CS197553B1 - Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek - Google Patents

Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek Download PDF

Info

Publication number
CS197553B1
CS197553B1 CS264676A CS264676A CS197553B1 CS 197553 B1 CS197553 B1 CS 197553B1 CS 264676 A CS264676 A CS 264676A CS 264676 A CS264676 A CS 264676A CS 197553 B1 CS197553 B1 CS 197553B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
sample
metal
radical
electrodeposition
layer
Prior art date
Application number
CS264676A
Other languages
English (en)
Inventor
Vladimir Rysanek
Jiri Vackar
Original Assignee
Vladimir Rysanek
Jiri Vackar
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Rysanek, Jiri Vackar filed Critical Vladimir Rysanek
Priority to CS264676A priority Critical patent/CS197553B1/cs
Publication of CS197553B1 publication Critical patent/CS197553B1/cs

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek.
V řadě mikroelektronických součástek a obvodů je důležitou funkční vrstvou izolační vrstva kysličníku nebo nitridu základního materiálu. Slouží buď jako dielektrikum kondenzátoru, izolace plochých vodičů a podobně, nebo též jako ochrana povrchu proti vnikání atomů používaných k difúzi do polovodičů, to je ve funkci masky. V obou případech je nutné docílit souvislou vrstvu bez poruch, protože i malý otvor ve vrstvě znemožňuje funkční využití jejích izolačních vlastností. Proto se používají různé metody pro identifikaci poruchových míst ještě před dokončením výrobku, aby se ušetřily případné neúčelné operace na zmetkovém povrchu. Užívá se optického pozorování v mikroskopu, kinematických tekutých krystalů i metod elektronických, například rastrovací mikroskopie, transmisní elektronové mikroskopie, snímání replik povrchů a jejich pozorování mikroskopem, elektronové difrakce a podobně. Jsou to metody pomalé a při velikosti děr v řádu μτη málo spolehlivé.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny způsobem zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek, spočívajících v tom, že se vzorek s izolační vrstvou opatří na neaktivní straně ochrannou vrstvou a vývodem, a ponoří se do elektrolytické lázně s přísadou pro snížení povrchového napětí, na vzorek se galvanicky nanese kov nebo radikál, například cesium, a po skončeni galvanického nanášení se vzorek vyjme a zbaví se zbytku elektrolytu. Podstatou vynálezu je, že se pro vyhledání polohy a rozložení poruchových to míst na vzorku indikují místa, na nichž je nanesen kov nebo radikál.
Dále je podlé vynálezu výhodné, jestliže se v průběhu galvanického nanášení vyhodnocuje velikost procházejícího galvanizační15 ho proudu při známém napětí.
Způsob pro zjišťování těchto poruch podle vynálezu řeší problém tak, že umožňuje rychlou a místně definovanou lokalizaci otvorů a jeho rozlišovací schopnost není omezena optickými hledisky.
Před vlastní indikací poruchových míst je výhodné, jestliže se povrch vzorku krátkodobě čistí v zředěné atmosféře inertního plynu, například argonu, výbojem vysokého na25 pěti, aby se odstranily nečistoty zanesené na izolační vrstvě při galvanickém vytvářeni vrstvy.
Dále je podle vynálezu výhodné, jestliže po ukončení galvanického nanášení se indikují elektrony emitované ze vzorku působe197553 ním vysokého napětí ve vakuu.
Pro identifikaci otvorů v izolační vrstvě se zde využívá skutečnosti, že vrstva je na vodivém podkladu, na křemíku, germaniu nebo některém kovu. Otvory zasahují do vodivého materiálu, takže v galvanické lázni lze za jistých podmínek do otvorů nanést vhodný kov nebo radikál. Použijeme-li například galvanického nanášení cesia, vytvoří se z tohoto materiálu nános na nekrytých místech podložky, bude-li tato katodou.
Vynález je blíže objasněn na příkladu provedení a pomocí přiloženého výkresu, na němž je schematicky nakresleno zařízení k provádění způsobu podle vynálezu.
V nádobě 1 je vhodný elektrolyt 2. Elektroda 3 jako anoda je zdrojem iontů cesia. Vzorek 4 se zkoumanou izolační vrstvou 5 je opatřen vývodem 6 a tvoří katodu. Při průchodu proudu se vytvoří v místech děr 7 nános příslušného prvku z lázně elektrolytu 2, takže vznikne vodivá vrstva 8. Vzorek 4 je opatřen na neaktivních plochách ochrannou vrstvou 9. K usnadnění přístupu elektrolytu 2 do otvorů v izolační vrstvě 5 se užívá vhodných přísad pro snížení povrchového napětí kapaliny a pro zvýšení smáčivosti. V úvahu přichází též použití ultrazvukového měniče 10, který napomáhá proniknutí kapaliny a vyloučení plynových bublin. Po nanesení vodivé vrstvy 8 se vzorek vyjímá a omytím zbavuje stop elektrolytu 2.
Vlastní zjištění přítomnosti děr pak se provádí několika způsoby, například elektro-

Claims (4)

  1. PŘEDMĚT
    1. Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek, spočívající v tom, že se vzorek s izolační vrstvou opatří na neaktivní straně ochrannou vrstvou a vývodem, a ponoří se do elektrolytické lázně s přísadou pro snížení povrchového napětí, na vzorek se galvanicky nanese kov nebo radikál, například cesium, a po skončení galvanického nanášení se vzorek vyjme a zbaví se zbytku elektrolytu, vyznačený tím, že se pro vyhledání polohy a rozložení poruchových míst na vzorku indikují místa, na nichž je nanesen kov nebo radikál.
    5 3 chemicky.
    Samotná existence vodných míst v izolaci se projeví velikostí proudu procházejícího elektrolytem, takže mikroampérmetr zařazený do proudového obvodu indikuje výchylku úměrnou celkové ploše vadných míst.
    Poloha a rozložení vadných míst se dá zjistit opět elektrochemicky, například přiložením indikační fólie, složené z kovové fólie a porézní papírové vrstvy, nasycené elektrolytem s indikačním barvivém. V místech průchodu proudu se změní barva indikačního barviva a tím ukáže počet a rozlohu vadných míst.
    Vadná místa je možno také zjistit na základě jejich emisních vlastností ve vakuu, a to buď podle rozsvícených luminoforů na stínítku, kam jsou emitované elektrony, uvolněné například UV zářením, zaostřeny a urychleny vhodným napětím, nebo podle světla doutnavého výboje, který bude vznikat v místech poruch při přiložení zápalného napětí v hrubém vakuu 1 až 10 kPa.
    Pro elektrochemickou indikaci je vhodné, vytvoří-li se při předchozím elektrolytickém procesu v otvorech vrstvy prvků, nebo radikálů, selektivně reagujících s použitým indikačním barvivém. Pro emisní indikaci používáme opět prvky s malou výstupní prací, například Cs, Rb atd.
    Způsob podle vynálezu umožňuje indikaci a určení přesné polohy poruchového místa o velikosti pod 0,1 μΐη.
    YNÁLEZU
  2. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačený tím, že se v průběhu galvanického nanášení vyhodnocuje velikost procházejícího galvanizačního proudu při známém napětí.
  3. 3. Způsob podle bodů 1 a 2, vyznačující se , tím, že se po vytvoření galvanicky nanesené vrstvy odstraní slabé vrstvy a nečistoty naneseného kovu nebo radikálu bombardováním povrchu vzorku ionty inertního plynu ve zředěné atmosféře.
  4. 4. Způsob podle bodů 1 a 2, vyznačující se tím, že po skončení galvanického nanášení se indikují elektrony emitované ze vzorku působením vysokého napětí ve vakuu.
CS264676A 1976-04-22 1976-04-22 Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek CS197553B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS264676A CS197553B1 (cs) 1976-04-22 1976-04-22 Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS264676A CS197553B1 (cs) 1976-04-22 1976-04-22 Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS197553B1 true CS197553B1 (cs) 1980-05-30

Family

ID=5364180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS264676A CS197553B1 (cs) 1976-04-22 1976-04-22 Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS197553B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Pang et al. On the localised corrosion of carbon steel induced by the in-situ local damage of porous corrosion products
KR101290561B1 (ko) 소구조물 변경 시스템
JP2759322B2 (ja) 無電解めっき浴の制御方法
DE10232612B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung eines elektrolytischen Prozesses
Hong et al. Lifetime Prediction of Electrochemical Ion Migration with Various Surface Finishes of Printed Circuit Boards: Hong and Oh
Moussa et al. The photo-inhibition of localized corrosion of 304 stainless steel in sodium chloride environment
JPH0830694B2 (ja) 電子部品のはんだ付性を評価する方法
DE3832660C2 (cs)
JP3558818B2 (ja) 絶縁膜の欠陥評価方法及びその装置
CS197553B1 (cs) Způsob zjišťování poruchových míst v izolačních vrstvách vzorků mikroelektronických součástek
US6248601B1 (en) Fix the glassivation layer's micro crack point precisely by using electroplating method
Xu et al. Study on the preparation mechanism and property analysis of a localized Au coating by laser-induced cyanide-free electroplating
Gajda Techniques in failure analysis of MOS devices
KR100919226B1 (ko) 금속 도금층 두께 평가를 위한 전기화학적 방법
JPS6196774A (ja) 薄膜光電変換素子製造装置
KR100883028B1 (ko) 전기화학적 구리 데코레이션을 통한 웨이퍼 결함 검출장치및 이를 이용한 결함 검출방법
JPH09195094A (ja) 電気化学的成膜のための支持体
KR100189994B1 (ko) 동 데코레이션 장치 및 동 데코레이팅 방법
JP3607070B2 (ja) 絶縁膜の欠陥検出方法
Ha et al. Electrochemical migration failure under biased HAST due to photoresist residues
KR100784053B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 결함 검출을 위한 구리 데코레이션 장치 및그 방법
Leder Electrochemical method for detecting breakdown defects in thin insulating films on metals
KR100503651B1 (ko) 전기적 특성 검사 후의 실리콘 웨이퍼의 결함 위치 표시방법
JP2005166705A (ja) 絶縁膜もしくは半導体膜の欠陥検出方法
Gabrielli et al. Electrochemistry on microcircuits. I: Copper microelectrodes in oxalic acid media