JPH0830694B2 - 電子部品のはんだ付性を評価する方法 - Google Patents
電子部品のはんだ付性を評価する方法Info
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- JPH0830694B2 JPH0830694B2 JP4133480A JP13348092A JPH0830694B2 JP H0830694 B2 JPH0830694 B2 JP H0830694B2 JP 4133480 A JP4133480 A JP 4133480A JP 13348092 A JP13348092 A JP 13348092A JP H0830694 B2 JPH0830694 B2 JP H0830694B2
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- G01N27/416—Systems
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
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- B23K2101/40—Semiconductor devices
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】この発明は電子部品をテストする方法に関
し、特に電子部品リードおよびプリント配線基板のはん
だ付け性を評価するための方法および装置に関する。
し、特に電子部品リードおよびプリント配線基板のはん
だ付け性を評価するための方法および装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】エレクトロニクス産業によって経験され
る主要なコスト問題は、特に貯蔵中の電子部品およびプ
リント回路基板のはんだ付け性の喪失である。部品リー
ドおよびプリント配線基板の貧弱なはんだ付け性ははん
だ接合不良の７５％もの原因であると考えられる。湿気
のある環境はこの問題を悪化させることが知られている
ので、電気化学的メカニズムは明らかにはんだ付け性劣
化の原因である。たとえば鉛−錫−銅はんだ系におい
て、以前の研究によって錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）表面およ
びその下の銅−錫（Ｃｕ−Ｓｎ）金属間層の酸化は劣化
プロセスに含まれることがわかった。しかしながら、過
去には、様々な酸化物およびはんだ付け性の劣化におけ
るその役割は曖昧なままであった。
る主要なコスト問題は、特に貯蔵中の電子部品およびプ
リント回路基板のはんだ付け性の喪失である。部品リー
ドおよびプリント配線基板の貧弱なはんだ付け性ははん
だ接合不良の７５％もの原因であると考えられる。湿気
のある環境はこの問題を悪化させることが知られている
ので、電気化学的メカニズムは明らかにはんだ付け性劣
化の原因である。たとえば鉛−錫−銅はんだ系におい
て、以前の研究によって錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）表面およ
びその下の銅−錫（Ｃｕ−Ｓｎ）金属間層の酸化は劣化
プロセスに含まれることがわかった。しかしながら、過
去には、様々な酸化物およびはんだ付け性の劣化におけ
るその役割は曖昧なままであった。
【０００３】回路基板の表面分析のために先行技術で典
型的に使用された伝統的な技術ははんだ付け性の主観的
な表示しか与えない。現在使用されている製造テスト方
法もまた本来破壊的なものである。はんだ性の劣化は電
気化学的メカニズムを含むことが知られているので、は
んだ付け性ははんだ付け性を劣化させることが知られて
いる金属酸化物の定量分析を本来の場所に与える電気化
学的方法を使用してより正確にかつ効率的に評価され得
ると考えられる。特に、既製の部品をテストするために
かつ製造環境におけるプロセス制御のために容易に適用
されるはんだ付け性分析の定量的で非破壊的で電気化学
的な方法が必要である。
型的に使用された伝統的な技術ははんだ付け性の主観的
な表示しか与えない。現在使用されている製造テスト方
法もまた本来破壊的なものである。はんだ性の劣化は電
気化学的メカニズムを含むことが知られているので、は
んだ付け性ははんだ付け性を劣化させることが知られて
いる金属酸化物の定量分析を本来の場所に与える電気化
学的方法を使用してより正確にかつ効率的に評価され得
ると考えられる。特に、既製の部品をテストするために
かつ製造環境におけるプロセス制御のために容易に適用
されるはんだ付け性分析の定量的で非破壊的で電気化学
的な方法が必要である。
【０００４】
【発明の概要】この発明は電子部品リードおよびプリン
ト配線基板のはんだ付け性を評価するための順次の電気
化学的還元方法および装置を含む。このプロセスは鉛−
錫−銅はんだ系および他の金属と合金とを含むはんだ系
に適用可能である。この方法ははんだ表面および任意の
金属間層上に存在するときはんだ付け性を劣化させるこ
とが知られている金属酸化物を検出しかつ定量する。こ
の発明は電子部品およびプリント配線基板のはんだ付け
性の定量的な測定を与える非破壊的な方法を含む。
ト配線基板のはんだ付け性を評価するための順次の電気
化学的還元方法および装置を含む。このプロセスは鉛−
錫−銅はんだ系および他の金属と合金とを含むはんだ系
に適用可能である。この方法ははんだ表面および任意の
金属間層上に存在するときはんだ付け性を劣化させるこ
とが知られている金属酸化物を検出しかつ定量する。こ
の発明は電子部品およびプリント配線基板のはんだ付け
性の定量的な測定を与える非破壊的な方法を含む。
【０００５】この発明の電気化学的還元方法はテストさ
れるべき部品または回路基板のはんだ付け可能な部分を
ホウ酸塩緩衝液のような電解質に置くことによって行な
われる。浸された部品は第１の電極を形成する。第２の
不活性電極および飽和カロメル電極のような第３の基準
電極もまた電解質に置かれる。小さな陰極電流が不活性
電極からテストされる部品へと流され、部品と基準電極
との間の電位は時間の関数で記録される。第２の不活性
電極が使用される低電流で安定した電圧を有するシステ
ムにおいて、それは基準電極としても機能することが可
能であり、それによって別個の基準電極の必要性を排除
する。電極電位対流される総電荷（時間をかけられた電
流）のプロットにおいて、電圧レベルが特定の酸化物ま
たは酸化物混合物を示す一連の変曲点または台地が観察
され、かつ関連電荷はその特定の酸化物の厚さの測定値
である。
れるべき部品または回路基板のはんだ付け可能な部分を
ホウ酸塩緩衝液のような電解質に置くことによって行な
われる。浸された部品は第１の電極を形成する。第２の
不活性電極および飽和カロメル電極のような第３の基準
電極もまた電解質に置かれる。小さな陰極電流が不活性
電極からテストされる部品へと流され、部品と基準電極
との間の電位は時間の関数で記録される。第２の不活性
電極が使用される低電流で安定した電圧を有するシステ
ムにおいて、それは基準電極としても機能することが可
能であり、それによって別個の基準電極の必要性を排除
する。電極電位対流される総電荷（時間をかけられた電
流）のプロットにおいて、電圧レベルが特定の酸化物ま
たは酸化物混合物を示す一連の変曲点または台地が観察
され、かつ関連電荷はその特定の酸化物の厚さの測定値
である。
【０００６】テストされた部品上で行なわれた順次の電
気化学的還元から得られた結果は様々なエイジング処理
に露呈された標本に関するベースライン実験から得られ
た類似の分析結果と比較される。ぬれ平衡方法によって
決定されるように、エイジングされた標本のはんだ付け
性は分析の順次電気化学的還元方法の結果と相関関係が
あることが発見された。したがって、テストされた部品
から得られた分析結果は、既知の酸化物およびはんだ付
け性特性を有するエイシジングされた標本から得られた
ベースライン結果と比較されてテストされた部品のはん
だ付け性を決定することが可能である。
気化学的還元から得られた結果は様々なエイジング処理
に露呈された標本に関するベースライン実験から得られ
た類似の分析結果と比較される。ぬれ平衡方法によって
決定されるように、エイジングされた標本のはんだ付け
性は分析の順次電気化学的還元方法の結果と相関関係が
あることが発見された。したがって、テストされた部品
から得られた分析結果は、既知の酸化物およびはんだ付
け性特性を有するエイシジングされた標本から得られた
ベースライン結果と比較されてテストされた部品のはん
だ付け性を決定することが可能である。
【０００７】この発明の主要な目的ははんだ表面および
金属間層上に存在する金属酸化物の型および量を識別し
かつ最小限にすることによって電子部品および回路基板
のはんだ付け性を改良することである。この発明の特徴
は電子部品のはんだ付け性の喪失を引起こす金属酸化物
を識別するために順次の電気化学的還元方法を使用する
ことである。この発明の利点は実行するのが容易でかつ
電子部品のはんだ付け性の定量測定を与える非破壊的な
方法を提供することである。この情報は製造はんだ付け
プロセスを制御するために、かつプリント配線基板およ
び他の電子部品のための製造プロセスを改良するために
有用である。
金属間層上に存在する金属酸化物の型および量を識別し
かつ最小限にすることによって電子部品および回路基板
のはんだ付け性を改良することである。この発明の特徴
は電子部品のはんだ付け性の喪失を引起こす金属酸化物
を識別するために順次の電気化学的還元方法を使用する
ことである。この発明の利点は実行するのが容易でかつ
電子部品のはんだ付け性の定量測定を与える非破壊的な
方法を提供することである。この情報は製造はんだ付け
プロセスを制御するために、かつプリント配線基板およ
び他の電子部品のための製造プロセスを改良するために
有用である。
【０００８】この発明をより完全に理解するためにかつ
そのさらなる利点のために、以下の好ましい実施例の詳
細な説明は添付の図面を参照する。
そのさらなる利点のために、以下の好ましい実施例の詳
細な説明は添付の図面を参照する。
【０００９】
【好ましい実施例の詳細な説明】はんだ被覆はプリント
配線基板および電子部品リードにおける銅をはんだ付け
性の喪失につながり得る酸化から保護するために広く使
用される。典型的なはんだ被覆は溶融めっきによって直
接適用され得る、または電気めっきされて還流（reflow
ing ）（溶解）によって密度を高められ得る、たとえば
共融のＳｎ−Ｐｂを含む。完成部品のはんだ付け性は堆
積されたはんだの金属比、被覆の厚さ、はんだ浴の型、
めっき状態、めっき浴添加物からの有機汚染物質の存在
および分解生（breakdown ）成物の発生によって影響さ
れる。十分な厚さでかつ適切に適用された場合、かかる
被覆は通常の貯蔵を数年経た後でさえ元来のはんだ付け
性を保持し得る。しかしながら、Ｓｎ−Ｐｂ被覆はしば
しば酸化して、貧弱な被覆品質および／または貧弱な貯
蔵環境の結果としてはんだ付け性を失う。
配線基板および電子部品リードにおける銅をはんだ付け
性の喪失につながり得る酸化から保護するために広く使
用される。典型的なはんだ被覆は溶融めっきによって直
接適用され得る、または電気めっきされて還流（reflow
ing ）（溶解）によって密度を高められ得る、たとえば
共融のＳｎ−Ｐｂを含む。完成部品のはんだ付け性は堆
積されたはんだの金属比、被覆の厚さ、はんだ浴の型、
めっき状態、めっき浴添加物からの有機汚染物質の存在
および分解生（breakdown ）成物の発生によって影響さ
れる。十分な厚さでかつ適切に適用された場合、かかる
被覆は通常の貯蔵を数年経た後でさえ元来のはんだ付け
性を保持し得る。しかしながら、Ｓｎ−Ｐｂ被覆はしば
しば酸化して、貧弱な被覆品質および／または貧弱な貯
蔵環境の結果としてはんだ付け性を失う。
【００１０】
【ベースライン実験】典型的なテスト標本は丸みを付け
られた端部を有する１ｃｍ長さの部分を露呈するために
登録商標テフロン（Teflon）熱収縮管でマスクされた長
さ２．５ｃｍの１．５ｍｍ直径の硬質Ｃｕワイヤであっ
た。露呈された部分は５５℃で標準非添加ピロリン酸塩
浴から１０μｍのＣｕでめっきされ、それから室温で標
準フルオロホウ酸塩浴から１２μｍの共融のＳｎ−Ｐｂ
でめっきされた。めっき中ワイヤ陰極は２０００ｒｐｍ
で回転され、溶液中の質量輸送を制御した。６０／４０
Ｓｎ−Ｐｂ比率は酸性溶液に溶解された標本の原子吸収
分析およびＸ線蛍光分析によって確かめられた。Ｓｎ−
Ｐｂ被覆は使用に先立ってわずかな時間の間２３５℃で
水溶性油の中に還流された。標本は様々な蒸気エイジン
グおよび陽極化処理にかけられて酸化されたサンプルを
生み出した。
られた端部を有する１ｃｍ長さの部分を露呈するために
登録商標テフロン（Teflon）熱収縮管でマスクされた長
さ２．５ｃｍの１．５ｍｍ直径の硬質Ｃｕワイヤであっ
た。露呈された部分は５５℃で標準非添加ピロリン酸塩
浴から１０μｍのＣｕでめっきされ、それから室温で標
準フルオロホウ酸塩浴から１２μｍの共融のＳｎ−Ｐｂ
でめっきされた。めっき中ワイヤ陰極は２０００ｒｐｍ
で回転され、溶液中の質量輸送を制御した。６０／４０
Ｓｎ−Ｐｂ比率は酸性溶液に溶解された標本の原子吸収
分析およびＸ線蛍光分析によって確かめられた。Ｓｎ−
Ｐｂ被覆は使用に先立ってわずかな時間の間２３５℃で
水溶性油の中に還流された。標本は様々な蒸気エイジン
グおよび陽極化処理にかけられて酸化されたサンプルを
生み出した。
【００１１】電気化学的還元は、Ｐｔ対電極および基準
飽和カロメル電極（ＳＣＥ）のための別個の区画を有す
る２００ｍＬガラスセル中のアルゴン大気下で８．４の
ｐＨでホウ酸塩緩衝液（９．５５ｇ／Ｌホウ酸ナトリウ
ムおよび６．１８ｇ／Ｌホウ酸）中の標本に対して行な
われた。Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐｂ系と相溶性のある（compatib
le）他の電解質は他の不活性材料の基準電極および対電
極の代替の型と関連して使用され得る。すべての電気化
学的実験はポテンショスタット−ガルバノスタット（Ｐ
ＡＲモデル１７３、ＥＧ＆Ｇプリンストン・アプライド
・リサーチ・コーポレーション（Princeton Applied Re
search Corp.），プリンストン，ＮＪ）を使用して行な
われた。はんだ付け性テストはデジタルオシロスコープ
（ニコレット（Nicolet ）モデル２０９０、ニコレット
・インスツルメント・コーポレーション（Nicolet Inst
rument Corp.）マジソン（Madison ）、ＷＩ）に関連し
て修正されたウィルヘルミィ（Wilhelmy) ぬれ平衡を使
って行なわれた。
飽和カロメル電極（ＳＣＥ）のための別個の区画を有す
る２００ｍＬガラスセル中のアルゴン大気下で８．４の
ｐＨでホウ酸塩緩衝液（９．５５ｇ／Ｌホウ酸ナトリウ
ムおよび６．１８ｇ／Ｌホウ酸）中の標本に対して行な
われた。Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐｂ系と相溶性のある（compatib
le）他の電解質は他の不活性材料の基準電極および対電
極の代替の型と関連して使用され得る。すべての電気化
学的実験はポテンショスタット−ガルバノスタット（Ｐ
ＡＲモデル１７３、ＥＧ＆Ｇプリンストン・アプライド
・リサーチ・コーポレーション（Princeton Applied Re
search Corp.），プリンストン，ＮＪ）を使用して行な
われた。はんだ付け性テストはデジタルオシロスコープ
（ニコレット（Nicolet ）モデル２０９０、ニコレット
・インスツルメント・コーポレーション（Nicolet Inst
rument Corp.）マジソン（Madison ）、ＷＩ）に関連し
て修正されたウィルヘルミィ（Wilhelmy) ぬれ平衡を使
って行なわれた。
【００１２】−２０μＡ／ｃｍ2 の一定の還元電流がホ
ウ酸塩緩衝液中の標本電極に加えられ、電極電位対基準
ＳＣＥ電極は時間の関数で記録された。ＰｂＯ、ＳｎＯ
およびＳｎＯ2 の還元に対応すると考えられる変曲点は
約−０．６Ｖ、−０．９Ｖおよび−１．１Ｖでそれぞれ
観察された。純粋なＰｂおよびＳｎ電極を含む循環ボル
タンメトリの測定値から、陽極化による酸化物の形成の
間に送られる陽極電荷とその還元のために要求される陰
極電荷との間には１対１の対応があることが決定され
た。この結果はこの発明の電気化学的還元方法が存在す
る各表面酸化物の量の定量測定を与えることを示す。加
えて、かかる厚い酸化物は順次に還元され得るという事
実ははっきりと感知できる酸化物多孔性を示す。激しく
酸化された標本は非常にまずいはんだぬれ特性を示すこ
とが一貫して発見され、それによってより高いＳｎ酸化
物の存在とはんだ付け性の喪失との間にリンクを確立し
た。
ウ酸塩緩衝液中の標本電極に加えられ、電極電位対基準
ＳＣＥ電極は時間の関数で記録された。ＰｂＯ、ＳｎＯ
およびＳｎＯ2 の還元に対応すると考えられる変曲点は
約−０．６Ｖ、−０．９Ｖおよび−１．１Ｖでそれぞれ
観察された。純粋なＰｂおよびＳｎ電極を含む循環ボル
タンメトリの測定値から、陽極化による酸化物の形成の
間に送られる陽極電荷とその還元のために要求される陰
極電荷との間には１対１の対応があることが決定され
た。この結果はこの発明の電気化学的還元方法が存在す
る各表面酸化物の量の定量測定を与えることを示す。加
えて、かかる厚い酸化物は順次に還元され得るという事
実ははっきりと感知できる酸化物多孔性を示す。激しく
酸化された標本は非常にまずいはんだぬれ特性を示すこ
とが一貫して発見され、それによってより高いＳｎ酸化
物の存在とはんだ付け性の喪失との間にリンクを確立し
た。
【００１３】図１はゆるやかな酸化条件下でＳｎ、Ｐｂ
および共融のＳｎ−Ｐｂ上に形成された酸化物の順次の
電気化学的還元分析から得られた典型的な曲線を例示す
る。これらの曲線は電極電位対電荷密度（電流密度×時
間に等しい）を表わす。曲線は電圧レベルが特定の酸化
物を示しかつ関連電荷は酸化物の厚さの測定値である一
連の変曲点または台地を含む。Ｓｎ−Ｐｂ被覆におい
て、２つのＰｂ酸化物は通常小さな濃度においてのみ存
在する。Ｓｎ酸化物を約−０．８Ｖないし−１．０Ｖの
電圧で還元する低酸化物（主にＳｎＯであると考えられ
る）、および約−１．０Ｖないし−１．４Ｖの電圧（対
基準ＳＣＥ電極）で還元する高酸化物（主にＳｎＯ2 で
あると考えられる）と呼ぶことは便利である。負の電圧
ピークは下にある材料より還元するのがより難しい外側
の層を有する二重の構造を示すと考えられる。
および共融のＳｎ−Ｐｂ上に形成された酸化物の順次の
電気化学的還元分析から得られた典型的な曲線を例示す
る。これらの曲線は電極電位対電荷密度（電流密度×時
間に等しい）を表わす。曲線は電圧レベルが特定の酸化
物を示しかつ関連電荷は酸化物の厚さの測定値である一
連の変曲点または台地を含む。Ｓｎ−Ｐｂ被覆におい
て、２つのＰｂ酸化物は通常小さな濃度においてのみ存
在する。Ｓｎ酸化物を約−０．８Ｖないし−１．０Ｖの
電圧で還元する低酸化物（主にＳｎＯであると考えられ
る）、および約−１．０Ｖないし−１．４Ｖの電圧（対
基準ＳＣＥ電極）で還元する高酸化物（主にＳｎＯ2 で
あると考えられる）と呼ぶことは便利である。負の電圧
ピークは下にある材料より還元するのがより難しい外側
の層を有する二重の構造を示すと考えられる。
【００１４】図２は還流されたものとして（ゼロエイジ
ング）および蒸気エイジング（２４時間）の後のＳｎ−
Ｐｂはんだ標本をテストすることから得られたデータの
表である。還元のための電荷密度（ｍＣ／ｃｍ2 で測定
される）は存在する酸化物の量および型の表示である。
ぬれ時間はぬれ平衡方法によって入手可能な最大の理論
上のぬれ力の３分の２を得るための秒で表わした時間の
測定である。電荷密度データおよびぬれ時間データは同
じように準備された標本について報告されているが、同
一の標本については報告されていない。この研究に使用
された比較的厚いテスト標本の高い熱慣性のために、ぬ
れ時間はより薄い標本に対して予期されるであろうより
一般に高いことにも注目しなければならないが、重要な
のは相対値である。図２のデータから、この発明の電気
化学的還元方法によって検出された大量のより高いＳｎ
酸化物の存在は、長いぬれ時間によって示されるよう
に、はんだ付け性の喪失と相関関係があることが理解さ
れる。この発明の方法はまた図２に示された喪失よりわ
ずかなはんだ付け性の喪失を検出するのに有用であっ
た。
ング）および蒸気エイジング（２４時間）の後のＳｎ−
Ｐｂはんだ標本をテストすることから得られたデータの
表である。還元のための電荷密度（ｍＣ／ｃｍ2 で測定
される）は存在する酸化物の量および型の表示である。
ぬれ時間はぬれ平衡方法によって入手可能な最大の理論
上のぬれ力の３分の２を得るための秒で表わした時間の
測定である。電荷密度データおよびぬれ時間データは同
じように準備された標本について報告されているが、同
一の標本については報告されていない。この研究に使用
された比較的厚いテスト標本の高い熱慣性のために、ぬ
れ時間はより薄い標本に対して予期されるであろうより
一般に高いことにも注目しなければならないが、重要な
のは相対値である。図２のデータから、この発明の電気
化学的還元方法によって検出された大量のより高いＳｎ
酸化物の存在は、長いぬれ時間によって示されるよう
に、はんだ付け性の喪失と相関関係があることが理解さ
れる。この発明の方法はまた図２に示された喪失よりわ
ずかなはんだ付け性の喪失を検出するのに有用であっ
た。
【００１５】銅酸化物、Ｃｕ2 ＯおよびＣｕＯならびに
Ｃｕ−Ｓｎ金属間酸化物もまたこの発明の順次電気化学
的還元方法によって容易に検出され得る。主要なＣｕ−
Ｓｎ金属間酸化物は３μｍのＳｎで標準Ｃｕ−めっきさ
れたワイヤ標本をめっきすることによって、Ｓｎのすべ
てをＣｕ3 Ｓｎに変換するために３日間２００℃で真空
下で熱することによって調査された。これらの標本はは
んだによってほぼ完全にぬらすことができないことが発
見された。約５原子層の厚さの１層の天然酸化物がアル
ゴン飽和ホウ酸塩緩衝電解質で完全に還元されることが
発見された。還元された表面は脱気された溶液中で安定
したが、還元された表面をわずか５秒間空気に露呈する
とＳｎＯ還元について観察されたのとほぼ同一の電圧
（−０．９Ｖ）で輪郭のはっきりした台地を示す５原子
層の酸化物の再成長という結果になった。一夜で、この
酸化物は１０原子層より大きい厚さになり、還元曲線は
より安定したＳｎ酸化物の存在を示す長いテールを示し
た。これらの結果はＣｕ3 Ｓｎ金属間化合物に伴う主要
な問題は相対的に厚い酸化物層がその表面上で形成する
速い速度であることを示す。これはＣｕが陰極として作
用する局部電池作用の結果であると考えられる。
Ｃｕ−Ｓｎ金属間酸化物もまたこの発明の順次電気化学
的還元方法によって容易に検出され得る。主要なＣｕ−
Ｓｎ金属間酸化物は３μｍのＳｎで標準Ｃｕ−めっきさ
れたワイヤ標本をめっきすることによって、Ｓｎのすべ
てをＣｕ3 Ｓｎに変換するために３日間２００℃で真空
下で熱することによって調査された。これらの標本はは
んだによってほぼ完全にぬらすことができないことが発
見された。約５原子層の厚さの１層の天然酸化物がアル
ゴン飽和ホウ酸塩緩衝電解質で完全に還元されることが
発見された。還元された表面は脱気された溶液中で安定
したが、還元された表面をわずか５秒間空気に露呈する
とＳｎＯ還元について観察されたのとほぼ同一の電圧
（−０．９Ｖ）で輪郭のはっきりした台地を示す５原子
層の酸化物の再成長という結果になった。一夜で、この
酸化物は１０原子層より大きい厚さになり、還元曲線は
より安定したＳｎ酸化物の存在を示す長いテールを示し
た。これらの結果はＣｕ3 Ｓｎ金属間化合物に伴う主要
な問題は相対的に厚い酸化物層がその表面上で形成する
速い速度であることを示す。これはＣｕが陰極として作
用する局部電池作用の結果であると考えられる。
【００１６】
【はんだ付け性の評価】電子部品のはんだ付け性を評価
する方法はベースライン実験で上に述べられたのと本質
的に同一である。テストされるべき電子部品リードは電
解質に浸されて第１の電極を形成する。第２の不活性対
電極および第３の基準電極もまた電解質の中に置かれ
る。負の電流が部品と第２の電極との間に流される一方
で、部品と基準電極と間の電位は時間の関数で記録され
る。上述のように、第２の不活性電極が使用される低電
流で安定した電圧を有するシステムにおいて、第２の電
極は基準電極としても機能し得るので、それによって別
個の基準電極の必要性を排除する。得られた電圧対電荷
密度曲線は部品リード上の様々な型および量の酸化物を
示す。このデータはベースライン実験からの既知の結果
と比較されて部品リードのはんだ付け性を特徴付ける。
する方法はベースライン実験で上に述べられたのと本質
的に同一である。テストされるべき電子部品リードは電
解質に浸されて第１の電極を形成する。第２の不活性対
電極および第３の基準電極もまた電解質の中に置かれ
る。負の電流が部品と第２の電極との間に流される一方
で、部品と基準電極と間の電位は時間の関数で記録され
る。上述のように、第２の不活性電極が使用される低電
流で安定した電圧を有するシステムにおいて、第２の電
極は基準電極としても機能し得るので、それによって別
個の基準電極の必要性を排除する。得られた電圧対電荷
密度曲線は部品リード上の様々な型および量の酸化物を
示す。このデータはベースライン実験からの既知の結果
と比較されて部品リードのはんだ付け性を特徴付ける。
【００１７】プリント配線基板のはんだ付け性の評価は
図３および図４に概略に示されたのと類似の装置を使っ
て達成され得る。図３の装置はスルーホールはんだ点を
テストするのに適切でありかつ図４の装置は表面装着部
品のために使用されるはんだパッドをテストするために
適切である。同一の参照番号が２つの装置の同一または
類似のエレメントを示すために図３および図４で使用さ
れる。図３において、はんだ付け性をテストされるべき
裸のまたははんだ被覆されたプリント銅回路を有する配
線基板２０は上部顎２２と下部顎３２との間に締付けら
れる。上部顎２２は開口部２４とＯリング２６とを有す
る。Ｏリング２６は顎２２の下部側に取付けられ、開口
部２４を取囲む。下部顎３２は開口部３４とＯリング３
６とを有する。Ｏリング３６は顎３２の下部側に取付け
られ、開口部３４を取囲む。中心ピン４１を有するチャ
ンバ４０は顎２２の頂上に装着される。チャンバ４０は
顎２２上に装着されるので、ピン４１は顎２２の開口部
２４を介して下方向に延在することが可能である。ピン
４１はＯリング２６と３６との間のプリント配線基板２
０のスルーホール電極４６を位置決めするために使用さ
れ得る。回路基版２０がピン４１によって位置決めされ
かつ顎２２と３２との間に締付けられる場合、Ｏリング
２６と３６とはスルーホール４６に関連する裸のまたは
はんだ被覆されたプリント銅回路のはんだ付け性の評価
の準備にスルーホール電極４６のまわりに封止を与え
る。
図３および図４に概略に示されたのと類似の装置を使っ
て達成され得る。図３の装置はスルーホールはんだ点を
テストするのに適切でありかつ図４の装置は表面装着部
品のために使用されるはんだパッドをテストするために
適切である。同一の参照番号が２つの装置の同一または
類似のエレメントを示すために図３および図４で使用さ
れる。図３において、はんだ付け性をテストされるべき
裸のまたははんだ被覆されたプリント銅回路を有する配
線基板２０は上部顎２２と下部顎３２との間に締付けら
れる。上部顎２２は開口部２４とＯリング２６とを有す
る。Ｏリング２６は顎２２の下部側に取付けられ、開口
部２４を取囲む。下部顎３２は開口部３４とＯリング３
６とを有する。Ｏリング３６は顎３２の下部側に取付け
られ、開口部３４を取囲む。中心ピン４１を有するチャ
ンバ４０は顎２２の頂上に装着される。チャンバ４０は
顎２２上に装着されるので、ピン４１は顎２２の開口部
２４を介して下方向に延在することが可能である。ピン
４１はＯリング２６と３６との間のプリント配線基板２
０のスルーホール電極４６を位置決めするために使用さ
れ得る。回路基版２０がピン４１によって位置決めされ
かつ顎２２と３２との間に締付けられる場合、Ｏリング
２６と３６とはスルーホール４６に関連する裸のまたは
はんだ被覆されたプリント銅回路のはんだ付け性の評価
の準備にスルーホール電極４６のまわりに封止を与え
る。
【００１８】不活性材料の管４８は下部顎３２の開口部
３４から封止された電解質貯蔵器５０へと延在する。貯
蔵器５０は電解質溶液５２と電解質５２上のアルゴンの
ような不活性ガス５４とを含む。電解質５２はＣｕ−Ｓ
ｎ−Ｐｂ系とともに使用するのに適切なホウ酸塩緩衝液
（たとえば９．５５ｇ／Ｌホウ酸塩ナトリウムおよび
８．４のｐＨの６．１８ｇ／Ｌホウ酸）のような特定の
はんだ系と相溶性のある任意の電解質を含み得る。様々
な種類の電解質（たとえばホウ酸塩、クエン酸塩、硫酸
塩、硝酸塩等）は受容可能な結果を与えるであろう。し
かしながら中性のまたはアルカリｐＨを有し、それから
強い金属キレート試薬（たとえば塩化物、臭化物等）が
除かれた電解質は最も正確な測定値を与えるであろう。
不活性ガス５４は気体源５８からガスライン５６を介し
て貯蔵器５０に供給される。ガス５４はガス出口弁５７
を介して貯蔵器５０から出ることが可能である。アルゴ
ンのような不活性ガス５４はシステムから空気をどっと
流して酸素の存在によって引起こされる誤った電気化学
的還元データを排除するために使用される。たとえば飽
和カロメル電極（ＳＣＥ）を含み得る基準電極６０は貯
蔵器５０および電解質５２へと延在する。基準電極６０
は貯蔵器５０内の別個の区画の中に置かれ電解質の任意
の汚染の影響を最小限にする。
３４から封止された電解質貯蔵器５０へと延在する。貯
蔵器５０は電解質溶液５２と電解質５２上のアルゴンの
ような不活性ガス５４とを含む。電解質５２はＣｕ−Ｓ
ｎ−Ｐｂ系とともに使用するのに適切なホウ酸塩緩衝液
（たとえば９．５５ｇ／Ｌホウ酸塩ナトリウムおよび
８．４のｐＨの６．１８ｇ／Ｌホウ酸）のような特定の
はんだ系と相溶性のある任意の電解質を含み得る。様々
な種類の電解質（たとえばホウ酸塩、クエン酸塩、硫酸
塩、硝酸塩等）は受容可能な結果を与えるであろう。し
かしながら中性のまたはアルカリｐＨを有し、それから
強い金属キレート試薬（たとえば塩化物、臭化物等）が
除かれた電解質は最も正確な測定値を与えるであろう。
不活性ガス５４は気体源５８からガスライン５６を介し
て貯蔵器５０に供給される。ガス５４はガス出口弁５７
を介して貯蔵器５０から出ることが可能である。アルゴ
ンのような不活性ガス５４はシステムから空気をどっと
流して酸素の存在によって引起こされる誤った電気化学
的還元データを排除するために使用される。たとえば飽
和カロメル電極（ＳＣＥ）を含み得る基準電極６０は貯
蔵器５０および電解質５２へと延在する。基準電極６０
は貯蔵器５０内の別個の区画の中に置かれ電解質の任意
の汚染の影響を最小限にする。
【００１９】電流源、電圧メータおよび記録装置を含む
制御システム６２はリード６１、６３および６５によっ
て、基準電極６０、チャンバ４０のチャンバ内に延在す
る不活性対電極６４（たとえばプラチナのような）、お
よび回路基板２０のプリント回路によってスルーホール
電極４６に接続されるスルーホールコンタクト６６にそ
れぞれ接続される。代替の実施例において、もし不活性
電極６４が使用される低電流で安定した電圧を有すれ
ば、それは基準電極としても機能することができるの
で、それによって別個の基準電極６０への必要性を排除
する。
制御システム６２はリード６１、６３および６５によっ
て、基準電極６０、チャンバ４０のチャンバ内に延在す
る不活性対電極６４（たとえばプラチナのような）、お
よび回路基板２０のプリント回路によってスルーホール
電極４６に接続されるスルーホールコンタクト６６にそ
れぞれ接続される。代替の実施例において、もし不活性
電極６４が使用される低電流で安定した電圧を有すれ
ば、それは基準電極としても機能することができるの
で、それによって別個の基準電極６０への必要性を排除
する。
【００２０】スルーホール電極４６は回路基板２０のス
ルーホール４６をＯリング２６と３６との間に位置決め
するためにピン４１を使用することによってはんだ付け
性をテストされる。回路基板２０は顎２２と３２との間
に固定して締付けられ、その結果Ｏリング２６と３６と
は電極４６のまわりに封止を形成する。ピン４１はスル
ーホール４６から引込めることが可能である。チャンバ
４０は弁４３によって制御される真空ライン４２および
弁４５によって制御される不活性ガスライン４４に接続
される。弁４５はチャンバ４０、スルーホール４６およ
び管４８に不活性ガスをどっと流してシステムから酸素
を除去するために開けられる。その後、弁４５は閉じか
つ弁４３は開いて電解質５２は管４８を介して、電極４
６を介しておよびそのまわりにならびに対電極６４上の
チャンバ４０に引張られる。
ルーホール４６をＯリング２６と３６との間に位置決め
するためにピン４１を使用することによってはんだ付け
性をテストされる。回路基板２０は顎２２と３２との間
に固定して締付けられ、その結果Ｏリング２６と３６と
は電極４６のまわりに封止を形成する。ピン４１はスル
ーホール４６から引込めることが可能である。チャンバ
４０は弁４３によって制御される真空ライン４２および
弁４５によって制御される不活性ガスライン４４に接続
される。弁４５はチャンバ４０、スルーホール４６およ
び管４８に不活性ガスをどっと流してシステムから酸素
を除去するために開けられる。その後、弁４５は閉じか
つ弁４３は開いて電解質５２は管４８を介して、電極４
６を介しておよびそのまわりにならびに対電極６４上の
チャンバ４０に引張られる。
【００２１】電解質５２がチャンバ４０に引張られた状
態で、システム６２は約１０−１０００μＡ／ｃｍ2 の
範囲の一定の電流をライン６３、電極６４、電解質５
２、電極４６、スルーホール６６およびライン６５を介
して源６２へ戻って与える（つまり負の電流は回路基板
が２０のスルーホール電極４６から対電極６４へ供給さ
れる）。源６２によって与えられた電流はスルーホール
電極４６の裸のまたははんだ被覆された銅回路上の酸化
物の順次の電気化学的還元を引起こす。推奨された１０
−１０００μＡ／ｃｍ2 より大きいまたは小さい電流が
使用され得る。つまり低電流は時間を犠牲にして高い分
解（resolution）を与え、高電流は結果は速い結果を与
えるが低い分解（resolution）を与える。電流を供給す
る一方で、システム６２は時間の関数でスルーホール電
極４６と基準電極６０との間の電極電位を測定しかつ記
録する。時間ファクタは電流密度を経過した時間で掛け
ることによって電荷密度に変換され得る。上述のよう
に、電極電位対電荷密度（または時間）の示度は特定の
酸化物が様々な酸化物層の厚さとともに還元されつつあ
ることを示す一連の変曲点または台地を生み出す。結果
はベースラインデータと比較されて電極４６上にある特
定の酸化物およびはんだ付け性の関連測定を決定する。
典型的な回路基板２０は多数のスルーホール電極を含む
けれども、少数のスルーホール（統計的なサンプル）は
回路基板２０全体のはんだ付け性の特徴を表わすことが
テストされ得る。
態で、システム６２は約１０−１０００μＡ／ｃｍ2 の
範囲の一定の電流をライン６３、電極６４、電解質５
２、電極４６、スルーホール６６およびライン６５を介
して源６２へ戻って与える（つまり負の電流は回路基板
が２０のスルーホール電極４６から対電極６４へ供給さ
れる）。源６２によって与えられた電流はスルーホール
電極４６の裸のまたははんだ被覆された銅回路上の酸化
物の順次の電気化学的還元を引起こす。推奨された１０
−１０００μＡ／ｃｍ2 より大きいまたは小さい電流が
使用され得る。つまり低電流は時間を犠牲にして高い分
解（resolution）を与え、高電流は結果は速い結果を与
えるが低い分解（resolution）を与える。電流を供給す
る一方で、システム６２は時間の関数でスルーホール電
極４６と基準電極６０との間の電極電位を測定しかつ記
録する。時間ファクタは電流密度を経過した時間で掛け
ることによって電荷密度に変換され得る。上述のよう
に、電極電位対電荷密度（または時間）の示度は特定の
酸化物が様々な酸化物層の厚さとともに還元されつつあ
ることを示す一連の変曲点または台地を生み出す。結果
はベースラインデータと比較されて電極４６上にある特
定の酸化物およびはんだ付け性の関連測定を決定する。
典型的な回路基板２０は多数のスルーホール電極を含む
けれども、少数のスルーホール（統計的なサンプル）は
回路基板２０全体のはんだ付け性の特徴を表わすことが
テストされ得る。
【００２２】図４に概略で示された装置はスルーホール
代わりに回路基板２０上のはんだパッド電極６８をテス
トするために適切な前述のシステムの単なる変形例であ
る。変形された装置はその底のへりのまわりにＯリング
２０を有する開底容器７０を含む。容器７０は基板２０
の頂上に置かれ、その結果Ｏリング７２ははんだパッド
電極６８を取囲む。容器７０は典型的に電解質５２を加
えるための蓋またはポート（図示せず）を含む。クリッ
プ（図示せず）が基板２０を容器７０の底に固定するた
めに使用されるので、その結果機密な封止がＯリング７
２によってはんだパッド電極６８のまわりに維持され
る。不活性ガス５４はガス源５８からライン５６によっ
て容器７０に供給される。封止がパッド電極６８のまわ
りに行なわれた後、容器７０は空気がベント５７から逃
れる状態で、不活性ガス５４をどっと流され得る。容器
７０は基準電極６０を部分的に隔離するために多孔性の
ガラスフリット７５を有する接続されたチャンバ７４を
含み得る。システム６２ははんだパッド電極６８上の金
属酸化物の電気化学的還元のための電流を与える。電流
は制御システム６２からライン６３、電極６４、電解質
５２、パッド電極６８、回路接続されたパッド電極６９
およびライン６５を介してシステム６２に戻される。シ
ステム６２はまたパッド電極６８上の金属酸化物の電気
化学的還元の間時間の関数でパッド電極６８と基準電極
６０との間の電極電位を測定しかつ記録する。電極６０
は例示されるように、チャンバ７４に置かれてもよい
し、または電極６４はある環境で基準電極として機能
し、それによって別個の基準電極６０の必要性を排除し
てもよい。上述のように、電極電位対時間の記録はベー
スラインデータと比較されてパッド電極６８上に存在す
る特定の酸化物およびはんだ付け性の関連測定を決定す
る。
代わりに回路基板２０上のはんだパッド電極６８をテス
トするために適切な前述のシステムの単なる変形例であ
る。変形された装置はその底のへりのまわりにＯリング
２０を有する開底容器７０を含む。容器７０は基板２０
の頂上に置かれ、その結果Ｏリング７２ははんだパッド
電極６８を取囲む。容器７０は典型的に電解質５２を加
えるための蓋またはポート（図示せず）を含む。クリッ
プ（図示せず）が基板２０を容器７０の底に固定するた
めに使用されるので、その結果機密な封止がＯリング７
２によってはんだパッド電極６８のまわりに維持され
る。不活性ガス５４はガス源５８からライン５６によっ
て容器７０に供給される。封止がパッド電極６８のまわ
りに行なわれた後、容器７０は空気がベント５７から逃
れる状態で、不活性ガス５４をどっと流され得る。容器
７０は基準電極６０を部分的に隔離するために多孔性の
ガラスフリット７５を有する接続されたチャンバ７４を
含み得る。システム６２ははんだパッド電極６８上の金
属酸化物の電気化学的還元のための電流を与える。電流
は制御システム６２からライン６３、電極６４、電解質
５２、パッド電極６８、回路接続されたパッド電極６９
およびライン６５を介してシステム６２に戻される。シ
ステム６２はまたパッド電極６８上の金属酸化物の電気
化学的還元の間時間の関数でパッド電極６８と基準電極
６０との間の電極電位を測定しかつ記録する。電極６０
は例示されるように、チャンバ７４に置かれてもよい
し、または電極６４はある環境で基準電極として機能
し、それによって別個の基準電極６０の必要性を排除し
てもよい。上述のように、電極電位対時間の記録はベー
スラインデータと比較されてパッド電極６８上に存在す
る特定の酸化物およびはんだ付け性の関連測定を決定す
る。
【００２３】この発明を特定の実施例に関連して説明し
てきたが、様々な変更および修正がこの発明の範囲から
逸脱することなく当業者によって実行され得る。したが
って、この発明は前掲の特許請求の範囲にあるかかる変
更および修正を包含することを意図するものである。
てきたが、様々な変更および修正がこの発明の範囲から
逸脱することなく当業者によって実行され得る。したが
って、この発明は前掲の特許請求の範囲にあるかかる変
更および修正を包含することを意図するものである。
【図１】Ｓｎ、Ｐｂおよび共融のＳｎ−Ｐｂの酸化物の
順次の電気化学的還元を例示しかつ様々な酸化物が還元
される間の電圧範囲を示す電極電位対電荷密度のグラフ
である。
順次の電気化学的還元を例示しかつ様々な酸化物が還元
される間の電圧範囲を示す電極電位対電荷密度のグラフ
である。
【図２】ぬれ平衡方法を使って測定された長いぬれ時間
によって示されるように、より高いＳｎ酸化物の存在と
貧弱なはんだ付け性との間の相関関係を示す表である。
によって示されるように、より高いＳｎ酸化物の存在と
貧弱なはんだ付け性との間の相関関係を示す表である。
【図３】プリント配線基板スルーホール電極のはんだ付
け性を評価するための装置の概略の図である。
け性を評価するための装置の概略の図である。
【図４】プリント配線基板表面装着パッド電極のはんだ
付け性を評価するための装置の概略の図である。
付け性を評価するための装置の概略の図である。
２０ 基板 ２６ Ｏリング ３６ Ｏリング ４０ チャンバ ５０ 貯蔵器 ５２ 電解質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デニス・ピィ・アンダーソン アメリカ合衆国、91320 カリフォルニア 州、ニューバリー・パーク、アベニダ・デ ル・プラティノ、652 (56)参考文献 特開 昭49−46791（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 表面酸化物の連続的な電気化学的還元に
よって電子部品のはんだ付性を決定する方法であって、 第１の電極を形成するために前記部品のはんだ付可能な
部分を電解質に接触して配置するステップと、 第２の電極を前記電解質と接触して配置するステップ
と、前記電解質と接触している前記部品の前記はんだ付
可能な部分上に存在する金属酸化物を連続的に還元する
間に時間の関数として前記第１と第２の電極間で電圧お
よび電流を測定するステップと、 前記部品の前記はんだ付可能な部分上で前記連続的に還
元された金属酸化物のタイプと量を同定するために、時
間に対する電圧と電流の測定から電荷密度に対する電極
電位をプロットするステップと、 前記連続的に還元された金属酸化物の前記同定されたタ
イプと量に基づいて前記部品のはんだ付性を決定するス
テップを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記はんだ付性を決定するステップはさ
らに、既知のはんだ付性を有するテスト標本からのベー
スラインデータに対して前記金属酸化物の前記同定され
たタイプと量を関係づけるステップを含むことを特徴と
する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記電解質を含むための封止可能な貯蔵
器を設けるステップと、 前記電解質から酸素を除去するために前記電解質を不活
性ガスで流すステップをさらに含むことを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 表面酸化物の連続的な電気化学的還元に
よって電子部品のはんだ付性を決定する方法であって、 第１の電極を形成するために前記部品のはんだ付可能な
部分を電解質と接触して配置するステップと、 第２の電極を前記電解質と接触して配置するステップ
と、 第３の基準電極を前記電解質と接触して配置するステッ
プと、 前記電解質と接触している前記部品の前記はんだ付可能
な部分上に存在する金属酸化物を連続的に還元するため
に、前記第１と第２の電極を電力源に接続して前記第１
と第２の電極間に電流を流すステップと、 前記金属酸化物の前記連続的な電気化学的還元の間に時
間の関数として前記第１と第２の電極間の電流と前記第
１と第３の電極間の電圧を測定するステップと、 前記部品の前記はんだ付可能な部分上で前記連続的に還
元された金属酸化物のタイプと量を同定するために、前
記時間に対する電圧と電流の測定から電荷密度に対する
電極電位をプロットするステップと、 前記連続的に還元された金属酸化物の前記同定されたタ
イプと量に基づいて前記部品のはんだ付性を決定するス
テップを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項５】 前記電解質を含むための封止可能な貯蔵
器を設けるステップと、 前記電解質から酸素を除去するために前記電解質を不活
性ガスで流すステップと、 飽和カロメル電極を前記第３の基準電極として前記貯蔵
器の１つの区画内に配置するステップをさらに含むこと
を特徴とする請求項４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US706142 | 1991-05-28 | ||
| US07/706,142 US5262022A (en) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | Method of assessing solderability |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05157731A JPH05157731A (ja) | 1993-06-25 |
| JPH0830694B2 true JPH0830694B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=24836378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4133480A Expired - Lifetime JPH0830694B2 (ja) | 1991-05-28 | 1992-05-26 | 電子部品のはんだ付性を評価する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5262022A (ja) |
| JP (1) | JPH0830694B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5425859A (en) * | 1991-05-28 | 1995-06-20 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for assessing and restoring solderability |
| US5262022A (en) * | 1991-05-28 | 1993-11-16 | Rockwell International Corporation | Method of assessing solderability |
| US5951300A (en) * | 1997-03-10 | 1999-09-14 | Health Hero Network | Online system and method for providing composite entertainment and health information |
| US6214210B1 (en) | 1994-11-08 | 2001-04-10 | Rockwell Technologies, Llc | Electrochemical surface analysis using deoxygenated gel electrolyte |
| US5466349A (en) * | 1995-01-06 | 1995-11-14 | Rockwell International Corporation | Potentiometric evaluation of substrate oxidation and coating porosity |
| US6360935B1 (en) | 1999-01-26 | 2002-03-26 | Board Of Regents Of The University Of Texas System | Apparatus and method for assessing solderability |
| JP4218042B2 (ja) * | 1999-02-03 | 2009-02-04 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 銅または銅基合金の製造方法 |
| US6286368B1 (en) * | 2000-09-18 | 2001-09-11 | General Electric Company | Self-immersing wetting balance |
| US20020067486A1 (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-06 | S. Forney Leroy | Solderability assessment |
| US20060091023A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Ahsan Bukhari | Assessing micro-via formation PCB substrate manufacturing process |
| JP5235810B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2013-07-10 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | Ｓｎ酸化物の定量方法およびフラックスの評価方法 |
| US9593931B2 (en) * | 2012-09-04 | 2017-03-14 | Eci Technology, Inc. | Palladium coating thickness measurement |
| KR101878564B1 (ko) * | 2016-10-18 | 2018-07-13 | 한국에너지기술연구원 | 절연체 코팅 전도선의 qc 장치 및 이의 방법 |
| CA3144191A1 (en) | 2019-07-16 | 2021-01-21 | Robert CZINNER | System, controller, and method for decortication processing |
Family Cites Families (15)
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| NL259614A (ja) * | 1959-12-31 | |||
| US3421989A (en) * | 1964-11-24 | 1969-01-14 | Beckman Instruments Inc | Mercury pool electrode |
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