JPH0829508A - Ｓｑｕｉｄ磁束計 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ磁束計Info
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- JPH0829508A JPH0829508A JP6180409A JP18040994A JPH0829508A JP H0829508 A JPH0829508 A JP H0829508A JP 6180409 A JP6180409 A JP 6180409A JP 18040994 A JP18040994 A JP 18040994A JP H0829508 A JPH0829508 A JP H0829508A
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- Japan
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- squid
- circuit
- apf
- inductance
- positive feedback
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＡＢＣＦ法とＡＰＦ回路との組み合せにおい
ても、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅が小さくならないＳＱＵ
ＩＤ磁束計を提供する。 【構成】 相互インダクタンスによりＳＱＵＩＤ２に正
帰還を付与する正帰還コイルＬi を含む正帰還回路を有
するとともに、非対称バイアス電流注入口を有するＳＱ
ＵＩＤ磁束計であって、前記正帰還回路の接続点を、前
記ＳＱＵＩＤに対して対称位置に設ける。
ても、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅が小さくならないＳＱＵ
ＩＤ磁束計を提供する。 【構成】 相互インダクタンスによりＳＱＵＩＤ２に正
帰還を付与する正帰還コイルＬi を含む正帰還回路を有
するとともに、非対称バイアス電流注入口を有するＳＱ
ＵＩＤ磁束計であって、前記正帰還回路の接続点を、前
記ＳＱＵＩＤに対して対称位置に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＱＵＩＤ（Supercon
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に係わり、さらに詳しくは、相互インダクタンスによ
り正帰還を与える回路（ AdditionalPositive Feedback
回路。以下、「ＡＰＦ回路」という。）を用いたＳＱ
ＵＩＤ磁束計に関する。ここに、ＳＱＵＩＤとは、液体
ヘリウムや液体窒素等により断熱容器（クライオスタッ
ト等）内で低温状態に維持され、ループ内にジョセフソ
ン接合を含む超伝導ループであるＳＱＵＩＤループに直
流電流をバイアス電流として印加して駆動し、このＳＱ
ＵＩＤループ内に、ピックアップコイルや入力コイル等
を介して、あるいは直接外部からの磁束を結合して印加
すると、ＳＱＵＩＤループに周回電流が誘起され、ルー
プ内のジョセフソン接合における量子的な干渉効果によ
り、印加された外部磁束の微弱な変化を出力電圧の大き
な変化に変換するトランスデューサとして動作すること
を利用して、微小磁束変化を測定する素子である。
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に係わり、さらに詳しくは、相互インダクタンスによ
り正帰還を与える回路（ AdditionalPositive Feedback
回路。以下、「ＡＰＦ回路」という。）を用いたＳＱ
ＵＩＤ磁束計に関する。ここに、ＳＱＵＩＤとは、液体
ヘリウムや液体窒素等により断熱容器（クライオスタッ
ト等）内で低温状態に維持され、ループ内にジョセフソ
ン接合を含む超伝導ループであるＳＱＵＩＤループに直
流電流をバイアス電流として印加して駆動し、このＳＱ
ＵＩＤループ内に、ピックアップコイルや入力コイル等
を介して、あるいは直接外部からの磁束を結合して印加
すると、ＳＱＵＩＤループに周回電流が誘起され、ルー
プ内のジョセフソン接合における量子的な干渉効果によ
り、印加された外部磁束の微弱な変化を出力電圧の大き
な変化に変換するトランスデューサとして動作すること
を利用して、微小磁束変化を測定する素子である。
【０００２】
【従来の技術】従来、２個のジョセフソン接合を含むｄ
ｃ−ＳＱＵＩＤ磁束計としては、低温環境（冷却系）を
維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯めておく
断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタット）
と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプローブと、
室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントローラを備
えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプローブと
室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイストケーブ
ル等で接続されて構成されたものが知られている。この
ようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5φo ／Ｈ
ｚ1/2 （左式においてφo は磁束量子を示す）と、非常
に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応答は非常に早
く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GHz で動作する
のが特徴である。最近、ＳＱＵＩＤに相互インダクタン
スにより正帰還を与えるＡＰＦ回路を付加し、磁場測定
感度（磁束−電圧変換率）を向上させる技術により、簡
単な駆動回路（Direct Offset Integrated Technique：
ＤＯＩＴ方式無変調回路）で低雑音の磁束計が実現可能
となった。このＡＰＦ回路は、生体磁気計測のように多
チャンネルセンサの必要なＳＱＵＩＤ磁束計には有効で
ある（D.Drung et al,"Low-noise high-speed dc super
conducting quantum interference device magnetomete
r with simplified feedback electronics.", Appl.Phy
s.Lett.57(4),23 July 1990 ）。しかし、上記のＤＯＩ
Ｔ回路とＡＰＦ回路を持つＳＱＵＩＤ磁束計において
は、駆動回路の電流性ノイズの影響が無視できなかっ
た。そこで、この電流性ノイズの影響を抑える方法とし
て、ＳＱＵＩＤのバイアス電流の注入位置を非対称にし
て電流磁場感度を低くする方法（Asymmetric Bias Curr
ent Feedback法（ＡＢＣＦ法）：Jpn.J.Appl.Phys.Vol.
32(1993)pp.1735-1738）や、電流注入ラインをＳＱＵＩ
Ｄと磁気的に結合させて電流磁場感度を低くする方法
（Bias Current Feedback法 （ＢＣＦ法）：D.Drung et
al.,ASC'92,"An electronic second-order gradiomete
r for biomagnetic applications in clinical shielde
d rooms"）が知られている。特に、ＡＢＣＦ法は構成が
非常に簡便であり、ＡＰＦ回路と組み合せることにより
精度のよいＳＱＵＩＤ磁束計が実現可能である。
ｃ−ＳＱＵＩＤ磁束計としては、低温環境（冷却系）を
維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯めておく
断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタット）
と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプローブと、
室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントローラを備
えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプローブと
室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイストケーブ
ル等で接続されて構成されたものが知られている。この
ようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5φo ／Ｈ
ｚ1/2 （左式においてφo は磁束量子を示す）と、非常
に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応答は非常に早
く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GHz で動作する
のが特徴である。最近、ＳＱＵＩＤに相互インダクタン
スにより正帰還を与えるＡＰＦ回路を付加し、磁場測定
感度（磁束−電圧変換率）を向上させる技術により、簡
単な駆動回路（Direct Offset Integrated Technique：
ＤＯＩＴ方式無変調回路）で低雑音の磁束計が実現可能
となった。このＡＰＦ回路は、生体磁気計測のように多
チャンネルセンサの必要なＳＱＵＩＤ磁束計には有効で
ある（D.Drung et al,"Low-noise high-speed dc super
conducting quantum interference device magnetomete
r with simplified feedback electronics.", Appl.Phy
s.Lett.57(4),23 July 1990 ）。しかし、上記のＤＯＩ
Ｔ回路とＡＰＦ回路を持つＳＱＵＩＤ磁束計において
は、駆動回路の電流性ノイズの影響が無視できなかっ
た。そこで、この電流性ノイズの影響を抑える方法とし
て、ＳＱＵＩＤのバイアス電流の注入位置を非対称にし
て電流磁場感度を低くする方法（Asymmetric Bias Curr
ent Feedback法（ＡＢＣＦ法）：Jpn.J.Appl.Phys.Vol.
32(1993)pp.1735-1738）や、電流注入ラインをＳＱＵＩ
Ｄと磁気的に結合させて電流磁場感度を低くする方法
（Bias Current Feedback法 （ＢＣＦ法）：D.Drung et
al.,ASC'92,"An electronic second-order gradiomete
r for biomagnetic applications in clinical shielde
d rooms"）が知られている。特に、ＡＢＣＦ法は構成が
非常に簡便であり、ＡＰＦ回路と組み合せることにより
精度のよいＳＱＵＩＤ磁束計が実現可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡＢＣＦ法と
ＡＰＦ回路との組み合せでは、ＡＰＦ回路内の抵抗を小
さくしてしまうと、ＡＰＦ抵抗の電流性ノイズが大きく
なる。その影響で、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅が小さくな
ってしまう、という問題点があった。本発明は、上記の
問題点を解決するためになされたものであり、ＡＢＣＦ
法とＡＰＦ回路との組み合せにおいても、ＳＱＵＩＤ出
力電圧振幅が小さくならないＳＱＵＩＤ磁束計を提供す
ることを目的とする。
ＡＰＦ回路との組み合せでは、ＡＰＦ回路内の抵抗を小
さくしてしまうと、ＡＰＦ抵抗の電流性ノイズが大きく
なる。その影響で、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅が小さくな
ってしまう、という問題点があった。本発明は、上記の
問題点を解決するためになされたものであり、ＡＢＣＦ
法とＡＰＦ回路との組み合せにおいても、ＳＱＵＩＤ出
力電圧振幅が小さくならないＳＱＵＩＤ磁束計を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、相互インダクタ
ンスによりＳＱＵＩＤに正帰還を付与する正帰還コイル
を含む正帰還回路を有するとともに、非対称バイアス電
流注入口を有するＳＱＵＩＤ磁束計であって、前記正帰
還回路の接続点を、前記ＳＱＵＩＤに対して対称位置に
設けて構成される。
め、本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、相互インダクタ
ンスによりＳＱＵＩＤに正帰還を付与する正帰還コイル
を含む正帰還回路を有するとともに、非対称バイアス電
流注入口を有するＳＱＵＩＤ磁束計であって、前記正帰
還回路の接続点を、前記ＳＱＵＩＤに対して対称位置に
設けて構成される。
【０００５】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、ＡＰＦ回路
とＳＱＵＩＤを結線する結合口をＳＱＵＩＤのインダク
タンスに対して対称系となり、バイアス電流注入口とＳ
ＱＵＩＤ電圧取り出し口をＳＱＵＩＤのインダクタンス
に対して非対称系となる。このような構成とすると、Ｓ
ＱＵＩＤインダクタンスの対称性により、ＡＰＦ回路か
らの電流性ノイズは打ち消しあう。その結果、ＳＱＵＩ
ＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ回路を組み合せてにおいて、
ＡＰＦ回路内の抵抗を小さくしても、ＳＱＵＩＤ出力電
圧振幅の低下を防止することができる。
とＳＱＵＩＤを結線する結合口をＳＱＵＩＤのインダク
タンスに対して対称系となり、バイアス電流注入口とＳ
ＱＵＩＤ電圧取り出し口をＳＱＵＩＤのインダクタンス
に対して非対称系となる。このような構成とすると、Ｓ
ＱＵＩＤインダクタンスの対称性により、ＡＰＦ回路か
らの電流性ノイズは打ち消しあう。その結果、ＳＱＵＩ
ＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ回路を組み合せてにおいて、
ＡＰＦ回路内の抵抗を小さくしても、ＳＱＵＩＤ出力電
圧振幅の低下を防止することができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を説明す
るが、実施例の説明に先立ち、上記のＡＰＦ回路（相互
インダクタンスにより正帰還を与える回路：Additional
Positive Feedback 回路）の原理を説明する。図３
は、ＡＰＦ回路の原理を説明するためのＳＱＵＩＤ磁束
計１の回路図であり、２つのジョセフソン接合Ｊ1 ，Ｊ
2 を有するＳＱＵＩＤ２に対し並列にＡＰＦ回路（正帰
還回路）３Ｂが接続されており、ＡＰＦ回路３Ｂは、抵
抗Ｒa と正帰還コイルＬi が直列に接続され、またＳＱ
ＵＩＤ２に対し負帰還コイルＬf 及び負帰還抵抗Ｒf か
らなる負帰還回路が設けられて構成されている。そし
て、ＳＱＵＩＤ２には、定電流源ＶB と抵抗ＲB からな
る駆動用定電流源回路が接続されている。
るが、実施例の説明に先立ち、上記のＡＰＦ回路（相互
インダクタンスにより正帰還を与える回路：Additional
Positive Feedback 回路）の原理を説明する。図３
は、ＡＰＦ回路の原理を説明するためのＳＱＵＩＤ磁束
計１の回路図であり、２つのジョセフソン接合Ｊ1 ，Ｊ
2 を有するＳＱＵＩＤ２に対し並列にＡＰＦ回路（正帰
還回路）３Ｂが接続されており、ＡＰＦ回路３Ｂは、抵
抗Ｒa と正帰還コイルＬi が直列に接続され、またＳＱ
ＵＩＤ２に対し負帰還コイルＬf 及び負帰還抵抗Ｒf か
らなる負帰還回路が設けられて構成されている。そし
て、ＳＱＵＩＤ２には、定電流源ＶB と抵抗ＲB からな
る駆動用定電流源回路が接続されている。
【０００７】上記のＳＱＵＩＤ２単体の磁束−電圧変換
率をｄＶ／ｄΦとするとき、ＡＰＦ回路を用いたときの
実効的な磁束−電圧変換率ｄＶ／ｄΦexは、下式
率をｄＶ／ｄΦとするとき、ＡＰＦ回路を用いたときの
実効的な磁束−電圧変換率ｄＶ／ｄΦexは、下式
【数１】 で表わされる。
【０００８】上式（１）において、βa は、下式
【数２】 で表わされ、Ｍa ／Ｒa に比例する係数となる。ここ
に、Ｍa は正帰還コイルＬa の相互インダクタンスであ
る。Ｍa ／Ｒa は正帰還量を表わしている。
に、Ｍa は正帰還コイルＬa の相互インダクタンスであ
る。Ｍa ／Ｒa は正帰還量を表わしている。
【０００９】また、ＳＱＵＩＤ電圧振幅は、下式
【数３】 で表わされることが知られている。
【００１０】上式（３）において、δΦn は、下式
【数４】 で表わされる。ここに、ｋB はボルツマン定数を、Ｔは
絶対温度を、Ｌs はＳＱＵＩＤ２のインダクタンス値
を、それぞれ表わしている。
絶対温度を、Ｌs はＳＱＵＩＤ２のインダクタンス値
を、それぞれ表わしている。
【００１１】上式（３），（４）は、式（４）の全磁束
ノイズδΦn が上昇すると、ＳＱＵＩＤ電圧振幅ｄＶが
小さくなることを示している。
ノイズδΦn が上昇すると、ＳＱＵＩＤ電圧振幅ｄＶが
小さくなることを示している。
【００１２】また、上記のＡＰＦ回路と上記のＡＢＣＦ
法とを組み合せた場合の構成を図４に示す。図に示すよ
うに、抵抗Ｒa 及びインダクタンスＬi からなるＡＰＦ
回路に加え、ＳＱＵＩＤ２のバイアス電流の注入位置及
びＳＱＵＩＤ出力電圧の取り出し位置がＳＱＵＩＤ２の
インダクタンスＬs に対して非対称になるように構成さ
れている。
法とを組み合せた場合の構成を図４に示す。図に示すよ
うに、抵抗Ｒa 及びインダクタンスＬi からなるＡＰＦ
回路に加え、ＳＱＵＩＤ２のバイアス電流の注入位置及
びＳＱＵＩＤ出力電圧の取り出し位置がＳＱＵＩＤ２の
インダクタンスＬs に対して非対称になるように構成さ
れている。
【００１３】このような構成においては、ＡＰＦのない
ときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖoに対するＡＰＦのあ
るときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖs の比Ｖs ／Ｖo
は、下式
ときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖoに対するＡＰＦのあ
るときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖs の比Ｖs ／Ｖo
は、下式
【数５】 で表わされる。
【００１４】また、上式（５）において、δΦa は、下
式
式
【数６】 で表わされる。ここに、ｋB はボルツマン定数を、Ｔは
絶対温度を、Ｌs はＳＱＵＩＤ２のインダクタンス値
を、Ｒs はシャント抵抗値を、それぞれ表わしている。
絶対温度を、Ｌs はＳＱＵＩＤ２のインダクタンス値
を、Ｒs はシャント抵抗値を、それぞれ表わしている。
【００１５】上式（５），（６）から、比Ｒs ／Ｒa が
大きくなるにつれδΦa が大きくなり、その結果、ＡＰ
ＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖo に対するＡ
ＰＦのあるときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖs の比Ｖs
／Ｖo が小さくなってしまう。これは、ＡＰＦ回路内の
抵抗Ｒa が発生する電流性ノイズ（熱雑音）がＳＱＵＩ
Ｄループに直接流れ込み、それがノイズ源となってＳＱ
ＵＩＤ出力電圧振幅を小さくさせるからである。
大きくなるにつれδΦa が大きくなり、その結果、ＡＰ
ＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖo に対するＡ
ＰＦのあるときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖs の比Ｖs
／Ｖo が小さくなってしまう。これは、ＡＰＦ回路内の
抵抗Ｒa が発生する電流性ノイズ（熱雑音）がＳＱＵＩ
Ｄループに直接流れ込み、それがノイズ源となってＳＱ
ＵＩＤ出力電圧振幅を小さくさせるからである。
【００１６】そこで、本発明では、図１の実施例に示す
ように、ＳＱＵＩＤ２のバイアス電流の注入位置及びＳ
ＱＵＩＤ出力電圧の取り出し位置はＳＱＵＩＤ２のイン
ダクタンスに対して非対称形となっているものの、抵抗
Ｒa 及びインダクタンスＬiからなるＡＰＦ回路の取り
出し口をＳＱＵＩＤ２のインダクタンスに対し左右対称
形になるように構成している。
ように、ＳＱＵＩＤ２のバイアス電流の注入位置及びＳ
ＱＵＩＤ出力電圧の取り出し位置はＳＱＵＩＤ２のイン
ダクタンスに対して非対称形となっているものの、抵抗
Ｒa 及びインダクタンスＬiからなるＡＰＦ回路の取り
出し口をＳＱＵＩＤ２のインダクタンスに対し左右対称
形になるように構成している。
【００１７】このように構成することにより、ＡＰＦ回
路の取り出し口が左右対称であることから、ＡＰＦ回路
からの電流性ノイズが打ち消され、抵抗Ｒa が発生する
熱雑音の影響がなくなる。その結果、抵抗Ｒa のノイズ
によるＳＱＵＩＤ２の出力電圧振幅の低下は解消され
る。
路の取り出し口が左右対称であることから、ＡＰＦ回路
からの電流性ノイズが打ち消され、抵抗Ｒa が発生する
熱雑音の影響がなくなる。その結果、抵抗Ｒa のノイズ
によるＳＱＵＩＤ２の出力電圧振幅の低下は解消され
る。
【００１８】図２は、ＡＰＦ回路の取り出し口を非対称
形としたときと対称形としたときのＳＱＵＩＤ出力電圧
比を比較した実測結果グラフである。ここに、横軸は抵
抗値Ｒa をＳＱＵＩＤ出力端から見たＳＱＵＩＤのダイ
ナミック抵抗Ｒdyn で規格化した抵抗値であり、縦軸は
ＡＰＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖo ＝１と
したときのＡＰＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅
Ｖo に対するＡＰＦのあるときのＳＱＵＩＤ出力電圧振
幅Ｖs の比Ｖs ／Ｖo である。
形としたときと対称形としたときのＳＱＵＩＤ出力電圧
比を比較した実測結果グラフである。ここに、横軸は抵
抗値Ｒa をＳＱＵＩＤ出力端から見たＳＱＵＩＤのダイ
ナミック抵抗Ｒdyn で規格化した抵抗値であり、縦軸は
ＡＰＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅Ｖo ＝１と
したときのＡＰＦのないときのＳＱＵＩＤ出力電圧振幅
Ｖo に対するＡＰＦのあるときのＳＱＵＩＤ出力電圧振
幅Ｖs の比Ｖs ／Ｖo である。
【００１９】図２に示すように、ＡＰＦ回路の取り出し
口を非対称形としたとき（曲線ｂ〜ｄ）に比べ、ＡＰＦ
回路の取り出し口を対称形としたとき（曲線ａ）の方
が、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅は高い値を示しており、Ｓ
ＱＵＩＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ回路を組み合せて、Ａ
ＰＦ回路内の抵抗を小さくしても、ＳＱＵＩＤ出力電圧
振幅の低下を防止することができることを示している。
口を非対称形としたとき（曲線ｂ〜ｄ）に比べ、ＡＰＦ
回路の取り出し口を対称形としたとき（曲線ａ）の方
が、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅は高い値を示しており、Ｓ
ＱＵＩＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ回路を組み合せて、Ａ
ＰＦ回路内の抵抗を小さくしても、ＳＱＵＩＤ出力電圧
振幅の低下を防止することができることを示している。
【００２０】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明によれば、ＡＰＦ回路とＳＱＵＩＤを結線する結
合口をＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して対称系とな
り、バイアス電流注入口とＳＱＵＩＤ電圧取り出し口を
ＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して非対称系となる。
このような構成とすると、ＳＱＵＩＤインダクタンスの
対称性により、ＡＰＦ回路からの電流性ノイズは打ち消
しあう。その結果、ＳＱＵＩＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ
回路を組み合せてにおいて、ＡＰＦ回路内の抵抗を小さ
くしても、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅の低下を防止するこ
とができる、という利点がある。
本発明によれば、ＡＰＦ回路とＳＱＵＩＤを結線する結
合口をＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して対称系とな
り、バイアス電流注入口とＳＱＵＩＤ電圧取り出し口を
ＳＱＵＩＤのインダクタンスに対して非対称系となる。
このような構成とすると、ＳＱＵＩＤインダクタンスの
対称性により、ＡＰＦ回路からの電流性ノイズは打ち消
しあう。その結果、ＳＱＵＩＤでのＡＢＣＦ法とＡＰＦ
回路を組み合せてにおいて、ＡＰＦ回路内の抵抗を小さ
くしても、ＳＱＵＩＤ出力電圧振幅の低下を防止するこ
とができる、という利点がある。
【図１】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の一実施例の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図２】図１に示すＳＱＵＩＤ磁束計の動作を示す図で
ある。
ある。
【図３】ＡＰＦ回路の原理を説明する図である。
【図４】ＡＰＦ回路にＡＢＣＦ法を組み合せた場合の構
成を示す図である。
成を示す図である。
１Ａ，１Ｂ ＳＱＵＩＤ磁束計 ２ ＳＱＵＩＤ ３Ａ，３Ｂ ＡＰＦ回路 ４ 増幅器 Ｊ1 ，Ｊ2 ジョセフソン接合 Ｌi 正帰還コイル Ｌf 負帰還コイル Ｌs ＳＱＵＩＤインダクタンス Ｒa ，Ｒb ，Ｒf ，Ｒs 抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 相互インダクタンスによりＳＱＵＩＤに
正帰還を付与する正帰還コイルを含む正帰還回路を有す
るとともに、非対称バイアス電流注入口を有するＳＱＵ
ＩＤ磁束計であって、 前記正帰還回路の接続点を、前記ＳＱＵＩＤに対して対
称位置に設けたことを特徴とするＳＱＵＩＤ磁束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180409A JP2604326B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180409A JP2604326B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829508A true JPH0829508A (ja) | 1996-02-02 |
| JP2604326B2 JP2604326B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16082751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6180409A Expired - Lifetime JP2604326B2 (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604326B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104698405A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器 |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP6180409A patent/JP2604326B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104698405A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器 |
| CN104698405B (zh) * | 2013-12-05 | 2017-11-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 读出电路及所适用的双级的超导量子干涉传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2604326B2 (ja) | 1997-04-30 |
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