JPH08279347A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents

走査型電子顕微鏡

Info

Publication number
JPH08279347A
JPH08279347A JP7080348A JP8034895A JPH08279347A JP H08279347 A JPH08279347 A JP H08279347A JP 7080348 A JP7080348 A JP 7080348A JP 8034895 A JP8034895 A JP 8034895A JP H08279347 A JPH08279347 A JP H08279347A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
field type
sample
secondary electron
type beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7080348A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsushige Tsuno
勝重 津野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP7080348A priority Critical patent/JPH08279347A/ja
Publication of JPH08279347A publication Critical patent/JPH08279347A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 SEMにおいて二次電子検出器による電場の
一次電子ビームに対する悪影響を回避する。 【構成】 試料2の電子銃側には磁場型ビームセパレー
タ4が配置されている。この磁場型ビームセパレータ4
は二次電子をY軸方向に偏向するようになされている。
従って、一次電子ビームは実線のように概ね光軸に沿っ
て進行して試料2に到達する。一次電子ビームの照射に
よって試料2から放射された二次電子は破線のように磁
場型ビームセパレータ4によってY軸の正方向に偏向さ
れて二次電子検出器1に到達する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型電子顕微鏡(以
下、SEMと記す。)に関する。
【0002】
【従来の技術】SEMは試料から放射される二次電子を
検出するものであるが、二次電子は試料に照射される一
次電子ビームに比較して非常にエネルギーが小さいの
で、二次電子検出器には二次電子を引き込むために高電
圧が印加されるのが通常である。
【0003】しかし、二次電子検出器に高電圧が印加さ
れると、その高電圧による電場によって一次電子ビーム
の軌道が曲がる等の悪影響が現れる。
【0004】そこで、このような二次電子検出器による
電場の一次電子ビームに対する悪影響を防止する方法と
して特公平5−7819号公報(特開昭60−4735
8号)においては、図3に示すように、二次電子検出器
による電場が一次電子ビームに影響を及ぼす位置にウィ
ーンフィルタを配置することが提案されている。図3に
おいて、1は二次電子検出器、2は試料、3はウィーン
フィルタを示し、実線は一次電子ビーム、破線は二次電
子を示している。なお、以下においては一次電子ビーム
が進行する方向、即ち光軸方向をZ軸方向とし、Z方向
と直交する面内にX軸とY軸の直交する2軸をとるもの
とする。
【0005】図3に示す構成によれば、一次電子ビーム
の中のウィーン条件を満足する速度を有する電子は図3
の実線で示すようにウィーンフィルタ3を直進して試料
2に到達する。そして一次電子ビームの照射によって試
料2から放射された二次電子は図3の破線で示すように
ウィーンフィルタ3によってその軌道が曲げられ、二次
電子検出器1の方向に導かれる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示す構成においては、ウィーンフィルタ3の電場は図3
のEで示すように二次電子の軌道が曲げられる方向に設
定しなければならないので、二次電子を二次電子検出器
1に導くためにはウィーンフィルタ3の電極をメッシュ
状にする必要があり、ウィーンフィルタ3の電極の構造
が複雑になるばかりか、ウィーンフィルタ3自体の設計
が非常に難しくなるという問題がある。
【0007】本発明は、上記の課題を解決するものであ
って、非常に簡単な構成で二次電子検出器による電場の
一次電子ビームに対する悪影響を回避することができる
走査型電子顕微鏡を提供することを目的とするものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の走査型電子顕微鏡は、電子銃から放射さ
れた一次電子ビームを光軸に沿って試料まで導くと共
に、試料から放射された二次電子を光軸からそらせる磁
場型ビームセパレータを備えることを特徴とする。
【0009】
【作用】磁場型ビームセパレータは、一次電子ビームに
対しては光軸に沿って試料まで導くように作用し、二次
電子に対してはその軌道を光軸からそらせて二次電子検
出器に導くように作用する。
【0010】ここで、磁場型ビームセパレータとして
は、請求項2記載のようにコイルのみで構成することが
可能であり、これによれば構成は非常に簡単になり、且
つ安価である。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
図1は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例の構成
を示す図であり、図1AはZ−Y平面における断面図を
示し、図1BはX−Y平面における断面図を示してい
る。図中、1は二次電子検出器、2は試料、4は磁場型
ビームセパレータ、5はプリズムアレイを示す。なお、
走査型電子顕微鏡には実際には対物レンズをはじめとす
る種々のレンズ、あるいはその他の種々の装置が設けら
れるのであるが、これらについては本発明において本質
的な事項ではないので図では省略する。また、図中実線
は一次電子ビーム、破線は二次電子を示す。以下、同様
である。
【0012】磁場型ビームセパレータ4は、図1Bに示
すように光軸(Z軸)を挟んで配置されたプリズムアレ
イ5で構成されている。周知のようにプリズムアレイ5
は複数の電磁石を組み合わせて構成されているものであ
る。
【0013】そして、この磁場型ビームセパレータ4
は、二次電子をY軸の正方向に偏向するように構成され
ており、図1Aに示すようにY軸の正方向には二次電子
検出器1が配置されている。
【0014】この構成によれば、Y軸方向には二次電子
の進行を妨げるものは何も配置されないので、従来のよ
うにウィーンフィルタ3の電極をメッシュ状にする等の
加工は全く必要がない。
【0015】従って、図1に示す構成によれば、一次電
子ビームの中の当該磁場型ビームセパレータ4の条件に
よって定まる所定の速度を有する電子は実線で示すよう
に概ね光軸に沿って進行して試料2に到達する。そして
一次電子ビームの照射によって試料2から放射された二
次電子は破線で示すように磁場型ビームセパレータ4に
よってY軸の正方向に偏向されて二次電子検出器1に到
達する。
【0016】この磁場型ビームセパレータ4は、ただ単
に二次電子をY軸の正方向に偏向させ、二次電子検出器
1に導くことができればよいので、フォーカスや収差等
に関しての制限は非常に緩いものであり、従ってプリズ
ムアレイ5の設計は非常に容易である。
【0017】また、プリズムアレイ5は、鉄心を用いた
電磁石で構成できることは勿論であるが上述したように
フォーカスや収差に関する制限が非常に緩いので、コイ
ルのみを用いた電磁石の組み合わせで構成することも可
能である。その例を図2に示す。
【0018】図2はコイルのみを用いたプリズムアレイ
5のZ−Y平面での断面を示す図であり、3つのコイル
6、7、8で構成されている。ここでコイル7による磁
場の方向はコイル8による磁場の方向と反対になるよう
になされる。しかし、コイル6の磁場の方向は、コイル
7による磁場の方向と同じでも良く、またコイル8によ
る磁場の方向と同じでもよい。
【0019】このような構成によれば磁場型ビームセパ
レータ4を安価に構成することができる。
【0020】また、磁場型ビームセパレータ4を使用す
ることによって、二次電子は光軸と離れた方向に偏向さ
れて進行するので、二次電子検出器1は、その電場の影
響が光軸近傍にまで達しない十分離れた位置に配置する
ことができる。即ち、本発明によれば、二次電子検出器
1に印加する高電圧を決定するに際しては、光軸付近か
ら二次電子を引き込むことを考慮する必要はなく、二次
電子検出器1の感度のみを考慮するだけでよいので、高
電圧の設定が容易である。
【0021】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく種々
の変形が可能であることは当業者に明らかである。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、磁場型ビームセパレータを用いるという簡単
な構成で所期の目的を達成することができる。また、磁
場型ビームセパレータはコイルのみを用いて構成するこ
とができるので安価であり、しかも設計が容易である。
更に、二次電子検出器に印加する高電圧の設定が容易で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例の
構成を示す図である。
【図2】 コイルのみで構成した磁場型ビームセパレー
タ4の一構成例を示す図である。
【図3】 従来の走査型電子顕微鏡の構成例を示す図で
ある。
【符号の説明】
1…二次電子検出器、2…試料、3…ウィーンフィル
タ、4…磁場型ビームセパレータ、5…プリズムアレ
イ、6、7、8…コイル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子銃から放射された一次電子ビームを
    光軸に沿って試料まで導くと共に、試料から放射された
    二次電子を光軸からそらせる磁場型ビームセパレータを
    備えることを特徴とする走査型電子顕微鏡。
  2. 【請求項2】 前記磁場型ビームセパレータはコイルの
    みで構成されてなることを特徴とする請求項1記載の走
    査型電子顕微鏡。
JP7080348A 1995-04-05 1995-04-05 走査型電子顕微鏡 Withdrawn JPH08279347A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7080348A JPH08279347A (ja) 1995-04-05 1995-04-05 走査型電子顕微鏡

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7080348A JPH08279347A (ja) 1995-04-05 1995-04-05 走査型電子顕微鏡

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08279347A true JPH08279347A (ja) 1996-10-22

Family

ID=13715761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7080348A Withdrawn JPH08279347A (ja) 1995-04-05 1995-04-05 走査型電子顕微鏡

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08279347A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4755685A (en) Ion micro beam apparatus
US8217350B2 (en) Particle optical arrangement
JP2559346B2 (ja) 電子線装置内の二次および/または後方散乱電子の検出装置
JP2000133194A5 (ja)
JP6265643B2 (ja) 電子ビーム装置
US9443696B2 (en) Electron beam imaging with dual Wien-filter monochromator
US7135677B2 (en) Beam guiding arrangement, imaging method, electron microscopy system and electron lithography system
EP0762468B1 (en) Scanning electron microscope
JPH02142045A (ja) 荷電粒子線応用装置
US7223974B2 (en) Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam
JP4954465B2 (ja) イオンビーム/荷電粒子ビーム照射装置
JP2007141488A (ja) 電子線装置及びパターン評価方法
JP2000228162A (ja) 電子ビーム装置
WO1999026272A1 (en) Particle beam device
JPH08279347A (ja) 走査型電子顕微鏡
US8405052B2 (en) Ion implanter provided with beam deflector and asymmetrical einzel lens
JP2019164886A (ja) ビーム照射装置
JP2007035386A (ja) 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
US4097739A (en) Beam deflection and focusing system for a scanning corpuscular-beam microscope
JPH08279346A (ja) 走査型電子顕微鏡
JP4283843B2 (ja) 幾何収差と空間電荷効果を低減した写像型電子顕微鏡
JPH06223767A (ja) 直接写像型反射電子顕微鏡
JPH06139983A (ja) 荷電粒子線装置
JPH09213250A (ja) 荷電粒子ビームの偏向装置
KR20230123969A (ko) 1차 전자 빔을 샘플로 지향시키기 위한 전자 광학 컬럼 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020702