JPH08278422A - 反射型光波長板及びその製造方法 - Google Patents

反射型光波長板及びその製造方法

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JPH08278422A
JPH08278422A JP10160095A JP10160095A JPH08278422A JP H08278422 A JPH08278422 A JP H08278422A JP 10160095 A JP10160095 A JP 10160095A JP 10160095 A JP10160095 A JP 10160095A JP H08278422 A JPH08278422 A JP H08278422A
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film
wave plate
thin film
polyimide
reflection
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JP10160095A
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Shinji Ando
慎治 安藤
Takashi Sawada
孝 澤田
Akira Iwazawa
晃 岩沢
Hisataka Takenaka
久貴 竹中
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造と加工が容易で、耐熱性、耐湿性、柔軟
性、機械的強度に優れ、しかも膜厚が薄いために過剰損
失の小さな反射型光波長板を提供する。 【構成】 フィルム面内の屈折率に異方性を有するポリ
イミドフィルムとその片面に密着した金属薄膜の反射膜
により構成される反射型光波長板。フィルム面内の屈折
率に異方性を有するポリイミドフィルムに、真空装置内
で金属薄膜を製膜する反射型光波長板の製造方法。製膜
をスパッタ法により行うことが好適である。また当該金
属薄膜の例としては金薄膜が好適である。 【効果】 導波型光デバイスの高性能化、低価格化と作
製プロセスの効率化に有効である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は反射型光波長板とその製
造方法に関し、特に加工性、耐熱性、経済性に優れ、可
視光のみならず近赤外光に対しても有効であり、柔軟性
を有する反射型光波長板とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】石英系の光導波路を用いた導波型光デバ
イスは、光損失が少なく実用的な光受動部品として期待
されているが、その実用化に当っての最大の問題として
光導波回路の偏波依存性が指摘されている。これは石英
系の光導波路を用いて光導波回路を作製した場合に、光
導波路の複屈折に起因した信号品質の低下(水平偏波成
分と垂直偏波成分との位相ずれ)として現われてくる。
この原因は、石英系の光導波路を作製する際に1000
℃を超える高温を使用するためであり、基板であるシリ
コンと石英導波路の熱膨張率差により生じた残留応力に
起因している。この複屈折を排除するため、光路の丁度
中間地点に水晶からなる1/2波長板を挿入することに
より、光信号の出射端での水平偏波成分と垂直偏波成分
の位相ずれを補償する方法が知られている〔高橋浩ほ
か、オプティックス レターズ(Opt.Lett.) 、第17
巻、第7号、第499〜501頁(1992)〕。この
方法は構成が簡単であり、しかも導波型光デバイスの偏
波依存性解消には極めて効果的である。但し、光波長板
とその挿入溝の部分では導波光が閉じ込められずに放射
してしまい、これが信号強度の減衰を引き起こすという
問題を有している。高橋らは特開平4−241304号
公報において、水晶の光波長板を用いた場合に光波長板
部分での損失(過剰損失)が4dBにも上ることを明ら
かにしている。そこで本発明者らは、特願平6−393
68号明細書において、テトラカルボン酸又はその誘導
体とジアミンから合成されるポリアミド酸のフィルムに
熱イミド化と一軸延伸を行うことにより、水晶に比べて
大きな複屈折を有するポリイミドフィルムを作製するこ
とができ、このフィルムから作製した光波長板を導波型
光デバイスに組込むことによって、光波長板挿入に伴う
過剰損失を水晶波長板の場合の1/10以下である0.
3dBまで低減できることを明らかにした。ここに見ら
れる過剰損失の大幅な低減は、ポリイミド波長板の膜厚
が水晶波長板の1/6以下の膜厚であることに起因して
いる。ポリイミド波長板は300℃以上の耐熱性を持
ち、加工性や経済性の点でも水晶波長板よりも優れてい
る。本発明者らは更に上記明細書において、蒸着やスパ
ッタによりポリイミド波長板の表面に金属、半導体、誘
電体などの薄膜あるいは多層膜を形成することが可能で
あり、これらが反射膜や特定の波長の光を遮断するフィ
ルターとして使用できることを明らかにした。特に図面
の(図1)に示すように、基板上に作製された光導波路
とポリイミド光波長板から構成される導波型光デバイス
において、光導波路の長手方向に対して垂直あるいはや
や傾斜した状態でポリイミド波長板が導波路端面に密着
し、しかもポリイミド波長板の端面に密着しない側に反
射膜が形成されている場合には、光波長板に基づく効果
と光の反射を一つの部品で行うことが可能である。中で
もポリイミド波長板が1/4波長板であり、その光学主
軸が導波路基板に対して45度の角度をなすように密着
されている場合には、入射光はポリイミド1/4波長板
を透過し、反射膜で反射された後、再び1/4波長板を
透過して出射する。1/4波長板を2度透過するため1
/2波長板を透過したのと同じ効果が得られ、結果とし
て導波光を反射させしかもその偏波方向を90度回転さ
せる働きをする。このような光部品が導波型光デバイス
の偏波依存性解消に有効であることについても、本発明
者らが上記明細書において明らかにしている。なお、図
1は、ポリイミド1/4波長板とそれに密着した反射膜
を用いた偏波変換器を示す模式図である。図1におい
て、符号1は入力導波路、2は出力導波路、3は導波路
基板、4は1/4光波長板、5は反射膜を意味する。
【0003】反射型1/2波長板の膜厚は、面内複屈折
(Δn)が透過型1/2波長板と等しい場合にはその半
分となるが、導波距離が2倍になることから、反射膜に
おける損失を無視した場合でも原理的には透過型と等し
い過剰損失を示すはずである。すなわち既存の光波長板
材料である水晶を用いて反射型波長板を作製した場合に
もその過剰損失は4dBを上回ることが予想され、一
方、ポリイミドを用いて反射型波長板を作製した場合に
は、過剰損失を水晶波長板の場合の1/10以下に低減
することが可能となる。一方、本発明者らは前記明細書
の実施例においてポリイミド波長板に誘電体多層膜から
なる反射膜を形成し、これが反射型波長板として有効に
機能することを明らかにしている。しかし、表面や界面
の平滑性に優れ膜質の緻密な誘電体多層膜をポリイミド
上に形成するためには専用のスパッタ装置と高度な薄膜
制御技術が必要なこと、多層膜の形成に長時間かかるこ
と、形成された多層膜は脆弱なためポリイミドが本来持
つ加工性や柔軟性を十分生かすことができないこと、等
の問題もあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で述べたよ
うに、既存の水晶波長板を用いたのでは、耐熱性、耐湿
性、加工性、機械的強度を合せ持つと共に、過剰損失の
小さな反射型光波長板を作製することは不可能である。
また、薄型のポリイミ光波長板を用いた場合でも、反射
膜として誘電体多層膜を用いた場合には、製造に必要な
装置や技術、経済性、光波長板の加工性、柔軟性に問題
があった。本発明はこれらの問題点を解決し、製造と加
工が容易で、耐熱性、耐湿性、柔軟性、機械的強度に優
れ、しかも膜厚が薄いために過剰損失の小さな反射型光
波長板を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第1と第2は反射型光波長板に関する発明であっ
て、その第1はフィルム面内の屈折率に異方性を有する
ポリイミドフィルムとその片面に密着した金属薄膜の反
射膜により構成されることを、その第2の該金属薄膜の
反射膜が、金薄膜の反射膜により構成されることを特徴
としている。本発明の第3から第5は、本発明の第1と
第2に示した反射型光波長板の製造方法に関する発明で
あって、その第3はフィルム面内の屈折率に異方性を有
するポリイミドフィルムに真空装置内で金属薄膜を製膜
することを、その第4は、同じく真空装置内でスパッタ
法により金属薄膜を製膜することを、その第5は同じく
スパッタ法により真空装置内で金薄膜を製膜することを
特徴としている。
【0006】耐熱性、耐湿性、加工性、機械的強度を合
せ持つと共に、過剰損失の小さな反射型光波長板は、ポ
リイミド波長板の片面に反射膜を形成することにより得
ることができる。ポリイミド以外の複屈折性を持つプラ
スチック材料によっても、薄型で過剰損失の小さな光波
長板を作製することは可能であるが、反射膜の形成時に
は光波長板の表面温度が200〜300℃まで上昇する
ため、耐熱性に劣る他の複屈折性プラスチックの表面に
は良好な反射膜を形成することはできない。ポリイミド
波長板の製造方法としては、本発明者らが特願平6−3
9368号明細書において明らかにしたポリアミド酸の
調製方法、ポリアミド酸フィルムの作製方法、そしてポ
リイミド波長板の製造方法を用いることができる。ポリ
イミド上に形成された後も光波長板としての加工性や柔
軟性を損なわず、しかも誘電体多層膜に比べて膜形成が
容易な反射膜としては金属反射膜が有効である。金属反
射膜の材料としては、金、銀、アルミニウム、ニッケ
ル、チタンなどが知られているが、中でも波長0.6μ
m以上の可視光から波長2.0μmまでの近赤外光に対
して高い反射特性を示す金反射膜が好適と考えられる。
厚さ0.1μmの金属反射膜とポリイミドの界面におけ
る吸収損失の計算値(ポリイミドの屈折率を1.612
と仮定)は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタン
についてそれぞれ0.05、0.08、0.16、1.
60、3.03dBであり、金反射膜の有効性を示して
いる。金属反射膜の製膜方法としては、抵抗加熱型や電
子ビーム型の蒸着法、直流及び高周波マグネトロン型、
イオンビーム型、電子サイクロトロン共鳴(ECR)型
等のスパッタ法、イオンプレーティング法、化学気相堆
積(CVD)法、分子ビームエピタキシー(MBE)
法、クラスターイオンビーム(CIB)法等などが使用
可能である。しかし、蒸着法によって形成される金薄膜
はポリイミドのような有機物やニオブ酸リチウム、酸化
シリコンのような酸化物に対する密着力が弱く、良好な
反射膜の形成が困難である。そこで本発明者らは、蒸着
時の金属クラスターのエネルギー値が高く、通常の蒸着
法に比べて緻密な膜形成が可能なスパッタ法による検討
を行うことにより、十分な密着力と耐久性を持ち、しか
もアルミニウム薄膜に比べて反射特性に優れる金反射膜
がポリイミド波長板上に形成可能であることを見出し
た。
【0007】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。な
お、ポリイミドフィルムのリターデーション(R)は、
波長1.55μmのレーザーダイオードを光源とし、2
つのグラントムソンプリズムを偏光子、検光子として平
行ニコル回転法により測定した。ポリイミドフィルムの
膜厚(d)は、近赤外光の吸収スペクトル(波長1.6
〜2.6μm)に現れる干渉縞の波長から求めた。
【0008】実施例1 ピロメリット酸二無水物(PMDA)と2,2′−ビス
(トリフルオロメチル)−4,4′−ジアミノビフェニ
ル(TFDB)から合成されたポリアミド酸のN,N−
ジメチルアセトアミド溶液を直径4インチのシリコンウ
ェハにスピンコート法により塗布し、70℃、1時間の
熱処理をしてはく離できる程度に溶媒を蒸発させた。は
く離したフィルムを縦6cm×横3cmの短冊状に切り
出し、金属枠に縦軸方向だけを固定して、最高温度35
0℃で熱イミド化を行った。得られたフィルムの中心部
におけるΔnは0.053であった。これを波長1.5
5μmの1/4波長板(R=0.388)として使用す
るためには、膜厚が7.3μmである必要がある。そこ
でポリアミド酸溶液のスピンコートの条件を、熱イミド
化後の膜厚が7.3μmとなるように変えて、上記の処
理を再度繰り返した。得られたポリイミドフィルムの中
心部におけるRは0.390であった。こうして得られ
たポリイミド1/4波長板をシリコンウェハ上に保持
し、金ターゲットを備えたスパッタ装置に導入し、ター
ゲット面直上に保持しながら、4m Torrのアルゴ
ン雰囲気中1.5W/cm2 の放電パワーで厚さ0.1
μmの金薄膜を形成したところ、フィルムを2mm以下
の曲率半径で曲げてもはく離せず、布でこすってもはが
れない反射膜が得られた。このフィルムの中央部に、延
伸軸に対して偏波面が45度傾くように波長1.55μ
mの直線偏光を入射したところ、反射光の偏波面が入射
光に対して90度回転したことから、このフィルムが反
射型の1/2波長板として使用できることが明らかとな
った。また、反射による損失は0.2dBであった。こ
の反射型光波長板を350℃で1時間熱処理し室温まで
戻した後も、光波長板としての特性に変化は見られなか
った。
【0009】(図1)に示す厚さ1mmのシリコン基板
上に作製された2本のシングルモード導波路から構成さ
れる導波型光回路の導波路端面に、上記の反射型1/4
波長板をその光学主軸が導波路基板に対して45度をな
し、反射膜の付いていない面が導波路端面に密着するよ
うに接着した。導波路は火炎堆積法と反応性イオンエッ
チングにより作製された石英系の導波路であり、その断
面はシリコン基板上に堆積された厚さ60μmのクラッ
ディング層のほぼ中央に、寸法7μm×7μmのコアが
埋設された構造となっている。クラッディングとコアの
比屈折率差は0.75%である。この導波型光回路の入
力導波路に偏波保存のシングルモード光ファイバを接続
し、導波路基板に対して水平方向の電界をもつ偏光(水
平偏波)を入射したところ、出力導波路からは導波路基
板に対して垂直方向の電界をもつ偏光(垂直偏波)が出
射された。また同様に、垂直偏波を入射したところ、出
力導波路からは水平偏波が出射された。反射型波長板の
接着に伴う過剰損失を測定したところ、0.5dBであ
った。
【0010】実施例2 実施例1と同様の方法で得られた膜厚7.3μmのポリ
イミド1/4波長板をシリコンウェハ上に保持し、これ
を抵抗加熱型の真空蒸着装置(日本電子製JEE−4C
型)に導入し、厚さ0.1μmのアルミニウム薄膜を形
成したところ、フィルムを2mm以下の曲率半径で曲げ
てもはく離せず、布でこすってもはがれない反射膜が得
られた。そこでこのフィルムの中央部に、延伸軸に対し
て偏波面が45度傾くように波長1.55μmの直線偏
光を入射したところ、反射光の偏波面が入射光に対して
90度回転したことから、このフィルムが反射型の1/
2波長板として使用できることが明らかとなった。反射
による損失は0.3dBであった。この反射型光波長板
を350℃で1時間熱処理し室温まで戻した後も、光波
長板としての特性に変化は見られなかった。また、この
反射型光波長板を(図1)に示す導波型光回路の端面に
実施例1と同様の方法により接着したところ、入射光の
偏光面が90度回転し、その過剰損失は0.6dBであ
った。
【0011】比較例1 水晶からなる波長1.55μmの1/4波長板(厚さ4
6μm)を実施例2と同様の抵抗加熱型蒸着装置に導入
し、厚さ0.1μmの金薄膜を形成したところ、均一な
反射膜は得られたが、布でこすると部分的なはく離が生
じ密着性が不十分であった。そこで同じ装置を用いて厚
さ0.1μmのアルミニウム薄膜を形成したところ、布
でこすってもはがれない反射膜が得られた。この中央部
に、延伸軸に対して偏波面が45度傾くように波長1.
55μmの直線偏光を入射したところ、反射光の偏波面
が入射光に対して90度回転したことから、このフィル
ムが反射型の1/2波長板として使用できることが明ら
かとなった。反射による損失は0.3dBであった。し
かしこの反射型波長板を、(図1)に示す導波型光回路
の端面に実施例1と同様の方法により接着したところ、
入射光の偏光面が90度回転したものの過剰損失は5d
Bであり、偏波変換器としては損失値の非常に大きなも
のとなった。
【0012】比較例2 実施例1と同様の方法で得られた膜厚7.3μmのポリ
イミド1/4波長板をシリコンウェハ上に保持し、実施
例2と同様の抵抗加熱型蒸着装置に導入し、厚さ0.1
μmの金薄膜を形成したところ、均一な反射膜は得られ
たが、布でこすると部分的なはく離が生じ密着性が不十
分であった。また、このフィルムを2mm以下の曲率半
径で曲げた場合にも、金薄膜の部分的なはく離が見られ
た。このことから一般の蒸着装置では十分な強度と密着
性のある金薄膜をポリイミド上に形成できないことが明
らかとなった。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、製造が容易で柔軟性が
あり、膜厚が薄いため過剰損失が少なく、しかも300
℃以上の高い耐熱性を持った反射型の光波長板を提供す
ることができ、主に導波型光デバイスの高性能化、低価
格化と作製プロセスの効率化といった点に寄与すること
ができる。実施例で示したように反射型の光導波回路に
適用することによってその機能、性能を向上させること
ができるばかりでなく、新しい型の導波型光デバイスの
作製にも寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ポリイミド1/4波長板とそれに密着した反射
膜を用いた偏波変換器を示す模式図である。
【符号の説明】
1:入力導波路、2:出力導波路、3:導波路基板、
4:1/4光波長板、5:反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹中 久貴 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フィルム面内の屈折率に異方性を有する
    ポリイミドフィルムとその片面に密着した金属薄膜の反
    射膜により構成されることを特徴とする反射型光波長
    板。
  2. 【請求項2】 該金属薄膜の反射膜が、金薄膜の反射膜
    により構成されることを特徴とする請求項1に記載の反
    射型光波長板。
  3. 【請求項3】 フィルム面内の屈折率に異方性を有する
    ポリイミドフィルムに、真空装置内で金属薄膜を製膜す
    ることを特徴とする反射型光波長板の製造方法。
  4. 【請求項4】 真空装置内でスパッタ法により金属薄膜
    を製膜することを特徴とする請求項3に記載の反射型光
    波長板の製造方法。
  5. 【請求項5】 該金属薄膜が、金薄膜であることを特徴
    とする請求項4に記載の反射型光波長板の製造方法。
JP10160095A 1995-04-04 1995-04-04 反射型光波長板及びその製造方法 Pending JPH08278422A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008145684A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Sony Corp 光導波路及び光モジュール
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