JPH0831607A - チップ型温度可変減衰器 - Google Patents
チップ型温度可変減衰器Info
- Publication number
- JPH0831607A JPH0831607A JP6159919A JP15991994A JPH0831607A JP H0831607 A JPH0831607 A JP H0831607A JP 6159919 A JP6159919 A JP 6159919A JP 15991994 A JP15991994 A JP 15991994A JP H0831607 A JPH0831607 A JP H0831607A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resistor
- thin film
- temperature
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製作が簡単であると共に、小型に設計できる
と共に容易に表面実装可能な構成となる秀れたチップ型
温度可変減衰器を提供すること。 【構成】 方形基板１の上面のほぼ中央に金属薄膜抵抗
体２を形成し、方形基板１の一側に上面と下面とにまた
がる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体２の一側端部に
接触する第一電極３を形成し、この方形基板１の第一電
極３と反対側の両側角部に同様にしてそれぞれ上面と側
面と下面とにまたがる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗
体２の他側角部にそれぞれ接触する第二電極４，第三電
極５を形成し、金属薄膜抵抗体２上に外気を遮断する保
護コート６を被覆し、第二電極４及び第三電極５間に周
囲温度の変化に応じて抵抗値の大きさが変わるブロック
形状のチップ形温度可変抵抗体７を外付突設したチップ
型温度可変減衰器。
と共に容易に表面実装可能な構成となる秀れたチップ型
温度可変減衰器を提供すること。 【構成】 方形基板１の上面のほぼ中央に金属薄膜抵抗
体２を形成し、方形基板１の一側に上面と下面とにまた
がる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体２の一側端部に
接触する第一電極３を形成し、この方形基板１の第一電
極３と反対側の両側角部に同様にしてそれぞれ上面と側
面と下面とにまたがる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗
体２の他側角部にそれぞれ接触する第二電極４，第三電
極５を形成し、金属薄膜抵抗体２上に外気を遮断する保
護コート６を被覆し、第二電極４及び第三電極５間に周
囲温度の変化に応じて抵抗値の大きさが変わるブロック
形状のチップ形温度可変抵抗体７を外付突設したチップ
型温度可変減衰器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体を用いて電子通
信機器，計測機器等に広く使用される電力増幅器の周囲
温度の変化に追随して電力を常に調整可能にするために
使用されるもので、小型化，省資源化が進む機器の表面
に実装するチップ型温度可変減衰器に関するものであ
る。
信機器，計測機器等に広く使用される電力増幅器の周囲
温度の変化に追随して電力を常に調整可能にするために
使用されるもので、小型化，省資源化が進む機器の表面
に実装するチップ型温度可変減衰器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般には単体抵抗器を三本組み合わせて
Ｔ型またはΠ型の減衰器を構成する他に温度検知用素子
を使用し、十数点の電子部品を使用して出力調整用の電
子回路を電力増幅器に負荷させ、高周波数用の調整や温
度特性調整等を施し、ある程度の場所と人的な時間を要
して目的を達成している。
Ｔ型またはΠ型の減衰器を構成する他に温度検知用素子
を使用し、十数点の電子部品を使用して出力調整用の電
子回路を電力増幅器に負荷させ、高周波数用の調整や温
度特性調整等を施し、ある程度の場所と人的な時間を要
して目的を達成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
周囲温度の変化を調整して一定の出力を得ようとする回
路は部品点数が多く、特に高周波領域で使用するには特
殊の技術者を必要とし、その調整の為には多くの時間を
必要とし、更に短薄軽小が要求される機器にとっては、
回路の占める大きさも非常に厄介な問題であった。
周囲温度の変化を調整して一定の出力を得ようとする回
路は部品点数が多く、特に高周波領域で使用するには特
殊の技術者を必要とし、その調整の為には多くの時間を
必要とし、更に短薄軽小が要求される機器にとっては、
回路の占める大きさも非常に厄介な問題であった。
【０００４】本発明は、このような欠点を解決し機器の
特性に不安を生じることなく、容易に取り付けることが
可能なチップ型で、しかも形状は表面実装部品の基準に
準拠した非常に小型であり、機器の小型化に有効である
ばかりでなく、自社開発したチップ型の固定減衰器（実
開平４−４６７０１号）を基盤としているため高周波領
域まで無調整で目的を達成する周囲温度追随型の出力調
整器を提供するものである。
特性に不安を生じることなく、容易に取り付けることが
可能なチップ型で、しかも形状は表面実装部品の基準に
準拠した非常に小型であり、機器の小型化に有効である
ばかりでなく、自社開発したチップ型の固定減衰器（実
開平４−４６７０１号）を基盤としているため高周波領
域まで無調整で目的を達成する周囲温度追随型の出力調
整器を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】添付図面を参照して本発
明の要旨を説明する。
明の要旨を説明する。
【０００６】方形基板１の上面のほぼ中央に金属薄膜抵
抗体２を形成し、方形基板１の一側に上面と下面とにま
たがる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体２の一側端部
に接触する第一電極３を形成し、この方形基板１の第一
電極３と反対側の両側角部に同様にしてそれぞれ上面と
側面と下面とにまたがる断面コ状にして前記金属薄膜抵
抗体１の他側角部にそれぞれ接触する第二電極４，第三
電極５を形成し、金属薄膜抵抗体１上に外気を遮断する
保護コート６を被覆し、第二電極４及び第三電極５間に
周囲温度の変化に応じて抵抗値の大きさが変わるブロッ
ク形状のチップ形温度可変抵抗体７を外付突設したこと
を特徴とするチップ型温度可変減衰器に係るものであ
る。
抗体２を形成し、方形基板１の一側に上面と下面とにま
たがる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体２の一側端部
に接触する第一電極３を形成し、この方形基板１の第一
電極３と反対側の両側角部に同様にしてそれぞれ上面と
側面と下面とにまたがる断面コ状にして前記金属薄膜抵
抗体１の他側角部にそれぞれ接触する第二電極４，第三
電極５を形成し、金属薄膜抵抗体１上に外気を遮断する
保護コート６を被覆し、第二電極４及び第三電極５間に
周囲温度の変化に応じて抵抗値の大きさが変わるブロッ
ク形状のチップ形温度可変抵抗体７を外付突設したこと
を特徴とするチップ型温度可変減衰器に係るものであ
る。
【０００７】
【作用】例えば図６に示すように基盤８の取付凹部９内
に付設した接着材10並びに取付凹部８の周辺に付設した
半田10’を熱で溶かして図７のように基盤８の表面に実
装する。
に付設した接着材10並びに取付凹部８の周辺に付設した
半田10’を熱で溶かして図７のように基盤８の表面に実
装する。
【０００８】第一電極３，第二電極４，第三電極５はい
ずれも方形基盤１の上面と、側面と、下面とにまたがる
断面コ字状に形成しているため確実に表面実装可能とな
る。いずれの側を入力端とするか出力端とするかは適宜
変更できるが（入力,出力の表現は説明上の区別であっ
て、機能上の差違はないとも言える)、例えば第二電極
４と第一電極３とを入力端,第三電極５と第一電極３と
を出力端とすると、本装置は等価的に図５に示すように
Π型の温度補償回路となる。
ずれも方形基盤１の上面と、側面と、下面とにまたがる
断面コ字状に形成しているため確実に表面実装可能とな
る。いずれの側を入力端とするか出力端とするかは適宜
変更できるが（入力,出力の表現は説明上の区別であっ
て、機能上の差違はないとも言える)、例えば第二電極
４と第一電極３とを入力端,第三電極５と第一電極３と
を出力端とすると、本装置は等価的に図５に示すように
Π型の温度補償回路となる。
【０００９】入出力のインピーダンスは薄膜抵抗体２の
抵抗値により左右し、入出力間の抵抗はこの抵抗体２の
抵抗値並びに温度可変抵抗体７により左右するため、例
えば温度可変抵抗体７は温度負特性を有するとすれば、
アッティネータとしてのマイナスゲイン(−Ａt)は、図
８に示すようにに温度上昇に伴って減少することとなる
(アンプとしての利得(Ａt)は温度上昇に伴なって上昇す
る。図８では縦軸に−dbにとって図示しているので、グ
ラフはマイナスゲインとして下降している。)。
抵抗値により左右し、入出力間の抵抗はこの抵抗体２の
抵抗値並びに温度可変抵抗体７により左右するため、例
えば温度可変抵抗体７は温度負特性を有するとすれば、
アッティネータとしてのマイナスゲイン(−Ａt)は、図
８に示すようにに温度上昇に伴って減少することとなる
(アンプとしての利得(Ａt)は温度上昇に伴なって上昇す
る。図８では縦軸に−dbにとって図示しているので、グ
ラフはマイナスゲインとして下降している。)。
【００１０】また、逆に温度可変抵抗体７の温度特性を
反対に正特性に設定すれば、図８に示す点線のように利
得(Ａt)の温度特性は逆となり、温度上昇に伴なってマ
イナスゲイン(−Ａt)は上昇する。
反対に正特性に設定すれば、図８に示す点線のように利
得(Ａt)の温度特性は逆となり、温度上昇に伴なってマ
イナスゲイン(−Ａt)は上昇する。
【００１１】従って、図８の実線で示すように利得の温
度特性が負特性を示すチップ型温度可変固定減衰器(本
器)を、図９に示すようにアンプ11に接続すると次のよ
うに作用する。
度特性が負特性を示すチップ型温度可変固定減衰器(本
器)を、図９に示すようにアンプ11に接続すると次のよ
うに作用する。
【００１２】アンプ11は前述のように例えば高性能のＣ
aＡs系の半導体素子が使用されているとすると、図９に
示すようにその利得Ｇ'は温度上昇に伴なって減少す
る。
aＡs系の半導体素子が使用されているとすると、図９に
示すようにその利得Ｇ'は温度上昇に伴なって減少す
る。
【００１３】一方、本器の利得Ａtは、図８で説明した
ように温度上昇に伴なって上昇する(図８では縦軸を−d
Ｂにとっているが、図９では＋dＢにとっているため、
Ａtのグラフは上昇する。)。
ように温度上昇に伴なって上昇する(図８では縦軸を−d
Ｂにとっているが、図９では＋dＢにとっているため、
Ａtのグラフは上昇する。)。
【００１４】従って、トータルゲインＧは、図９に示す
ようにこの本器の利得Ａtの温度負特性によって補償さ
れ、温度変化によって変動しない利得(トータルゲイン)
Ｇを得ることができるようになる。
ようにこの本器の利得Ａtの温度負特性によって補償さ
れ、温度変化によって変動しない利得(トータルゲイン)
Ｇを得ることができるようになる。
【００１５】また、同様にして仮にアンプの温度特性が
正特性の場合には、温度負特性を有する本器を接続する
ことで補償でき、トータルゲインＧが温度変化に対して
同様に変動しないように安定化できることとなる。
正特性の場合には、温度負特性を有する本器を接続する
ことで補償でき、トータルゲインＧが温度変化に対して
同様に変動しないように安定化できることとなる。
【００１６】このようなΠ型減衰回路においては、入力
から出力に伝わる電力量の減衰量を減衰器の減衰量とし
て表され、出力側に目的とするインピーダンスの回路を
接続したときに入力側で測定した抵抗値が減衰器を接続
したインピーダンスとなるが、入力から見たインピーダ
ンスは減衰器の接続有無に係わらず出力のインピーダン
スと同じになることが理想でこの値が減衰器を接続した
ことにより変化すると回路に反射が起こり特性を悪くす
る。従って、減衰器は出力のインピーダンスが入力から
見たインピーダンスと等しくなるように設計される(例
えば出力が５０Ωの場合、減衰器を接続して入力から見
たときに５０Ωになるようにする。)。
から出力に伝わる電力量の減衰量を減衰器の減衰量とし
て表され、出力側に目的とするインピーダンスの回路を
接続したときに入力側で測定した抵抗値が減衰器を接続
したインピーダンスとなるが、入力から見たインピーダ
ンスは減衰器の接続有無に係わらず出力のインピーダン
スと同じになることが理想でこの値が減衰器を接続した
ことにより変化すると回路に反射が起こり特性を悪くす
る。従って、減衰器は出力のインピーダンスが入力から
見たインピーダンスと等しくなるように設計される(例
えば出力が５０Ωの場合、減衰器を接続して入力から見
たときに５０Ωになるようにする。)。
【００１７】
【実施例】本実施例は、以下の手順により作製する。
【００１８】(1) 熱伝導性，機械強度に秀れたセラミ
ック製の方形基板１の少なくとも上面に金属薄膜抵抗体
２として多層金属膜を蒸着する。
ック製の方形基板１の少なくとも上面に金属薄膜抵抗体
２として多層金属膜を蒸着する。
【００１９】(2) 更に電極を形成する銅を重ねて全面
に蒸着する。
に蒸着する。
【００２０】(3) この銅を電極に使用するため、不要
な部分をエッチングにより取り除く。
な部分をエッチングにより取り除く。
【００２１】(4) (3)のエッチングにより露出した金属
薄膜抵抗体２をエッチングにより所定の減衰量，特性イ
ンピーダンスをもったパターン形状に形成した後、更に
特殊トリミングが補正を行って、例えばＴ型やΠ型の抵
抗体と等価な素子と成るように形成するが、第二電極４
及び第三電極５間に取り付ける温度可変抵抗体７の特
性，抵抗値等により合成された所望の抵抗値に補正す
る。
薄膜抵抗体２をエッチングにより所定の減衰量，特性イ
ンピーダンスをもったパターン形状に形成した後、更に
特殊トリミングが補正を行って、例えばＴ型やΠ型の抵
抗体と等価な素子と成るように形成するが、第二電極４
及び第三電極５間に取り付ける温度可変抵抗体７の特
性，抵抗値等により合成された所望の抵抗値に補正す
る。
【００２２】(5) 露出したこの金属薄膜抵抗体２の表
面に耐湿性に富み、高温，高絶縁性に秀れた保護コート
６を被覆する。
面に耐湿性に富み、高温，高絶縁性に秀れた保護コート
６を被覆する。
【００２３】(6) 以上のように形成した方形基板１を
角型チップ抵抗器の標準規格値なる大きさにカッティン
グして自動実装機に装着出来るようにする。
角型チップ抵抗器の標準規格値なる大きさにカッティン
グして自動実装機に装着出来るようにする。
【００２４】(7) このカッティング端面の所定の位置
に銅を蒸着して第一電極３，第二電極４，第三電極５を
形成する。
に銅を蒸着して第一電極３，第二電極４，第三電極５を
形成する。
【００２５】(8) 第一電極３，第二電極４，第三電極
５の表面に、表面実装が確実となるようにするとともに
第二電極４，第三電極５の上に取り付ける温度可変抵抗
体７を確実にハンダ付する為にハンダ被覆をする。
５の表面に、表面実装が確実となるようにするとともに
第二電極４，第三電極５の上に取り付ける温度可変抵抗
体７を確実にハンダ付する為にハンダ被覆をする。
【００２６】(9) チップ形状の方形基板の本発明品を
チップ抵抗器の表面実装技術を利用して自動実装機など
により基盤に確実に表面実装するものである。
チップ抵抗器の表面実装技術を利用して自動実装機など
により基盤に確実に表面実装するものである。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、上述のように構成したから、
極めて小型で製作が容易で量産性に適したチップ型の周
囲温度追随型の減衰器となり、しかもチップ抵抗器の表
面実装技術を利用して極めて簡単に表面実装することが
出来、しかも本案品は電極を上面と側面と下面とのまた
がるコ字状に形成したため接触の信頼性が高い。
極めて小型で製作が容易で量産性に適したチップ型の周
囲温度追随型の減衰器となり、しかもチップ抵抗器の表
面実装技術を利用して極めて簡単に表面実装することが
出来、しかも本案品は電極を上面と側面と下面とのまた
がるコ字状に形成したため接触の信頼性が高い。
【００２８】また、使用する半導体の出力特性に合わせ
て容易に本案品を製作することができ、出力素子の周囲
温度による増減を補正し、一定した出力を得られる極め
て実用性に秀れたチップ型温度可変減衰器である。
て容易に本案品を製作することができ、出力素子の周囲
温度による増減を補正し、一定した出力を得られる極め
て実用性に秀れたチップ型温度可変減衰器である。
【００２９】また、しかも周囲温度の変化に応じて減衰
量が大きくなるように構成する手段として、単に所定の
チップ型減衰器にチップ型の可変抵抗体を外付するだけ
で良く、製作が簡単であると共に、小型に設計できると
共に容易に表面実装可能な構成となり極めて実用性に秀
れたチップ型温度可変減衰器となる。
量が大きくなるように構成する手段として、単に所定の
チップ型減衰器にチップ型の可変抵抗体を外付するだけ
で良く、製作が簡単であると共に、小型に設計できると
共に容易に表面実装可能な構成となり極めて実用性に秀
れたチップ型温度可変減衰器となる。
【図１】本実施例の正面側から見た斜視図である。
【図２】本実施例の背面側から見た斜視図である。
【図３】本実施例の平面図である。
【図４】本実施例の底面図である。
【図５】本実施例の等価回路図である。
【図６】本実施例の基盤に表面実装する実装前の説明図
である。
である。
【図７】本実施例の基盤に表面実装する実装後の説明図
である。
である。
【図８】本実施例のマイナスゲインを示す特性グラフで
ある。
ある。
【図９】本実施例の利得の温度補償を示す作動説明図並
びに特性グラフである。
びに特性グラフである。
１ 方形基板 ２ 金属薄膜抵抗体 ３ 第一電極 ４ 第二電極 ５ 第三電極 ６ 保護コート ７ チップ型温度可変抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪又 圭吾 新潟県西頸城郡青海町須沢537番地 横浜 電子精工株式会社新潟工場内 (72)発明者 井上 智 新潟県西頸城郡青海町須沢537番地 横浜 電子精工株式会社新潟工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 方形基板の上面のほぼ中央に金属薄膜抵
抗体を形成し、方形基板の一側に上面と下面とにまたが
る断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体の一側端部に接触
する第一電極を形成し、この方形基板の第一電極と反対
側の両側角部に同様にしてそれぞれ上面と側面と下面と
にまたがる断面コ状にして前記金属薄膜抵抗体の他側角
部にそれぞれ接触する第二電極，第三電極を形成し、金
属薄膜抵抗体上に外気を遮断する保護コートを被覆し、
第二電極及び第三電極間に周囲温度の変化に応じて抵抗
値の大きさが変わるブロック形状のチップ形温度可変抵
抗体を外付突設したことを特徴とするチップ型温度可変
減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15991994A JP3471903B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | チップ型温度可変減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15991994A JP3471903B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | チップ型温度可変減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831607A true JPH0831607A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3471903B2 JP3471903B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=15704027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15991994A Expired - Lifetime JP3471903B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | チップ型温度可変減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3471903B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103840062A (zh) * | 2012-11-22 | 2014-06-04 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP15991994A patent/JP3471903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103840062A (zh) * | 2012-11-22 | 2014-06-04 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3471903B2 (ja) | 2003-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100956103B1 (ko) | 온도 보상 감쇠기 | |
| JPH03504070A (ja) | 温度補償ストリップライン構造 | |
| US20020186091A1 (en) | High-frequency semiconductor device | |
| TWI848075B (zh) | 具有寬頻性能之小型化薄膜表面安裝式耦合器 | |
| JP3290533B2 (ja) | 電力増幅器 | |
| JP3058097B2 (ja) | サーミスタチップ及びその製造方法 | |
| US5835352A (en) | Power amplifying module | |
| JPH0831607A (ja) | チップ型温度可変減衰器 | |
| US4260965A (en) | Fixed microwave attenuator having mounting hole passing through alumina porcelain substrate | |
| US7990230B2 (en) | Temperature compensation attenuator | |
| US7271682B1 (en) | Wideband temperature-variable attenuator | |
| JP2544438Y2 (ja) | チップ型温度可変固定減衰器 | |
| JP3525673B2 (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| US20030132813A1 (en) | Attenuator having a coupling section and a plurality of resistors | |
| JPS6126302A (ja) | 電力分配器 | |
| JPH09289402A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP2002330003A (ja) | 非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法 | |
| KR20240018923A (ko) | 다양한 온도감쇠계수를 제공하는 온도 변수 감쇠기 | |
| JPH0897003A (ja) | 厚膜抵抗回路及びその製造方法 | |
| CN221727418U (zh) | 可调衰减器 | |
| KR200393925Y1 (ko) | 온도보상용 알에프 증폭회로의 세라믹 팩키지 | |
| JPH11307309A (ja) | チップ型サーミスタ | |
| JP2004056344A (ja) | 温度可変型減衰器 | |
| JPH11177370A (ja) | マイクロ波用減衰器 | |
| JP2005101977A (ja) | 高周波用終端抵抗器およびその周波数特性調整方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070912 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100912 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |