JPH08288588A - レーザーダイオードモジュール用パッケージ - Google Patents
レーザーダイオードモジュール用パッケージInfo
- Publication number
- JPH08288588A JPH08288588A JP9252895A JP9252895A JPH08288588A JP H08288588 A JPH08288588 A JP H08288588A JP 9252895 A JP9252895 A JP 9252895A JP 9252895 A JP9252895 A JP 9252895A JP H08288588 A JPH08288588 A JP H08288588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- metal frame
- ceramic plate
- laser diode
- diode module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のパッケージ自身が持つインダクタンス
成分を増加させる要因を無くし、高周波特性に優れたレ
ーザーダイオードモジュール用パッケージを提供する。 【構成】 表面に回路パターン及び裏面にメタライズ層
を有するセラミック板４と、セラミック板４が挿入され
る切欠部３を有する金属フレームのパッケージ本体１３
を備え、パッケージ本体１３が切欠部３下端から内側に
突き出た台部１２を有し、切欠部３に挿入したセラミッ
ク板４の金属フレーム内にある裏面全面が台部１２に接
合されているレーザーダイオードモジュール用パッケー
ジ。
成分を増加させる要因を無くし、高周波特性に優れたレ
ーザーダイオードモジュール用パッケージを提供する。 【構成】 表面に回路パターン及び裏面にメタライズ層
を有するセラミック板４と、セラミック板４が挿入され
る切欠部３を有する金属フレームのパッケージ本体１３
を備え、パッケージ本体１３が切欠部３下端から内側に
突き出た台部１２を有し、切欠部３に挿入したセラミッ
ク板４の金属フレーム内にある裏面全面が台部１２に接
合されているレーザーダイオードモジュール用パッケー
ジ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信に用いられるレ
ーザーダイオードモジュール用パッケージに関する。
ーザーダイオードモジュール用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高速レーザーダイオードモジュー
ル用パッケージは、図１及び図２に示すように、金属ベ
ース１に金属フレーム２を載せ、金属フレーム２の切欠
部３にアルミナ製のセラミック板４を挿入し、金属フレ
ーム２の上にシールリング５を載せて、それぞれをロウ
付けにより接合している。
ル用パッケージは、図１及び図２に示すように、金属ベ
ース１に金属フレーム２を載せ、金属フレーム２の切欠
部３にアルミナ製のセラミック板４を挿入し、金属フレ
ーム２の上にシールリング５を載せて、それぞれをロウ
付けにより接合している。
【０００３】セラミック板４の表面には複数のリードピ
ン６を接続するための回路パターン７が形成され、裏面
には全面にメタライズ層（図示せず）が施されている。
又、金属フレーム２には、レーザー光の照射窓を設ける
ためのパイプ８がロウ付けにより接合されている。
ン６を接続するための回路パターン７が形成され、裏面
には全面にメタライズ層（図示せず）が施されている。
又、金属フレーム２には、レーザー光の照射窓を設ける
ためのパイプ８がロウ付けにより接合されている。
【０００４】かかる従来のパッケージにおいては、金属
フレーム２及びシールリング５は、安価に形成するため
コバールや鉄ニッケル合金からなる矩形パイプを枠状に
切断して作製している。従って、図３に示すように、従
来の金属フレーム２は４側壁の肉厚が全て同じ厚さにな
っている。
フレーム２及びシールリング５は、安価に形成するため
コバールや鉄ニッケル合金からなる矩形パイプを枠状に
切断して作製している。従って、図３に示すように、従
来の金属フレーム２は４側壁の肉厚が全て同じ厚さにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の高速レ
ーザーダイオードモジュール用パッケージでは、その構
造にパッケージ自身のインダクタンス成分を増加させる
要因が２つ含まれ、これらが高速レーザーダイオードモ
ジュールの高周波特性を悪化させる原因となっていた。
ーザーダイオードモジュール用パッケージでは、その構
造にパッケージ自身のインダクタンス成分を増加させる
要因が２つ含まれ、これらが高速レーザーダイオードモ
ジュールの高周波特性を悪化させる原因となっていた。
【０００６】インダクタンス成分を増加させる第１の要
因は、リードピンから金属ベースに流れるグランド電流
の電流路が長いことによる、セラミック板の表面にメタ
ライズにより形成された回路パターンや裏面全面に形成
したメタライズ層のインダクタンスである。
因は、リードピンから金属ベースに流れるグランド電流
の電流路が長いことによる、セラミック板の表面にメタ
ライズにより形成された回路パターンや裏面全面に形成
したメタライズ層のインダクタンスである。
【０００７】即ち、図４に示すように、リードピン６の
うち電気的グランドとなる金属ベース１に導通している
グランドピンは、セラミック板４の側面に形成したボア
コート９で表面の回路パターン７と裏面のメタライズ層
１０を接続し、金属ベースにグランド電流を流してい
る。尚、セラミック板４には、これを金属フレーム２の
切欠部３に挿入したとき切欠部３を閉鎖するセラミック
部材１１が取り付つけてある。
うち電気的グランドとなる金属ベース１に導通している
グランドピンは、セラミック板４の側面に形成したボア
コート９で表面の回路パターン７と裏面のメタライズ層
１０を接続し、金属ベースにグランド電流を流してい
る。尚、セラミック板４には、これを金属フレーム２の
切欠部３に挿入したとき切欠部３を閉鎖するセラミック
部材１１が取り付つけてある。
【０００８】ところが、図２及び図４に図示し且つ前記
したように、金属フレーム２の側壁は全て同じ厚さで、
しかもセラミック板４の幅よりもはるかに薄いため、グ
ランド電流は図２に矢印で示すように、セラミック板４
上の回路パターン７からボアコート９を通り、更にセラ
ミック板４の裏面のメタライズ層１０を経由して金属フ
レーム２に流れるので電流路が極めて長くなり、この長
い電流路でのインダクタンスが問題となる。
したように、金属フレーム２の側壁は全て同じ厚さで、
しかもセラミック板４の幅よりもはるかに薄いため、グ
ランド電流は図２に矢印で示すように、セラミック板４
上の回路パターン７からボアコート９を通り、更にセラ
ミック板４の裏面のメタライズ層１０を経由して金属フ
レーム２に流れるので電流路が極めて長くなり、この長
い電流路でのインダクタンスが問題となる。
【０００９】又、インダクタンス成分を増加させる第２
の要因は、セラミック板のメタライズ層と導通する金属
フレームが、コバールや鉄ニッケル合金のような磁性を
持つ金属で構成されていることである。
の要因は、セラミック板のメタライズ層と導通する金属
フレームが、コバールや鉄ニッケル合金のような磁性を
持つ金属で構成されていることである。
【００１０】本発明は、かかる従来の事情に鑑み、従来
のパッケージ自身が持つインダクタンス成分を増加させ
る要因を無くし、高周波特性に優れたレーザーダイオー
ドモジュール用パッケージを提供することを目的とす
る。
のパッケージ自身が持つインダクタンス成分を増加させ
る要因を無くし、高周波特性に優れたレーザーダイオー
ドモジュール用パッケージを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、表面に回路パターン及び裏面に全面メタ
ライズが形成されるセラミック板と、該セラミック板が
挿入される切欠部を有する金属フレームとを備えたレー
ザーダイオードモジュール用パッケージにおいて、金属
フレームが少なくとも切欠部下端から金属フレーム内に
突き出た台部を有し、切欠部に挿入したセラミック板の
裏面が金属フレーム内部において前記台部に全面接合さ
れることを特徴とするレーザーダイオードモジュール用
パッケージを提供する。
め、本発明は、表面に回路パターン及び裏面に全面メタ
ライズが形成されるセラミック板と、該セラミック板が
挿入される切欠部を有する金属フレームとを備えたレー
ザーダイオードモジュール用パッケージにおいて、金属
フレームが少なくとも切欠部下端から金属フレーム内に
突き出た台部を有し、切欠部に挿入したセラミック板の
裏面が金属フレーム内部において前記台部に全面接合さ
れることを特徴とするレーザーダイオードモジュール用
パッケージを提供する。
【００１２】
【作用】本発明のレーザーダイオードモジュール用パッ
ケージにおいては、例えば図５及び図６に示すように、
金属フレーム２が少なくとも切欠部３の下端から金属フ
レーム２の内側に突き出た台部１２を有し、この台部１
２が切欠部３に挿入したセラミック板４の裏面（メタラ
イズ層１０が施してある）のうち金属フレーム２の内側
にある部分と全面で接合される。
ケージにおいては、例えば図５及び図６に示すように、
金属フレーム２が少なくとも切欠部３の下端から金属フ
レーム２の内側に突き出た台部１２を有し、この台部１
２が切欠部３に挿入したセラミック板４の裏面（メタラ
イズ層１０が施してある）のうち金属フレーム２の内側
にある部分と全面で接合される。
【００１３】尚、台部１２とセラミック板４の裏面は、
当該裏面のうち金属フレーム２の内側にある部分が全面
で接合されれば良く、従って図５及び図６に示すように
セラミック板４と台部１２の内側端縁が一致している場
合のほか、台部１２の内側端縁がセラミック板４の内側
端縁よりも内側に更に突き出ていても良い。
当該裏面のうち金属フレーム２の内側にある部分が全面
で接合されれば良く、従って図５及び図６に示すように
セラミック板４と台部１２の内側端縁が一致している場
合のほか、台部１２の内側端縁がセラミック板４の内側
端縁よりも内側に更に突き出ていても良い。
【００１４】その結果、図５に示すセラミック板４の表
面の回路パターン７からボアコート９に流れるグランド
電流は、図６に矢印で示すように、セラミック板４の裏
面のメタライズ層１０を経由することなく、殆どそのま
ま金属フレーム２及び金属ベース１に流れる。従って、
電流路が従来に比べて非常に短くなり、この間でのイン
ダクタンスが低減されるもである。
面の回路パターン７からボアコート９に流れるグランド
電流は、図６に矢印で示すように、セラミック板４の裏
面のメタライズ層１０を経由することなく、殆どそのま
ま金属フレーム２及び金属ベース１に流れる。従って、
電流路が従来に比べて非常に短くなり、この間でのイン
ダクタンスが低減されるもである。
【００１５】又、本発明のレーザーダイオードモジュー
ル用パターンでは、セラミック板のメタライズ層と導通
する金属フレームとして、非磁性材料であるＣｕ−Ｗ、
Ｃｕ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏのいずれかの合金を使用す
ることにより、更にインダクタンスを減少させることが
できる。
ル用パターンでは、セラミック板のメタライズ層と導通
する金属フレームとして、非磁性材料であるＣｕ−Ｗ、
Ｃｕ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏのいずれかの合金を使用す
ることにより、更にインダクタンスを減少させることが
できる。
【００１６】尚、金属フレームに一体的に設けられる台
板はもちろん上記非磁性材料の合金で構成されるが、金
属フレームと一体的に形成されるか否かに拘らず、金属
ベースも同様に上記非磁性材料の合金で形成することが
好ましい。
板はもちろん上記非磁性材料の合金で構成されるが、金
属フレームと一体的に形成されるか否かに拘らず、金属
ベースも同様に上記非磁性材料の合金で形成することが
好ましい。
【００１７】
【実施例】本発明例のレーザーダイオードモジュール用
パッケージとして、図５及び図６に示すように、金属ベ
ース１と金属フレーム２が一体的に形成され、更に金属
フレーム２の切欠部３の下端から金属フレーム２の内側
に突き出た台部１２を備えたパッケージ本体１３を、Ｃ
ｕ−Ｗ合金で作製した。
パッケージとして、図５及び図６に示すように、金属ベ
ース１と金属フレーム２が一体的に形成され、更に金属
フレーム２の切欠部３の下端から金属フレーム２の内側
に突き出た台部１２を備えたパッケージ本体１３を、Ｃ
ｕ−Ｗ合金で作製した。
【００１８】このパッケージ本体１３の対向した２つの
切欠部３に、図４に示すセラミック板４をそれぞれ挿入
した。セラミック板４の表面には、回路パターン７が形
成され、複数のリードピン６が接続されると共に、セラ
ミック板４を切欠部３に挿入したとき該切欠部３を閉鎖
するセラミック部材１１が取り付つけてある。又、セラ
ミック板４の裏面には、全面にメタライズ層１０が形成
され、リードピン６のうちのグランドピンについてはボ
アコート９によりメタライズ層１０と導通されている。
切欠部３に、図４に示すセラミック板４をそれぞれ挿入
した。セラミック板４の表面には、回路パターン７が形
成され、複数のリードピン６が接続されると共に、セラ
ミック板４を切欠部３に挿入したとき該切欠部３を閉鎖
するセラミック部材１１が取り付つけてある。又、セラ
ミック板４の裏面には、全面にメタライズ層１０が形成
され、リードピン６のうちのグランドピンについてはボ
アコート９によりメタライズ層１０と導通されている。
【００１９】更に、切欠部３に挿入したセラミック板４
の裏面のメタライズ層１０は、金属フレーム２の内部に
挿入された部分が台部１２と全面で接合されている。こ
のセラミック板４を挿入した金属フレーム２の上に更に
シールリング５を載せ、必要箇所をロウ付けして接合
し、図１のごとくパッケージを組み立てた。
の裏面のメタライズ層１０は、金属フレーム２の内部に
挿入された部分が台部１２と全面で接合されている。こ
のセラミック板４を挿入した金属フレーム２の上に更に
シールリング５を載せ、必要箇所をロウ付けして接合
し、図１のごとくパッケージを組み立てた。
【００２０】比較のために、図２及び図３に示す構造の
レーザーダイオードモジュール用パッケージを組み立て
た。この従来例のパッケージでは、コバールからなる金
属ベース１と金属フレーム２を接合し、金属フレーム２
はコバールの矩形パイプを枠状に切断して作製した。
レーザーダイオードモジュール用パッケージを組み立て
た。この従来例のパッケージでは、コバールからなる金
属ベース１と金属フレーム２を接合し、金属フレーム２
はコバールの矩形パイプを枠状に切断して作製した。
【００２１】従って、金属フレーム２の側壁は全て同じ
厚さで、セラミック板４の幅よりもはるかに薄くなって
いるが、その他の構造は上記本発明例のパッケージと同
様である。
厚さで、セラミック板４の幅よりもはるかに薄くなって
いるが、その他の構造は上記本発明例のパッケージと同
様である。
【００２２】これら２つのパッケージについて、ボアコ
ートで金属ベースと電気的に接続されているリードピン
（グランドピン）と金属ベースとの間のインダクタンス
を測定したところ、従来例のパッケージでは１０ｎＨで
あったのに対して、本発明例のパッケージでは５ｎＨと
大幅に改善されていることが判った。
ートで金属ベースと電気的に接続されているリードピン
（グランドピン）と金属ベースとの間のインダクタンス
を測定したところ、従来例のパッケージでは１０ｎＨで
あったのに対して、本発明例のパッケージでは５ｎＨと
大幅に改善されていることが判った。
【００２３】尚、上記実施例では金属ベースと金属フレ
ームを一体的に形成した例を示したが、両者を別々に形
成しても良いことは言うまでもない。
ームを一体的に形成した例を示したが、両者を別々に形
成しても良いことは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージの構造の改
良によって、従来のパッケージよりもインダクタンスを
大幅に低減させ、更にパッケージの金属部分をＣｕ−Ｗ
合金などの非磁性材料にすることにより、一層インダク
タンスを減少させることができる。従って、特に高速で
の光通信に好適な、高周波特性に優れたレーザーダイオ
ードモジュール用パッケージを提供することができる。
良によって、従来のパッケージよりもインダクタンスを
大幅に低減させ、更にパッケージの金属部分をＣｕ−Ｗ
合金などの非磁性材料にすることにより、一層インダク
タンスを減少させることができる。従って、特に高速で
の光通信に好適な、高周波特性に優れたレーザーダイオ
ードモジュール用パッケージを提供することができる。
【図１】一般的なレーザーダイオードモジュール用パッ
ケージの概略平面図である。
ケージの概略平面図である。
【図２】従来のパッケージの概略断面図である。
【図３】従来のパッケージの金属フレームと金属ベース
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】回路パターンを形成したセラミック板の概略の
斜視図である。
斜視図である。
【図５】本発明による金属フレームと金属ベースを一体
形成したパッケージ本体の一具体例を示す概略の斜視図
である。
形成したパッケージ本体の一具体例を示す概略の斜視図
である。
【図６】本発明のパッケージの一具体例を示す概略断面
図である。
図である。
１ 金属ベース ２ 金属フレーム ３ 切欠部 ４ セラミック板 ５ シールリング ６ リードピン ７ 回路パターン ８ パイプ ９ ボアコート １０ メタライズ層 １１ セラミック部材 １２ 台部 １３ パッケージ本体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 智司 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に回路パターン及び裏面に全面メタ
ライズが形成されるセラミック板と、該セラミック板が
挿入される切欠部を有する金属フレームとを備えたレー
ザーダイオードモジュール用パッケージにおいて、金属
フレームが少なくとも切欠部下端から金属フレーム内に
突き出た台部を有し、切欠部に挿入したセラミック板の
裏面が金属フレーム内部において前記台部に全面接合さ
れることを特徴とする前記レーザーダイオードモジュー
ル用パッケージ。 - 【請求項２】 台部を含む金属フレームが、Ｃｕ−Ｗ、
Ｃｕ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ−Ｍｏのいずれかの合金からなる
ことを特徴とする、請求項１に記載のレーザーダイオー
ドモジュール用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9252895A JPH08288588A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | レーザーダイオードモジュール用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9252895A JPH08288588A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | レーザーダイオードモジュール用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288588A true JPH08288588A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14056856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9252895A Pending JPH08288588A (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | レーザーダイオードモジュール用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599034B2 (en) | 2000-09-04 | 2003-07-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sealed airtight container for optical-semiconductors and optical-semiconductors module |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP9252895A patent/JPH08288588A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599034B2 (en) | 2000-09-04 | 2003-07-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sealed airtight container for optical-semiconductors and optical-semiconductors module |
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