
分ができることがない。
【0026】また、レーザ光の断面形状を樹脂モールド
側の狭い略くさび形状にすることにより、上記のように
ダムバーの樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モールドに
近い側の方が少なくなるようにレーザ光照射による入熱
量を設定することが可能である。
【0027】あるいは、レーザ光の断面形状を楕円形状
にし、かつその楕円形のスポットの中心を樹脂モールド
から遠ざかる方向にずらせることにより、スポットの幅
をダムバーの樹脂モールド側に近づくにつれて狭くする
ことができる。従って、上記の略くさび形状と同様に、
ダムバーの樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モールドに
近い側の方が少なくなるようにレーザ光照射による入熱
量を設定することが可能である。なお、レーザ光の断面
形状を楕円形状にするためには、ほぼ円形断面のレーザ
光を、例えば凸型または凹型のシリンドリカルレンズに
通過させればよい。
【0028】さらに、上記レーザ光の断面におけるエネ
ルギー密度分布を、樹脂モールドに近い側では小さく樹
脂モールドに遠い側では大きくなるような連続的な勾配
に設定することによっても、上記と同様にレーザ光照射
による入熱量を設定することが可能である。
【0029】また、上記のように構成した本発明のダム
バー切断装置においては、レーザ発振器より細長い断面
形状を有するレーザ光を発生し、そのレーザ光を光学系
によって照射位置に集光させ、集光させたレーザ光の照
射によって半導体装置のダムバーを切断する。その時、
入熱量調整手段によって、レーザ光照射による入熱量
が、ダムバーの樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モール
ドに近い側の方で少なくなるように調整する。これによ
り、前述のダムバー切断方法が実施できる。
【0030】上記入熱量調整手段に略くさび形状のマス
クを含めることにより、レーザ光の断面形状を樹脂モー
ルド側の狭い略くさび形状にすることができる。
【0031】また、上記入熱量調整手段に非球面レンズ
を含めることにより、レーザ光の断面におけるエネルギ
ー密度分布を、樹脂モールドに近い側では小さく樹脂モ
ールドに遠い側では大きくなるような連続的な勾配に設
定することができる。
【0032】さらに、上記入熱量調整手段に、ダムバー
の樹脂モールドに近い側では透過率が小さく樹脂モール
ドに遠い側では透過率が大きくなるような連続的な透過
率勾配を有するハーフミラーを含めることにより、レー
ザ光の断面におけるエネルギー密度分布を、樹脂モール
ドに近い側では小さく樹脂モールドに遠い側では大きく
なるような連続的な勾配に設定することができる。
【0033】
【実施例】本発明の第1の実施例によるダムバー切断方
法及びダムバー切断装置について、図1から図4を参照
しながら説明する。
【0034】図1(a)に示すように、本実施例のダム
バー切断装置には、レーザ発振器10、ベンディングミ
ラー11、集光レンズ12が備えられており、また、ベ
ンディングミラー11と集光レンズ12の間には、図1
(b)に示すような細長いくさび形状穴15aを有する
マスク15が備えられている。レーザ発振器10から出
力されたレーザ光13は、加工対象である樹脂モールド
型半導体装置100の方向に向けてベンディングミラー
11により向きを変えられる。そして、レーザ光13は
くさび形状穴15aを有するマスク15によって断面形
状が細長いくさび形状のレーザ光14に成形され、集光
レンズ12により集光され、樹脂モールド型半導体装置
100のダムバー表面に照射される。
【0035】図2は、上記のように集光されたレーザ光
14が樹脂モールド型半導体装置100のダムバー2に
照射された状況を示す図である。図2においては、樹脂
モールド3、リード1、およびダムバー2で囲まれた部
分には樹脂が流出し固化したダム内レジン4が存在す
る。図2(a)に示すように、レーザ光14のスポット
14aの形状は細長いくさび形状をしており、本実施例
では、そのスポット14aの長手方向をリード1の長手
方向に合わせ、かつくさび形状の狭い側が樹脂モールド
3の側に来るようにする。また、ダムバー2だけでな
く、そのダムバー2に隣接するダム内レジン4の表面に
もレーザ光が照射されるようにし、ダムバー2の切断と
同時にダム内レジン4も同時に溶融、除去する。
【0036】これにより、ダムバー2の樹脂モールド3
に遠い側よりも樹脂モールド3に近い側の方が少なくな
るようにレーザ光14の照射による入熱量が設定され、
それによって、レーザ光エネルギーの吸収率の低い金属
からなるダムバー2の入熱量が多くなり、吸収率の高い
黒色樹脂からなるダム内レジン4の入熱量が少なくな
る。従って、ダムバー2の樹脂モールド3に近い側に伝
わってくるダム内レジン4からの熱も少なくなり、それ
に伴うダムバー4のレーザ光吸収率の上昇の度合いも小
さくなる。また、ダムバー4自体においても、樹脂モー
ルド3に遠い側よりも近い側の方で正味のレーザ光照射
による入熱量が少なくなる。その結果、ダム内レジン4
からの熱および正味のレーザ光照射による入熱のトータ
ルである樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量と、樹
脂モールド3から遠い側の部分の入熱量とを均一にする
ことが可能となる。
【0037】上記のように、ダムバー2の樹脂モールド
3に近い側と遠い側とで入熱量の差がなくなって均一に
できるため、図2(b)に示すように、ダムバー2切断
後の切断幅を、樹脂モールド3に近い側、遠い側にかか
わらず同一にでき、切断面2Aが平行となって広い部分
や狭い部分ができることがない。
【0038】図3および図4は、断面形状が細長いくさ
び形状のレーザ光を用いずに幅が一定の細長い矩形断面
形状を有するレーザ光を用いた場合について説明する図
である。ある一つのダムバー2に注目すると、ダムバー
2の樹脂モールド3に近い側の部分には、正味のレーザ
光(図3ではスポット14bで示す)の照射による入熱
現象以外に、レーザ光照射によってダム内レジン4に発
生した熱が伝わってくる入熱現象も起こる。このダム内
レジン4で発生した熱が伝わってくる状況を図3(a)
において矢印14Aで示す。そして、ダム内レジン4か
らの入熱に伴ってダムバー2を構成する金属材料のレー
ザ光吸収率が上昇し、そのレーザ光吸収率の上昇によっ
てもさらに入熱量が上昇する。従って、ダムバー2の樹
脂モールド3に近い側の部分では、ダムバー2の樹脂モ
ールド3に遠い側の部分よりトータルの入熱量が多くな
る。この時のダムバー2周辺の等温線を図3(b)に、
また、図3(b)のC−C断面における金属材料のレー
ザ光吸収率αの分布の一例を図3(c)に示す。
【0039】上記のようなことから、図4(a)のよう
に幅が一定の細長い矩形断面形状を有するレーザ光(ス
ポット14b)を用いてダムバー2を切断した場合に
は、図3で説明したようなダムバー2の樹脂モールド3
に近い側と遠い側の入熱量の差のために、ダムバー2切
断後の切断幅は一定とはならず、図4(b)のようにダ
ムバー2の樹脂モールド3に近い部分が広く、ダムバー
2の樹脂モールド3に遠い部分が狭くなってしまう。こ
のため、アウターリードの折り曲げ成形時に均一に変形
しないこと等により、高精度で良好な品質の樹脂モール
ド型半導体装置100を得ることが困難となる。
【0040】これに対し、本実施例では、くさび形状の
断面形状を有するレーザ光14を利用するため、ダムバ
ー2切断後の切断幅を樹脂モールド3に近い側、遠い側
にかかわらず同一にでき、高精度で良好な品質の樹脂モ
ールド型半導体装置100を得ることができる。
【0041】以上のように本実施例によれば、レーザ光
14の断面形状を細長いくさび形状とし、そのくさび形
状のスポット14aの狭い側が樹脂モールド3の側に来
るようにするので、ダムバー2の樹脂モールド3に遠い
側よりも樹脂モールド3に近い側の方でレーザ光14の
照射による入熱量が少なくなり、それによってダム内レ
ジン4からの熱および正味のレーザ光照射による入熱の
トータルである樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量
と、樹脂モールド3から遠い側の部分の入熱量とを均一
にできる。
【0042】従って、ダムバー2切断後の切断幅を、樹
脂モールド3に近い側、遠い側にかかわらず同一にで
き、高精度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置1
00を得ることができる。
【0043】次に、本発明の第2の実施例によるダムバ
ー切断方法及びダムバー切断装置について、図5から図
7を参照しながら説明する。
【0044】本実施例においては、図5に示すように、
レーザ発振器10とベンディングミラー11との間に凸
型シリンドリカルレンズ20と凹型シリンドリカルレン
ズ21が備えられる。そして、レーザ発振器10からは
円形の断面形状を持つレーザ光22が出力され、凸型シ
リンドリカルレンズ20と凹型シリンドリカルレンズ2
1により楕円形の断面形状のレーザ光23に成形され、
加工対象である樹脂モールド型半導体装置100の方向
に向けてベンディングミラー11により向きを変えら
れ、集光レンズ12により集光され、樹脂モールド型半
導体装置100のダムバー表面に照射される。なお、図
5において、図1と同等の部材には同じ符号を付してあ
る。
【0045】図6は、上記のように集光されたレーザ光
23が樹脂モールド型半導体装置100のダムバー2に
照射された状況を示す図である。図6において、図2と
同等の部材には同じ符号を付してある。図6(a)に示
すように、レーザ光23のスポット23aの形状は細長
い楕円形をしており、本実施例では、そのスポット23
aの長手方向をリード1の長手方向に合わせ、かつ楕円
形のスポット23aの中心23Aを樹脂モールド3から
遠ざかる方向にずらせる。また、ダムバー2だけでな
く、そのダムバー2に隣接するダム内レジン4の表面に
もレーザ光が照射されるようにし、ダムバー2の切断と
同時にダム内レジン4も同時に溶融、除去する。
【0046】これにより、第1の実施例のくさび形状の
断面形状を有するレーザ光を利用した場合と同様に、ダ
ムバー2の樹脂モールド3に遠い側よりも樹脂モールド
3に近い側の方が少なくなるようにレーザ光14の照射
による入熱量が設定され、それによってダム内レジン4
からの熱および正味のレーザ光照射による入熱のトータ
ルである樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量と、樹
脂モールド3から遠い側の部分の入熱量とを均一にする
ことが可能となる。従って、図6(b)に示すように、
ダムバー2切断後の切断幅は、樹脂モールド3に近い
側、遠い側にかかわらず同一にでき、切断面2Bが平行
となって広い部分や狭い部分ができることがない。
【0047】図7は、楕円形のスポット23aの中心2
3Aをダムバー2の中心線上に位置させた場合について
説明する図である。従来は、ダムバー2をなるべく均一
な幅で切断しようというねらいから、図7(a)のよう
にスポット23aの中心23Aをダムバー2の中心線上
に位置させる方法が採用されることが多いが、図7
(a)の場合は図4(a)のようにダムバー2に対して
均等にスポットを当てることになり、従って図4(b)
場合と同様の結果となる。即ち、図3で説明したように
ダムバー2の樹脂モールド3に近い側と遠い側の入熱量
の差のために、ダムバー2切断後の切断幅は一定とはな
らず、図7(b)のようにダムバー2の樹脂モールド3
に近い部分が広く、ダムバー2の樹脂モールド3に遠い
部分が狭くなってしまう。このため、やはり高精度で良
好な品質の樹脂モールド型半導体装置100を得ること
が困難となる。
【0048】これに対し、本実施例では、楕円形のスポ
ット23aの中心23Aを樹脂モールド3から遠ざかる
方向にずらせるため、ダムバー2切断後の切断幅を樹脂
モールド3に近い側、遠い側にかかわらず同一にでき、
高精度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置100
を得ることができる。
【0049】以上のように本実施例によれば、レーザ光
23の断面形状を細長い楕円形とし、その楕円形のスポ
ット23aの長手方向をリード1の長手方向に合わせ、
かつ楕円形のスポット23aの中心23Aを樹脂モール
ド3から遠ざかる方向にずらせるので、第1の実施例の
くさび形状の断面形状を有するレーザ光を利用した場合
と同様に、ダムバー2の樹脂モールド3に遠い側よりも
樹脂モールド3に近い側の方でレーザ光14の照射によ
る入熱量が少なくなり、それによってダム内レジン4か
らの熱および正味のレーザ光照射による入熱のトータル
である樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量と、樹脂
モールド3から遠い側の部分の入熱量とを均一にでき
る。
【0050】従って、ダムバー2切断後の切断幅を、樹
脂モールド3に近い側、遠い側にかかわらず同一にで
き、高精度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置1
00を得ることができる。
【0051】次に、本発明の第3の実施例によるダムバ
ー切断方法及びダムバー切断装置について、図8および
図9を参照しながら説明する。
【0052】本実施例においては、図8に示すように、
集光レンズとして非球面レンズ30が備えられるが、こ
の非球面レンズ30としては、ダムバー2の樹脂モール
ド3に近い側では曲率が小さく樹脂モールド3に遠い側
では曲率が大きくなるように連続的に曲率が変化するも
のを用いる。レーザ発振器10aからは細長い矩形の断
面形状を持つレーザ光31が出力され、加工対象である
樹脂モールド型半導体装置100の方向に向けてベンデ
ィングミラー11により向きを変えられ、集光レンズと
しての非球面レンズ30により集光され、レーザ光32
となって樹脂モールド型半導体装置100のダムバー表
面に照射される。但し、非球面レンズ30と加工対象と
の間の距離は曲率が小さい方の焦点距離に合わせるよう
にする。また、レーザ発振器10aとしては、細長い矩
形の断面形状を有するレーザ光を発生するスラブレーザ
発振器、またはシリンドリカルレンズやマスク等により
レーザ光の断面形状を変換する構成を有するものを利用
する。なお、図8において、図1と同等の部材には同じ
符号を付してある。
【0053】図9は、上記のように集光されたレーザ光
32が樹脂モールド型半導体装置100のダムバー2に
照射された状況を示す図である。図9において、図2と
同等の部材には同じ符号を付してある。図9(a)に示
すように、レーザ光32のスポット32aの形状は細長
い楕円形をしており、本実施例では、そのスポット32
aの長手方向をリード1の長手方向に合わせる。また、
ダムバー2だけでなく、そのダムバー2に隣接するダム
内レジン4の表面にもレーザ光が照射されるようにし、
ダムバー2の切断と同時にダム内レジン4も同時に溶
融、除去する。
【0054】さらに、本実施例では、ダムバー2の樹脂
モールド3に近い側の曲率が小さく樹脂モールド3に遠
い側の曲率が大きくなるように非球面レンズ30を設置
し、かつ非球面レンズ30と加工対象との間の距離を曲
率が小さい方の焦点距離に合わせるようにするため、レ
ーザ光32の断面におけるエネルギー密度分布、従って
スポット32aのエネルギー密度分布Eが、図9(b)
に示すように樹脂モールド3に近い側では小さく樹脂モ
ールド3に遠い側では大きくなるような連続的な勾配に
設定される。
【0055】これにより、図9(a)に矢印32Aで示
すようにレーザ光32からの入熱量も樹脂モールド3に
近い側では小さく樹脂モールド3に遠い側では大きくな
るような連続的な勾配となり、それによってダム内レジ
ン4からの熱および正味のレーザ光照射による入熱のト
ータルである樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量
と、樹脂モールド3から遠い側の部分の入熱量とが均一
となる。従って、図9(c)に示すように、ダムバー2
切断後の切断幅は、樹脂モールド3に近い側、遠い側に
かかわらず同一となり、切断面2Cが平行となって広い
部分や狭い部分ができることがない。
【0056】なお、ダムバー2の樹脂モールド3に近い
側の曲率が大きく樹脂モールド3に遠い側の曲率が小さ
くなるように非球面レンズ30を設置し、かつ非球面レ
ンズ30と加工対象との間の距離を曲率が大きい方の焦
点距離に合わせるようにしてもよい。
【0057】以上のように本実施例によれば、集光レン
ズとしてダムバー2の樹脂モールド3に近い側の曲率が
小さく樹脂モールド3に遠い側の曲率が大きくなるよう
な非球面レンズ30を設置し、かつ非球面レンズ30と
加工対象との間の距離を曲率が小さい方の焦点距離に合
わせるようにするので、レーザ光32のスポット32a
のエネルギー密度分布Eを、樹脂モールド3に近い側で
小さく樹脂モールド3に遠い側で大きくなるようにで
き、それによってダム内レジン4からの熱および正味の
レーザ光照射による入熱のトータルである樹脂モールド
3に近い側の部分の入熱量と、樹脂モールド3から遠い
側の部分の入熱量とを均一にできる。
【0058】従って、ダムバー2切断後の切断幅を、樹
脂モールド3に近い側、遠い側にかかわらず同一にで
き、高精度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置1
00を得ることができる。
【0059】次に、本発明の第4の実施例によるダムバ
ー切断方法及びダムバー切断装置について、図10によ
り説明する。
【0060】本実施例においては、図10に示すよう
に、ベンディングミラー11と集光レンズ12との間に
ハーフミラー40が備えられるが、このハーフミラー4
0としては、図10(b)および(c)に示すように、
ダムバー2の樹脂モールド3に近い側では透過率γが小
さく樹脂モールド3に遠い側では透過率γが大きくなる
ような連続的な透過率勾配を有するものを用いる。但
し、図10(b)では透過率γの等しい線を等高線40
Aで示し、図10(c)は図10(b)のC−C方向の
断面における透過率γの分布の一例を示した図である。
【0061】レーザ発振器10aからは細長い矩形の断
面形状を持つレーザ光41が出力され、加工対象である
樹脂モールド型半導体装置100の方向に向けてベンデ
ィングミラー11により向きを変えられ、ハーフミラー
40でエネルギー密度分布が設定されてレーザ光42と
なり、集光レンズ12により集光され、樹脂モールド型
半導体装置100のダムバー表面に照射される。なお、
図10において、図1と同等の部材には同じ符号を付し
てある。
【0062】本実施例の場合、ハーフミラー40の透過
率γを、ダムバー2の樹脂モールド3に近い側で小さく
樹脂モールド3に遠い側で大きくなるようにするため、
レーザ光42の断面におけるエネルギー密度分布が、図
9(b)と同様に樹脂モールド3に近い側では小さく樹
脂モールド3に遠い側では大きくなるような連続的な勾
配に設定される。これにより、第3の実施例と同様にレ
ーザ光42からの入熱量が樹脂モールド3に近い側では
小さく樹脂モールド3に遠い側では大きくなるような連
続的な勾配となり、それによってダム内レジン4からの
熱および正味のレーザ光照射による入熱のトータルであ
る樹脂モールド3に近い側の部分の入熱量と、樹脂モー
ルド3から遠い側の部分の入熱量とが均一となる。従っ
て、ダムバー2切断後の切断幅は、樹脂モールド3に近
い側、遠い側にかかわらず同一となり、広い部分や狭い
部分ができることがない。
【0063】以上のように本実施例によれば、ダムバー
2の樹脂モールド3に近い側では透過率γが小さく樹脂
モールド3に遠い側では透過率γが大きいハーフミラー
40を用いるので、レーザ光32のスポット32aのエ
ネルギー密度分布を、樹脂モールド3に近い側で小さく
樹脂モールド3に遠い側で大きくなるようにでき、それ
によってダム内レジン4からの熱および正味のレーザ光
照射による入熱のトータルである樹脂モールド3に近い
側の部分の入熱量と、樹脂モールド3から遠い側の部分
の入熱量とを均一にできる。
【0064】従って、ダムバー2切断後の切断幅を、樹
脂モールド3に近い側、遠い側にかかわらず同一にで
き、高精度で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置1
00を得ることができる。
【0065】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光照射による入
熱量が、ダムバーの樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モ
ールドに近い側の方で少なくなるようにするので、ダム
内レジンからの熱および正味のレーザ光照射による入熱
のトータルである樹脂モールドに近い側の部分の入熱量
と、樹脂モールドから遠い側の部分の入熱量とを均一に
できる。従って、ダムバー切断後の切断幅を、樹脂モー
ルドに近い側、遠い側にかかわらず同一にでき、高精度
で良好な品質の樹脂モールド型半導体装置を得ることが
できる。
【0066】また、レーザ光の断面形状を樹脂モールド
側の狭い略くさび形状にするので、ダムバーの樹脂モー
ルドに遠い側よりも樹脂モールドに近い側の方が少なく
なるようにレーザ光照射による入熱量を設定することが
できる。
【0067】また、レーザ光の断面形状を楕円形状に
し、かつその楕円形のスポットの中心を樹脂モールドか
ら遠ざかる方向にずらせるので、上記略くさび形状と同
様に、ダムバーの樹脂モールドに遠い側よりも樹脂モー
ルドに近い側の方が少なくなるようにレーザ光照射によ
る入熱量を設定することができる。
【0068】さらに、レーザ光の断面におけるエネルギ
ー密度分布を、例えば非球面レンズやハーフミラー等に
よって、樹脂モールドに近い側では小さく樹脂モールド
に遠い側では大きくなるような連続的な勾配に設定する
ので、レーザ光照射による入熱量を上記と同様に設定す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明する図であって、
(a)はダムバー切断装置を示し、(b)は(a)のダ
ムバー切断装置に備えられるマスク15を示す。
【図2】図1のダムバー切断装置によってレーザ光が樹
脂モールド型半導体装置のダムバーに照射された状況を
示す図であり、(a)はスポットの形状およびダムバー
との位置関係を示し、(b)はダムバー切断後の状況を
示す。
【図3】断面形状が細長いくさび形状のレーザ光を用い
ずに幅が一定の細長い矩形断面形状を有するレーザ光を
用いた場合について説明する図であり、(a)はダム内
レジンで発生した熱が伝わってくる状況を示し、(b)
はダムバー周辺の等温線を示し、(c)は(b)のC−
C断面における金属材料のレーザ光吸収率αの分布の一
例を示す。
【図4】断面形状が細長いくさび形状のレーザ光を用い
ずに幅が一定の細長い矩形断面形状を有するレーザ光を
用いた場合について説明する図であり、(a)はスポッ
トの形状およびダムバーとの位置関係を示し、(b)は
ダムバー切断後の状況を示す。
【図5】本発明の第2の実施例によるダムバー切断装置
およびダムバー切断方法を説明する図である。
【図6】図5のダムバー切断装置によってレーザ光が樹
脂モールド型半導体装置のダムバーに照射された状況を
示す図であり、(a)はスポットの形状およびダムバー
との位置関係を示し、(b)はダムバー切断後の状況を
示す。
【図7】楕円形のスポットの中心をダムバーの中心線上
に位置させた場合について説明する図であり、(a)は
スポットの形状およびダムバーとの位置関係を示し、
(b)はダムバー切断後の状況を示す。
【図8】本発明の第3の実施例によるダムバー切断装置
およびダムバー切断方法を説明する図である。
【図9】図8のダムバー切断装置によってレーザ光が樹
脂モールド型半導体装置のダムバーに照射された状況を
示す図であり、(a)はスポットの形状およびダムバー
との位置関係を示し、(b)はスポットのエネルギー密
度分布Eを示し、(c)はダムバー切断後の状況を示
す。
【図10】本発明の第4の実施例によるダムバー切断装
置およびダムバー切断方法を説明する図であって、
(a)はダムバー切断装置を示す図、(b)は(a)の
ダムバー切断装置に備えられたハーフミラーの透過率γ
の等しい線を等高線で示した図、(c)は(b)のC−
C方向の断面における透過率γの分布の一例を示した図
である。
【符号の説明】
1 リード 2 ダムバー 2A,2B,2C 切断面 3 樹脂モールド 4 ダム内レジン 10,10a レーザ発振器 11 ベンディングミラー 12 集光レンズ 13,14 レーザ光 14a スポット 15 マスク 15a くさび形状穴 20 凸型シリンドリカルレンズ 21 凹型シリンドリカルレンズ 22,23 レーザ光 23a スポット 23A スポットの中心 30 非球面レンズ 31,32 レーザ光 32a スポット 40 ハーフミラー 41,42 レーザ光 100 樹脂モールド型半導体装置 α 金属材料のレーザ光吸収率 E レーザ光の断面におけるエネルギー密度分布 γ ハーフミラーの透過率
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームに半導体チップを搭載し
    樹脂モールドで一体に封止した半導体装置のダムバー
    を、細長い断面形状を有するレーザ光を照射して切断す
    るダムバーの切断方法において、 前記レーザ光照射による入熱量が前記ダムバーの前記樹
    脂モールドに遠い側よりも前記樹脂モールドに近い側の
    方で少なくなるようにして、前記レーザ光を前記ダムバ
    ーに照射し前記ダムバーを切断することを特徴とするダ
    ムバー切断方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のダムバー切断方法におい
    て、前記レーザ光の断面形状を前記樹脂モールド側の狭
    い略くさび形状にすることを特徴とするダムバー切断方
    法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のダムバー切断方法におい
    て、前記レーザ光の断面形状を楕円形状にし、かつ前記
    ダムバー上に照射される前記レーザ光のスポットの中心
    を前記樹脂モールドから遠ざかる方向にずらせることを
    特徴とするダムバー切断方法。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のダムバー切断方法におい
    て、前記レーザ光の断面におけるエネルギー密度分布
    を、前記ダムバーの前記樹脂モールドに近い側では小さ
    く前記樹脂モールドに遠い側では大きくなるような連続
    的な勾配に設定することを特徴とするダムバー切断方
    法。
  5. 【請求項5】 リードフレームに半導体チップを搭載し
    樹脂モールドで一体に封止した半導体装置のダムバーに
    細長い断面形状を有するレーザ光を照射することにより
    前記ダムバーを切断するダムバー切断装置において、 前記レーザ光照射による入熱量が前記ダムバーの前記樹
    脂モールドに遠い側よりも前記樹脂モールドに近い側の
    方で少なくなるように調整する入熱量調整手段を有する
    ことを特徴とするダムバー切断装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のダムバー切断装置におい
    て、前記入熱量調整手段は、前記レーザ光の断面形状を
    前記樹脂モールド側の狭い略くさび形状にするマスクを
    含むことを特徴とするダムバー切断装置。
  7. 【請求項7】 請求項5記載のダムバー切断装置におい
    て、前記入熱量調整手段は、非球面レンズを含むことを
    特徴とするダムバー切断装置。
  8. 【請求項8】 請求項5記載のダムバー切断装置におい
    て、前記入熱量調整手段は、前記ダムバーの前記樹脂モ
    ールドに近い側では透過率が小さく前記樹脂モールドに
    遠い側では透過率が大きくなるような連続的な透過率勾
    配を有するハーフミラーを含むことを特徴とするダムバ
    ー切断装置。
JP7117298A 1995-05-16 1995-05-16 ダムバー切断方法及びダムバー切断装置 Pending JPH08316396A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007203375A (ja) * 2001-02-16 2007-08-16 Electro Scientific Industries Inc メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正
US8377751B2 (en) 2010-02-12 2013-02-19 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007203375A (ja) * 2001-02-16 2007-08-16 Electro Scientific Industries Inc メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正
JP2011098394A (ja) * 2001-02-16 2011-05-19 Electro Scientific Industries Inc メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正
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