JPH0828193B2 - 偏向装置およびその製造方法 - Google Patents

偏向装置およびその製造方法

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JPH0828193B2
JPH0828193B2 JP61175580A JP17558086A JPH0828193B2 JP H0828193 B2 JPH0828193 B2 JP H0828193B2 JP 61175580 A JP61175580 A JP 61175580A JP 17558086 A JP17558086 A JP 17558086A JP H0828193 B2 JPH0828193 B2 JP H0828193B2
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清 時田
亨 高橋
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、陰極線管に係り、特にその偏向装置に関す
る。
(従来の技術) 一般に陰極線管、例えばカラー受像管の水平偏向周波
数は15.75KHzであるが、高解像度性及び視認性に高度化
が要求されるディスプレイ管等では、25KHz及び31KHz等
からなり水平偏向周波数の高い使用条件が増えている。
特にコンピューターによる技術設計或いは生産制御いわ
ゆるCAD(Computer Aided Design)及びCAM(Computer
Aided Manufacturing)用途に用いられるディスプレイ
管では64KHzの水平偏向周波数で動作することもある。
(発明が解決しようとする問題点) 前述したような高い水平偏向周波数で前記偏向装置を
動作させた場合、次のような問題点を生ずる。
すなわち、水平磁界により、前記偏向装置を構成する
コア及び水平偏向コイルに渦電流が発生し発熱すること
である。
例えば、14吋90゜偏向型ディスプレイ管用の前記偏向
装置を従来の水平偏向周波数で動作させた場合の水平偏
向コイルおよびコアの温度上昇ΔTは略同一で第3図に
示すように約20℃である。しかし、64KHzで動作させた
場合、前記ΔTは約70℃となる。ところで、水平コイル
とコアの間に介在するモールドは安価なポリプロピレン
製であり、その耐熱温度(熱変形が生じると云われてい
る温度)は約105℃である。そこで、外気温度が50℃の
場所で、14吋90゜偏向型ディスプレイ管用偏向装置を水
平偏向周波数を64KHzで動作させると、第3図に示す如
く水平偏向コイルおよびコアが約70℃も上昇するため、
その近傍すなわちモールドの温度は120゜近くとなる。
そのためポリプロピレン製モールドが熱変形し、特性上
及び信頼性上重大な問題となる。勿論、更に耐熱性の高
い材料を用いれば解決可能であるが、材料コストや加工
精度(技術)が大幅に高くなり、甚だ量産性に乏しいも
のとなる。
本発明は前述したカラー受像管用偏向装置の欠点に鑑
みなされたもので、高い水平偏向周波数による動作にお
いても発熱が少なく安定した偏向装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は、偏向装置を構成するモールドの表面に、モ
ールドより比表面積、熱輻射率ともに大きく、非磁性、
かつ絶縁性の被膜を有するものである。
(作 用) モールドの表面に形成された被膜は、比評面積がモー
ルドのおよそ50倍もあり熱放射性が良いため、モールド
の温度上昇を抑制する。
(実施例) 以下、本発明の一実施例につき図面を用いて詳細に説
明する。すなわち、第1図はカラー受像管用の偏向装置
(1)の一部断面を含む側面図であり、内側の水平偏向
コイル(2)を備えた合成樹脂製例えばポリプロピレン
の円錐形状のモールド(3)と、トロイダル形状のコア
(4)と、このコアに巻回された垂直偏向コイル(5)
とから少なくとも構成される。
第1図のモールド(3)はポリプロピレンよりなり、
そのモールドの表面に、セラミック層(6)が形成され
ている。セラミック層(6)は、下記実施例のような、
フィラーとしてジルコン(ZrSiO4)を含んだケイ素と、
ジルコニアのアルコキシド化合物、例えばZrSi(OC
4H9の懸濁液をスプレー法で塗布し、厚さが約10μ
mの被膜を形成した後、加熱処理したものである。
実施例 ジルコン 500gr ケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物 100gr イソプロピルアルコール 400gr この懸濁液の塗布方法はスプレー法が好適であり、こ
の場合、20cm乃至30cmの距離からスプレー圧約3kg/cm2
で塗布すると、前記実施例のような約10μmの膜は約3
秒で形成させることができる。このように、ケイ素とジ
ルコニアのアルコキシド化合物を含む懸濁液を塗布した
モールドを70℃以上で熱変形をおこさない温度の雰囲気
中で加熱することにより、第1図に示すようなセラミッ
ク層(6)を得ることができる。このモールド(3)に
塗布されたケイ素とジルコニアのアルキシド化合物は、
70℃以上の雰囲気中で大気中の水分により加水分解を起
こし、その結果、アルコキシド同志の重縮合反応により
造膜し、ケイ素とジルコニアを含む金属酸化物すなわち
セラミック層となる。なお、上述の例では懸濁液を塗布
後加熱したが、製造時間短縮のために70℃以上で加熱し
ながら懸濁液を塗布すれば後の加熱処理工程を省略する
ことができる。また、このケイ素とジルコニアのアルコ
キシド化合物は、赤外線領域の電磁線の吸収特性がよい
ため、加水分解をさせる場合、70℃以上の雰囲気中では
なく、ケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物が塗布
されるモールド(3)の表面を例えば、赤外線により照
射しながらケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物を
含む懸濁液を塗布した後、常温においても充分加水分解
が行なわれることも確認できた。さらに塗布後、赤外線
を照射することも可能である。
ここで、本発明者等は、本発明を適用した偏向装置に
より14吋90゜偏向型ディスプレイ管を動作させた場合の
前記モールドの温度上昇を詳しく実験検討した。
第2図は、その結果を示すもので、横軸はケイ素とジ
ルコニウムの金属酸化物を含むセラミック層(6)の厚
さを示し、縦軸は、前記モールド(3)の動作時の温度
上昇をセラミック層を形成しない場合を基準として、相
対値で示している。この図より、前記モールドの表面に
セラミック層を形成することにより、モールドの温度上
昇が抑制されることが判明した。これは、モールドの表
面に形成されたセラミック層の比表面積が、モールドの
比表面積の約50倍もあり、言い換えれば、セラミック層
の表面積がモールドの表面積の約50倍となったため熱放
散性が大幅に向上したためである。尚、前記比表面積の
測定は、低圧で窒素ガスの吸着量より算出するBET法に
より行なった。
一方、第2図においてセラミック層の厚さがおよそ10
μm以上となると、温度抑制効果が飽和するが、これ
は、セラミック層の厚さが厚くなるとモールド表面に近
いセラミック層、言い換えればセラミック層の下層にお
いてはあまり熱放散性の向上には寄与せず、セラミック
層の表層領域のみが熱放散性に大きく寄与するためと考
えられる。尚、本発明の実施例のようなセラミックは、
電気絶縁性が高く、且つ非磁性体であるため偏向装置の
本来の磁気的作用についてはなんら影響を与えないこと
は明らかである。さらに、ケイ素とジルコニウムの金属
酸化物を含むセラミック層は、70゜以上にて焼結可能な
ため、耐熱温度が105℃と比較的低いモールド表面に焼
結させるには好適であり、この点においても工業的量産
性に富んだものと云える。
尚、一般に、ポリプロピレンのような合成樹脂は、表
面が光沢をおびている。すなわち、表面が非常に平滑で
あるためセラミック層を形成,付着させるには不都合で
ある。
本発明者等は、この点も充分研究した結果、例えば、
#100以上の紙ヤスリでモールドの表面を粗くしておく
と、実用上問題ない付着力が得られることも確認した。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば高い水平偏向周波数に
おいて水平コイルやコアが発熱してもモールドの昇温を
抑制して信頼性の高い偏向装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す一部断面側面図、第2
図は本発明によるモールドの動作中の温度上昇を示す特
性図、第3図は従来の偏向装置に取り付けられた水平コ
イル及びコアの動作中の温度上昇を示す特性図である。 (1)……偏向装置、(2)……水平偏向コイル (3)……モールド、(4)……コア (5)……垂直偏向コイル、(6)……セラミック層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−220343(JP,A) 特開 昭61−126746(JP,A) 特開 昭60−50844(JP,A)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】水平偏向コイルと、垂直偏向コイルとの間
    に円錘形状のモールドを備えた偏向装置において、前記
    モールドの表面に、このモールドより比表面積が大き
    く、熱輻射率が大きい被膜を有し、かつこの被膜は非磁
    性、絶縁性を有することを特徴とする偏向装置。
  2. 【請求項2】前記被膜がケイ素とジルコニウムの金属酸
    化物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の偏向装置。
  3. 【請求項3】水平偏向コイルと垂直偏向コイルとの間に
    円錘形状のモールドを備えた偏向装置の製造方法におい
    て、前記モールドの表面をエッチングする工程と、前記
    モールドより比表面積、熱輻射率共に大きい被膜を形成
    する工程とを備えたことを特徴とする偏向装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】前記エッチング工程が、紙ヤスリを用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の偏向装置
    の製造方法。
JP61175580A 1986-03-19 1986-07-28 偏向装置およびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0828193B2 (ja)

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JP61175580A JPH0828193B2 (ja) 1986-07-28 1986-07-28 偏向装置およびその製造方法
EP87302144A EP0238261B1 (en) 1986-03-19 1987-03-12 Deflection device for a cathode ray tube
DE8787302144T DE3767330D1 (de) 1986-03-19 1987-03-12 Ablenkvorrichtung fuer eine kathodenstrahlroehre.
US07/026,215 US4749975A (en) 1986-03-19 1987-03-16 Cathode ray tube deflection device having heat dissipation means
CN87102134.XA CN1004241B (zh) 1986-03-19 1987-03-18 阴极射线管用偏转装置
KR1019870002507A KR900006170B1 (ko) 1986-03-19 1987-03-19 음극선관용 편향장치

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