JPS58190045A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用パツケ−ジ

Info

Publication number
JPS58190045A
JPS58190045A JP57073079A JP7307982A JPS58190045A JP S58190045 A JPS58190045 A JP S58190045A JP 57073079 A JP57073079 A JP 57073079A JP 7307982 A JP7307982 A JP 7307982A JP S58190045 A JPS58190045 A JP S58190045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulator
metal base
conductive film
base material
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57073079A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Yamamura
山村　栄志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57073079A priority Critical patent/JPS58190045A/ja
Publication of JPS58190045A publication Critical patent/JPS58190045A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、高速ディジタル回路半導体チップ等を収容す
るのに好適な半導体装置用パッケージに関する。　　　
　゛ 従来技術と問題点 従来、半導体装置用パッケージの入出力端子部分として
、第１図に見られるようなものが知られている。
図に於て、■は銅などの金属基体、２はアルミナ・セラ
ミック等の絶縁物板、３ばメタライズな（１） どに依り形成された導電膜端子をそれぞれ示す。
この種のパッケージでは、限られたスペースに多くの入
出力端子、例えば６〜４０もの端子を形成しなければな
らないので、それ等端子間の結合、即ら、り１′−１ス
・１−−りが問題になることが多い。
因に、高速ディジタル１１！１路では、現在、ＧａＡｓ
糸を中心としてＳｔ糸のものでもＧ　Ｉｌｚ帯で動作す
るものが現われている。
発明の目的 本発明は、多数の入出力端子が形成されてい７も、端子
間のクロス・トークがないようにした半導体装置用パッ
ケージを提供しようとするものである。
発明の実施例 第２図は、本発明−実施例の要部斜面図である。
図に於いて、１１は板状の金属基体、１２は金属基体１
１に形成した溝、１３は１ｌｉ１２に埋め込まれたアル
ミナ・セラミック等の絶縁体、１４は絶縁体１３の表面
に形成されたメタライズ膜等の導電膜端子をそれぞれ示
している。
（２） この構成に依れば、導電膜端子１４は絶縁体１３を介し
て金属基体１１に囲まれた構造になっていて、金属基体
１１は通常アース電位に保持されるのものであるから、
それに依るシールド効果が生ずるため、端子間のクロス
・トークは起きない。
第３図は、本発明一実施例の要部斜面図であり、第２図
に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである
。
図に於けるＩＩＡは金属基体１１に形成された凹所であ
り、その深さは、そこに配置される半導体チップの厚さ
と略同じとする。凹所１１八内に絶縁板を配置する場合
は、該絶縁板と半導体チップの厚さを考慮して凹所１１
Ａの深さを定めれば良い。また、凹所１１八に半導体チ
ップを配設した場合、該半導体チップのボンディング・
バンドと各導電膜端子１４とはリード・ボンディングす
る。その後、適当な蓋体を固着するか、要すれば、樹脂
モールドを行なうものとする。
尚、溝１２に絶縁体１３を埋め込むには、絶縁体１３の
両側面及び下面にメタライズ膜を形成しておき、（３） それを金属基体１１のｙＪｓＩ２内に融着すれば良い。
発明の効果 本発明パッケージは、金属基体に形成された溝に絶縁体
を埋め込み、その絶縁体の表面に導電膜端子を形成した
構造になっているので、入出力端子である導電膜端子は
通常アース電位に維持される金属基体でシールドされた
かたちとなり、導電膜端子間にり１１ス・１・−りは発
生しない。
従って、このパッケージは、高速ディジタル回路など限
られたスペースに多数の端子を形成しなりればならなむ
曹１そ導体装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の要部斜面図、第２図は本発明一実施例
の要部斜面図、第３図は本発明一実施例の要部斜面図で
ある。 図に於いて、１１は金属基体、１２は溝、ｌ３は絶縁体
、１４は導電膜端子である。 （４）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入出力端子を延在させる方向に溝が設けられた金属基体
    、前記溝を埋める絶縁体、該絶縁体表面に前記溝のエツ
    ジから離して形成した導電膜端子を備えてなることを特
    徴とする半導体装置用パッケージ。
JP57073079A 1982-04-30 1982-04-30 半導体装置用パツケ−ジ Pending JPS58190045A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57073079A JPS58190045A (ja) 1982-04-30 1982-04-30 半導体装置用パツケ−ジ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57073079A JPS58190045A (ja) 1982-04-30 1982-04-30 半導体装置用パツケ−ジ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58190045A true JPS58190045A (ja) 1983-11-05

Family

ID=13507958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57073079A Pending JPS58190045A (ja) 1982-04-30 1982-04-30 半導体装置用パツケ−ジ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58190045A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61171154A (ja) * 1985-01-24 1986-08-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63213364A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Ibiden Co Ltd 半導体搭載用基板
US4958222A (en) * 1988-06-10 1990-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61171154A (ja) * 1985-01-24 1986-08-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS63213364A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Ibiden Co Ltd 半導体搭載用基板
US4958222A (en) * 1988-06-10 1990-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6057601A (en) Heat spreader with a placement recess and bottom saw-teeth for connection to ground planes on a thin two-sided single-core BGA substrate
US4551747A (en) Leadless chip carrier apparatus providing for a transmission line environment and improved heat dissipation
US11158554B2 (en) Shielded fan-out packaged semiconductor device and method of manufacturing
TW418514B (en) Semiconductor device and method of producing the same
US6744124B1 (en) Semiconductor die package including cup-shaped leadframe
US4259684A (en) Packages for microwave integrated circuits
US4994897A (en) Multi-level semiconductor package
US6667560B2 (en) Board on chip ball grid array
US3585455A (en) Circuit assemblies
KR920007238A (ko) 패키지된 반도체 장치 및 그의 전자장치 모듈
JPH0590482A (ja) 半導体装置およびその製造方法
IE830584L (en) Dense mounting of semiconductor chip packages
US6603193B2 (en) Semiconductor package
US3469017A (en) Encapsulated semiconductor device having internal shielding
EP0078684A2 (en) A semiconductor device having a leadless chip carrier
JP2600366B2 (ja) 半導体チップの実装方法
US5410182A (en) High density semiconductor device having inclined chip mounting
JPS58190045A (ja) 半導体装置用パツケ−ジ
GB1429078A (en) Component wafer for an electrical circuit packaging structure
EP0272188A2 (en) Ceramic package for high frequency semiconductor devices
EP0001890A1 (en) Improvements in or relating to microwave integrated circuit packages
JPH05211379A (ja) 混成集積回路装置
JPS59121862A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JP2814006B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH046105B2 (ja)