JPH08288569A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH08288569A JPH08288569A JP7085764A JP8576495A JPH08288569A JP H08288569 A JPH08288569 A JP H08288569A JP 7085764 A JP7085764 A JP 7085764A JP 8576495 A JP8576495 A JP 8576495A JP H08288569 A JPH08288569 A JP H08288569A
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/325—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being noble metal
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤に対
して耐蝕性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッ
ドを得ることができる。 【構成】 Ｃｕ、Ａｇ系の非磁性層２及び、Ｃｕ系の電
極４にＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加することによ
り、ジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤に腐蝕され
ない信頼性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッ
ドを実現する。
して耐蝕性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッ
ドを得ることができる。 【構成】 Ｃｕ、Ａｇ系の非磁性層２及び、Ｃｕ系の電
極４にＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加することによ
り、ジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤に腐蝕され
ない信頼性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッ
ドを実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体等において、
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
に関するものである。磁性薄膜及び電極膜をフォトレジ
ストを用いてパターン化し、磁気抵抗効果ヘッド、磁気
抵抗効果素子を作製する場合においてレジスト剥離剤に
より、この磁性薄膜及び電極膜が腐蝕されない材料で構
成されている磁気抵抗効果素子に関するものである。
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
に関するものである。磁性薄膜及び電極膜をフォトレジ
ストを用いてパターン化し、磁気抵抗効果ヘッド、磁気
抵抗効果素子を作製する場合においてレジスト剥離剤に
より、この磁性薄膜及び電極膜が腐蝕されない材料で構
成されている磁気抵抗効果素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサーの高感度化、及び磁
気記録における高密度化が進められており、これに伴い
磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーとい
う）及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッド
という）の開発が盛んに進められている。ＭＲセンサー
もＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサー部
の抵抗変化により、外部磁界信号を読みだす訳である
が、ＭＲセンサー及びＭＲヘッドは、記録媒体との相対
速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサーで
は高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録においても
高い出力が得られるという特徴がある。
気記録における高密度化が進められており、これに伴い
磁気抵抗効果型磁気センサー（以下、ＭＲセンサーとい
う）及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッド
という）の開発が盛んに進められている。ＭＲセンサー
もＭＲヘッドも、磁性材料からなる読み取りセンサー部
の抵抗変化により、外部磁界信号を読みだす訳である
が、ＭＲセンサー及びＭＲヘッドは、記録媒体との相対
速度が再生出力に依存しないことから、ＭＲセンサーで
は高感度が、ＭＲヘッドでは高密度磁気記録においても
高い出力が得られるという特徴がある。
【０００３】最近、Ｃｕ、Ａｇ系非磁性薄膜層と磁性薄
膜層を互いに積層して、大きな磁気抵抗変化を示す人工
格子磁気抵抗効果膜が盛んに研究されている（ジャーナ
ルオブ マグネティズム アンド マグネティック マ
テリアルス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｓ
ｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）
第９４巻、Ｌ１頁、１９９１年）、（フィジカル レビ
ュー Ｂ（Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ）第４３巻、１２
９７頁、１９９１年）、（特開平４─２１８９８２号公
報、発明の名称：磁気抵抗効果素子）。この磁気抵抗効
果素子は、数％〜数十％の大きい抵抗変化率を示す。
膜層を互いに積層して、大きな磁気抵抗変化を示す人工
格子磁気抵抗効果膜が盛んに研究されている（ジャーナ
ルオブ マグネティズム アンド マグネティック マ
テリアルス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｓ
ｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）
第９４巻、Ｌ１頁、１９９１年）、（フィジカル レビ
ュー Ｂ（Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ． Ｂ）第４３巻、１２
９７頁、１９９１年）、（特開平４─２１８９８２号公
報、発明の名称：磁気抵抗効果素子）。この磁気抵抗効
果素子は、数％〜数十％の大きい抵抗変化率を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｕ、Ａｇ系
非磁性層を使用した磁気抵抗効果膜、及びＣｕ系電極材
料を微細加工作業（以下、ＰＲ作業という）によりＭＲ
ヘッド、ＭＲセンサーに応用する場合において、ＰＲ作
業時に使用するレジスト膜をジメチルスルホキシド系レ
ジスト剥離剤にて剥離する時、Ｃｕ、Ａｇ系非磁性層及
びＣｕ電極が腐蝕されてしまうという問題があった。
非磁性層を使用した磁気抵抗効果膜、及びＣｕ系電極材
料を微細加工作業（以下、ＰＲ作業という）によりＭＲ
ヘッド、ＭＲセンサーに応用する場合において、ＰＲ作
業時に使用するレジスト膜をジメチルスルホキシド系レ
ジスト剥離剤にて剥離する時、Ｃｕ、Ａｇ系非磁性層及
びＣｕ電極が腐蝕されてしまうという問題があった。
【０００５】本発明の目的は、ジメチルスルホキシド系
レジスト剥離剤を用いレジスト剥離する場合、Ｃｕ、Ａ
ｇ系非磁性層及びＣｕ電極が腐蝕されない材料を使用し
た磁気抵抗効果素子を提供することにある。
レジスト剥離剤を用いレジスト剥離する場合、Ｃｕ、Ａ
ｇ系非磁性層及びＣｕ電極が腐蝕されない材料を使用し
た磁気抵抗効果素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にＣ
ｕ、Ａｇ系非磁性層を使用した磁気抵抗効果膜、及びＣ
ｕ系電極を使用したＭＲヘッド、ＭＲセンサーにおい
て、Ｃｕ、Ａｇ非磁性層膜及びＣｕ電極膜中にＰ、Ｂ、
Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加することを特徴とする磁気抵
抗効果素子である。
ｕ、Ａｇ系非磁性層を使用した磁気抵抗効果膜、及びＣ
ｕ系電極を使用したＭＲヘッド、ＭＲセンサーにおい
て、Ｃｕ、Ａｇ非磁性層膜及びＣｕ電極膜中にＰ、Ｂ、
Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加することを特徴とする磁気抵
抗効果素子である。
【０００７】本発明の磁気抵抗効果素子の非磁性薄膜層
及び電極に用いる非磁性体はＣｕ、Ａｇ及び、これらを
主成分とした合金にＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅが添加
されている。
及び電極に用いる非磁性体はＣｕ、Ａｇ及び、これらを
主成分とした合金にＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅが添加
されている。
【０００８】本発明の磁性薄膜に用いる磁性体の種類は
特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｅ、Ｇｄ等が
好ましい。また、これらの元素を含む合金や化合物とし
ては、例えばＦｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆ
ｅ−Ｇｄ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）、Ｆｅ−Ｙ、Ｆｅ−Ｍｎ、
Ｃｒ−Ｓｂ、Ｃｏ系アモルファス、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−
Ａｌ、Ｆｅ−Ｃ、Ｍｎ−Ｓｂ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｏ、
Ｎｉ−Ｏ、Ｆｅ−Ｏ、フェライト等が好ましい。
特に制限されないが、具体的には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、
Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｇｅ、Ｇｄ等が
好ましい。また、これらの元素を含む合金や化合物とし
ては、例えばＦｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆ
ｅ−Ｇｄ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）、Ｆｅ−Ｙ、Ｆｅ−Ｍｎ、
Ｃｒ−Ｓｂ、Ｃｏ系アモルファス、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｆｅ−
Ａｌ、Ｆｅ−Ｃ、Ｍｎ−Ｓｂ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｏ、
Ｎｉ−Ｏ、Ｆｅ−Ｏ、フェライト等が好ましい。
【０００９】成膜は、蒸着法、スパッタリング法、分子
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。また、基
板としては、ガラス、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＧａＡｓ、フェラ
イト、ＣａＴｉＯ等を用いることができる。
線エピタキシー法（ＭＢＥ）等の方法で行う。また、基
板としては、ガラス、Ｓｉ、ＭｇＯ、ＧａＡｓ、フェラ
イト、ＣａＴｉＯ等を用いることができる。
【００１０】Ｃｕ、Ａｇ非磁性層及びＣｕ電極に添加す
るＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅの含有量は特に制限は無
いが、１０〜１０，０００ｐｐｍが望ましい。１０ｐｐ
ｍ以下であると添加量が少なすぎるため耐腐蝕効果が充
分働かないことから、レジスト剥離剤に腐蝕されてしま
う。添加量が多くなると耐腐蝕効果からは問題ないが、
Ｃｕ、Ａｇ層の比抵抗値が大きくなり、ＭＲヘッド、Ｍ
Ｒセンサーとしての出力が減少することから、通常１
０，０００ｐｐｍ以下とするのが好ましい。
るＰ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅの含有量は特に制限は無
いが、１０〜１０，０００ｐｐｍが望ましい。１０ｐｐ
ｍ以下であると添加量が少なすぎるため耐腐蝕効果が充
分働かないことから、レジスト剥離剤に腐蝕されてしま
う。添加量が多くなると耐腐蝕効果からは問題ないが、
Ｃｕ、Ａｇ層の比抵抗値が大きくなり、ＭＲヘッド、Ｍ
Ｒセンサーとしての出力が減少することから、通常１
０，０００ｐｐｍ以下とするのが好ましい。
【００１１】磁性又は非磁性薄膜の膜厚は、透過型電子
顕微鏡、走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等に
より測定することができる。また、薄膜の結晶構造は、
Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認することができ
る。
顕微鏡、走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光分析等に
より測定することができる。また、薄膜の結晶構造は、
Ｘ線回折や高速電子線回折等により確認することができ
る。
【００１２】
【作用】本発明の磁気抵抗効果膜では、Ｃｕ、Ａｇ系非
磁性層、及びＣｕ電極材料において、Ｐ、Ｂ、Ｎ、Ｓ
ｉ、ＮｉＦｅが添加されていることが必須である。その
理由はＰＲ作業中ジメチルスルホキシド系レジスト剥離
剤を使用してレジスト剥離を行った場合、Ｐ、Ｂ、Ｎ、
Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加したＣｕ、Ａｇ材はこのレジスト
剥離剤に腐蝕されないからである。
磁性層、及びＣｕ電極材料において、Ｐ、Ｂ、Ｎ、Ｓ
ｉ、ＮｉＦｅが添加されていることが必須である。その
理由はＰＲ作業中ジメチルスルホキシド系レジスト剥離
剤を使用してレジスト剥離を行った場合、Ｐ、Ｂ、Ｎ、
Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加したＣｕ、Ａｇ材はこのレジスト
剥離剤に腐蝕されないからである。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の磁気抵抗効果素子の斜め側面
図である。非磁性層２と磁性層３を互いに積層した人工
格子膜１と、それに続く電極４によって構成されてい
る。
図である。非磁性層２と磁性層３を互いに積層した人工
格子膜１と、それに続く電極４によって構成されてい
る。
【００１４】本発明の磁気抵抗効果素子のＣｕ、Ａｇ系
の非磁性層２及び、Ｃｕ系の電極４においてＰ、Ｂ、
Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅの添加効果について説明する。
の非磁性層２及び、Ｃｕ系の電極４においてＰ、Ｂ、
Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅの添加効果について説明する。
【００１５】実験はガラス基板上に純度９９．９９９％
のＣｕ母材を超高真空蒸着装置により成膜した５００オ
ングストローム厚の純Ｃｕ膜、及びＰが数百ｐｐｍ添加
されているメッキＣｕ膜を室温のジメチルスルホキシド
系レジスト剥離剤に３０分投入し、膜の顕微鏡観察及び
膜の自然電位を測定した。
のＣｕ母材を超高真空蒸着装置により成膜した５００オ
ングストローム厚の純Ｃｕ膜、及びＰが数百ｐｐｍ添加
されているメッキＣｕ膜を室温のジメチルスルホキシド
系レジスト剥離剤に３０分投入し、膜の顕微鏡観察及び
膜の自然電位を測定した。
【００１６】蒸着Ｃｕ膜では、レジスト剥離剤に投入と
同時に腐蝕が始まり、図２に示すように、自然電位の低
下が観測され、２５分後にはＣｕ膜のほとんどがガラス
基板から剥離してしまった。一方、図３に示すように、
Ｐ添加Ｃｕメッキ膜は顕微鏡観察によってもほとんど変
化は無く、自然電位もほとんど変化しなかった。従って
Ｐ添加Ｃｕメッキ膜は、ジメチルスルホキシド系レジス
ト剥離剤に対して充分な耐蝕性のあることがわかった。
同時に腐蝕が始まり、図２に示すように、自然電位の低
下が観測され、２５分後にはＣｕ膜のほとんどがガラス
基板から剥離してしまった。一方、図３に示すように、
Ｐ添加Ｃｕメッキ膜は顕微鏡観察によってもほとんど変
化は無く、自然電位もほとんど変化しなかった。従って
Ｐ添加Ｃｕメッキ膜は、ジメチルスルホキシド系レジス
ト剥離剤に対して充分な耐蝕性のあることがわかった。
【００１７】同様にＢ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅを添加した
Ｃｕ膜をジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤に投入
し、腐蝕試験を行ったが、いずれのＣｕ膜もこのレジス
ト剥離剤に対し耐蝕性のあることがわかった。
Ｃｕ膜をジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤に投入
し、腐蝕試験を行ったが、いずれのＣｕ膜もこのレジス
ト剥離剤に対し耐蝕性のあることがわかった。
【００１８】次に純Ｃｕ母材及びＰ添加Ｃｕ母材を使っ
た基板／ＮｉＦｅ（１００オングストローム）／Ｃｕ
（２５オングストローム）／ＮｉＦｅ（１００オングス
トローム）／ＦｅＭｎ（１００オングストローム）人工
格子膜をガラス基板上にスパッタリング法で成膜し、こ
の人工格子膜をパターン幅５μｍに微細加工した後、こ
の人工格子膜の磁気抵抗変化測定をジメチルスルホキシ
ド系レジスト剥離剤に投入前と１０分間投入した後に行
った。
た基板／ＮｉＦｅ（１００オングストローム）／Ｃｕ
（２５オングストローム）／ＮｉＦｅ（１００オングス
トローム）／ＦｅＭｎ（１００オングストローム）人工
格子膜をガラス基板上にスパッタリング法で成膜し、こ
の人工格子膜をパターン幅５μｍに微細加工した後、こ
の人工格子膜の磁気抵抗変化測定をジメチルスルホキシ
ド系レジスト剥離剤に投入前と１０分間投入した後に行
った。
【００１９】なお抵抗測定は、外部磁界を内面に電流と
垂直方向になるようにかけながら、─５００〜５００Ｏ
ｅまで変化させたときの抵抗を４端子法により測定し、
その抵抗から磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを求めた。抵抗変
化率ΔＲ／Ｒは、最大抵抗値をＲmax 、最小抵抗値をＲ
min とし、下記数１式により計算した。
垂直方向になるようにかけながら、─５００〜５００Ｏ
ｅまで変化させたときの抵抗を４端子法により測定し、
その抵抗から磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを求めた。抵抗変
化率ΔＲ／Ｒは、最大抵抗値をＲmax 、最小抵抗値をＲ
min とし、下記数１式により計算した。
【００２０】
【数１】 純Ｃｕ材を使った人工格子膜の抵抗変化率は、レジスト
剥離剤に投入前は３．８％を示しているが、投入後には
１．５％に減少していた。一方Ｐ添加Ｃｕ材を使った人
工格子膜の抵抗変化率はレジスト剥離材投入前３．５％
を示しているが、投入後は３．４％とほとんど変化は無
かった。
剥離剤に投入前は３．８％を示しているが、投入後には
１．５％に減少していた。一方Ｐ添加Ｃｕ材を使った人
工格子膜の抵抗変化率はレジスト剥離材投入前３．５％
を示しているが、投入後は３．４％とほとんど変化は無
かった。
【００２１】
【発明の効果】ジメチルスルホキシド系レジスト剥離剤
に対して耐蝕性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果
ヘッドを得ることができる。
に対して耐蝕性の高い磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果
ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気抵抗効果素子の斜め側面図であ
る。
る。
【図２】蒸着純Ｃｕ膜の自然電位測定曲線である。
【図３】Ｐ添加メッキＣｕ膜の自然電位測定曲線であ
る。
る。
１ 人工格子膜 ２ 非磁性層 ３ 磁性層 ４ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性薄膜を使った磁気抵抗効果素子にお
いて、Ｃｕ及びＣｕを主成分とした合金層中または合金
電極中、もしくはＡｇ及びＡｇを主成分とした合金層中
に、Ｐ、Ｂ、Ｎ、Ｓｉ、ＮｉＦｅより選ばれた一種もし
くは複数の元素が添加されていることを特徴とする磁気
抵抗効果素子。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子が基板上に非磁性層と
磁性層を互いに積層した構造の磁性薄膜を使った構造よ
りなり、前記非磁性層がＣｕ系もしくはＡｇ系の非磁性
層であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7085764A JP2908276B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7085764A JP2908276B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288569A true JPH08288569A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2908276B2 JP2908276B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=13867945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7085764A Expired - Fee Related JP2908276B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908276B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124238A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路用配線およびその形成方法 |
| JPH01268833A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-26 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリード材用銅合金 |
| JPH03196586A (ja) * | 1989-05-15 | 1991-08-28 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびそれを用いた磁気検出装置 |
| JPH06215335A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0849063A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Sony Corp | 磁気抵抗効果膜 |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP7085764A patent/JP2908276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124238A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路用配線およびその形成方法 |
| JPH01268833A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-26 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリード材用銅合金 |
| JPH03196586A (ja) * | 1989-05-15 | 1991-08-28 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置およびそれを用いた磁気検出装置 |
| JPH06215335A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0849063A (ja) * | 1994-05-30 | 1996-02-20 | Sony Corp | 磁気抵抗効果膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2908276B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970708 |
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