JPH08274367A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH08274367A JPH08274367A JP7267295A JP7267295A JPH08274367A JP H08274367 A JPH08274367 A JP H08274367A JP 7267295 A JP7267295 A JP 7267295A JP 7267295 A JP7267295 A JP 7267295A JP H08274367 A JPH08274367 A JP H08274367A
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- Japan
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- light emitting
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- emitting device
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- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光半導体素子の不良発生率に占める割合が極
めて高いサイリスタ通電不良の発生を抑制する。 【構成】 基板１１上には、バッファ層１２、ブラック
反射層１５、ｎ型クラッド層１６、発光層１７、ｐ型ク
ラッド層１８がこの順に形成される。発光層１７のドナ
ー不純物の濃度はｐ型クラッド層１８のドナー不純物の
濃度より高くなっている。
めて高いサイリスタ通電不良の発生を抑制する。 【構成】 基板１１上には、バッファ層１２、ブラック
反射層１５、ｎ型クラッド層１６、発光層１７、ｐ型ク
ラッド層１８がこの順に形成される。発光層１７のドナ
ー不純物の濃度はｐ型クラッド層１８のドナー不純物の
濃度より高くなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に関し、
特に表示用の半導体発光素子に関する。
特に表示用の半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、赤色から緑色までの波長領域で直
接遷移型の発光が可能である半導体発光素子としてＡｌ
ＧａＩｎＰ系混晶が注目され、開発が盛んに行われてい
る。通常、このタイプの半導体発光素子は結晶組成の制
御が比較的簡単に行える有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）により作成される。
接遷移型の発光が可能である半導体発光素子としてＡｌ
ＧａＩｎＰ系混晶が注目され、開発が盛んに行われてい
る。通常、このタイプの半導体発光素子は結晶組成の制
御が比較的簡単に行える有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）により作成される。
【０００３】このタイプの半導体発光素子の特徴は、
（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（ｙ≦１）の組成を
用いることで、通常基板として用いられるＧａＡｓとの
格子ミスマッチが極めて小さくなることが知られてお
り、そのため基板との格子ミスマッチに起因する転移等
の格子欠陥が少なく、結晶品質の高いものが容易に作成
できることにある。
（Ａｌy Ｇａ1-y ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ（ｙ≦１）の組成を
用いることで、通常基板として用いられるＧａＡｓとの
格子ミスマッチが極めて小さくなることが知られてお
り、そのため基板との格子ミスマッチに起因する転移等
の格子欠陥が少なく、結晶品質の高いものが容易に作成
できることにある。
【０００４】通常前記ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子におい
ても、発光輝度を向上させるための手段としてクラッド
層のバンドギャップを発光層のそれよりも大きくさせる
ヘテロ構造が用いられているが、特に発光層（従来より
ｎまたはｐ型を得るための不純物ドーピングはない）を
導電性がｐ型及びｎ型のクラッド層で挟み込んだダブル
ヘテロ構造が採用されている。また、発光層での光を効
率よく素子全面に取り出すために高屈折率と低屈折率の
組み合わせからなるブラッグ反射層をダブルヘテロ構造
が形成される部分より下部に形成する方法が用いられて
いる。その結果、従来赤色領域で最も高輝度とされたＧ
ａＡｌＡｓ系発光素子に匹敵するほどのレベルまで輝度
が向上した。
ても、発光輝度を向上させるための手段としてクラッド
層のバンドギャップを発光層のそれよりも大きくさせる
ヘテロ構造が用いられているが、特に発光層（従来より
ｎまたはｐ型を得るための不純物ドーピングはない）を
導電性がｐ型及びｎ型のクラッド層で挟み込んだダブル
ヘテロ構造が採用されている。また、発光層での光を効
率よく素子全面に取り出すために高屈折率と低屈折率の
組み合わせからなるブラッグ反射層をダブルヘテロ構造
が形成される部分より下部に形成する方法が用いられて
いる。その結果、従来赤色領域で最も高輝度とされたＧ
ａＡｌＡｓ系発光素子に匹敵するほどのレベルまで輝度
が向上した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系発光素子においても実用レベルの輝度が得
られるようになったが、発光素子の不良率が高く、素子
としての収率が非常に低いことが問題であった。これに
つき以下に詳述する。
ＧａＩｎＰ系発光素子においても実用レベルの輝度が得
られるようになったが、発光素子の不良率が高く、素子
としての収率が非常に低いことが問題であった。これに
つき以下に詳述する。
【０００６】現在、収率を低下させている発光素子の不
良モードのうち、大きくその割合を占めるものにサイリ
スタ通電不良が挙げられる。この不良は図３のように発
光素子に順方向で通電させたときの電圧−電流特性が通
常のダイオード特性（図３の(a) 曲線）を示さず、順方
向電圧を徐々に増加させたときそれに伴う順方向電流の
増加がいったん極めて小さくなってしまう（図３の(b)
曲線）ような通電特性の異常である。
良モードのうち、大きくその割合を占めるものにサイリ
スタ通電不良が挙げられる。この不良は図３のように発
光素子に順方向で通電させたときの電圧−電流特性が通
常のダイオード特性（図３の(a) 曲線）を示さず、順方
向電圧を徐々に増加させたときそれに伴う順方向電流の
増加がいったん極めて小さくなってしまう（図３の(b)
曲線）ような通電特性の異常である。
【０００７】このような特性の異常が起こる原因は素子
中のダブルヘテロ構造に寄生的なサイリスタ（ｎｐｎ
ｐ）構造が形成されたことによるものである。このサイ
リスタ通電不良の発生率は素子全体で２０％と高く、不
良モード全体で占める割合はおよそ４５％にもおよぶと
いう問題がある。本発明は上記問題点に鑑み、光半導体
素子の不良発生率に占める割合が極めて高いサイリスタ
通電不良の発生を抑制することを目的とする。
中のダブルヘテロ構造に寄生的なサイリスタ（ｎｐｎ
ｐ）構造が形成されたことによるものである。このサイ
リスタ通電不良の発生率は素子全体で２０％と高く、不
良モード全体で占める割合はおよそ４５％にもおよぶと
いう問題がある。本発明は上記問題点に鑑み、光半導体
素子の不良発生率に占める割合が極めて高いサイリスタ
通電不良の発生を抑制することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段と作用】サイリスタ通電不
良は半導体発光素子中でサイリスタ構造が形成されるこ
とによるが、本発明者らは数々の不良解析、実験等によ
り以下に示すような知見を得た。
良は半導体発光素子中でサイリスタ構造が形成されるこ
とによるが、本発明者らは数々の不良解析、実験等によ
り以下に示すような知見を得た。
【０００９】まず、素子中のサイリスタ構造の実態を調
べるために、素子中の各成長層についてＣ−Ｖ測定によ
り導電性判定を行った。その結果、図２に示すように素
子中のダブルヘテロ構造部分において反転層形成による
サイリスタ構造が形成されていることがわかった。さら
にダブルヘテロ構造部におけるクラッド層と発光層につ
いて不純物ドーピング無しでの結晶中に混入される不純
物濃度を調べたところ、ｐ型クラッド層中にＳｉ及びＯ
の残留ドナー不純物が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程
度であり、また、発光層中では２×１０16ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 程度である。ゆえに結晶中への残留ドナー不純物
の混入量は結晶組成により大きく異なることがわかっ
た。つまり、Ａｌ混晶比が大きいほど、残留ドナー不純
物が結晶中に入りやすいということである。
べるために、素子中の各成長層についてＣ−Ｖ測定によ
り導電性判定を行った。その結果、図２に示すように素
子中のダブルヘテロ構造部分において反転層形成による
サイリスタ構造が形成されていることがわかった。さら
にダブルヘテロ構造部におけるクラッド層と発光層につ
いて不純物ドーピング無しでの結晶中に混入される不純
物濃度を調べたところ、ｐ型クラッド層中にＳｉ及びＯ
の残留ドナー不純物が１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程
度であり、また、発光層中では２×１０16ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 程度である。ゆえに結晶中への残留ドナー不純物
の混入量は結晶組成により大きく異なることがわかっ
た。つまり、Ａｌ混晶比が大きいほど、残留ドナー不純
物が結晶中に入りやすいということである。
【００１０】次に、ｐ型クラッド層のアクセプター不純
物に用いるＺｎは結晶中で拡散し易いことが知られてい
る。ダブルヘテロ構造中での結晶中におけるＺｎの拡散
プロファイルを調べたところ、図４に示すように、ｐ型
クラッド層と発光層との界面近傍でのＺｎ濃度は８×１
０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 とｐ型クラッド層上面近傍のＺ
ｎ濃度と比較して、およそ１／５に低下していることが
わかった。また、発光層中ではｐ型クラッド層との界面
近傍で８×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 だったものが、ｎ
型クラッド層との界面近傍で２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 と低下している。
物に用いるＺｎは結晶中で拡散し易いことが知られてい
る。ダブルヘテロ構造中での結晶中におけるＺｎの拡散
プロファイルを調べたところ、図４に示すように、ｐ型
クラッド層と発光層との界面近傍でのＺｎ濃度は８×１
０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 とｐ型クラッド層上面近傍のＺ
ｎ濃度と比較して、およそ１／５に低下していることが
わかった。また、発光層中ではｐ型クラッド層との界面
近傍で８×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 だったものが、ｎ
型クラッド層との界面近傍で２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 と低下している。
【００１１】以上のことから、素子中でサイリスタ構造
が形成された理由として、結晶中に残留するドナー不純
物であるＳｉとＯ及び、アクセプター不純物であるＺｎ
がクラッド層及び発光層で活性化すると、発光層内でＺ
ｎ濃度≦（Ｓｉ、Ｏ）濃度の領域ではｎ型の導電性とな
り、 Ｚｎ濃度≧（Ｓｉ、Ｏ）濃度の領域ではｐ型の導
電性となり、この領域は反転層となる。同様にｐ型クラ
ッド層においても発光層との界面近傍ではｎ型の導電性
の反転層が形成されてしまう。結果として素子中にサイ
リスタ構造が形成されていたことを本発明者らは発見し
た。
が形成された理由として、結晶中に残留するドナー不純
物であるＳｉとＯ及び、アクセプター不純物であるＺｎ
がクラッド層及び発光層で活性化すると、発光層内でＺ
ｎ濃度≦（Ｓｉ、Ｏ）濃度の領域ではｎ型の導電性とな
り、 Ｚｎ濃度≧（Ｓｉ、Ｏ）濃度の領域ではｐ型の導
電性となり、この領域は反転層となる。同様にｐ型クラ
ッド層においても発光層との界面近傍ではｎ型の導電性
の反転層が形成されてしまう。結果として素子中にサイ
リスタ構造が形成されていたことを本発明者らは発見し
た。
【００１２】従って、素子中にサイリスタ構造が形成さ
れないためには、発光層中にｐ型の反転層の形成を防止
する、あるいはｐ型クラッド層中にｎ型の反転層の形成
を防止することが必要である。すなわち、発光層のｐ型
化を防止するには発光層に拡散するアクセプター不純物
以上のドナー不純物を発光層中に拡散する必要がある。
また、ｐ型クラッド層の発光層界面近傍でのｎ型化を防
止するためには、ｐ型クラッド層に混入するドナー不純
物以上のアクセプター不純物をｐ型クラッド層にドーピ
ングする必要がある。
れないためには、発光層中にｐ型の反転層の形成を防止
する、あるいはｐ型クラッド層中にｎ型の反転層の形成
を防止することが必要である。すなわち、発光層のｐ型
化を防止するには発光層に拡散するアクセプター不純物
以上のドナー不純物を発光層中に拡散する必要がある。
また、ｐ型クラッド層の発光層界面近傍でのｎ型化を防
止するためには、ｐ型クラッド層に混入するドナー不純
物以上のアクセプター不純物をｐ型クラッド層にドーピ
ングする必要がある。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例である半導体発光素子
につき図面を参照して説明する。図１に示すように、基
板１１上面にはｎ型ＧａＡｓであるバッファ層１２が
０．５μm 形成されている。バッファ層１２の上面に
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる低屈
折率層１３とＧａＡｓからなる高屈折率層１４とが交互
にそれぞれ１０層ずつ堆積した積層体である、ブラッグ
反射層１５が形成されている。ブラッグ反射層１５の表
面には、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる
層厚０．５μm のｎ型クラッド層１６、（Ａｌ0.04Ｇａ
0.96）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層厚０．５μm の発光層
１７、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層
厚０．５μm のｐ型クラッド層１８がこの順に堆積され
ている。なお、本実施例では発光層１７中のＳｉ濃度は
２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 となっている。ｐ型クラ
ッド層１８上面にはＡｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓからなる電流
拡散層１９が７μｍの厚さに形成されている。基板１１
裏面にはｎ型のオーミック電極２０、電流拡散層１９の
表面にはｐ型のオーミック電極２１が形成されている。
につき図面を参照して説明する。図１に示すように、基
板１１上面にはｎ型ＧａＡｓであるバッファ層１２が
０．５μm 形成されている。バッファ層１２の上面に
は、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる低屈
折率層１３とＧａＡｓからなる高屈折率層１４とが交互
にそれぞれ１０層ずつ堆積した積層体である、ブラッグ
反射層１５が形成されている。ブラッグ反射層１５の表
面には、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる
層厚０．５μm のｎ型クラッド層１６、（Ａｌ0.04Ｇａ
0.96）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層厚０．５μm の発光層
１７、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる層
厚０．５μm のｐ型クラッド層１８がこの順に堆積され
ている。なお、本実施例では発光層１７中のＳｉ濃度は
２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 となっている。ｐ型クラ
ッド層１８上面にはＡｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓからなる電流
拡散層１９が７μｍの厚さに形成されている。基板１１
裏面にはｎ型のオーミック電極２０、電流拡散層１９の
表面にはｐ型のオーミック電極２１が形成されている。
【００１４】以上、本発明の実施例である半導体発光素
子では、ｎ型クラッド層１６−発光層１７−ｐ型クラッ
ド層１８からなるダブルヘテロ構造に寄生的なサイリス
タ（ｎｐｎｐ）構造が形成されず、ｎｐ接合構造が実現
できていることを確認した。また、本発明の半導体発光
素子５０ロットについて電流−電圧特性を確認したとこ
ろ、各ロット共、ばらつきなく安定なダイオード特性を
示し、サイリスタ通電不良発生率は２％と従来（２０
％）と比べ、大幅に低減させることができる。
子では、ｎ型クラッド層１６−発光層１７−ｐ型クラッ
ド層１８からなるダブルヘテロ構造に寄生的なサイリス
タ（ｎｐｎｐ）構造が形成されず、ｎｐ接合構造が実現
できていることを確認した。また、本発明の半導体発光
素子５０ロットについて電流−電圧特性を確認したとこ
ろ、各ロット共、ばらつきなく安定なダイオード特性を
示し、サイリスタ通電不良発生率は２％と従来（２０
％）と比べ、大幅に低減させることができる。
【００１５】次に、本発明の実施例である半導体発光素
子の製造方法を図面を用いて説明する。図１に示すよう
に、ｎ型導電性ＧａＡｓからなる基板１１上に積層構造
を形成する。この形成方法は有機金属（ＭＯ）ＶＰＥ法
である。本実施例では 族材料にトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリ
メチルインジウム（ＴＭＩ）を、また 族材料にアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。
また、ドナー不純物材料、アクセプター不純物材料にそ
れぞれシラン（ＳｉＨ4 ）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を
用いた。膜成長温度及び炉内圧力はそれぞれ７３０℃、
４０Ｔｏｒｒとした。
子の製造方法を図面を用いて説明する。図１に示すよう
に、ｎ型導電性ＧａＡｓからなる基板１１上に積層構造
を形成する。この形成方法は有機金属（ＭＯ）ＶＰＥ法
である。本実施例では 族材料にトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリ
メチルインジウム（ＴＭＩ）を、また 族材料にアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。
また、ドナー不純物材料、アクセプター不純物材料にそ
れぞれシラン（ＳｉＨ4 ）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を
用いた。膜成長温度及び炉内圧力はそれぞれ７３０℃、
４０Ｔｏｒｒとした。
【００１６】まず、基板１１上にｎ型ＧａＡｓであるバ
ッファ層１２を０．５μm 成長させた後、（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる低屈折率層１３とＧａ
Ａｓからなる高屈折率層１４とを交互にそれぞれ１０層
ずつ堆積させ、ブラッグ反射層１５を形成する。
ッファ層１２を０．５μm 成長させた後、（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなる低屈折率層１３とＧａ
Ａｓからなる高屈折率層１４とを交互にそれぞれ１０層
ずつ堆積させ、ブラッグ反射層１５を形成する。
【００１７】ブラッグ反射層１５形成後、ｎ型クラッド
層１６を０．５μm 、発光層１７を０．５μm 、ｐ型ク
ラッド層１８を０．５μm 堆積させる。なお、本実施例
では発光層１７中のＳｉ濃度が２×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 となるようにシラン流量を調節し、ドーピングを
行う。この後、ｐ型クラッド層１８上面に電流拡散層１
９を成長させる。
層１６を０．５μm 、発光層１７を０．５μm 、ｐ型ク
ラッド層１８を０．５μm 堆積させる。なお、本実施例
では発光層１７中のＳｉ濃度が２×１０17ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 となるようにシラン流量を調節し、ドーピングを
行う。この後、ｐ型クラッド層１８上面に電流拡散層１
９を成長させる。
【００１８】最後に、基板１１裏面にはｎ型のオーミッ
ク電極２０、電流拡散層１９の表面にはｐ型のオーミッ
ク電極２１が形成され、アッセンブリ工程を経て、発光
波長６４０ｎｍ、発光輝度２ｃｄの半導体発光素子が完
成する。
ク電極２０、電流拡散層１９の表面にはｐ型のオーミッ
ク電極２１が形成され、アッセンブリ工程を経て、発光
波長６４０ｎｍ、発光輝度２ｃｄの半導体発光素子が完
成する。
【００１９】なお、本実施例は本発明を逸脱しない範囲
で種々変更可能である。素子中のサイリスタ構造を抑制
するために、ｐ型クラッド層中の発光層との界面近傍で
２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上となるようにアクセ
プター不純物をドーピングしても良い。またｐ型クラッ
ド層中の残留ドナー不純物（ＳｉとＯ）濃度を８×１０
16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下となるように本実施例で用い
た 族及び 族材料よりもさらに純度の高い材料を選択
しても問題にならない。
で種々変更可能である。素子中のサイリスタ構造を抑制
するために、ｐ型クラッド層中の発光層との界面近傍で
２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上となるようにアクセ
プター不純物をドーピングしても良い。またｐ型クラッ
ド層中の残留ドナー不純物（ＳｉとＯ）濃度を８×１０
16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下となるように本実施例で用い
た 族及び 族材料よりもさらに純度の高い材料を選択
しても問題にならない。
【００２０】
【発明の効果】本発明により、ダブルヘテロ構造に寄生
的なサイリスタ構造が形成されることのない半導体発光
素子を得ることができる。
的なサイリスタ構造が形成されることのない半導体発光
素子を得ることができる。
【図１】本発明の半導体発光素子の断面図
【図２】従来の半導体発光素子のダブルヘテロ構造近傍
の断面図
の断面図
【図３】従来の半導体発光素子の順方向電圧−電流特性
曲線
曲線
【図４】従来の半導体発光素子のＺｎ濃度曲線
【符号の説明】 １１ 基板 １２ バッファ層 １３ 低屈折率層 １４ 高屈折率層 １５ ブラッグ反射層 １６ ｎ型クラッド層 １７ 発光層 １８ ｐ型クラッド層 １９ 電流拡散層 ２０、２１ オーミック電極 (a) 通常のダイオードの電圧−電流特性 (b) 寄生的なサイリスタ構造が発生したときの電圧
−電流特性
−電流特性
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上部に形成されるｎ型クラッ
ド層と、 このｎ型クラッド層上面に形成される発光層と、 この発光層上面に形成されるｐ型クラッド層とを具備
し、 前記発光層のドナー不純物の濃度が前記ｐ型クラッド層
のドナー不純物の濃度より高いことを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項２】 前記発光層は（Ａｌy Ｇａ1-y ）x Ｉｎ
1-x Ｐ（０≦ｘ，ｙ≦１）からなることを特徴とする請
求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ドナー不純物はシリコンであること
を特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 半導体基板上部に形成されるｎ型クラッ
ド層と、 このｎ型クラッド層上面に形成される発光層と、 この発光層上面に形成されるｐ型クラッド層とを具備
し、 このｐ型クラッド層中のアクセプター不純物の濃度がこ
のｐ型クラッド層中の残留ドナー不純物の濃度よりも大
きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記発光層は（Ａｌy Ｇａ1-y ）x Ｉｎ
1-x Ｐ（０≦ｘ，ｙ≦１）からなることを特徴とする請
求項４記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記アクセプター不純物は亜鉛であるこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記残留ドナー不純物はシリコンおよび
酸素であることを特徴とする請求項４記載の半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7267295A JPH08274367A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7267295A JPH08274367A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274367A true JPH08274367A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13496096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7267295A Pending JPH08274367A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274367A (ja) |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7267295A patent/JPH08274367A/ja active Pending
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