JPH0829445A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH0829445A JPH0829445A JP18384394A JP18384394A JPH0829445A JP H0829445 A JPH0829445 A JP H0829445A JP 18384394 A JP18384394 A JP 18384394A JP 18384394 A JP18384394 A JP 18384394A JP H0829445 A JPH0829445 A JP H0829445A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 重錘体および台座を構成する母材とダイアフ
ラム部材との接合の際の高精度な位置合せを不要とし、
また、ダイアフラム部材との接合前の母材の損傷防止を
図る。 【構成】 重錘体5および台座6を構成する母材20に
浅い第1の分離溝24を形成し、母材20とダイアフラ
ム部材4とを接合した後、重錘体5の重心がダイアフラ
ム部材4の中心直下にくるように第2の分離溝29のダ
イシング位置を調整し、母材20の下面から第1の分離
溝24に連通するように第2の分離溝29をダイシング
形成する。これにより、ダイシングソーの位置決めで重
錘体5の重心合せを行ない、また、母材20に第1の分
離溝24を浅く形成することでその損傷防止を図る。
ラム部材との接合の際の高精度な位置合せを不要とし、
また、ダイアフラム部材との接合前の母材の損傷防止を
図る。 【構成】 重錘体5および台座6を構成する母材20に
浅い第1の分離溝24を形成し、母材20とダイアフラ
ム部材4とを接合した後、重錘体5の重心がダイアフラ
ム部材4の中心直下にくるように第2の分離溝29のダ
イシング位置を調整し、母材20の下面から第1の分離
溝24に連通するように第2の分離溝29をダイシング
形成する。これにより、ダイシングソーの位置決めで重
錘体5の重心合せを行ない、また、母材20に第1の分
離溝24を浅く形成することでその損傷防止を図る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサの製
造方法に関する。
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のセンサは、図6に示すように、
中央部分に作用部1を有しその周囲に可撓部2を介して
固定部3が形成されたシリコンからなるダイアフラム部
材4と、上面の中央部分がダイアフラム部材4の作用部
1に接合されて懸垂保持されたガラスからなる重錘体5
と、重錘体5の外周囲に離間して設けられ上面がダイア
フラム部材4の固定部3に接合された重錘体5と同一材
質の台座6と、台座6の下面に接合された基板7とを有
している。このような構成の半導体加速度センサは、作
用する加速度に応じて重錘体5が変位し、この変位によ
ってダイアフラム部材が歪み、この歪みをピエゾ効果を
利用して検知して作用した加速度を検出する。特開平4
−84725号公報に記載の抵抗素子を用いたセンサ
は、この種のセンサの一例である。
中央部分に作用部1を有しその周囲に可撓部2を介して
固定部3が形成されたシリコンからなるダイアフラム部
材4と、上面の中央部分がダイアフラム部材4の作用部
1に接合されて懸垂保持されたガラスからなる重錘体5
と、重錘体5の外周囲に離間して設けられ上面がダイア
フラム部材4の固定部3に接合された重錘体5と同一材
質の台座6と、台座6の下面に接合された基板7とを有
している。このような構成の半導体加速度センサは、作
用する加速度に応じて重錘体5が変位し、この変位によ
ってダイアフラム部材が歪み、この歪みをピエゾ効果を
利用して検知して作用した加速度を検出する。特開平4
−84725号公報に記載の抵抗素子を用いたセンサ
は、この種のセンサの一例である。
【0003】図7および図8は従来のこの種のセンサの
製造工程を説明するための説明図である。先ず、図7に
示すように、重錘体5および台座6を構成するガラスか
らなる母材8の上面に、エッチング等によって凹部9が
形成され、これによって、ダイアフラム部材4に対する
重錘体5の接合面10および台座6の接合面11が形成
される。その後、ダイシングソーによって母材8の上面
から下面に向かって第1の分離溝12がダイシング形成
され、重錘体5と台座6とが画定される。第1の分離溝
12は、母材8の下部に残される残部tが300μm程
度となるように、深溝に形成される。母材8の厚さは1
000〜2000μm程度であるので、残部tは母材8
の厚さに対してかなり薄くなる。次に、図8に示すよう
に、作用部1,可撓部2および固定部3が形成されたダ
イアフラム部材4が、作用部1が重錘体5の接合面10
に、固定部3が台座6の接合面11に夫々接合される。
重錘体5は、その重心がダイアフラム部材4の中心直下
となるようにダイアフラム部材4と母材8との間の高精
度の位置合せを介して、ダイアフラム部材4の作用部1
に接合される。重錘体5の重心とダイアフラム部材4の
中心とを合せるのは他軸感度をより低減するためであ
る。その後、母材8の下面から、第1の分離溝12に連
通するように、第2の分離溝13がダイシング形成され
て、重錘体5と台座6とが分離される。これによって、
重錘体5がダイアフラム部材4に宙吊り状態に懸垂保持
される。
製造工程を説明するための説明図である。先ず、図7に
示すように、重錘体5および台座6を構成するガラスか
らなる母材8の上面に、エッチング等によって凹部9が
形成され、これによって、ダイアフラム部材4に対する
重錘体5の接合面10および台座6の接合面11が形成
される。その後、ダイシングソーによって母材8の上面
から下面に向かって第1の分離溝12がダイシング形成
され、重錘体5と台座6とが画定される。第1の分離溝
12は、母材8の下部に残される残部tが300μm程
度となるように、深溝に形成される。母材8の厚さは1
000〜2000μm程度であるので、残部tは母材8
の厚さに対してかなり薄くなる。次に、図8に示すよう
に、作用部1,可撓部2および固定部3が形成されたダ
イアフラム部材4が、作用部1が重錘体5の接合面10
に、固定部3が台座6の接合面11に夫々接合される。
重錘体5は、その重心がダイアフラム部材4の中心直下
となるようにダイアフラム部材4と母材8との間の高精
度の位置合せを介して、ダイアフラム部材4の作用部1
に接合される。重錘体5の重心とダイアフラム部材4の
中心とを合せるのは他軸感度をより低減するためであ
る。その後、母材8の下面から、第1の分離溝12に連
通するように、第2の分離溝13がダイシング形成され
て、重錘体5と台座6とが分離される。これによって、
重錘体5がダイアフラム部材4に宙吊り状態に懸垂保持
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような製造方法に
よれば、重錘体とダイアフラム部材との接合の際に重錘
体の重心とダイアフラム部材の中心との間の位置合せを
他軸感度低減の観点から高精度で行なう必要があるの
で、重錘体とダイアフラム部材との接合の容易性を欠
き、また、高精度の位置決め機能をもった接合装置を必
要とするためにコスト高になるなるなどの問題がある。
更に、重錘体および台座を構成する母材に深溝を入れる
ので、ダイアフラム部材との接合前のハンドリング時等
に母材を破損するおそれが大きいという問題がある。
よれば、重錘体とダイアフラム部材との接合の際に重錘
体の重心とダイアフラム部材の中心との間の位置合せを
他軸感度低減の観点から高精度で行なう必要があるの
で、重錘体とダイアフラム部材との接合の容易性を欠
き、また、高精度の位置決め機能をもった接合装置を必
要とするためにコスト高になるなるなどの問題がある。
更に、重錘体および台座を構成する母材に深溝を入れる
ので、ダイアフラム部材との接合前のハンドリング時等
に母材を破損するおそれが大きいという問題がある。
【0005】本発明は上記観点に基づいてなされたもの
で、その目的は、重錘体とダイアフラム部材との接合の
際に重錘体の重心とダイアフラム部材の中心との間の位
置合せを高精度で行なう必要がなく、また、ダイアフラ
ム部材との接合前の母材の損傷防止にも寄与する半導体
加速度センサの製造方法を提供することにある。
で、その目的は、重錘体とダイアフラム部材との接合の
際に重錘体の重心とダイアフラム部材の中心との間の位
置合せを高精度で行なう必要がなく、また、ダイアフラ
ム部材との接合前の母材の損傷防止にも寄与する半導体
加速度センサの製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明においては、重錘
体および台座を構成する母材の一面に、凹部を形成する
ことによって前記重錘体の接合面および前記台座の接合
面を形成すると共に、前記母材の一面から他面に向って
前記重錘体と前記台座とを画定する第1の分離溝を形成
し、中央部分に作用部が形成されその周囲に可撓部を介
して固定部が形成されたダイアフラム部材を、前記重錘
体の接合面が前記作用部に接合され、前記台座の接合面
が前記固定部に接合されるように、前記母材と位置合せ
して前記母材に接合し、前記母材の他面から前記第1の
分離溝に連通するように第2の分離溝をダイシング形成
することによって前記重錘体と前記台座とを分離する半
導体加速度センサの製造方法において、前記第1の分離
溝を、前記第2の分離溝のダイシング時にダイシングソ
ーが前記ダイアフラム部材に損傷を与えない程度に浅く
形成し、前記ダイアフラム部材と前記母材とを接合した
後、前記重錘体の重心が前記ダイアフラム部材の中心直
下にくるように前記第2の分離溝のダイシング位置を調
整して、前記第2の分離溝をダイシング形成するように
した半導体加速度センサの製造方法によって、上記目的
を達成する。
体および台座を構成する母材の一面に、凹部を形成する
ことによって前記重錘体の接合面および前記台座の接合
面を形成すると共に、前記母材の一面から他面に向って
前記重錘体と前記台座とを画定する第1の分離溝を形成
し、中央部分に作用部が形成されその周囲に可撓部を介
して固定部が形成されたダイアフラム部材を、前記重錘
体の接合面が前記作用部に接合され、前記台座の接合面
が前記固定部に接合されるように、前記母材と位置合せ
して前記母材に接合し、前記母材の他面から前記第1の
分離溝に連通するように第2の分離溝をダイシング形成
することによって前記重錘体と前記台座とを分離する半
導体加速度センサの製造方法において、前記第1の分離
溝を、前記第2の分離溝のダイシング時にダイシングソ
ーが前記ダイアフラム部材に損傷を与えない程度に浅く
形成し、前記ダイアフラム部材と前記母材とを接合した
後、前記重錘体の重心が前記ダイアフラム部材の中心直
下にくるように前記第2の分離溝のダイシング位置を調
整して、前記第2の分離溝をダイシング形成するように
した半導体加速度センサの製造方法によって、上記目的
を達成する。
【0007】上記方法において、前記ダイアフラム部材
と前記母材とを、所定角度のアングル部材を用いて位置
合せすることができる。
と前記母材とを、所定角度のアングル部材を用いて位置
合せすることができる。
【0008】上記方法において、前記第1の分離溝の深
さを、前記母材の厚さの50%以内になるように設定す
ることができる。
さを、前記母材の厚さの50%以内になるように設定す
ることができる。
【0009】上記方法において、前記母材の厚さを10
00〜2000μmとし、前記第1の分離溝の深さを1
00〜200μmとすることができる。
00〜2000μmとし、前記第1の分離溝の深さを1
00〜200μmとすることができる。
【0010】上記方法において、前記第2の分離溝のダ
イシング位置を、前記ダイアフラム部材の中心を示すア
ライメントマークを基準として、前記重錘体の重心が前
記ダイアフラム部材の中心直下にくるように調整するこ
とができる。
イシング位置を、前記ダイアフラム部材の中心を示すア
ライメントマークを基準として、前記重錘体の重心が前
記ダイアフラム部材の中心直下にくるように調整するこ
とができる。
【0011】
【作用】本発明によれば、重錘体および台座を構成する
母材に浅い第1の分離溝を形成し、母材とダイアフラム
部材とを接合した後、重錘体の重心がダイアフラム部材
の中心直下にくるように第2の分離溝のダイシング位置
を調整して、第2の分離溝をダイシング形成するので、
ダイシングソーの位置決めでダイアフラム部材の中心直
下に重錘体の中心がくるように位置合せすることがで
き、重錘体とダイアフラム部材との接合の際には高精度
な位置合せを行なう必要がなくなる。また、母材に第1
の分離溝を浅く形成するので、ダイアフラム部材との接
合前のハンドリング時等において損傷するおそれを低減
することができる。
母材に浅い第1の分離溝を形成し、母材とダイアフラム
部材とを接合した後、重錘体の重心がダイアフラム部材
の中心直下にくるように第2の分離溝のダイシング位置
を調整して、第2の分離溝をダイシング形成するので、
ダイシングソーの位置決めでダイアフラム部材の中心直
下に重錘体の中心がくるように位置合せすることがで
き、重錘体とダイアフラム部材との接合の際には高精度
な位置合せを行なう必要がなくなる。また、母材に第1
の分離溝を浅く形成するので、ダイアフラム部材との接
合前のハンドリング時等において損傷するおそれを低減
することができる。
【0012】
【実施例】図1および図2は本発明の一実施例を示す工
程図で、図1は第1工程を、図2は第2工程を示してい
る。
程図で、図1は第1工程を、図2は第2工程を示してい
る。
【0013】図1の第1工程において、シリコンに接合
可能なガラスからなる重錘体5および台座6を構成する
母材20の上面に、エッチングによって凹部21が形成
され、これによって、ダイアフラム部材に対する重錘体
5の接合面22および台座6の接合面23が形成され
る。重錘体5の接合面22上には、重錘体5の重心位置
を示すアイメントマーク30が凹部21と同時にエッチ
ング形成される。その後、母材20の上面から下面に向
かって浅い第1の分離溝24が例えばダイシングソーに
よって形成され、重錘体5と台座6とが画定される。第
1の分離溝24の深さdは、この第1の分離溝24に連
通するように母材20の下面から上面に向かってダイシ
ング形成される後述の第2の分離溝29のダイシング時
に、ダイシングソーが母材20に接合されたダイアフラ
ム部材4に損傷を与えない程度の深さで、且つ、第2の
分離溝29のダイシング位置調整で重錘体5の重心位置
調整を行なうことができるように、従来に比べて極めて
浅く形成される。第1の分離溝24の深さdは、ダイシ
ングソーの切込み深さ精度等を考慮して、本例では10
0〜200μm程度に設定されている。母材20の厚さ
は1000〜2000μm程度であるので、第1の分離
溝24は母材20の厚さに対してかなり浅く形成される
こととなり、残される部分の肉厚がかなり厚くなる。第
1の分離溝24の深さdを100〜200μm程度し、
残される部分の肉厚をかなり厚くすることで、重錘体5
の重心位置の調整量を大きくとることができ、ダイアフ
ラム部材4の中心とのズレが大きい場合でも対応するこ
とができる。
可能なガラスからなる重錘体5および台座6を構成する
母材20の上面に、エッチングによって凹部21が形成
され、これによって、ダイアフラム部材に対する重錘体
5の接合面22および台座6の接合面23が形成され
る。重錘体5の接合面22上には、重錘体5の重心位置
を示すアイメントマーク30が凹部21と同時にエッチ
ング形成される。その後、母材20の上面から下面に向
かって浅い第1の分離溝24が例えばダイシングソーに
よって形成され、重錘体5と台座6とが画定される。第
1の分離溝24の深さdは、この第1の分離溝24に連
通するように母材20の下面から上面に向かってダイシ
ング形成される後述の第2の分離溝29のダイシング時
に、ダイシングソーが母材20に接合されたダイアフラ
ム部材4に損傷を与えない程度の深さで、且つ、第2の
分離溝29のダイシング位置調整で重錘体5の重心位置
調整を行なうことができるように、従来に比べて極めて
浅く形成される。第1の分離溝24の深さdは、ダイシ
ングソーの切込み深さ精度等を考慮して、本例では10
0〜200μm程度に設定されている。母材20の厚さ
は1000〜2000μm程度であるので、第1の分離
溝24は母材20の厚さに対してかなり浅く形成される
こととなり、残される部分の肉厚がかなり厚くなる。第
1の分離溝24の深さdを100〜200μm程度し、
残される部分の肉厚をかなり厚くすることで、重錘体5
の重心位置の調整量を大きくとることができ、ダイアフ
ラム部材4の中心とのズレが大きい場合でも対応するこ
とができる。
【0014】次に、図2の第2工程において、作用部
1,可撓部2および固定部3が形成されたシリコンから
なるダイアフラム部材4が、重錘体5の接合面22およ
び台座6の接合面23に陽極接合法によって接合され
る。ダイアフラム部材4は、下面にエッチングによって
環状の溝25を形成することによって、中央部分に肉厚
の作用部1が、この作用部1の周囲に肉薄の可撓部2
が、この可撓部2の周囲に肉厚の固定部3が夫々形成さ
れており、可撓部2が撓むことによって作用部1が固定
部3に対して変位するようになっている。ダイアフラム
部材4の作用部1の下面には、ダイアフラム部材4の中
心を示すアライメントマーク31が溝25と同時にエッ
チング形成される。母材20とダイアフラム部材4と
は、他軸感度低減の観点からダイアフラム部材4の作用
部1の中心直下に重錘体5の重心がくるように位置合せ
する必要があるが、従来のように高精度に位置合せする
必要はなく、例えば、図3および図4に示すアングル部
材による位置合せによって行なうことができる。
1,可撓部2および固定部3が形成されたシリコンから
なるダイアフラム部材4が、重錘体5の接合面22およ
び台座6の接合面23に陽極接合法によって接合され
る。ダイアフラム部材4は、下面にエッチングによって
環状の溝25を形成することによって、中央部分に肉厚
の作用部1が、この作用部1の周囲に肉薄の可撓部2
が、この可撓部2の周囲に肉厚の固定部3が夫々形成さ
れており、可撓部2が撓むことによって作用部1が固定
部3に対して変位するようになっている。ダイアフラム
部材4の作用部1の下面には、ダイアフラム部材4の中
心を示すアライメントマーク31が溝25と同時にエッ
チング形成される。母材20とダイアフラム部材4と
は、他軸感度低減の観点からダイアフラム部材4の作用
部1の中心直下に重錘体5の重心がくるように位置合せ
する必要があるが、従来のように高精度に位置合せする
必要はなく、例えば、図3および図4に示すアングル部
材による位置合せによって行なうことができる。
【0015】図3および図4は母材20とダイアフラム
部材4との間の位置合せの説明図である。図3におい
て、26は母材20が碁盤の目状に形成されたガラス板
ウエハ、27はダイアフラム部材4が碁盤の目状に形成
されたシリコンウエハである。ガラス板ウエハ26とシ
リコンウエハ27は、ガラス板ウエハ26に形成された
母材20のパターンとシリコンウエハ27に形成された
ダイアフラム部材4のパターンが一致するように、所定
角度(本例では90°)で交叉する破線のカットライン
a,bに沿ってダイシングソーによってカットされる。
次いで、図4に示すように、上記の所定角度に形成され
たアングル部材28の内側コーナーにカット面が当たる
ように、ガラス板ウエハ26とシリコンウエハ27とが
重ねられて位置合せが行なわれる。本発明者の実験によ
れば、このような位置合せによって20〜30μmの精
度が得られることが確認されている。他軸感度低減の観
点から要求されるダイアフラム部材4の中心と重錘体5
の重心との位置合せ精度の許容範囲は15μm以下であ
るから、従来においては母材とダイアフラム部材との接
合時にこの許容範囲を満足するように高精度の位置合せ
が必要となるが、本件発明では、上述のようなアングル
部材28を用いたある程度ラフな位置合せでよい。
部材4との間の位置合せの説明図である。図3におい
て、26は母材20が碁盤の目状に形成されたガラス板
ウエハ、27はダイアフラム部材4が碁盤の目状に形成
されたシリコンウエハである。ガラス板ウエハ26とシ
リコンウエハ27は、ガラス板ウエハ26に形成された
母材20のパターンとシリコンウエハ27に形成された
ダイアフラム部材4のパターンが一致するように、所定
角度(本例では90°)で交叉する破線のカットライン
a,bに沿ってダイシングソーによってカットされる。
次いで、図4に示すように、上記の所定角度に形成され
たアングル部材28の内側コーナーにカット面が当たる
ように、ガラス板ウエハ26とシリコンウエハ27とが
重ねられて位置合せが行なわれる。本発明者の実験によ
れば、このような位置合せによって20〜30μmの精
度が得られることが確認されている。他軸感度低減の観
点から要求されるダイアフラム部材4の中心と重錘体5
の重心との位置合せ精度の許容範囲は15μm以下であ
るから、従来においては母材とダイアフラム部材との接
合時にこの許容範囲を満足するように高精度の位置合せ
が必要となるが、本件発明では、上述のようなアングル
部材28を用いたある程度ラフな位置合せでよい。
【0016】このような位置合せ後、母材20の下面か
ら上面に向かって、浅い第1の分離溝24に連通し且つ
重錘体5の重心がダイアフラム部材4の作用部1の中心
直下にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を
調整して、第2の分離溝29のダイシングが行なわれ
る。ダイシングソーの位置割出し精度は±6μm程度で
あるので、極めて高精度な位置合せを行なうことができ
る。ダイアフラム部材4の中心と重錘体5の重心とがズ
レているか否かは、ダイアフラム部材4のアライメント
マーク31と重錘体5のアライメントマーク30との間
のズレから認識することができる。第2の分離溝29の
ダイシング位置調整は、ダイアフラム部材4のアライメ
ントマーク31を基準として、重錘体5の重心がダイア
フラム部材4の中心直下にくるように行なわれる。
ら上面に向かって、浅い第1の分離溝24に連通し且つ
重錘体5の重心がダイアフラム部材4の作用部1の中心
直下にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を
調整して、第2の分離溝29のダイシングが行なわれ
る。ダイシングソーの位置割出し精度は±6μm程度で
あるので、極めて高精度な位置合せを行なうことができ
る。ダイアフラム部材4の中心と重錘体5の重心とがズ
レているか否かは、ダイアフラム部材4のアライメント
マーク31と重錘体5のアライメントマーク30との間
のズレから認識することができる。第2の分離溝29の
ダイシング位置調整は、ダイアフラム部材4のアライメ
ントマーク31を基準として、重錘体5の重心がダイア
フラム部材4の中心直下にくるように行なわれる。
【0017】図5は第2の分離溝29のダイシング説明
図である。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘体5
の重心が図面右方向にずれている場合には、(a)に示
すように、重錘体5の重心がダイアフラム部材4の中心
にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を図面
左方向に調整して、第2の分離溝29がダイシング形成
される。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘体5の
重心がずれていない場合には、(b)に示すように、第
1の分離溝24に一致するように第2の分離溝29のダ
イシング位置を調整して、第2の分離溝29がダイシン
グ形成される。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘
体5の重心が図面左方向にずれている場合には、(c)
に示すように、重錘体5の重心がダイアフラム部材4の
中心にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を
図面右方向に調整して、第2の分離溝29がダイシング
形成される。ダイシングソーによって切削される溝幅が
例えば100μmとすると、重錘体5の調整幅として2
00μm程度得られることとなる。従って、母材20と
ダイアフラム部材4との位置合せでダイアフラム部材4
の中心と重錘体5の重心との間に30μm程度の誤差が
ある場合でも、ダイシング位置の調整で重錘体5の重心
とダイアフラム部材4の中心との誤差を他軸感度の許容
範囲内にすることができる。
図である。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘体5
の重心が図面右方向にずれている場合には、(a)に示
すように、重錘体5の重心がダイアフラム部材4の中心
にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を図面
左方向に調整して、第2の分離溝29がダイシング形成
される。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘体5の
重心がずれていない場合には、(b)に示すように、第
1の分離溝24に一致するように第2の分離溝29のダ
イシング位置を調整して、第2の分離溝29がダイシン
グ形成される。ダイアフラム部材4の中心に対して重錘
体5の重心が図面左方向にずれている場合には、(c)
に示すように、重錘体5の重心がダイアフラム部材4の
中心にくるように第2の分離溝29のダイシング位置を
図面右方向に調整して、第2の分離溝29がダイシング
形成される。ダイシングソーによって切削される溝幅が
例えば100μmとすると、重錘体5の調整幅として2
00μm程度得られることとなる。従って、母材20と
ダイアフラム部材4との位置合せでダイアフラム部材4
の中心と重錘体5の重心との間に30μm程度の誤差が
ある場合でも、ダイシング位置の調整で重錘体5の重心
とダイアフラム部材4の中心との誤差を他軸感度の許容
範囲内にすることができる。
【0018】このような製造方法によれば、ダイアフラ
ム部材4と母材20との接合時に高精度な位置合せを必
要とせず、ダイシングソーの位置決めでダイアフラム部
材4の中心直下に重錘体5の中心がくるように位置合せ
することができ、また、母材20には浅い第1の分離溝
24を形成するので、ダイアフラム部材20との接合前
の母材20のハンドリング時に母材20を損傷するおそ
れを低減することができる。
ム部材4と母材20との接合時に高精度な位置合せを必
要とせず、ダイシングソーの位置決めでダイアフラム部
材4の中心直下に重錘体5の中心がくるように位置合せ
することができ、また、母材20には浅い第1の分離溝
24を形成するので、ダイアフラム部材20との接合前
の母材20のハンドリング時に母材20を損傷するおそ
れを低減することができる。
【0019】上記実施例では第1の分離溝24の深さd
を100〜200μm程度としたが、第2の分離溝29
のダイシング位置調整で重錘体5の重心位置調整を行な
うことができればよく、母材20の厚さに対して50%
以内の深さとなるように第1の分離溝24をやや深く形
成してもよい。このようにやや深く形成すると、母材2
0の厚さに対して残される肉厚がより薄くなるので、重
錘体5の重心位置の調整量が小となる。
を100〜200μm程度としたが、第2の分離溝29
のダイシング位置調整で重錘体5の重心位置調整を行な
うことができればよく、母材20の厚さに対して50%
以内の深さとなるように第1の分離溝24をやや深く形
成してもよい。このようにやや深く形成すると、母材2
0の厚さに対して残される肉厚がより薄くなるので、重
錘体5の重心位置の調整量が小となる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、重
錘体および台座を構成する母材に浅い第1の分離溝を形
成し、母材をダイアフラム部材に接合した後、重錘体の
重心がダイアフラム部材の中心直下にくるように第2の
分離溝のダイシング位置を調整して、第2の分離溝をダ
イシング形成するようにしたので、ダイシングソーの位
置決めでダイアフラム部材の中心直下に重錘体の中心が
くるように位置合せすることができ、重錘体とダイアフ
ラム部材との接合の際には高精度な位置合せを行なう必
要がなくなり、また、母材に第1の分離溝を浅く形成す
るので、ダイアフラム部材との接合前の母材のハンドリ
ング時等において母材を損傷するおそれを低減すること
ができるなどの効果を奏する半導体加速度センサの製造
方法を提供することができる。
錘体および台座を構成する母材に浅い第1の分離溝を形
成し、母材をダイアフラム部材に接合した後、重錘体の
重心がダイアフラム部材の中心直下にくるように第2の
分離溝のダイシング位置を調整して、第2の分離溝をダ
イシング形成するようにしたので、ダイシングソーの位
置決めでダイアフラム部材の中心直下に重錘体の中心が
くるように位置合せすることができ、重錘体とダイアフ
ラム部材との接合の際には高精度な位置合せを行なう必
要がなくなり、また、母材に第1の分離溝を浅く形成す
るので、ダイアフラム部材との接合前の母材のハンドリ
ング時等において母材を損傷するおそれを低減すること
ができるなどの効果を奏する半導体加速度センサの製造
方法を提供することができる。
【図1】図1は本発明の一実施例を示す工程図で、第1
工程を示している。
工程を示している。
【図2】図2は本発明の一実施例を示す工程図で、第2
工程を示している。
工程を示している。
【図3】図3は図1および図2における母材とダイアフ
ラム部材との間の位置合せの説明図である。
ラム部材との間の位置合せの説明図である。
【図4】図4は図1および図2における母材とダイアフ
ラム部材との間の位置合せの説明図である。
ラム部材との間の位置合せの説明図である。
【図5】図5は図1および図2における第2の分離溝の
ダイシング説明図である。
ダイシング説明図である。
【図6】図6は半導体加速度センサの断面構成図であ
る。
る。
【図7】図7は従来の半導体加速度センサの製造工程を
説明するための説明図で、第1工程を示している。
説明するための説明図で、第1工程を示している。
【図8】図8は従来の半導体加速度センサの製造工程を
説明するための説明図で、第2工程をしめしている。
説明するための説明図で、第2工程をしめしている。
1 作用部 2 可撓部 3 固定部 4 ダイアフラム部材 5 重錘体 6 台座 20 母材 21 凹部 22 重錘体の接合面 23 台座の接合面 24 第1の分離溝 28 アングル部材 29 第2の分離溝 30 重錘体のアライメントマーク 31 ダイアフラム部材のアライメントマーク
Claims (5)
- 【請求項1】 重錘体および台座を構成する母材の一面
に、凹部を形成することによって前記重錘体の接合面お
よび前記台座の接合面を形成すると共に、前記母材の一
面から他面に向って前記重錘体と前記台座とを画定する
第1の分離溝を形成し、 中央部分に作用部が形成されその周囲に可撓部を介して
固定部が形成されたダイアフラム部材を、前記重錘体の
接合面が前記作用部に接合され、前記台座の接合面が前
記固定部に接合されるように、前記母材と位置合せして
前記母材に接合し、 前記母材の他面から前記第1の分離溝に連通するように
第2の分離溝をダイシング形成することによって前記重
錘体と前記台座とを分離する半導体加速度センサの製造
方法において、 前記第1の分離溝を、前記第2の分離溝のダイシング時
にダイシングソーが前記ダイアフラム部材に損傷を与え
ない程度に、且つ、前記第2の分離溝のダイシング位置
調整で前記重錘体の重心位置調整を行なうことができる
ように、浅く形成し、 前記ダイアフラム部材と前記母材とを接合した後、前記
重錘体の重心が前記ダイアフラム部材の中心直下にくる
ように前記第2の分離溝のダイシング位置を調整して、
前記第2の分離溝をダイシング形成するようにした半導
体加速度センサの製造方法。 - 【請求項2】 前記ダイアフラム部材と前記母材とを所
定角度のアングル部材を用いて位置合せする請求項1に
記載の半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項3】 前記第1の分離溝の深さを前記母材の厚
さの50%以内になるようにした請求項1に記載の半導
体加速度センサの製造方法。 - 【請求項4】 前記母材の厚さを1000〜2000μ
mとし、前記第1の分離溝の深さを100〜200μm
とした請求項1に記載の半導体加速度センサの製造方
法。 - 【請求項5】 前記第2の分離溝のダイシング位置が、
前記ダイアフラム部材の中心を示すアライメントマーク
を基準として、前記重錘体の重心が前記ダイアフラム部
材の中心直下にくるように調整される請求項1に記載の
半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18384394A JPH0829445A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18384394A JPH0829445A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0829445A true JPH0829445A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16142816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18384394A Pending JPH0829445A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0829445A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP18384394A patent/JPH0829445A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021094A (ja) * | 2012-07-24 | 2014-02-03 | Seiko Epson Corp | 物理量検出器の製造方法および物理量検出器、並びに電子機器および移動体 |
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